JPH11312925A - 電圧制御型発振回路 - Google Patents
電圧制御型発振回路Info
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- JPH11312925A JPH11312925A JP10117575A JP11757598A JPH11312925A JP H11312925 A JPH11312925 A JP H11312925A JP 10117575 A JP10117575 A JP 10117575A JP 11757598 A JP11757598 A JP 11757598A JP H11312925 A JPH11312925 A JP H11312925A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、異なる周波数帯域の発振出力を可
能にしたデュアルバンドに容易に対応できる電圧制御型
発振回路を提供する。 【解決手段】本発明は、制御電圧Ｖｔが印加される所定
共振周波数で共振する共振線路１及び容量可変素子Ｃv
を有する共振回路部Ｘと、発振トランジスタを含む負性
抵抗回路部とから成り、前記制御電圧に応じた所定周波
数の発振出力を行う電圧制御型発振回路において、前記
共振線路１の一端に、該共振線路１に容量成分を付加す
るか否かを選択する第１スイチッグ素子ＳＷ1 を配置
し、前記共振線路１の他端に、負性抵抗回路部に共振信
号を出力するかまたは接地するかを選択する第２スイッ
チング素子ＳＷ2 を配置するとともに、第１及び第２の
スイッチング素子ＳＷ1 、ＳＷ2 を連動させて、２つの
周波数帯域の一方を発振出力させる電圧制御型発振回路
である。
能にしたデュアルバンドに容易に対応できる電圧制御型
発振回路を提供する。 【解決手段】本発明は、制御電圧Ｖｔが印加される所定
共振周波数で共振する共振線路１及び容量可変素子Ｃv
を有する共振回路部Ｘと、発振トランジスタを含む負性
抵抗回路部とから成り、前記制御電圧に応じた所定周波
数の発振出力を行う電圧制御型発振回路において、前記
共振線路１の一端に、該共振線路１に容量成分を付加す
るか否かを選択する第１スイチッグ素子ＳＷ1 を配置
し、前記共振線路１の他端に、負性抵抗回路部に共振信
号を出力するかまたは接地するかを選択する第２スイッ
チング素子ＳＷ2 を配置するとともに、第１及び第２の
スイッチング素子ＳＷ1 、ＳＷ2 を連動させて、２つの
周波数帯域の一方を発振出力させる電圧制御型発振回路
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波無線装置の
局部発振信号などを形成する電圧制御型発振回路に関す
るものである。
局部発振信号などを形成する電圧制御型発振回路に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波無線装置、特に携帯電話装置の回
路構成は、ローノイズアンプLNA 、バンドパスフィルタ
BPF 、第１中間周波用ミキサー1st IF MIX、第１中間周
波用フィルタ1st IF-BPF、第２中間周波用ミキサー2st
IF MIX、第２中間周波用フィルタ2st IF-BPFなどから構
成された受信系回路と、変調回路MOD 、増幅器POWER AM
P 、アイソレータISO などからなる送信系回路と第１局
部発振信号ｆL1、第２局部発振信号ｆL2、キャリア信号
ｆT を作成する送受信周波数制御回路とに大きく分けら
れる。
路構成は、ローノイズアンプLNA 、バンドパスフィルタ
BPF 、第１中間周波用ミキサー1st IF MIX、第１中間周
波用フィルタ1st IF-BPF、第２中間周波用ミキサー2st
IF MIX、第２中間周波用フィルタ2st IF-BPFなどから構
成された受信系回路と、変調回路MOD 、増幅器POWER AM
P 、アイソレータISO などからなる送信系回路と第１局
部発振信号ｆL1、第２局部発振信号ｆL2、キャリア信号
ｆT を作成する送受信周波数制御回路とに大きく分けら
れる。
【０００３】実際の通信バンドやチャンネル周波数は、
上述の第１局部発振信号ｆL1及びキャリア信号ｆT の周
波数によって決定されている。例えば、送受信周波数制
御回路は、温度補償型水晶発振器TCXO、マイコンCPU 、
ＰＬＬ回路PLL 、第１局部発振信号ｆL1用の電圧制御型
発振回路VCO1、第２局部発振信号ｆL2用の電圧制御型発
振回路VCO2、キャリア信号ｆT 用の電圧制御型発振回路
VCO3及びバッフアーアンプBA1 〜BA3 から構成されてい
る。
上述の第１局部発振信号ｆL1及びキャリア信号ｆT の周
波数によって決定されている。例えば、送受信周波数制
御回路は、温度補償型水晶発振器TCXO、マイコンCPU 、
