JPH07176952A - 発振器 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
Abstract
(57)【要約】
【目的】ノイズの低減を図れ、また、発振キャリアが電
源、グランドへ回らず安定に動作し、弱電界においても
疑似ロック、高周波ビートの発生を防止でき、ひいては
テレビジョン画像の画質の向上を図れる発振器を実現す
る。 【構成】差動対を構成する発振用トランジスタＱ1 ，Ｑ
2 を備えた発振回路ＯＳＣと、発振用トランジスタ
Ｑ1 ，Ｑ2 のベースに共通に接続された共振回路ＲＳＮ
ａとを有する発振器において、発振トランジスタＱ1 ，
Ｑ2 のベース間をコインＬ2 にて短絡するとともに、共
振回路ＲＳＮａに並列に中点タップコイルＬ3を接続
し、さらに共振回路ＲＳＮａの可変容量ダイオードＶＣ
1 ，ＶＣ2 のドライブをコイルＬ4 で行う。これによ
り、低域ノイズの発生を防止できるとともに、完全バラ
ンス動作を実現でき、発振キャリアの電源、グランドへ
の回り込み等を回避でき、テレビジョンの画像ノイズを
低減できる。
源、グランドへ回らず安定に動作し、弱電界においても
疑似ロック、高周波ビートの発生を防止でき、ひいては
テレビジョン画像の画質の向上を図れる発振器を実現す
る。 【構成】差動対を構成する発振用トランジスタＱ1 ，Ｑ
2 を備えた発振回路ＯＳＣと、発振用トランジスタ
Ｑ1 ，Ｑ2 のベースに共通に接続された共振回路ＲＳＮ
ａとを有する発振器において、発振トランジスタＱ1 ，
Ｑ2 のベース間をコインＬ2 にて短絡するとともに、共
振回路ＲＳＮａに並列に中点タップコイルＬ3を接続
し、さらに共振回路ＲＳＮａの可変容量ダイオードＶＣ
1 ，ＶＣ2 のドライブをコイルＬ4 で行う。これによ
り、低域ノイズの発生を防止できるとともに、完全バラ
ンス動作を実現でき、発振キャリアの電源、グランドへ
の回り込み等を回避でき、テレビジョンの画像ノイズを
低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、広帯域の受信を行うテ
レビジョンチューナなどに適用される発振器に関するも
のである。
レビジョンチューナなどに適用される発振器に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のこの種の発振器の基本構
成を示す回路図である。図４において、ＯＳＣは発振回
路、ＲＳＮは共振回路、ＭＩＸは混合回路、ＡＭＰDCは
ＤＣアンプをそれぞれ示している。
成を示す回路図である。図４において、ＯＳＣは発振回
路、ＲＳＮは共振回路、ＭＩＸは混合回路、ＡＭＰDCは
ＤＣアンプをそれぞれ示している。
【０００３】発振回路ＯＳＣは、集積化されており、差
動型コルピッツ発振回路を構成するｎｐｎ形トランジス
タＱ1 ，Ｑ2 、差動出力段を構成するｎｐｎ形トランジ
スタＱ3 ，Ｑ4 、発振用ｎｐｎ形トランジスタＱ1 ，Ｑ
2 のバイアス用定電圧源Ｖ1、抵抗素子Ｒ1 〜Ｒ4 、お
よび定電流源Ｉ1 〜Ｉ3 により構成されている。
動型コルピッツ発振回路を構成するｎｐｎ形トランジス
タＱ1 ，Ｑ2 、差動出力段を構成するｎｐｎ形トランジ
スタＱ3 ，Ｑ4 、発振用ｎｐｎ形トランジスタＱ1 ，Ｑ
2 のバイアス用定電圧源Ｖ1、抵抗素子Ｒ1 〜Ｒ4 、お
よび定電流源Ｉ1 〜Ｉ3 により構成されている。
【０００４】発振用トランジスタＱ1 のベースは入出力
端子Ｔ1 に接続されているとともに、抵抗素子Ｒ1 を介
して定電圧源Ｖ1 に接続され、さらに抵抗素子Ｒ3 を介
してトランジスタＱ3 のベースに接続されている。発振
用トランジスタＱ1 のエミッタは入出力端子Ｔ2 に接続
されているとともに、定電流源Ｉ1 に接続され、定電流
源Ｉ1 は接地されている。発振用トランジスタＱ1 のコ
レクタは電源電圧ＶCCに接続されている。
端子Ｔ1 に接続されているとともに、抵抗素子Ｒ1 を介
して定電圧源Ｖ1 に接続され、さらに抵抗素子Ｒ3 を介
してトランジスタＱ3 のベースに接続されている。発振
用トランジスタＱ1 のエミッタは入出力端子Ｔ2 に接続
されているとともに、定電流源Ｉ1 に接続され、定電流
源Ｉ1 は接地されている。発振用トランジスタＱ1 のコ
レクタは電源電圧ＶCCに接続されている。
【０００５】発振用トランジスタＱ2 のベースは入出力
端子Ｔ4 に接続されているとともに、抵抗素子Ｒ2 を介
して定電圧源Ｖ1 に接続され、さらに抵抗素子Ｒ4 を介
してトランジスタＱ4 のベースに接続されている。発振
用トランジスタＱ2 のエミッタは入出力端子Ｔ3 に接続
されているとともに、定電流源Ｉ2 に接続され、定電流
源Ｉ2 は接地されている。発振用トランジスタＱ2 のコ
レクタは電源電圧ＶCCに接続されている。
端子Ｔ4 に接続されているとともに、抵抗素子Ｒ2 を介
して定電圧源Ｖ1 に接続され、さらに抵抗素子Ｒ4 を介
してトランジスタＱ4 のベースに接続されている。発振
用トランジスタＱ2 のエミッタは入出力端子Ｔ3 に接続
されているとともに、定電流源Ｉ2 に接続され、定電流
源Ｉ2 は接地されている。発振用トランジスタＱ2 のコ
レクタは電源電圧ＶCCに接続されている。
【０００６】また、トランジスタＱ3 ，Ｑ4 はミッタ同
士が接続され、両者の接続中点は定電流源Ｉ3 に接続さ
れ、定電流源Ｉ3 は接地されている。また、トランジス
タＱ 3 ，Ｑ4 の各コレクタは混合回路ＭＩＸの入力に接
続されている。そして、混合回路ＭＩＸの２出力端は負
荷用抵抗素子Ｒ5 ，Ｒ6 を介して電源電圧ＶCCに接続さ
れているとともに、ＤＣアンプＡＭＰDCの入力に接続さ
れている。
士が接続され、両者の接続中点は定電流源Ｉ3 に接続さ
れ、定電流源Ｉ3 は接地されている。また、トランジス
タＱ 3 ，Ｑ4 の各コレクタは混合回路ＭＩＸの入力に接
続されている。そして、混合回路ＭＩＸの２出力端は負
荷用抵抗素子Ｒ5 ，Ｒ6 を介して電源電圧ＶCCに接続さ
