JP2003198250A - 発振回路およびこれを用いた電子機器 - Google Patents
発振回路およびこれを用いた電子機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広い温度範囲、特に高温域での温度特性を改
善した発振回路を得る。 【解決手段】 発振回路において、増幅器と、所定の共
振周波数を有するＳＡＷ共振子と、入力信号の位相を所
定量ずらした出力信号として出力する移相回路と、イン
ダクタンス素子と容量素子から成るタンク回路と、によ
って正帰還発振ループを構成し、タンク回路と並列に負
の温度特性を有するＮＴＣサーミスタを接続する。ま
た、発振回路において、タンク回路の容量素子に、ＳＡ
Ｗ共振子の二次周波数温度特性を補正する容量温度特性
を有する容量素子を用いる。
善した発振回路を得る。 【解決手段】 発振回路において、増幅器と、所定の共
振周波数を有するＳＡＷ共振子と、入力信号の位相を所
定量ずらした出力信号として出力する移相回路と、イン
ダクタンス素子と容量素子から成るタンク回路と、によ
って正帰還発振ループを構成し、タンク回路と並列に負
の温度特性を有するＮＴＣサーミスタを接続する。ま
た、発振回路において、タンク回路の容量素子に、ＳＡ
Ｗ共振子の二次周波数温度特性を補正する容量温度特性
を有する容量素子を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発振回路およびこ
れを用いた電子機器に関し、特にＳＡＷ共振子の発振周
波数の温度特性を補正した発振回路および電子機器に関
する。
れを用いた電子機器に関し、特にＳＡＷ共振子の発振周
波数の温度特性を補正した発振回路および電子機器に関
する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話などの通信機器においては、発
振器の出力信号に基づいて通信データの送受信が行われ
る。このため、通信速度の高速化の要請から、発振器に
は、高周波帯域で安定して発振すること（周波数安定
度が高いこと）、通信機器の実用温度範囲において安
定して発振すること（温度補償されていること）が望ま
れている。
振器の出力信号に基づいて通信データの送受信が行われ
る。このため、通信速度の高速化の要請から、発振器に
は、高周波帯域で安定して発振すること（周波数安定
度が高いこと）、通信機器の実用温度範囲において安
定して発振すること（温度補償されていること）が望ま
れている。
【０００３】発振器の高周波発振のためのデバイスとし
て、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａ
ｖｅ）共振子が注目されている。ＳＡＷ共振子は、弾性
体の表面付近にエネルギーが集中して伝播する性質を利
用した共振子である。具体的には、ＳＡＷ共振子は、圧
電基板上にすだれ状の電極が配置され、各電極で励振さ
れた表面波を反射させて定在波を発生することによっ
て、共振子として機能する。
て、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａ
ｖｅ）共振子が注目されている。ＳＡＷ共振子は、弾性
体の表面付近にエネルギーが集中して伝播する性質を利
用した共振子である。具体的には、ＳＡＷ共振子は、圧
電基板上にすだれ状の電極が配置され、各電極で励振さ
れた表面波を反射させて定在波を発生することによっ
て、共振子として機能する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このＳＡＷ共振子を用
いて高周波を発振する発振器には様々な問題がある。図
１７は、従来の電圧制御型ＳＡＷ発振回路（Ｖｏｌｔａ
ｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ＳＡＷ Ｏｓｃｉｌｌａ
ｔｏｒ：ＶＣＳＯ）の回路図であり、図１８は、このＶ
ＣＳＯに出力バッファを加えた構成を示すブロック図で
ある。このＶＣＳＯは、バリキャップダイオードＣｖに
印加する制御電圧Ｖｃを可変制御することによって、リ
アクタンスを可変させて発振ループの位相条件を変化さ
せ、これにより、所望の発振周波数Ｆを得ることができ
るようにした回路である。
いて高周波を発振する発振器には様々な問題がある。図
１７は、従来の電圧制御型ＳＡＷ発振回路（Ｖｏｌｔａ
ｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ＳＡＷ Ｏｓｃｉｌｌａ
ｔｏｒ：ＶＣＳＯ）の回路図であり、図１８は、このＶ
ＣＳＯに出力バッファを加えた構成を示すブロック図で
ある。このＶＣＳＯは、バリキャップダイオードＣｖに
印加する制御電圧Ｖｃを可変制御することによって、リ
アクタンスを可変させて発振ループの位相条件を変化さ
せ、これにより、所望の発振周波数Ｆを得ることができ
るようにした回路である。
【０００５】しかしながら、ＶＣＳＯは、バリキャッ
プダイオード容量の温度特性、特に、低逆電圧(容量値
大)において変動が大きいことや、能動素子の温度−
位相特性や、コイル，キャパシタ等受動部リアクタン
ス値の温度特性の影響から、温度によってＶＣＳＯの発
振周波数だけでなく、制御電圧Ｖｃ−発振周波数Ｆの特
性が大きく変わってしまうという問題があった。
プダイオード容量の温度特性、特に、低逆電圧(容量値
大)において変動が大きいことや、能動素子の温度−
位相特性や、コイル，キャパシタ等受動部リアクタン
ス値の温度特性の影響から、温度によってＶＣＳＯの発
振周波数だけでなく、制御電圧Ｖｃ−発振周波数Ｆの特
性が大きく変わってしまうという問題があった。
【０００６】詳しく説明すると、図１９にＶＣＳＯの発
振周波数Ｆの温度特性を示すように、高温（例えば８５
℃）になると発振周波数Ｆが大きく変化しまう場合があ
った。さらに、図２０にＶＣＳＯの制御電圧Ｖｃ−発振
周波数Ｆの特性を示すように、特に、高温と低温の場合
とで、制御電圧Ｖｃ−発振周波数Ｆの特性の変化が著し
かった。このことは高温域での制御電圧Ｖｃの制御が、
他の温度域での制御の場合と大きく異なるため、制御が
煩雑になるという問題を生じさせていた。
振周波数Ｆの温度特性を示すように、高温（例えば８５
℃）になると発振周波数Ｆが大きく変化しまう場合があ
った。さらに、図２０にＶＣＳＯの制御電圧Ｖｃ−発振
周波数Ｆの特性を示すように、特に、高温と低温の場合
とで、制御電圧Ｖｃ−発振周波数Ｆの特性の変化が著し
かった。このことは高温域での制御電圧Ｖｃの制御が、
他の温度域での制御の場合と大きく異なるため、制御が
煩雑になるという問題を生じさせていた。
【０００７】また、ＶＣＳＯは、図２１に示すように、
ＳＡＷ共振子の直列共振周波数Ｆr付近を境にして、発
振周波数Ｆが高い領域、即ち、制御電圧Ｖｃが大きいと
きは周波数変化の感度は小さく、発振周波数Ｆが低い領
域、即ち、制御電圧Ｖｃが小さいときは周波数変化の感
度は大きい、という特性になっていた。特に、この特性
は、伸長コイルを使用してリアクタンス変化量に対する
周波数可変感度を拡大した場合に顕著である。このた
め、発振周波数Ｆが高い場合と低い場合とでは制御電圧
Ｖｃの可変量が大きく異なり、このことも制御が煩雑に
なるという問題を生じさせていた。
ＳＡＷ共振子の直列共振周波数Ｆr付近を境にして、発
振周波数Ｆが高い領域、即ち、制御電圧Ｖｃが大きいと
きは周波数変化の感度は小さく、発振周波数Ｆが低い領
域、即ち、制御電圧Ｖｃが小さいときは周波数変化の感
度は大きい、という特性になっていた。特に、この特性
は、伸長コイルを使用してリアクタンス変化量に対する
周波数可変感度を拡大した場合に顕著である。このた
め、発振周波数Ｆが高い場合と低い場合とでは制御電圧
Ｖｃの可変量が大きく異なり、このことも制御が煩雑に
なるという問題を生じさせていた。
【０００８】また、このように、従来のＶＣＳＯは、制
御電圧Ｖｃ−発振周波数Ｆの特性がある温度範囲で大き
く変わってしまうため、このＶＣＳＯを、光ネットワー
ク通信機器の周波数を同期させるＰＬＬ回路の一部を形
成し基準クロック源として用いる場合、上記ＰＬＬ回路
を設計する上で、全温度域で適切なループ帯域に設計で
きないという問題があった。
御電圧Ｖｃ−発振周波数Ｆの特性がある温度範囲で大き
く変わってしまうため、このＶＣＳＯを、光ネットワー
ク通信機器の周波数を同期させるＰＬＬ回路の一部を形
成し基準クロック源として用いる場合、上記ＰＬＬ回路
を設計する上で、全温度域で適切なループ帯域に設計で
きないという問題があった。
【０００９】さらに、従来、ＳＡＷ共振子を用いた発振
回路には、図２２に示すように、抵抗１０１〜１０４、
サーミスタなどの感熱抵抗体１０５、１０６から構成さ
れる温度補償回路１０７を備え、温度補償回路１０７が
周囲温度に応じてバリキャップダイオード１０９に印加
する制御電圧を変化させ、発振周波数をほぼ一定に維持
する温度補償型ＳＡＷ発振回路（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ
ｅ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ ＳＡＷ Ｏｓｃｉｌｌａ
ｔｏｒ：ＴＣＳＯ）１００がある。しかしながら、この
ＴＣＳＯ１００は、温度補償回路を有するため、回路規
模が大きく、小型化が困難な問題があった。なお、図２
２に示すＴＣＳＯ１００の温度補償回路１０７以外の構