ＰＬＬ回路PLL 、第１局部発振信号ｆL1用の電圧制御型
発振回路VCO1、第２局部発振信号ｆL2用の電圧制御型発
振回路VCO2、キャリア信号ｆT 用の電圧制御型発振回路
VCO3及びバッフアーアンプBA1 〜BA3 から構成されてい
る。
【０００４】しかし、近年、通信帯域の高密度化、通信
の多様化、高品位化に伴い、同一通信サビースエリア内
で、通信バンドの異なる２つの通信方式が存在してい
る。例えば、米国において、ＡＭＰＳ方式とＰＣＳ方
式、また、欧州においては、ＧＳＭ方式とＤＣＳ方式な
どが存在している。このような場合、１つの携帯電話装
置では、２つの通信方式での通話ができるデュアルバン
ド対応方式が求められる。
の多様化、高品位化に伴い、同一通信サビースエリア内
で、通信バンドの異なる２つの通信方式が存在してい
る。例えば、米国において、ＡＭＰＳ方式とＰＣＳ方
式、また、欧州においては、ＧＳＭ方式とＤＣＳ方式な
どが存在している。このような場合、１つの携帯電話装
置では、２つの通信方式での通話ができるデュアルバン
ド対応方式が求められる。
【０００５】例えば、ＧＳＭ方式とＤＣＳ方式など２つ
の通信バンド及びチャンネル周波数を制御するために
は、図６、７に示すように、２種類の第１局部発振信号
ｆL11、ｆL12 、２種類のキャリア信号ｆT1、ｆT2を作
成するために、２つの電圧制御型発振回路VCO11 、VCO1
2 及び2 つの電圧制御型発振回路VCO31 、VCO32 を具備
していた。
の通信バンド及びチャンネル周波数を制御するために
は、図６、７に示すように、２種類の第１局部発振信号
ｆL11、ｆL12 、２種類のキャリア信号ｆT1、ｆT2を作
成するために、２つの電圧制御型発振回路VCO11 、VCO1
2 及び2 つの電圧制御型発振回路VCO31 、VCO32 を具備
していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
多数の電圧制御型発振回路を用いると、部品点数が増加
してしましい、携帯用電話装置が大型化してしまい、使
用部品の動作効率が低下してしまい、同時に、各発振回
路を動作させるための駆動電流の数が増え、消費電力が
増大してしまうという問題があった。
多数の電圧制御型発振回路を用いると、部品点数が増加
してしましい、携帯用電話装置が大型化してしまい、使
用部品の動作効率が低下してしまい、同時に、各発振回
路を動作させるための駆動電流の数が増え、消費電力が
増大してしまうという問題があった。
【０００７】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、異なる周波数帯域の発振出
力を可能にしたデュアルバンドに容易に対応できる電圧
制御型発振回路を提供するものである。
たものであり、その目的は、異なる周波数帯域の発振出
力を可能にしたデュアルバンドに容易に対応できる電圧
制御型発振回路を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、制御電
圧が印加され所定共振周波数で共振する共振線路及び容
量可変素子を有する共振回路部と、発振トランジスタを
含む負性抵抗回路部とから成り、前記制御電圧に応じた
所定周波数の発振出力を行う電圧制御型発振回路におい
て、前記共振線路の一端に、該共振線路に付加する容量
成分を選択する第１スイチッグ素子を、他端に、該共振
線路の他端を負性抵抗回路部に接続するか、接地するか
を選択する第２スイッチング素子を各々配置するととも
に、第１及び第２スイッチング素子を連動させて、２つ
の周波数帯域の一方を発振出力させることを特徴とする
電圧制御型発振回路である。
圧が印加され所定共振周波数で共振する共振線路及び容
量可変素子を有する共振回路部と、発振トランジスタを
含む負性抵抗回路部とから成り、前記制御電圧に応じた
所定周波数の発振出力を行う電圧制御型発振回路におい
て、前記共振線路の一端に、該共振線路に付加する容量
成分を選択する第１スイチッグ素子を、他端に、該共振
線路の他端を負性抵抗回路部に接続するか、接地するか
を選択する第２スイッチング素子を各々配置するととも
に、第１及び第２スイッチング素子を連動させて、２つ
の周波数帯域の一方を発振出力させることを特徴とする
電圧制御型発振回路である。
【０００９】
【作用】本発明では、共振回路部、負性抵抗回路部、増
幅回路部の基本的構成である。
幅回路部の基本的構成である。
【００１０】そして、共振回路部を構成する共振線路の
両端に、夫々スイッチング素子が配置されている。
両端に、夫々スイッチング素子が配置されている。
【００１１】共振線路の一端は負性抵抗回路部に接続さ
れている。そして、共振線路の一端には、共振回路の容
量成分を調整する容量付加を制御する第１のスイッチン
グ素子が配置されており、共振線路の他端には、共振線
