JP2003174320A - 電圧制御発振器並びにこれを用いた受信装置及び送信装置 - Google Patents
電圧制御発振器並びにこれを用いた受信装置及び送信装置Info
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- JP2003174320A JP2003174320A JP2001371506A JP2001371506A JP2003174320A JP 2003174320 A JP2003174320 A JP 2003174320A JP 2001371506 A JP2001371506 A JP 2001371506A JP 2001371506 A JP2001371506 A JP 2001371506A JP 2003174320 A JP2003174320 A JP 2003174320A
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
可能である全ての構成部分を集積化した電圧制御発振器
を提供する。 【解決手段】 可変容量ダイオードD1〜D8とインダ
クタL1との双方に接続される容量C1、C2を具備す
る共振部1と、トランジスタQ1、Q2及び容量C3〜
C6を具備するマルチバイブレータ2と、を備え、可変
容量ダイオードの一部D3〜D8がヒューズ抵抗r1〜
r6を介して容量C1又はC2に接続されるとともに、
全ての構成部分を集積回路として搭載し、可変容量ダイ
オードD1〜D8を集積化した回路ブロック及びインダ
クタL1を集積化した回路ブロックそれぞれがトランジ
スタQ1及びQ2を集積化した回路ブロックよりも容量
C1〜C8を集積化した回路ブロックの近くに配置した
電圧制御発振器。
Description
発振周波数が可変する電圧制御発振器に関するものであ
る。
図5に示す。電圧制御発振器は共振部1’とマルチバイ
ブレータ部2を有する。
容量ダイオードD1及びD2と、可変容量C1’及びC
2’と、インダクタL1とから成る。可変容量ダイオー
ドD1のアノード及び可変容量C1’の一端が抵抗R1
を介して、可変容量ダイオードD2のアノード及び可変
容量C2’の一端が抵抗R2を介して、それぞれ端子3
に接続される。そして、可変容量C1’の他端と可変容
量C2’の他端とがインダクタL1を介して接続され、
可変容量ダイオードD1及びD2のカソードは接地され
る。また、可変容量ダイオードD1及びD2の容量は端
子3に印加される制御電圧Vctrによって制御される。
ンジスタQ1及びQ2と、抵抗R3〜R7と、容量C3
〜C6とから成る。可変容量C1’とインダクタL1と
の接続ノードは、端子15を介して容量C4の一端及び
容量C5の一端に接続される。また、可変容量C2’と
インダクタL1との接続ノードは、端子16を介して容
量C3の一端及び容量C6の一端に接続される。
タに、容量C4の他端はトランジスタQ2のコレクタ
に、容量C5の他端はトランジスタQ1のベースに、容
量C6の他端はトランジスタQ2のベースに、それぞれ
接続される。トランジスタQ1のコレクタは抵抗R3を
介して、トランジスタQ2のコレクタは抵抗R4を介し
て、それぞれ端子4に接続される。なお、端子4には定
電圧VCCが印加される。また、トランジスタQ1のベー
スは抵抗R5を介して端子7に接続され、トランジスタ
Q2のベースは抵抗R6を介して端子8に接続される。
なお、端子7及び8にはバイアス電圧VBIASが印加され
る。そして、トランジスタQ1のエミッタとトランジス
タQ2のエミッタとが共通接続され、その接続ノードは
抵抗R7を介して接地される。また、トランジスタQ1
のベースは抵抗R8及び容量C7を介して出力バッファ
回路17に接続され、トランジスタQ2のベースは抵抗
R9及び容量C8を介して出力バッファ回路17に接続
される。
ついて説明する。図5において、信号の流れについてト
ランジスタQ1のベースに注目すると、その出力である
トランジスタQ1のコレクタから容量C3及びC6を介
してトランジスタQ2のベースに入り、その出力である
トランジスタQ2のコレクタより容量C4及びC5を介
してトランジスタQ1のベースに信号がもどる経過は、
正帰還となり、マルチバイブレータ部2は定常発振す
る。なお、可変容量C1,及びC2,と、容量C3〜C
6と、インダクタL1と、可変容量ダイオードD1及び
D2とによって定まる発振周波数以外の成分は、交流的
に接地状態になり、出力にはあらわれないため、所望の
周波数成分の発振波形だけがマルチバイブレータ部2か
ら出力バッファ回路17に送出されることになる。
量をCva[F]、可変容量C1,及びC2,の静電容量を
Ciso[F]、インダクタL1のインダクタンスをL1[H]、
マルチバイブレータ部2の等価静電容量をCs[F]とする
と、発振周波数fは(1)式で表される。
vaは制御電圧Vctrに応じて所定範囲変化するので、発
振周波数を制御電圧Vctrによって所定の範囲変化させ
ることができる。
図るためには電圧制御発振器の全ての構成部分を集積回
路に搭載することが望ましい。ところが、電圧制御発振
器の構成部分の一つであるインダクタL1は、集積化す
るとQが低くなり、寄生容量及び寄生インダクタの影響
を受けやすくなる。その結果、移相雑音が増大して発振
