KR100468808B1 - 2 밴드 발진기 - Google Patents

2 밴드 발진기 Download PDF

Info

Publication number
KR100468808B1
KR100468808B1 KR10-2002-0011556A KR20020011556A KR100468808B1 KR 100468808 B1 KR100468808 B1 KR 100468808B1 KR 20020011556 A KR20020011556 A KR 20020011556A KR 100468808 B1 KR100468808 B1 KR 100468808B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oscillation
transistor
emitter
switch transistor
circuit
Prior art date
Application number
KR10-2002-0011556A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020071473A (ko
Inventor
이카라시야스히로
Original Assignee
알프스 덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 알프스 덴키 가부시키가이샤 filed Critical 알프스 덴키 가부시키가이샤
Publication of KR20020071473A publication Critical patent/KR20020071473A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100468808B1 publication Critical patent/KR100468808B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/20Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator
    • H03B5/24Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator active element in amplifier being semiconductor device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1841Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

본 발명의 목적은 발진 트랜지스터의 에미터 바이어스저항에 의한 발진 파워의 저하를 특별한 회로나 부품을 추가하지 않고 간단하게 방지하는 것이다.
이를 위하여, 제 1 발진회로(1)에 있어서의 제 1 발진 트랜지스터(2)의 에미터전류를 설정하는 제 1 에미터 바이어스저항(6)을 제 1 발진 트랜지스터(2)의 에미터와 제 2 발진회로(21)에 있어서의 제 2 인덕턴스 소자(29) 사이에 거쳐 삽입하고, 제 2 발진회로(21)에 있어서의 제 2 발진 트랜지스터(22)의 에미터전류를 설정하는 제 2 에미터 바이어스저항(26)을 제 2 발진 트랜지스터(22)의 에미터와 제 1 발진회로(1)에 있어서의 제 1 인덕턴스 소자(9) 사이에 거쳐 삽입하였다.

Description

2 밴드 발진기{TWO-BAND OSCILLATOR}
본 발명은 2개의 발진회로로 이루어지고, 서로 다른 주파수대에서 발진하는 2 밴드 발진기에 관한 것이다.
2개의 주파수대에서 각각 발진하는 종래의 2 밴드 발진기의 회로를 도 3에 나타낸다. 제 1 발진회로(41)는 콜렉터 접지형의 제 1 발진 트랜지스터(42)를 가지고, 에미터는 바이어스저항(43)에 의해 그라운드에 접속된다. 베이스에는 제 1 스위치 트랜지스터(44)로부터 바이어스전압이 인가된다. 또 베이스와 그라운드 사이에는 공진용 제 1 인덕터(45)와 제 1 버랙터 다이오드(46)로 이루어지는 병렬 공진회로가 설치된다. 또한 베이스·에미터 사이 및 에미터·그라운드 사이에는 각각 귀환 콘덴서(47, 48)가 접속되어 에미터로부터 발진신호가 출력된다.
또 제 2 발진회로(51)는 콜렉터 접지형의 제 2 발진 트랜지스터(52)를 가지고, 에미터는 바이어스저항(53)에 의해 그라운드에 접속된다. 베이스에는 제 2 스위치 트랜지스터(54)로부터 바이어스전압이 인가된다. 또 베이스와 그라운드 사이에는 공진용 제 2 인덕터(55)와 제 2 버랙터 다이오드(56)로 이루어지는 병렬 공진회로가 설치된다. 또한 베이스·에미터 사이 및 에미터·그라운드 사이에는 각각귀환콘덴서(57, 58)가 접속되어 에미터로부터 발진신호가 출력된다.
그리고 제 1 스위치 트랜지스터(44)와 제 2 스위치 트랜지스터(54)의 각 베이스에는 한쪽을 온으로 하고, 다른쪽을 오프로 하기 위한 전환전압이 인가되기 때문에, 제 1 발진회로(41) 또는 제 2 발진회로(51) 중 어느 한쪽이 발진동작이 되고, 발진주파수는 제 1 및 제 2 버랙터 다이오드(46, 56)의 각 캐소드에 인가되는 제어전압을 바꿈으로써 바뀌어진다.
