KR100386175B1 - 전압제어발진기 - Google Patents

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KR100386175B1
KR100386175B1 KR10-2001-0000568A KR20010000568A KR100386175B1 KR 100386175 B1 KR100386175 B1 KR 100386175B1 KR 20010000568 A KR20010000568 A KR 20010000568A KR 100386175 B1 KR100386175 B1 KR 100386175B1
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알프스 덴키 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 목적은 제 1 주파수대와 제 2 주파수대의 주파수비를 크게 하더라도 안정되게 발진시키도록 하는 것이다.
이를 위하여 본 발명에서는 발진트랜지스터(1)의 베이스와 콜렉터 사이에 접속되는 공진회로(8)에는, 중간탭(10a)을 가짐과 함께 한쪽 끝이 접지된 인덕턴스소자(10)와, 인덕턴스소자(10)에 병렬로 접속된 버랙터다이오드(11)와, 온 또는 오프로 전환되는 스위치 트랜지스터(13)를 설치하고, 스위치 트랜지스터(13)의 콜렉터 또는 에미터중 어느 한쪽을 중간탭(10a)에 접속함과 동시에 다른쪽을 접지하였다.

Description

전압제어발진기{VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR}
본 발명은 2개의 주파수 대역에서 발진하도록 구성된 전압제어발진기에 관한것이다.
종래의 전압제어발진기를 도 5에 의거하여 설명한다. 발진트랜지스터(31)의 베이스와 에미터는 각각 소정의 바이어스전압이 주어지고, 전원전압(Vb)이 인가되는 콜렉터는 직류차단 콘덴서(32)에 의해 고주파적으로 접지된다. 그리고 베이스와 에미터의 사이 및 에미터와 그라운드의 사이에 각각 귀환 콘덴서(33, 34)가 접속된다.
또 베이스와 그라운드의 사이에 공진회로(35)가 설치된다.
공진회로(35)는 크랩콘덴서(36), 인덕턴스소자(37), 직류차단 콘덴서(38), 스위치다이오드(39), 직류차단 콘덴서(40), 버랙터다이오드(41) 등을 가지고 있다. 인덕턴스소자(37)는 마이크로 스트립라인으로 구성되고, 그 한쪽 끝은 크랩콘덴서 (36)를 개재하여 발진트랜지스터(31)의 베이스에 접속되고, 다른쪽 끝은 접지된다.버랙터다이오드(41)의 캐소드는 직류차단 콘덴서(40)을 개재하여 인덕턴스소자(37)에 접속되고 애노드가 접지된다. 또 인덕턴스소자(37)에는 그 길이방향의 중간의 위치에 중간탭(37a)이 설치되고 스위치다이오드(39)의 애노드가 직류차단 콘덴서 (38)를 개재하여 중간탭(37a)에 접속되고 캐소드가 접지된다.
그리고 스위치다이오드(39)의 애노드에는 급전저항(42)을 거쳐 하이레벨 또는 로우레벨의 전환전압(Vs)이 인가되도록 되어 있고, 버랙터다이오드(41)의 캐소드에는 초크인덕터(43)를 개재하여 동조전압(Vt)이 인가된다.
스위치다이오드(39)는 로우레벨의 전환전압이 인가되면 비도통이 되어 인덕턴스소자(37)의 중간탭(37a)은 고주파적으로 접지되지 않기 때문에 인덕턴스소자 (37) 전체가 발진주파수의 설정에 기여하여, 전압제어발진기는 제 1 주파수대(약 0.9 GHz 대역)에서 발진한다.
한편, 스위치다이오드(39)는 하이레벨의 전환전압이 인가되었을 때는 도통하고 중간탭(37a)은 고주파적으로 접지된다. 그 결과, 발진주파수의 설정에 기여하는 인덕턴스소자(37)의 길이가 짧아지고 전압제어발진기는 제 1 발진주파수보다도 높은 제 2 주파수대(약 1.8 GHz 4 대역)에서 발진한다.
어느 경우도 발진주파수는 동조전압을 바꿈으로써 변화된다. 발진신호는 발진트랜지스터(31)의 에미터로부터 출력되고, 결합 콘덴서(44)를 개재하여 버퍼증폭기(도시 생략) 등에 입력된다.