が不安定になる。特に、発振周波数がマイクロ波帯域に
なると寄生容量及び寄生インダクタのリアクタンスが大
きくなるので発振が一層不安定になり、最悪の場合発振
が停止してしまう。したがって、従来の電圧制御発振器
では、通常インダクタL1を外付けにしてインダクタL
1のQを高くし、発振が不安定になることを防止してい
た。
集積回路に搭載すると、回路素子定数の製造バラツキに
よって所望範囲の発振周波数を発振できない場合が多い
ので、従来の電圧制御発振器では図5に示すように通常
外付けの可変容量C1’及びC2’によって発振周波数
範囲の中心値(以下、中心周波数という)を調整できる
ようにしていた。
定であり、かつ中心周波数の調整が可能である全ての構
成部分を集積化した電圧制御発振器を提供することを目
的とする。
に、本発明に係る電圧制御発振器においては、可変容量
素子及びインダクタによって形成された共振部と、トラ
ンジスタ及び容量を具備するマルチバイブレータと、を
備えた電圧制御発振器において、前記可変容量素子を複
数設け、導通から非導通または非導通から導通に状態が
変化するスイッチ手段を介して前記複数の可変容量素子
の一部が前記容量に接続されるとともに、全ての構成部
分を集積回路として搭載し、前記複数の可変容量素子を
集積化した回路ブロック及び前記インダクタを集積化し
た回路ブロックそれぞれが前記トランジスタを集積化し
た回路ブロックよりも前記容量を集積化した回路ブロッ
クの近くに配置するようにする。
もよい。
上記いずれかの構成の電圧制御発振器を局部発振器とし
て用いるようにする。
上記いずれかの構成の電圧制御発振器を局部発振器とし
て用いるようにする。
を参照して説明する。本発明に係る電圧制御発振器の構
成を図1に示す。なお、図1において図5と同一の部分
には同一の符号を付し説明を省略する。
ーズ抵抗r1を介して、可変容量ダイオードD5のアノ
ードがヒューズ抵抗r3を介して、可変容量ダイオード
D7のアノードがヒューズ抵抗r5を介して、それぞれ
可変容量ダイオードD1のアノードに接続される。ま
た、可変容量ダイオードD4のアノードがヒューズ抵抗
r2を介して、可変容量ダイオードD6のアノードがヒ
ューズ抵抗r4を介して、可変容量ダイオードD8のア
ノードがヒューズ抵抗r6を介して、それぞれ可変容量
ダイオードD2のアノードに接続される。そして、可変
容量ダイオードD3〜D8のカソードは接地される。
の構成部分を集積回路に搭載しており、外付け部品がな
い構成としている。
である。製造バラツキによる中心周波数のずれに応じて
必要な分だけ非導通にすることによって可変容量ダイオ
ードD1〜D8の接続状態を変える。これにより、製造
バラツキによる中心周波数のずれを調整することがで
き、全ての構成部分を集積回路に搭載する構成において
も所望範囲の発振周波数を得ることができる。
ドの合成容量を接続パターンによる変化範囲の中心値と
したときに中心周波数が1.2[GHz]になるように、可
変容量ダイオードD1〜D8の静電容量、容量C1及び
C2の静電容量、インダクタL1のインダクタンス、及
びマルチバイブレータ部2内の各回路素子定数が設定さ
れている。このときの容量C1〜C8の静電容量をC1
〜C8とし、インダクタL1のインダクタンスをLとす
る。
振器には寄生インダクタが発生し、その寄生インダクタ
が発振の安定性に影響を与える。特に、本実施形態では
中心周波数が1.2[GHz]であるため寄生インダクタの
リアクタンスは大きくなり、発振の安定性に与える影響
も大きくなる。そこで寄生インダクタを含めた本発明に
係る電圧制御発振器の構成を図2に示し、以下図2を参
照して発振の安定性について説明する。なお、図2にお
いて図1と同一の部分には同一の符号を付し説明を省略
する。
する配線が寄生インダクタLp1となり、容量C2と可
変容量ダイオードD2を接続する配線が寄生インダクタ
Lp2となる。
る配線、容量C4とインダクタL1を接続する配線、及
び容量C5とインダクタL1を接続する配線が寄生イン
ダクタLp3となり、容量C2とインダクタL1を接続
する配線、容量C3とインダクタL1を接続する配線、
及び容量C6とインダクタL1を接続する配線が寄生イ
ンダクタLp4となる。
レクタを接続する配線が寄生インダクタLp5となり、
容量C4とトランジスタQ2のコレクタを接続する配線
が寄生インダクタLp6となる。また、容量C5とトラ
ンジスタQ1のベースを接続する配線が寄生インダクタ
Lp7となり、容量C6とトランジスタQ2のベースを
接続する配線が寄生インダクタLp8となる。
の安定性に影響を与える。そこで、本発明に係る電圧制
御発振器は図3のような回路配置をとるようにする。
部分を集積回路9に搭載している。すなわち、集積回路
9は、トランジスタQ1及びQ2並びに抵抗R1〜R7
を集積化して具備するトランジスタ及び抵抗集積回路1
0と、ヒューズ抵抗r1〜r6を集積化して具備するヒ
ューズ抵抗集積回路11と、可変容量ダイオードD1〜
D8を集積化して具備する可変容量ダイオード集積回路
12と、容量C1〜C6を集積化して具備する容量集積
回路13と、インダクタL1を集積化して具備するイン
ダクタ集積回路14とを搭載している。
オード集積回路12とインダクタ集積回路14との双方
に隣接するように配置している。これにより、寄生イン