れているとともに、ＤＣアンプＡＭＰDCの入力に接続さ
れている。
【０００７】共振回路ＲＳＮは、可変容量ダイオードＶ
Ｃ1 とコイルＬ1 との直列回路にキャパシタＣ1 および
Ｃ2 をそれぞれ並列に接続して構成されている。共振回
路ＲＳＮのコイルＬ1 の一端とキャパシタＣ1 ，Ｃ2 と
の接続中点は抵抗値３０ｋΩの抵抗素子Ｒ7 を介して接
地されているとともに、直流遮断用キャパシタＣ3 を介
して入出力端子Ｔ1 （発振用トランジスタＱ1 のベー
ス）に接続されている。可変容量ダイオードＶＣ1 のカ
ソードとキャパシタＣ1 ，Ｃ2 との接続中点は抵抗値３
０ｋΩのドライブ用抵抗素子Ｒ8 を介してＤＣアンプＡ
ＭＰDCの出力に接続されているとともに、直流遮断用キ
ャパシタＣ4 を介して入出力端子Ｔ4 （発振用トランジ
スタＱ2 のベース）に接続されている。キャパシタＣ3
と入出力端子Ｔ1 との接続中点と入出力端子Ｔ2 との間
には正帰還用キャパシタＣ5 が接続され、キャパシタＣ
4 と入出力端子Ｔ4 との接続中点と入出力端子Ｔ3 との
間には正帰還用キャパシタＣ6 が接続されている。さら
に、キャパシタＣ5 と入出力端子Ｔ2 との接続中点およ
びキャパシタＣ6と入出力端子Ｔ3 との接続中点間（発
振用トランジスタＱ1 のエミッタと発振用トランジスタ
Ｑ2 のエミッタとの間）には結合用キャパシタＣ7 が接
続されている。
Ｃ1 とコイルＬ1 との直列回路にキャパシタＣ1 および
Ｃ2 をそれぞれ並列に接続して構成されている。共振回
路ＲＳＮのコイルＬ1 の一端とキャパシタＣ1 ，Ｃ2 と
の接続中点は抵抗値３０ｋΩの抵抗素子Ｒ7 を介して接
地されているとともに、直流遮断用キャパシタＣ3 を介
して入出力端子Ｔ1 （発振用トランジスタＱ1 のベー
ス）に接続されている。可変容量ダイオードＶＣ1 のカ
ソードとキャパシタＣ1 ，Ｃ2 との接続中点は抵抗値３
０ｋΩのドライブ用抵抗素子Ｒ8 を介してＤＣアンプＡ
ＭＰDCの出力に接続されているとともに、直流遮断用キ
ャパシタＣ4 を介して入出力端子Ｔ4 （発振用トランジ
スタＱ2 のベース）に接続されている。キャパシタＣ3
と入出力端子Ｔ1 との接続中点と入出力端子Ｔ2 との間
には正帰還用キャパシタＣ5 が接続され、キャパシタＣ
4 と入出力端子Ｔ4 との接続中点と入出力端子Ｔ3 との
間には正帰還用キャパシタＣ6 が接続されている。さら
に、キャパシタＣ5 と入出力端子Ｔ2 との接続中点およ
びキャパシタＣ6と入出力端子Ｔ3 との接続中点間（発
振用トランジスタＱ1 のエミッタと発振用トランジスタ
Ｑ2 のエミッタとの間）には結合用キャパシタＣ7 が接
続されている。
【０００８】なお、外付けの各キャパシタＣ1 〜Ｃ7 の
容量は、たとえばキャパシタＣ1 が１ｐＦ、キャパシタ
Ｃ2 が１３ｐＦ、キャパシタＣ3 ，Ｃ4 が５６ｐＦ、キ
ャパシタＣ5 ，Ｃ6 が２ｐＦ、キャパシタＣ7 が３ｐＦ
に設定される。
容量は、たとえばキャパシタＣ1 が１ｐＦ、キャパシタ
Ｃ2 が１３ｐＦ、キャパシタＣ3 ，Ｃ4 が５６ｐＦ、キ
ャパシタＣ5 ，Ｃ6 が２ｐＦ、キャパシタＣ7 が３ｐＦ
に設定される。
【０００９】このような構成において、発振回路ＯＳＣ
は、入出力端子Ｔ1 ，Ｔ2 およびＴ 3 ，Ｔ4 を介して発
振用トランジスタＱ1 およびＱ2 のベース・エミッタ間
に接続されたキャパシタＣ5 およびＣ6 により正帰還が
かかって、発振用トランジスタＱ1 およびＱ2 の各ベー
スに接続された共振回路ＲＳＮの共振周波数で発振し、
トランジスタＱ3 ，Ｑ4 を介して所定周波数の局部発振
周波信号ＳL が混合回路ＭＩＸに出力される。なお、差
動型コルピッツ発振回路を構成する発振用トランジスタ
Ｑ1 およびＱ 2 は、共振回路ＲＳＮを介して各ベースが
接続されているので、互いに逆相の発振動作を行う。し
たがって、トランジスタＱ3 ，Ｑ4 のコレクタからは互
いに逆相の局部発振周波信号ＳL が出力される。
は、入出力端子Ｔ1 ，Ｔ2 およびＴ 3 ，Ｔ4 を介して発
振用トランジスタＱ1 およびＱ2 のベース・エミッタ間
に接続されたキャパシタＣ5 およびＣ6 により正帰還が
かかって、発振用トランジスタＱ1 およびＱ2 の各ベー
スに接続された共振回路ＲＳＮの共振周波数で発振し、
トランジスタＱ3 ，Ｑ4 を介して所定周波数の局部発振
周波信号ＳL が混合回路ＭＩＸに出力される。なお、差
動型コルピッツ発振回路を構成する発振用トランジスタ
Ｑ1 およびＱ 2 は、共振回路ＲＳＮを介して各ベースが
接続されているので、互いに逆相の発振動作を行う。し
たがって、トランジスタＱ3 ，Ｑ4 のコレクタからは互
いに逆相の局部発振周波信号ＳL が出力される。
【００１０】混合回路ＭＩＸでは、選局するチャネルの
ＦＭ変調された映像信号と局部発振周波信号ＳL とが混
合され、その差の周波数の信号が取り出されてＤＣアン
プＡＭＰDCに出力される。そして、ＤＣアンプＡＭＰDC
の出力によりドライブ用抵抗素子Ｒ8 を介して共振回路
ＲＳＮが駆動される。すなわち、混合回路ＭＩＸで位相
検波した後に、ドライブ抵抗素子Ｒ8 およびＤＣアンプ
ＡＭＰDCの出力に基づく復調周波数の制御電圧が、共振
回路ＲＳＮの可変容量ダイオードＶＣ1 のカソードに供
給される。
ＦＭ変調された映像信号と局部発振周波信号ＳL とが混
合され、その差の周波数の信号が取り出されてＤＣアン
プＡＭＰDCに出力される。そして、ＤＣアンプＡＭＰDC
の出力によりドライブ用抵抗素子Ｒ8 を介して共振回路
ＲＳＮが駆動される。すなわち、混合回路ＭＩＸで位相
検波した後に、ドライブ抵抗素子Ｒ8 およびＤＣアンプ
ＡＭＰDCの出力に基づく復調周波数の制御電圧が、共振
回路ＲＳＮの可変容量ダイオードＶＣ1 のカソードに供
給される。
【００１１】ところで、上述した回路は、衛生放送（Ｂ
Ｓ）用ＦＭ復調機の発振器として用いられ、その周波数
は４００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚ程度である。
