JP2001016033A - 切替型発振回路 - Google Patents
切替型発振回路Info
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- JP2001016033A JP2001016033A JP11180705A JP18070599A JP2001016033A JP 2001016033 A JP2001016033 A JP 2001016033A JP 11180705 A JP11180705 A JP 11180705A JP 18070599 A JP18070599 A JP 18070599A JP 2001016033 A JP2001016033 A JP 2001016033A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２つの発振回路１、２を結合回路３を通して
共通回路４に接続する際に、２つの発振回路１、２間で
十分なアイソレーションが確保でき、第１及び第２トラ
ップ回路の設計を簡単にすることが可能な切替型発振回
路を提供する。 【解決手段】 第１発振用トランジスタ１1 及び発振用
トランジスタ１1 をオンオフ状態に切替える第１切替回
路１2 を有し、第１周波数の発振信号を出力する第１発
振回路１と、第２発振用トランジスタ２1 及び第２発振
用トランジスタ２1 をオンオフ状態に切替える第２切替
回路２2 を有し、第２周波数の発振信号を出力する第２
発振回路２と、第１発振回路１の出力端５及び第２発振
回路２の出力端６と共通回路４の入力端７間に配置され
た結合回路３とを備え、第１発振回路１の出力端５と共
通電位点間に第２周波数を減衰する第１ＬＰＦ回路を、
第２発振回路２の出力端６と共通電位点間に第１周波数
を減衰する第２ＬＰＦ回路を接続した。
共通回路４に接続する際に、２つの発振回路１、２間で
十分なアイソレーションが確保でき、第１及び第２トラ
ップ回路の設計を簡単にすることが可能な切替型発振回
路を提供する。 【解決手段】 第１発振用トランジスタ１1 及び発振用
トランジスタ１1 をオンオフ状態に切替える第１切替回
路１2 を有し、第１周波数の発振信号を出力する第１発
振回路１と、第２発振用トランジスタ２1 及び第２発振
用トランジスタ２1 をオンオフ状態に切替える第２切替
回路２2 を有し、第２周波数の発振信号を出力する第２
発振回路２と、第１発振回路１の出力端５及び第２発振
回路２の出力端６と共通回路４の入力端７間に配置され
た結合回路３とを備え、第１発振回路１の出力端５と共
通電位点間に第２周波数を減衰する第１ＬＰＦ回路を、
第２発振回路２の出力端６と共通電位点間に第１周波数
を減衰する第２ＬＰＦ回路を接続した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、切替型発振回路に
係わり、特に、切替回路によって２つの発振回路のいず
れか一方を選択的に動作状態に切替えるとともに、２つ
の発振回路の出力端を結合回路を通して共通回路の入力
端に結合する際に、２つの発振回路間に十分なアイソレ
ーションを持たせるようにした切替型発振回路に関す
る。
係わり、特に、切替回路によって２つの発振回路のいず
れか一方を選択的に動作状態に切替えるとともに、２つ
の発振回路の出力端を結合回路を通して共通回路の入力
端に結合する際に、２つの発振回路間に十分なアイソレ
ーションを持たせるようにした切替型発振回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】世界各国で用いられている移動体通信シ
ステムとしては、イギリス、ドイツ、イタリア、フラン
ス、アジアの一部の国で使用されているＤＣＳ（Ｄｉｇ
ｉｔａｌ Ｃｅｌｌｕｌａｒ Ｓｙｓｔｅｍ）や、１９
８２年に採択されたデジタル携帯電話の欧州統一標準方
式であり、欧州、アメリカ、アフリカ、アジアの一部の
国で使用されているＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅ
ｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏ
ｎｓ）とがある。
ステムとしては、イギリス、ドイツ、イタリア、フラン
ス、アジアの一部の国で使用されているＤＣＳ（Ｄｉｇ
ｉｔａｌ Ｃｅｌｌｕｌａｒ Ｓｙｓｔｅｍ）や、１９
８２年に採択されたデジタル携帯電話の欧州統一標準方
式であり、欧州、アメリカ、アフリカ、アジアの一部の
国で使用されているＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅ
ｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏ
ｎｓ）とがある。
【０００３】この場合、ＤＣＳは、基地局周波数に１８
０５ＭＨｚ乃至１８８０ＭＨｚ、移動局周波数に１７１
０ＭＨｚ乃至１７８５ＭＨｚ、携帯電話機の電圧制御発
振回路（ＶＣＯ）の発振周波数に１７００ＭＨｚ帯が割
当てられ、使用チャネル数が３７４で、変調方式にＧＭ
ＳＫ（Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｍｉｎｉｍｕｍ Ｓｈｉｆｔ
Ｋｅｙｉｎｇ）を用いている移動体通信システムであ
る。また、ＧＳＭは、基地局周波数に９２５ＭＨｚ乃至
９６０ＭＨｚ、移動局周波数に８８０ＭＨｚ乃至９１５
ＭＨｚ、携帯電話機の電圧制御発振回路（ＶＣＯ）の発
振周波数に９００ＭＨｚ帯が割当てられ、使用チャネル
数が１２４で、変調方式にＧＭＳＫ（Ｇａｕｓｓｉａｎ
Ｍｉｎｉｍｕｍ Ｓｈｉｆｔ Ｋｅｙｉｎｇ）を用い
ている移動体通信システムである。
０５ＭＨｚ乃至１８８０ＭＨｚ、移動局周波数に１７１
０ＭＨｚ乃至１７８５ＭＨｚ、携帯電話機の電圧制御発
振回路（ＶＣＯ）の発振周波数に１７００ＭＨｚ帯が割
当てられ、使用チャネル数が３７４で、変調方式にＧＭ
ＳＫ（Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｍｉｎｉｍｕｍ Ｓｈｉｆｔ
Ｋｅｙｉｎｇ）を用いている移動体通信システムであ
る。また、ＧＳＭは、基地局周波数に９２５ＭＨｚ乃至
９６０ＭＨｚ、移動局周波数に８８０ＭＨｚ乃至９１５
ＭＨｚ、携帯電話機の電圧制御発振回路（ＶＣＯ）の発
振周波数に９００ＭＨｚ帯が割当てられ、使用チャネル
数が１２４で、変調方式にＧＭＳＫ（Ｇａｕｓｓｉａｎ
Ｍｉｎｉｍｕｍ Ｓｈｉｆｔ Ｋｅｙｉｎｇ）を用い
ている移動体通信システムである。
【０００４】これら２つの移動体通信システム、すなわ
ちＤＣＳ及びＧＳＭは、本来、方式を異にする移動体通
信システムであるため、ＤＣＳとＧＳＭの２つの移動体
通信システムに加入するためには、ＤＣＳによって移動
体通信を行う場合に用いる携帯電話機と、ＧＳＭによっ
て移動体通信を行う場合に用いる携帯電話機との２つの
携帯電話機が必要になる。
ちＤＣＳ及びＧＳＭは、本来、方式を異にする移動体通
信システムであるため、ＤＣＳとＧＳＭの２つの移動体
通信システムに加入するためには、ＤＣＳによって移動
体通信を行う場合に用いる携帯電話機と、ＧＳＭによっ
て移動体通信を行う場合に用いる携帯電話機との２つの
携帯電話機が必要になる。
【０００５】ところが、ＤＣＳとＧＳＭは、前述のよう
に、使用変調方式が双方ともにＧＭＳＫであり、割当て
使用周波数が異なっているだけであるので、携帯電話機
内に１７００ＭＨｚ帯の周波数を発振する第１電圧制御
発振回路及び９００ＭＨｚ帯の周波数を発振する第２電
圧制御発振回路との２つの電圧制御発振回路、それに切
替回路を有する切替型発振回路を配置し、切替型発振回
路の切替回路の制御により２つの電圧制御発振回路を使
い分けできるようにしたＤＣＳとＧＳＭに共用可能な携
帯電話機が既に提案されている。
に、使用変調方式が双方ともにＧＭＳＫであり、割当て
使用周波数が異なっているだけであるので、携帯電話機
内に１７００ＭＨｚ帯の周波数を発振する第１電圧制御
発振回路及び９００ＭＨｚ帯の周波数を発振する第２電
圧制御発振回路との２つの電圧制御発振回路、それに切
替回路を有する切替型発振回路を配置し、切替型発振回
路の切替回路の制御により２つの電圧制御発振回路を使
い分けできるようにしたＤＣＳとＧＳＭに共用可能な携
帯電話機が既に提案されている。
【０００６】このＤＣＳとＧＳＭに共用可能な携帯電話
機においては、ＤＣＳによって移動体通信を行う場合、
切替回路によって、第１電圧制御発振回路を能動状態
に、第２電圧制御発振回路を非能動状態に切替えて、第
１電圧制御発振回路から発振出力を得るようにし、一
方、ＧＳＭによって移動体通信を行う場合、切替回路に
より第２電圧制御発振回路を能動状態に、第１電圧制御
発振回路を非能動状態に切替えて、第２電圧制御発振回
路から発振出力を得るようにしている。
機においては、ＤＣＳによって移動体通信を行う場合、
切替回路によって、第１電圧制御発振回路を能動状態
に、第２電圧制御発振回路を非能動状態に切替えて、第
１電圧制御発振回路から発振出力を得るようにし、一