상기한 구성에 있어서 제 1 주파수대와 제 2 주파수대의 주파수비를 2배 정도로 크게 하기 위해서는 인덕턴스소자(37)에 있어서의 중간탭(37a)의 위치를 한쪽끝측에 근접시킬 필요가 있으나, 중간탭(37a)의 위치를 한쪽 끝측에 근접시킬 수록 중간탭(37a)에 있어서의 발진신호의 레벨(진폭)이 커져 스위치다이오드(39)의 애노드에는 0.7 볼트 이상의 대진폭의 발진신호가 인가된다. 그렇게 되면 스위치다이오드(39)가 비도통상태(제 1 주파수대에서 발진하고 있을 때)이더라도 발진신호에 의해 스위치다이오드(39)가 정류작용을 일으킨다. 그 결과, 제 1 주파수대에서는 안정된 발진주파수가 얻어지지 않는다는 문제가 발생한다. 바꿔 말하면 2개의 주파수대에서 안정되게 발진시키기 위해서는 주파수의 비를 크게 할 수 없다는 문제가 있었다.
본 발명은 이와 같은 문제를 해결하여 제 1 주파수대와 제 2 주파수대의 주파수비를 크게 하더라도 안정되게 발진시키는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 전압제어발진기의 제 1 실시형태의 구성을 나타내는 회로도,
도 2는 본 발명의 전압제어발진기의 제 2 실시형태의 구성을 나타내는 회로도,
도 3은 본 발명의 전압제어발진기의 제 2 실시형태에 있어서의 변형예의 구성을 나타내는 회로도,
도 4는 본 발명의 전압제어발진기의 제 2 실시형태에 있어서의 다른 변형예의 구성을 나타내는 회로도,
도 5는 종래의 전압제어발진기의 구성을 나타내는 회로도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 발진트랜지스터 2, 3, 4 : 바이어스저항
5 : 직류차단 콘덴서 6, 7 : 귀환 콘덴서
8 : 공진회로 9 : 크랩콘덴서
10 : 인덕턴스소자 10a : 중간탭
11 : 버랙터다이오드 12 : 직류차단 콘덴서
13 : 스위치 트랜지스터 14 : 직류차단 콘덴서
15 : 급전저항 16 : 저항
17 : 초크인덕터 21 : 제 1 인덕턴스소자
22 : 제 2 인덕턴스소자 22a : 제 1 마이크로 스트립라인
22b : 제 2 마이크로 스트립라인 23 : 직류차단 콘덴서
24 : 스위치 트랜지스터 25 : 급전저항
상기 과제를 해결하는 수단으로서, 본 발명의 발진기는 발진트랜지스터와, 상기 발진트랜지스터의 콜렉터와 베이스의 사이에 고주파적으로 접속된 공진회로를 가지고, 상기 공진회로에는 중간탭을 가짐과 동시에 한쪽 끝이 접지된 인덕턴스소자와, 상기 인덕턴스소자에 병렬로 접속된 버랙터다이오드와, 온 또는 오프로 전환되는 스위치트랜지스터를 설치하며, 상기 스위치트랜지스터의 콜렉터 또는 에미터중의 어느 한쪽을 상기 중간탭에 접속함과 동시에 다른쪽을 접지하였다.
또 본 발명의 발진기는 발진트랜지스터와, 상기 발진트랜지스터의 콜렉터와 베이스의 사이에 고주파적으로 접속된 공진회로를 가지고, 상기 공진회로에는 한쪽끝이 접지된 제 1 인덕턴스소자와, 상기 제 1 인덕턴스소자에 병렬로 접속된 버랙터다이오드와, 상기 제 1 인덕턴스소자에 병렬로 접속되는 제 2 인덕턴스소자와, 온 또는 오프로 전환되는 스위치트랜지스터를 설치하여 상기 제 2 인덕턴스소자를 상기 스위치트랜지스터의 콜렉터 및 에미터의 경로를 개재하여 상기 제 1 인덕턴스소자에 병렬로 접속하였다.
또 본 발명의 발진기는 상기 제 2 인덕턴스소자를 마이크로 스트립라인으로 구성함과 동시에 그 길이를 발진주파수 파장의 1/4 이하로 하고, 상기 스위치트랜지스터를 그라운드측에 설치하였다.
또 본 발명의 발진기는 상기 제 2 인덕턴스소자를 마이크로 스트립라인으로 구성함과 동시에 그 길이를 발진주파수 파장의 1/4 이하로 하고, 상기 마이크로스트립라인을 그라운드측에 설치하였다.
