JP2521963B2 - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
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- JP2521963B2 JP2521963B2 JP62164182A JP16418287A JP2521963B2 JP 2521963 B2 JP2521963 B2 JP 2521963B2 JP 62164182 A JP62164182 A JP 62164182A JP 16418287 A JP16418287 A JP 16418287A JP 2521963 B2 JP2521963 B2 JP 2521963B2
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- Japan
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- transistor
- circuit
- capacitor
- collector
- oscillation
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、広い周波数範囲の受信機の局部発振に好適
な発振回路に関する。
な発振回路に関する。
〔発明の概要〕 本発明は、コレクタ接地接続の第１のトランジスタの
ベースと、ベース接地接続の第２のトランジスタのコレ
クタとを、それぞれ小容量のコンデンサを介して、並列
共振回路に接続すると共に、両トランジスタのエミッタ
をコンデンサを介して接続することにより、発振回路の
帰還量を周波数と共に増大させて、広い周波数範囲で安
定な発振強度が得られるようにしたものである。
ベースと、ベース接地接続の第２のトランジスタのコレ
クタとを、それぞれ小容量のコンデンサを介して、並列
共振回路に接続すると共に、両トランジスタのエミッタ
をコンデンサを介して接続することにより、発振回路の
帰還量を周波数と共に増大させて、広い周波数範囲で安
定な発振強度が得られるようにしたものである。
従来の多バンドAM受信機において、第１中間周波数
を、例えば10.7MHのように高く選定して、局部周波数の
切換を簡単にしたものが知られている。
を、例えば10.7MHのように高く選定して、局部周波数の
切換を簡単にしたものが知られている。
このような受信機の局部発振回路は、例えば第３図に
示すように、マルチバイブレータ型に構成される。
示すように、マルチバイブレータ型に構成される。
第３図において（10）は集積回路内に形成されたマル
チバイブレータであって、トランジスタ（11）及び（1
2）のエミッタが共通に接続され、定電流源（13）を介
して接地される。１対のトランジスタ（11）及び（12）
の各ベースがそれぞれ他方のトランジスタのコレクタと
接続される。
チバイブレータであって、トランジスタ（11）及び（1
2）のエミッタが共通に接続され、定電流源（13）を介
して接地される。１対のトランジスタ（11）及び（12）
の各ベースがそれぞれ他方のトランジスタのコレクタと
接続される。
（20）は並列共振回路であって、コイル（21）及び可
変容量ダイオード（22）の各両端が、それぞれコンデン
サ（23）及びバイパスコンデンサCbを介して接続され
る。
変容量ダイオード（22）の各両端が、それぞれコンデン
サ（23）及びバイパスコンデンサCbを介して接続され
る。
この並列共振回路（20）がマルチバイブレータ（10）
のトランジスタ（11）及び（12）の各コレクタ間に接続
される。トランジスタ（11）のコレクタとコイル（21）
との接続中点が電源端子（１）に接続され、可変容量ダ
イオード（22）のカソードが抵抗器（25）を介して選局
電圧端子（２）に接続されると共に、可変容量ダイオー
ド（22）のアノードが接地される。
のトランジスタ（11）及び（12）の各コレクタ間に接続
される。トランジスタ（11）のコレクタとコイル（21）
との接続中点が電源端子（１）に接続され、可変容量ダ
イオード（22）のカソードが抵抗器（25）を介して選局
電圧端子（２）に接続されると共に、可変容量ダイオー
ド（22）のアノードが接地される。
端子（２）に供給される選局直流電圧Vtが、例えば1.