그러나 상기 종래의 발진기에 있어서는, 각 에미터에 접속된 각 바이어스저항(43, 53)이 각 귀환 콘덴서(48, 58)에 병렬로 접속되기 때문에, 발진신호의 전류가 각 바이어스저항(43, 53)에 흐른다. 이 때문에, 발진의 파워가 저하함과 동시에 위상 노이즈가 커진다는 문제도 일어난다.
따라서, 본 발명은 발진 트랜지스터의 에미터 바이어스저항에 의한 발진 파워의 저하를 특별한 회로나 부품을 추가하지 않고 간단하게 방지하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 2 밴드 발진기의 제 1 실시형태의 구성을 나타내는 회로도,
도 2는 본 발명의 2 밴드 발진기의 제 2 실시형태의 구성을 나타내는 회로도,
도 3은 종래의 2 밴드 발진기의 구성을 나타내는 회로도이다.
※ 도면의 주요 부분에 있어서의 부호의 설명
1 : 제 1 발진회로 2 : 제 1 발진 트랜지스터
3, 4 : 베이스 바이어스저항 5 : 제 1 스위치 트랜지스터(전환수단)
6 : 제 1 에미터 바이어스저항 7, 8 : 귀환 콘덴서
9 : 제 1 인덕턴스 소자 9a : 제 1 중간탭
10 : 제 1 버랙터 다이오드 11 : 제 1 용량수단
12 : 제어단자 21 : 제 2 발진회로
22 제 2 발진 트랜지스터
23, 24 : 베이스 바이어스저항
25 : 제 2 스위치 트랜지스터(전환수단)
26 : 제 2 에미터 바이어스저항
27, 28 : 귀환저항 29 : 제 2 인덕턴스 소자
29 : 제 2 중간탭 30 : 제 2 버랙터 다이오드
31 : 제 2 용량수단
상기 과제의 해결을 위하여, 본 발명의 2 밴드 발진기에서는, 제 1 발진회로와, 제 2 발진회로와, 상기 제 1 발진회로 또는 상기 제 2 발진회로를 택일적으로 동작시키는 전환수단을 구비하고, 상기 제 1 발진회로에는 제 1 발진 트랜지스터와 한쪽 끝이 접지됨과 동시에, 다른쪽 끝이 상기 제 1 발진 트랜지스터의 베이스에 결합된 제 1 인덕턴스 소자와, 상기 제 1 발진 트랜지스터의 에미터전류를 설정하는 제 1 에미터 바이어스저항을 설치하고, 상기 제 2 발진회로에는 제 2 발진 트랜지스터와 한쪽 끝이 접지됨과 동시에 다른쪽 끝이 상기 제 2 발진 트랜지스터의 베이스에 결합된 제 2 인덕턴스 소자와, 상기 제 2 발진 트랜지스터의 에미터전류를 설정하는 제 2 에미터 바이어스저항을 설치하고, 상기 제 1 에미터 바이어스저항을 상기 제 1 발진 트랜지스터의 에미터와 상기 제 2 인덕턴스 소자 사이에 거쳐 삽입하고, 상기 제 2 에미터 바이어스저항을 상기 제 2 발진 트랜지스터의 에미터와 상기 제 1 인덕턴스 소자 사이에 거쳐 삽입하였다.
또 상기 전환수단은 온(on)과 오프(off)가 서로 반대의 관계가 되는 제 1 스위치 트랜지스터와 제 2 스위치 트랜지스터로 이루어지고, 상기 제 1 스위치 트랜지스터에 의해 상기 제 1 발진 트랜지스터의 베이스에 바이어스전압을 인가하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터에 의해 상기 제 2 발진 트랜지스터의 베이스에 바이어스전압을 인가하였다.
또 상기 전환수단은 온과 오프가 서로 반대의 관계가 되는 제 1 스위치 트랜지스터와 제 2 스위치 트랜지스터로 이루어지고, 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 상기 제 1 에미터 바이어스저항에 직렬로 거쳐 삽입하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 상기 제 2 에미터 바이어스저항에 직렬로 거쳐 삽입하였다.