Ｓ）用ＦＭ復調機の発振器として用いられ、その周波数
は４００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚ程度である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の回路では、発振用トランジスタＱ1 およびＱ2
自身の接合部の構造や欠陥に起因する、いわゆるショッ
トノイズ、フリッカノイズあるいはバーストノイズ、抵
抗素子Ｒ1 ，Ｒ2 による熱ノイズなどにより、テレビジ
ョン画像に人間の目でも容易に視認できる低域ノイズが
発生し、満足のいく画像を得ることができないという問
題があった。
た従来の回路では、発振用トランジスタＱ1 およびＱ2
自身の接合部の構造や欠陥に起因する、いわゆるショッ
トノイズ、フリッカノイズあるいはバーストノイズ、抵
抗素子Ｒ1 ，Ｒ2 による熱ノイズなどにより、テレビジ
ョン画像に人間の目でも容易に視認できる低域ノイズが
発生し、満足のいく画像を得ることができないという問
題があった。
【００１３】また、ドライブ用抵抗素子Ｒ8 およびＤＣ
アンプＡＭＰDCの出力に基づく復調周波数の制御電圧
が、共振回路ＲＳＮの可変容量ダイオードＶＣ1 のカソ
ードに供給されるが、ドライブ用抵抗素子Ｒ8 の抵抗値
は上述したように３０ｋΩであり、各キャパシタとの時
定数が大きく、可変容量ダイオードＶＣ1 のドライブイ
ンピーダンスが高く、周波数特性が伸びず、低域ノイズ
の要因の一つとなっていた。
アンプＡＭＰDCの出力に基づく復調周波数の制御電圧
が、共振回路ＲＳＮの可変容量ダイオードＶＣ1 のカソ
ードに供給されるが、ドライブ用抵抗素子Ｒ8 の抵抗値
は上述したように３０ｋΩであり、各キャパシタとの時
定数が大きく、可変容量ダイオードＶＣ1 のドライブイ
ンピーダンスが高く、周波数特性が伸びず、低域ノイズ
の要因の一つとなっていた。
【００１４】また、動作周波数が４００ＭＨｚ〜５００
ＭＨｚ程度と高いことから、電源、グランドに発振キャ
リアが流れ込みやすく、疑似ロック、高周波成分による
ビートが発生するおそれがあるなどの問題がある。
ＭＨｚ程度と高いことから、電源、グランドに発振キャ
リアが流れ込みやすく、疑似ロック、高周波成分による
ビートが発生するおそれがあるなどの問題がある。
【００１５】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、ノイズの低減を図れ、また、発
振キャリアが電源、グランドへ回らず安定に動作し、弱
電界においても疑似ロック、高周波ビートの発生を防止
でき、ひいてはテレビジョン画像の画質の向上を図れる
発振器を提供することにある。
のであり、その目的は、ノイズの低減を図れ、また、発
振キャリアが電源、グランドへ回らず安定に動作し、弱
電界においても疑似ロック、高周波ビートの発生を防止
でき、ひいてはテレビジョン画像の画質の向上を図れる
発振器を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の発振器は、差動対を構成する第１および第
２のトランジスタを備えた発振回路と、上記第１のトラ
ンジスタと第２のトランジスタのベースに共通に接続さ
れた共振回路とを有し、上記第１および第２のトランジ
スタのベース間が第１の誘導性素子により接続されてい
る。
め、本発明の発振器は、差動対を構成する第１および第
２のトランジスタを備えた発振回路と、上記第１のトラ
ンジスタと第２のトランジスタのベースに共通に接続さ
れた共振回路とを有し、上記第１および第２のトランジ
スタのベース間が第１の誘導性素子により接続されてい
る。
【００１７】また、本発明の発振器では、略中点が接地
された第２の誘導性素子コイルが、上記共振回路に対し
て並列に接続されている。
された第２の誘導性素子コイルが、上記共振回路に対し
て並列に接続されている。
【００１８】また、本発明の発振器では、上記共振回路
は、周波数制御端子が第３のコイルに接続され、混合回
路において上記発振回路の出力に基づいて位相検波され
た後の信号により当該第３の誘導性素子を通して駆動さ
れる。
は、周波数制御端子が第３のコイルに接続され、混合回
路において上記発振回路の出力に基づいて位相検波され
た後の信号により当該第３の誘導性素子を通して駆動さ
れる。
【００１９】また、本発明の発振器では、上記発振回路
の第１のトランジスタのベースとエミッタとが第１の容
量素子により接続され、第２のトランジスタのベースと
エミッタとが第２の容量素子により接続され、第１およ
び第２のトランジスタのエミッタ間が第３の容量素子に
より接続されている。
の第１のトランジスタのベースとエミッタとが第１の容
量素子により接続され、第２のトランジスタのベースと
エミッタとが第２の容量素子により接続され、第１およ
び第２のトランジスタのエミッタ間が第３の容量素子に
より接続されている。
【００２０】また、本発明の発振器では、上記発振回路
の第１のトランジスタのベースとエミッタとが第１の容
量素子により接続され、第１のトランジスタのエミッタ
と接地とが第２の容量素子により接続され、第２のトラ
ンジスタのベースと接地とが第３の容量素子により接続
され、第１のトランジスタのコレクタが接地に接続され
ている。
の第１のトランジスタのベースとエミッタとが第１の容
量素子により接続され、第１のトランジスタのエミッタ
と接地とが第２の容量素子により接続され、第２のトラ
ンジスタのベースと接地とが第３の容量素子により接続
され、第１のトランジスタのコレクタが接地に接続され
ている。
【００２１】
【作用】本発明によれば、第１および第２のトランジス
タのベースは、第１の誘導性素子で接続されていること
から、発振動作時に両ベース間が低インピーダンスとな
り、第１および第２のトランジスタ自身の接合部の構造
や欠陥に起因する、いわゆるショットノイズ、フリッカ
ノイズあるいはバーストノイズなどが相殺され、テレビ
ジョン画像における低域ノイズの発生が抑制される。