成は、ＳＡＷ共振子１１０、コンデンサ１０８、１１
１、１１２、１１８、抵抗１１３、１１４、１１６、ト
ランジスタ１１５、ツェナダイオード１１７である。
回路には、図２２に示すように、抵抗１０１〜１０４、
サーミスタなどの感熱抵抗体１０５、１０６から構成さ
れる温度補償回路１０７を備え、温度補償回路１０７が
周囲温度に応じてバリキャップダイオード１０９に印加
する制御電圧を変化させ、発振周波数をほぼ一定に維持
する温度補償型ＳＡＷ発振回路（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ
ｅ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ ＳＡＷ Ｏｓｃｉｌｌａ
ｔｏｒ：ＴＣＳＯ）１００がある。しかしながら、この
ＴＣＳＯ１００は、温度補償回路を有するため、回路規
模が大きく、小型化が困難な問題があった。なお、図２
２に示すＴＣＳＯ１００の温度補償回路１０７以外の構
成は、ＳＡＷ共振子１１０、コンデンサ１０８、１１
１、１１２、１１８、抵抗１１３、１１４、１１６、ト
ランジスタ１１５、ツェナダイオード１１７である。
【００１０】一方、温度補償回路１０７を用いて温度補
償する方法の他に、ＳＡＷ共振子の負荷容量として所定
の容量温度特性を有する容量素子（コンデンサ）を用い
ることによって、ＳＡＷ共振子の周波数温度特性を補正
する方法がある。以下、容量温度特性を有する容量素子
を用いてＳＡＷ共振子の周波数温度特性を補正する方法
を説明する。
償する方法の他に、ＳＡＷ共振子の負荷容量として所定
の容量温度特性を有する容量素子（コンデンサ）を用い
ることによって、ＳＡＷ共振子の周波数温度特性を補正
する方法がある。以下、容量温度特性を有する容量素子
を用いてＳＡＷ共振子の周波数温度特性を補正する方法
を説明する。
【００１１】図２３はＳＡＷ共振子の発振周波数の温度
特性を示す図である。この図に示すように、ＳＡＷ共振
子の発振周波数の温度特性は、負の二次曲線でほぼ表す
ことができ、ある温度Ｔ０（以下、「周波数頂点温度Ｔ
０」という。）で発振周波数が最も高くなり、それより
温度が変わると発振周波数が低くなる特性を有してい
る。一方、ＳＡＷ共振子の発振周波数と負荷容量との間
には反比例の関係があり、負荷容量が減少すれば発振周
波数が上昇することとなる。
特性を示す図である。この図に示すように、ＳＡＷ共振
子の発振周波数の温度特性は、負の二次曲線でほぼ表す
ことができ、ある温度Ｔ０（以下、「周波数頂点温度Ｔ
０」という。）で発振周波数が最も高くなり、それより
温度が変わると発振周波数が低くなる特性を有してい
る。一方、ＳＡＷ共振子の発振周波数と負荷容量との間
には反比例の関係があり、負荷容量が減少すれば発振周
波数が上昇することとなる。
【００１２】このＳＡＷ共振子の場合、容量温度特性を
有する容量素子は、図２４に示すように、周波数頂点温
度Ｔ０の時に最大容量となる容量温度特性を有する容量
素子を使用する。これによって、図２５に示すように、
ＳＡＷ共振子の発振周波数の温度特性が周波数頂点温度
Ｔ０を中心とする狭い温度範囲ではあるが、かかる温度
範囲で発振周波数をほぼ一定周波数に補正することが可
能である。
有する容量素子は、図２４に示すように、周波数頂点温
度Ｔ０の時に最大容量となる容量温度特性を有する容量
素子を使用する。これによって、図２５に示すように、
ＳＡＷ共振子の発振周波数の温度特性が周波数頂点温度
Ｔ０を中心とする狭い温度範囲ではあるが、かかる温度
範囲で発振周波数をほぼ一定周波数に補正することが可
能である。
【００１３】しかしながら、この方法は、周波数頂点温
度Ｔ０を中心とする狭い温度範囲でしか周波数を一定に
維持できないため、周波数頂点温度Ｔ０から離れた高温
および低温の温度では周波数が大きく変わってしまうと
いう問題があった。
度Ｔ０を中心とする狭い温度範囲でしか周波数を一定に
維持できないため、周波数頂点温度Ｔ０から離れた高温
および低温の温度では周波数が大きく変わってしまうと
いう問題があった。
【００１４】本発明は、上述された従来技術に介在する
問題を解決するためになされたものであり、広い温度範
囲、特に高温域での温度特性を改善した発振回路、この
発振回路を用いた電子機器を提供することを目的として
いる。
問題を解決するためになされたものであり、広い温度範
囲、特に高温域での温度特性を改善した発振回路、この
発振回路を用いた電子機器を提供することを目的として
いる。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、増幅器と、所定の共振周波数を有するＳ
ＡＷ共振子と、入力信号の位相を所定量ずらした出力信
号として出力する移相回路と、インダクタンス素子と容
量素子から成るタンク回路と、によって正帰還発振ルー
プを構成し、前記タンク回路と並列に負の温度特性を有
するＮＴＣサーミスタを接続したことを特徴とする発振
回路を提供する。
め、本発明は、増幅器と、所定の共振周波数を有するＳ
ＡＷ共振子と、入力信号の位相を所定量ずらした出力信
号として出力する移相回路と、インダクタンス素子と容
量素子から成るタンク回路と、によって正帰還発振ルー
プを構成し、前記タンク回路と並列に負の温度特性を有
するＮＴＣサーミスタを接続したことを特徴とする発振
回路を提供する。
【００１６】上記構成によれば、ＮＴＣサーミスタがタ
ンク回路の高温域での位相補正量を大きくするように作
用するので、帰還型のＶＣＳＯの周波数の温度特性が改
善され、周囲の環境が高温になったとしても、周波数の
安定した発振回路が得られるという効果を有する。
ンク回路の高温域での位相補正量を大きくするように作
用するので、帰還型のＶＣＳＯの周波数の温度特性が改
善され、周囲の環境が高温になったとしても、周波数の
安定した発振回路が得られるという効果を有する。
【００１７】上記構成において、増幅器は、反転入力端
子及び非反転入力端子を有し、前記反転入力端子及び前
記非反転入力端子のうちいずれか一方にバイアス電圧が
入力され、他方が前記正帰還発振ループの入力端として
機能する差動増幅器であってもよい。
子及び非反転入力端子を有し、前記反転入力端子及び前
記非反転入力端子のうちいずれか一方にバイアス電圧が
入力され、他方が前記正帰還発振ループの入力端として
機能する差動増幅器であってもよい。
【００１８】また、上記構成において、タンク回路は、
差動増幅器の反転及び非反転入力端子の間に接続される
ことを特徴とする。
差動増幅器の反転及び非反転入力端子の間に接続される
ことを特徴とする。
【００１９】また、本発明は、増幅器と、二次周波数温
度特性を有する振動子と、前記振動子を発振させる帰還
増幅回路と、所望の周波数近傍において周波数選択性を
持たせたタンク回路とを有する発振回路において、タン
ク回路を構成する容量素子のいずれか１つ以上の容量素
子は、振動子の二次周波数温度特性を補正する容量温度
特性を有することを特徴とする発振回路を提供する。
度特性を有する振動子と、前記振動子を発振させる帰還
増幅回路と、所望の周波数近傍において周波数選択性を
持たせたタンク回路とを有する発振回路において、タン
ク回路を構成する容量素子のいずれか１つ以上の容量素
子は、振動子の二次周波数温度特性を補正する容量温度
特性を有することを特徴とする発振回路を提供する。
【００２０】上記構成によれば、タンク回路を構成する
容量素子の容量変化が与える振動子の周波数変化量は、
他の容量素子の容量変化が与える振動子の周波数変化量
に比して格段に大きいので、タンク回路を構成する容量
素子が振動子の二次周波数温度特性を補正する容量温度
特性を有することによって、振動子の二次周波数温度特
性を広い温度範囲で補正することができる。
容量素子の容量変化が与える振動子の周波数変化量は、
他の容量素子の容量変化が与える振動子の周波数変化量
に比して格段に大きいので、タンク回路を構成する容量
素子が振動子の二次周波数温度特性を補正する容量温度
特性を有することによって、振動子の二次周波数温度特
性を広い温度範囲で補正することができる。
【００２１】上記構成において、タンク回路を構成する
容量素子のいずれか１つ以上の容量素子は、前記振動子
の最大発振周波数が得られる温度近傍で最大容量となる
容量温度特性を有することを特徴とする。これにより、
高温もしくは低温の温度域において、温度補償が過補償
もしくは補償不足になる場合を回避でき、最大の温度補
償効果を得ることができる。
容量素子のいずれか１つ以上の容量素子は、前記振動子
の最大発振周波数が得られる温度近傍で最大容量となる
容量温度特性を有することを特徴とする。これにより、
高温もしくは低温の温度域において、温度補償が過補償
もしくは補償不足になる場合を回避でき、最大の温度補
償効果を得ることができる。
【００２２】また、上記構成において、発振回路は、さ
らに、当該発振回路の位相条件を満足させるために、正
帰還発振ループに流れる基準信号の位相を所定量変化さ
せて出力する移相回路を有するようにしてもよい。これ
により、簡易に発振回路の位相条件を満足させることが
できる。
らに、当該発振回路の位相条件を満足させるために、正
帰還発振ループに流れる基準信号の位相を所定量変化さ
せて出力する移相回路を有するようにしてもよい。これ
により、簡易に発振回路の位相条件を満足させることが
できる。
【００２３】また、上記構成において、移相回路は、外