또 본 발명의 발진기는 상기 제 2 인덕턴스소자를 제 1 마이크로 스트립라인과 제 2 마이크로 스트립라인으로 구성함과 동시에 상기 제 1 마이크로 스트립라인의 길이와 상기 제 2 마이크로 스트립라인의 길이를 모두 발진주파수 파장의 1/8 이하로 하고, 상기 제 1 마이크로 스트립라인과 상기 제 2 마이크로 스트립라인 사이에 상기 스위치트랜지스터를 설치하였다.
본 발명의 발진기를 도 1 내지 도 4에 의거하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 전압제어발진기의 제 1 실시형태를 나타내고, 발진트랜지스터(1)의 베이스와 에미터에는 바이어스저항(2, 3, 4)에 의해 각각 소정의 바이어스전압이 가해진다. 또 전원전압(Vb)이 인가되는 콜렉터는 직류차단 콘덴서(5)에 의해 고주파적으로 접지된다. 그리고 베이스와 에미터 사이 및 에미터와 그라운드 사이에 각각 귀환콘덴서(6, 7)가 접속되고, 또한 베이스와 그라운드 사이에 공진회로(8)가 설치된다.
공진회로(8)는 크랩콘덴서(9), 마이크로 스트립라인으로 구성된 인덕턴스소자(10), 버랙터다이오드(11) 등에 의해 구성된다.
인덕턴스소자(10)의 한쪽 끝은 크랩콘덴서(9)를 개재하여 발진트랜지스터(1)의 베이스에 접속되고, 다른쪽 끝은 접지된다. 버랙터다이오드(11)의 캐소드는 직류차단 콘덴서(12)를 개재하여 인덕턴스소자(10)의 한쪽 끝에 접속되고, 애노드는 접지된다. 인덕턴스소자(10)에는 그 길이 방향의 중간위치에 중간탭(10a)이 설치되고, 스위치트랜지스터(13)의 콜렉터가 직류차단 콘덴서(14)를 거쳐 중간탭 (10a)에 접속되고, 에미터는 접지된다. 콜렉터에는 급전저항(15)을 개재하여 전원전압이 인가된다.
그 결과, 인덕턴스소자(10)의 다른쪽 끝과 버랙터다이오드(11)의 애노드와 스위치트랜지스터(13)의 에미터가 고주파적으로 발진트랜지스터(1)의 콜렉터에 접속됨으로써, 공진회로(8)는 고주파적으로 발진트랜지스터(1)의 베이스와 콜렉터 사이에 설치된다.
그리고 스위치트랜지스터(13)의 베이스에는 도시 생략한 스위치회로로부터 급전저항(16)을 개재하여 하이레벨 또는 로우레벨의 전환전압(Vs)이 인가되도록 되어 있어, 버랙터다이오드(11)의 캐소드에는 초크인덕터(17)를 개재하여 동조전압 (Vt)이 인가된다.
스위치트랜지스터(13)는 베이스에 로우레벨의 전환전압이 인가되면 콜렉터와에미터 사이가 비도통(off)으로 되고, 인덕턴스소자(10)의 중간탭(10a)은 고주파적으로 접지되지 않기 때문에 인덕턴스소자(10) 전체가 발진주파수의 설정에 기여하여 전압제어발진기는 제 1 주파수대(약 0.9 GHz 대역)에서 발진한다.
이 경우에 있어서 스위치트랜지스터(13)의 콜렉터의 전압은 대략 전원전압과 같아져 있기 때문에 중간탭(10a)에 나타나 있는 발진신호에 의해 용이하게 온되는 일은 없다.
또한 스위치트랜지스터(13)를 도통시킬 때의 베이스전류는 적어도 됨으로 스위치회로의 소비전류는 적어진다.
한편 스위치트랜지스터(13)의 베이스에 하이레벨의 전환전압이 인가되었을 때는 도통(온)하고, 중간탭(10a)은 고주파적으로 접지된다. 그 결과, 공진회로 (35)에 기여하는 인덕턴스소자(10)의 길이가 짧아져 전압제어발진기는 제 1 발진주파수보다도 높은 제 2 주파수대(약 1.8 GHz 대역)에서 발진한다.
어느 경우도 발진주파수는 동조전압을 바꿈으로써 변화한다. 발진신호는 발진트랜지스터(31)의 에미터로부터 출력되어 결합콘덴서(18)를 개재하여 버퍼증폭기(도시 생략) 등에 입력된다.