또 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 상기 제 2 스위치 트랜지스터에 의해 온 또는 오프시켰다.
또 상기 제 1 인덕턴스 소자에는 상기 제 1 인덕턴스 소자를 2분할하는 제 1 중간탭을 설치함과 동시에, 상기 제 2 인덕턴스 소자에는 상기 제 2 인덕턴스 소자를 2분할하는 제 2 중간탭을 설치하고, 상기 제 1 중간탭을 제 1 용량수단에 의해 접지함과 동시에, 상기 제 2 중간탭을 제 2 용량수단에 의해 접지하였다.
또 2분할된 상기 제 1 인덕턴스 소자의 한쪽과 상기 제 1 용량수단에 의한 병렬 공진회로를 상기 제 2 발진회로의 발진주파수에 공진시키고, 2분할된 상기 제 2 인덕턴스 소자의 한쪽과 상기 제 2 용량수단에 의한 병렬 공진회로를 상기 제 1 발진회로의 발진주파수에 공진시켰다.
본 발명의 2 밴드 발진기에 있어서의 제 1 실시형태의 구성을 도 1에서 설명한다. 제 1 발진회로(1)는 콜렉터가 전원(B)에 접속된 콜렉터 접지형의 제 1 발진 트랜지스터(2)를 가지고, 베이스는 한쪽의 베이스 바이어스저항(3)에 의해 그라운드에 접속된다. 또 베이스에는 다른쪽의 베이스 바이어스저항(4)과 제 1 스위치 트랜지스터(5)의 직렬회로에 의해 바이어스전압이 인가된다. 제 1 스위치 트랜지스터(5)는 제 1 발진 트랜지스터(2)를 동작 또는 비동작으로 전환하기 위한 전환수단이고, 그 베이스에 인가되는 전환전압에 의해 온 또는 오프가 되어, 오프일 때는 제 1 발진 트랜지스터(2)가 비동작이 된다. 또 에미터에는 제 1 발진 트랜지스터 (2)의 에미터전류를 설정하기 위한 제 1 에미터 바이어스저항(6)이 접속된다.
그리고 베이스와 에미터 사이 및 에미터와 그라운드 사이에는 각각 귀환 콘덴서(7, 8)가 접속된다. 또한 베이스와 그라운드 사이에는 제 1 인덕턴스 소자(9)와 제 1 버랙터 다이오드(10)로 이루어지는 병렬 공진회로가 설치되고, 제 1 인덕턴스 소자(9)의 한쪽 끝과 제 1 버랙터 다이오드(10)의 애노드가 접지되고, 제 1 인덕턴스 소자(9)의 다른쪽 끝과 제 1 버랙터 다이오드(10)의 캐소드가 베이스에결합된다. 제 1 인덕턴스 소자(9)는 스트립 도체 등에 의해 구성된다.
제 1 인덕턴스 소자(9)에는 이것을 9a와 9b로 2분할하는 제 1 중간탭(9c)이 설치되고, 제 1 중간탭(9c)은 제 1 용량수단(11)에 의해 접지된다. 제 1 버랙터 다이오드(10)의 캐소드에는 제어단자(12)로부터 제어전압이 인가되고, 이 전압을 바꿈으로써 발진주파수가 변하고, 발진신호는 에미터로부터 출력된다.
또 제 2 발진회로(21)는 콜렉터가 전원(B)에 접속된 콜렉터 접지형의 제 2 발진 트랜지스터(22)를 가지고, 베이스는 한쪽의 베이스 바이어스저항(23)에 의해 그라운드에 접속된다. 또 베이스에는 다른쪽의 베이스 바이어스저항(24)과 제 2 스위치 트랜지스터(25)의 직렬회로에 의해 바이어스전압이 인가된다. 제 2 스위치 트랜지스터(25)는 제 2 발진 트랜지스터(22)를 동작 또는 비동작으로 전환하기 위한 전환수단이며, 그 베이스에 인가되는 전환전압에 의해 온 또는 오프가 되고, 오프일 때는 제 2 발진 트랜지스터(22)가 비동작이 된다. 또 에미터에는 제 2 발진 트랜지스터(22)의 에미터전류를 설정하기 위한 제 2 에미터 바이어스저항(26)이 접속된다.