部信号により移相量を調節することができる構成として
もよい。これにより、外部信号（例えば制御電圧Ｖｃ）
によって、上記発振回路の発振周波数を任意に微調整す
ることが可能となる。
部信号により移相量を調節することができる構成として
もよい。これにより、外部信号（例えば制御電圧Ｖｃ）
によって、上記発振回路の発振周波数を任意に微調整す
ることが可能となる。
【００２４】また、上記構成において、増幅器は、ＥＣ
Ｌラインレシーバを用いた差動増幅器であることが高速
動作および消費電力低減の点から好ましい。
Ｌラインレシーバを用いた差動増幅器であることが高速
動作および消費電力低減の点から好ましい。
【００２５】また、これら発振回路を使用することによ
り、周囲温度に影響されず、特に、高温域において使用
可能な電子機器、例えば、安定して光ネットワークを介
したデータ授受を行うことができる光インターフェース
モジュールを提供することができる。
り、周囲温度に影響されず、特に、高温域において使用
可能な電子機器、例えば、安定して光ネットワークを介
したデータ授受を行うことができる光インターフェース
モジュールを提供することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、適宜図面を参照しながら本
発明の実施形態について説明する。
発明の実施形態について説明する。
【００２７】（１） 第１実施形態
本発明の第１実施形態に係る発振回路１Ａは、従来のＶ
ＣＳＯにタンク回路を接続することによって構成され
る。図１は、この発振回路１Ａの具体的な構成の一例を
示すブロック図である。発振回路１Ａは、増幅器１１、
１２と、後述する発振ループ内における移相量を調整す
る移相回路１３Ａと、ＳＡＷ共振子１４と、タンク回路
１５とから構成される。そして、増幅器１１、移相回路
１３Ａ、ＳＡＷ共振子１４およびタンク回路１５により
正帰還発振ループが形成されている。
ＣＳＯにタンク回路を接続することによって構成され
る。図１は、この発振回路１Ａの具体的な構成の一例を
示すブロック図である。発振回路１Ａは、増幅器１１、
１２と、後述する発振ループ内における移相量を調整す
る移相回路１３Ａと、ＳＡＷ共振子１４と、タンク回路
１５とから構成される。そして、増幅器１１、移相回路
１３Ａ、ＳＡＷ共振子１４およびタンク回路１５により
正帰還発振ループが形成されている。
【００２８】タンク回路１５は、共振回路構成を採るこ
とによって、所望の周波数に選択的に利得を与えるもの
である。すなわち、タンク回路１５は、ＳＡＷ共振子１
４による基準発振信号から周波数ｆ０を有する信号ＳＱ
を選択して増幅器１１に供給する。
とによって、所望の周波数に選択的に利得を与えるもの
である。すなわち、タンク回路１５は、ＳＡＷ共振子１
４による基準発振信号から周波数ｆ０を有する信号ＳＱ
を選択して増幅器１１に供給する。
【００２９】移相回路１３Ａは、発振回路１Ａの位相条
件を満足させるための位相調整を行うもので、入力した
制御電圧Ｖｃに応じて出力信号ＳＱの位相の移相量を調
整する。
件を満足させるための位相調整を行うもので、入力した
制御電圧Ｖｃに応じて出力信号ＳＱの位相の移相量を調
整する。
【００３０】増幅器１１および１２は、入力した出力信
号ＳＱを所定レベルに増幅して出力する。ここで、増幅
器１１は、発振を持続するために正帰還発振ループの利
得が１以上になるように利得が設定される。また、増幅
器１２は、正帰還発振ループおよび出力間の影響を低減
するために設けられたものであり、省略することも可能
である。
号ＳＱを所定レベルに増幅して出力する。ここで、増幅
器１１は、発振を持続するために正帰還発振ループの利
得が１以上になるように利得が設定される。また、増幅
器１２は、正帰還発振ループおよび出力間の影響を低減
するために設けられたものであり、省略することも可能
である。
【００３１】ここで、本実施形態のタンク回路１５は、
容量素子Ｃｄと、インダクタンス素子Ｌｄと、ＮＴＣ
（Negative Temperature Coefficient）サーミスタＲＴ
とを並列接続した構成を採り、一端が正帰還発振ループ
に接続され、他端が接地される。以下、このタンク回路
１５について説明する。
容量素子Ｃｄと、インダクタンス素子Ｌｄと、ＮＴＣ
（Negative Temperature Coefficient）サーミスタＲＴ
とを並列接続した構成を採り、一端が正帰還発振ループ
に接続され、他端が接地される。以下、このタンク回路
１５について説明する。
【００３２】ＮＴＣサーミスタＲＴは、図２にその抵抗
値Ｒの温度特性を示すように、温度が高いほど抵抗値が
低くなる負の温度特性を有している。なお、この図にお
いて、縦軸（抵抗値Ｒ）はＬＯＧスケールである。
値Ｒの温度特性を示すように、温度が高いほど抵抗値が
低くなる負の温度特性を有している。なお、この図にお
いて、縦軸（抵抗値Ｒ）はＬＯＧスケールである。
【００３３】図３は、このタンク回路１５のＮＴＣサー
ミスタＲＴの抵抗値Ｒを変化させた場合の各々の周波数
−伝達位相特性を示す図である。同図に矢印にて示すよ
うに、周波数−伝達位相特性は、抵抗値Ｒが小さいほ
ど、このタンク回路１５の共振周波数ＦＡを中心に左回
りに回転したような特性に変化する。言い換えれば、抵
抗値Ｒが小さいほど、周波数−伝達位相特性は平坦な特
性に近づき、周波数変化に対する位相伝達量の変化が小
さくなる。
ミスタＲＴの抵抗値Ｒを変化させた場合の各々の周波数
−伝達位相特性を示す図である。同図に矢印にて示すよ
うに、周波数−伝達位相特性は、抵抗値Ｒが小さいほ
ど、このタンク回路１５の共振周波数ＦＡを中心に左回
りに回転したような特性に変化する。言い換えれば、抵
抗値Ｒが小さいほど、周波数−伝達位相特性は平坦な特
性に近づき、周波数変化に対する位相伝達量の変化が小
さくなる。
【００３４】また、図４は、このタンク回路１５の共振
周波数ＦＡより高い任意の周波数Ｆ１（図３参照）での
温度−伝達位相特性を示す図である。図４に示すよう
に、タンク回路１５は、温度が低い場合は温度変化によ
る伝達位相の変化量は小さいのに対し、温度が高い場合
は温度変化による伝達位相の変化量が大きくなる。すな
わち、このタンク回路１５は、周波数が高い領域、具体
的には、共振周波数ＦＡより周波数が高い領域では、温
度が低い場合に比して、温度が高い場合の伝達位相の変
化量が大きい、という特性を有することとなる。
周波数ＦＡより高い任意の周波数Ｆ１（図３参照）での
温度−伝達位相特性を示す図である。図４に示すよう
に、タンク回路１５は、温度が低い場合は温度変化によ
る伝達位相の変化量は小さいのに対し、温度が高い場合
は温度変化による伝達位相の変化量が大きくなる。すな
わち、このタンク回路１５は、周波数が高い領域、具体
的には、共振周波数ＦＡより周波数が高い領域では、温
度が低い場合に比して、温度が高い場合の伝達位相の変
化量が大きい、という特性を有することとなる。
【００３５】このため、図２１に示したように、従来の
ＶＣＳＯでは、発振周波数Ｆが高い領域、即ち、制御電
圧Ｖｃが大きいときは周波数変化の感度は小さく、発振
周波数Ｆが低い領域、即ち、制御電圧Ｖｃが小さいとき
は周波数変化の感度は大きくなっていたのに対し、本実
施形態に係る発振回路１Ａは、タンク回路１５によって
周波数が高い領域での伝達位相の変化量を大きくするこ
とができるため、発振周波数Ｆが高い場合でも周波数変
化の感度を大きくすることができる。
ＶＣＳＯでは、発振周波数Ｆが高い領域、即ち、制御電
圧Ｖｃが大きいときは周波数変化の感度は小さく、発振
周波数Ｆが低い領域、即ち、制御電圧Ｖｃが小さいとき
は周波数変化の感度は大きくなっていたのに対し、本実
施形態に係る発振回路１Ａは、タンク回路１５によって
周波数が高い領域での伝達位相の変化量を大きくするこ
とができるため、発振周波数Ｆが高い場合でも周波数変
化の感度を大きくすることができる。
【００３６】したがって、図５に発振回路１Ａの制御電
圧Ｖｃ−発振周波数Ｆの特性を示すように、発振回路１
Ａは、温度が高くても制御電圧Ｖｃに対する周波数変化
の感度を他の温度域の場合とほぼ同じにすることができ
る。また、上述したように、温度と制御電圧Ｖｃとが一
定の場合には、ＮＴＣサーミスタＲＴの抵抗値Ｒを小さ
くするほど、周波数変化に対する位相伝達量の変化を小
さくできるため（図３参照）、図６に発振回路１Ａの発
振周波数Ｆの温度特性を示すように、広い温度範囲で発
振周波数Ｆの温度変化を低減することができる。特に、
図１９に示した従来の温度特性と比較して、高温域での
温度変化を大幅に低減することが可能となる。
圧Ｖｃ−発振周波数Ｆの特性を示すように、発振回路１
Ａは、温度が高くても制御電圧Ｖｃに対する周波数変化
の感度を他の温度域の場合とほぼ同じにすることができ
る。また、上述したように、温度と制御電圧Ｖｃとが一
定の場合には、ＮＴＣサーミスタＲＴの抵抗値Ｒを小さ
くするほど、周波数変化に対する位相伝達量の変化を小
さくできるため（図３参照）、図６に発振回路１Ａの発
振周波数Ｆの温度特性を示すように、広い温度範囲で発
振周波数Ｆの温度変化を低減することができる。特に、
図１９に示した従来の温度特性と比較して、高温域での
温度変化を大幅に低減することが可能となる。
【００３７】以上の記述から明らかなように、本実施形
態に係る発振回路１Ａによれば、ＮＴＣサーミスタＲＴ
を並列接続したタンク回路１５を用いたことによって、
広い温度範囲、特に高温域での制御電圧Ｖｃ−発振周波