그리고 인덕턴스소자(10)에 있어서의 중간탭(10a)의 위치를 한쪽 끝측에 근접시키면 발진신호의 레벨(진폭)이 커지나, 상기 구성에 있어서는 스위치트랜지스터(13)의 비도통상태(제 1 주파수대에서 발진하고 있을 때)에서는 콜렉터에 전원전압이 인가되어 있기 때문에, 스위치트랜지스터(13)가 도통하는 일은 없다. 따라서 제 2 주파수대를 더욱 높게 하는 것이 가능하게 되기 때문에, 제 1 주파수대와 제2 주파수대의 비를 크게 할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시형태를 나타내고, 공진회로(8)는 크랩콘덴서(9),제 1 인덕턴스소자(21), 제 2 인덕턴스소자(22), 버랙터다이오드(11) 등에 의해 구성된다.
여기서 제 1 인덕턴스소자(21) 및 제 2 인덕턴스소자(22)는 각각 마이크로 스트립라인에 의해 구성되고, 그 선로길이는 발진주파수 파장의 1/4 이하로 되어 있다.
제 1 인덕턴스소자(21)의 한쪽 끝은 직류차단 콘덴서(23)를 개재하여 크랩콘덴서(9)에 접속되고, 다른쪽 끝은 접지된다. 버랙터다이오드(11)의 캐소드는 직류차단 콘덴서(12)를 개재하여 크랩콘덴서(9)에 접속되고, 애노드는 접지된다. 또 제 2 인덕턴스소자(22)의 한쪽 끝은 크랩콘덴서(9)에 접속되고, 다른쪽 끝은 스위치트랜지스터(24)의 콜렉터에 접속된다. 스위치트랜지스터(24)의 에미터는 접지된다. 스위치트랜지스터(24)의 콜렉터에는 급전저항(25), 제 2 인덕턴스소자(22)를 직렬로 개재하여 전원전압이 인가된다.
그 결과, 제 2 인덕턴스소자(22)는 스위치트랜지스터(24)의 콜렉터 및 에미터의 경로를 개재하여 제 1 인덕턴스소자(21)에 병렬로 접속된다.
또 제 1 인덕턴스소자(21)의 다른쪽 끝과 버랙터다이오드(11)의 애노드와 스위치트랜지스터(24)의 에미터가 고주파적으로 발진트랜지스터(1)의 콜렉터에 접속됨으로써, 공진회로(8)는 고주파적으로는 발진트랜지스터(1)의 베이스와 콜렉터 사이에 설치된다.
그리고 스위치트랜지스터(24)의 베이스에는 급전저항(16)을 개재하여 하이레벨 또는 로우레벨의 전환전압(Vs)이 인가되게 되어 있고, 버랙터다이오드(11)의 캐소드에는 초크인덕터(17)를 개재하여 동조전압(Vt)이 인가된다.
스위치트랜지스터(24)는 베이스에 로우레벨의 전환전압이 인가되면 콜렉터와 에미터 사이가 비도통(오프)이 되어 제 2 인덕턴스소자(22)의 다른쪽 끝은 해방상태가 되고, 제 1 인덕턴스소자(21)와 제 2 인덕턴스소자(22)는 병렬로 접속되지 않고, 주로 제 1 마이크로 스트립라인(21)이 발진주파수의 설정에 기여하고 제 1 주파수대(약 0.9 GHz 대역)에서 발진한다. 이 경우에 있어서 제 2 인덕턴스소자(22)의 다른쪽 끝은 해방상태로 되어 있기 때문에 발진스위치 트랜지스터(24)의 콜렉터에는 높은 레벨의 발진신호가 가해지나, 스위치트랜지스터(24)는 그 베이스에 로우레벨의 전환전압이 인가됨으로써 콜렉터에는 전원전압이 인가되어 있기 때문에 온되는 일은 없다.
한편, 스위치트랜지스터(24)의 베이스에 하이레벨의 전환전압이 인가되었을 때는 도통(온)하고 제 2 인덕턴스소자(22)의 다른쪽 끝은 고주파적으로 접지된다. 그 결과 제 1 인덕턴스소자(21)와 제 2 인덕턴스소자(22)가 서로 병렬로 접속되어, 제 1 발진주파수보다도 높은 제 2 주파수대(약 1.8 GHz 대역)에서 발진한다.