タのベースは、第１の誘導性素子で接続されていること
から、発振動作時に両ベース間が低インピーダンスとな
り、第１および第２のトランジスタ自身の接合部の構造
や欠陥に起因する、いわゆるショットノイズ、フリッカ
ノイズあるいはバーストノイズなどが相殺され、テレビ
ジョン画像における低域ノイズの発生が抑制される。
【００２２】また、本発明によれば、第２の誘導性素子
により完全バランス型の発振回路構成となる。したがっ
て、発振キャリアが電源、グランドへ回り込むことがな
く安定に発振動作が行われ、弱電界においても、疑似ロ
ック、高周波ビートの発生が防止される。
により完全バランス型の発振回路構成となる。したがっ
て、発振キャリアが電源、グランドへ回り込むことがな
く安定に発振動作が行われ、弱電界においても、疑似ロ
ック、高周波ビートの発生が防止される。
【００２３】また、本発明によれば、復調周波数におい
て共振回路が第３の誘導性素子を通して低インピーダン
スで駆動される。これにより、周波数特性が伸び、低域
ノイズの発生が抑制される。
て共振回路が第３の誘導性素子を通して低インピーダン
スで駆動される。これにより、周波数特性が伸び、低域
ノイズの発生が抑制される。
【００２４】また、第１のトランジスタのベースとエミ
ッタとが第１の容量素子により接続され、第１のトラン
ジスタのエミッタと接地とが第２の容量素子により接続
され、第２のトランジスタのベースと接地とが第３の容
量素子により接続され、第１のトランジスタのコレクタ
が接地に接続されている構成によれば、第２の容量素子
および第１の誘導性素子は素子のもつインピーダンスそ
のものが発振に寄与する。また、接地点は、第３の容量
素子および第１のトランジスタのコレクタとなり、素子
のばらつきや外部ノイズによる差動対の不平衡化の影響
を受けることなく、常に、第１のトランジスタの周辺素
子のみで発振動作が制御される。
ッタとが第１の容量素子により接続され、第１のトラン
ジスタのエミッタと接地とが第２の容量素子により接続
され、第２のトランジスタのベースと接地とが第３の容
量素子により接続され、第１のトランジスタのコレクタ
が接地に接続されている構成によれば、第２の容量素子
および第１の誘導性素子は素子のもつインピーダンスそ
のものが発振に寄与する。また、接地点は、第３の容量
素子および第１のトランジスタのコレクタとなり、素子
のばらつきや外部ノイズによる差動対の不平衡化の影響
を受けることなく、常に、第１のトランジスタの周辺素
子のみで発振動作が制御される。
【００２５】
【実施例１】図１は、本発明に係る発振器の第１の実施
例を示す回路図であって、従来例を示す図４と同一構成
部分は同一符号をもって表す。すなわち、ＯＳＣは発振
回路、ＲＳＮａは共振回路、ＭＩＸは混合回路、ＡＭＰ
DCはＤＣアンプ、Ｌ2 は発振用コイル、Ｌ3 は中点タッ
プコイル、Ｌ4 はドライブ／高周波阻止用コイル、
Ｃ5 ，Ｃ6 は正帰還用キャパシタ、Ｃ7 は結合用キャパ
シタをそれぞれ示している。この回路は、衛生放送（Ｂ
Ｓ）用ＦＭ復調機の発振器として用いられ、その周波数
は４００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚ程度である。
例を示す回路図であって、従来例を示す図４と同一構成
部分は同一符号をもって表す。すなわち、ＯＳＣは発振
回路、ＲＳＮａは共振回路、ＭＩＸは混合回路、ＡＭＰ
DCはＤＣアンプ、Ｌ2 は発振用コイル、Ｌ3 は中点タッ
プコイル、Ｌ4 はドライブ／高周波阻止用コイル、
Ｃ5 ，Ｃ6 は正帰還用キャパシタ、Ｃ7 は結合用キャパ
シタをそれぞれ示している。この回路は、衛生放送（Ｂ
Ｓ）用ＦＭ復調機の発振器として用いられ、その周波数
は４００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚ程度である。
【００２６】発振回路ＯＳＣは、集積化されており、差
動型コルピッツ発振回路を構成する発振用トランジスタ
Ｑ1 ，Ｑ2 、差動出力段を構成するｎｐｎ形トランジス
タＱ 3 ，Ｑ4 、発振用トランジスタＱ1 ，Ｑ2 のバイア
ス用定電圧源Ｖ1 、抵抗素子Ｒ1 〜Ｒ4 、および定電流
源Ｉ1 〜Ｉ3 により構成されている。
動型コルピッツ発振回路を構成する発振用トランジスタ
Ｑ1 ，Ｑ2 、差動出力段を構成するｎｐｎ形トランジス
タＱ 3 ，Ｑ4 、発振用トランジスタＱ1 ，Ｑ2 のバイア
ス用定電圧源Ｖ1 、抵抗素子Ｒ1 〜Ｒ4 、および定電流
源Ｉ1 〜Ｉ3 により構成されている。
【００２７】発振用トランジスタＱ1 のベースは入出力
端子Ｔ1 に接続されているとともに、抵抗素子Ｒ1 を介
して定電圧源Ｖ1 に接続され、さらに抵抗素子Ｒ3 を介
してトランジスタＱ3 のベースに接続されている。発振
用トランジスタＱ1 のエミッタは入出力端子Ｔ2 に接続
されているとともに、定電流源Ｉ1 に接続され、定電流
源Ｉ1 は接地されている。発振用トランジスタＱ1 のコ
レクタは電源電圧ＶCCに接続されている。
端子Ｔ1 に接続されているとともに、抵抗素子Ｒ1 を介
して定電圧源Ｖ1 に接続され、さらに抵抗素子Ｒ3 を介
してトランジスタＱ3 のベースに接続されている。発振
用トランジスタＱ1 のエミッタは入出力端子Ｔ2 に接続
されているとともに、定電流源Ｉ1 に接続され、定電流
源Ｉ1 は接地されている。発振用トランジスタＱ1 のコ
レクタは電源電圧ＶCCに接続されている。
【００２８】発振用トランジスタＱ2 のベースは入出力
端子Ｔ4 に接続されているとともに、抵抗素子Ｒ2 を介
して定電圧源Ｖ1 に接続され、さらに抵抗素子Ｒ4 を介
してトランジスタＱ4 のベースに接続されている。発振
用トランジスタＱ2 のエミッタは入出力端子Ｔ3 に接続
されているとともに、定電流源Ｉ2 に接続され、定電流
源Ｉ2 は接地されている。発振用トランジスタＱ2 のコ
レクタは電源電圧ＶCCに接続されている。
端子Ｔ4 に接続されているとともに、抵抗素子Ｒ2 を介
