JP2001237643A - 電圧制御発振器および通信装置 - Google Patents
電圧制御発振器および通信装置Info
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- JP2001237643A JP2001237643A JP2000048227A JP2000048227A JP2001237643A JP 2001237643 A JP2001237643 A JP 2001237643A JP 2000048227 A JP2000048227 A JP 2000048227A JP 2000048227 A JP2000048227 A JP 2000048227A JP 2001237643 A JP2001237643 A JP 2001237643A
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- Japan
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- variable capacitance
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- transistor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広帯域化および小型化を図るとともに、高Ｃ
／Ｎ特性の得られる電圧制御発振器およびそれを用いた
通信装置を提供する。 【解決手段】 トランジスタＱ１のコレクタをバイパス
コンデンサＣｐで高周波的に接地し、Ｑ１のエミッタと
コレクタとの間およびエミッタとベースとの間に可変容
量ダイオードＶＤ２，ＶＤ１をそれぞれ設け、コンデン
サＣ３，Ｃ４およびストリップラインＬ１による共振回
路をＱ１のベース−コレクタ間に等価的に接続する。こ
の構成により、共振回路のＱを高めて、Ｃ／Ｎ特性に優
れた電圧制御発振器を得る。
／Ｎ特性の得られる電圧制御発振器およびそれを用いた
通信装置を提供する。 【解決手段】 トランジスタＱ１のコレクタをバイパス
コンデンサＣｐで高周波的に接地し、Ｑ１のエミッタと
コレクタとの間およびエミッタとベースとの間に可変容
量ダイオードＶＤ２，ＶＤ１をそれぞれ設け、コンデン
サＣ３，Ｃ４およびストリップラインＬ１による共振回
路をＱ１のベース−コレクタ間に等価的に接続する。こ
の構成により、共振回路のＱを高めて、Ｃ／Ｎ特性に優
れた電圧制御発振器を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、高周波回路に用
いられる電圧制御発振器およびそれを備えた通信装置に
関するものである。
いられる電圧制御発振器およびそれを備えた通信装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波帯における電圧制御発
振器には、コルピッツ型発振回路またはそれを変形した
発振回路が用いられている。図５に従来の電圧制御発振
器の構成例を示す。図５において、ストリップラインＬ
１および可変容量ダイオードＶＤなどによる共振回路、
トランジスタＱ１、それに接続されている抵抗、コンデ
ンサ等によって発振段が構成されている。その発振信号
はトランジスタＱ２によるバッファ段で増幅されて、コ
ンデンサＣ７を介して出力される。この発振回路の発振
周波数は、コントロール端子に与えられる制御電圧に応
じて可変容量ダイオードＶＤの静電容量が変化すること
により変化する。
振器には、コルピッツ型発振回路またはそれを変形した
発振回路が用いられている。図５に従来の電圧制御発振
器の構成例を示す。図５において、ストリップラインＬ
１および可変容量ダイオードＶＤなどによる共振回路、
トランジスタＱ１、それに接続されている抵抗、コンデ
ンサ等によって発振段が構成されている。その発振信号
はトランジスタＱ２によるバッファ段で増幅されて、コ
ンデンサＣ７を介して出力される。この発振回路の発振
周波数は、コントロール端子に与えられる制御電圧に応
じて可変容量ダイオードＶＤの静電容量が変化すること