그리고 베이스와 에미터 사이 및 에미터와 그라운드 사이에는 각각 귀환 콘덴서(27, 28)가 접속된다. 또한 베이스와 그라운드 사이에는 제 2 인덕턴스 소자(29)와 제 2 버랙터 다이오드(30)로 이루어지는 병렬 공진회로가 설치되고, 제 2 인덕턴스 소자(29)의 한쪽 끝과 제 2 버랙터 다이오드(30)의 애노드가 접지되고, 제 2 인덕턴스 소자(29)의 다른쪽 끝과 제 2 버랙터 다이오드(30)의 캐소드가 베이스에 결합된다. 제 2 인덕턴스 소자(29)도 스트립 도체 등에 의해 구성된다.
제 2 인덕턴스 소자(29)에는 이것을 29a와 29b로 2분할하는 제 2 중간탭 (29c)이 설치되고, 제 2 중간탭(29c)은 제 2 용량수단(31)에 의해 접지된다. 제 2 버랙터 다이오드(30)의 캐소드에는 제어단자(12)로부터 제어전압이 인가되고, 이 전압을 바꿈으로써 발진주파수가 변하고, 발진신호는 에미터로부터 출력된다.
여기서, 제 1 스위치 트랜지스터(5)와 제 2 스위치 트랜지스터(25)는 한쪽이 온일 때에 다른쪽이 오프가 되도록 전환된다. 또 제 1 발진회로(1)에 있어서의 제 1 에미터 바이어스저항(6)은 제 2 발진회로(21)에 있어서의 제 2 인덕턴스 소자(29)의 중간탭(29c)에 접속되고, 제 2 발진회로(21)에 있어서의 제 2 에미터 바이어스저항(26)은 제 1 발진회로(1)에 있어서의 제 1 인덕턴스 소자(9)의 중간탭(9c)에 접속된다.
그리고 제 1 발진회로(1)에 있어서의 2분할된 제 1 인덕턴스 소자(9)의 한쪽(9a)과 제 1 용량수단(11)에 의한 병렬 공진회로를 제 2 발진회로(21)의 발진주파수에 공진시키고, 제 2 발진회로(21)에 있어서의 2분할된 제 2 인덕턴스 소자 (29)의 한쪽(29a)과 제 2 용량수단(31)에 의한 병렬 공진회로를 제 1 발진회로(1)의 발진주파수에 공진시키도록 한다. 제 1 및 제 2 용량수단(11, 31)은 별개 (discrete)의 콘덴서 부품으로 구성하여도 좋으나, 각 발진회로(1, 21)를 구성하기 위한 프린트기판(도시 생략)의 도체박을 이용하여 구성하여도 좋다.
이상의 구성에 있어서, 제 1 스위치 트랜지스터(5)가 온이 되었을 때는 제 1 발진 트랜지스터(2)의 에미터로부터 제 1 에미터 바이어스저항(6), 제 2 인덕턴스 소자(29)의 한쪽(29a)을 거쳐 그라운드에 전류가 흐르나, 제 2 인덕턴스 소자(29)의 한쪽(29a)은 고주파전류를 저지하기 때문에 제 1 에미터 바이어스저항(6)에는 고주파전류가 흐르지 않는다. 따라서, 제 1 에미터 바이어스저항(6)에 의한 제 1 발진회로(1)의 발진신호의 손실이 적어지고, 위상 노이즈도 저하한다. 그리고 제 2 발진회로(21)에 있어서의 제 1 인덕턴스 소자(29)의 한쪽(29a)과 제 2 용량수단 (31)에 의한 병렬 공진회로를 제 1 발진회로(1)의 발진주파수에 공진시킴으로써, 그것들이 한층 현저해진다.