して定電圧源Ｖ1 に接続され、さらに抵抗素子Ｒ4 を介
してトランジスタＱ4 のベースに接続されている。発振
用トランジスタＱ2 のエミッタは入出力端子Ｔ3 に接続
されているとともに、定電流源Ｉ2 に接続され、定電流
源Ｉ2 は接地されている。発振用トランジスタＱ2 のコ
レクタは電源電圧ＶCCに接続されている。
【００２９】また、トランジスタＱ3 ，Ｑ4 はミッタ同
士が接続され、両者の接続中点は定電流源Ｉ3 に接続さ
れ、定電流源Ｉ3 は接地されている。また、トランジス
タＱ 3 ，Ｑ4 の各コレクタは混合回路ＭＩＸの入力に接
続されている。そして、混合回路ＭＩＸの２出力端は負
荷用抵抗素子Ｒ5 ，Ｒ6 を介して電源電圧Ｖccに接続さ
れているとともに、ＤＣアンプＡＭＰDCの入力に接続さ
れている。
士が接続され、両者の接続中点は定電流源Ｉ3 に接続さ
れ、定電流源Ｉ3 は接地されている。また、トランジス
タＱ 3 ，Ｑ4 の各コレクタは混合回路ＭＩＸの入力に接
続されている。そして、混合回路ＭＩＸの２出力端は負
荷用抵抗素子Ｒ5 ，Ｒ6 を介して電源電圧Ｖccに接続さ
れているとともに、ＤＣアンプＡＭＰDCの入力に接続さ
れている。
【００３０】共振回路ＲＳＮａは、カソード同士が接続
された２つの可変容量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2 を主要
素として構成されている。これら可変容量ダイオードＶ
Ｃ1，ＶＣ2 に対して発振用コイルＬ2 および中点タッ
プコイルＬ3 とがそれぞれ並列に接続され、また、２つ
の可変容量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2 のカソード同士の
接続中点とＤＣアンプＡＭＰDCの出力との間にドライブ
／高周波阻止用コイルＬ4 が接続されている。
された２つの可変容量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2 を主要
素として構成されている。これら可変容量ダイオードＶ
Ｃ1，ＶＣ2 に対して発振用コイルＬ2 および中点タッ
プコイルＬ3 とがそれぞれ並列に接続され、また、２つ
の可変容量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2 のカソード同士の
接続中点とＤＣアンプＡＭＰDCの出力との間にドライブ
／高周波阻止用コイルＬ4 が接続されている。
【００３１】発振用コイルＬ2 としては、たとえば２〜
４ターン（Ｔ）で構成され、周波数４００ＭＨｚで約２
０ｎＨのコイルが用いられている。発振用コイルＬ2 の
一端は入出力端子Ｔ1 と正帰還用キャパシタＣ5 との接
続中点に接続され、他端は入出力端子Ｔ4 と正帰還用キ
ャパシタＣ6 との接続中点に接続されている。すなわ
ち、発振用コイルＬ2 によって、発振用トランジスタＱ
1 およびＱ2 のベース間が低インピーダンスをもって接
続されている。そして、この発振用コイルＬ2 および可
変容量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2 に基づき発振周波数ｆ
が決まり、この発振周波数ｆは次式で与えられる。 ｆ＝１／｛２Ｒ（Ｌ・ＣD ／２）1/2 ｝ …(1)
４ターン（Ｔ）で構成され、周波数４００ＭＨｚで約２
０ｎＨのコイルが用いられている。発振用コイルＬ2 の
一端は入出力端子Ｔ1 と正帰還用キャパシタＣ5 との接
続中点に接続され、他端は入出力端子Ｔ4 と正帰還用キ
ャパシタＣ6 との接続中点に接続されている。すなわ
ち、発振用コイルＬ2 によって、発振用トランジスタＱ
1 およびＱ2 のベース間が低インピーダンスをもって接
続されている。そして、この発振用コイルＬ2 および可
変容量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2 に基づき発振周波数ｆ
が決まり、この発振周波数ｆは次式で与えられる。 ｆ＝１／｛２Ｒ（Ｌ・ＣD ／２）1/2 ｝ …(1)
【００３２】可変容量ダイオードＶＣ1 およびＶＣ2 の
容量は共に１０〜２０ｐＦ程度に設定される。可変容量
ダイオードＶＣ1 のアノードは結合用キャパシタＣ8 を
介して発振用コイルＬ2 の一端と正帰還用キャパシタＣ
5 との接続中点に接続されている。可変容量ダイオード
ＶＣ2 のアノードは結合用キャパシタＣ9 を介して発振
用コイルＬ2 の他端と正帰還用キャパシタＣ6 との接続
中点に接続されている。結合用キャパシタＣ8 ，Ｃ9 の
容量は、たとえば３０〜５０ｐＦに設定される。
容量は共に１０〜２０ｐＦ程度に設定される。可変容量
ダイオードＶＣ1 のアノードは結合用キャパシタＣ8 を
介して発振用コイルＬ2 の一端と正帰還用キャパシタＣ
5 との接続中点に接続されている。可変容量ダイオード
ＶＣ2 のアノードは結合用キャパシタＣ9 を介して発振
用コイルＬ2 の他端と正帰還用キャパシタＣ6 との接続
中点に接続されている。結合用キャパシタＣ8 ，Ｃ9 の
容量は、たとえば３０〜５０ｐＦに設定される。
【００３３】中点タップコイルＬ3 は、たとえば１０Ｔ
で構成され、周波数４００ＭＨｚで約２００Ωのコイル
が用いられている。すなわち、Ｌ3 ＞＞Ｌ2 となってい
る。中点タップコイルＬ3 の一端は可変容量ダイオード
ＶＣ1 のアノードに接続され、他端は可変容量ＶＣ2 の
アノードに接続されている。そして、中点が接地されて
いる。これにより、可変容量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2
を接地電位に保持する。なお、この中点タップコイルＬ
3 のインピーダンスは、発振周波数ｆに対して十分に高
いことから、その中点タップ位置は厳密にコイルの中点
である必要はなく、適当な位置でよい。また、中点タッ
プコイルとしては、一つのコイルの中点を接地する代わ
りに、同一の巻き数の２つのコイルを直列に接続し、そ