により変化する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなマイクロ波
帯における電圧制御発振器を通信装置に用いる場合に、
良好な通信特性を得るためには、電圧制御発振器のＣ／
Ｎ特性を高める必要がある。電圧制御発振器のＣ／Ｎ特
性は、その共振回路部分のＱが支配的であり、高Ｃ／Ｎ
化を実現するためには、等価直列抵抗の低い可変容量素
子や低損失のストリップラインが必要とされる。このこ
とが電圧制御発振器の広帯域化および小型化の妨げとな
っていた。
帯における電圧制御発振器を通信装置に用いる場合に、
良好な通信特性を得るためには、電圧制御発振器のＣ／
Ｎ特性を高める必要がある。電圧制御発振器のＣ／Ｎ特
性は、その共振回路部分のＱが支配的であり、高Ｃ／Ｎ
化を実現するためには、等価直列抵抗の低い可変容量素
子や低損失のストリップラインが必要とされる。このこ
とが電圧制御発振器の広帯域化および小型化の妨げとな
っていた。
【０００４】すなわち、制御電圧変化に対する静電容量
変化（制御電圧感度）の大きな可変容量ダイオードを用
いれば広帯域化が図れるが、可変容量ダイオードの特性
上、制御電圧感度が大きくなる程、等価直列抵抗が大き
くなる。その結果、共振回路のＱが低下し、位相雑音が
増大する。また、低損失のストリップラインを得るため
には、ライン幅を広くすることになり、その分全体に大
型化する。
変化（制御電圧感度）の大きな可変容量ダイオードを用
いれば広帯域化が図れるが、可変容量ダイオードの特性
上、制御電圧感度が大きくなる程、等価直列抵抗が大き
くなる。その結果、共振回路のＱが低下し、位相雑音が
増大する。また、低損失のストリップラインを得るため
には、ライン幅を広くすることになり、その分全体に大
型化する。
【０００５】この発明の目的は、広帯域化および小型化
を図るとともに、高Ｃ／Ｎ特性の得られる電圧制御発振
器およびそれを用いた通信装置を提供することにある。
を図るとともに、高Ｃ／Ｎ特性の得られる電圧制御発振
器およびそれを用いた通信装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の電圧制御発振
器は、発振用トランジスタのベースと接地との間に、コ
ンデンサおよびストリップラインを含む共振回路を接続
し、前記トランジスタのコレクタを高周波的に接地し、
エミッタとコレクタとの間、エミッタと接地との間、ま
たはエミッタとベースとの間に可変容量素子を設けると
ともに、該可変容量素子に対してバイアス電圧を供給す
るバイアス電圧供給回路を設けて構成する。
器は、発振用トランジスタのベースと接地との間に、コ
ンデンサおよびストリップラインを含む共振回路を接続
し、前記トランジスタのコレクタを高周波的に接地し、
エミッタとコレクタとの間、エミッタと接地との間、ま
たはエミッタとベースとの間に可変容量素子を設けると
ともに、該可変容量素子に対してバイアス電圧を供給す
るバイアス電圧供給回路を設けて構成する。
【０００７】また、この発明の電圧制御発振器は、発振
用トランジスタのベースと接地との間に、水晶振動子を
含む共振回路を接続し、前記トランジスタのコレクタを
高周波的に接地し、エミッタとコレクタとの間、エミッ
タと接地との間、またはエミッタとベースとの間に可変
容量素子を設けるとともに、該可変容量素子に対してバ
イアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路を設けて構
成する。
用トランジスタのベースと接地との間に、水晶振動子を
含む共振回路を接続し、前記トランジスタのコレクタを
高周波的に接地し、エミッタとコレクタとの間、エミッ
タと接地との間、またはエミッタとベースとの間に可変
容量素子を設けるとともに、該可変容量素子に対してバ
イアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路を設けて構
成する。
【０００８】このように共振回路部分に可変容量素子を
設けずに、コルピッツ型発振器の帰還容量の変化によっ
て発振周波数を変化させることにより、共振回路のＱを