마찬가지의 이유에 의하여, 제 2 에미터 바이어스저항(26)에 의한 제 2 발진회로 (21)의 발진신호의 손실이 적어짐과 동시에, 위상노이즈도 저하한다. 또 제 1 발진회로(1)에 있어서의 제 1 인덕턴스 소자(9)의 한쪽(9a)과 제 1 용량수단(11)에 의한 병렬 공진회로를 제 2 발진회로(21)의 발진주파수에 공진시킴으로써 그것들이 한층 현저해진다. 이상과 같이, 비동작의 발진회로의 인덕턴스 소자를 이용하여 동작중의 발진회로의 발진신호의 손실을 적게 하는 것이 가능해진다.
도 2는 제 2 실시형태의 구성을 나타낸다. 제 1 발진회로(1)에 있어서는, 제 1 발진 트랜지스터(2)의 베이스에 접속된 한쪽의 베이스 바이어스저항(3)과 에미터에 접속된 제 1 에미터 바이어스저항(6)이 제 1 스위치 트랜지스터(5)의 콜렉터에 접속되고, 제 1 스위치 트랜지스터(5)의 에미터가 제 2 발진회로(21)에 있어서의 제 2 인덕턴스 소자(29)의 중간탭(29c)에 접속된다. 다른쪽 베이스 바이어스저항(4)은 전원에 접속된다.
또 제 2 발진회로(21)에 있어서는, 제 2 발진 트랜지스터(22)의 베이스에 접속된 한쪽의 베이스 바이어스저항(23)과 에미터에 접속된 제 2 에미터 바이어스저항(26)이 제 2 스위치 트랜지스터(25)의 콜렉터에 접속되고, 제 2 스위치 트랜지스터(25)의 에미터가 제 1 발진회로(1)에 있어서의 제 1 인덕턴스 소자(9)의 중간탭 (9c)에 접속된다. 다른쪽 베이스 바이어스저항(24)은 전원에 접속된다.
그리고 제 1 스위치 트랜지스터(5)의 베이스가 제 2 스위치와 트랜지스터 (25)의 콜렉터에 접속된다. 제 2 스위치 트랜지스터(25)의 베이스에는 이것을 온 또는 오프로 하는 전환전압이 인가된다.
도 2의 구성에 있어서, 제 2 스위치 트랜지스터(25)를 오프로 하면 제 1 스위치 트랜지스터(5)가 온이 되어 제 1 발진회로(1)가 발진상태로 된다. 그리고 제 1 발진 트랜지스터(2)의 에미터전류가 제 1 에미터 바이어스저항(6), 제 1 스위치 트랜지스터(5), 제 2 인덕턴스 소자(29)의 한쪽(29a)으로 이루어지는 직렬회로를 거쳐 그라운드에 흐른다. 이 경우도 제 1 실시형태의 설명과 마찬가지로 발진신호의 손실이 적어진다. 또한 제 2 스위치 트랜지스터(25)가 오프이기 때문에 제 2 발진회로(21)는 발진동작을 하지 않는다.
한편, 제 2 스위치 트랜지스터(25)가 온이 되면 제 1 발진회로(1)는 발진동작을 정지하고, 제 2 발진회로가 발진동작을 한다. 그리고 제 2 발진 트랜지스터 (22)의 에미터전류가 제 2 에미터 바이어스저항(26), 제 2 스위치 트랜지스터(25), 제 1 인덕턴스 소자(9)의 한쪽(9a)으로 이루어지는 직렬회로를 거쳐 그라운드에 흐른다. 이 경우도 마찬가지로 제 1 실시형태의 설명과 동일하게 발진신호의 손실이 적어진다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 2 밴드 발진기에서는 제 1 발진회로에 있어서의 제 1 발진 트랜지스터의 에미터전류를 설정하는 제 1 에미터 바이어스저항을 제 1 발진 트랜지스터의 에미터와 제 2 발진회로에 있어서의 제 2 인덕턴스 소자 사이에 거쳐 삽입하고, 제 2 발진회로에 있어서의 제 2 발진 트랜지스터의 에미터전류를 설정하는 제 2 에미터 바이어스저항을 제 2 발진 트랜지스터의 에미터와 제 1 발진회로에 있어서의 제 1 인덕턴스 소자 사이에 거쳐 삽입하였기 때문에, 발진동작을 하고 있지 않는 쪽의 발진회로의 인덕턴스 소자를 이용하여 발진동작중의 발진회로의 발진신호의 손실을 적게 할 수 있다.