の接続中点を接地するようにも構成できる。
で構成され、周波数４００ＭＨｚで約２００Ωのコイル
が用いられている。すなわち、Ｌ3 ＞＞Ｌ2 となってい
る。中点タップコイルＬ3 の一端は可変容量ダイオード
ＶＣ1 のアノードに接続され、他端は可変容量ＶＣ2 の
アノードに接続されている。そして、中点が接地されて
いる。これにより、可変容量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2
を接地電位に保持する。なお、この中点タップコイルＬ
3 のインピーダンスは、発振周波数ｆに対して十分に高
いことから、その中点タップ位置は厳密にコイルの中点
である必要はなく、適当な位置でよい。また、中点タッ
プコイルとしては、一つのコイルの中点を接地する代わ
りに、同一の巻き数の２つのコイルを直列に接続し、そ
の接続中点を接地するようにも構成できる。
【００３４】ドライブ／高周波阻止用コイルＬ4 は、た
とえば１５Ｔで構成され、発振周波数では高インピーダ
ンス、復調周波数では低インピーダンス、たとえば数十
Ωのコイルが用いられている。また、低周波、たとえば
１００ｋＨｚ以下では０．０６３Ω以下に抑えられる。
ドライブ／高周波阻止用コイルＬ4 は、一端が可変容量
ダイオードＶＣ1 およびＶＣ2 のカソード同士の接続中
点に接続され、他端がＤＣアンプＡＭＰDCの出力に接続
されている。
とえば１５Ｔで構成され、発振周波数では高インピーダ
ンス、復調周波数では低インピーダンス、たとえば数十
Ωのコイルが用いられている。また、低周波、たとえば
１００ｋＨｚ以下では０．０６３Ω以下に抑えられる。
ドライブ／高周波阻止用コイルＬ4 は、一端が可変容量
ダイオードＶＣ1 およびＶＣ2 のカソード同士の接続中
点に接続され、他端がＤＣアンプＡＭＰDCの出力に接続
されている。
【００３５】次に、上記構成による動作を説明する。発
振回路ＯＳＣは、外付けの中点タップコイルＬ3 の中点
が接地されていることから、いわゆる完全バランス型の
コルピッツ発振回路として機能する。このような完全バ
ランス型の発振回路ＯＳＣでは、発振用コイルＬ2 と可
変容量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2 との、いわゆる並列タ
ンク回路の誘導性領域において、入出力端子Ｔ1 ，Ｔ2
およびＴ3 ，Ｔ4 を介して発振用トランジスタＱ1 およ
びＱ2 のベース・エミッタ間に接続されたキャパシタＣ
5 およびＣ6 により正帰還がかかって、共振周波数で発
振し、トランジスタＱ3 ，Ｑ4 を介して所定周波数の局
部発振周波信号ＳL が混合回路ＭＩＸに出力される。な
お、差動型コルピッツ発振回路を構成する発振用トラン
ジスタＱ1 およびＱ 2 は、共振回路ＲＳＮを介して各ベ
ースが接続されているので、互いに逆相の発振動作を行
う。したがって、トランジスタＱ3 ，Ｑ4 のコレクタか
らは互いに逆相の局部発振周波信号ＳL が出力される。
振回路ＯＳＣは、外付けの中点タップコイルＬ3 の中点
が接地されていることから、いわゆる完全バランス型の
コルピッツ発振回路として機能する。このような完全バ
ランス型の発振回路ＯＳＣでは、発振用コイルＬ2 と可
変容量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2 との、いわゆる並列タ
ンク回路の誘導性領域において、入出力端子Ｔ1 ，Ｔ2
およびＴ3 ，Ｔ4 を介して発振用トランジスタＱ1 およ
びＱ2 のベース・エミッタ間に接続されたキャパシタＣ
5 およびＣ6 により正帰還がかかって、共振周波数で発
振し、トランジスタＱ3 ，Ｑ4 を介して所定周波数の局
部発振周波信号ＳL が混合回路ＭＩＸに出力される。な
お、差動型コルピッツ発振回路を構成する発振用トラン
ジスタＱ1 およびＱ 2 は、共振回路ＲＳＮを介して各ベ
ースが接続されているので、互いに逆相の発振動作を行
う。したがって、トランジスタＱ3 ，Ｑ4 のコレクタか
らは互いに逆相の局部発振周波信号ＳL が出力される。
【００３６】このとき、発振用トランジスタＱ1 および
Ｑ2 のベースは、発振周波数の近傍で低インピーダンス
のコイルＬ2 で接続されていることから、発振用トラン
ジスタＱ1 およびＱ2 自身の接合部の構造や欠陥に起因
する、いわゆるショットノイズ、フリッカノイズあるい
はバーストノイズ、抵抗素子Ｒ1 ，Ｒ2 による熱ノイズ
などが相殺され、結果として、テレビジョン画像におけ
る低域ノイズの発生が抑制される。
Ｑ2 のベースは、発振周波数の近傍で低インピーダンス
のコイルＬ2 で接続されていることから、発振用トラン
ジスタＱ1 およびＱ2 自身の接合部の構造や欠陥に起因
する、いわゆるショットノイズ、フリッカノイズあるい
はバーストノイズ、抵抗素子Ｒ1 ，Ｒ2 による熱ノイズ
などが相殺され、結果として、テレビジョン画像におけ
る低域ノイズの発生が抑制される。
【００３７】混合回路ＭＩＸでは、選局するチャネルの
ＦＭ変調された映像信号と局部発振周波信号ＳL とが混
合され、その差の周波数の信号が取り出されてＤＣアン
プＡＭＰDCに出力される。そして、ＤＣアンプＡＭＰDC
の出力によりコイルＬ4 を介して共振回路ＲＳＮａが駆
動される。すなわち、混合回路ＭＩＸで位相検波した後
に、コイルＬ4 およびＤＣアンプＡＭＰDCの出力に基づ
く復調周波数の制御電圧が、共振回路ＲＳＮａの可変容
量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2 のカソードに供給される。
発振回路ＯＳＣは、やがて制御電圧に応じた周波数にロ
ックされて発振する。
ＦＭ変調された映像信号と局部発振周波信号ＳL とが混
合され、その差の周波数の信号が取り出されてＤＣアン
プＡＭＰDCに出力される。そして、ＤＣアンプＡＭＰDC
の出力によりコイルＬ4 を介して共振回路ＲＳＮａが駆
動される。すなわち、混合回路ＭＩＸで位相検波した後
に、コイルＬ4 およびＤＣアンプＡＭＰDCの出力に基づ
