SE515783C2 - Elektriska anordningar jämte förfarande för deras tillverkning - Google Patents

Elektriska anordningar jämte förfarande för deras tillverkning

Info

Publication number
SE515783C2
SE515783C2 SE9703295A SE9703295A SE515783C2 SE 515783 C2 SE515783 C2 SE 515783C2 SE 9703295 A SE9703295 A SE 9703295A SE 9703295 A SE9703295 A SE 9703295A SE 515783 C2 SE515783 C2 SE 515783C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
region
varactor
electrode
transistors
collector
Prior art date
Application number
SE9703295A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9703295D0 (sv
SE9703295L (sv
Inventor
Andrej Litwin
Sven Erik Mattisson
Original Assignee
Ericsson Telefon Ab L M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=20408227&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=SE515783(C2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Ericsson Telefon Ab L M filed Critical Ericsson Telefon Ab L M
Priority to SE9703295A priority Critical patent/SE515783C2/sv
Publication of SE9703295D0 publication Critical patent/SE9703295D0/sv
Priority to KR1020007002614A priority patent/KR100552916B1/ko
Priority to CNB988090767A priority patent/CN100342553C/zh
Priority to BRPI9811639A priority patent/BRPI9811639B1/pt
Priority to IL15939898A priority patent/IL159398A0/xx
Priority to AU91924/98A priority patent/AU741339B2/en
Priority to PCT/SE1998/001554 priority patent/WO1999013514A2/en
Priority to JP2000511198A priority patent/JP2001516955A/ja
Priority to CN200310116398.7A priority patent/CN100557945C/zh
Priority to TR2000/00511T priority patent/TR200000511T2/xx
Priority to IL13441698A priority patent/IL134416A/en
Priority to EEP200000047A priority patent/EE200000047A/xx
Priority to IL15918798A priority patent/IL159187A/xx
Priority to US09/150,231 priority patent/US6100770A/en
Priority to MYPI98004134A priority patent/MY115602A/en
Priority to ARP980104540A priority patent/AR017100A1/es
Publication of SE9703295L publication Critical patent/SE9703295L/sv
Publication of SE515783C2 publication Critical patent/SE515783C2/sv
Priority to JP2011161985A priority patent/JP2012028782A/ja
Priority to JP2013185188A priority patent/JP5848297B2/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/92—Capacitors having potential barriers
    • H01L29/93—Variable capacitance diodes, e.g. varactors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/354—Astable circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/92—Capacitors having potential barriers
    • H01L29/94—Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
    • H03B5/1215—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair the current source or degeneration circuit being in common to both transistors of the pair, e.g. a cross-coupled long-tailed pair
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1228—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H03B5/1246—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising transistors used to provide a variable capacitance
    • H03B5/1253—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising transistors used to provide a variable capacitance the transistors being field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
    • H03B2200/0098—Functional aspects of oscillators having a balanced output signal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Description

25 30 '7 radiofrekvenstillämpning vid en BiCMOS-process lämnas av J. N. Burghartz, M.
Soyuer och K. Jenkins i "Integrated RF and Microwave Components in BiCMOS Technology", IEEE Trans. Electron Devices, vol. 43, sid. 1559-1570, sept. 1996.
Såsom anges på sid. 1568 och i fig. 12, är varaktorer ej någon del av standardupp- sättningen av anordningar i BiCMOS. I stället föreslås att använda en kollektor-bas- övergång i en bipolär transistor som varaktor. J. Craninckx och M. S. J. Steyaert föreslår i "A 1.8-GHz Low-Phase-Noise CMOS VCO Using Optimized Hollow Spiral Inductors", IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 32, sid. 736-744, maj 1997, användningen av en p+/n-brunnsövergångsdiod som varaktor i en VCO, som är integrerad medelst en CMOS-process.
Ehuru den kända formen av varaktorer, som beskrivits ovan, fungerar helt tillfreds- ställande, har de faktiskt ett antal nackdelar.
En nackdel med de kända varaktorerna är att de är svåra att åstadkomma med höga kvalitetsfaktorer, Q, särskilt för högfrekvenstillämpningar vid en konventionell CMOS-process, på grund av deras höga serieresistans eller de erforderliga ytter- ligare tillverkningsstegen. Detta medför lågt utbyte och höga tillverkningskostnader.
En annan nackdel med de kända pn-övergångsvaraktorema är att vid många tillämp- ningar, såsom för tillämpning vid de flesta VCO-kretsar, det är nödvändigt att tilläg- ga en DC-avkopplingskondensator till konstruktionen, vilket gör konstruktionen ännu svårare att integrera i en IC. Användningen av en avkopplingskondensator utanför IC-kretsen ökar totalkostnaden för konstruktionen och förbrukar värdefullt utrymme på ett tryckt kretskort, PCB. Dessa nackdelar blir ännu mera påfallande vid handhållna anordningar, såsom bärbara telefoner, som måste vara små och tillverkas i stora volymer.
Det är ett syfte med föreliggande uppfinning att åstadkomma en varaktor, som eliminerar eller underlättar beträffande ovannämnda problem. 10 15 20 25 m .Å m -a m w ; . . . . . - - Sammanfattning av uppfinningen Ovan nämnda problem elimineras eller försvagas genom att åstadkomma en elekt- risk anordning, som har en spänningsberoende kapacitans, innefattande ett första område i ett halvledarmaterial och ett andra område och ett tredje område av halvledarmaterial, bildade i det första området, varvid det andra och tredje området är åtskilda genom ett separationsorriråde, och ett elektriskt isolerande skikt, bildat på det första området åtminstone vid ett område svarande mot separationsorrirådet, och ett väsentligen ledande element, bildat på det isolerande skiktet åtminstone vid ett område svarande mot separationsområdet, så att det isolerande skiktet elektriskt isolerar det väsentligen ledande elementet från de första, andra och tredje områdena, och en första elektrod ansluten till det väsentligen ledande elementet, och en andra elektrod ansluten till de andra och tredje områdena.
Vid ett föredraget utföringsexempel av föreliggande uppfinning är en elektrisk anordning åstadkommen, som har en spänningsberoende kapacitans, genom att använda styret till en MOS-transistor som första elektrod i anordningen och genom att koppla ihop kollektor och ernitter för att bilda en andra elektrod.