方、ＧＳＭによって移動体通信を行う場合、切替回路に
より第２電圧制御発振回路を能動状態に、第１電圧制御
発振回路を非能動状態に切替えて、第２電圧制御発振回
路から発振出力を得るようにしている。
【０００７】ここで、図３は、ＤＣＳとＧＳＭに共用可
能な携帯電話機における既知の切替型発振回路の構成の
一例を示す回路図である。
能な携帯電話機における既知の切替型発振回路の構成の
一例を示す回路図である。
【０００８】図３に示されるように、既知の切替型発振
回路は、１７００ＭＨｚ帯の周波数を発振する第１電圧
制御発振回路３１と、９００ＭＨｚ帯の周波数を発振す
る第２電圧制御発振回路３２と、結合回路３３と、共通
回路３４と、第１発振信号出力端子３５と、第２発振信
号出力端子３６と、共通入力端子３７と、信号出力端子
３８と、第１切替信号供給端子３９と、第２切替信号供
給端子４０と、電源端子４１と、第１周波数設定電圧供
給端子４２と、第２周波数設定電圧供給端子４３とを備
えている。
回路は、１７００ＭＨｚ帯の周波数を発振する第１電圧
制御発振回路３１と、９００ＭＨｚ帯の周波数を発振す
る第２電圧制御発振回路３２と、結合回路３３と、共通
回路３４と、第１発振信号出力端子３５と、第２発振信
号出力端子３６と、共通入力端子３７と、信号出力端子
３８と、第１切替信号供給端子３９と、第２切替信号供
給端子４０と、電源端子４１と、第１周波数設定電圧供
給端子４２と、第２周波数設定電圧供給端子４３とを備
えている。
【０００９】そして、第１電圧制御発振回路３１は、第
１発振用トランジスタ３１1 と、第１スイッチングトラ
ンジスタ３１2 と、エミッタ負荷抵抗３１3 と、アイソ
レーション用インダクタ３１4 と、バラクタダイオード
３１5 と、インダクタ３１6と、バイパスコンデンサ３
１7 と、共振用コンデンサ３１8 、３１10と、共振用イ
ンダクタ３１9 と、ベースバイアス抵抗３１11、３１12
と、帰還コンデンサ３１13、３１14と、直列抵抗３１15
と、接地用コンデンサ３１16とからなり、これらの回路
素子３１1 乃至３１16は、図３に図示されているように
接続される。
１発振用トランジスタ３１1 と、第１スイッチングトラ
ンジスタ３１2 と、エミッタ負荷抵抗３１3 と、アイソ
レーション用インダクタ３１4 と、バラクタダイオード
３１5 と、インダクタ３１6と、バイパスコンデンサ３
１7 と、共振用コンデンサ３１8 、３１10と、共振用イ
ンダクタ３１9 と、ベースバイアス抵抗３１11、３１12
と、帰還コンデンサ３１13、３１14と、直列抵抗３１15
と、接地用コンデンサ３１16とからなり、これらの回路
素子３１1 乃至３１16は、図３に図示されているように
接続される。
【００１０】この場合、第１スイッチングトランジスタ
３１2 は、第１切替回路を構成し、第１切替信号供給端
子３９に供給される第１切替信号が正極性（ハイレベ
ル）時にオンになり、第１切替信号が接地電位（ローレ
ベル）時にオフになる。バラクタダイオード３１5 と共
振用インダクタ３１9 と共振用コンデンサ３１8 、３１
10は、第１電圧制御発振回路３１の第１発振周波数を設
定する第１共振回路を構成し、第１共振回路の共振周波
数は、第１周波数設定電圧供給端子４２を通してバラク
タダイオード３１5 に供給される第１周波数設定電圧を
変化させることにより、１７００ＭＨｚ帯の所定周波数
に設定される。
３１2 は、第１切替回路を構成し、第１切替信号供給端
子３９に供給される第１切替信号が正極性（ハイレベ
ル）時にオンになり、第１切替信号が接地電位（ローレ
ベル）時にオフになる。バラクタダイオード３１5 と共
振用インダクタ３１9 と共振用コンデンサ３１8 、３１
10は、第１電圧制御発振回路３１の第１発振周波数を設
定する第１共振回路を構成し、第１共振回路の共振周波
数は、第１周波数設定電圧供給端子４２を通してバラク
タダイオード３１5 に供給される第１周波数設定電圧を
変化させることにより、１７００ＭＨｚ帯の所定周波数
に設定される。
【００１１】また、第２電圧制御発振回路３１は、第１
電圧制御発振回路３１とほぼ同じ構成のもので、第２発
振用トランジスタ３２1 と、第２スイッチングトランジ
スタ３２2 と、エミッタ負荷抵抗３２3 と、アイソレー
ション用インダクタ３２4 と、バラクタダイオード３２
5 と、インダクタ３２6 と、バイパスコンデンサ３２7
と、共振用コンデンサ３２8 、３２10と、共振用インダ
クタ３２9 と、ベースバイアス抵抗３２11、３２12と、
帰還コンデンサ３２13、３２14と、直列抵抗３２15と、
接地用コンデンサ３２16とからなり、これらの回路素子
３２1 乃至３２16は、図３に図示されているように接続
される。
電圧制御発振回路３１とほぼ同じ構成のもので、第２発
振用トランジスタ３２1 と、第２スイッチングトランジ
スタ３２2 と、エミッタ負荷抵抗３２3 と、アイソレー
ション用インダクタ３２4 と、バラクタダイオード３２
5 と、インダクタ３２6 と、バイパスコンデンサ３２7
と、共振用コンデンサ３２8 、３２10と、共振用インダ
クタ３２9 と、ベースバイアス抵抗３２11、３２12と、
帰還コンデンサ３２13、３２14と、直列抵抗３２15と、
接地用コンデンサ３２16とからなり、これらの回路素子
３２1 乃至３２16は、図３に図示されているように接続
される。
【００１２】この場合も、第２スイッチングトランジス
タ３２2 は、第２切替回路を構成し、第２切替信号供給
端子４０に供給される第２切替信号が正極性（ハイレベ
ル）時にオンになり、第２切替信号が接地電位（ローレ
ベル）時にオフになる。バラクタダイオード３２5 と共
振用インダクタ３２9 と共振用コンデンサ３２8 、３２
10は、第２電圧制御発振回路３２の第２発振周波数を設
定する第２共振回路を構成し、第２共振回路の共振周波
数は、第２周波数設定電圧供給端子４３を通してバラク
タダイオード３２5 に供給される第２周波数設定電圧を
変化させることにより、９００ＭＨｚ帯の所定周波数に
設定される。
タ３２2 は、第２切替回路を構成し、第２切替信号供給
端子４０に供給される第２切替信号が正極性（ハイレベ
ル）時にオンになり、第２切替信号が接地電位（ローレ
ベル）時にオフになる。バラクタダイオード３２5 と共
振用インダクタ３２9 と共振用コンデンサ３２8 、３２
10は、第２電圧制御発振回路３２の第２発振周波数を設
定する第２共振回路を構成し、第２共振回路の共振周波
数は、第２周波数設定電圧供給端子４３を通してバラク
タダイオード３２5 に供給される第２周波数設定電圧を
変化させることにより、９００ＭＨｚ帯の所定周波数に
設定される。
【００１３】結合回路３３は、第１結合コンデンサ３３
1 と、インダクタ３３2 と、コンデンサ３３3 と、第２
結合コンデンサ３３4 と、インダクタ３３5 と、コンデ
ンサ３３6 とからなり、これらの回路素子３３1 乃至３
３6 は、図３に図示されているように接続される。この
場合、インダクタ３３2 とコンデンサ３３3 は、第２電
圧制御発振回路３２の第２発振周波数で共振する第１ト
ラップ回路を構成し、インダクタ３３5 とコンデンサ３
３6 は、第１電圧制御発振回路３１の第１発振周波数で
共振する第２トラップ回路を構成している。この場合、
結合回路３３は、第１トラップ回路及び第２トラップ回
路を接続したことにより、第１電圧制御発振回路３１と
第２電圧制御発振回路３２との間に十分なアイソレーシ
ョンの確保が可能になる。
1 と、インダクタ３３2 と、コンデンサ３３3 と、第２
結合コンデンサ３３4 と、インダクタ３３5 と、コンデ
ンサ３３6 とからなり、これらの回路素子３３1 乃至３
３6 は、図３に図示されているように接続される。この
場合、インダクタ３３2 とコンデンサ３３3 は、第２電
圧制御発振回路３２の第２発振周波数で共振する第１ト
ラップ回路を構成し、インダクタ３３5 とコンデンサ３
３6 は、第１電圧制御発振回路３１の第１発振周波数で
共振する第２トラップ回路を構成している。この場合、
結合回路３３は、第１トラップ回路及び第２トラップ回
路を接続したことにより、第１電圧制御発振回路３１と
第２電圧制御発振回路３２との間に十分なアイソレーシ
ョンの確保が可能になる。
【００１４】さらに、共通回路３４は、増幅用トランジ
スタ３４1 と、コレクタ負荷インダクタ３４2 と、エミ
ッタ抵抗３４3 と、接地用コンデンサ３４4 と、ベース
バイアス抵抗３４5 、３４6 と、インピーダンス整合用
コンデンサ３４7 、３４8 と、バイパスコンデンサ３４
9 とからなり、これらの回路素子３４1 乃至３４9 は、
図３に図示されているように接続される。
スタ３４1 と、コレクタ負荷インダクタ３４2 と、エミ
ッタ抵抗３４3 と、接地用コンデンサ３４4 と、ベース
バイアス抵抗３４5 、３４6 と、インピーダンス整合用
コンデンサ３４7 、３４8 と、バイパスコンデンサ３４
9 とからなり、これらの回路素子３４1 乃至３４9 は、
図３に図示されているように接続される。