低下させずに、高いＣ／Ｎ特性を維持する。
設けずに、コルピッツ型発振器の帰還容量の変化によっ
て発振周波数を変化させることにより、共振回路のＱを
低下させずに、高いＣ／Ｎ特性を維持する。
【０００９】この発明の通信装置は、上記の構成を備え
た電圧制御発振器を用いて、例えば局部発振回路のＰＬ
Ｌ回路を設けることなどにより構成する。
た電圧制御発振器を用いて、例えば局部発振回路のＰＬ
Ｌ回路を設けることなどにより構成する。
【００１０】
【発明の実施の形態】第１の実施形態である電圧制御発
振器の構成を図１を参照して説明する。図１において、
コンデンサＣ３，Ｃ４、可変容量ダイオードＶＤ１，Ｖ
Ｄ２、ストリップラインＬ１およびトランジスタＱ１に
より、変形コルピッツ型発振回路の主要部を構成してい
る。すなわち、トランジスタＱ１のコレクタをバイパス
コンデンサＣｐで高周波的に接地し、Ｑ１のエミッタと
コレクタとの間およびエミッタとベースとの間に可変容
量ダイオードＶＤ２，ＶＤ１をそれぞれ設け、コンデン
サＣ３，Ｃ４およびストリップラインＬ１による共振器
をＱ１のベース−コレクタ間に等価的に接続することに
よって、変形コルピッツ型発振回路を構成している。
振器の構成を図１を参照して説明する。図１において、
コンデンサＣ３，Ｃ４、可変容量ダイオードＶＤ１，Ｖ
Ｄ２、ストリップラインＬ１およびトランジスタＱ１に
より、変形コルピッツ型発振回路の主要部を構成してい
る。すなわち、トランジスタＱ１のコレクタをバイパス
コンデンサＣｐで高周波的に接地し、Ｑ１のエミッタと
コレクタとの間およびエミッタとベースとの間に可変容
量ダイオードＶＤ２，ＶＤ１をそれぞれ設け、コンデン
サＣ３，Ｃ４およびストリップラインＬ１による共振器
をＱ１のベース−コレクタ間に等価的に接続することに
よって、変形コルピッツ型発振回路を構成している。
【００１１】Ｑ１のエミッタには抵抗Ｒ４およびインダ
クタＬ４を接続して、エミッタから発振信号を出力する
ようにしている。トランジスタＱ２はバッファ段として
用い、トランジスタＱ２のコレクタにストリップライン
Ｌ３を介して電源電圧を印加して、トランジスタＱ１の
エミッタからの出力信号をコンデンサＣ６を介してトラ
ンジスタＱ２のベースに入力している。
クタＬ４を接続して、エミッタから発振信号を出力する
ようにしている。トランジスタＱ２はバッファ段として
用い、トランジスタＱ２のコレクタにストリップライン
Ｌ３を介して電源電圧を印加して、トランジスタＱ１の
エミッタからの出力信号をコンデンサＣ６を介してトラ
ンジスタＱ２のベースに入力している。
【００１２】また、Ｑ１のエミッタからコンデンサＣ５
を介して、発振信号をＰＬＬ−ＩＣのｆｉｎ端子に帰還
信号として与えている。このＰＬＬ−ＩＣは、ＤＡＴＡ
端子、ＳＴＢ端子およびＣＬＯＣＫ端子を用いて入力さ
れた分周比に応じて、ＴＣＸＯ−ＩＮ端子から入力され
る基準周波数信号またはｆｉｎ端子から入力される周波
数信号を分周し、両者の位相差を検出し、その位相誤差
に相当する信号をＤｏ端子から出力する。ループフィル
タはそれを平滑化して、可変容量ダイオードに対する制
御電圧を生成する。
を介して、発振信号をＰＬＬ−ＩＣのｆｉｎ端子に帰還
信号として与えている。このＰＬＬ−ＩＣは、ＤＡＴＡ
端子、ＳＴＢ端子およびＣＬＯＣＫ端子を用いて入力さ
れた分周比に応じて、ＴＣＸＯ−ＩＮ端子から入力され
る基準周波数信号またはｆｉｎ端子から入力される周波
数信号を分周し、両者の位相差を検出し、その位相誤差
に相当する信号をＤｏ端子から出力する。ループフィル
タはそれを平滑化して、可変容量ダイオードに対する制
御電圧を生成する。
【００１３】抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３はトランジスタＱ
１，Ｑ２のベースバイアス回路を構成している。可変容
量ダイオードＶＤ１，ＶＤ２のアノード側とカソード側
にはそれぞれ直流カット用のコンデンサを直列に接続し
ている。可変容量ダイオードＶＤ１には、抵抗Ｒ５，Ｒ
６を介して制御電圧が印加されるようにし、可変容量ダ
イオードＶＤ２には、抵抗Ｒ７，Ｒ８を介して制御電圧