Problemen enligt tidigare känd teknik elimineras genom att anordna en elektrisk anordning, som har en spänningsberoende kapacitans, vilken kan implementeras genom användning av en konventionell CMOS-process. Eftersom vidare det isole- rande skiktet (vid en MOS-transistor: ett oxidskikt) separerar det väsentligen ledan- de elementet, som är anslutet till den första elektroden (vid en MOS-transistor: styret) från det andra och tredje området, som är anslutna till den andra elektroden (vid en MOS-transistor: kollektor/emitter), kan anordningen exempelvis användas vid en VCO-krets, utan behov av en avkopplingskondensator. 10 15 20 25 #515 783~ . ' » u n I 4 Genom föreliggande uppfinning åstadkommes också en VCO, en PLL och en radio- kommunikationsanordning, som utnyttjar en varaktor som diskuterats ovan. Vidare åstadkommes ett förfarande för tillverkning av en varaktor i enlighet med förelig- gande uppfinning.
En fördel med föreliggande uppfinning är att en varaktor som har hög kvalitetsfak- tor, Q, d.v.s. med låg serieresistans, kan åstadkommas även för högfrekvenstillärnp- ningar genom att använda en konventionell CMOS-process utan att lägga till några tillverkningssteg. Varaktorema kan därför tillverkas med högt utbyte och till låg kostnad.
Vidare är en fördel med föreliggande uppfinning att en VCO åstadkommes, som kan tillverkas genom användning av en konventionell CMOS-process och som inte be- höver någon avkopplingskondensator i konstruktionen. Detta gör implementeringen av en VCO både billig och fysiskt liten, eftersom det inte behövs någon avkopp- lingskondensator, varken på IC-kretsen eller utanför kretsen på ett kretskort. Dessa fördelar blir ytterligare förstärkta, när de tillämpas vid handhållna anordningar, så- som bärbara telefoner, som måste vara små och som tillverkas i stora volymer.
Med stor fördel åstadkommes genom föreliggande uppfinning en integrerad spän- ningsstyrd oscillator och/eller faslåst slingkrets, PLL, som innefattar en varaktor enligt ovan, genom att använda en konventionell CMOS-process. Eftersom många av funktionerna i en radiokommunikationsanordning kan integreras genom konven- tionella CMOS-processer, medger integreringen av en VCO och/eller PLL-krets till- sammans med dessa funktioner att genom uppfinningen uppnås en radiokommu- nikationsanordning med hög integrationsgrad och därmed små fysiska dimensioner.
Den höga integrationsgraden medför också en minskning av tillverkningskostnaderna. 10 15 20 25 30 m -J (fl ~<| GE e» Kort figurbeskrivning Fig. 1 visar en varaktor enligt ett första utförande av uppfinningen, innefattande en PMOS-anrikningstransistor; fig. 2 visar en varaktor enligt ett andra utföringsexempel av uppfinningen, innefattande en NMOS-anrikningstransistor; fig. 3 visar en varaktor enligt ett tredje utföringsexempel av uppfinningen, innefattande en NMOS-utarmningstransistor; fig. 4 visar en funktionsaspekt för det första utföringsexemplet av uppfinningen; fig. 5 visar ett ekvivalent kretsschema för det första utföringsexemplet av uppfin- ningen; fig. 6 visar ett kretsschema för en spänningsstyrd oscillator enligt ett fjärde utfö- ringsexempel av uppfinningen; fig. 7 visar en vy uppifrån av en sammansatt varaktor enligt ett femte utförings- exempel av uppfinningen; fig. 8 visar en tvärsnittsvy utefter axeln VIII-VIII i fig. 7; fig. 9 visar en tvärsnittsvy utefter axeln IX-IX i fig. 7; fig. 10 visar en vy uppifrån av en sammansatt varaktor enligt ett sjätte utförings- exempel av föreliggande uppfinning; fig. 11 visar en tvärsnittsvy utefter axeln XI-XI i fig. 10; fig. 12 visar en tvärsnittsvy utefter axeln XII-XII i fig. 10; fig. 13 visar en tvärsnittsvy utefter axeln XIII-XIII i fig. 10.
Detaljerad beskrivning av utföringsexempel Nedan beskrives uppfinningen, uteslutande genom exempel, i form av utförings- exempel. Det torde betonas att detaljer, som visas i figurerna, ej alltid är skalenliga.
Tvärtom är dimensionerna på detaljerna i figurerna så valda, att förståelsen av upp- finningen förbättras. 10 15 20 25 30 m nå (fl -a GE (N 6 I enlighet med föreliggande uppfinning åstadkommes en elektrisk anordning, som har en spänningsberoende kapacitans. En dylik anordning kallas även en varaktor.
Det torde inses att varaktorn enligt föreliggande uppfinning lätt kan integreras i en konventionell CMOS-process.
Fig. 1 visar en varaktor 10 enligt ett första utföringsexempel av uppfinningen, innefattande en PMOS-anrikningstransistor. Transistom är bildad i ett kiselsubstrat av p-typ 11. En n-typs brunn 12 bildas i substratet 11 av p-typs kisel från en första huvudyta i substratet, och ett emitterorriråde (”source region”) 13 av pl-typ och ett kollektorområde (”drain region”)14 av p+-typ bildas i n-typs-brunnen 12.
Störämneskoncentrationen i emitter- och kollektorområdena 13, 14 väljes större än störämneskoncentrationen i brunnsorrirådet 12. Därefter bildas ett isolerande skikt 15, företrädesvis av kiseloxid, på den första huvudytan till substratet, och ett styre (”gate”) 16 av polykisel bildas på det isolerande skiktet 15, åtminstone täckande en del av n-brunnsorrirådet 12, som åtskiljer emitterområdet 13 och kollektorområdet 14, och så att styret 16 är elektriskt isolerat från n-brunnsområdet 12. En gemensam elektrod C A i varaktom 10 bildas genom att sammankoppla ernitterområdet 13 och kollektorområdet 14. Anslutningen göres till ernitterområdet 13 och kollektorområdet 14 medelst en emitterelektrod 17 och en kollektorelektrod 18. En andra elektrod CB till varaktom 10 anslutes till styret 16 medelst en styreelektrod 19.