【００１５】前記構成を有する切替型発振回路は、次の
ように動作する。
ように動作する。
【００１６】携帯電話機をＤＣＳによる移動体通信に用
いる場合には、制御部（図示なし）からそれぞれ出力さ
れる正極性（ハイレベル）の第１切替信号を第１切替信
号供給端子３９に供給し、接地電位（ローレベル）の第
２切替信号を第２切替信号供給端子４０に供給して、第
１スイッチングトランジスタ３１2 をオンにし、第２ス
イッチングトランジスタ３２2 をオフにする。このと
き、第１電圧制御発振器３１は、第１発振用トランジス
タ３１1 のエミッタ負荷３１3 の接地端がオンしている
第１スイッチングトランジスタ３１2 のコレクタ・エミ
ッタ通路を通して接地接続され、第１発振用トランジス
タ３１1 のコレクタ・エミッタ間に動作電流が流れ、第
１電圧制御発振回路３１で正常な発振動作が行われる。
これに対して、第２電圧制御発振器３２は、第２発振用
トランジスタ３２1 のエミッタ負荷３２3 の接地端がオ
フしている第２スイッチングトランジスタ３２2 によっ
て接地接続されないので、第２発振用トランジスタ３２
1 のコレクタ・エミッタ間に動作電流が流れず、第２電
圧制御発振回路３２の発振動作が行なわれない。
いる場合には、制御部（図示なし）からそれぞれ出力さ
れる正極性（ハイレベル）の第１切替信号を第１切替信
号供給端子３９に供給し、接地電位（ローレベル）の第
２切替信号を第２切替信号供給端子４０に供給して、第
１スイッチングトランジスタ３１2 をオンにし、第２ス
イッチングトランジスタ３２2 をオフにする。このと
き、第１電圧制御発振器３１は、第１発振用トランジス
タ３１1 のエミッタ負荷３１3 の接地端がオンしている
第１スイッチングトランジスタ３１2 のコレクタ・エミ
ッタ通路を通して接地接続され、第１発振用トランジス
タ３１1 のコレクタ・エミッタ間に動作電流が流れ、第
１電圧制御発振回路３１で正常な発振動作が行われる。
これに対して、第２電圧制御発振器３２は、第２発振用
トランジスタ３２1 のエミッタ負荷３２3 の接地端がオ
フしている第２スイッチングトランジスタ３２2 によっ
て接地接続されないので、第２発振用トランジスタ３２
1 のコレクタ・エミッタ間に動作電流が流れず、第２電
圧制御発振回路３２の発振動作が行なわれない。
【００１７】そして、第１発振用トランジスタ３１1 に
おいて得られた発振信号（１７００ＭＨｚ帯の周波数）
は、そのエミッタから第１発振信号出力端子３５を通し
て結合回路３３に供給され、結合回路３３の第１結合コ
ンデンサ３３1 と第１トラップ回路３３2 、３３3 を通
して共通回路３４の共通入力端子３７に伝送される。次
いで、発振信号は、共通回路３４の増幅用トランジスタ
３４1 で増幅され、増幅された発振信号は、信号出力端
子３８を通して利用回路（図示なし）に供給される。
おいて得られた発振信号（１７００ＭＨｚ帯の周波数）
は、そのエミッタから第１発振信号出力端子３５を通し
て結合回路３３に供給され、結合回路３３の第１結合コ
ンデンサ３３1 と第１トラップ回路３３2 、３３3 を通
して共通回路３４の共通入力端子３７に伝送される。次
いで、発振信号は、共通回路３４の増幅用トランジスタ
３４1 で増幅され、増幅された発振信号は、信号出力端
子３８を通して利用回路（図示なし）に供給される。
【００１８】一方、携帯電話機をＧＳＭによる移動体通
信に用いる場合には、同じく制御部からそれぞれ出力さ
れる接地電位（ローレベル）の第１切替信号を第１切替
信号供給端子３９に供給し、正極性（ハイレベル）の第
２切替信号を第２切替信号供給端子４０に供給して、第
１スイッチングトランジスタ３１2 をオフにし、第２ス
イッチングトランジスタ３２2 をオンにする。このとき
には、第１電圧制御発振器３２は、第２発振用トランジ
スタ３２1 のエミッタ負荷３２3 の接地端がオンしてい
る第２スイッチングトランジスタ３２2 のコレクタ・エ
ミッタ通路を通して接地接続され、第２発振用トランジ
スタ３２1 のコレクタ・エミッタ間に動作電流が流れ、
第２電圧制御発振回路３２で正常な発振動作が行われ
る。これに対して、第１電圧制御発振器３１は、第１発
振用トランジスタ３１1 のエミッタ負荷３１3 の接地端
がオフしている第１スイッチングトランジスタ３１2 に
よって接地接続されないので、第１発振用トランジスタ
３１1 のコレクタ・エミッタ間に動作電流が流れず、第
１電圧制御発振回路３１の発振動作が行なわれない。
信に用いる場合には、同じく制御部からそれぞれ出力さ
れる接地電位（ローレベル）の第１切替信号を第１切替
信号供給端子３９に供給し、正極性（ハイレベル）の第
２切替信号を第２切替信号供給端子４０に供給して、第
１スイッチングトランジスタ３１2 をオフにし、第２ス
イッチングトランジスタ３２2 をオンにする。このとき
には、第１電圧制御発振器３２は、第２発振用トランジ
スタ３２1 のエミッタ負荷３２3 の接地端がオンしてい
る第２スイッチングトランジスタ３２2 のコレクタ・エ
ミッタ通路を通して接地接続され、第２発振用トランジ
スタ３２1 のコレクタ・エミッタ間に動作電流が流れ、
第２電圧制御発振回路３２で正常な発振動作が行われ
る。これに対して、第１電圧制御発振器３１は、第１発
振用トランジスタ３１1 のエミッタ負荷３１3 の接地端
がオフしている第１スイッチングトランジスタ３１2 に
よって接地接続されないので、第１発振用トランジスタ
３１1 のコレクタ・エミッタ間に動作電流が流れず、第
１電圧制御発振回路３１の発振動作が行なわれない。
【００１９】そして、第２発振用トランジスタ３２1 で
得られた発振信号（９００ＭＨｚ帯の周波数）は、その
エミッタから第２発振信号出力端子３６を通して結合回
路３３に供給され、結合回路３３の第２結合コンデンサ
３３4 と第２トラップ回路３３5 、３３6 を通して共通
回路３４の共通入力端子３７に伝送される。この後は前
の場合と同じで、発振信号は、共通回路３４の増幅用ト
ランジスタ３４1 で増幅され、増幅された発振信号は、
信号出力端子３８を通して利用回路（図示なし）に供給
される。
得られた発振信号（９００ＭＨｚ帯の周波数）は、その
エミッタから第２発振信号出力端子３６を通して結合回
路３３に供給され、結合回路３３の第２結合コンデンサ
３３4 と第２トラップ回路３３5 、３３6 を通して共通
回路３４の共通入力端子３７に伝送される。この後は前
の場合と同じで、発振信号は、共通回路３４の増幅用ト
ランジスタ３４1 で増幅され、増幅された発振信号は、
信号出力端子３８を通して利用回路（図示なし）に供給
される。
【００２０】このように、既知の切替型発振回路は、相
補な第１切替信号及び第２切替信号を供給することによ
り、第１電圧制御発振器３１または第２電圧制御発振器
３２が選択的に動作状態になり、動作状態にある電圧制
御発振器で得られた発振信号が結合回路３３を通して共
通回路３４に供給される。
補な第１切替信号及び第２切替信号を供給することによ
り、第１電圧制御発振器３１または第２電圧制御発振器
３２が選択的に動作状態になり、動作状態にある電圧制
御発振器で得られた発振信号が結合回路３３を通して共
通回路３４に供給される。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】前記既知の切替型発振
回路は、相補な第１及び第２切替信号の供給により、一
方の電圧制御発振回路、例えば第１電圧制御発振回路３
１が発振動作状態、他方の電圧制御発振回路、例えば第
２電圧制御発振回路３２が発振停止状態になり、第１及
び第２トラップ回路を設けた結合回路３３によって第１
電圧制御発振回路３１から得られた第１周波数の発振信
号と第２電圧制御発振回路３２から得られた第２周波数
の発振信号との間で十分なアイソレーションを確保する
ことができるものの、第１トラップ回路が第１周波数の
発振信号伝送路に直列接続され、第２トラップ回路が第
２周波数の発振信号伝送路に直列接続されているため、
第１トラップ回路側では、入力端子３５から結合回路３
３を通して共通回路３４の共通入力端子３７に到る間で
第１周波数の発振信号に対して第１トラップ回路が負荷
となり、第１周波数も減衰する。また、第２トラップ回
路側では、入力端子３６から結合回路３３を通して共通
回路３４の共通入力端子３７に到る間で第２トラップ回
路が負荷となり、第２周波数も減衰する。
回路は、相補な第１及び第２切替信号の供給により、一
方の電圧制御発振回路、例えば第１電圧制御発振回路３
１が発振動作状態、他方の電圧制御発振回路、例えば第
２電圧制御発振回路３２が発振停止状態になり、第１及
び第２トラップ回路を設けた結合回路３３によって第１
電圧制御発振回路３１から得られた第１周波数の発振信
号と第２電圧制御発振回路３２から得られた第２周波数
の発振信号との間で十分なアイソレーションを確保する
ことができるものの、第１トラップ回路が第１周波数の
発振信号伝送路に直列接続され、第２トラップ回路が第
２周波数の発振信号伝送路に直列接続されているため、
第１トラップ回路側では、入力端子３５から結合回路３