数Ｆの特性を改善でき、かつ、発振周波数Ｆの温度変化
を低減することができる。
態に係る発振回路１Ａによれば、ＮＴＣサーミスタＲＴ
を並列接続したタンク回路１５を用いたことによって、
広い温度範囲、特に高温域での制御電圧Ｖｃ−発振周波
数Ｆの特性を改善でき、かつ、発振周波数Ｆの温度変化
を低減することができる。
【００３８】なお、この発振回路１Ａの正帰還発振ルー
プの位相調整は、タンク回路１５の容量素子Ｃｄのキャ
パシタの電極をレーザートリミング等によって容量値を
調整することによって行うことが可能である。
プの位相調整は、タンク回路１５の容量素子Ｃｄのキャ
パシタの電極をレーザートリミング等によって容量値を
調整することによって行うことが可能である。
【００３９】また、本発明は上記構成の発振回路１Ａに
限らず、様々な発振回路に適用可能である。例えば、図
７は、移相回路１３Ａに電圧制御型移相回路を適用する
ことによって、移相量を電圧制御できるようにした発振
回路１Ｂに本発明を適用した場合のブロック図である。
限らず、様々な発振回路に適用可能である。例えば、図
７は、移相回路１３Ａに電圧制御型移相回路を適用する
ことによって、移相量を電圧制御できるようにした発振
回路１Ｂに本発明を適用した場合のブロック図である。
【００４０】また、上述の発振回路１Ａにおいて、正帰
還発振ループにおける各回路および素子の位置は任意に
入れ替え可能である。例えば、図８に示すように、正帰
還発振ループ内において、ＳＡＷ共振子１４とタンク回
路１５とを入れ替えてもよい。
還発振ループにおける各回路および素子の位置は任意に
入れ替え可能である。例えば、図８に示すように、正帰
還発振ループ内において、ＳＡＷ共振子１４とタンク回
路１５とを入れ替えてもよい。
【００４１】（２） 第２実施形態
第２実施形態に係る発振回路２Ａが、第１実施形態に係
る発振回路１Ａと大きく異なる点は、ＥＣＬ（エミッタ
結合論理）ラインレシーバを用いた差動増幅器（以下、
ＥＣＬ差動増幅器という。）を使用している点である。
以下、第１実施形態に係る発振回路１Ａと同一の構成に
ついては同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略す
る。
る発振回路１Ａと大きく異なる点は、ＥＣＬ（エミッタ
結合論理）ラインレシーバを用いた差動増幅器（以下、
ＥＣＬ差動増幅器という。）を使用している点である。
以下、第１実施形態に係る発振回路１Ａと同一の構成に
ついては同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略す
る。
【００４２】図９は、第２実施形態に係る発振回路２Ａ
の構成を示すブロック図である。発振回路２Ａは、ＥＣ
Ｌ差動増幅器２１〜２３と、スイッチ回路２４と、移相
量を調整する移相回路１３Ｂと、ＳＡＷ共振子１４と、
タンク回路１５とから構成される。また、ＥＣＬ差動増
幅器２１の反転入力端子Ｄ１２には、外部からバイアス
電圧ＶＢＢが供給される。そして、ＥＣＬ差動増幅器２
１、２３、スイッチ回路２４、移相回路１３Ｂ、ＳＡＷ
共振子１４およびタンク回路１５により正帰還発振ルー
プが形成されている。
の構成を示すブロック図である。発振回路２Ａは、ＥＣ
Ｌ差動増幅器２１〜２３と、スイッチ回路２４と、移相
量を調整する移相回路１３Ｂと、ＳＡＷ共振子１４と、
タンク回路１５とから構成される。また、ＥＣＬ差動増
幅器２１の反転入力端子Ｄ１２には、外部からバイアス
電圧ＶＢＢが供給される。そして、ＥＣＬ差動増幅器２
１、２３、スイッチ回路２４、移相回路１３Ｂ、ＳＡＷ
共振子１４およびタンク回路１５により正帰還発振ルー
プが形成されている。
【００４３】なお、バイアス電圧ＶＢＢをＥＣＬ差動増
幅器２１の反転入力端子Ｄ１２に供給し、正帰還発振ル
ープを非反転入力端子Ｄ１１に接続する構成としたが、
バイアス電圧ＶＢＢをＥＣＬ差動増幅器２１の非反転入
力端子Ｄ１１に供給し、正帰還発振ループを反転入力端
子Ｄ１２と接続してもよい。
幅器２１の反転入力端子Ｄ１２に供給し、正帰還発振ル
ープを非反転入力端子Ｄ１１に接続する構成としたが、
バイアス電圧ＶＢＢをＥＣＬ差動増幅器２１の非反転入
力端子Ｄ１１に供給し、正帰還発振ループを反転入力端
子Ｄ１２と接続してもよい。
【００４４】ＥＣＬ差動増幅器２１〜２３は、非反転出
力および反転出力の差動出力を有する差動増幅器であ
り、低消費電力で、かつ、高周波発振器のような高速動
作が必要な回路に適し、得られた出力信号をＥＣＬ差動
増幅器２１〜２３で用いられる電気レベルに変換するた
めに用いられる。
力および反転出力の差動出力を有する差動増幅器であ
り、低消費電力で、かつ、高周波発振器のような高速動
作が必要な回路に適し、得られた出力信号をＥＣＬ差動
増幅器２１〜２３で用いられる電気レベルに変換するた
めに用いられる。
【００４５】タンク回路１５は、第１実施形態のタンク
回路１５と同様の構成であるが、ＥＣＬ差動増幅器２１
の非反転入力端子Ｄ１１および反転入力端子Ｄ１２の間
に接続される点が異なる。
回路１５と同様の構成であるが、ＥＣＬ差動増幅器２１
の非反転入力端子Ｄ１１および反転入力端子Ｄ１２の間
に接続される点が異なる。
【００４６】ＥＣＬ差動増幅器２１は、周波数ｆ０の基
準信号ＳＱがタンク回路１５を介して非反転入力端子Ｄ
１１と反転入力端子Ｄ１２に供給され、また、反転入力
端子Ｄ１２にはさらにバイアス電圧ＶＢＢが供給され
る。これにより、ＥＣＬ差動増幅器２１は、各入力端子
Ｄ１１、Ｄ１２に入力された信号を差動増幅することに
よって、非反転出力端子Ｑ１１から基準信号ＳＱを所定
レベルに増幅して出力するとともに、反転出力端子Ｑ１
２から基準信号ＳＱを所定レベルに増幅した信号であっ
て、位相が１８０度異なる信号を出力する。
準信号ＳＱがタンク回路１５を介して非反転入力端子Ｄ
１１と反転入力端子Ｄ１２に供給され、また、反転入力
端子Ｄ１２にはさらにバイアス電圧ＶＢＢが供給され
る。これにより、ＥＣＬ差動増幅器２１は、各入力端子
Ｄ１１、Ｄ１２に入力された信号を差動増幅することに
よって、非反転出力端子Ｑ１１から基準信号ＳＱを所定
レベルに増幅して出力するとともに、反転出力端子Ｑ１
２から基準信号ＳＱを所定レベルに増幅した信号であっ
て、位相が１８０度異なる信号を出力する。
【００４７】ＥＣＬ差動増幅器２３は、ＥＣＬ差動増幅
器２１の各出力端子Ｑ１１およびＱ１２から出力された
信号が、ＥＣＬ差動増幅器２３の非反転入力端子Ｄ３１
と反転入力端子Ｄ３２にそれぞれ供給されることによ
り、非反転出力端子Ｑ３１から基準信号ＳＱを所定レベ
ルに増幅した信号ＳＱ１を出力すると共に、反転出力端
子Ｑ３２から基準信号ＳＱを所定レベルに増幅した信号
であって、位相が１８０度異なる信号ＳＱ２を出力す
る。同様に、ＥＣＬ差動増幅器２２は、ＥＣＬ差動増幅
器２１の各出力端子Ｑ１１およびＱ１２から出力された
信号が、ＥＣＬ差動増幅器２３の非反転入力端子Ｄ２１
および反転入力端子Ｄ２２にそれぞれ供給されることに
より、非反転出力端子Ｑ２１から基準信号ＳＱを所定レ
ベルに増幅くした出力信号ＯＵＴ＋を出力すると共に、
反転出力端子Ｑ２２から基準信号ＳＱを所定レベルに増
幅した信号であって、位相が１８０度異なる出力信号Ｏ
ＵＴ−を出力する。なお、ＥＣＬ差動増幅器２２および
２３は、正帰還発振ループおよび出力間の影響を低減す
るために設けられたものであり、これらは省略すること
も可能である。
器２１の各出力端子Ｑ１１およびＱ１２から出力された
信号が、ＥＣＬ差動増幅器２３の非反転入力端子Ｄ３１
と反転入力端子Ｄ３２にそれぞれ供給されることによ
り、非反転出力端子Ｑ３１から基準信号ＳＱを所定レベ
ルに増幅した信号ＳＱ１を出力すると共に、反転出力端
子Ｑ３２から基準信号ＳＱを所定レベルに増幅した信号
であって、位相が１８０度異なる信号ＳＱ２を出力す
る。同様に、ＥＣＬ差動増幅器２２は、ＥＣＬ差動増幅
器２１の各出力端子Ｑ１１およびＱ１２から出力された
信号が、ＥＣＬ差動増幅器２３の非反転入力端子Ｄ２１
および反転入力端子Ｄ２２にそれぞれ供給されることに
より、非反転出力端子Ｑ２１から基準信号ＳＱを所定レ
ベルに増幅くした出力信号ＯＵＴ＋を出力すると共に、
反転出力端子Ｑ２２から基準信号ＳＱを所定レベルに増
幅した信号であって、位相が１８０度異なる出力信号Ｏ
ＵＴ−を出力する。なお、ＥＣＬ差動増幅器２２および
２３は、正帰還発振ループおよび出力間の影響を低減す
るために設けられたものであり、これらは省略すること
も可能である。
【００４８】スイッチ回路２４は、ＥＣＬ差動増幅器２
３から出力される位相が１８０度異なる基準信号ＳＱ
１、ＳＱ２のうち、移相回路１３Ｂの移相量が少なくて
済む信号を選択するための回路である。より詳しく説明
すると、スイッチ回路２４は、ＥＣＬ差動増幅器２３の
非反転出力端子Ｑ３１に接続されている接続点Ｐ１、ま
たはＥＣＬ差動増幅器２３の反転出力端子Ｑ３２に接続
されている接続点Ｐ２のいずれかと選択的に接続するこ
とによって、正帰還発振ループに流す基準信号ＳＱを選
択する。このため、移相回路１３Ｂの移相量が小さくて
済み、移相回路１３Ｂの回路構成を簡易にすることがで
きる。当然のことながら、回路設計段階において、接続
点Ｐ１、接続点Ｐ２の選択が既知である場合、スイッチ
回路２４は省略することが可能である。
３から出力される位相が１８０度異なる基準信号ＳＱ
１、ＳＱ２のうち、移相回路１３Ｂの移相量が少なくて