が印加されるようにしている。これにより、可変容量ダ
イオードＶＤ１，ＶＤ２にはインダクタＬ２を介してル
ープフィルタからの制御電圧が印加され、その制御電圧
に応じて静電容量が変化する。
１，Ｑ２のベースバイアス回路を構成している。可変容
量ダイオードＶＤ１，ＶＤ２のアノード側とカソード側
にはそれぞれ直流カット用のコンデンサを直列に接続し
ている。可変容量ダイオードＶＤ１には、抵抗Ｒ５，Ｒ
６を介して制御電圧が印加されるようにし、可変容量ダ
イオードＶＤ２には、抵抗Ｒ７，Ｒ８を介して制御電圧
が印加されるようにしている。これにより、可変容量ダ
イオードＶＤ１，ＶＤ２にはインダクタＬ２を介してル
ープフィルタからの制御電圧が印加され、その制御電圧
に応じて静電容量が変化する。
【００１４】このように、コンデンサＣ３，Ｃ４および
ストリップラインＬ１による共振器に可変容量ダイオー
ドを設けずに、共振器の等価直列抵抗を小さくして共振
器のＱを高める。その結果、電圧制御発振器のＣ／Ｎ特
性を向上させる。
ストリップラインＬ１による共振器に可変容量ダイオー
ドを設けずに、共振器の等価直列抵抗を小さくして共振
器のＱを高める。その結果、電圧制御発振器のＣ／Ｎ特
性を向上させる。
【００１５】次に、第２の実施形態に係る電圧制御発振
器の構成を図２に示す。図１に示した回路と異なり、こ
の例ではトランジスタＱ１のエミッタ側と接地との間に
可変容量ダイオードＶＤ２およびそれに対する制御電圧
印加用の回路を構成している。すなわち、ＶＤ２の両端
に、直流カット用のコンデンサを直列に接続するととも
に、抵抗Ｒ７，Ｒ８を介して可変容量ダイオードＶＤ２
に制御電圧が印加されるようにしている。
器の構成を図２に示す。図１に示した回路と異なり、こ
の例ではトランジスタＱ１のエミッタ側と接地との間に
可変容量ダイオードＶＤ２およびそれに対する制御電圧
印加用の回路を構成している。すなわち、ＶＤ２の両端
に、直流カット用のコンデンサを直列に接続するととも
に、抵抗Ｒ７，Ｒ８を介して可変容量ダイオードＶＤ２
に制御電圧が印加されるようにしている。
【００１６】このような回路であっても、トランジスタ
Ｑ１のコレクタはバイパスコンデンサＣｐにより高周波
的に接地されているので、可変容量ダイオードＶＤ２が
Ｑ１のエミッタとコレクタ間に接続されたものと等価と
なり、コルピッツ型発振回路を構成する。
Ｑ１のコレクタはバイパスコンデンサＣｐにより高周波
的に接地されているので、可変容量ダイオードＶＤ２が
Ｑ１のエミッタとコレクタ間に接続されたものと等価と
なり、コルピッツ型発振回路を構成する。
【００１７】次に、第３の実施形態に係る電圧制御発振
器の構成を図３に示す。この例では、トランジスタＱ１
のコレクタとエミッタとの間にコンデンサＣ２を接続
し、Ｑ１のエミッタとベース間にのみ可変容量ダイオー
ドＶＤ１を設けている。
器の構成を図３に示す。この例では、トランジスタＱ１
のコレクタとエミッタとの間にコンデンサＣ２を接続
し、Ｑ１のエミッタとベース間にのみ可変容量ダイオー
ドＶＤ１を設けている。
【００１８】このように、可変容量素子は発振用トラン
ジスタＱ１のエミッタとベース間にのみ設けてもよい。
逆に、可変容量素子をＱ１のエミッタとコレクタ間にの
み等価的に設けてもよい。
ジスタＱ１のエミッタとベース間にのみ設けてもよい。
逆に、可変容量素子をＱ１のエミッタとコレクタ間にの
み等価的に設けてもよい。
【００１９】また、図３に示す例では、コンデンサＣ
３，Ｃ８および水晶振動子Ｘとによって共振回路を構成
している。このように共振回路に水晶振動子を用いる場
合にも、共振回路部分に可変容量ダイオードを設けない
ことにより、共振器のＱを高め、高Ｃ／Ｎ特性の電圧制
御発振器を得る。
３，Ｃ８および水晶振動子Ｘとによって共振回路を構成
している。このように共振回路に水晶振動子を用いる場
合にも、共振回路部分に可変容量ダイオードを設けない
ことにより、共振器のＱを高め、高Ｃ／Ｎ特性の電圧制
御発振器を得る。
【００２０】次に、第４の実施形態に係る通信装置の構
成例をブロック図として図４に示す。図４においてＶＣ
Ｏは電圧制御発振器である。ＰＬＬ−ＩＣはＰＬＬ制御