３を通して共通回路３４の共通入力端子３７に到る間で
第１周波数の発振信号に対して第１トラップ回路が負荷
となり、第１周波数も減衰する。また、第２トラップ回
路側では、入力端子３６から結合回路３３を通して共通
回路３４の共通入力端子３７に到る間で第２トラップ回
路が負荷となり、第２周波数も減衰する。
【００２２】本発明は、このような技術的背景に鑑みて
なされたもので、その目的は、２つの発振回路を結合回
路を通して共通回路に接続する際に、２つの発振回路間
で十分なアイソレーションが確保できるとともに、２つ
の発振回路から出力される第１及び第２周波数の減衰を
低減することが可能な切替型発振回路を提供することに
ある。
なされたもので、その目的は、２つの発振回路を結合回
路を通して共通回路に接続する際に、２つの発振回路間
で十分なアイソレーションが確保できるとともに、２つ
の発振回路から出力される第１及び第２周波数の減衰を
低減することが可能な切替型発振回路を提供することに
ある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明による切替型発振回路は、第１発振用トラン
ジスタ及び前記第１発振用トランジスタを動作、非動作
状態に切替える第１切替回路を有し、第１周波数の発振
信号を出力する第１発振回路と、第２発振用トランジス
タ及び前記第２発振用トランジスタを動作、非動作状態
に切替える第２切替回路を有し、第２周波数の発振信号
を出力する第２発振回路と、前記第１発振回路の出力端
及び前記第２発振回路の出力端と共通回路の入力端との
間に配置された結合回路とを備え、前記第１発振回路の
出力端と共通電位点間に前記第２周波数を減衰する第１
ローパスフィルタ（ＬＰＦ）回路を、前記第２発振回路
の出力端と共通電位点間に前記第１周波数を減衰する第
２ローパスフィルタ（ＬＰＦ）回路をそれぞれ接続した
構成を備える。
に、本発明による切替型発振回路は、第１発振用トラン
ジスタ及び前記第１発振用トランジスタを動作、非動作
状態に切替える第１切替回路を有し、第１周波数の発振
信号を出力する第１発振回路と、第２発振用トランジス
タ及び前記第２発振用トランジスタを動作、非動作状態
に切替える第２切替回路を有し、第２周波数の発振信号
を出力する第２発振回路と、前記第１発振回路の出力端
及び前記第２発振回路の出力端と共通回路の入力端との
間に配置された結合回路とを備え、前記第１発振回路の
出力端と共通電位点間に前記第２周波数を減衰する第１
ローパスフィルタ（ＬＰＦ）回路を、前記第２発振回路
の出力端と共通電位点間に前記第１周波数を減衰する第
２ローパスフィルタ（ＬＰＦ）回路をそれぞれ接続した
構成を備える。
【００２４】前記構成における第１切替回路及び第２切
替回路は、第１発振用トランジスタの出力電流路及び第
２発振用トランジスタの出力電流路に接続された構成を
有する。
替回路は、第１発振用トランジスタの出力電流路及び第
２発振用トランジスタの出力電流路に接続された構成を
有する。
【００２５】また、前記構成における第１切替回路及び
第２切替回路は、第１発振用トランジスタのエミッタ及
び第２発振用トランジスタのエミッタに接続された構成
を有する。
第２切替回路は、第１発振用トランジスタのエミッタ及
び第２発振用トランジスタのエミッタに接続された構成
を有する。
【００２６】前記構成によれば、第２発振回路が発振す
る第２周波数を減衰する第１ＬＰＦ回路を、第１発振回
路の出力端と共通電位点間の第１発振回路内に接続配置
し、第１発振回路が発振する第１周波数を減衰する第２
ＬＰＦ回路を、第２発振回路の出力端と共通電位点間の
第２発振回路内に接続配置するようにしたので、第１周
波数及び第２周波数の各発振信号間で十分なアイソレー
ションを確保しながら、それらの発振信号が伝送される
際の減衰を低減できる。
る第２周波数を減衰する第１ＬＰＦ回路を、第１発振回
路の出力端と共通電位点間の第１発振回路内に接続配置
し、第１発振回路が発振する第１周波数を減衰する第２
ＬＰＦ回路を、第２発振回路の出力端と共通電位点間の
第２発振回路内に接続配置するようにしたので、第１周
波数及び第２周波数の各発振信号間で十分なアイソレー
ションを確保しながら、それらの発振信号が伝送される
際の減衰を低減できる。
【００２７】また、前記構成によれば、第１ＬＰＦ回路
及び第２ＬＰＦ回路を得る際に、主としてそれらの減衰
周波数だけを考慮した設計を行なえば足り、第１発振回
路からの第１周波数の発振信号及び第２発振回路からの
第２周波数の発振信号間で十分なアイソレーションを確
保しながら、第１ＬＰＦ回路及び第２ＬＰＦ回路の設計
を簡単にすることができる。
及び第２ＬＰＦ回路を得る際に、主としてそれらの減衰
周波数だけを考慮した設計を行なえば足り、第１発振回
路からの第１周波数の発振信号及び第２発振回路からの
第２周波数の発振信号間で十分なアイソレーションを確
保しながら、第１ＬＰＦ回路及び第２ＬＰＦ回路の設計
を簡単にすることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００２９】図１は、本発明による切替型発振回路の第
１の実施の形態を示す回路構成図であって、切替型発振
回路がＤＣＳ及びＧＳＭに共用可能な携帯電話機に用い
られている例を示すものである。
１の実施の形態を示す回路構成図であって、切替型発振
回路がＤＣＳ及びＧＳＭに共用可能な携帯電話機に用い
られている例を示すものである。
【００３０】図１に示されるように、第１の実施の形態
による切替型発振回路は、１７００ＭＨｚ帯の周波数を
発振する第１電圧制御発振回路１と、９００ＭＨｚ帯の
周波数を発振する第２電圧制御発振回路２と、結合回路
３と、共通回路４と、第１発振信号出力端子５と、第２
発振信号出力端子６と、共通入力端子７と、信号出力端
子８と、第１切替信号供給端子９と、第２切替信号供給
端子１０と、電源端子１１と、第１周波数設定電圧供給
端子１２と、第２周波数設定電圧供給端子１３とを備え
る。
による切替型発振回路は、１７００ＭＨｚ帯の周波数を
発振する第１電圧制御発振回路１と、９００ＭＨｚ帯の
周波数を発振する第２電圧制御発振回路２と、結合回路
３と、共通回路４と、第１発振信号出力端子５と、第２
発振信号出力端子６と、共通入力端子７と、信号出力端
子８と、第１切替信号供給端子９と、第２切替信号供給
端子１０と、電源端子１１と、第１周波数設定電圧供給
端子１２と、第２周波数設定電圧供給端子１３とを備え
る。
【００３１】そして、第１電圧制御発振回路１は、第１
発振用トランジスタ１1 と、第１スイッチングトランジ
スタ１2 と、エミッタ負荷抵抗１3 と、アイソレーショ
ン用インダクタ１4 と、バラクタダイオード１5 と、イ
ンダクタ１6 と、バイパスコンデンサ１7 と、共振用コ
ンデンサ１8 、１10と、共振用インダクタ１9 と、ベー
スバイアス抵抗１11、１12と、帰還コンデンサ１13、１
14と、直列抵抗１15と、接地用コンデンサ１16と、ＬＰ
Ｆ回路形成用インダクタ１17と、同回路形成用コンデン
サ１18とからなり、これらの回路素子１1 乃至１18は、
図１に図示されているように接続される。
発振用トランジスタ１1 と、第１スイッチングトランジ
スタ１2 と、エミッタ負荷抵抗１3 と、アイソレーショ
ン用インダクタ１4 と、バラクタダイオード１5 と、イ
ンダクタ１6 と、バイパスコンデンサ１7 と、共振用コ
ンデンサ１8 、１10と、共振用インダクタ１9 と、ベー
スバイアス抵抗１11、１12と、帰還コンデンサ１13、１
14と、直列抵抗１15と、接地用コンデンサ１16と、ＬＰ
Ｆ回路形成用インダクタ１17と、同回路形成用コンデン
サ１18とからなり、これらの回路素子１1 乃至１18は、
図１に図示されているように接続される。
【００３２】この場合、第１スイッチングトランジスタ
１2 は、第１切替回路を構成し、第１切替信号供給端子
９に供給される第１切替信号が正極性（ハイレベル）時
にオンになり、第１切替信号が接地電位（ローレベル）
時にオフになる。バラクタダイオード１5 と共振用イン
ダクタ１9 と共振用コンデンサ１8 、１10は、第１電圧
制御発振回路１が発生する第１発振周波数を設定する第
１共振回路を構成し、第１共振回路の共振周波数は、第
１周波数設定電圧供給端子１２を通してバラクタダイオ
ード１5 に供給される第１周波数設定電圧を変化させる
ことにより、１７００ＭＨｚ帯の所定周波数に設定され
る。インダクタ１17とコンデンサ１18は、第２電圧制御
発振回路２が発生する第２周波数を減衰する第１ＬＰＦ
回路を構成している。
１2 は、第１切替回路を構成し、第１切替信号供給端子
９に供給される第１切替信号が正極性（ハイレベル）時
にオンになり、第１切替信号が接地電位（ローレベル）
時にオフになる。バラクタダイオード１5 と共振用イン
ダクタ１9 と共振用コンデンサ１8 、１10は、第１電圧
制御発振回路１が発生する第１発振周波数を設定する第
１共振回路を構成し、第１共振回路の共振周波数は、第
１周波数設定電圧供給端子１２を通してバラクタダイオ