路の他端を接地するか否かを調整する第２のスイッチン
グ素子が配置され、第１のスイッチング素子と第２のス
イッング素子とがそれぞれ連動している。
れている。そして、共振線路の一端には、共振回路の容
量成分を調整する容量付加を制御する第１のスイッチン
グ素子が配置されており、共振線路の他端には、共振線
路の他端を接地するか否かを調整する第２のスイッチン
グ素子が配置され、第１のスイッチング素子と第２のス
イッング素子とがそれぞれ連動している。
【００１２】即ち、第１のスイッチング素子と第２のス
イッチング素子とが連動し、第2 のスイッチング素子が
共振線路の他端を接地されるように動作する場合には、
共振線路の物理的な長さに起因する共振周波数が、１／
４波長に相当する周波数で共振する。また、一端が負性
抵抗回路部に接続されるように動作する場合には、１／
２波長に相当する周波数で共振する。
イッチング素子とが連動し、第2 のスイッチング素子が
共振線路の他端を接地されるように動作する場合には、
共振線路の物理的な長さに起因する共振周波数が、１／
４波長に相当する周波数で共振する。また、一端が負性
抵抗回路部に接続されるように動作する場合には、１／
２波長に相当する周波数で共振する。
【００１３】そして、第２のスイッチング素子によっ
て、大きく共振周波数帯域を切り換えるとともに、第２
のスイッチング素子と連動する第１のスイッチング素子
によって、第２のスイッチング素子によって選択された
共振周波数に対して、所定周波数の補正を行い、実用に
適した共振周波数としている。
て、大きく共振周波数帯域を切り換えるとともに、第２
のスイッチング素子と連動する第１のスイッチング素子
によって、第２のスイッチング素子によって選択された
共振周波数に対して、所定周波数の補正を行い、実用に
適した共振周波数としている。
【００１４】これより、共振周波数を、第２のスイッチ
ング素子により、共振線路の他端を接地または負性抵抗
回路部に接続することにより、概略２倍の関係の共振周
波数が得られ、さらに、第２のスイッチング素子と連動
する第１のスイッチング素子によって、各々の概略共振
周波数を所定値に調整することができる。
ング素子により、共振線路の他端を接地または負性抵抗
回路部に接続することにより、概略２倍の関係の共振周
波数が得られ、さらに、第２のスイッチング素子と連動
する第１のスイッチング素子によって、各々の概略共振
周波数を所定値に調整することができる。
【００１５】以上のように、共振回路部の共振線路を共
用し、両端部分でメスイッチング素子を配置することに
より、約２倍の周波数の関係となる２種類の共振周波数
帯域の発振出力を簡単に得られることになる。
用し、両端部分でメスイッチング素子を配置することに
より、約２倍の周波数の関係となる２種類の共振周波数
帯域の発振出力を簡単に得られることになる。
【００１６】これにより、デュアルバンド対応の電圧制
御型発振回路においては、従来、例えば、２つの電圧制
御型発振回路を併用していた１つの電圧制御型発振回路
でよく、部品点数が半減し、携帯用電話装置を小型化す
ることができ、しかも、増幅回路数も同時に減少するた
め、駆動電流も減少し、省電略化が達成できる。
御型発振回路においては、従来、例えば、２つの電圧制
御型発振回路を併用していた１つの電圧制御型発振回路
でよく、部品点数が半減し、携帯用電話装置を小型化す
ることができ、しかも、増幅回路数も同時に減少するた
め、駆動電流も減少し、省電略化が達成できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電圧制御型発振回
路を図面に基づいて説明する。
路を図面に基づいて説明する。
【００１８】図１は、本発明のデュアルバンドに対応し
た通信装置のブロック図であり、図２は、送受信周波数
制御回路のブロック図であり、図３は電圧制御型発振回
路の構成を示す図であり、図４は共振回部の回路図で
る。
た通信装置のブロック図であり、図２は、送受信周波数
制御回路のブロック図であり、図３は電圧制御型発振回
路の構成を示す図であり、図４は共振回部の回路図で
る。
【００１９】高周波無線装置は、上述の１図のように、
受信系回路は、アンテナANT −デュプレクサーDPX −ロ
ーノイズアンプLNA −受信側バンドパスフィルタR-BPF
−ミキサー1stIF-MIX −第１中間周波用バンドパスフィ
ルタ1stIF-BPF −ミキサー2ndIF-MIX −第２中間周波用
バンドパスフィルタ2ndIF BPF −復調回路を含むベース
バンドブロックBBなどの構成となっている。また、送信
系回路は、送信側増幅器を含むベースバンドブロックBB
−変調回路MOD −増幅器POWER-AMP −アイソレータISO
−デュプレクサーDPX −アンテナANT の構成となってい
る。