또 전환수단은 온과 오프가 서로 반대의 관계가 되는 제 1 스위치 트랜지스터와 제 2 스위치 트랜지스터로 이루어지고, 제 1 스위치 트랜지스터에 의해 제 1 발진 트랜지스터의 베이스에 바이어스전압을 인가하고, 제 2 스위치 트랜지스터에 의해 제 2 발진 트랜지스터의 베이스에 바이어스전압을 인가하였기 때문에, 2개의 발진회로의 동작, 비동작의 전환을 할 수 있다.
또 전환수단은 온과 오프가 서로 반대의 관계가 되는 제 1 스위치 트랜지스터와 제 2 스위치 트랜지스터로 이루어지고, 제 1 스위치 트랜지스터를 제 1 에미터 바이어스저항에 직렬로 거쳐 삽입하고, 제 2 스위치 트랜지스터를 제 2 에미터 바이어스저항에 직렬로 거쳐 삽입하였기 때문에, 각 인덕턴스 소자에 흘리는 각 발진 트랜지스터의 에미터전류를 각 스위치 트랜지스터에 의해 단속할 수 있다.
또 제 1 스위치 트랜지스터를 제 2 스위치 트랜지스터에 의해 온 또는 오프시켰기 때문에, 제 2 트랜지스터에만 온, 오프하기 위한 전환전압을 인가하는 것만으로도 좋다.
또 제 1 인덕턴스 소자에 설치한 제 1 중간탭을 제 1 용량수단에 의해 접지함과 동시에, 제 2 인덕턴스 소자에 설치한 제 2 중간탭을 제 2 용량수단에 의해 접지하였기 때문에, 각 발진 트랜지스터의 에미터로부터 그라운드에 흐르는 고주파전류를 더욱 적게 할 수 있다.
또 2분할된 제 1 인덕턴스 소자의 한쪽과 제 1 용량수단에 의한 병렬 공진회로를 제 2 발진회로의 발진주파수에 공진시키고, 2분할된 제 2 인덕턴스 소자의 한쪽과 제 2 용량수단에 의한 병렬 공진회로를 제 1 발진회로의 발진주파수에 공진시켰기 때문에, 각 발진 트랜지스터의 에미터로부터 그라운드에 흐르는 고주파전류를 한층 적게 할 수 있다.

Claims (6)

  1. 제 1 발진회로와, 제 2 발진회로와, 상기 제 1 발진회로 또는 상기 제 2 발진회로를 택일적으로 동작시키는 전환수단을 구비하고,
    상기 제 1 발진회로에는, 제 1 발진 트랜지스터와, 한쪽 끝이 접지됨과 동시에 다른쪽 끝이 상기 제 1 발진 트랜지스터의 베이스에 결합된 제 1 인덕턴스 소자와, 상기 제 1 발진 트랜지스터의 에미터전류를 설정하는 제 1 에미터 바이어스저항을 설치하고,
    상기 제 2 발진회로에는, 제 2 발진 트랜지스터와, 한쪽 끝이 접지됨과 동시에 다른쪽 끝이 상기 제 2 발진 트랜지스터의 베이스에 결합된 제 2 인덕턴스 소자와, 상기 제 2 발진 트랜지스터의 에미터전류를 설정하는 제 2 에미터 바이어스저항을 설치하고,
    상기 제 1 에미터 바이어스저항의 한쪽 끝을 상기 제 1 발진 트랜지스터의 에미터에 접속함과 동시에 다른쪽 끝을 상기 제 2 인덕턴스 소자 상의 한 점에 접속하고,
    상기 제 2 에미터 바이어스저항의 한쪽 끝을 상기 제 2 발진 트랜지스터의 에미터에 접속함과 동시에 다른쪽 끝을 상기 제 1 인덕턴스 소자 상의 한 점에 접속하는 것을 특징으로 하는 2 밴드 발진기.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 전환수단은 온(on)과 오프(off)가 서로 반대의 관계가 되는 제 1 스위치 트랜지스터와 제 2 스위치 트랜지스터로 이루어지고, 상기 제 1 스위치 트랜지스터에 의해 상기 제 1 발진 트랜지스터의 베이스에 바이어스전압을 인가하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터에 의해 상기 제 2 발진 트랜지스터의 베이스에 바이어스전압을 인가한 것을 특징으로 하는 2 밴드 발진기.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 전환수단은 온과 오프가 서로 반대의 관계가 되는 제 1 스위치 트랜지스터와 제 2 스위치 트랜지스터로 이루어지고, 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 상기 제 1 에미터 바이어스저항에 직렬로 거쳐 삽입하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 상기 제 2 에미터 바이어스저항에 직렬로 거쳐 삽입한 것을 특징으로 하는 2 밴드 발진기.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제 1 스위치 트랜지스터를 상기 제 2 스위치 트랜지스터에 의해 온 또는 오프시킨 것을 특징으로 하는 2 밴드 발진기.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 인덕턴스 소자에는 상기 제 1 인덕턴스 소자를 2분할하는 제 1 중간탭을 설치함과 동시에, 상기 제 2 인덕턴스 소자에는 상기 제 2 인덕턴스 소자를 2분할하는 제 2 중간탭을 설치하고, 상기 제 1 중간탭을 제 1 용량수단에 의해 접지함과 동시에, 상기 제 2 중간탭을 제 2 용량수단에 의해 접지한 것을 특징으로하는 2 밴드 발진기.
  6. 제 5항에 있어서,