ード１5 に供給される第１周波数設定電圧を変化させる
ことにより、１７００ＭＨｚ帯の所定周波数に設定され
る。インダクタ１17とコンデンサ１18は、第２電圧制御
発振回路２が発生する第２周波数を減衰する第１ＬＰＦ
回路を構成している。
【００３３】また、第２電圧制御発振回路２は、第１電
圧制御発振回路１とほぼ同じ構成のもので、第２発振用
トランジスタ２1 と、第２スイッチングトランジスタ２
2 と、エミッタ負荷抵抗２3 と、アイソレーション用イ
ンダクタ２4 と、バラクタダイオード２5 と、インダク
タ２6 と、バイパスコンデンサ２7 と、共振用コンデン
サ２8 、２10と、共振用インダクタ２9 と、ベースバイ
アス抵抗２11、２12と、帰還コンデンサ２13、２14と、
直列抵抗２15と、接地用コンデンサ２16と、ＬＰＦ回路
形成用インダクタ２17と、同回路形成用コンデンサ２18
とからなり、これらの回路素子２1 乃至２18は、図１に
図示されているように接続される。
圧制御発振回路１とほぼ同じ構成のもので、第２発振用
トランジスタ２1 と、第２スイッチングトランジスタ２
2 と、エミッタ負荷抵抗２3 と、アイソレーション用イ
ンダクタ２4 と、バラクタダイオード２5 と、インダク
タ２6 と、バイパスコンデンサ２7 と、共振用コンデン
サ２8 、２10と、共振用インダクタ２9 と、ベースバイ
アス抵抗２11、２12と、帰還コンデンサ２13、２14と、
直列抵抗２15と、接地用コンデンサ２16と、ＬＰＦ回路
形成用インダクタ２17と、同回路形成用コンデンサ２18
とからなり、これらの回路素子２1 乃至２18は、図１に
図示されているように接続される。
【００３４】この場合も、第２スイッチングトランジス
タ２2 は、第２切替回路を構成し、第２切替信号供給端
子１０に供給される第２切替信号が正極性（ハイレベ
ル）時にオンになり、第２切替信号が接地電位（ローレ
ベル）時にオフになる。バラクタダイオード２5 と共振
用インダクタ２9 と共振用コンデンサ２8 、２10は、第
２電圧制御発振回路２が発生する第２発振周波数を設定
する第２共振回路を構成し、第２共振回路の共振周波数
は、第２周波数設定電圧供給端子１３を通してバラクタ
ダイオード２5 に供給される第２周波数設定電圧を変化
させることにより、９００ＭＨｚ帯の所定周波数に設定
される。インダクタ２17とコンデンサ２１８は、第１電
圧制御発振回路１が発生する第１周波数を減衰する第２
ＬＰＦ回路を構成する。
タ２2 は、第２切替回路を構成し、第２切替信号供給端
子１０に供給される第２切替信号が正極性（ハイレベ
ル）時にオンになり、第２切替信号が接地電位（ローレ
ベル）時にオフになる。バラクタダイオード２5 と共振
用インダクタ２9 と共振用コンデンサ２8 、２10は、第
２電圧制御発振回路２が発生する第２発振周波数を設定
する第２共振回路を構成し、第２共振回路の共振周波数
は、第２周波数設定電圧供給端子１３を通してバラクタ
ダイオード２5 に供給される第２周波数設定電圧を変化
させることにより、９００ＭＨｚ帯の所定周波数に設定
される。インダクタ２17とコンデンサ２１８は、第１電
圧制御発振回路１が発生する第１周波数を減衰する第２
ＬＰＦ回路を構成する。
【００３５】結合回路３は、第１結合コンデンサ３１
と、第２結合コンデンサ３2 とからなり、両コンデンサ
３1 、３2 は、図１に図示されているように接続され
る。
と、第２結合コンデンサ３2 とからなり、両コンデンサ
３1 、３2 は、図１に図示されているように接続され
る。
【００３６】さらに、共通回路４は、増幅用トランジス
タ４1 と、コレクタ負荷インダクタ４2 と、エミッタ抵
抗４3 と、接地用コンデンサ４4 と、ベースバイアス抵
抗４5 、４6 と、インピーダンス整合用コンデンサ
４7 、４8 と、バイパスコンデンサ４9 とからなり、こ
れらの回路素子４1 乃至４9 は、図１に図示されている
ように接続されているもので、この共通回路４の構成
は、図３に図示された既知の共通回路３４の構成と同じ
である。
タ４1 と、コレクタ負荷インダクタ４2 と、エミッタ抵
抗４3 と、接地用コンデンサ４4 と、ベースバイアス抵
抗４5 、４6 と、インピーダンス整合用コンデンサ
４7 、４8 と、バイパスコンデンサ４9 とからなり、こ
れらの回路素子４1 乃至４9 は、図１に図示されている
ように接続されているもので、この共通回路４の構成
は、図３に図示された既知の共通回路３４の構成と同じ
である。
【００３７】前記構成を備えた第１の実施の形態による
切替型発振回路は、次のように動作する。
切替型発振回路は、次のように動作する。
【００３８】携帯電話機をＤＣＳによる移動体通信に用
いる場合には、制御部（図示なし）からそれぞれ出力さ
れる正極性（ハイレベル）の第１切替信号を第１切替信
号供給端子９に供給するとともに、接地電位（ローレベ
ル）の第２切替信号を第２切替信号供給端子１０に供給
し、第１スイッチングトランジスタ１2 をオンにし、第
２スイッチングトランジスタ２2 をオフにする。このと
き、第１電圧制御発振器１は、第１発振用トランジスタ
１1 のエミッタがオンしている第１スイッチングトラン
ジスタ１2 のコレクタ・エミッタ通路、第１ＬＰＦ回路
形成用インダクタ１17、エミッタ負荷抵抗１3 を通して
接地接続され、第１発振用トランジスタ１1 のコレクタ
・エミッタ間に動作電流が流れ、第１電圧制御発振回路
１において正常な発振動作が行われる。これに対して、
第２電圧制御発振器２は、第２発振用トランジスタ２1
のエミッタがオフしている第２スイッチングトランジス
タ２2 によって直流的及び交流的に開放されるので、第
２発振用トランジスタ２1のコレクタ・エミッタ間に動
作電流が流れず、第２電圧制御発振回路２において発振
動作が行なわれない。
いる場合には、制御部（図示なし）からそれぞれ出力さ
れる正極性（ハイレベル）の第１切替信号を第１切替信
号供給端子９に供給するとともに、接地電位（ローレベ
ル）の第２切替信号を第２切替信号供給端子１０に供給
し、第１スイッチングトランジスタ１2 をオンにし、第
２スイッチングトランジスタ２2 をオフにする。このと
き、第１電圧制御発振器１は、第１発振用トランジスタ
１1 のエミッタがオンしている第１スイッチングトラン
ジスタ１2 のコレクタ・エミッタ通路、第１ＬＰＦ回路
形成用インダクタ１17、エミッタ負荷抵抗１3 を通して
接地接続され、第１発振用トランジスタ１1 のコレクタ
・エミッタ間に動作電流が流れ、第１電圧制御発振回路
１において正常な発振動作が行われる。これに対して、
第２電圧制御発振器２は、第２発振用トランジスタ２1
のエミッタがオフしている第２スイッチングトランジス
タ２2 によって直流的及び交流的に開放されるので、第
２発振用トランジスタ２1のコレクタ・エミッタ間に動
作電流が流れず、第２電圧制御発振回路２において発振
動作が行なわれない。
【００３９】そして、第１発振用トランジスタ１1 にお
いて得られた第１周波数の発振信号（１７００ＭＨｚ帯
の周波数の発振信号）は、そのエミッタからオンしてい
る第１スイッチングトランジスタ１2 のコレクタ・エミ
ッタ通路及び第１発振信号出力端子５を通して結合回路
３に供給され、結合回路３の第１結合コンデンサ３1を
通して共通回路４の共通入力端子７に伝送される。次い
で、第１周波数の発振信号は、共通回路４の増幅用トラ
ンジスタ４1 で増幅され、増幅された第１周波数の発振
信号は、信号出力端子８を通して利用回路（図示なし）
に供給される。
いて得られた第１周波数の発振信号（１７００ＭＨｚ帯
の周波数の発振信号）は、そのエミッタからオンしてい
る第１スイッチングトランジスタ１2 のコレクタ・エミ
ッタ通路及び第１発振信号出力端子５を通して結合回路
３に供給され、結合回路３の第１結合コンデンサ３1を
通して共通回路４の共通入力端子７に伝送される。次い
で、第１周波数の発振信号は、共通回路４の増幅用トラ
ンジスタ４1 で増幅され、増幅された第１周波数の発振
信号は、信号出力端子８を通して利用回路（図示なし）
に供給される。
【００４０】また、携帯電話機をＧＳＭによる移動体通
信に用いる場合には、同じく制御部からそれぞれ出力さ
れる接地電位（ローレベル）の第１切替信号を第１切替
信号供給端子９に供給するとともに、正極性（ハイレベ
ル）の第２切替信号を第２切替信号供給端子１０に供給
し、第１スイッチングトランジスタ１2 をオフにし、第
２スイッチングトランジスタ２2 をオンにする。このと
きは、第１電圧制御発振器２は、第２発振用トランジス
タ２1 のエミッタがオンしている第２スイッチングトラ
ンジスタ２2 のコレクタ・エミッタ通路、第２ＬＰＦ形
成用インダクタ２17、エミッタ負荷抵抗２3 を通して接
地接続され、第２発振用トランジスタ２1 のコレクタ・
エミッタ間に動作電流が流れ、第２電圧制御発振回路２
において正常な発振動作が行われる。で正常な発振動作
が行われる。これに対して、第１電圧制御発振器１は、
第１発振用トランジスタ１1 のエミッタがオフしている