受信系回路は、アンテナANT −デュプレクサーDPX −ロ
ーノイズアンプLNA −受信側バンドパスフィルタR-BPF
−ミキサー1stIF-MIX −第１中間周波用バンドパスフィ
ルタ1stIF-BPF −ミキサー2ndIF-MIX −第２中間周波用
バンドパスフィルタ2ndIF BPF −復調回路を含むベース
バンドブロックBBなどの構成となっている。また、送信
系回路は、送信側増幅器を含むベースバンドブロックBB
−変調回路MOD −増幅器POWER-AMP −アイソレータISO
−デュプレクサーDPX −アンテナANT の構成となってい
る。
【００２０】このような送受信系回路において、通信バ
ンドに応じた周波数帯域、チャンネルに応じた周波数の
選択は、図２に示す送受信周波数制御回路で作成される
第１局部発振信号ｆL1（受信時）及びキャリア信号ｆLT
の周波数によって決定される。
ンドに応じた周波数帯域、チャンネルに応じた周波数の
選択は、図２に示す送受信周波数制御回路で作成される
第１局部発振信号ｆL1（受信時）及びキャリア信号ｆLT
の周波数によって決定される。
【００２１】例えば、受信バンドが、例えば、９００Ｍ
Ｈｚを中心としたＧＳＭと１．８ＧＨｚを中心としたＤ
ＣＳの２つのバンドを受信する場合には、２種類の第１
局部発振信号の差が９００ＭＨｚ〜１．０ＧＨｚの離れ
た２つの周波数を切り換えて発振出力を用いる必要があ
る。同様に、送信系回路に供給されるキャリア信号につ
いても同様である。
Ｈｚを中心としたＧＳＭと１．８ＧＨｚを中心としたＤ
ＣＳの２つのバンドを受信する場合には、２種類の第１
局部発振信号の差が９００ＭＨｚ〜１．０ＧＨｚの離れ
た２つの周波数を切り換えて発振出力を用いる必要があ
る。同様に、送信系回路に供給されるキャリア信号につ
いても同様である。
【００２２】上述のように、発振出力の周波数が非常に
離れた２種類の発振出力を切り換えて出力できる電圧制
御型発振回路VCO が必要となる。
離れた２種類の発振出力を切り換えて出力できる電圧制
御型発振回路VCO が必要となる。
【００２３】一般に、電圧制御型発振回路は、図３に示
すように、制御電圧Ｖｔが印加され所定共振周波数で共
振する共振線路及び容量可変素子を有する共振回路部Ｘ
と、発振トランジスタＴｒ2 を含む負性抵抗回路部Ｙ
と、さらに、バッフアトランジスタＴｒ1 を含む増幅回
路部Ｚとから構成されている。
すように、制御電圧Ｖｔが印加され所定共振周波数で共
振する共振線路及び容量可変素子を有する共振回路部Ｘ
と、発振トランジスタＴｒ2 を含む負性抵抗回路部Ｙ
と、さらに、バッフアトランジスタＴｒ1 を含む増幅回
路部Ｚとから構成されている。
【００２４】そして、本発明における共振回路部Ｘは、
図４に示す構造となっている。尚、図４において、負性
抵抗回路部Ｙへは２つの端子を有するが、例えば、負性
抵抗回路部Ｙの発振トランジスタＴｒ2 に接続する前
に、両者を接続したり、また、増幅回路部Ｚのバッファ
トランジスタＴｒ1 を共通にして、発振トランジスタＴ
ｒ2 を２つ設け、２つの端子を夫々の発振トランジスタ
Ｔｒ2 に接続したりする。
図４に示す構造となっている。尚、図４において、負性
抵抗回路部Ｙへは２つの端子を有するが、例えば、負性
抵抗回路部Ｙの発振トランジスタＴｒ2 に接続する前
に、両者を接続したり、また、増幅回路部Ｚのバッファ
トランジスタＴｒ1 を共通にして、発振トランジスタＴ
ｒ2 を２つ設け、２つの端子を夫々の発振トランジスタ
Ｔｒ2 に接続したりする。
【００２５】さて、共振回路部Ｘは、等価的にＬＣ共振
回路を構成する回路であり、主にＬＣ共振回路の主たる
構成を行うマイクロストリップ線路などの共振線路１
と、制御電圧ＶｔによってＬＣ共振回路の容量成分を制
御させるバリキャップダイオードＣｖとを具備し、さら
に、必要に応じてＬＣ共振回路の容量成分を所定容量値
に設定する容量素子と、共振周波数を切り換える第１の
スイッチング素子ＳＷ1、第２のスイッチング素子ＳＷ2
とから構成されている。
回路を構成する回路であり、主にＬＣ共振回路の主たる
構成を行うマイクロストリップ線路などの共振線路１
と、制御電圧ＶｔによってＬＣ共振回路の容量成分を制
御させるバリキャップダイオードＣｖとを具備し、さら
に、必要に応じてＬＣ共振回路の容量成分を所定容量値
に設定する容量素子と、共振周波数を切り換える第１の
スイッチング素子ＳＷ1、第２のスイッチング素子ＳＷ2
とから構成されている。
【００２６】図示していないが、負性抵抗回路部は、共
振回路部の発振条件を満足させる帰還回路であり、発振
トランジスタを中心に構成されている。また、増幅回路
部は、発振信号を所定出力レベルに増幅する回路であ
り、バッフアートランジスタを中心に構成されている。
振回路部の発振条件を満足させる帰還回路であり、発振