또한 제 2 인덕턴스소자(22)를 마이크로 스트립라인에 의해 구성하여 두면, 스위치트랜지스터(24)의 비도통시에는 제 2 인덕턴스소자(22)는 용량성분으로서 제 1 인덕턴스소자(21)에 병렬로 접속되기 때문에 제 1 주파수대는 낮아지고, 제 1 주파수대와 제 2 주파수대의 주파수비를 크게 하는 것이 가능해진다.
도 3은 제2도에 나타낸 제 2 실시형태의 변형예이며, 제 2 인덕턴스소자(22)와 스위치트랜지스터(24)의 위치를 서로 반대로 한 구성으로 되어 있다.
즉, 제 2 인덕턴스소자(22)의 다른쪽 끝은 접지되고, 한쪽 끝은 스위치트랜지스터(24)의 에미터에 접속된다. 그리고 스위치트랜지스터(24)의 콜렉터가 크랩콘덴서(9)에 접속된다. 콜렉터에는 급전저항(25)을 개재하여 전원전압이 인가된다. 그 밖의 구성은 도 1과 동일하다.
이 경우에 있어서도 스위치트랜지스터(24)의 비도통시에 제 1 주파수대에서 발진하고, 도통시에 제 2 주파수대에서 발진하나, 비도통시에는 제 2 인덕턴스소자 (22)의 한쪽 끝이 제 1 인덕턴스소자(21)로부터 분리되기 때문에 제 1 발진주파수에 대하여 영향을 미치지 않는다. 따라서 제 1 주파수대의 발진주파수는 제 1 인덕턴스(21)만에 의해 설정할 수 있다.
또 제 2 인덕턴스소자(22)의 다른쪽 끝이 접지되고, 한쪽 끝이 스위치트랜지스터(24)를 개재하여 크랩콘덴서(9)에 접속되기 때문에 제 2 마이크로스트립라인 (22)을 마이크로 스트립라인으로 구성한 경우에는 스위치트랜지스터(24)의 도통시에 있어서의 등가적인 저항(포화저항)이 개재되더라도 스위치트랜지스터(24)의 콜렉터로부터 제 2 인덕턴스소자(22)측을 본 Q는 높아진다.
도 4는 도 2에 나타낸 제 2 실시형태의 다른 변형예이고, 제 2 인덕턴스소자 (22)를 제 1 마이크로 스트립라인(22a)과 제 2 마이크로 스트립라인(22b)의 2개의 마이크로 스트립라인으로 분할하여 설치하고, 제 1 마이크로 스트립라인(22a)과 제 2 마이크로 스트립라인(22b) 사이에 스위치트랜지스터(24)를 설치한 구성으로 하고있다. 제 1 마이크로 스트립라인(22a)의 길이와 제 2 마이크로 스트립라인(22b)의 길이는 서로 같고, 또한 발진주파수 파장의 1/8 이하로 하고 있다.
즉, 제 1 마이크로 스트립라인(22a)의 한쪽 끝은 크랩콘덴서(9)에 접속하고, 다른쪽 끝은 스위치트랜지스터(24)의 콜렉터에 접속하고, 스위치트랜지스터(24)의 에미터에 제 2 마이크로 스트립라인(22b)의 한쪽 끝을 접속하고, 다른쪽 끝을 접지하고 있다.
이 구성에 있어서는 스위치트랜지스터(24)의 비도통시에는 제 1 마이크로 스트립라인(22a)의 다른쪽 끝이 해방됨으로 제 1 주파수대에서 발진하고, 도통시에는 제 1 마이크로 스트립라인(22a)과 제 2 마이크로 스트립라인(22b)이 서로 직렬로 접속되어 제 1 인덕턴스(21)에 병렬로 접속됨으로 제 2 주파수대에서 발진한다. 그리고 제 1 주파수대에서 발진할 때에는 제 1 마이크로 스트립라인 (22a)만이 다른쪽 끝이 해방된 상태로 제 1 인덕턴스소자(22)에 접속되어 있으므로 용량성분으로서 제 1 인덕턴스소자(21)에 병렬로 접속되게 되어 제 1 주파수대가 낮아져 제 2 주파수대와의 비를 크게 하는 것이 가능하다.