    2분할된 상기 제 1 인덕턴스 소자의 한쪽과 상기 제 1 용량수단에 의한 병렬 공진회로를 상기 제 2 발진회로의 발진주파수에 공진시키고, 2분할된 상기 제 2 인덕턴스 소자의 한쪽과 상기 제 2 용량수단에 의한 병렬 공진회로를 상기 제 1 발진회로의 발진주파수에 공진시킨 것을 특징으로 하는 2 밴드 발진기.
KR10-2002-0011556A 2001-03-06 2002-03-05 2 밴드 발진기 KR100468808B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00061470 2001-03-06
JP2001061470A JP2002261543A (ja) 2001-03-06 2001-03-06 2バンド発振器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020071473A KR20020071473A (ko) 2002-09-12
KR100468808B1 true KR100468808B1 (ko) 2005-01-29

Family

ID=18920758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0011556A KR100468808B1 (ko) 2001-03-06 2002-03-05 2 밴드 발진기

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6590465B2 (ko)
EP (1) EP1239601B1 (ko)
JP (1) JP2002261543A (ko)
KR (1) KR100468808B1 (ko)
CN (1) CN1236552C (ko)
DE (1) DE60200388T2 (ko)
TW (1) TW522638B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100668224B1 (ko) 2003-01-31 2007-01-11 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 전압제어 발진기, 복합 모듈, 및 통신 장치

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005057725A (ja) * 2003-07-24 2005-03-03 Murata Mfg Co Ltd 高周波発振器
JP2005109980A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Fujitsu Media Device Kk スイッチング回路及びそれを有する電圧制御発振装置
JP2006319769A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Alps Electric Co Ltd 2バンド発振器
TWI298579B (en) * 2005-10-04 2008-07-01 Univ Nat Taiwan Science Tech An dual-band voltage controlled oscillator utilizing switched feedback technology
KR100791169B1 (ko) 2006-06-09 2008-01-02 전만영 전계효과 트랜지스터를 사용한 저 전원전압 차동 클랩 전압제어 발진기
JP4721989B2 (ja) * 2006-09-01 2011-07-13 アルプス電気株式会社 2バンド発振器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148933A (ja) * 1994-11-22 1996-06-07 Murata Mfg Co Ltd 電圧制御型発振器
JPH10163750A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Tdk Corp 電圧制御発振器
JPH11298242A (ja) * 1998-04-07 1999-10-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発振器とこれを用いた高周波モジュール
JP2000357919A (ja) * 1999-06-16 2000-12-26 Alps Electric Co Ltd 切替型発振回路
JP2001016033A (ja) * 1999-06-25 2001-01-19 Alps Electric Co Ltd 切替型発振回路
EP1079513A1 (en) * 1999-08-19 2001-02-28 Alps Electric Co., Ltd. Oscillating apparatus including two-band resonance circuit

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5852384A (en) 1996-04-25 1998-12-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dual band oscillator circuit using strip line resonators
JPH10270937A (ja) * 1997-03-27 1998-10-09 Murata Mfg Co Ltd 電圧制御発振器