用回路であり、ＶＣＯの出力信号を入力し、温度補償水
晶発振回路ＴＣＸＯの発振信号と位相比較し、所定の周
波数および位相となるように制御信号を出力する。ＶＣ
ＯはローパスフィルタＬＰＦを介して制御電圧をコント
ロール端子で受けて、その制御電圧に応じた周波数で発
振する。この発振出力信号はミキサ回路ＭＩＸａおよび
ＭＩＸｂにそれぞれ局部発振信号として与えられる。ミ
キサ回路ＭＩＸａは送信回路Ｔｘから出力される中間周
波信号と局部発振信号とを混合して送信周波数信号に周
波数変換する。この信号は増幅回路ＡＭＰａで電力増幅
されてデュプレクサＤＰＸを介しアンテナＡＮＴから放
射される。アンテナＡＮＴからの受信信号はデュプレク
サＤＰＸを介して増幅回路ＡＭＰｂで増幅される。ミキ
サ回路ＭＩＸｂは、増幅回路ＡＭＰｂの出力信号と上記
局部発振信号とを混合して中間周波信号に変換する。受
信回路Ｒｘはこれを信号処理することにより受信信号を
得る。
成例をブロック図として図４に示す。図４においてＶＣ
Ｏは電圧制御発振器である。ＰＬＬ−ＩＣはＰＬＬ制御
用回路であり、ＶＣＯの出力信号を入力し、温度補償水
晶発振回路ＴＣＸＯの発振信号と位相比較し、所定の周
波数および位相となるように制御信号を出力する。ＶＣ
ＯはローパスフィルタＬＰＦを介して制御電圧をコント
ロール端子で受けて、その制御電圧に応じた周波数で発
振する。この発振出力信号はミキサ回路ＭＩＸａおよび
ＭＩＸｂにそれぞれ局部発振信号として与えられる。ミ
キサ回路ＭＩＸａは送信回路Ｔｘから出力される中間周
波信号と局部発振信号とを混合して送信周波数信号に周
波数変換する。この信号は増幅回路ＡＭＰａで電力増幅
されてデュプレクサＤＰＸを介しアンテナＡＮＴから放
射される。アンテナＡＮＴからの受信信号はデュプレク
サＤＰＸを介して増幅回路ＡＭＰｂで増幅される。ミキ
サ回路ＭＩＸｂは、増幅回路ＡＭＰｂの出力信号と上記
局部発振信号とを混合して中間周波信号に変換する。受
信回路Ｒｘはこれを信号処理することにより受信信号を
得る。
【００２１】上記通信装置における電圧制御発振器ＶＣ
ＯのＣ／Ｎ比は高いため、隣接チャンネル選択度特性、
相互変調歪特性および不要輻射特性といった通信装置の
重要性能項目の特性が優れた通信装置が得られる。
ＯのＣ／Ｎ比は高いため、隣接チャンネル選択度特性、
相互変調歪特性および不要輻射特性といった通信装置の
重要性能項目の特性が優れた通信装置が得られる。
【００２２】
【発明の効果】請求項１，２に記載の発明によれば、共
振回路部分に可変容量素子を設けずに、コルピッツ型発
振器の帰還容量の変化によって発振周波数を変化させる
ようにしたため、共振回路のＱが低下せず、Ｃ／Ｎ特性
の高い電圧制御発振器が得られる。
振回路部分に可変容量素子を設けずに、コルピッツ型発
振器の帰還容量の変化によって発振周波数を変化させる
ようにしたため、共振回路のＱが低下せず、Ｃ／Ｎ特性
の高い電圧制御発振器が得られる。
【００２３】請求項３に記載の発明によれば、上記Ｃ／
Ｎ特性の高い電圧制御発振器を用い、例えば局部発振回
路のＰＬＬ回路を設けることなどにより、隣接チャンネ
ル選択度、相互変調歪特性といった通信装置の重要性能
項目の特性が優れた通信装置が得られる。
Ｎ特性の高い電圧制御発振器を用い、例えば局部発振回
路のＰＬＬ回路を設けることなどにより、隣接チャンネ
ル選択度、相互変調歪特性といった通信装置の重要性能
項目の特性が優れた通信装置が得られる。
【図１】第１の実施形態に係る電圧制御発振器の回路図
【図２】第２の実施形態に係る電圧制御発振器の回路図
【図３】第３の実施形態に係る電圧制御発振器の回路図
【図４】第４の実施形態に係る通信装置の構成を示すブ
ロック図
ロック図
【図５】従来の電圧制御発振器の回路図
ＶＤ１，ＶＤ２−可変容量ダイオード ＡＮＴ−アンテナ ＤＰＸ−デュプレクサ ＶＣＯ−電圧制御発振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J079 AA04 BA12 BA44 DA13 FA02 FA13 FA14 FA21 FA28 FB25 GA02 KA05 KA08 5J081 AA03 AA11 BB01 BB06 BB10 CC30 CC42 DD03 DD20 DD26 EE02 EE03 EE09 EE18 FF02 FF11 FF12 GG05 KK02 KK09 KK22 LL01 LL05 MM01