済む信号を選択するための回路である。より詳しく説明
すると、スイッチ回路２４は、ＥＣＬ差動増幅器２３の
非反転出力端子Ｑ３１に接続されている接続点Ｐ１、ま
たはＥＣＬ差動増幅器２３の反転出力端子Ｑ３２に接続
されている接続点Ｐ２のいずれかと選択的に接続するこ
とによって、正帰還発振ループに流す基準信号ＳＱを選
択する。このため、移相回路１３Ｂの移相量が小さくて
済み、移相回路１３Ｂの回路構成を簡易にすることがで
きる。当然のことながら、回路設計段階において、接続
点Ｐ１、接続点Ｐ２の選択が既知である場合、スイッチ
回路２４は省略することが可能である。
【００４９】また、移相回路１３Ｂは、ＳＡＷ共振子１
４の発振周波数Ｆと回路部品の構成に応じて適切な移相
量のものが選択されるが、ＳＡＷ共振子１４を変更して
も移相量の変更は小さくすむので、複数種類のＳＡＷ共
振子についてもほぼ同一の回路パターンを使用すること
ができ、設計上の簡略化が可能となる。
４の発振周波数Ｆと回路部品の構成に応じて適切な移相
量のものが選択されるが、ＳＡＷ共振子１４を変更して
も移相量の変更は小さくすむので、複数種類のＳＡＷ共
振子についてもほぼ同一の回路パターンを使用すること
ができ、設計上の簡略化が可能となる。
【００５０】なお、ＳＡＷ共振子１４の発振周波数Ｆと
回路部品構成が固定であるような場合においては、移相
回路１３Ｂを省略して、差動増幅器２３から出力される
２つの信号ＳＱ１、ＳＱ２のうち、任意の信号について
正帰還発振ループを接続する回路パターンを作成しても
よい。この場合、スイッチ回路２４に代えて、ワイヤボ
ンディングなどで接続点Ｐ１または接続点Ｐ２のいずれ
かと短絡するようにしてもよい。
回路部品構成が固定であるような場合においては、移相
回路１３Ｂを省略して、差動増幅器２３から出力される
２つの信号ＳＱ１、ＳＱ２のうち、任意の信号について
正帰還発振ループを接続する回路パターンを作成しても
よい。この場合、スイッチ回路２４に代えて、ワイヤボ
ンディングなどで接続点Ｐ１または接続点Ｐ２のいずれ
かと短絡するようにしてもよい。
【００５１】したがって、ＥＣＬ差動増幅器２１〜２３
を使用した発振回路２Ａにおいても、ＮＴＣサーミスタ
ＲＴを並列接続したタンク回路１５を使用することによ
って、発振周波数Ｆが高い場合でも周波数変化の感度を
大きくすることができ、制御電圧Ｖｃに対する周波数変
化の感度を広い温度範囲でほぼ同じにすることができ
る。
を使用した発振回路２Ａにおいても、ＮＴＣサーミスタ
ＲＴを並列接続したタンク回路１５を使用することによ
って、発振周波数Ｆが高い場合でも周波数変化の感度を
大きくすることができ、制御電圧Ｖｃに対する周波数変
化の感度を広い温度範囲でほぼ同じにすることができ
る。
【００５２】また、温度と制御電圧Ｖｃとが一定の場合
には、ＮＴＣサーミスタＲＴの抵抗値Ｒを小さくするほ
ど、周波数変化に対する位相伝達量の変化を小さくでき
るため（図３参照）、特に、高温域での温度変化を大幅
に低減することができ、広い温度範囲で発振周波数Ｆの
温度変化を低減することができる。また、タンク回路１
５を挿入したことによって、ＥＣＬ差動増幅器２１に選
択的にゲインを与え、異常発振を防止することができ
る。
には、ＮＴＣサーミスタＲＴの抵抗値Ｒを小さくするほ
ど、周波数変化に対する位相伝達量の変化を小さくでき
るため（図３参照）、特に、高温域での温度変化を大幅
に低減することができ、広い温度範囲で発振周波数Ｆの
温度変化を低減することができる。また、タンク回路１
５を挿入したことによって、ＥＣＬ差動増幅器２１に選
択的にゲインを与え、異常発振を防止することができ
る。
【００５３】これによって、ＥＣＬ差動増幅器２１〜２
３を使用した発振回路２Ａにおいても、広い温度範囲、
特に高温域での制御電圧Ｖｃ−発振周波数Ｆの特性を改
善でき、かつ、発振周波数Ｆの温度変化を低減すること
ができる。
３を使用した発振回路２Ａにおいても、広い温度範囲、
特に高温域での制御電圧Ｖｃ−発振周波数Ｆの特性を改
善でき、かつ、発振周波数Ｆの温度変化を低減すること
ができる。
【００５４】また、上述の発振回路２Ａにおいて、正帰
還発振ループにおける各回路および素子の位置は任意に
入れ替え可能である。例えば、図１０に示すように、正
帰還発振ループ内において、ＳＡＷ共振子１４とタンク
回路１５とを入れ替えてもよい。この場合、差動増幅器
２１の非反転入力端子Ｄ１１および反転入力端子Ｄ１２
間に電位差が生じるように、任意のインピーダンスＺｄ
を挿入することが必要である。
還発振ループにおける各回路および素子の位置は任意に
入れ替え可能である。例えば、図１０に示すように、正
帰還発振ループ内において、ＳＡＷ共振子１４とタンク
回路１５とを入れ替えてもよい。この場合、差動増幅器
２１の非反転入力端子Ｄ１１および反転入力端子Ｄ１２
間に電位差が生じるように、任意のインピーダンスＺｄ
を挿入することが必要である。
【００５５】（３） 第３実施形態
上述の実施形態においては、ＮＴＣサーミスタＲＴを並
列接続したタンク回路１５を用いることによって、発振
周波数Ｆの温度特性を改善する場合について述べたが、
本実施形態では、他の方法によって発振周波数Ｆの温度
特性を改善した発振回路を説明する。
列接続したタンク回路１５を用いることによって、発振
周波数Ｆの温度特性を改善する場合について述べたが、
本実施形態では、他の方法によって発振周波数Ｆの温度
特性を改善した発振回路を説明する。
【００５６】図１１は、第３実施形態に係る発振回路３
Ａの構成を示すブロック図である。発振回路３Ａは、Ｓ
ＡＷ共振子３１と、差動増幅器３２〜３４と、スイッチ
回路３６と、移相回路３７と、タンク回路３８とから構
成される。そして、差動増幅器３２、３４、スイッチ回
路３６、移相回路３７、ＳＡＷ共振子３１およびタンク
回路３８により正帰還発振ループが形成されている。
Ａの構成を示すブロック図である。発振回路３Ａは、Ｓ
ＡＷ共振子３１と、差動増幅器３２〜３４と、スイッチ
回路３６と、移相回路３７と、タンク回路３８とから構
成される。そして、差動増幅器３２、３４、スイッチ回
路３６、移相回路３７、ＳＡＷ共振子３１およびタンク
回路３８により正帰還発振ループが形成されている。
【００５７】タンク回路３８は、容量素子４０とインダ
クタンス素子４１とからなる共振回路構成を採ることに
よって、所望の周波数に選択的に利得を与えるものであ
る。ここでは、タンク回路３８は、ＳＡＷ共振子３１に
よる基準発振信号から周波数ｆ０を有する基準信号ＳＱ
を選択して差動増幅器３２に出力する。
クタンス素子４１とからなる共振回路構成を採ることに
よって、所望の周波数に選択的に利得を与えるものであ
る。ここでは、タンク回路３８は、ＳＡＷ共振子３１に
よる基準発振信号から周波数ｆ０を有する基準信号ＳＱ
を選択して差動増幅器３２に出力する。
【００５８】差動増幅器３２は、正帰還発振ループを流
れる基準信号ＳＱがタンク回路３８を介して非反転入力
端子Ｄ１１と反転入力端子Ｄ１２とに供給され、また、
反転入力端子Ｄ１２にはさらにバイアス電圧ＶＢＢが供
給される。これにより、差動増幅器３２は、各入力端子
に入力された信号を差動増幅することによって、非反転
出力端子Ｑ１１から基準信号ＳＱを所定レベルに増幅し
て出力するとともに、反転出力端子Ｑ１２から基準信号
ＳＱを所定レベルに増幅した信号であって、位相が１８
０度異なる信号を出力する。
れる基準信号ＳＱがタンク回路３８を介して非反転入力
端子Ｄ１１と反転入力端子Ｄ１２とに供給され、また、
反転入力端子Ｄ１２にはさらにバイアス電圧ＶＢＢが供
給される。これにより、差動増幅器３２は、各入力端子
に入力された信号を差動増幅することによって、非反転
出力端子Ｑ１１から基準信号ＳＱを所定レベルに増幅し
て出力するとともに、反転出力端子Ｑ１２から基準信号
ＳＱを所定レベルに増幅した信号であって、位相が１８
０度異なる信号を出力する。
【００５９】差動増幅器３４は、差動増幅器３２の各出
力端子Ｑ１１およびＱ１２から出力された信号が非反転
入力端子Ｄ３１と反転入力端子Ｄ３２にそれぞれ供給さ
れることにより、非反転出力端子Ｑ３１から基準信号Ｓ
Ｑを所定レベルに増幅した信号ＳＱ１を出力すると共
に、反転出力端子Ｑ３２から基準信号ＳＱを所定レベル
に増幅した信号であって、位相が１８０度異なる信号の
信号ＳＱ２を出力する。同様に、差動増幅器３３は、差
動増幅器３２の各出力端子Ｑ１１およびＱ１２から出力
された信号が非反転入力端子Ｄ２１と反転入力端子Ｄ２
２にそれぞれ供給すれることにより、非反転入力端子Ｑ
２１から基準信号ＳＱを所定レベルに増幅した出力信号
ＯＵＴ＋を出力すると共に、反転出力端子Ｑ２２から基
準信号ＳＱを所定レベルに増幅した信号であって、位相
が１８０度異なる出力信号ＯＵＴ−を出力する。なお、
差動増幅器３３および３４は、正帰還発振ループおよび
出力間の影響を低減するために設けられたものであり、
これらは省略することも可能である。
力端子Ｑ１１およびＱ１２から出力された信号が非反転
入力端子Ｄ３１と反転入力端子Ｄ３２にそれぞれ供給さ
れることにより、非反転出力端子Ｑ３１から基準信号Ｓ
Ｑを所定レベルに増幅した信号ＳＱ１を出力すると共
に、反転出力端子Ｑ３２から基準信号ＳＱを所定レベル
に増幅した信号であって、位相が１８０度異なる信号の
信号ＳＱ２を出力する。同様に、差動増幅器３３は、差
動増幅器３２の各出力端子Ｑ１１およびＱ１２から出力