Pig. 2 visar en varaktor 20 enligt ett andra utföringsexempel av föreliggande upp- finning, innefattande en NMOS-anrikningstransistor. Transistom bildas i ett kisel- substrat 21 av p-typ. En p-typs brunn 22 bildas i p-typs kiselsubstratet 21 från en första huvudyta till substratet, och ett emitterområde 23 av nl-typ och ett kollektor- område 24 av nïtyp bildas i p-typsbrunnen 22. Störämneskoncentrationen i emitter- och kollektororrirådena 23, 24 väljes större än störåmneskoncentrationen i brunns- området 22. Därefter bildas ett isolerande skikt 25, företrädevis av kiseloxid, på den första huvudytan till substratet, och ett styre 26 av polykisel bildas på det isolerande skiktet 25, vilket åtminstone täcker en del av det p-brunnsornråde 22, som åtskiljer 10 15 20 25 30 7 emitterområdet 23 och kollektorområdet 24, och så att styret 26 är elektriskt isolerat från p-brunnsområdet 22. En gemensam elektrod C A till varaktom 20 bildas genom att ansluta emitterornrådet 23 till kollektorområdet 24. Anslutningen göres till emit- terornrådet 23 och kollektorområdet 24 medelst respektive en emitterelektrod 27 och en kollektorelektrod 28. En andra elektrod CB till varaktom 20 anslutes till styret 26 medelst en styreelektrod 29.
Fig. 3 visar en varaktor 30 i enlighet med ett tredje utföringsexempel av uppfin- ningen, innefattande en NMOS-utarmningstransistor. Transistorn bildas i ett substrat av p-typs kisel. En n-typs brunn 32 bildas i p-typs kiselsubstratet 31 från en första huvudyta till substratet, och ett ernitterornråde 33 av nïtyp och ett kollektorområde 34 av n+-typ bildas i p-typs-brunnen 32. Störämneskoncentrationen i emitter- och kollektorområdena 33, 34 väljes större än störämneskoncentrationen i brunnsonirå- det 32. Därefter bildas ett isolerande skikt 35, företrädesvis av kiseloxid, på den första huvudytan till substratet, och ett styre av polykisel bildas på det isolerande skiktet 35, täckande åtminstone en del av det n-brunnsområde 32 som åtskiljer emitterornrådet 33 och kollektorområdet 34, och så att styret 26 är elektriskt isolerat från n-brunnsorrirådet 32. En gemensam elektrod C A till varaktom bildas genom att koppla emitterornrådet 33 till kollektorområdet 34. Anslutningen göres till emitter- området 33 och kollektorområdet 34 medelst en emitterelektrod 37 respektive en kollektorelektrod 38. En andra elektrod CB till varaktom 30 är ansluten till styret 36 genom en styrelektrod 39.
Allmännare sett kan varaktorn definieras genom att den har ett första område 12, 22, 32 av ett halvledarmaterial, i vilket ett andra område 13, 23, 33 och ett tredje ornrå- de 14, 24, 34 av halvledarmaterial är bildade. Det andra och tredje området är skilda genom ett separationsområde. Ett elektriskt isolerande skikt 15, 25, 35 är bildat på det första ornrådet 12, 22, 32 åtminstone vid ett område, svarande mot separations- området. Därefter är ett väsentligen ledande element 16, 26, 36 bildat på det isole- rande skiktet 15, 25, 35 åtminstone vid ett område som svarar mot separationsområ- 10 15 20 25 30 8 det, så att det isolerande skiktet 15, 25, 35 elektriskt isolerar det väsentligen ledande elementet 16, 26, 36 från det första, andra och tredje området. Det väsentligen ledande elementet 16, 26, 36 är anslutet till en elektrod CB och det andra och tredje området är anslutna till en gemensam elektrod CA.
Det torde beaktas att den föreliggande uppfinningen ej är begränsad till användning av halvledarmaterial av kisel. Andra halvledarmaterial, t.ex. GaAs, kan användas i stället. Vidare kan andra material än kiseloxid, t.ex. kiselnitrid eller en kombination av kíseloxid och kiselnitrid, användas för att bilda det isolerande skiktet 15, 25, 35. I dessa fall är det lämpligare att tala om metall-isolator-halvledare, MIS-transistorer, i stället för metall-oxid-halvledare, MOS-transistorer.
Ehuru emitterelektroderna 17, 27, 37, kollektorelektroderna 18, 28, 38 och styre- elektroderna 19, 29, 39 är innefattade i de ovan diskuterade utföringsexemplen, torde inses att den föreliggande uppfinningen ej är begränsad till användning av sådana elektroder. I stället kan ernitteronirådet, kollektorområdet och styreornrådet vara anslutna genom andra medel. Exempelvis kan polykisel användas för att uppnå en lämplig anslutning till styret, och jonimplanterade områden i brunnsområdena 12, 22, 32 eller i substratet 11, 21, 31 användas för att sammankoppla emitterområdet 13, 23, 33 och kollektorområdet 14, 24, 34. En kombination av olika metoder för anslutning kan användas vid en och samma varaktor.
Fig. 4 visar en funktionsaspekt för det första utföringsexemplet i den föreliggande uppfinningen. Varaktorn 40 svarar mot varaktorn 10 i fig. 1, och fig. 5 visar ett ekvivalent kretsschema för varaktorn 40. Under funktion är en spänning pålagd mellan elektrodema C A och CB, så att potentialen vid C A är större än potentialen vid CB. Ytområdet i brunnsornrådet 12 blir då utarmat, och utarmningsbredden visas i fig. 4 genom en utarmningsgräns 41. Varaktorns kapacitans kommer bland annat att vara beroende av seriekombinationen mellan oxidkapacitansen Cox, eller motsvarande kapacitans om det isolerande skiktet ej är gjort av en oxid, och 10 15 20 25 30 en IJ m -1 en m 9 halvledarens utarmningsskikts kapacitans CD. Utarmningsskiktets kapacitans CD kommer i sin tur att bero av potentialen i brunnen och spänningen som ligger över anordningen, d.v.s. mellan emitter/kollektor och styret. Ett stort dynamiskt intervall för varaktorn uppnås genom att göra brunnsornrådet så lätt dopat som möjligt vid huvudyteområdet genom att exempelvis blockera tröskelimplanteringen i CMOS- processen. En hög Q-faktor för varaktorerna uppnås också genom att hålla det elektriska motståndet för styret Rgm (och dess anslutning) och den elektriska resistansen Rabanne, i brunnsområdet 12 mellan emitterområdet 13 och kollektorområdet 14 så små som möjligt. Den elektriska resistansen hos ett polykisel-styre kan minskas genom att innefatta ett steg för silicidering av styret.
Det elektriska motstånd som erfares av minoritetsladdningsbärarna 42 i brunnsområdet 12 kan minskas genom att använda små dimensioner för styret och kanalområdet. Små dimensioner på styret och kanalområdet ger emellertid upphov till en varaktor med en kapacitans, som ibland har oacceptabelt lågt värde. Detta problem löses genom att koppla ett lämpligt antal varaktorer parallellt för att bilda en sammansatt varaktor. Anslutningarna mellan varaktorema utföres företrädesvis medelst ett lågresistansmaterial, såsom aluminium, för att hålla resistansen mellan anordningarna låg och därmed uppnå en hög Q-faktor totalt för den sammansatta varaktom.