2V〜9.0Vの範囲で変化すると、ダイオード（22）の容量
C22が、例えば430pF〜40pFの範囲で変化して、第３図の
発振回路の発振周波数は、例えばf min＝11.2MHzからf
max＝36.7MHzまで変化して、中波帯の0.53MHzから短波
帯の26.1MHzにわたる広い受信周波数に対応する。
2V〜9.0Vの範囲で変化すると、ダイオード（22）の容量
C22が、例えば430pF〜40pFの範囲で変化して、第３図の
発振回路の発振周波数は、例えばf min＝11.2MHzからf
max＝36.7MHzまで変化して、中波帯の0.53MHzから短波
帯の26.1MHzにわたる広い受信周波数に対応する。
なお、選局直流電圧Vtは、図示を省略するが、この発
振回路を含んで構成される公知の周波数合成回路（PL
L）の低域フィルタから供給される。
振回路を含んで構成される公知の周波数合成回路（PL
L）の低域フィルタから供給される。
ところが、前述のような従来の発振回路では、その発
振周波数の可変範囲（f max/f min）が例えば3.28倍と
拾いため、f min及びf maxの近傍において、充分な発振
強度が得られず、動作が不安定になるという問題があっ
た。
振周波数の可変範囲（f max/f min）が例えば3.28倍と
拾いため、f min及びf maxの近傍において、充分な発振
強度が得られず、動作が不安定になるという問題があっ
た。
また、周波数の可変範囲を広くするために、コンデン
サ（23）の容量が可変容量ダイオード（22）の容量の最
大値よりも１桁以上大きく、例えば0.01μＦ程度に設定
される。選局電圧端子（２）側から見ると、このコンデ
ンサ（23）が可変容量ダイオード（22）と並列になり、
例えば100KΩの抵抗の抵抗器（25）と共に、時定数の大
きい低域フィルタが形成される。このため、選局時、前
述の周波数合成回路（PLL）（図示を省略）の分周器の
分周比の変化と、この変化に対応して変化した選局直流
電圧Vtが可変容量ダイオード（22）に印加されるタイミ
ングとがずれて、PLLの動作が不安定となり、サイドバ
ンド・ノイズが発生するという問題があった。
サ（23）の容量が可変容量ダイオード（22）の容量の最
大値よりも１桁以上大きく、例えば0.01μＦ程度に設定
される。選局電圧端子（２）側から見ると、このコンデ
ンサ（23）が可変容量ダイオード（22）と並列になり、
例えば100KΩの抵抗の抵抗器（25）と共に、時定数の大
きい低域フィルタが形成される。このため、選局時、前
述の周波数合成回路（PLL）（図示を省略）の分周器の
分周比の変化と、この変化に対応して変化した選局直流
電圧Vtが可変容量ダイオード（22）に印加されるタイミ
ングとがずれて、PLLの動作が不安定となり、サイドバ
ンド・ノイズが発生するという問題があった。
そこで、従来の多バンドAM受信機では、局部発振周波
数の可変範囲をf max/f min≒２程度に狭く選定し、２
個の共振回路を使用すると共に、図示のように、適宜の
ダイピング抵抗器Rdを接続することにより、所要の全周
波数範囲にわたって充分な発振強度が得られるようにし
ていた。この場合、共振回路の切換えが必要となって、
構成が複雑になると共に、原価が上昇するという問題が
あった。
数の可変範囲をf max/f min≒２程度に狭く選定し、２
個の共振回路を使用すると共に、図示のように、適宜の
ダイピング抵抗器Rdを接続することにより、所要の全周
波数範囲にわたって充分な発振強度が得られるようにし
ていた。この場合、共振回路の切換えが必要となって、
構成が複雑になると共に、原価が上昇するという問題が
あった。
かかる点に鑑み、本発明の目的は、簡単な構成で、広
い周波数範囲にわたって安定に発振する発振回路を提供
するところにある。
い周波数範囲にわたって安定に発振する発振回路を提供
するところにある。
本発明は、並列共振回路（20A）と、コレクタ接地接
続の第１のトランジスタ（31）と、ベース接地接続の第
２のトランジスタ（32）とを具備し、第１のトランジス
タのベース及び第２のトランジスタのコレクタと、並列
共振回路とをそれぞれ第１及び第２の小容量コンデンサ
（27）及び（28）を介して接続すると共に、第１及び第
２のトランジスタの各エミッタをコンデンサ（35）を介
して発振回路である。
続の第１のトランジスタ（31）と、ベース接地接続の第
２のトランジスタ（32）とを具備し、第１のトランジス
タのベース及び第２のトランジスタのコレクタと、並列
共振回路とをそれぞれ第１及び第２の小容量コンデンサ
（27）及び（28）を介して接続すると共に、第１及び第
２のトランジスタの各エミッタをコンデンサ（35）を介
して発振回路である。
かかる構成によれば、発振回路の帰還量が周波数と共
に増大して、広い周波数範囲にわたって安定に動作す
る。
に増大して、広い周波数範囲にわたって安定に動作す
る。
以下、第１図及び第２図を参照しながら、本発明によ
る発振回路の一実施例について説明する。
る発振回路の一実施例について説明する。
本発明の一実施例の構成を第１図に示す。この第１図
において、第３図に対応する部分には同一の部号を付し
て一部の説明を省略する。
において、第３図に対応する部分には同一の部号を付し
て一部の説明を省略する。
第１図において、（20A）は並列共振回路であって、
１対の可変容量ダイオード（22A）及び（22B）のカソー