された信号が非反転入力端子Ｄ２１と反転入力端子Ｄ２
２にそれぞれ供給すれることにより、非反転入力端子Ｑ
２１から基準信号ＳＱを所定レベルに増幅した出力信号
ＯＵＴ＋を出力すると共に、反転出力端子Ｑ２２から基
準信号ＳＱを所定レベルに増幅した信号であって、位相
が１８０度異なる出力信号ＯＵＴ−を出力する。なお、
差動増幅器３３および３４は、正帰還発振ループおよび
出力間の影響を低減するために設けられたものであり、
これらは省略することも可能である。
【００６０】スイッチ回路３６は、差動増幅器３４から
出力される位相が１８０度異なる基準信号ＳＱ１、ＳＱ
２のうち、移相回路３７の移相量が少なくて済む信号を
選択するための回路である。より詳しく説明すると、ス
イッチ回路３６は、差動増幅器３４の非反転出力端子Ｑ
３１に接続されている接続点Ｐ１、または差動増幅器３
４の反転出力端子Ｑ３２に接続されている接続点Ｐ２の
いずれかと選択的に接続することによって、正帰還発振
ループに流す基準信号ＳＱを選択する。
出力される位相が１８０度異なる基準信号ＳＱ１、ＳＱ
２のうち、移相回路３７の移相量が少なくて済む信号を
選択するための回路である。より詳しく説明すると、ス
イッチ回路３６は、差動増幅器３４の非反転出力端子Ｑ
３１に接続されている接続点Ｐ１、または差動増幅器３
４の反転出力端子Ｑ３２に接続されている接続点Ｐ２の
いずれかと選択的に接続することによって、正帰還発振
ループに流す基準信号ＳＱを選択する。
【００６１】移相回路３７は、発振回路３Ａの位相条件
を満足させるための位相調整を行うもので、入力した制
御電圧Ｖｃに応じて入力した出力信号ＳＱの位相の移相
量を調整する。上述したように、本実施形態に係る発振
器３Ａは、位相の異なる基準信号ＳＱ１、ＳＱ２のう
ち、移相回路３７の移相量が少なくて済む信号を選択す
るため、移相回路３７の移相量が小さくて済み、移相回
路３７の回路構成を簡易にすることができる。
を満足させるための位相調整を行うもので、入力した制
御電圧Ｖｃに応じて入力した出力信号ＳＱの位相の移相
量を調整する。上述したように、本実施形態に係る発振
器３Ａは、位相の異なる基準信号ＳＱ１、ＳＱ２のう
ち、移相回路３７の移相量が少なくて済む信号を選択す
るため、移相回路３７の移相量が小さくて済み、移相回
路３７の回路構成を簡易にすることができる。
【００６２】また、移相回路３７は、ＳＡＷ共振子３１
の発振周波数Ｆと回路部品の構成に応じて適切な移相量
のものが選択されるが、ＳＡＷ共振子３１を変更しても
移相量の変更は小さくすむので、複数種類のＳＡＷ共振
子についてもほぼ同一の回路パターンを使用することが
でき、設計上の簡略化が可能となる。
の発振周波数Ｆと回路部品の構成に応じて適切な移相量
のものが選択されるが、ＳＡＷ共振子３１を変更しても
移相量の変更は小さくすむので、複数種類のＳＡＷ共振
子についてもほぼ同一の回路パターンを使用することが
でき、設計上の簡略化が可能となる。
【００６３】なお、ＳＡＷ共振子３１の周波数と回路部
品構成が固定であるような場合においては、移相回路３
７を省略して、差動増幅器３４から出力される２つの信
号ＳＱ１、ＳＱ２のうち、任意の信号について正帰還発
振ループを接続する回路パターンを作成してもよい。こ
の場合、スイッチ回路３６に代えて、ワイヤボンディン
グなどで接続点Ｐ１または接続点Ｐ２のいずれかと短絡
するようにしてもよい。
品構成が固定であるような場合においては、移相回路３
７を省略して、差動増幅器３４から出力される２つの信
号ＳＱ１、ＳＱ２のうち、任意の信号について正帰還発
振ループを接続する回路パターンを作成してもよい。こ
の場合、スイッチ回路３６に代えて、ワイヤボンディン
グなどで接続点Ｐ１または接続点Ｐ２のいずれかと短絡
するようにしてもよい。
【００６４】また、本実施形態に係る発振回路３Ａは、
タンク回路３８の容量素子４０に所定の容量温度特性を
有する容量素子を使用することによって、ＳＡＷ共振子
３１の発振周波数Ｆの温度特性の補正を行う。以下、こ
のタンク回路３８の容量素子４０について説明する。
タンク回路３８の容量素子４０に所定の容量温度特性を
有する容量素子を使用することによって、ＳＡＷ共振子
３１の発振周波数Ｆの温度特性の補正を行う。以下、こ
のタンク回路３８の容量素子４０について説明する。
【００６５】図１２は、ＳＡＷ共振子３１の発振周波数
Ｆの温度特性を示す図である。ＳＡＷ共振子３１は、音
叉型水晶振動子Ｘと同様に、二次曲線で近似可能な二次
周波数温度特性を有している。ここで、ＳＡＷ共振子３
１の最大周波数が得られる周波数頂点温度Ｔ０と、タン
ク回路３８の容量素子４０の容量が最大となる頂点温度
が大きく異なる場合、補償温度範囲の高温側もしくは低
温側において、温度補償が過補償もしくは補償不足とな
りうる。
Ｆの温度特性を示す図である。ＳＡＷ共振子３１は、音
叉型水晶振動子Ｘと同様に、二次曲線で近似可能な二次
周波数温度特性を有している。ここで、ＳＡＷ共振子３
１の最大周波数が得られる周波数頂点温度Ｔ０と、タン
ク回路３８の容量素子４０の容量が最大となる頂点温度
が大きく異なる場合、補償温度範囲の高温側もしくは低
温側において、温度補償が過補償もしくは補償不足とな
りうる。
【００６６】このため、本実施形態では、補償効果が最
大になるように、図１３に容量素子４０の容量温度特性
を示すように、容量素子４０としては、ＳＡＷ共振子３
１の周波数頂点温度Ｔ０の場合に容量が最大となる二次
容量温度特性を有する容量素子が使用される。なお、容
量素子４０は、BaTiO3を主成分とした場合には、BaTiO3
の最大容量値を示す温度であるキュリー点温度１２０℃
を他の元素、例えば、BaSnO3、CaSnO3、BaSnO3、BaZr
O3、BrTiO3などにより周波数頂点温度Ｔ０に移動し、キ
ュリー点温度での相変態を利用することによって所望の
容量温度特性を得ることが可能である。
大になるように、図１３に容量素子４０の容量温度特性
を示すように、容量素子４０としては、ＳＡＷ共振子３
１の周波数頂点温度Ｔ０の場合に容量が最大となる二次
容量温度特性を有する容量素子が使用される。なお、容
量素子４０は、BaTiO3を主成分とした場合には、BaTiO3
の最大容量値を示す温度であるキュリー点温度１２０℃
を他の元素、例えば、BaSnO3、CaSnO3、BaSnO3、BaZr
O3、BrTiO3などにより周波数頂点温度Ｔ０に移動し、キ
ュリー点温度での相変態を利用することによって所望の
容量温度特性を得ることが可能である。
【００６７】図１４は、タンク回路３８の容量素子４０
の容量Ｃａと発振周波数Ｆ（周波数偏差ｄｆ／ｆ０）と
の関係を示す特性曲線Ｌ１と、移相回路３７の例として
１個のコンデンサを使用した場合の容量素子Ｃｂの容量
と発振周波数Ｆ（周波数偏差ｄｆ／ｆ０）との関係を示
す特性曲線Ｌ２とを示す特性曲線図である。
の容量Ｃａと発振周波数Ｆ（周波数偏差ｄｆ／ｆ０）と
の関係を示す特性曲線Ｌ１と、移相回路３７の例として
１個のコンデンサを使用した場合の容量素子Ｃｂの容量
と発振周波数Ｆ（周波数偏差ｄｆ／ｆ０）との関係を示
す特性曲線Ｌ２とを示す特性曲線図である。
【００６８】この図に示すように、発振周波数Ｆを所定
量（ｆ２−ｆ１）だけ変化させる場合に必要な容量素子
４０の容量変化量ｄＣａは、正帰還発振ループに直接接
続された容量素子Ｃｂの容量変化量ｄＣｂに比して格段
に少なくてよいことが判る。この図においては、容量変
化量ｄＣａは、容量変化量ｄＣｂの約４分の１以下でよ
いことが判る。
量（ｆ２−ｆ１）だけ変化させる場合に必要な容量素子
４０の容量変化量ｄＣａは、正帰還発振ループに直接接
続された容量素子Ｃｂの容量変化量ｄＣｂに比して格段
に少なくてよいことが判る。この図においては、容量変
化量ｄＣａは、容量変化量ｄＣｂの約４分の１以下でよ
いことが判る。
【００６９】したがって、この発振回路３Ａにおいて
は、タンク回路３８の容量素子４０の容量の温度特性に
よってＳＡＷ共振子３１の発振周波数Ｆの温度特性を補
正するようにしたので、正帰還発振ループに直接接続さ
れた容量素子Ｃｂの容量値の温度特性によって補正する
場合に比して、発振周波数Ｆの温度特性の補正量を大き
くとることができる。この結果、図１５に、発振器３０
の発振周波数Ｆの補正前の温度特性と、補正後の温度特
性を示すように、広い温度範囲でＳＡＷ共振子３１の発
振周波数Ｆの温度変化を低減することができる。
は、タンク回路３８の容量素子４０の容量の温度特性に
よってＳＡＷ共振子３１の発振周波数Ｆの温度特性を補
正するようにしたので、正帰還発振ループに直接接続さ
れた容量素子Ｃｂの容量値の温度特性によって補正する
場合に比して、発振周波数Ｆの温度特性の補正量を大き
くとることができる。この結果、図１５に、発振器３０
の発振周波数Ｆの補正前の温度特性と、補正後の温度特
性を示すように、広い温度範囲でＳＡＷ共振子３１の発
振周波数Ｆの温度変化を低減することができる。
【００７０】これにより、発振回路３Ａは、従来の正帰
還発振ループに直接接続された容量素子Ｃｂの温度特性
によってＳＡＷ共振子３１の温度特性を補正する場合に
補正量が不十分であった低温および高温の温度範囲にお
いても、必要とされる周波数安定度（例えば、１０．０
×１０-6）を満足させることが可能となる。
還発振ループに直接接続された容量素子Ｃｂの温度特性
によってＳＡＷ共振子３１の温度特性を補正する場合に
補正量が不十分であった低温および高温の温度範囲にお