Som nämnts ovan, beror kapacitansen CD för utarmningsskiktet även på potentialen i brunnen, och följaktligen kan anordningen även drivas genom att pålägga fasta potentialer på elektroderna C A och CD och styra kapacitansen hos anordningen genom en lämplig spänning, pålagd på brunnen. Alternativt kan en fast potential påläggas på en av elektroderna C A eller CD, medan den andra elektroden är ansluten till brunnen och anordningen styres genom en lämplig spänning, pålagd på brunnen.
Funktionsaspektema för det första utföringsexemplet, som diskuterats ovan, gäller även för det andra och tredje utföringsexemplet efter lämpliga anpassningar till på- lagda polariteter i enlighet med principer, som är välkända för fackmannen. 10 15 20 25 30 10 Ehuru det första, andra och tredje utföringsexemplet, som diskuterats ovan, samtliga utnyttjar ett halvledarsubstrat av p-typ, kan halvledarsubstrat av n-typ användas lika väl, om polariteter och ledningstyper anpassas i enlighet med principer, som är väl- kända för fackmannen.
Vid en konventionell CMOS-process av typ 0,25 pm eller 0,35 pm väljes styreläng- den Lg, svarande väsentligen mot avståndet mellan emitterområdet och kollektor- området, företrädesvis till mindre än 2 pm, och företrädesvis mindre än 1 pm. Styre- bredden Wg väljes företrädesvis mindre än 20 pm, t.ex. 15 pm, 10 pm eller 5 pm.
För det fall att ett styrematerial med låg resistans användes, såsom ett metallsilici- derat polykisel, kan styrebredden väljas mindre än 6 pm.
Fig. 6 visar ett kretsschema för en spänningsstyrd oscillator (VCO) 60 enligt ett fjärde utföringsexempel av föreliggande uppfinning. Massorna och emittrarna till en första, en andra och en tredje NMOS-anrikningstransistor, respektive TI, Tz och T3 är kopplade till jordpotential. Styret på den första transistom TI är kopplat till kol- lektom på den andra transistom Tz och till styret på den tredje transistom T3. Styret på den andra transistom T; är kopplat till kollektom på den första transistom TI och till en första elektrod på en första induktor LI. En andra elektrod på den första in- duktorn LI är kopplad till en första elektrod på ett första motstånd RI. Kollektom på den andra transistorn Tz är kopplad till en första elektrod på en andra induktor Lz.
En andra elektrod på den andra induktorn är kopplad till ett andra motstånd Rz. En andra elektrod på det första motståndet RI är kopplad till en andra elektrod på det andra motståndet R; och till en första elektrod på ett tredje motstånd RCXI och till en första elektrod på en första kondensator CCXI. En andra elektrod till det tredje mot- ståndet Rex, är kopplad till en försörjningsspänning +VCC, och en andra elektrod på den första kondensatorn Cm är kopplad till jordpotential. Kretsen innefattar vidare minst två varaktorer VI-Vn, där n är antalet varaktorer. En första sammansatt varak- tor är bildad genom att parallellkoppla ett förutbestämt antal av varaktorerna VI-Vn, 10 15 20 25 30 111 ...a tfl '<1 12 1:41 .w nu - . . - . . . | . - | v» ll och en andra sammansatt varaktor är bildad genom att sammankoppla de återstående varaktorema parallellt. En ingångsanslutning för att motta en spänning Vfreq, som styr frekvensen för den spänningsstyrda oscillatorn, är ansluten till en första elektrod på vardera av den första och den andra sammansatta varaktorn. En andra elektrod på den första sammansatta varaktorn är ansluten till kollektorn på den första transistorn TI, och en andra elektrod på den andra sammansatta varaktorn är ansluten till kollektom på den andra transistorn Tz. Vid detta utförande är varaktorema Vl-Vn gjorda av NMOS-utarmningstransistorer. De första elektroderna på de sammansatta varaktorema utgöres av en gemensam anslutning mellan massan och samtliga emitterområden och kollektoroniråden i NMOS-utarrnningstransistorerna. Den andra elektroden till den första sammansatta varaktorn utgöres av en gemensam anslutning mellan styrena till NMOS-utarmningstransistorema i den första samman- satta varaktorn, och den andra elektroden till den andra sammansatta varaktom ut- göres av en gemensam anslutning mellan styrena till NMOS-utarmningstransisto- rerna i den andra sammansatta varaktorn. Styrena till NMOS-utarmningstransisto- rema är företrädesvis anslutna till VCO-kretsen och inte till ingångsanslutningen för mottagning av en spänning Vfmq, eftersom styret har låg parasitisk kapacitans. Ut- signalen Iou, från VCO-enheten erhålles vid kollektom på den tredje transistom T3.
Eventuellt kan det tredje motståndet Rex, och den första kondensatorn Cm vara icke- integrerade på halvledarbrickan. Vidare är det möjligt att implementera den första och andra induktorn LI, L; genom att använda induktansen för anslutningstrådar till IC-kretsen. Det kan läggas märke till att massan till de MOS-transistorer som bildar de sammansatta varaktorema Vl-Vn kan anslutas till en annan potential än Vfmq, t.ex. nollpotential, så länge massan ej bildar en framspänd diod tillsammans med några andra områden i transistorerna. Funktionen för VCO-kretsen som sådan är välkänd för fackmannen.
De bästa egenskaperna för en given VCO-krets med givna induktorer bestämmes genom Q-faktom och det dynamiska intervallet (minimi- och maximikapacitans- värde) för (de sammansatta) varaktorerna. I enlighet med det fjärde utföringsexemp- 10 15 20 25 -sis ass 12 let av föreliggande uppfinning användes NMOS-transistorer. Dessa ger lägsta para- sitiska resistans och sålunda högsta Q-faktor. Tröskelspänningen justeras så att man får största dynamiska intervall för (de sammansatta)varaktorema som möjligt inom ett förutbestämt (spännings-) påverkningsintervall.
För det fall då varaktorerna enligt föreliggande uppfinning integreras i en konventionell CMOS-process tillsammans med andra anordningar, måste emitter- och kollektorornrådena isoleras från substratet, exempelvis genom att bilda varaktorn i minst ett brunnsorriråde. Ehuru stort dynamiskt intervall för varaktorerna uppnås genom att göra brunnsornrådet så lätt dopat som möjligt vid huvudyteorrirådet genom att exempelvis blockera tröskelimplantationen i CMOS- processen, är detta ej alltid nödvändigt, och i detta fall kan konventionella MOS- transistorer användas. Det bör läggas märke till att integrationen av varaktom enligt föreliggande uppfinning även kan utföras vid äldre CMOS-processer, där bara ett brunnsoniråde med ledningstyp motsatt substratets ledningstyp är tillgängligt.