く復調周波数の制御電圧が、共振回路ＲＳＮａの可変容
量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2 のカソードに供給される。
発振回路ＯＳＣは、やがて制御電圧に応じた周波数にロ
ックされて発振する。
【００３８】このとき、コイルＬ4 は発振周波数では高
インピーダンスであるが、復調周波数では低インピーダ
ンス、たとえば数十Ωであることから、周波数特性が伸
び、低域ノイズの発生が抑制される。また、完全バラン
ス型の発振回路構成となっていることから、動作周波数
が４００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚ程度と高いにもかかわら
ず、電源、グランドへの発振キャリアが流れ込みが抑止
され、疑似ロック、高周波成分によるビートの発生が防
止される。
インピーダンスであるが、復調周波数では低インピーダ
ンス、たとえば数十Ωであることから、周波数特性が伸
び、低域ノイズの発生が抑制される。また、完全バラン
ス型の発振回路構成となっていることから、動作周波数
が４００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚ程度と高いにもかかわら
ず、電源、グランドへの発振キャリアが流れ込みが抑止
され、疑似ロック、高周波成分によるビートの発生が防
止される。
【００３９】以上説明したように、本実施例によれば、
発振トランジスタＱ1 ，Ｑ2 のベース間をコインＬ2 に
て短絡したので、フリッカ、低域ノイズのインピーダン
スがゼロ近くとなり、その結果、テレビジョンの画像ノ
イズを低減できる。また、中点タップコイルＬ3 を設け
たので、完全バランス動作を発振回路を実現できる。そ
の結果、発振キャリアが電源、グランドへ回り込むこと
がなく安定な動作を実現できる。また、弱電界において
も、疑似ロック、高周波ビートの発生を防止できる。さ
らに、可変容量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2 のドライブを
コイルＬ4 で行うので、フリッカノイズ領域のインピー
ダンスを低くでき、低域ノイズの発生を抑止できる。
発振トランジスタＱ1 ，Ｑ2 のベース間をコインＬ2 に
て短絡したので、フリッカ、低域ノイズのインピーダン
スがゼロ近くとなり、その結果、テレビジョンの画像ノ
イズを低減できる。また、中点タップコイルＬ3 を設け
たので、完全バランス動作を発振回路を実現できる。そ
の結果、発振キャリアが電源、グランドへ回り込むこと
がなく安定な動作を実現できる。また、弱電界において
も、疑似ロック、高周波ビートの発生を防止できる。さ
らに、可変容量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2 のドライブを
コイルＬ4 で行うので、フリッカノイズ領域のインピー
ダンスを低くでき、低域ノイズの発生を抑止できる。
【００４０】
【実施例２】図２は、本発明に係る発振器の第２の実施
例を示す回路図である。本実施例が上述した実施例１と
異なる点は、発振回路ＯＳＣの局部発振周波信号Ｓ
L を、発振用トランジスタＱ1 ，Ｑ2 に対して並列に接
続されたｎｐｎ形トランジスタＱ3 ，Ｑ4 を介して、こ
れらトランジスタＱ3 ，Ｑ4 のコレクタから出力させる
代わりに、ｎｐｎ形トランジスタＱ5 ，Ｑ6 を発振用ト
ランジスタＱ 1 ，Ｑ2 と電源電圧ＶCCに接続された負荷
用抵抗素子Ｒ10，Ｒ11との間にそれぞれ直列に接続し、
ｎｐｎ形トランジスタＱ5 ，Ｑ6 のコレクタと負荷用抵
抗素子Ｒ10，Ｒ11との接続中点から局部発振周波信号Ｓ
L を出力するようにしたことにある。また、発振用トラ
ンジスタＱ1 およびＱ2 のエミッタと接地との間には、
電流源として機能する抵抗素子ＲI1，ＲI2がそれぞれ接
続されている。
例を示す回路図である。本実施例が上述した実施例１と
異なる点は、発振回路ＯＳＣの局部発振周波信号Ｓ
L を、発振用トランジスタＱ1 ，Ｑ2 に対して並列に接
続されたｎｐｎ形トランジスタＱ3 ，Ｑ4 を介して、こ
れらトランジスタＱ3 ，Ｑ4 のコレクタから出力させる
代わりに、ｎｐｎ形トランジスタＱ5 ，Ｑ6 を発振用ト
ランジスタＱ 1 ，Ｑ2 と電源電圧ＶCCに接続された負荷
用抵抗素子Ｒ10，Ｒ11との間にそれぞれ直列に接続し、
ｎｐｎ形トランジスタＱ5 ，Ｑ6 のコレクタと負荷用抵
抗素子Ｒ10，Ｒ11との接続中点から局部発振周波信号Ｓ
L を出力するようにしたことにある。また、発振用トラ
ンジスタＱ1 およびＱ2 のエミッタと接地との間には、
電流源として機能する抵抗素子ＲI1，ＲI2がそれぞれ接
続されている。
【００４１】トランジスタＱ5 のエミッタは発振用トラ
ンジスタＱ1 のコレクタに接続され、トランジスタＱ6
のエミッタは発振用トランジスタＱ2 のコレクタに接続
され、両トランジスタＱ3 ，Ｑ4 のベースは定電圧源Ｖ
2 に接続されている。また、定電圧源Ｖ1 はｐｎｐ形ト
ランジスタＰ1 のベースに接続され、ｐｎｐ形トランジ
スタＰ1 のエミッタは、抵抗素子Ｒ1 およびＲ2 の接続
中点に接続され、コレクタは接地されている。
ンジスタＱ1 のコレクタに接続され、トランジスタＱ6
のエミッタは発振用トランジスタＱ2 のコレクタに接続
され、両トランジスタＱ3 ，Ｑ4 のベースは定電圧源Ｖ
2 に接続されている。また、定電圧源Ｖ1 はｐｎｐ形ト
ランジスタＰ1 のベースに接続され、ｐｎｐ形トランジ
スタＰ1 のエミッタは、抵抗素子Ｒ1 およびＲ2 の接続
中点に接続され、コレクタは接地されている。
【００４２】このような構成においても、上述した実施
例１と同様の動作が行われ、上述した実施例１の効果と
同様の効果を得られることはもとより、消費電流を削減
でき、混合回路ＭＩＸとのアイソレーションの向上を図
れる利点がある。
例１と同様の動作が行われ、上述した実施例１の効果と