いても、必要とされる周波数安定度（例えば、１０．０
×１０-6）を満足させることが可能となる。
【００７１】なお、この容量素子４０の容量変化に対す
る発振周波数Ｆの変化量、つまり、発振周波数Ｆの感度
調整は、タンク回路３８のインダクタンス素子の値によ
って調整することができる。
る発振周波数Ｆの変化量、つまり、発振周波数Ｆの感度
調整は、タンク回路３８のインダクタンス素子の値によ
って調整することができる。
【００７２】以上の記述から明らかなように、本実施形
態に係る発振回路３Ａによれば、ＳＡＷ共振子３１の周
波数温度特性に応じてタンク回路３８の容量素子４０を
上記した温度特性を有する容量素子にすれば、ＳＡＷ共
振子３１の周波数温度特性を広い温度範囲で簡易に補正
することができる。また、素子数も増大しないので実装
スペースが小さくて済み、発振器３０の小型化も可能で
ある。
態に係る発振回路３Ａによれば、ＳＡＷ共振子３１の周
波数温度特性に応じてタンク回路３８の容量素子４０を
上記した温度特性を有する容量素子にすれば、ＳＡＷ共
振子３１の周波数温度特性を広い温度範囲で簡易に補正
することができる。また、素子数も増大しないので実装
スペースが小さくて済み、発振器３０の小型化も可能で
ある。
【００７３】（４） 第４実施形態
上述した各実施形態に係る発振回路１Ａ、１Ｂ、２Ａ、
３Ａは様々な通信機器に適用可能である。本実施形態で
は、本発明に係る発振回路１Ａ〜３Ａを使用した通信機
器として、光インターフェースモジュール５０について
説明する。
３Ａは様々な通信機器に適用可能である。本実施形態で
は、本発明に係る発振回路１Ａ〜３Ａを使用した通信機
器として、光インターフェースモジュール５０について
説明する。
【００７４】図１６は、光インターフェースモジュール
５０の概要構成を示すブロック図である。この光インタ
ーフェースモジュール５０は、例えば、サーバ用コンピ
ュータと光ネットワークとの間で、光信号と電気信号と
の信号変換を行うものであり、ここでは、１０．３１２
５Ｇｂｐｓの光信号と、３．１２５Ｇｂｐｓの電気信号
（４系統）との信号変換を行うものである。
５０の概要構成を示すブロック図である。この光インタ
ーフェースモジュール５０は、例えば、サーバ用コンピ
ュータと光ネットワークとの間で、光信号と電気信号と
の信号変換を行うものであり、ここでは、１０．３１２
５Ｇｂｐｓの光信号と、３．１２５Ｇｂｐｓの電気信号
（４系統）との信号変換を行うものである。
【００７５】電気／光変換部５１は、Ｐ／Ｓ（パラレル
／シリアル）変換部５２から出力された電気信号を光信
号に変換し、光ネットワーク側に出力する。光／電気変
換部５３は、光ネットワーク側から出力された光信号を
電気信号に変換しＳ／Ｐ（シリアル／パラレル）変換部
５４に出力する。
／シリアル）変換部５２から出力された電気信号を光信
号に変換し、光ネットワーク側に出力する。光／電気変
換部５３は、光ネットワーク側から出力された光信号を
電気信号に変換しＳ／Ｐ（シリアル／パラレル）変換部
５４に出力する。
【００７６】発振回路６０および６１は、上記した発振
回路１Ａ〜３Ａのいずれかが適用され、周囲温度によら
ず一定周波数のクロック信号を出力する。そして、各ク
ロック信号が基準信号として、ビット符号変換部５５を
介して接続された３．２１５ＧＧｂｐｓのＳ／Ｐ変換部
５６およびＰ／Ｓ変換部５７、１０．３１２５Ｇｐｓの
Ｐ／Ｓ変換部５２およびＳ／Ｐ変換部５４の各部に用い
られる。
回路１Ａ〜３Ａのいずれかが適用され、周囲温度によら
ず一定周波数のクロック信号を出力する。そして、各ク
ロック信号が基準信号として、ビット符号変換部５５を
介して接続された３．２１５ＧＧｂｐｓのＳ／Ｐ変換部
５６およびＰ／Ｓ変換部５７、１０．３１２５Ｇｐｓの
Ｐ／Ｓ変換部５２およびＳ／Ｐ変換部５４の各部に用い
られる。
【００７７】このように、光インターフェースモジュー
ル５０に、各実施形態に係る発振回路１Ａ〜３Ａを使用
することにより、周囲温度に影響されず、特に、高温域
において、安定した光ネットワークを介したデータ授受
を行うことが可能となる。
ル５０に、各実施形態に係る発振回路１Ａ〜３Ａを使用
することにより、周囲温度に影響されず、特に、高温域
において、安定した光ネットワークを介したデータ授受
を行うことが可能となる。
【００７８】（５） 変形例
本願発明は、上述した実施形態に限らず種々の態様にて
実施することができる。例えば、以下のような変形実施
が可能である。
実施することができる。例えば、以下のような変形実施
が可能である。
【００７９】上述した各実施形態では、発振源がＳＡＷ
共振子の発振回路に本発明を適用する場合について述べ
たが、発振源がＡＴカット型水晶振動子の発振回路にも
適用することができる。また、本発明の発振回路に温度
補償回路を接続し、ＴＣＳＯやＴＣＸＯを構成してもよ
い。なお、振動子やＳＡＷ共振子等の圧電共振子を構成
する圧電材料については、水晶の他、ランガサイトや四
ほう酸リチウム（Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｔｅｔｒａ Ｂｏｒ
ａｔｅ）等の他の圧電材料を使用してもよい。
共振子の発振回路に本発明を適用する場合について述べ
たが、発振源がＡＴカット型水晶振動子の発振回路にも
適用することができる。また、本発明の発振回路に温度
補償回路を接続し、ＴＣＳＯやＴＣＸＯを構成してもよ
い。なお、振動子やＳＡＷ共振子等の圧電共振子を構成
する圧電材料については、水晶の他、ランガサイトや四
ほう酸リチウム（Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｔｅｔｒａ Ｂｏｒ
ａｔｅ）等の他の圧電材料を使用してもよい。
【００８０】上述した第３実施形態では、タンク回路３
８の容量素子４０として、周波数頂点温度Ｔ０で容量が
最大になる二次容量温度特性を有する容量素子を用いる
場合について述べた。本発明はこれに限らず、要は周波
数頂点温度Ｔ０近傍で容量が最大になる容量温度特性を
有する容量素子を用いればよく、キュリー点温度が周波
数頂点温度Ｔ０近傍であればよい。
８の容量素子４０として、周波数頂点温度Ｔ０で容量が
最大になる二次容量温度特性を有する容量素子を用いる
場合について述べた。本発明はこれに限らず、要は周波
数頂点温度Ｔ０近傍で容量が最大になる容量温度特性を
有する容量素子を用いればよく、キュリー点温度が周波
数頂点温度Ｔ０近傍であればよい。
【００８１】また、タンク回路３８内に複数の容量素子
を有している場合は、全ての容量素子が上述した容量温
度特性を有すれば補正量を多くとることができるが、必
要とする補正量に応じていずれか１つ以上の容量素子が
上述した容量温度特性を有していればよい。
を有している場合は、全ての容量素子が上述した容量温
度特性を有すれば補正量を多くとることができるが、必
要とする補正量に応じていずれか１つ以上の容量素子が
上述した容量温度特性を有していればよい。
【００８２】
【発明の効果】上述したように本発明による発振回路
は、ＮＴＣサーミスタを並列接続したタンク回路を使用
することにより、広い温度範囲、特に高温域での制御電
圧−発振周波数の特性を改善でき、かつ、発振周波数の
温度変化を低減することができる。また、タンク回路の
容量素子の温度特性によって共振子の発振周波数の温度
特性を補正することにより、広い温度範囲で発振周波数
の温度変化を低減することができる。また、素子数も増
大しないので実装スペースが小さくて済み、小型化が可
能である。
は、ＮＴＣサーミスタを並列接続したタンク回路を使用
することにより、広い温度範囲、特に高温域での制御電
圧−発振周波数の特性を改善でき、かつ、発振周波数の
温度変化を低減することができる。また、タンク回路の
容量素子の温度特性によって共振子の発振周波数の温度
特性を補正することにより、広い温度範囲で発振周波数
の温度変化を低減することができる。また、素子数も増
大しないので実装スペースが小さくて済み、小型化が可
能である。
【図１】 本発明の第１実施形態に係る発振回路の構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図２】 ＮＴＣサーミスタの抵抗値の温度特性を示す
特性曲線図である。
特性曲線図である。
【図３】 タンク回路のＮＴＣサーミスタの抵抗値Ｒを
変化させた場合の周波数−伝達位相特性を示す特性曲線
図である。
変化させた場合の周波数−伝達位相特性を示す特性曲線
図である。
【図４】 タンク回路の共振周波数ＦＡより高い周波数
Ｆ１での温度−伝達位相特性を示す特性曲線図である。
Ｆ１での温度−伝達位相特性を示す特性曲線図である。
【図５】 発振回路の制御電圧Ｖｃ−発振周波数Ｆの関
係を示す特性曲線図である。
係を示す特性曲線図である。
【図６】 発振回路の発振周波数Ｆの温度特性を示す特
性曲線図である。
性曲線図である。
【図７】 第１実施形態に係る発振回路の変形例を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図８】 第１実施形態に係る発振回路の変形例を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図９】 第２実施形態に係る発振回路の構成を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図１０】 第２実施形態に係る発振回路の変形例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図１１】 第３実施形態に係る発振回路の構成を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図１２】 ＳＡＷ共振子の発振周波数Ｆの温度特性を