Lämpligen åstadkommes genom föreliggande uppfinning en integrerad spännings- styrd oscillator (VCO) och/eller faslåst slingkrets, PLL, (ej visad), som innefattar en varaktor enligt vad som diskuterats ovan, genom att använda en konventionell CMOS-process. En PLL-krets användes ofta vid radiokommunikationsanordningar (ej visade), såsom bärbara/cellulära telefoner för att synkronisera signaler med referenssignaler, som eventuellt mottagits medelst en radiomottagare och för att alstra önskade frekvenser i en frekvenssyntetiserare. Eftersom många av funktio- nerna i en radiokommunikationsanordning kan integreras genom konventionella CMOS-processer, möjliggör integreringen av en VCO och/eller PLL-krets tillsam- mans med dessa funktioner, att föreliggande uppfinning åstadkommer en radiokom- munikationsanordning med hög grad av integrering och därmed små fysiska dimen- sioner. Den höga integrationsgraden minskar också tillverkningskostnadema. 10 15 20 25 30 *i S015 1783. 13 Två ytterligare utföringsexempel av (sammansatta) varaktorer presenteras nedan, för att illustrera att de elektriska anordningarna enligt föreliggande uppfinning kan im- plementeras på ett stort antal sätt utan att frångå uppfinningen.
Fig. 7 visar en vy uppifrån av en sammansatt varaktor 70, i enlighet med ett femte utföringsexempel av uppfinningen. Vidare visar fig. 8 och fig. 9 tvärsnittsvyer ut- efter axlarna VIII-VIII respektive IX-IX, enligt fig. 7. Ett brunnsområde 72 av n-typ är bildat i ett p-typssubstrat 71. Pïtypsområden 73, 74 bildas i brunnsområdet 72 för att bilda på lika avstånd anordnade öar i en tvådimensionell matris. Ett styre 76, åtskilt från brunnen och halvledarsubstratet genom ett isolerande skikt (ej visat) är bildat vid områden svarande mot områden mellan pïtypsområden 73, 74. Företrä- desvis men ej nödvändigtvis sträcker sig styret 76 även så att samtliga pïtypsom- råden är omgivna av styret. Styret 76 bildar en första elektrod i den sammansatta varaktom 70. Samtliga pïtypsorriråden 73, 74 är anslutna tillsammans medelst ett andra skikt av polykisel 77/78 och anslutningselement 77, 78 och bildar en andra elektrod i den sammansatta varaktorn 70. Pl-typsområdena 73, 74 utgör ernitter- områdena 73 och kollektorområdena 74, så att de närmaste områdena till varje ernitterområde 73 är kollektorområden 74 och vice versa.
Vid ett exempel på ett tillverkningsförfarande för den sammansatta varaktom 70 i det femte utföringsexemplet bildas först brunnsområdet 72 av n-typ i halvledar~ substratet 71 av p-typ. Ett isolerande skikt (ej visat) bildas på ytan till brunnsom- rådet, och ett första polykiselskikt lägges därpå. Ett första maskskikt (ej visat) bildas på det första polykiselskiktet. Det första maskskiktet exponeras och etsas för att er- hålla en gallerartad form (ej visad). Därnäst etsas det första polykiselskiktet för att bilda styret 76. Styret 76 antar följaktligen maskens gallerfonn. Styret 76 bildar den första elektroden i den sammansatta varaktorn. Äterstoden av masken tas bort, och emitteronirådena 73 av pïtyp och kollektorområdena 74 av pïtyp bildas genom jonimplantering under användning av styret 76 som mask. Under denna process kommer styrets 76 ledningsförmåga att öka på grund av styrets jonimplantering. 10 15 20 25 30 14 Alternativt bibehålles masken under jonimplanteringen. Företrädesvis ökas styrets ledningsförrnåga genom att låta styrets 76 metall silicideras. Ett isolerande skikt (ej visat) bildas över strukturen, och ett andra maskskikt (ej visat) bildas därpå. Det andra maskskiktet exponeras och etsas för att bilda en mask (ej visad), som har öpp- ningar över vart och ett av emitterornrådena 73 och kollektorområdena 74. Därnäst borttages det isolerande materialet mitt för öppningarna i ett etssteg. Den andra masken elimineras därefter, och det andra polykise1skiktet77/78 bildas därpå. Man kan lägga märke till att på grund av det tidigare etssteget det andra polykiselskiktet kommer att göra kontakt med vart och ett av emitterområdena 73 och kollektorom- rådena 74 genom anslutningselementen 77 och 78 av polykisel. Därvid bildar det andra polykiselskiktet 77/78 den andra elektroden i den sammansatta varaktom. Vid ett alternativt utförande användes polykisel för att bilda anslutningselementen 77, 78, och en metallelektrod användes i stället för polykiselskiktet 77/78 för att ansluta anslutningselementen 77, 78 till varandra.
Anordningen enligt det femte utförandet kan betraktas såsom sammansatt av ett an- tal MOS-transistorer, vardera med ett emitterornråde 73, ett kollektorområde 74, ett styre 76 och ett kanalornråde bildat mellan ernitterornrådet 73 och kollektorområdet 74, vilka är parallellkopplade medelst det andra polykiselskiktet för att bilda en sam- mansatt varaktor. Funktionen för var och en av MOS-transistorerna kommer därför att svara emot funktionen hos de varaktorer som innefattar en MOS-transistor enligt vad som diskuterats ovan.
Fig. 10 visar en vy uppifrån av en sammansatt varaktor 80 enligt ett sjätte utförande av uppfinningen. Vidare visar fig. 11, fig. 12 och fig. 13 tvärsnittsvyer utefter axlar- na XI-XI, XII-XII och XIII-XIII i fig. 10. Ett n-typs brunnsområde 82 är bildat i ett substrat 81 av p-typ. Ett pïtyps område 83, 91, 84, 90 med kamform är bildat i brunnsområdet 82. Ett styre 86, skilt från substratet 81 och brunnsområdet 82 genom ett isolerande skikt (ej visat), är bildat vid områden, svarande mot områdena mellan "fingrarna" i det kamformade pl-typs området 83, 91, 84, 90. Styret 86 sträcker sig 10 15 20 25 30 i 515 783 15 också utefter kanterna till "fingrarna", så att ett gemensamt styre 86 är bildat. Styret 86 bildar en första elektrod i den sammansatta varaktom 80, och pïtyps området 83, 91, 84, 90 är anslutet till en andra elektrod (ej visad) i den sammansatta varaktom (so).