トランジスタを中心に構成されている。また、増幅回路
部は、発振信号を所定出力レベルに増幅する回路であ
り、バッフアートランジスタを中心に構成されている。
【００２７】共振回路部Ｘは、制御電圧端子を有し、チ
ャンネル周波数に応じて変動し、また、所定周波数の補
正を行う制御電圧Ｖｔが入力される。制御電圧Ｖｔは、
ストリップラインＳＬ1 を介して、バリキャップダイオ
ードＣｖに印加されることによる。さらに、バリキャッ
プダイオードＣｖの一端と共振線路の一端との間には、
第１のスイッチング素子ＳＷ1 が配置されている。即
ち、第１のスイッチング素子ＳＷ1 の切り換えによっ
て、バリキャップダイオードＣｖと共振線路１との間に
コンデンサＣ4 を配置するか、配置しないかが決定され
る。
ャンネル周波数に応じて変動し、また、所定周波数の補
正を行う制御電圧Ｖｔが入力される。制御電圧Ｖｔは、
ストリップラインＳＬ1 を介して、バリキャップダイオ
ードＣｖに印加されることによる。さらに、バリキャッ
プダイオードＣｖの一端と共振線路の一端との間には、
第１のスイッチング素子ＳＷ1 が配置されている。即
ち、第１のスイッチング素子ＳＷ1 の切り換えによっ
て、バリキャップダイオードＣｖと共振線路１との間に
コンデンサＣ4 を配置するか、配置しないかが決定され
る。
【００２８】また、共振線路１の一端（信号側）は、結
合コンデンサＣ1 を介して負性抵抗回路部Ｙに接続され
ている。尚、共振線路１の一端と結合コンデンサＣ1 と
の接続点とグランド電位と間に共振線路１と並列にコン
デンサＣ2 が接続されている。
合コンデンサＣ1 を介して負性抵抗回路部Ｙに接続され
ている。尚、共振線路１の一端と結合コンデンサＣ1 と
の接続点とグランド電位と間に共振線路１と並列にコン
デンサＣ2 が接続されている。
【００２９】さらに、共振線路１の他端（グランド側）
には、第２のスイッチング素子ＳＷ2 が配置されてい
る。この第２のスイッチング素子ＳＷ2 によって切り換
え、共振線路１を直接グランドに接地するか、この他端
を結合コンデンサＣ2 を介して負性抵抗回路部Ｙに接続
するかが選択できるように構成されている。尚、共振線
路１の他端と結合コンデンサＣ2 との接続点とグランド
電位と間にコンデンサＣ3 が接続されている。
には、第２のスイッチング素子ＳＷ2 が配置されてい
る。この第２のスイッチング素子ＳＷ2 によって切り換
え、共振線路１を直接グランドに接地するか、この他端
を結合コンデンサＣ2 を介して負性抵抗回路部Ｙに接続
するかが選択できるように構成されている。尚、共振線
路１の他端と結合コンデンサＣ2 との接続点とグランド
電位と間にコンデンサＣ3 が接続されている。
【００３０】そして、第１のスイッチング素子ＳＷ1 と
第２のスイッチング素子ＳＷ2 とは互いに連動するもの
であり、図中、第２のスイッチング素子ＳＷ2 のＳ2 が
接点側に接続する時には、例えば、第１のスイッチング
素子Ｓ1 のＳ1 が接点側に接続する。また、第２のスイ
ッチング素子Ｓ2 のＳ4 が接点側に接続する時には、第
１のスイッチング素子Ｓ1 のＳ3 が接点側に接続する。
第２のスイッチング素子ＳＷ2 とは互いに連動するもの
であり、図中、第２のスイッチング素子ＳＷ2 のＳ2 が
接点側に接続する時には、例えば、第１のスイッチング
素子Ｓ1 のＳ1 が接点側に接続する。また、第２のスイ
ッチング素子Ｓ2 のＳ4 が接点側に接続する時には、第
１のスイッチング素子Ｓ1 のＳ3 が接点側に接続する。
【００３１】上述の第２のスイッチング素子Ｓ2 の切り
換えによって、共振線路１の共振周波数を大きく制御で
きる。即ち、第２のスイッチング素子ＳＷ2 のＳ4 が接
続する場合には、共振線路１の他端がグラント電位に短
絡する短絡端となり、共振周波数は、共振線路１の物理
的な線路長が概略１／４λに対応した周波数となる（Ｌ
Ｃ共振等価回路のＣ成分を無視した場合）。また、第２
のスイッチング素子ＳＷ2 のＳ2 が接続する場合には、
共振線路１の他端が開放端となり、共振線路１の物理的
な線路長が概略１／２λに対応した周波数となる。従っ
て、共振線路１部分の共振周波数を考えると、第２のス
イッチング素子ＳＷ2 が接点Ｓ2 側に接続する場合の共
振周波数ｆ1 は、第２のスイッチング素子ＳＷ2 が接点
Ｓ4 側に接続する場合の共振周波数ｆ2 の２倍となる。
換えによって、共振線路１の共振周波数を大きく制御で
きる。即ち、第２のスイッチング素子ＳＷ2 のＳ4 が接
続する場合には、共振線路１の他端がグラント電位に短
絡する短絡端となり、共振周波数は、共振線路１の物理
的な線路長が概略１／４λに対応した周波数となる（Ｌ
Ｃ共振等価回路のＣ成分を無視した場合）。また、第２
のスイッチング素子ＳＷ2 のＳ2 が接続する場合には、
共振線路１の他端が開放端となり、共振線路１の物理的