ドが共通に接続され、一方の可変容量ダイオード（22
A）のアノードがコイル（21）の一端に接続されると共
に、他方の可変容量ダイオード（22B）のアノードとコ
イル（21）の他端とが接地される。両可変容量ダイオー
ド（22A）及び（22B）のカソードは、抵抗器（25）を介
して、選局電圧端子（２）に接続される。
１対の可変容量ダイオード（22A）及び（22B）のカソー
ドが共通に接続され、一方の可変容量ダイオード（22
A）のアノードがコイル（21）の一端に接続されると共
に、他方の可変容量ダイオード（22B）のアノードとコ
イル（21）の他端とが接地される。両可変容量ダイオー
ド（22A）及び（22B）のカソードは、抵抗器（25）を介
して、選局電圧端子（２）に接続される。
第１及び第２のトランジスタ（31）及び（32）の各エ
ミッタが、それぞれ抵抗器（33）及び（34）を介して接
地されると共に、コンデンサ（35）を介して接続され
る。第１のトランジスタ（31）のコレクタが直接に電源
端子（１）に接続されると共に、第２のトランジスタ
（32）のコレクタが抵抗器（36）を介して電源端子
（１）に接続される。両トランジスタ（31）及び（32）
の各コレクタ及びベース間に抵抗器（37）及び（38）が
接続されると共に、第２のトランジスタ（32）のベース
がバイパスコンデンサCbを介して接地される。
ミッタが、それぞれ抵抗器（33）及び（34）を介して接
地されると共に、コンデンサ（35）を介して接続され
る。第１のトランジスタ（31）のコレクタが直接に電源
端子（１）に接続されると共に、第２のトランジスタ
（32）のコレクタが抵抗器（36）を介して電源端子
（１）に接続される。両トランジスタ（31）及び（32）
の各コレクタ及びベース間に抵抗器（37）及び（38）が
接続されると共に、第２のトランジスタ（32）のベース
がバイパスコンデンサCbを介して接地される。
並列共振回路（20A）のコイル（21）及び可変容量ダ
イオード（22A）のアノードの接続中点Ｐが、それぞれ
小容量のコンデンサ（27）及び（28）を介して、トラン
ジスタ（31）のベースとトランジスタ（32）のコレクタ
に接続される。
イオード（22A）のアノードの接続中点Ｐが、それぞれ
小容量のコンデンサ（27）及び（28）を介して、トラン
ジスタ（31）のベースとトランジスタ（32）のコレクタ
に接続される。
本実施例においては、上述のような接続により、第１
のトランジスタ（31）のベース→エミッタ→コンデンサ
（35）→トランジスタ（32）のエミッタ→コレクタ→コ
ンデンサ（28）→接続中点Ｐ→コンデンサ（27）→トラ
ンジスタ（31）のベースの正帰還ループが形成され、こ
の正帰還ループ内の接続中点Ｐに並列共振回路（20A）
の一端が接続されて発振回路が構成される。
のトランジスタ（31）のベース→エミッタ→コンデンサ
（35）→トランジスタ（32）のエミッタ→コレクタ→コ
ンデンサ（28）→接続中点Ｐ→コンデンサ（27）→トラ
ンジスタ（31）のベースの正帰還ループが形成され、こ
の正帰還ループ内の接続中点Ｐに並列共振回路（20A）
の一端が接続されて発振回路が構成される。
そして、正帰還ループ内では、適宜の容量のコンデン
サ（35）とベース接地接続のトランジスタ（32）の低い
入力抵抗Riとから高域フィルタが形成される。これによ
り、第２図に示すように、正帰還ループの帰還量が周波
数と共に増大して、f max/f min３のような広い周波
数範囲にわたって、略一定の発振強度が得られる。
サ（35）とベース接地接続のトランジスタ（32）の低い
入力抵抗Riとから高域フィルタが形成される。これによ
り、第２図に示すように、正帰還ループの帰還量が周波
数と共に増大して、f max/f min３のような広い周波
数範囲にわたって、略一定の発振強度が得られる。
また、選局電圧端子（２）から並列共振回路（20A）
を見た場合、後述のように、コンデンサ（27）及び（2
8）の容量が小さく設定されるため、両可変容量ダイオ
ード（22A）及び（22B）が並列となって、抵抗器（25）
と共に形成する低域フィルタの時定数が小さくなり、サ
イドバンド・ノイズが減少する。
を見た場合、後述のように、コンデンサ（27）及び（2
8）の容量が小さく設定されるため、両可変容量ダイオ
ード（22A）及び（22B）が並列となって、抵抗器（25）
と共に形成する低域フィルタの時定数が小さくなり、サ
イドバンド・ノイズが減少する。
第１図中の符号を添字として、本実施例の各素子の電
気定数を次に例示する。
気定数を次に例示する。
L21＝１μＨ C22＝40〜430pF C27＝2.2pF C28＝6.8pF C35＝100pF R25＝100KΩ R33＝1KΩ R34＝1KΩ 電源電圧Vccが低い場合、抵抗器（36）の抵抗を小さ
く設定すると共に、これと直列に適宜のチョークコイル
を接続してもよい。
く設定すると共に、これと直列に適宜のチョークコイル
を接続してもよい。
また、コイル（21）に並列に、適宜のダンピング抵抗
器を接続して、可変容量ダイオード（22A），（22B）に
加わる発振信号の振幅を制限し、そのC/Nを改善するこ
とができる。
器を接続して、可変容量ダイオード（22A），（22B）に
加わる発振信号の振幅を制限し、そのC/Nを改善するこ
とができる。
なお、上述の実施例では、バイポーラ・トランジスタ