同様の効果を得られることはもとより、消費電流を削減
でき、混合回路ＭＩＸとのアイソレーションの向上を図
れる利点がある。
【００４３】
【実施例３】図３は、本発明に係る発振器の第３の実施
例を示す要部回路図である。本実施例による発振回路
は、実施例１および実施例２と異なり、差動対を構成す
るトランジスタＱ1 およびＱ2 を、あえてバランスさせ
ずにトランジスタＱ2のみの発振器構成となっている。
例を示す要部回路図である。本実施例による発振回路
は、実施例１および実施例２と異なり、差動対を構成す
るトランジスタＱ1 およびＱ2 を、あえてバランスさせ
ずにトランジスタＱ2のみの発振器構成となっている。
【００４４】そのため、外付けのキャパシタＣ5 が入出
力端子Ｔ1 と接地との間に接続され、キャパシタＣ7 が
入出力端子Ｔ3 と接地との間に接続され、トランジスタ
Ｑ1，Ｑ2 のコレクタは接地されている。また、中点タ
ップコイルＬ3 を用いる代わりに、発振用コイルＬ2 の
中点が接地されている。
力端子Ｔ1 と接地との間に接続され、キャパシタＣ7 が
入出力端子Ｔ3 と接地との間に接続され、トランジスタ
Ｑ1，Ｑ2 のコレクタは接地されている。また、中点タ
ップコイルＬ3 を用いる代わりに、発振用コイルＬ2 の
中点が接地されている。
【００４５】このような構成においては、キャパシタＣ
7 、コイルＬ2 は、素子のもつインピーダンスそのもの
が発振に寄与する。また、接地点は、キャパシタＣ5 の
一方の電極およびトランジスタＱ2 のコレクタとなり、
素子のばらつきや外部ノイズによる差動対の不平衡化の
影響を受けることなく、常に、トランジスタＱ2 の周辺
素子のみで発振を制御できる。なお、本実施例において
も、上述した実施例１と同様に、発振トランジスタ
Ｑ 1 ，Ｑ2 のベース間をコインＬ2 にて短絡したので、
フリッカ、低域ノイズのインピーダンスがゼロ近くとな
り、その結果、テレビジョンの画像ノイズを低減でき、
また、可変容量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2 のドライブを
コイルＬ4 で行うので、フリッカノイズ領域のインピー
ダンスを低くでき、低域ノイズの発生を抑止できる。
7 、コイルＬ2 は、素子のもつインピーダンスそのもの
が発振に寄与する。また、接地点は、キャパシタＣ5 の
一方の電極およびトランジスタＱ2 のコレクタとなり、
素子のばらつきや外部ノイズによる差動対の不平衡化の
影響を受けることなく、常に、トランジスタＱ2 の周辺
素子のみで発振を制御できる。なお、本実施例において
も、上述した実施例１と同様に、発振トランジスタ
Ｑ 1 ，Ｑ2 のベース間をコインＬ2 にて短絡したので、
フリッカ、低域ノイズのインピーダンスがゼロ近くとな
り、その結果、テレビジョンの画像ノイズを低減でき、
また、可変容量ダイオードＶＣ1 ，ＶＣ2 のドライブを
コイルＬ4 で行うので、フリッカノイズ領域のインピー
ダンスを低くでき、低域ノイズの発生を抑止できる。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フリッカ、低域ノイズのインピーダンスがゼロ近くとな
り、その結果、テレビジョンの画像ノイズを低減でき
る。また、いわゆる中点タップの誘導性素子を設けたの
で、発振キャリアが電源、グランドへ回り込むことがな
く安定な動作を実現でき、弱電界においても、疑似ロッ
ク、高周波ビートの発生を防止できる。
フリッカ、低域ノイズのインピーダンスがゼロ近くとな
り、その結果、テレビジョンの画像ノイズを低減でき
る。また、いわゆる中点タップの誘導性素子を設けたの
で、発振キャリアが電源、グランドへ回り込むことがな
く安定な動作を実現でき、弱電界においても、疑似ロッ
ク、高周波ビートの発生を防止できる。
【図１】本発明に係る発振器の第１の実施例を示す回路
図である。
図である。
【図２】本発明に係る発振器の第２の実施例を示す回路
図である。
図である。
【図３】本発明に係る発振器の第３の実施例を示す回路
図である。
図である。
【図４】従来の発振器の構成例を示す回路図である。
ＯＳＣ…発振回路 Ｑ1 ，Ｑ2 …発振用トランジスタ ＲＳＮａ…共振回路 ＶＣ1 ，ＶＣ2 …可変容量ダイオード ＭＩＸ…混合回路 ＡＭＰDC…ＤＣアンプ Ｌ2 …発振用コイル Ｌ3 …中点タップコイル Ｌ4 …ドライブ／高周波阻止用コイル Ｃ5 〜Ｃ9 …キャパシタ
Claims (5)
- 【請求項１】 差動対を構成する第１および第２のトラ
ンジスタを備えた発振回路と、 上記第１のトランジスタと第２のトランジスタのベース
に共通に接続された共振回路とを有し、 上記第１および第２のトランジスタのベース間が第１の
誘導性素子により接続されていることを特徴とする発振
器。 - 【請求項２】 略中点が接地された第２の誘導性素子
が、上記共振回路に対して並列に接続されている請求項
１記載の発振器。 - 【請求項３】 上記共振回路は、周波数制御端子が第３
の誘導性素子に接続され、混合回路において上記発振回
路の出力に基づいて位相検波された後の信号により当該
第３の誘導性素子を通して駆動される請求項１または２
記載の発振器。 - 【請求項４】 上記発振回路の第１のトランジスタのベ
ースとエミッタとが第１の容量素子により接続され、第
２のトランジスタのベースとエミッタとが第２の容量素
子により接続され、第１および第２のトランジスタのエ
ミッタ間が第３の容量素子により接続されている請求項
１、２または３記載の発振器。 - 【請求項５】 上記発振回路の第１のトランジスタのベ
ースとエミッタとが第１の容量素子により接続され、第
１のトランジスタのエミッタと接地とが第２の容量素子
により接続され、第２のトランジスタのベースと接地と
が第３の容量素子により接続され、第１のトランジスタ
のコレクタが接地に接続されている請求項１、２または
３記載の発振器。
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