な線路長が概略１／２λに対応した周波数となる。従っ
て、共振線路１部分の共振周波数を考えると、第２のス
イッチング素子ＳＷ2 が接点Ｓ2 側に接続する場合の共
振周波数ｆ1 は、第２のスイッチング素子ＳＷ2 が接点
Ｓ4 側に接続する場合の共振周波数ｆ2 の２倍となる。
【００３２】第１のスイッチング素子SW1 は、共振回路
部Ｘの等価回路部分であるＬＣ共振回路の容量成分を調
整する容量成分を制御するものである。実際には、電圧
制御型発振回路VCO から発振出力させたい周波数に応じ
て、接点Ｓ1 又は接点Ｓ3 に所定容量素子を配置してい
る。具体的には、第２のスイッチング素子ＳＷ2 と連動
する第１のスイッチング素子ＳＷ1 側に、第２のスイッ
チング素子ＳＷ2 の切り換えによって大きく変化する周
波数を調整する容量素子を接続すればよい。
部Ｘの等価回路部分であるＬＣ共振回路の容量成分を調
整する容量成分を制御するものである。実際には、電圧
制御型発振回路VCO から発振出力させたい周波数に応じ
て、接点Ｓ1 又は接点Ｓ3 に所定容量素子を配置してい
る。具体的には、第２のスイッチング素子ＳＷ2 と連動
する第１のスイッチング素子ＳＷ1 側に、第２のスイッ
チング素子ＳＷ2 の切り換えによって大きく変化する周
波数を調整する容量素子を接続すればよい。
【００３３】図では、第２のスイッチング素子SW2 の切
り換えによって、高い周波数で共振する時、容量素子Ｃ
4 を選択し、周波数を若干低くなるように制御してい
る。
り換えによって、高い周波数で共振する時、容量素子Ｃ
4 を選択し、周波数を若干低くなるように制御してい
る。
【００３４】このような電圧制御型発振回路VCO では、
上述したように第１のスイッチング素子SW1 と第２のス
イッチング素子SW2 とが連動している。具体的に、第１
のスイッチング素子SW1 、第２のスイッチング素子SW2
をスイッチングトランジスタで構成し、これらのトラン
ジスタのベースに共通的な電圧を供給するようにすれば
よい。
上述したように第１のスイッチング素子SW1 と第２のス
イッチング素子SW2 とが連動している。具体的に、第１
のスイッチング素子SW1 、第２のスイッチング素子SW2
をスイッチングトランジスタで構成し、これらのトラン
ジスタのベースに共通的な電圧を供給するようにすれば
よい。
【００３５】例えば、第１のスイッチング素子SW1 のＳ
3 が、第２のスイッチング素子SW2のＳ4 が夫々接続す
る場合には、実質的に共振線路１の物理的な長さが、１
／４λに相当し、上述のように低い周波数で共振し、等
価的なＬＣ回路の容量成分としては、〔（Ｃ4 ×Ｃｖ）
／（Ｃ4 ＋Ｃｖ）〕となる。
3 が、第２のスイッチング素子SW2のＳ4 が夫々接続す
る場合には、実質的に共振線路１の物理的な長さが、１
／４λに相当し、上述のように低い周波数で共振し、等
価的なＬＣ回路の容量成分としては、〔（Ｃ4 ×Ｃｖ）
／（Ｃ4 ＋Ｃｖ）〕となる。
【００３６】また、第１のスイッチング素子SW1 のＳ1
が、第２のスイッチング素子SW2 の接点Ｓ2 に接続する
場合には、実質的に共振線路１の物理的な長さが、１／
２λに相当し、上述のように高い周波数で共振し、等価
的なＬＣ回路の容量成分はＣｖ単独が選択されることに
なる。
が、第２のスイッチング素子SW2 の接点Ｓ2 に接続する
場合には、実質的に共振線路１の物理的な長さが、１／
２λに相当し、上述のように高い周波数で共振し、等価
的なＬＣ回路の容量成分はＣｖ単独が選択されることに
なる。
【００３７】上述のように、第２のスイッチング素子SW
2 の切り換えによって、共振周波数が実質的に約２倍の
値となり、第１のスイッチング素子SW1 の容量成分の付
加成分によって、通信バンドに相当する周波数バンドに
調整している。
2 の切り換えによって、共振周波数が実質的に約２倍の
値となり、第１のスイッチング素子SW1 の容量成分の付
加成分によって、通信バンドに相当する周波数バンドに
調整している。
【００３８】そして、制御電圧Ｖｔによって、実際の通
信チャンネルに相当する周波数に制御している。
信チャンネルに相当する周波数に制御している。
【００３９】このような共振回路部Ｘを有する電圧制御
型発振回路VCO の発振特性は、図５に示すようになる。
型発振回路VCO の発振特性は、図５に示すようになる。
【００４０】図５のように、第２のスイッチング素子SW
2 の切り換えによって、線Ａ、線Ｂの切り換えが可能と
なる。そして、線Ａ、線Ｂのｙ切片は、第１のスイッチ
ング素子SW1 の切り換えによるＬＣ回路に付加される容
量成分（図ではＣ4 ：線Ｂのみを調整）の制御によって
決定される。
2 の切り換えによって、線Ａ、線Ｂの切り換えが可能と
なる。そして、線Ａ、線Ｂのｙ切片は、第１のスイッチ