を用いているが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではなく、電界効果トランジスタの場合にも同様に適用
することができる。この場合、各電極名はそれぞれ対応
するものに読み替えられる。
を用いているが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではなく、電界効果トランジスタの場合にも同様に適用
することができる。この場合、各電極名はそれぞれ対応
するものに読み替えられる。
以上詳述のように、本発明によれば、コレクタ接地接
続の第１のトランジスタのベースと、ベース接地接続の
第２のトランジスタのコレクトとを、それぞれ小容量の
コンデンサを介して、並列共振回路に接続すると共に、
両トランジスタのエミッタをコンデンサを介して接続し
たので帰還量が周波数と共に増大して、簡単な構成で広
い周波数範囲にわたって安定に発振する発振回路が得ら
れる。
続の第１のトランジスタのベースと、ベース接地接続の
第２のトランジスタのコレクトとを、それぞれ小容量の
コンデンサを介して、並列共振回路に接続すると共に、
両トランジスタのエミッタをコンデンサを介して接続し
たので帰還量が周波数と共に増大して、簡単な構成で広
い周波数範囲にわたって安定に発振する発振回路が得ら
れる。
第１図は本発明による発振回路の一実施例の構成を示す
結線図、第２図は第１図の実施例の動作を説明するため
の線図、第３図は従来の発振回路の構成例を示す結線図
である。 （20A）は並列共振回路、（22A），（22B）は可変容量
ダイオード、（27,（28）は小容量コンデンサ、（3
1），（32）はトランジスタ、（35）はコンデンサであ
る。
結線図、第２図は第１図の実施例の動作を説明するため
の線図、第３図は従来の発振回路の構成例を示す結線図
である。 （20A）は並列共振回路、（22A），（22B）は可変容量
ダイオード、（27,（28）は小容量コンデンサ、（3
1），（32）はトランジスタ、（35）はコンデンサであ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】並列共振回路と、コレクタ接地接続の第１
のトランジスタと、ベース接地接続の第２のトランジス
タとを具備し、 上記第１のトランジスタのベース及び上記第２のトラン
ジスタのコレクタと、上記並列共振回路とをそれぞれ第
１及び第２の小容量コンデンサを介して接続すると共
に、 上記第１及び第２のトランジスタの各エミッタをコンデ
ンサを介して接続したことを特徴とする発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62164182A JP2521963B2 (ja) | 1987-07-01 | 1987-07-01 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62164182A JP2521963B2 (ja) | 1987-07-01 | 1987-07-01 | 発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS648704A JPS648704A (en) | 1989-01-12 |
| JP2521963B2 true JP2521963B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=15788263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62164182A Expired - Lifetime JP2521963B2 (ja) | 1987-07-01 | 1987-07-01 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2521963B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0744383B2 (ja) * | 1989-04-20 | 1995-05-15 | 三洋電機株式会社 | 発振回路 |
| US5055804A (en) * | 1989-06-21 | 1991-10-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Oscillator |
| WO2003010881A1 (fr) * | 2001-07-25 | 2003-02-06 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | Oscillateur |
| JP6223138B2 (ja) * | 2013-11-15 | 2017-11-01 | 三菱電機株式会社 | 高周波回路及び高周波発振器 |
-
1987
- 1987-07-01 JP JP62164182A patent/JP2521963B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS648704A (en) | 1989-01-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080531 Year of fee payment: 12 |