第１スイッチングトランジスタ１2 によって直流的及び
交流的に開放されるので、第１発振用トランジスタ１1
のコレクタ・エミッタ間に動作電流が流れず、第１電圧
制御発振回路１において発振動作が行なわれない。
信に用いる場合には、同じく制御部からそれぞれ出力さ
れる接地電位（ローレベル）の第１切替信号を第１切替
信号供給端子９に供給するとともに、正極性（ハイレベ
ル）の第２切替信号を第２切替信号供給端子１０に供給
し、第１スイッチングトランジスタ１2 をオフにし、第
２スイッチングトランジスタ２2 をオンにする。このと
きは、第１電圧制御発振器２は、第２発振用トランジス
タ２1 のエミッタがオンしている第２スイッチングトラ
ンジスタ２2 のコレクタ・エミッタ通路、第２ＬＰＦ形
成用インダクタ２17、エミッタ負荷抵抗２3 を通して接
地接続され、第２発振用トランジスタ２1 のコレクタ・
エミッタ間に動作電流が流れ、第２電圧制御発振回路２
において正常な発振動作が行われる。で正常な発振動作
が行われる。これに対して、第１電圧制御発振器１は、
第１発振用トランジスタ１1 のエミッタがオフしている
第１スイッチングトランジスタ１2 によって直流的及び
交流的に開放されるので、第１発振用トランジスタ１1
のコレクタ・エミッタ間に動作電流が流れず、第１電圧
制御発振回路１において発振動作が行なわれない。
【００４１】そして、第２発振用トランジスタ２1 にお
いて得られた第２周波数の発振信号（９００ＭＨｚ帯の
周波数の発振信号）は、そのエミッタからオンしている
第２スイッチングトランジスタ２2 のコレクタ・エミッ
タ通路及び第２発振信号出力端子６を通して結合回路３
に供給され、結合回路３の第２結合コンデンサ３2 を通
して共通回路４の共通入力端子７に伝送される。この後
は前の場合と同じで、第２周波数の発振信号は、共通回
路４の増幅用トランジスタ４1 で増幅され、増幅された
第２周波数の発振信号は、信号出力端子８を通して利用
回路（図示なし）に供給される。
いて得られた第２周波数の発振信号（９００ＭＨｚ帯の
周波数の発振信号）は、そのエミッタからオンしている
第２スイッチングトランジスタ２2 のコレクタ・エミッ
タ通路及び第２発振信号出力端子６を通して結合回路３
に供給され、結合回路３の第２結合コンデンサ３2 を通
して共通回路４の共通入力端子７に伝送される。この後
は前の場合と同じで、第２周波数の発振信号は、共通回
路４の増幅用トランジスタ４1 で増幅され、増幅された
第２周波数の発振信号は、信号出力端子８を通して利用
回路（図示なし）に供給される。
【００４２】このような動作時に、第１周波数の発振信
号が第１結合コンデンサ３1 を通して結合回路３の出力
端（図１に符号なし）に得られたとき、その出力端から
第２結合コンデンサ３2 、第２ＬＰＦ形成用インダクタ
２17、第２ＬＰＦ形成用コンデンサ２18とエミッタ負荷
抵抗２3 の並列回路を通して接地点に到る第２通路内
に、第１周波数を減衰する第２ＬＰＦ回路が配置されて
いるので、結合回路３の出力端から第２通路側に向かっ
た第１周波数の発振信号がこの第２ＬＰＦ回路によって
阻止され、接地点に流れることはない。同様に、第２周
波数の発振信号が第２結合コンデンサ３2 を通して結合
回路３の出力端に得られたとき、その出力端から第１結
合コンデンサ３1 、第１ＬＰＦ形成用インダクタ１17、
第１ＬＰＦ形成用コンデンサ１18とエミッタ負荷抵抗１
3 の並列回路を通して接地点に到る第１通路内に、第２
周波数を減衰する第１ＬＰＦが配置されているので、結
合回路３の出力端から第１通路側に向かった第２周波数
の発振信号がこの第１ＬＰＦ回路によって阻止され、接
地点に流れることはなくなる。
号が第１結合コンデンサ３1 を通して結合回路３の出力
端（図１に符号なし）に得られたとき、その出力端から
第２結合コンデンサ３2 、第２ＬＰＦ形成用インダクタ
２17、第２ＬＰＦ形成用コンデンサ２18とエミッタ負荷
抵抗２3 の並列回路を通して接地点に到る第２通路内
に、第１周波数を減衰する第２ＬＰＦ回路が配置されて
いるので、結合回路３の出力端から第２通路側に向かっ
た第１周波数の発振信号がこの第２ＬＰＦ回路によって
阻止され、接地点に流れることはない。同様に、第２周
波数の発振信号が第２結合コンデンサ３2 を通して結合
回路３の出力端に得られたとき、その出力端から第１結
合コンデンサ３1 、第１ＬＰＦ形成用インダクタ１17、
第１ＬＰＦ形成用コンデンサ１18とエミッタ負荷抵抗１
3 の並列回路を通して接地点に到る第１通路内に、第２
周波数を減衰する第１ＬＰＦが配置されているので、結
合回路３の出力端から第１通路側に向かった第２周波数
の発振信号がこの第１ＬＰＦ回路によって阻止され、接
地点に流れることはなくなる。
【００４３】このように、第１の実施の形態による切替
型発振回路は、相補な第１切替信号及び第２切替信号を
供給することにより、第１電圧制御発振器１または第２
電圧制御発振器２が選択的に動作状態になり、動作状態
にある電圧制御発振器で得られた発振信号が結合回路３
を通して共通回路４に供給されるもので、比較的簡単な
回路構成を用いることにより、第１電圧制御発振器１が
発生する第１周波数の発振信号と第２電圧制御発振器２
が発生する第２周波数の発振信号との間で十分なアイソ
レーションが確保できるとともに、第１周波数及び第２
周波数の各発振信号の減衰を低減することができる。
型発振回路は、相補な第１切替信号及び第２切替信号を
供給することにより、第１電圧制御発振器１または第２
電圧制御発振器２が選択的に動作状態になり、動作状態
にある電圧制御発振器で得られた発振信号が結合回路３
を通して共通回路４に供給されるもので、比較的簡単な
回路構成を用いることにより、第１電圧制御発振器１が
発生する第１周波数の発振信号と第２電圧制御発振器２
が発生する第２周波数の発振信号との間で十分なアイソ
レーションが確保できるとともに、第１周波数及び第２
周波数の各発振信号の減衰を低減することができる。
【００４４】次に、図２は、本発明による切替型発振回
路の第２の実施の形態を示す回路構成図であって、同じ
ように切替型発振回路がＤＣＳ及びＧＳＭに共用可能な
携帯電話機に用いられている例を示すものである。
路の第２の実施の形態を示す回路構成図であって、同じ
ように切替型発振回路がＤＣＳ及びＧＳＭに共用可能な
携帯電話機に用いられている例を示すものである。
【００４５】図２において、図１に示された構成要素と
同じ構成要素については同じ符号を付けている。
同じ構成要素については同じ符号を付けている。
【００４６】この第２の実施の形態による切替型発振回
路（以下、第２実施形態という）と前記第１の実施の形
態による切替型発振回路（以下、第１実施形態という）
とを比べると、第１電圧制御発振器１の第１スイッチン
グトランジスタ１2 の配置位置及び第２電圧制御発振器
２の第２スイッチングトランジスタ２2 の配置位置がそ
れぞれ異なっているだけで、それ以外の構成は同じであ
る。
路（以下、第２実施形態という）と前記第１の実施の形
態による切替型発振回路（以下、第１実施形態という）
とを比べると、第１電圧制御発振器１の第１スイッチン
グトランジスタ１2 の配置位置及び第２電圧制御発振器
２の第２スイッチングトランジスタ２2 の配置位置がそ
れぞれ異なっているだけで、それ以外の構成は同じであ
る。
【００４７】すなわち、第１実施形態は、第１スイッチ
ングトランジスタ１2 を第１発振用トランジスタ１1 の
エミッタと第１発振信号出力端子５との間に、第２スイ
ッチングトランジスタ２2 を第２発振用トランジスタ２
1 のエミッタと第２発振信号出力端子６との間にそれぞ
れ接続しているもの、具体的には２つのスイッチングト
ランジスタ１2 、２2 によって、対応する２つの発振用
トランジスタ１1 、２1 のコレクタ・エミッタ電流を直
接オンオフしているものである。これに対し、第２実施
形態は、第１スイッチングトランジスタ１2 を第１発振
用トランジスタ１1 のベースバイアス抵抗１11と電源端
子１１との間に、第２スイッチングトランジスタ２2 を
第２発振用トランジスタ２1 のベースバイアス抵抗２11
と電源端子１１との間にそれぞれ接続しているもの、具
体的には２つのスイッチングトランジスタ１2 、２2 に
よって、対応する２つの発振用トランジスタ１1 、２1
のベースバイアス電圧をオンオフし、その結果として２
つの発振用トランジスタ１1 、２1 のコレクタ・エミッ
タ電流をオンオフしているものである。
ングトランジスタ１2 を第１発振用トランジスタ１1 の
エミッタと第１発振信号出力端子５との間に、第２スイ
ッチングトランジスタ２2 を第２発振用トランジスタ２
1 のエミッタと第２発振信号出力端子６との間にそれぞ
れ接続しているもの、具体的には２つのスイッチングト
ランジスタ１2 、２2 によって、対応する２つの発振用
トランジスタ１1 、２1 のコレクタ・エミッタ電流を直
接オンオフしているものである。これに対し、第２実施
形態は、第１スイッチングトランジスタ１2 を第１発振