Vid ett exempel på en tillverkningsmetod för den sammansatta varaktorn 80 enligt det sjätte utföringsexemplet bildas n-typs-brunnsonirådet 82 i halvledarsubstratet 81 av p-typ. Ett isolerande skikt (ej visat) bildas på ytan till brunnsorrirådet, och ett polykiselskikt bildas därpå. Ett första maskskikt (ej visat) bildas på polykiselskiktet.
Det första maskskiktet exponeras och etsas för att bilda en första mask (ej visad) med kamform. Dämäst etsas polykiselskiktet för att bilda styret 86. Styret 86 antar följaktligen maskens kamform. Styret 86 bildar en första elektrod i den sammansatta varaktom. Återstoden av masken elimineras och ett andra maskskikt (ej visat) bildas på strukturen. Det andra maskskiktet exponeras och visas för att bilda en andra mask (ej visad) med en öppning, sådan att "fingrarna" i det kamformade styret och en area omgivande "fingrarna" ej är täckta av masken. Därefter bildas ett emitterornråde 83 av p+-typ, kombinerade emitter- och kollektorornråden 91 av pïtyp, ett kollektor- område 84 och anslutningsoniråden 90 för att sammankoppla dessa områden genom jonimplantering under användning av ej blott den andra masken utan också styret 86 som mask. Under denna process kommer styrets 86 ledningsförmåga att öka tack vare jonimplanteringen i styret. Altemativt bibehålles den första masken under jon- implanteringen. Företrädesvis ökas ledningsförmågan för styret genom att låta sty- rets 86 metall silicideras. De jonimplanterade områdena 83, 91, 84 och 90 är sam- mankopplade, och denna sammankoppling bildar en andra elektrod i den samman- satta varaktom.
Anordningen i det sjätte utföringsexemplet kan betraktas som uppdelad i ett antal MOS-transistorer, vardera med ett emitterområde 91 (eller 83), ett kollektorornråde 91 (eller 84), ett styre 86 och ett kanalområde bildat mellan emitterområdet och kol- lektorområdet, vilka är sammankopplade parallellt genom anslutningsområdena 90 10 15 20 25 30 5.15 78.3 16 för att bilda en sammansatt varaktor. Funktionen för var och en av MOS-transisto- rema kommer därför att svara mot funktionen för de varaktorer som innefattar en MOS-transistor, vilka diskuterats ovan. Vid ett alternativt utförande (ej visat) bildas styret 86 (åtminstone temporärt under tillverkningen) på så sätt att det också fullgör funktionen av den andra masken, och därmed behövs ingen andra mask för att defi- niera de områden som skall jonimplanteras, 83, 91, 84 och 90 vid de steg som följer.
De sammansatta varaktorerna (70, 80) enligt det femte och sjätte utföringsexemplet visar exempel på anordningar med ett antal varaktorer, som är parallellkopplade.
Som diskuterats ovan, kan en hög Q-faktor för varje varaktor uppnås genom att använda små dimensioner på styret och kanalornrådet och genom att hålla styrets (och dess anslutningar) motstånd så litet som möjligt. Små dimensioner på styret och kanalområdet ger emellertid upphov till en varaktor, som har en kapacitans med ibland oacceptabelt litet värde. En lämplig kapacitans för en sammansatt varaktor, t.ex. de sammansatta varaktorerna enligt det femte och sjätte utföringsexemplet (70, 80) uppnås därför genom att parallellkoppla ett lämpligt antal varaktorer. Samman- satta varaktorer med höga Q-faktorer och lämpliga kapacitanser erhålles därigenom.
Det bör anmärkas att ehuru anordningama enligt det femte och sjätte utförings- exemplet visats genom deras tillverkningsförfaranden, kan andra förfaranden för tillverkning, som fackmannen kan tänka sig, användas utan att frångå uppfinningen.
Vidare är uppenbart att en anordning med vilket som helst antal MOS-transistorer i sammankoppling kan bildas.
En fördel med den föreliggande uppfinningen är att varaktorer med höga kvalitets- faktorer, Q-värden, d.v.s. med låg serieresistans, kan erhållas även för högfrekvens- tillämpningar genom att använda en konventionell CMOS-process utan att lägga till några tillverkningssteg. Varaktorema kan därför tillverkas med stort utbyte och till låg kostnad. 1515 1783 17 Vidare är en fördel med föreliggande uppfinning att en VCO är anordnad, som kan förverkligas genom att använda en konventionell CMOS-process och som ej behö- ver kompletteras med en avkopplingskondensator till konstruktionen. Detta gör im- plementeringen av en VCO billig och fysiskt liten, eftersom ingen avkopplingskon- densator behövs, varken på IC-kretsen eller utanför densamma på kretskortet. Dessa fördelar blir ännu mera framhävda, när tillämpning sker i handhållna anordningar, såsom bärbara telefoner, som måste vara små och som tillverkas i stora volymer.

Claims (57)

10 15 20 25 30 18 Patentkrav
1. l. Elektrisk anordning (l0; 20; 30; 40; Vl-Vn; 70; 80) med en spänningsberoende kapacitans, innefattande: ett första område (12; 22; 32; 72; 82) av ett halvledarmaterial; och ett andra område (13; 23; 33, 73; 83, 91) och ett tredje ornråde (l4; 24; 34; 74; 84, 91) av ett halvledarmaterial, bildat i det första området, varvid det andra och tredje området är åtskilda genom ett separationsornråde; och ett elektriskt isolerande skikt (15; 25; 35), bildat på det första området åtminsto- ne vid ett område, svarande mot separationsorrirådet; och ett väsentligen ledande element (l6; 26; 36; 76; 86), bildat på det isolerande skiktet åtminstone vid ett område svarande mot separationsornrådet så att det isole- rande skiktet elektriskt isolerar det väsentligen ledande elementet från de första, andra och tredje områdena och så att det andra området, det tredje området och det väsentligen ledande elementet utgör respektive kollektor, emitter och styre i en MIS- transistor; och en första elektrod (19; 29; 39), ansluten till det väsentligen ledande elementet; och en andra elektrod (17, 18; 27, 28; 37, 38), ansluten till de andra och tredje områdena.