ダクタLp1〜Lp4のインダクタンスを小さくするこ
とができ、発振を安定させることができる。
吸収するように容量C1の静電容量を上述した設定値C
1より小さくし、容量C2が寄生インダクタLp2の影
響を受けにくくするように容量C2の静電量を上述した
設定値C2より小さくしてもよい。また、インダクタL
1が寄生インダクタLp3及びLp4を加味してインダ
クタL1のインダクタンスを上述した設定値Lより小さ
くしてもよい。また、容量C3が寄生インダクタLp5
を吸収するように容量C3の静電容量を上述した設定値
C3より小さくし、容量C4が寄生インダクタLp6を
吸収するように容量C4の静電容量を上述した設定値C
4より小さくし、容量C5が寄生インダクタLp7を吸
収するように容量C5の静電容量を上述した設定値C5
より小さくし、容量C6が寄生インダクタLp8を吸収
するように容量C6の静電容量を上述した設定値C6よ
り小さくしてもよい。このように容量C1〜C8の静電
容量及びインダクタL1のインダクタンスの設定を修正
することによって、さらに発振の安定性が向上する。
てヒューズ抵抗を用いたが、ヒューズ抵抗の代わりに例
えばツェナーザップダイオードやトランジスタによるス
イッチ回路等を用いてもよい。ツェナーザップダイオー
ドの初期状態は非導通であるので、製造バラツキによる
中心周波数のずれに応じて必要な分だけ導通にすること
で、中心周波数を調整することができる。同様に、スイ
ッチ回路を構成するトランジスタを、他の不揮発性メモ
リのデータに応じて制御することで、中心周波数を調整
することができる。
波信号送受信装置(例えば、携帯電話機やパソコン、A
V機器等のBluetooth応用装置)に適用した場
合について説明する。図4は本発明に係る高周波信号送
受信装置の一実施形態を示すブロック図である。
号送受信装置は、ディジタル変調された高周波信号を送
受信するアンテナ21と、アンテナ21の送受信信号を
所定周波数帯域に制限するバンドパスフィルタ22と、
アンテナ21を送受信系各々で共有するためのアンテナ
共用器23と、アンテナ共用器23に接続された受信回
路部24及び送信回路部25と、両回路部24、25で
の周波数変換処理に必要な局部発振信号を生成する局部
発振器26を有して成る。
出力信号を増幅するローノイズアンプ41と、ローノイ
ズアンプ41の出力信号と局部発振器26の局部発振信
号を混合して中間周波数信号を生成するとともに、該中
間周波数信号からイメージ波成分を除去するイメージリ
ジェクションミキサ42と、イメージリジェクションミ
キサ42の出力信号を所定周波数帯域に制限するバンド
パスフィルタ43と、バンドパスフィルタ43の出力信
号を増幅するリミッタアンプ44と、リミッタアンプ4
4の出力信号に復調処理を施す復調器45と、復調器4
5の出力信号を波形整形して内部回路(図示せず)に送
出するスライサ46を有して成る。
せず)から入力されたI信号及びQ信号に基づいて局部
発振器26の局部発振信号を直交変調するI/Q直交変
調器51と、I/Q直交変調器51の出力信号を増幅し
てアンテナ共用器23に送出する可変利得パワーアンプ
52を有して成る。
は、上記受信回路部24及び送信回路部25をいずれも
差動形式とした構成である。このような構成とすること
により、送受信信号に重畳した内部ディジタルノイズ等
を差動で打ち消すことができるので、送受信動作の精度
向上を図ることが可能となる。
て図3の回路配置である電圧制御発振器とするので、局
部発振信号が安定するとともに送受信装置の小型化・低
コスト化を図ることができる。局部発振信号が安定する
ことにより、送受信データの誤り率が低減する。
ダクタによって形成された共振部と、トランジスタ及び
容量を具備するマルチバイブレータと、を備えた電圧制
御発振器において、前記可変容量素子を複数設け、導通
から非導通または非導通から導通に状態が変化するスイ
ッチ手段を介して前記複数の可変容量素子の一部が前記
容量に接続されるとともに、全ての構成部分を集積回路
として搭載し、前記複数の可変容量素子を集積化した回
路ブロック及び前記インダクタを集積化した回路ブロッ
クそれぞれが前記トランジスタを集積化した回路ブロッ
クよりも前記容量を集積化した回路ブロックの近くに配
置するので、発振の安定性に特に影響を与える寄生イン
ダクタのインダクタンス、すなわち可変容量素子−イン
ダクタ間の寄生インダクタ並びに第1の容量及び第2の
容量−インダクタ間の寄生インダクタのインダクタンス
を小さくすることができる。これにより、安定な発振を
得ることができる。
クロ波帯域にした場合、寄生インダクタのリアクタンス
が大きくなるので、上記効果がより顕著になる。
て、発振が安定であり、かつ中心周波数の調整が可能で
ある全ての構成部分を集積化した電圧制御発振器を局部
発振器に用いるので、局部発振信号が安定するとともに
受信装置の小型化・低コスト化を図ることができる。局
部発振信号が安定することにより、受信信号のS/Nあ
るいは誤り率特性が良好になる。
て、発振が安定であり、かつ中心周波数の調整が可能で
ある全ての構成部分を集積化した電圧制御発振器を局部
発振器に用いるので、局部発振信号が安定するとともに
送信装置の小型化・低コスト化を図ることができる。局
部発振信号が安定することにより、送信信号のS/Nあ