ング素子SW1 の切り換えによるＬＣ回路に付加される容
量成分（図ではＣ4 ：線Ｂのみを調整）の制御によって
決定される。
【００４１】そして、線Ａ、線Ｂの傾きは、バリキャッ
プダイオードＣｖに印加される制御電圧に比例する容量
成分によって決定される。
プダイオードＣｖに印加される制御電圧に比例する容量
成分によって決定される。
【００４２】以上のように、本発明では、共振回路部Ｘ
の一端に、該共振線路１に容量成分を付加するか否かを
選択する第１スイチッグ素子ＳＷ1 を配置し、前記共振
線路１の他端に、負性抵抗回路部に共振信号を出力する
かまたは接地するかを選択する第２スイッチング素子Ｓ
Ｗ2 を配置するとともに、第１及び第２のスイッチング
素子ＳＷ1 、ＳＷ2 を連動させて、２つの周波数帯域の
一方を発振出力されている。
の一端に、該共振線路１に容量成分を付加するか否かを
選択する第１スイチッグ素子ＳＷ1 を配置し、前記共振
線路１の他端に、負性抵抗回路部に共振信号を出力する
かまたは接地するかを選択する第２スイッチング素子Ｓ
Ｗ2 を配置するとともに、第１及び第２のスイッチング
素子ＳＷ1 、ＳＷ2 を連動させて、２つの周波数帯域の
一方を発振出力されている。
【００４３】これにより、異なる周波数帯域の発振出力
を１つの電圧制御型発振回路で発振出力させることがで
き、デュアルバンドに容易に対応できる。
を１つの電圧制御型発振回路で発振出力させることがで
き、デュアルバンドに容易に対応できる。
【００４４】しかも、異なる周波数帯域の発振出力であ
っても、共振回路部Ｘを共用でき、負性抵抗回路部や増
幅回路部の変更を行う必要がないため、非常に安価な電
圧制御型発振回路となる。
っても、共振回路部Ｘを共用でき、負性抵抗回路部や増
幅回路部の変更を行う必要がないため、非常に安価な電
圧制御型発振回路となる。
【００４５】尚、上述の実施例では、第１のスイッチン
グ素子SW1 及び第２のスイッチング素子SW2 の動作によ
り、共振線路１が１／２波長に相当する共振動作時に容
量素子Ｃ3 が付加されているが、例えば、第１のスイッ
チング素子SW1 の接点Ｓ3 側に、別容量素子を付加して
おき、第１のスイッチング素子SW1 が接点Ｓ3 側及び第
２のスイッチング素子SW2 が接点Ｓ4 側に接続された時
に、上述の別容量素子を含む所定ＬＣ共振回路を構成す
るようにしても構わない。
グ素子SW1 及び第２のスイッチング素子SW2 の動作によ
り、共振線路１が１／２波長に相当する共振動作時に容
量素子Ｃ3 が付加されているが、例えば、第１のスイッ
チング素子SW1 の接点Ｓ3 側に、別容量素子を付加して
おき、第１のスイッチング素子SW1 が接点Ｓ3 側及び第
２のスイッチング素子SW2 が接点Ｓ4 側に接続された時
に、上述の別容量素子を含む所定ＬＣ共振回路を構成す
るようにしても構わない。
【００４６】また、上述の実施例では、第１中間ミキサ
ーに供給される第１局部発振信号ｆL1を想定して説明し
ているが、送信系回路の変調回路に供給されるキャリア
信号にも適用しても構わない。また、周波数帯域（デュ
アルバンド）として、ＧＳＭ（９００ＭＨｚが中心）と
ＤＳＣ（１．８ＧＨｚが中心）を例に説明したが、ＡＭ
ＰＳ方式とＰＣＳ方式のデュアルバンドにも、ＬＣ回路
の回路定数の設定によって簡単に制御できる。
ーに供給される第１局部発振信号ｆL1を想定して説明し
ているが、送信系回路の変調回路に供給されるキャリア
信号にも適用しても構わない。また、周波数帯域（デュ
アルバンド）として、ＧＳＭ（９００ＭＨｚが中心）と
ＤＳＣ（１．８ＧＨｚが中心）を例に説明したが、ＡＭ
ＰＳ方式とＰＣＳ方式のデュアルバンドにも、ＬＣ回路
の回路定数の設定によって簡単に制御できる。
【００４７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、異なる
周波数帯域の発振出力を可能にしたデュアルバンドに容
易に対応できる電圧制御型発振回路となる。
周波数帯域の発振出力を可能にしたデュアルバンドに容
易に対応できる電圧制御型発振回路となる。
【図１】本発明の高周波通信装置の送受信周回路の概略
ブロック図である。
ブロック図である。
【図２】本発明の電圧制御型発振回路を有する送受信周
波数制御回路のブロック図である。
波数制御回路のブロック図である。
【図３】本発明の電圧制御型発振回路の一部ブロック回
路図である。
路図である。
【図４】本発明の電圧制御型発振回路の共振回路部の回
路図である。
路図である。
【図５】本発明の電圧制御型発振回路の発振出力状態を
示す特性図である。
示す特性図である。
【図６】従来のデュアルバンドに対応した高周波通信装
置の概略ブロック図である。
置の概略ブロック図である。
【図７】図６の送受信周波数制御回路のブロック回路図
である。
である。