Claims (3)
- 【請求項１】 発振用トランジスタのベースと接地との
間に、コンデンサおよびストリップラインを含む共振回
路を接続し、前記トランジスタのコレクタを高周波的に
接地し、エミッタとコレクタとの間、エミッタと接地と
の間、またはエミッタとベースとの間に可変容量素子を
設けるとともに、該可変容量素子に対してバイアス電圧
を供給するバイアス電圧供給回路を設けた電圧制御発振
器。 - 【請求項２】 発振用トランジスタのベースと接地との
間に、水晶振動子を含む共振回路を接続し、前記トラン
ジスタのコレクタを高周波的に接地し、エミッタとコレ
クタとの間、エミッタと接地との間、またはエミッタと
ベースとの間に可変容量素子を設けるとともに、該可変
容量素子に対してバイアス電圧を供給するバイアス電圧
供給回路を設けた電圧制御発振器。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の電圧制御発振
器を設けた通信装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000048227A JP2001237643A (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 電圧制御発振器および通信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000048227A JP2001237643A (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 電圧制御発振器および通信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001237643A true JP2001237643A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=18570348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000048227A Pending JP2001237643A (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 電圧制御発振器および通信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001237643A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006352423A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧制御発振器 |
| JP2007116473A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Sharp Corp | 電圧制御発振器、受信モジュール、携帯機器、１セグ放送受信機、モバイル衛星放送受信機器及び地上波デジタル受信機器 |
-
2000
- 2000-02-24 JP JP2000048227A patent/JP2001237643A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006352423A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧制御発振器 |
| JP2007116473A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Sharp Corp | 電圧制御発振器、受信モジュール、携帯機器、１セグ放送受信機、モバイル衛星放送受信機器及び地上波デジタル受信機器 |
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