用トランジスタ１1 のベースバイアス抵抗１11と電源端
子１１との間に、第２スイッチングトランジスタ２2 を
第２発振用トランジスタ２1 のベースバイアス抵抗２11
と電源端子１１との間にそれぞれ接続しているもの、具
体的には２つのスイッチングトランジスタ１2 、２2 に
よって、対応する２つの発振用トランジスタ１1 、２1
のベースバイアス電圧をオンオフし、その結果として２
つの発振用トランジスタ１1 、２1 のコレクタ・エミッ
タ電流をオンオフしているものである。
【００４８】また、第２実施形態の動作は、２つのスイ
ッチングトランジスタ１2 、２2 によって、対応する２
つの発振用トランジスタ１1 、２1 へのベースバイアス
電圧の供給をオンオフし、２つの発振用トランジスタ１
1 、２1 のコレクタ・エミッタ電流をオンオフしている
ものであって、本質的に第１実施形態の動作の動作と同
じであり、得られる作用効果についても、第１実施形態
で得られる作用効果と殆んど同じである。
ッチングトランジスタ１2 、２2 によって、対応する２
つの発振用トランジスタ１1 、２1 へのベースバイアス
電圧の供給をオンオフし、２つの発振用トランジスタ１
1 、２1 のコレクタ・エミッタ電流をオンオフしている
ものであって、本質的に第１実施形態の動作の動作と同
じであり、得られる作用効果についても、第１実施形態
で得られる作用効果と殆んど同じである。
【００４９】このため、第２実施形態の構成、動作、作
用効果については、これ以上の説明を行なわない。
用効果については、これ以上の説明を行なわない。
【００５０】なお、前記各実施の形態においては、切替
型発振回路がＤＣＳ及びＧＳＭに共用可能な携帯電話機
に用いられ、第１電圧制御発振回路１から出力される発
振信号の周波数が１７００ＭＨｚ帯の周波数であり、第
２電圧制御発振回路２から出力される発振信号の周波数
が９００ＭＨｚ帯の周波数である例を挙げて説明した
が、本発明における切替型発振回路は、前述のような携
帯電話機に用いる場合に限られるものでなく、他の類似
の機器に用いるものであってもよく、それに関連して、
第１電圧制御発振回路１及び第２電圧制御発振回路２の
各発振周波数は、前述のような周波数帯のものに限られ
るものでなく、それらの発振周波数帯が適宜離間してい
るものであれば、他の周波数帯のものであってもよい。
型発振回路がＤＣＳ及びＧＳＭに共用可能な携帯電話機
に用いられ、第１電圧制御発振回路１から出力される発
振信号の周波数が１７００ＭＨｚ帯の周波数であり、第
２電圧制御発振回路２から出力される発振信号の周波数
が９００ＭＨｚ帯の周波数である例を挙げて説明した
が、本発明における切替型発振回路は、前述のような携
帯電話機に用いる場合に限られるものでなく、他の類似
の機器に用いるものであってもよく、それに関連して、
第１電圧制御発振回路１及び第２電圧制御発振回路２の
各発振周波数は、前述のような周波数帯のものに限られ
るものでなく、それらの発振周波数帯が適宜離間してい
るものであれば、他の周波数帯のものであってもよい。
【００５１】また、前記各実施の形態においては、２つ
の発振回路がともに電圧制御発振回路１、２である例を
挙げて説明したが、本発明における２つの発振回路は電
圧制御発振回路に限られるものでなく、固定周波数帯の
発振信号を発生する発振回路であってもよい。
の発振回路がともに電圧制御発振回路１、２である例を
挙げて説明したが、本発明における２つの発振回路は電
圧制御発振回路に限られるものでなく、固定周波数帯の
発振信号を発生する発振回路であってもよい。
【００５２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、第２発
振回路の発振周波数を減衰する第１ＬＰＦ回路を、第１
発振回路の出力端と共通電位点間の第１発振回路内に接
続配置し、第１発振回路の発振周波数を減衰する第２Ｌ
ＰＦ回路を、第２発振回路の出力端と共通電位点間の第
２発振回路内に接続配置するようにしたので、第１ＬＰ
Ｆ回路及び第２ＬＰＦ回路を得る際に、主としてそれら
の減衰周波数だけを考慮した設計を行なえば足り、第１
発振回路からの第１周波数の発振信号及び第２発振回路
からの第２周波数の発振信号間で十分なアイソレーショ
ンを確保しながら、第１ＬＰＦ回路及び第２ＬＰＦ回路
の設計を簡単にすることができ、かつ、第１周波数及び
第２周波数の各発振信号の減衰を低減できるという効果
がある。
振回路の発振周波数を減衰する第１ＬＰＦ回路を、第１
発振回路の出力端と共通電位点間の第１発振回路内に接
続配置し、第１発振回路の発振周波数を減衰する第２Ｌ
ＰＦ回路を、第２発振回路の出力端と共通電位点間の第
２発振回路内に接続配置するようにしたので、第１ＬＰ
Ｆ回路及び第２ＬＰＦ回路を得る際に、主としてそれら
の減衰周波数だけを考慮した設計を行なえば足り、第１
発振回路からの第１周波数の発振信号及び第２発振回路
からの第２周波数の発振信号間で十分なアイソレーショ
ンを確保しながら、第１ＬＰＦ回路及び第２ＬＰＦ回路
の設計を簡単にすることができ、かつ、第１周波数及び
第２周波数の各発振信号の減衰を低減できるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による切替型発振回路の第１の実施の形
態を示す回路構成図である。
態を示す回路構成図である。
【図２】本発明による切替型発振回路の第２の実施の形
態を示す回路構成図である。
態を示す回路構成図である。
【図３】既知の切替型発振回路の構成の一例を示す回路
図である。
図である。
１ 第１電圧制御発振回路 １1 第１発振用トランジスタ １2 第１スイッチングトランジスタ １3 、２3 エミッタ負荷抵抗 １4 、２4 アイソレーション用インダクタ １5 、２5 バラクタダイオード １6 、２6 インダクタ １7 、２7 、４9 バイパスコンデンサ １8 、１10、２8 、２10 共振用コンデンサ １9 、２9 共振用インダクタ １11、１12、２11、２12、４5 、４6 ベースバイアス
抵抗 １13、１14、２13、２14 帰還コンデンサ １15、２15 直列抵抗 １16、２16、４4 接地用コンデンサ １17、２17 ローパスフィルタ（ＬＰＦ）形成用インダ
クタ １18、２18 ローパスフィルタ（ＬＰＦ）形成用コンデ
ンサ ２ 第２電圧制御発振回路 ２1 第２発振用トランジスタ ２2 第２スイッチングトランジスタ ３ 結合回路 ３1 第１結合コンデンサ ３2 第２結合コンデンサ ４ 共通回路 ４1 増幅用トランジスタ ４2 コレクタ負荷インダクタ ４3 エミッタ抵抗 ４7 、４8 インピーダンス整合用コンデンサ ５ 第１発振信号出力端子 ６ 第２発振信号出力端子 ７ 共通入力端子 ８ 信号出力端子 ９ 第１切替信号供給端子 １０ 第２切替信号供給端子 １１ 電源端子 １２ 第１周波数設定電圧供給端子 １３ 第２周波数設定電圧供給端子
抵抗 １13、１14、２13、２14 帰還コンデンサ １15、２15 直列抵抗 １16、２16、４4 接地用コンデンサ １17、２17 ローパスフィルタ（ＬＰＦ）形成用インダ
クタ １18、２18 ローパスフィルタ（ＬＰＦ）形成用コンデ
ンサ ２ 第２電圧制御発振回路 ２1 第２発振用トランジスタ ２2 第２スイッチングトランジスタ ３ 結合回路 ３1 第１結合コンデンサ ３2 第２結合コンデンサ ４ 共通回路 ４1 増幅用トランジスタ ４2 コレクタ負荷インダクタ ４3 エミッタ抵抗 ４7 、４8 インピーダンス整合用コンデンサ ５ 第１発振信号出力端子 ６ 第２発振信号出力端子 ７ 共通入力端子 ８ 信号出力端子 ９ 第１切替信号供給端子 １０ 第２切替信号供給端子 １１ 電源端子 １２ 第１周波数設定電圧供給端子 １３ 第２周波数設定電圧供給端子
Claims (3)
- 【請求項１】 第１発振用トランジスタ及び前記第１発
振用トランジスタを動作、非動作状態に切替える第１切
替回路を有し、第１周波数の発振信号を出力する第１発
振回路と、第２発振用トランジスタ及び前記第２発振用
トランジスタを動作、非動作状態に切替える第２切替回
路を有し、第２周波数の発振信号を出力する第２発振回
路と、前記第１発振回路の出力端及び前記第２発振回路
の出力端と共通回路の入力端との間に配置された結合回
路とを備え、前記第１発振回路の出力端と共通電位点間
に前記第２周波数を減衰する第１ローパスフィルタ回路
を接続し、前記第２発振回路の出力端と共通電位点間に
前記第１周波数を減衰する第２ローパスフィルタ回路を
接続していることを特徴とする切替型発振回路。 - 【請求項２】 前記第１切替回路及び前記第２切替回路
は、前記第１発振用トランジスタの出力電流路及び前記
第２発振用トランジスタの出力電流路に接続されている
ことを特徴とする請求項１記載の切替型発振回路。 - 【請求項３】 前記第１切替回路及び前記第２切替回路
は、前記第１発振用トランジスタのエミッタ及び前記第
２発振用トランジスタのエミッタに接続されていること