るいは誤り率特性が良好になる。
す図である。
ダクタを含めた構成を示す図である。
を示す図である。
である。
ある。
Claims (4)
- 【請求項1】可変容量素子及びインダクタによって形成
された共振部と、トランジスタ及び容量を具備するマル
チバイブレータと、を備えた電圧制御発振器において、
前記可変容量素子を複数設け、導通から非導通または非
導通から導通に状態が変化するスイッチ手段を介して前
記複数の可変容量素子の一部が前記容量に接続されると
ともに、全ての構成部分を集積回路として搭載し、前記
複数の可変容量素子を集積化した回路ブロック及び前記
インダクタを集積化した回路ブロックそれぞれが前記ト
ランジスタを集積化した回路ブロックよりも前記容量を
集積化した回路ブロックの近くに配置することを特徴と
する電圧制御発振器。 - 【請求項2】発振周波数がマイクロ波帯域である請求項
1の電圧制御発振器 - 【請求項3】請求項1又は請求項2に記載の電圧制御発
振器を局部発振器として用いる受信装置。 - 【請求項4】請求項1又は請求項2に記載の電圧制御発
振器を局部発振器として用いる送信装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001371506A JP2003174320A (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | 電圧制御発振器並びにこれを用いた受信装置及び送信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001371506A JP2003174320A (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | 電圧制御発振器並びにこれを用いた受信装置及び送信装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003174320A true JP2003174320A (ja) | 2003-06-20 |
Family
ID=19180536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001371506A Pending JP2003174320A (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | 電圧制御発振器並びにこれを用いた受信装置及び送信装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003174320A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7170358B2 (en) | 2004-06-15 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Voltage controlled oscillator, and PLL circuit and wireless communication apparatus using the same |
JP2016181941A (ja) * | 2016-07-19 | 2016-10-13 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 発振回路 |
US10629755B1 (en) | 2018-12-08 | 2020-04-21 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Staggered-bias varactor |
CN111918031A (zh) * | 2020-07-22 | 2020-11-10 | 南京科沃云计算信息技术有限公司 | 一种基于5g传输技术的病虫害图像处理系统及其方法 |
-
2001
- 2001-12-05 JP JP2001371506A patent/JP2003174320A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US10629755B1 (en) | 2018-12-08 | 2020-04-21 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Staggered-bias varactor |
WO2020113922A1 (en) * | 2018-12-08 | 2020-06-11 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Staggered-bias varactor |
CN111918031A (zh) * | 2020-07-22 | 2020-11-10 | 南京科沃云计算信息技术有限公司 | 一种基于5g传输技术的病虫害图像处理系统及其方法 |
CN111918031B (zh) * | 2020-07-22 | 2022-07-01 | 南京科沃云计算信息技术有限公司 | 一种基于5g传输技术的病虫害图像处理系统及其方法 |
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