또 스위치다이오드(24)가 도통한 경우는 스위치트랜지스터(24)에 의한 등가적인 저항(포화저항)이 제 1 마이크로 스트립라인(22a)과 제 2 마이크로 스트립라인(22b) 사이에 개재하기 때문에 이것을 포함한 제 2 인덕턴스소자(22)의 Q는 도 2에 있어서의 Q와 도면에 있어서의 Q와의 중간치가 된다.
또한 스위치트랜지스터(24)로서는 도시한 바와 같이 NPN 형의 트랜지스터를 사용하였으나, PNP 형의 트랜지스터이어도 된다. PNP 형의 트랜지스터를 사용한경우는 도 1 내지 도 4에 있어서의 콜렉터를 에미터로 하고, 에미터를 콜렉터로 하면 된다.
또 발진트랜지스터(1)의 콜렉터를 고주파적으로 접지하였으나, 베이스를 고주파적으로 접지하는 구성으로 하여도 된다.
이상과 같이 본 발명의 발진기는 발진트랜지스터의 베이스와 콜렉터 사이에 접속되는 공진회로에는, 중간탭을 가짐과 동시에 한쪽 끝이 접지된 인덕턴스소자와, 인덕턴스소자에 병렬로 접속된 버랙터다이오드와, 온 또는 오프로 전환되는 스위치트랜지스터를 설치하고, 스위치트랜지스터의 콜렉터 또는 에미터중의 어느 한쪽을 중간탭에 접속함과 동시에 다른쪽을 접지하였기 때문에, 스위치트랜지스터가 비도통이 되어 제 1 주파수대에서 발진하고 있을 때에는 스위치트랜지스터의 콜렉터의 전압은 대략 전원전압과 같아져 있어, 중간탭에 나타나 있는 발진신호에 의해 용이하게 온되는 일은 없다. 따라서 제 1 주파수대와 제 2 주파수대의 주파수비를 크게 하는 것이 가능해진다.
또한 스위치트랜지스터를 도통시킬 때의 베이스전류는 적어도 되기 때문에 스위치회로의 소비전류는 적어진다.
또 본 발명의 발진기는 공진회로에는 한쪽 끝이 접지된 제 1 인덕턴스소자와, 제 1 인덕턴스소자에 병렬로 접속된 버랙터다이오드와, 제 1 인덕턴스소자에 병렬로 접속되는 제 2 인덕턴스소자와, 온 또는 오프로 전환되는 스위치트랜지스터를 설치하고, 제 2 인덕턴스소자를 스위치트랜지스터의 콜렉터 및 에미터의 경로를개재하여 제 1 인덕턴스소자에 병렬로 접속하였기 때문에 스위치트랜지스터가 오프상태에서는 발진신호에 의해 온되는 일이 없다.
또, 본 발명의 발진기는 제 2 인덕턴스소자를 마이크로 스트립라인으로 구성함과 더불어, 그 길이를 발진주파수 파장의 1/4 이하로 하고, 스위치트랜지스터를 그라운드측에 설치하였기 때문에, 스위치트랜지스터 오프상태에서는 제 2 인덕턴스소자는 용량성분으로서 제 1 인덕턴스소자에 병렬로 접속됨으로 제 1 주파수대는 낮아져 제 1 주파수대와 제 2 주파수대의 주파수비를 크게 하는 것이 가능하게 된다.
또 본 발명의 발진기는 제 2 인덕턴스소자를 마이크로 스트립라인으로 구성함과 더불어, 그 길이를 발진주파수 파장의 1/4 이하로 하고, 마이크로 스트립라인을 그라운드측에 설치하였기 때문에, 스위치 트랜지스터의 비도통시에는 제 2 인덕턴스소자의 한쪽 끝이 제 1 인덕턴스소자로부터 분리됨으로, 제 1 발진주파수에 대하여 영향을 미치지 않는다. 따라서 제 1 주파수대의 발진주파수는 제 1 인덕턴스만에 의해 설정할 수 있다.
또 제 2 인덕턴스소자의 다른쪽 끝이 접지되어 있기 때문에, 스위치트랜지스터의 도통시에 있어서의 등가적인 저항(포화저항)이 개재하더라도 스위치트랜지스터의 콜렉터로부터 제 2 인덕턴스소자측을 본 Q는 높아진다.