VCO・・・電圧制御型発振回路 Ｘ・・・・共振回路部 ＳＷ1 ・・・第１スイッチング素子 ＳＷ2 ・・・第２スイッチング素子
Claims (1)
- 【請求項１】 制御電圧が印加され所定共振周波数で共
振する共振線路及び容量可変素子を有する共振回路部
と、発振トランジスタを含む負性抵抗回路部とから成
り、前記制御電圧に応じて所定周波数の発振出力を行う
電圧制御型発振回路において、 前記共振線路の一端に、該共振線路に付加する容量成分
を選択する第１スイチッグ素子を、他端に、該共振線路
の他端を負性抵抗回路部に接続するか、接地するかを選
択する第２スイッチング素子を各々配置するとともに、
第１及び第２スイッチング素子を連動させて、前記共振
回路部から負性抵抗回路部に、２つの周波数帯域の一方
を信号を出力することを特徴とする電圧制御型発振回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10117575A JPH11312925A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 電圧制御型発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10117575A JPH11312925A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 電圧制御型発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11312925A true JPH11312925A (ja) | 1999-11-09 |
Family
ID=14715224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10117575A Pending JPH11312925A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 電圧制御型発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11312925A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001052402A1 (fr) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Oscillateur commande en tension servant a produire des bandes de frequence multiples |
| KR100353857B1 (ko) * | 1999-12-02 | 2002-09-26 | 주식회사 팬택앤큐리텔 | 이동통신 단말기의 듀얼 밴드 중간주파수 전압 제어발진장치 |
-
1998
- 1998-04-27 JP JP10117575A patent/JPH11312925A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100353857B1 (ko) * | 1999-12-02 | 2002-09-26 | 주식회사 팬택앤큐리텔 | 이동통신 단말기의 듀얼 밴드 중간주파수 전압 제어발진장치 |
| WO2001052402A1 (fr) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Oscillateur commande en tension servant a produire des bandes de frequence multiples |
| US6759915B2 (en) | 2000-01-12 | 2004-07-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-band, voltage-controlled oscillator |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040121 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040413 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040610 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040706 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040906 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041005 |