を特徴とする請求項１記載の切替型発振回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11180705A JP2001016033A (ja) | 1999-06-25 | 1999-06-25 | 切替型発振回路 |
| DE60004750T DE60004750T2 (de) | 1999-06-25 | 2000-06-09 | Geschalteter Oszillatorkreis, der Isolation zwischen einem ersten und einem zweiten Oszillatorkreis herstellt |
| EP00304894A EP1087519B1 (en) | 1999-06-25 | 2000-06-09 | Switch-type oscillating circuit for providing isolation between first and second oscillating circuits |
| US09/602,126 US6288615B1 (en) | 1999-06-25 | 2000-06-23 | Switch-type oscillating circuit for providing isolation between first and second oscillating circuits |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11180705A JP2001016033A (ja) | 1999-06-25 | 1999-06-25 | 切替型発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001016033A true JP2001016033A (ja) | 2001-01-19 |
Family
ID=16087882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11180705A Withdrawn JP2001016033A (ja) | 1999-06-25 | 1999-06-25 | 切替型発振回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6288615B1 (ja) |
| EP (1) | EP1087519B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001016033A (ja) |
| DE (1) | DE60004750T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030053791A (ko) * | 2001-12-24 | 2003-07-02 | 삼성전기주식회사 | 간단한 동작선택기능을 갖는 전압제어발진회로 |
| KR100468808B1 (ko) * | 2001-03-06 | 2005-01-29 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 2 밴드 발진기 |
| JP2008167407A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Fujitsu Media Device Kk | 発振器 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001237640A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-31 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧制御発振器および通信装置 |
| JP2001244733A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Fujitsu Media Device Kk | 高周波二帯域出力発振器 |
| JP2006319769A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Alps Electric Co Ltd | ２バンド発振器 |
| US7598817B2 (en) * | 2006-12-27 | 2009-10-06 | Fujitsu Media Devices Limited | Oscillator for outputting different oscillation frequencies |
| US20090131000A1 (en) * | 2007-11-21 | 2009-05-21 | Kuo Yao H | Radio receiver system |
| US11451193B2 (en) | 2019-08-26 | 2022-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Oscillator and imaging device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200713A (en) * | 1990-10-04 | 1993-04-06 | Wiltron Company | Multiple magnetically tuned oscillator |
| US5652599A (en) * | 1995-09-11 | 1997-07-29 | Qualcomm Incorporated | Dual-band antenna system |
| JPH10126152A (ja) | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧制御発振器 |
| JP3648979B2 (ja) | 1998-04-07 | 2005-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 発振器とこれを用いた高周波モジュール |
| EP1099296A1 (en) * | 1998-05-05 | 2001-05-16 | Vari-L Company, Inc. | Passive switched oscillator output circuit |
-
1999
- 1999-06-25 JP JP11180705A patent/JP2001016033A/ja not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-06-09 EP EP00304894A patent/EP1087519B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-09 DE DE60004750T patent/DE60004750T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-06-23 US US09/602,126 patent/US6288615B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100468808B1 (ko) * | 2001-03-06 | 2005-01-29 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 2 밴드 발진기 |
| KR20030053791A (ko) * | 2001-12-24 | 2003-07-02 | 삼성전기주식회사 | 간단한 동작선택기능을 갖는 전압제어발진회로 |
| JP2008167407A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Fujitsu Media Device Kk | 発振器 |
| JP4536101B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2010-09-01 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 発振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1087519A3 (en) | 2001-08-08 |
| DE60004750T2 (de) | 2004-02-26 |
| EP1087519A2 (en) | 2001-03-28 |
| US6288615B1 (en) | 2001-09-11 |
| DE60004750D1 (de) | 2003-10-02 |
| EP1087519B1 (en) | 2003-08-27 |
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Legal Events
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