또 본 발명의 발진기는 제 2 인덕턴스소자를 제 1 마이크로 스트립라인과 제 2 마이크로 스트립라인으로 구성함과 더불어, 제 1 마이크로 스트립라인의 길이와 제 2 마이크로 스트립라인의 길이를 모두 발진주파수 파장의 1/8 이하로 하고, 제1마이크로 스트립라인과 제 2 마이크로 스트립라인 사이에 스위치트랜지스터를 설치하였기 때문에 스위치트랜지스터의 비도통시에는 제 1 마이크로 스트립라인의 다른쪽 끝이 해방됨으로, 제 1 마이크로 스트립라인만이 다른쪽 끝 해방상태에서 제 1 인덕턴스소자에 접속되어 있기 때문에 용량성분으로서 제 1 인덕턴스소자에 병렬로 접속되게 되어 제 1 주파수대가 낮아져 제 2 주파수대와의 비를 크게 하는 것이 가능하다.

Claims (5)

  1. 삭제
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  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 발진트랜지스터와, 상기 발진트랜지스터의 콜렉터와 베이스 사이에 고주파적으로 접속된 공진회로를 가지고, 상기 공진회로에는 한쪽 끝이 접지된 제 1 인덕턴스소자와, 상기 제 1 인덕턴스소자에 병렬로 접속된 버랙터다이오드와, 상기 제 1 인덕턴스소자에 병렬로 접속되는 제 2 인덕턴스소자와, 온 또는 오프로 전환되는 스위치트랜지스터를 설치하고, 상기 제 2 인덕턴스소자를 상기 스위치트랜지스터의 콜렉터 및 에미터의 경로를 개재하여 상기 제 1 인덕턴스소자에 병렬로 접속되는 전압제어발진기에 있어서,
    상기 제 2 인덕턴스소자를 제 1 마이크로 스트립라인과 제 2 마이크로스트립라인으로 구성함과 동시에 상기 제 1 마이크로 스트립라인의 길이와 상기 제 2 마이크로 스트립라인의 길이를 모두 발진주파수 파장의 1/8 이하로 하고, 상기 제 1 마이크로 스트립라인과 상기 제 2 마이크로 스트립라인 사이에 상기 스위치트랜지스터를 설치한 것을 특징으로 하는 전압제어발진기.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005311762A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 可変整合回路
EP3907152B1 (en) 2019-03-26 2023-08-23 Sekisui Chemical Co., Ltd. Water-soluble packaging film

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06132727A (ja) * 1992-10-22 1994-05-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射型ｖｃｏ回路
JPH07183726A (ja) * 1993-12-24 1995-07-21 Nec Eng Ltd 電圧制御発振器
JPH08316731A (ja) * 1995-05-22 1996-11-29 Tdk Corp 電圧制御発振器
KR19980702555A (ko) * 1995-02-28 1998-07-15 챨스 엘. 무어, 주니어 고전력 저잡음의 전압-제어형 발진기
KR19990005681A (ko) * 1997-06-30 1999-01-25 이형도 버랙터다이오드를 내장한 전압제어발진기
EP0911960A1 (en) * 1997-10-21 1999-04-28 Alps Electric Co., Ltd. Resonance circuit for balanced oscillator
KR19990058814A (ko) * 1997-12-30 1999-07-26 윤종용 동축 공진기를 이용한 전압 제어 발진기
JPH11330851A (ja) * 1998-05-11 1999-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発振器
KR20000040788A (ko) * 1998-12-19 2000-07-05 이형도 듀얼밴드 전압제어발진회로

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06132727A (ja) * 1992-10-22 1994-05-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射型ｖｃｏ回路
JPH07183726A (ja) * 1993-12-24 1995-07-21 Nec Eng Ltd 電圧制御発振器
KR19980702555A (ko) * 1995-02-28 1998-07-15 챨스 엘. 무어, 주니어 고전력 저잡음의 전압-제어형 발진기
JPH08316731A (ja) * 1995-05-22 1996-11-29 Tdk Corp 電圧制御発振器
KR19990005681A (ko) * 1997-06-30 1999-01-25 이형도 버랙터다이오드를 내장한 전압제어발진기
EP0911960A1 (en) * 1997-10-21 1999-04-28 Alps Electric Co., Ltd. Resonance circuit for balanced oscillator
KR19990058814A (ko) * 1997-12-30 1999-07-26 윤종용 동축 공진기를 이용한 전압 제어 발진기
JPH11330851A (ja) * 1998-05-11 1999-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発振器
KR20000040788A (ko) * 1998-12-19 2000-07-05 이형도 듀얼밴드 전압제어발진회로

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