2. Elektrisk anordning enligt krav 1, vari längden för styret är mindre än 2 um.
3. Elektrisk anordning enligt krav 2, vari styrets längd är approximativt 1 um.
4. Elektrisk anordning enligt krav l, vari det väsentligen ledande elementet innefattar polykisel.
5. Elektrisk anordning enligt krav l eller krav 4, vari det väsentligen ledande elementet innefattar metallsilicid. 10 15 20 25 ífl cl 01 -.1 m w y-l \D
6. Elektrisk anordning enligt något av krav 1-5 vari styrets bredd är mindre än 5 um.
7. Elektrisk anordning enligt något av krav 1-5 vari styrets bredd är mindre än 20 um.
8. Elektrisk anordning enligt något av föregående krav, vari det första området (12; 22; 32; 72; 82) av ett halvledarmaterial utgör ett brunnsområde i ett halvledarsubstrat (11; 21; 31; 71; 81) och vari en tredje elektrod är ansluten till substratet.
9. Elektrisk anordning enligt krav 8, vari den tredje elektroden är ansluten till endera den första eller den andra elektroden.
10. Elektrisk anordning enligt något av föregående krav, vari den andra elektroden utgöres av ett jonimplanterat område.
11. Elektrisk anordning enligt något av föregående krav, vari den första elektroden utgöres av polykisel.
12. Elektrisk anordning enligt något av föregående krav, innefattande en MOS- transistor, i vilken kollektom är kopplad till emittern.
13. Elektrisk anordning enligt krav 12, vari den innefattar en anslutning till MOS- transistorns massa.
14. Elektrisk anordning enligt krav 13, vari massan är ansluten antingen till styret eller till kollektorn och emittern. 10 15 20 25 20
15. Spänningsstyrd oscillator (VCO) (60) med en ingång för påläggning av en in- gångsspänning (Vfæq) och en utgång för utmatning av en oscillerande signal (IM) med en frekvens, som beror av ingångsspänningen, och oscillatorn innefattar minst en elektrisk anordning (V1-Vn) som har en spänningsberoende kapacitans i enlighet med något av krav 1-14.
16. Spänningsstyrd oscillator (VCO) (60) enligt krav 15 vari minst en elektrisk anordning (V l-Vn) som har en spänningsberoende kapacitans respektive motsvarar en varaktor.
17. Spänningsstyrd oscillator enligt krav 16, vari oscillatorn innefattar en första MIS-transistor och en första induktor, kopplad till en första nämnd varaktor och en andra MIS-transistor och en andra induktor kopplad till en andra nämnd varaktor, och vari den första transistorns kollektor är kopplad till den andra transistorns styre och den andra transistorns kollektor är kopplad till den första transistorns styre.
18. Spänningsstyrd oscillator enligt krav 17, vari den första varaktorn innefattar en första grupp av MIS-transistorer med sina kollektorer och emittrar sammankopplade och den andra varaktorn innefattar en andra grupp av MIS-transistorer, vilkas kollektorer och emittrar är sammankopplade.
19. Spänningsstyrd oscillator enligt krav 18, vari styrena till transistorerna i den första gruppen av transistorer är sammankopplade och styrena i transistorerna i den andra gruppen av transistorer är inbördes sammankopplade.
20. Spänningsstyrd oscillator enligt något av krav 16-19, vari kollektorn och emit- tern till MIS-transistorn till minst en varaktor är kopplad till ingången för påläggning av en ingångsspänning på oscillatorn. 10 15 20 25 30 U'I u) (fl »a (ß CN 2 y-A
21. Spänningsstyrd oscillator enligt något av krav 19 eller 20 vari styrena i den första gruppen av transistorer är kopplade till kollektorn på den första MIS- transistorn och styrena i den andra gruppen av transistorer år kopplade till kollektorn på den andra MIS-transistorn.
22. Spänningsstyrd oscillator enligt något av krav 15-21, vari MIS-transistorerna är MOS-transistorer.
23. Faslåst slingkrets, innefattande en elektrisk anordning som har en spänningsberoende kapacitans enligt något av krav l-l4.
24. Faslâst slingkrets innefattande en spånningsstyrd oscillator enligt något av krav 15-22.
25. Radiokommunikationsanordning innefattande en spänningsstyrd oscillator enligt något av krav 15-22.
26. Radiokommunikationsanordning innefattande en faslåst slingkrets enligt något av krav 23-24.
27. Varaktor bestående av åtminstone två parallellt sammankopplade elektriska anordningar med spänningsberoende kapacitans, vari varje elektrisk anordning innefattar: ett första ornråde (l2; 22; 32; 72; 82) av ett halvledarmaterial; och ett andra ornråde (l3; 23; 33, 73; 83, 91) och ett tredje område (l4; 24; 34; 74; 84, 91) av ett halvledarmaterial, bildat i det första området, varvid det andra och tredje området är åtskilda genom ett separationsområde; och ett elektriskt isolerande skikt (l5; 25; 35), bildat på det första området åtminsto- ne vid ett område, svarande mot separationsornrådet; och ett väsentligen ledande element (l6; 26; 36; 76; 86), bildat på det isolerande 10 15 20 25 30 t.. 2..' ' ' skiktet åtminstone vid ett område svarande mot separationsområdet så att det isole- rande skiktet elektriskt isolerar det väsentligen ledande elementet från de första, andra och tredje ornrådena och så att det andra området, det tredje området och det väsentligen ledande elementet utgör respektive kollektor, emitter och styre i en MIS- transistor; och en första elektrod (19; 29; 39), ansluten till det väsentligen ledande elementet; och en andra elektrod (17, 18; 27, 28; 37, 38), ansluten till de andra och tredje områdena.
28. Varaktor enligt krav 27, vari längden för styret är mindre än 2 um.
29. Varaktor enligt krav 28, vari styrets längd är approximativt 1 um.
30. Varaktor enligt krav 27, vari det väsentligen ledande elementet innefattar polykisel.
31. Varaktor enligt krav 27 eller krav 30, vari det väsentligen ledande elementet innefattar metallsilicid.
32. Varaktor enligt något av krav 27-31 vari styrets bredd är mindre än 5 um.
33. Varaktor enligt något av krav 27-31 vari styrets bredd är mindre än 20 um.
34. Varaktor enligt något av krav 27-33, vari det första området (l2; 22; 32; 72; 82) av ett halvledarmaterial utgör ett brunnsoniråde i ett halvledarsubstrat (11; 21; 31; 71; 81) och vari en tredje elektrod är ansluten till substratet.