示す特性曲線図である。
示す特性曲線図である。
【図１３】 タンク回路の容量素子の容量温度特性を示
す特性曲線図である。
す特性曲線図である。
【図１４】 タンク回路の容量素子の容量と発振周波数
Ｆとの関係を示す特性曲線Ｌ１と、正帰還発振ループに
直接接続された容量素子の容量と発振周波数Ｆとの関係
を示す特性曲線Ｌ２とを示す図である。
Ｆとの関係を示す特性曲線Ｌ１と、正帰還発振ループに
直接接続された容量素子の容量と発振周波数Ｆとの関係
を示す特性曲線Ｌ２とを示す図である。
【図１５】 発振周波数Ｆの補正前の温度特性と補正後
の温度特性を示す特性曲線図である。
の温度特性を示す特性曲線図である。
【図１６】 光インターフェースモジュールの概要構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図１７】 従来のＶＣＳＯの回路図である。
【図１８】 従来のＶＣＳＯの構成を示すブロック図で
ある。
ある。
【図１９】 従来のＶＣＳＯの発振周波数Ｆの温度特性
を示す特性曲線図である。
を示す特性曲線図である。
【図２０】 ＶＣＳＯの制御電圧Ｖｃ−発振周波数Ｆの
関係を示す特性曲線図である。
関係を示す特性曲線図である。
【図２１】 従来のＶＣＳＯの発振周波数Ｆと周波数変
動の感度の関係を示す特性曲線図である。
動の感度の関係を示す特性曲線図である。
【図２２】 従来のＴＣＳＯの構成を示す回路図であ
る。
る。
【図２３】 ＳＡＷ共振子の発振周波数の温度特性を示
す特性曲線図である。
す特性曲線図である。
【図２４】 容量素子の容量温度特性を示す特性曲線図
である。
である。
【図２５】 補正後のＳＡＷ共振子の発振周波数の温度
特性を示す特性曲線図である。
特性を示す特性曲線図である。
１Ａ、１Ｂ、２Ａ、３Ａ・・・発振回路、１１、１２、…
…増幅器、１３Ａ、１３Ｂ……移相回路、１４、３１…
…ＳＡＷ共振子、１５、３８……タンク回路、２１、２
２、２３……ＥＣＬ差動増幅器、３２、３３、３４……
差動増幅器、２４、３６……スイッチ回路、Ｃｄ、４０
……容量素子Ｌｄ、４１……インダクタンス素子、ＲＴ
……ＮＴＣサーミスタ、ＶＢＢ……基準バイアス電圧、
５０……光インターフェースモジュール、５１……電気
／光変換部、５２……Ｐ／Ｓ変換部、５３……光／電気
変換部、５４……Ｓ／Ｐ変換部、５５……ビット符号変
換部、５６……Ｓ／Ｐ変換部、５７……Ｐ／Ｓ変換部、
６０、６１……発振回路、１００……温度補償型ＳＡＷ
発振回路（ＴＣＳＯ）。
…増幅器、１３Ａ、１３Ｂ……移相回路、１４、３１…
…ＳＡＷ共振子、１５、３８……タンク回路、２１、２
２、２３……ＥＣＬ差動増幅器、３２、３３、３４……
差動増幅器、２４、３６……スイッチ回路、Ｃｄ、４０
……容量素子Ｌｄ、４１……インダクタンス素子、ＲＴ
……ＮＴＣサーミスタ、ＶＢＢ……基準バイアス電圧、
５０……光インターフェースモジュール、５１……電気
／光変換部、５２……Ｐ／Ｓ変換部、５３……光／電気
変換部、５４……Ｓ／Ｐ変換部、５５……ビット符号変
換部、５６……Ｓ／Ｐ変換部、５７……Ｐ／Ｓ変換部、
６０、６１……発振回路、１００……温度補償型ＳＡＷ
発振回路（ＴＣＳＯ）。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5J079 AA06 BA02 CB02 DA13 DA21
FA14 FA21 FA24 FA26 FB01
FB02 FB03 FB12 FB15 FB47
FB48 GA09
5J081 AA02 CC17 DD09 EE02 EE03
EE13 EE19 FF23 KK02 KK09
KK14 KK22 LL01 MM01
Claims (9)
- 【請求項１】 増幅器と、所定の共振周波数を有するＳ
ＡＷ共振子と、入力信号の位相を所定量ずらした出力信
号として出力する移相回路と、インダクタンス素子と容
量素子から成るタンク回路と、によって正帰還発振ルー
プを構成し、 前記タンク回路と並列に負の温度特性を有するＮＴＣサ
ーミスタを接続したことを特徴とする発振回路。 - 【請求項２】 前記増幅器は、反転入力端子及び非反転
入力端子を有し、前記反転入力端子及び前記非反転入力
端子のうちいずれか一方にバイアス電圧が入力され、他
方が前記正帰還発振ループの入力端として機能する差動
増幅器であることを特徴とする請求項１に記載の発振回
路。 - 【請求項３】 前記タンク回路は、前記差動増幅器の前
記反転及び非反転入力端子の間に接続されることを特徴
とする請求項２に記載の発振回路。 - 【請求項４】 増幅器と、二次周波数温度特性を有する
振動子と、前記振動子を発振させる帰還増幅回路と、所
望の周波数近傍において周波数選択性を持たせたタンク
回路とを有する発振回路において、 前記タンク回路を構成する容量素子のいずれか１つ以上
の容量素子は、前記振動子の二次周波数温度特性を補正
する容量温度特性を有することを特徴とする発振回路。 - 【請求項５】 前記タンク回路を構成する容量素子のい
ずれか１つ以上の容量素子は、前記振動子の最大発振周
波数が得られる温度近傍で最大容量となる容量温度特性
を有することを特徴とする請求項４に記載の発振回路。 - 【請求項６】 前記発振回路は、さらに、当該発振回路
の位相条件を満足させるために、正帰還発振ループに流
れる基準信号の位相を所定量変化させて出力する移相回
路を有することを特徴とする請求項４または５に記載の
発振回路。 - 【請求項７】 前記移相回路は外部信号により移相量を
調節することができることを特徴とする請求項１乃至
３、または請求項６のいずれかに記載の発振回路。 - 【請求項８】 前記増幅器は、ＥＣＬラインレシーバを
用いた差動増幅器であることを特徴とする請求項１乃至
７のいずれかに記載の発振回路。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれかに記載の発振
回路を備えたことを特徴とする電子機器。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002209949A JP4561029B2 (ja) | 2001-07-31 | 2002-07-18 | 発振回路およびこれを用いた電子機器 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-232458 | 2001-07-31 | ||
| JP2001232458 | 2001-07-31 | ||
| JP2001317283 | 2001-10-15 | ||
| JP2001-317283 | 2001-10-15 | ||
| JP2002209949A JP4561029B2 (ja) | 2001-07-31 | 2002-07-18 | 発振回路およびこれを用いた電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003198250A true JP2003198250A (ja) | 2003-07-11 |
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|---|---|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004040509A (ja) * | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Seiko Epson Corp | 発振回路及びこの発振回路を用いた電子機器 |
| US7012476B2 (en) | 2003-03-20 | 2006-03-14 | Seiko Epson Corporation | Voltage-controlled oscillator, clock converter, and electronic device |
| JP2009060457A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Seiko Instruments Inc | 発振器 |
| JP2022154191A (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-13 | 株式会社Piezo Studio | 共振回路、発振回路および電子機器 |
| KR102684677B1 (ko) * | 2022-03-18 | 2024-07-15 | 국립한밭대학교 산학협력단 | 위상 주입 기반의 온도 보상 전압 제어 발진기 |
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| JP2022154191A (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-13 | 株式会社Piezo Studio | 共振回路、発振回路および電子機器 |
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