JP2002514027A (ja) * 1998-05-05 2002-05-14 ヴァリ−エル・カンパニー・インコーポレーテッド 受動出力回路を介して負荷へ選択的に結合される第1と第2の発振器回路
US6188295B1 (en) * 1999-04-13 2001-02-13 Delta Electronics, Inc. Frequency adjustments by patterning micro-strips to form serially connected capacitors or inductor-capacitor (LC) Circuit
JP2001127544A (ja) 1999-08-19 2001-05-11 Alps Electric Co Ltd 2バンド発振装置
JP2001111342A (ja) 1999-10-14 2001-04-20 Alps Electric Co Ltd 2バンド発振器
JP2001237640A (ja) * 2000-02-21 2001-08-31 Murata Mfg Co Ltd 電圧制御発振器および通信装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148933A (ja) * 1994-11-22 1996-06-07 Murata Mfg Co Ltd 電圧制御型発振器
JPH10163750A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Tdk Corp 電圧制御発振器
JPH11298242A (ja) * 1998-04-07 1999-10-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発振器とこれを用いた高周波モジュール
JP2000357919A (ja) * 1999-06-16 2000-12-26 Alps Electric Co Ltd 切替型発振回路
JP2001016033A (ja) * 1999-06-25 2001-01-19 Alps Electric Co Ltd 切替型発振回路
EP1079513A1 (en) * 1999-08-19 2001-02-28 Alps Electric Co., Ltd. Oscillating apparatus including two-band resonance circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100668224B1 (ko) 2003-01-31 2007-01-11 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 전압제어 발진기, 복합 모듈, 및 통신 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN1374753A (zh) 2002-10-16
EP1239601B1 (en) 2004-04-21
EP1239601A2 (en) 2002-09-11
TW522638B (en) 2003-03-01
DE60200388D1 (de) 2004-05-27
JP2002261543A (ja) 2002-09-13
KR20020071473A (ko) 2002-09-12
DE60200388T2 (de) 2004-09-02
US6590465B2 (en) 2003-07-08
US20020125958A1 (en) 2002-09-12
EP1239601A3 (en) 2003-06-25
CN1236552C (zh) 2006-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100468808B1 (ko) 2 밴드 발진기
EP1154560B1 (en) Voltage controlled oscillator for oscillating signals with high C/N ratio
JPH10270937A (ja) 電圧制御発振器
KR100286465B1 (ko) 발진회로
JPS5922404A (ja) 電圧制御発振器
JPH0746038A (ja) 電圧制御周波数発振器
JP2000049534A (ja) 電圧制御発振器
KR100386176B1 (ko) 전압제어발진기
KR100386175B1 (ko) 전압제어발진기
KR100372057B1 (ko) 2밴드 발진기
KR100477210B1 (ko) 전압제어 발진기
JP4721989B2 (ja) 2バンド発振器
KR100342373B1 (ko) 전압제어 발진기
KR900002652Y1 (ko) 고주파 발진기
JPH104315A (ja) 高周波発振回路
KR100583684B1 (ko) 2 밴드 발진기
JP2006261822A (ja) 発振回路
JP3977626B2 (ja) 発振回路
JPH09252220A (ja) 電圧制御発振器
JP2003101346A (ja) 電圧制御発振器
KR20040016402A (ko) 발진기
KR19990085586A (ko) 전압 제어 발진 회로
JP2003092512A (ja) 電圧制御発振器
JP2005123927A (ja) 電圧制御発振器
JP2008079351A (ja) 2バンド発振器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee