KR20020071473A - 2 밴드 발진기 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 목적은 발진 트랜지스터의 에미터 바이어스저항에 의한 발진 파워의 저하를 특별한 회로나 부품을 추가하지 않고 간단하게 방지하는 것이다.
이를 위하여, 제 1 발진회로(1)에 있어서의 제 1 발진 트랜지스터(2)의 에미터전류를 설정하는 제 1 에미터 바이어스저항(6)을 제 1 발진 트랜지스터(2)의 에미터와 제 2 발진회로(21)에 있어서의 제 2 인덕턴스 소자(29) 사이에 거쳐 삽입하고, 제 2 발진회로(21)에 있어서의 제 2 발진 트랜지스터(22)의 에미터전류를 설정하는 제 2 에미터 바이어스저항(26)을 제 2 발진 트랜지스터(22)의 에미터와 제 1 발진회로(1)에 있어서의 제 1 인덕턴스 소자(9) 사이에 거쳐 삽입하였다.
Description
본 발명은 2개의 발진회로로 이루어지고, 서로 다른 주파수대에서 발진하는 2 밴드 발진기에 관한 것이다.
2개의 주파수대에서 각각 발진하는 종래의 2 밴드 발진기의 회로를 도 3에 나타낸다. 제 1 발진회로(41)는 콜렉터 접지형의 제 1 발진 트랜지스터(42)를 가지고, 에미터는 바이어스저항(43)에 의해 그라운드에 접속된다. 베이스에는 제 1 스위치 트랜지스터(44)로부터 바이어스전압이 인가된다. 또 베이스와 그라운드 사이에는 공진용 제 1 인덕터(45)와 제 1 버랙터 다이오드(46)로 이루어지는 병렬 공진회로가 설치된다. 또한 베이스·에미터 사이 및 에미터·그라운드 사이에는 각각 귀환 콘덴서(47, 48)가 접속되어 에미터로부터 발진신호가 출력된다.
또 제 2 발진회로(51)는 콜렉터 접지형의 제 2 발진 트랜지스터(52)를 가지고, 에미터는 바이어스저항(53)에 의해 그라운드에 접속된다. 베이스에는 제 2 스위치 트랜지스터(54)로부터 바이어스전압이 인가된다. 또 베이스와 그라운드 사이에는 공진용 제 2 인덕터(55)와 제 2 버랙터 다이오드(56)로 이루어지는 병렬 공진회로가 설치된다. 또한 베이스·에미터 사이 및 에미터·그라운드 사이에는 각각귀환콘덴서(57, 58)가 접속되어 에미터로부터 발진신호가 출력된다.
그리고 제 1 스위치 트랜지스터(44)와 제 2 스위치 트랜지스터(54)의 각 베이스에는 한쪽을 온으로 하고, 다른쪽을 오프로 하기 위한 전환전압이 인가되기 때문에, 제 1 발진회로(41) 또는 제 2 발진회로(51) 중 어느 한쪽이 발진동작이 되고, 발진주파수는 제 1 및 제 2 버랙터 다이오드(46, 56)의 각 캐소드에 인가되는 제어전압을 바꿈으로써 바뀌어진다.
그러나 상기 종래의 발진기에 있어서는, 각 에미터에 접속된 각 바이어스저항(43, 53)이 각 귀환 콘덴서(48, 58)에 병렬로 접속되기 때문에, 발진신호의 전류가 각 바이어스저항(43, 53)에 흐른다. 이 때문에, 발진의 파워가 저하함과 동시에 위상 노이즈가 커진다는 문제도 일어난다.
따라서, 본 발명은 발진 트랜지스터의 에미터 바이어스저항에 의한 발진 파워의 저하를 특별한 회로나 부품을 추가하지 않고 간단하게 방지하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 2 밴드 발진기의 제 1 실시형태의 구성을 나타내는 회로도,
도 2는 본 발명의 2 밴드 발진기의 제 2 실시형태의 구성을 나타내는 회로도,
도 3은 종래의 2 밴드 발진기의 구성을 나타내는 회로도이다.
※ 도면의 주요 부분에 있어서의 부호의 설명
1 : 제 1 발진회로 2 : 제 1 발진 트랜지스터
3, 4 : 베이스 바이어스저항 5 : 제 1 스위치 트랜지스터(전환수단)
6 : 제 1 에미터 바이어스저항 7, 8 : 귀환 콘덴서
9 : 제 1 인덕턴스 소자 9a : 제 1 중간탭
10 : 제 1 버랙터 다이오드 11 : 제 1 용량수단
12 : 제어단자 21 : 제 2 발진회로
22 제 2 발진 트랜지스터
23, 24 : 베이스 바이어스저항
25 : 제 2 스위치 트랜지스터(전환수단)
26 : 제 2 에미터 바이어스저항
27, 28 : 귀환저항 29 : 제 2 인덕턴스 소자
29 : 제 2 중간탭 30 : 제 2 버랙터 다이오드
31 : 제 2 용량수단
상기 과제의 해결을 위하여, 본 발명의 2 밴드 발진기에서는, 제 1 발진회로와, 제 2 발진회로와, 상기 제 1 발진회로 또는 상기 제 2 발진회로를 택일적으로 동작시키는 전환수단을 구비하고, 상기 제 1 발진회로에는 제 1 발진 트랜지스터와 한쪽 끝이 접지됨과 동시에, 다른쪽 끝이 상기 제 1 발진 트랜지스터의 베이스에 결합된 제 1 인덕턴스 소자와, 상기 제 1 발진 트랜지스터의 에미터전류를 설정하는 제 1 에미터 바이어스저항을 설치하고, 상기 제 2 발진회로에는 제 2 발진 트랜지스터와 한쪽 끝이 접지됨과 동시에 다른쪽 끝이 상기 제 2 발진 트랜지스터의 베이스에 결합된 제 2 인덕턴스 소자와, 상기 제 2 발진 트랜지스터의 에미터전류를 설정하는 제 2 에미터 바이어스저항을 설치하고, 상기 제 1 에미터 바이어스저항을 상기 제 1 발진 트랜지스터의 에미터와 상기 제 2 인덕턴스 소자 사이에 거쳐 삽입하고, 상기 제 2 에미터 바이어스저항을 상기 제 2 발진 트랜지스터의 에미터와 상기 제 1 인덕턴스 소자 사이에 거쳐 삽입하였다.
또 상기 전환수단은 온(on)과 오프(off)가 서로 반대의 관계가 되는 제 1 스위치 트랜지스터와 제 2 스위치 트랜지스터로 이루어지고, 상기 제 1 스위치 트랜지스터에 의해 상기 제 1 발진 트랜지스터의 베이스에 바이어스전압을 인가하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터에 의해 상기 제 2 발진 트랜지스터의 베이스에 바이어스전압을 인가하였다.
또 상기 전환수단은 온과 오프가 서로 반대의 관계가 되는 제 1 스위치 트랜지스터와 제 2 스위치 트랜지스터로 이루어지고, 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 상기 제 1 에미터 바이어스저항에 직렬로 거쳐 삽입하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 상기 제 2 에미터 바이어스저항에 직렬로 거쳐 삽입하였다.
또 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 상기 제 2 스위치 트랜지스터에 의해 온 또는 오프시켰다.
또 상기 제 1 인덕턴스 소자에는 상기 제 1 인덕턴스 소자를 2분할하는 제 1 중간탭을 설치함과 동시에, 상기 제 2 인덕턴스 소자에는 상기 제 2 인덕턴스 소자를 2분할하는 제 2 중간탭을 설치하고, 상기 제 1 중간탭을 제 1 용량수단에 의해 접지함과 동시에, 상기 제 2 중간탭을 제 2 용량수단에 의해 접지하였다.
또 2분할된 상기 제 1 인덕턴스 소자의 한쪽과 상기 제 1 용량수단에 의한 병렬 공진회로를 상기 제 2 발진회로의 발진주파수에 공진시키고, 2분할된 상기 제 2 인덕턴스 소자의 한쪽과 상기 제 2 용량수단에 의한 병렬 공진회로를 상기 제 1 발진회로의 발진주파수에 공진시켰다.
본 발명의 2 밴드 발진기에 있어서의 제 1 실시형태의 구성을 도 1에서 설명한다. 제 1 발진회로(1)는 콜렉터가 전원(B)에 접속된 콜렉터 접지형의 제 1 발진 트랜지스터(2)를 가지고, 베이스는 한쪽의 베이스 바이어스저항(3)에 의해 그라운드에 접속된다. 또 베이스에는 다른쪽의 베이스 바이어스저항(4)과 제 1 스위치 트랜지스터(5)의 직렬회로에 의해 바이어스전압이 인가된다. 제 1 스위치 트랜지스터(5)는 제 1 발진 트랜지스터(2)를 동작 또는 비동작으로 전환하기 위한 전환수단이고, 그 베이스에 인가되는 전환전압에 의해 온 또는 오프가 되어, 오프일 때는 제 1 발진 트랜지스터(2)가 비동작이 된다. 또 에미터에는 제 1 발진 트랜지스터 (2)의 에미터전류를 설정하기 위한 제 1 에미터 바이어스저항(6)이 접속된다.
그리고 베이스와 에미터 사이 및 에미터와 그라운드 사이에는 각각 귀환 콘덴서(7, 8)가 접속된다. 또한 베이스와 그라운드 사이에는 제 1 인덕턴스 소자(9)와 제 1 버랙터 다이오드(10)로 이루어지는 병렬 공진회로가 설치되고, 제 1 인덕턴스 소자(9)의 한쪽 끝과 제 1 버랙터 다이오드(10)의 애노드가 접지되고, 제 1 인덕턴스 소자(9)의 다른쪽 끝과 제 1 버랙터 다이오드(10)의 캐소드가 베이스에결합된다. 제 1 인덕턴스 소자(9)는 스트립 도체 등에 의해 구성된다.
제 1 인덕턴스 소자(9)에는 이것을 9a와 9b로 2분할하는 제 1 중간탭(9c)이 설치되고, 제 1 중간탭(9c)은 제 1 용량수단(11)에 의해 접지된다. 제 1 버랙터 다이오드(10)의 캐소드에는 제어단자(12)로부터 제어전압이 인가되고, 이 전압을 바꿈으로써 발진주파수가 변하고, 발진신호는 에미터로부터 출력된다.
또 제 2 발진회로(21)는 콜렉터가 전원(B)에 접속된 콜렉터 접지형의 제 2 발진 트랜지스터(22)를 가지고, 베이스는 한쪽의 베이스 바이어스저항(23)에 의해 그라운드에 접속된다. 또 베이스에는 다른쪽의 베이스 바이어스저항(24)과 제 2 스위치 트랜지스터(25)의 직렬회로에 의해 바이어스전압이 인가된다. 제 2 스위치 트랜지스터(25)는 제 2 발진 트랜지스터(22)를 동작 또는 비동작으로 전환하기 위한 전환수단이며, 그 베이스에 인가되는 전환전압에 의해 온 또는 오프가 되고, 오프일 때는 제 2 발진 트랜지스터(22)가 비동작이 된다. 또 에미터에는 제 2 발진 트랜지스터(22)의 에미터전류를 설정하기 위한 제 2 에미터 바이어스저항(26)이 접속된다.
그리고 베이스와 에미터 사이 및 에미터와 그라운드 사이에는 각각 귀환 콘덴서(27, 28)가 접속된다. 또한 베이스와 그라운드 사이에는 제 2 인덕턴스 소자(29)와 제 2 버랙터 다이오드(30)로 이루어지는 병렬 공진회로가 설치되고, 제 2 인덕턴스 소자(29)의 한쪽 끝과 제 2 버랙터 다이오드(30)의 애노드가 접지되고, 제 2 인덕턴스 소자(29)의 다른쪽 끝과 제 2 버랙터 다이오드(30)의 캐소드가 베이스에 결합된다. 제 2 인덕턴스 소자(29)도 스트립 도체 등에 의해 구성된다.
제 2 인덕턴스 소자(29)에는 이것을 29a와 29b로 2분할하는 제 2 중간탭 (29c)이 설치되고, 제 2 중간탭(29c)은 제 2 용량수단(31)에 의해 접지된다. 제 2 버랙터 다이오드(30)의 캐소드에는 제어단자(12)로부터 제어전압이 인가되고, 이 전압을 바꿈으로써 발진주파수가 변하고, 발진신호는 에미터로부터 출력된다.
여기서, 제 1 스위치 트랜지스터(5)와 제 2 스위치 트랜지스터(25)는 한쪽이 온일 때에 다른쪽이 오프가 되도록 전환된다. 또 제 1 발진회로(1)에 있어서의 제 1 에미터 바이어스저항(6)은 제 2 발진회로(21)에 있어서의 제 2 인덕턴스 소자(29)의 중간탭(29c)에 접속되고, 제 2 발진회로(21)에 있어서의 제 2 에미터 바이어스저항(26)은 제 1 발진회로(1)에 있어서의 제 1 인덕턴스 소자(9)의 중간탭(9c)에 접속된다.
그리고 제 1 발진회로(1)에 있어서의 2분할된 제 1 인덕턴스 소자(9)의 한쪽(9a)과 제 1 용량수단(11)에 의한 병렬 공진회로를 제 2 발진회로(21)의 발진주파수에 공진시키고, 제 2 발진회로(21)에 있어서의 2분할된 제 2 인덕턴스 소자 (29)의 한쪽(29a)과 제 2 용량수단(31)에 의한 병렬 공진회로를 제 1 발진회로(1)의 발진주파수에 공진시키도록 한다. 제 1 및 제 2 용량수단(11, 31)은 별개 (discrete)의 콘덴서 부품으로 구성하여도 좋으나, 각 발진회로(1, 21)를 구성하기 위한 프린트기판(도시 생략)의 도체박을 이용하여 구성하여도 좋다.
이상의 구성에 있어서, 제 1 스위치 트랜지스터(5)가 온이 되었을 때는 제 1 발진 트랜지스터(2)의 에미터로부터 제 1 에미터 바이어스저항(6), 제 2 인덕턴스 소자(29)의 한쪽(29a)을 거쳐 그라운드에 전류가 흐르나, 제 2 인덕턴스 소자(29)의 한쪽(29a)은 고주파전류를 저지하기 때문에 제 1 에미터 바이어스저항(6)에는 고주파전류가 흐르지 않는다. 따라서, 제 1 에미터 바이어스저항(6)에 의한 제 1 발진회로(1)의 발진신호의 손실이 적어지고, 위상 노이즈도 저하한다. 그리고 제 2 발진회로(21)에 있어서의 제 1 인덕턴스 소자(29)의 한쪽(29a)과 제 2 용량수단 (31)에 의한 병렬 공진회로를 제 1 발진회로(1)의 발진주파수에 공진시킴으로써, 그것들이 한층 현저해진다.
마찬가지의 이유에 의하여, 제 2 에미터 바이어스저항(26)에 의한 제 2 발진회로 (21)의 발진신호의 손실이 적어짐과 동시에, 위상노이즈도 저하한다. 또 제 1 발진회로(1)에 있어서의 제 1 인덕턴스 소자(9)의 한쪽(9a)과 제 1 용량수단(11)에 의한 병렬 공진회로를 제 2 발진회로(21)의 발진주파수에 공진시킴으로써 그것들이 한층 현저해진다. 이상과 같이, 비동작의 발진회로의 인덕턴스 소자를 이용하여 동작중의 발진회로의 발진신호의 손실을 적게 하는 것이 가능해진다.
도 2는 제 2 실시형태의 구성을 나타낸다. 제 1 발진회로(1)에 있어서는, 제 1 발진 트랜지스터(2)의 베이스에 접속된 한쪽의 베이스 바이어스저항(3)과 에미터에 접속된 제 1 에미터 바이어스저항(6)이 제 1 스위치 트랜지스터(5)의 콜렉터에 접속되고, 제 1 스위치 트랜지스터(5)의 에미터가 제 2 발진회로(21)에 있어서의 제 2 인덕턴스 소자(29)의 중간탭(29c)에 접속된다. 다른쪽 베이스 바이어스저항(4)은 전원에 접속된다.
또 제 2 발진회로(21)에 있어서는, 제 2 발진 트랜지스터(22)의 베이스에 접속된 한쪽의 베이스 바이어스저항(23)과 에미터에 접속된 제 2 에미터 바이어스저항(26)이 제 2 스위치 트랜지스터(25)의 콜렉터에 접속되고, 제 2 스위치 트랜지스터(25)의 에미터가 제 1 발진회로(1)에 있어서의 제 1 인덕턴스 소자(9)의 중간탭 (9c)에 접속된다. 다른쪽 베이스 바이어스저항(24)은 전원에 접속된다.
그리고 제 1 스위치 트랜지스터(5)의 베이스가 제 2 스위치와 트랜지스터 (25)의 콜렉터에 접속된다. 제 2 스위치 트랜지스터(25)의 베이스에는 이것을 온 또는 오프로 하는 전환전압이 인가된다.
도 2의 구성에 있어서, 제 2 스위치 트랜지스터(25)를 오프로 하면 제 1 스위치 트랜지스터(5)가 온이 되어 제 1 발진회로(1)가 발진상태로 된다. 그리고 제 1 발진 트랜지스터(2)의 에미터전류가 제 1 에미터 바이어스저항(6), 제 1 스위치 트랜지스터(5), 제 2 인덕턴스 소자(29)의 한쪽(29a)으로 이루어지는 직렬회로를 거쳐 그라운드에 흐른다. 이 경우도 제 1 실시형태의 설명과 마찬가지로 발진신호의 손실이 적어진다. 또한 제 2 스위치 트랜지스터(25)가 오프이기 때문에 제 2 발진회로(21)는 발진동작을 하지 않는다.
한편, 제 2 스위치 트랜지스터(25)가 온이 되면 제 1 발진회로(1)는 발진동작을 정지하고, 제 2 발진회로가 발진동작을 한다. 그리고 제 2 발진 트랜지스터 (22)의 에미터전류가 제 2 에미터 바이어스저항(26), 제 2 스위치 트랜지스터(25), 제 1 인덕턴스 소자(9)의 한쪽(9a)으로 이루어지는 직렬회로를 거쳐 그라운드에 흐른다. 이 경우도 마찬가지로 제 1 실시형태의 설명과 동일하게 발진신호의 손실이 적어진다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 2 밴드 발진기에서는 제 1 발진회로에 있어서의 제 1 발진 트랜지스터의 에미터전류를 설정하는 제 1 에미터 바이어스저항을 제 1 발진 트랜지스터의 에미터와 제 2 발진회로에 있어서의 제 2 인덕턴스 소자 사이에 거쳐 삽입하고, 제 2 발진회로에 있어서의 제 2 발진 트랜지스터의 에미터전류를 설정하는 제 2 에미터 바이어스저항을 제 2 발진 트랜지스터의 에미터와 제 1 발진회로에 있어서의 제 1 인덕턴스 소자 사이에 거쳐 삽입하였기 때문에, 발진동작을 하고 있지 않는 쪽의 발진회로의 인덕턴스 소자를 이용하여 발진동작중의 발진회로의 발진신호의 손실을 적게 할 수 있다.
또 전환수단은 온과 오프가 서로 반대의 관계가 되는 제 1 스위치 트랜지스터와 제 2 스위치 트랜지스터로 이루어지고, 제 1 스위치 트랜지스터에 의해 제 1 발진 트랜지스터의 베이스에 바이어스전압을 인가하고, 제 2 스위치 트랜지스터에 의해 제 2 발진 트랜지스터의 베이스에 바이어스전압을 인가하였기 때문에, 2개의 발진회로의 동작, 비동작의 전환을 할 수 있다.
또 전환수단은 온과 오프가 서로 반대의 관계가 되는 제 1 스위치 트랜지스터와 제 2 스위치 트랜지스터로 이루어지고, 제 1 스위치 트랜지스터를 제 1 에미터 바이어스저항에 직렬로 거쳐 삽입하고, 제 2 스위치 트랜지스터를 제 2 에미터 바이어스저항에 직렬로 거쳐 삽입하였기 때문에, 각 인덕턴스 소자에 흘리는 각 발진 트랜지스터의 에미터전류를 각 스위치 트랜지스터에 의해 단속할 수 있다.
또 제 1 스위치 트랜지스터를 제 2 스위치 트랜지스터에 의해 온 또는 오프시켰기 때문에, 제 2 트랜지스터에만 온, 오프하기 위한 전환전압을 인가하는 것만으로도 좋다.
또 제 1 인덕턴스 소자에 설치한 제 1 중간탭을 제 1 용량수단에 의해 접지함과 동시에, 제 2 인덕턴스 소자에 설치한 제 2 중간탭을 제 2 용량수단에 의해 접지하였기 때문에, 각 발진 트랜지스터의 에미터로부터 그라운드에 흐르는 고주파전류를 더욱 적게 할 수 있다.
또 2분할된 제 1 인덕턴스 소자의 한쪽과 제 1 용량수단에 의한 병렬 공진회로를 제 2 발진회로의 발진주파수에 공진시키고, 2분할된 제 2 인덕턴스 소자의 한쪽과 제 2 용량수단에 의한 병렬 공진회로를 제 1 발진회로의 발진주파수에 공진시켰기 때문에, 각 발진 트랜지스터의 에미터로부터 그라운드에 흐르는 고주파전류를 한층 적게 할 수 있다.
Claims (6)
- 제 1 발진회로와, 제 2 발진회로와;상기 제 1 발진회로 또는 상기 제 2 발진회로를 택일적으로 동작시키는 전환수단을 구비하고,상기 제 1 발진회로에는 제 1 발진 트랜지스터와 한쪽 끝이 접지됨과 동시에 다른쪽 끝이 상기 제 1 발진 트랜지스터의 베이스에 결합된 제 1 인덕턴스 소자와;상기 제 1 발진 트랜지스터의 에미터전류를 설정하는 제 1 에미터 바이어스저항을 설치하고, 상기 제 2 발진회로에는 제 2 발진 트랜지스터와 한쪽 끝이 접지됨과 동시에 다른쪽 끝이 상기 제 2 발진 트랜지스터의 베이스에 결합된 제 2 인덕턴스 소자와;상기 제 2 발진 트랜지스터의 에미터전류를 설정하는 제 2 에미터 바이어스저항을 설치하고, 상기 제 1 에미터 바이어스저항을 상기 제 1 발진 트랜지스터의 에미터와 상기 제 2 인덕턴스 소자 사이에 거쳐 삽입하고,상기 제 2 에미터 바이어스저항을 상기 제 2 발진 트랜지스터의 에미터와 상기 제 1 인덕턴스 소자 사이에 거쳐 삽입한 것을 특징으로 하는 2 밴드 발진기.
- 제 1항에 있어서,상기 전환수단은 온(on)과 오프(off)가 서로 반대의 관계가 되는 제 1 스위치 트랜지스터와 제 2 스위치 트랜지스터로 이루어지고, 상기 제 1 스위치 트랜지스터에 의해 상기 제 1 발진 트랜지스터의 베이스에 바이어스전압을 인가하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터에 의해 상기 제 2 발진 트랜지스터의 베이스에 바이어스전압을 인가한 것을 특징으로 하는 2 밴드 발진기.
- 제 1항에 있어서,상기 전환수단은 온과 오프가 서로 반대의 관계가 되는 제 1 스위치 트랜지스터와 제 2 스위치 트랜지스터로 이루어지고, 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 상기 제 1 에미터 바이어스저항에 직렬로 거쳐 삽입하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 상기 제 2 에미터 바이어스저항에 직렬로 거쳐 삽입한 것을 특징으로 하는 2 밴드 발진기.
- 제 3항에 있어서,상기 제 1 스위치 트랜지스터를 상기 제 2 스위치 트랜지스터에 의해 온 또는 오프시킨 것을 특징으로 하는 2 밴드 발진기.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 인덕턴스 소자에는 상기 제 1 인덕턴스 소자를 2분할하는 제 1 중간탭을 설치함과 동시에, 상기 제 2 인덕턴스 소자에는 상기 제 2 인덕턴스 소자를 2분할하는 제 2 중간탭을 설치하고, 상기 제 1 중간탭을 제 1 용량수단에 의해 접지함과 동시에, 상기 제 2 중간탭을 제 2 용량수단에 의해 접지한 것을 특징으로하는 2 밴드 발진기.
- 제 5항에 있어서,2분할된 상기 제 1 인덕턴스 소자의 한쪽과 상기 제 1 용량수단에 의한 병렬 공진회로를 상기 제 2 발진회로의 발진주파수에 공진시키고, 2분할된 상기 제 2 인덕턴스 소자의 한쪽과 상기 제 2 용량수단에 의한 병렬 공진회로를 상기 제 1 발진회로의 발진주파수에 공진시킨 것을 특징으로 하는 2 밴드 발진기.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2001-00061470 | 2001-03-06 | ||
| JP2001061470A JP2002261543A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | ２バンド発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020071473A true KR20020071473A (ko) | 2002-09-12 |
| KR100468808B1 KR100468808B1 (ko) | 2005-01-29 |
Family
ID=18920758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0011556A KR100468808B1 (ko) | 2001-03-06 | 2002-03-05 | 2 밴드 발진기 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6590465B2 (ko) |
| EP (1) | EP1239601B1 (ko) |
| JP (1) | JP2002261543A (ko) |
| KR (1) | KR100468808B1 (ko) |
| CN (1) | CN1236552C (ko) |
| DE (1) | DE60200388T2 (ko) |
| TW (1) | TW522638B (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004236112A (ja) | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧制御発振器、複合モジュールおよび通信装置 |
| JP2005057725A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-03-03 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波発振器 |
| JP2005109980A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Fujitsu Media Device Kk | スイッチング回路及びそれを有する電圧制御発振装置 |
| JP2006319769A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Alps Electric Co Ltd | ２バンド発振器 |
| TWI298579B (en) * | 2005-10-04 | 2008-07-01 | Univ Nat Taiwan Science Tech | An dual-band voltage controlled oscillator utilizing switched feedback technology |
| KR100791169B1 (ko) | 2006-06-09 | 2008-01-02 | 전만영 | 전계효과 트랜지스터를 사용한 저 전원전압 차동 클랩 전압제어 발진기 |
| JP4721989B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2011-07-13 | アルプス電気株式会社 | ２バンド発振器 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08148933A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧制御型発振器 |
| US5852384A (en) | 1996-04-25 | 1998-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dual band oscillator circuit using strip line resonators |
| JPH10163750A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Tdk Corp | 電圧制御発振器 |
| JPH10270937A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧制御発振器 |
| JP3648979B2 (ja) * | 1998-04-07 | 2005-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 発振器とこれを用いた高周波モジュール |
| JP2002514027A (ja) * | 1998-05-05 | 2002-05-14 | ヴァリ−エル・カンパニー・インコーポレーテッド | 受動出力回路を介して負荷へ選択的に結合される第１と第２の発振器回路 |
| US6188295B1 (en) * | 1999-04-13 | 2001-02-13 | Delta Electronics, Inc. | Frequency adjustments by patterning micro-strips to form serially connected capacitors or inductor-capacitor (LC) Circuit |
| JP2000357919A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Alps Electric Co Ltd | 切替型発振回路 |
| JP2001016033A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-01-19 | Alps Electric Co Ltd | 切替型発振回路 |
| JP2001060826A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-03-06 | Alps Electric Co Ltd | ２バンド発振装置 |
| JP2001127544A (ja) | 1999-08-19 | 2001-05-11 | Alps Electric Co Ltd | ２バンド発振装置 |
| JP2001111342A (ja) | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Alps Electric Co Ltd | ２バンド発振器 |
| JP2001237640A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-31 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧制御発振器および通信装置 |
-
2001
- 2001-03-06 JP JP2001061470A patent/JP2002261543A/ja not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-01-16 TW TW091100619A patent/TW522638B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-02-16 DE DE60200388T patent/DE60200388T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-16 EP EP02251063A patent/EP1239601B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-01 US US10/087,313 patent/US6590465B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-05 KR KR10-2002-0011556A patent/KR100468808B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-03-06 CN CNB021068720A patent/CN1236552C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1239601A3 (en) | 2003-06-25 |
| EP1239601A2 (en) | 2002-09-11 |
| JP2002261543A (ja) | 2002-09-13 |
| US6590465B2 (en) | 2003-07-08 |
| CN1374753A (zh) | 2002-10-16 |
| EP1239601B1 (en) | 2004-04-21 |
| CN1236552C (zh) | 2006-01-11 |
| DE60200388D1 (de) | 2004-05-27 |
| TW522638B (en) | 2003-03-01 |
| DE60200388T2 (de) | 2004-09-02 |
| US20020125958A1 (en) | 2002-09-12 |
| KR100468808B1 (ko) | 2005-01-29 |
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Legal Events
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