35. Varaktor enligt krav 34, vari den tredje elektroden är ansluten till endera den första eller den andra elektroden. 10 15 20 25 30
36. Varaktor enligt något av krav 27-35, vari den andra elektroden utgöres av ett jonimplanterat område.
37. Varaktor enligt något av krav 27-36, vari den första elektroden utgöres av polykisel.
38. Varaktor enligt något av krav 27-37, vari de elektriska anordningarna innefattar MOS-transistorer, samt att varje MOS-transistors kollektor är kopplad till dess emitter.
39. Varaktor enligt krav 38, vari den innefattar en anslutning till MOS- lffiIlSlSlOffifIlaS maSSa.
40. Varaktor enligt krav 39, vari massan är ansluten antingen till MOS- transistoremas styre eller till dess kollektorer och emittrar.
41. Varaktor enligt något av krav 27-40, varvid de väsentligen ledande elementen hos det flertalet elektriska anordningarna är parallellkopplade medelst polykisel och de andra och tredje områdena hos det flertalet elektriska anordningarna är parallellkopplade medelst jonimplanterat område.
42. Spänningsstyrd oscillator (VCO) (60) med en ingång för pâläggning av en in- gångsspänning (Vfrcq) och en utgång för utmatning av en oscillerande signal (low) med en frekvens, som beror av ingångsspänningen, och oscillatorn innefattar minst en varaktor(V1-V,,) i enlighet med något av krav 27-41.
43. Spänningsstyrd oscillator enligt krav 42, vari oscillatorn innefattar en första MIS-transistor och en första induktor, kopplad till en första nämnd varaktor och en andra MIS-transistor och en andra induktor kopplad till en andra nämnd Varaktor, 10 15 20 25 m nå 01 wa m w 7.4 och vari den första transistorns kollektor är kopplad till den andra transistorns styre och den andra transistorns kollektor är kopplad till den första transistorns styre.
44. Spänningsstyrd oscillator enligt krav 43, vari den första varaktorn innefattar en första grupp av MIS-transistorer med sina kollektorer och emittrar samrnankopplade och den andra varaktorn innefattar en andra grupp av MIS-transistorer, vilkas kollektorer och eniittrar är sammankopplade.
45. Spänningsstyrd oscillator enligt krav 44, vari styrena till transistorerna i den första gruppen av transistorer är sammankopplade och styrena i transistorerna i den andra gruppen av transistorer är inbördes sammankopplade.
46. Spänningsstyrd oscillator enligt något av krav 43-45, vari kollektorn och emit- tern till MIS-transistorn till minst en varaktor är kopplad till ingången för påläggning av en ingångsspänning på oscillatorn.
47. Spänningsstyrd oscillator enligt något av krav 45 eller 46 vari styrena i den första gruppen av transistorer är kopplade till kollektorn på den första MIS- transistorn och styrena i den andra gruppen av transistorer är kopplade till kollektorn på den andra MIS-transistorn.
48. Spänningsstyrd oscillator enligt något av krav 42-47, vari MIS-transistorema är MOS-transistorer.
49. Faslåst slingkrets, innefattande en varaktor enligt något av krav 27-41.
50. Faslåst slingkrets innefattande en Spänningsstyrd oscillator enligt något av krav 42-48. 10 15 20 25 f 515 27831- I 25
51. Radiokommunikationsanordning innefattande en spänningsstyrd oscillator enligt något av krav 42-48.
52. Radiokommunikationsanordning innefattande en faslåst slingkrets enligt något av krav 49-50.
53. Förfarande för tillverkning av en elektrisk anordning som har en spänningsbe- roende kapacitans, innefattande stegen: ett första halvledarområde bildas; och ett andra område och ett tredje område av halvledarmaterial bildas i det första området, där det andra och tredje ornrådet år åtskilda av ett separationsorriråde; och ett elektriskt isolerande skikt bildas på det första ornrådet åtminstone vid ett om- råde svarande mot separationsornrådet; och ett väsentligen ledande element bildas på det isolerande skiktet åtminstone i ett område svarande mot separationsområdet, så att det isolerande skiktet elektriskt iso- lerar det väsentligen ledande elementet från de första, andra och tredje områdena och så att det andra ornrådet, det tredje området och det väsentligen ledande elementet utgör respektive kollektor, emitter och styre i en MIS-transistor; och en första elektrod bildas, som år ansluten till det väsentligen ledande elementet; och en andra elektrod bildas, som är elektriskt ansluten till det andra och tredje om- rådet.
54. Förfarande enligt krav 53, vari den andra elektroden bildas genom att bilda ett jonimplanterat område som ansluter till det andra och tredje området.
55. Förfarande enligt något av krav 53 eller 54, vari den första elektroden bildas genom att ansluta det väsentligen ledande elementet med polykisel. à 26
56. Förfarande enligt något av krav 53-55, vari: ett blockeringsskikt bildas för att blockera ett åtföljande MIS-transistortröske1- implanteringssteg för en IC-tillverkningsprocess, åtminstone vid ett område svaran- de mot separationsområdet.
57. Förfarande enligt något av krav 53-56, vari IC-tillverkningsprocessen är en CMOS-process.
SE9703295A 1997-09-11 1997-09-11 Elektriska anordningar jämte förfarande för deras tillverkning SE515783C2 (sv)

Priority Applications (18)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9703295A SE515783C2 (sv) 1997-09-11 1997-09-11 Elektriska anordningar jämte förfarande för deras tillverkning
EEP200000047A EE200000047A (et) 1997-09-11 1998-09-01 Elektriline seadis ja selle valmistamise meetod
IL15918798A IL159187A (en) 1997-09-11 1998-09-01 Voltage controlled oscillator
JP2000511198A JP2001516955A (ja) 1997-09-11 1998-09-01 電気デバイスおよびその製造方法
IL13441698A IL134416A (en) 1997-09-11 1998-09-01 Electrical devices
BRPI9811639A BRPI9811639B1 (pt) 1997-09-11 1998-09-01 dispositivos elétricos, oscilador controlado por tensão, e, processo para fabricar um dispositivo elétrico
IL15939898A IL159398A0 (en) 1997-09-11 1998-09-01 A method of manufacturing an electrical device
AU91924/98A AU741339B2 (en) 1997-09-11 1998-09-01 Electrical devices and a method of manufacturing the same
PCT/SE1998/001554 WO1999013514A2 (en) 1997-09-11 1998-09-01 Electrical devices and a method of manufacturing the same
KR1020007002614A KR100552916B1 (ko) 1997-09-11 1998-09-01 전기 소자 및 그 제조방법
CN200310116398.7A CN100557945C (zh) 1997-09-11 1998-09-01 电器件及其制造方法
TR2000/00511T TR200000511T2 (tr) 1997-09-11 1998-09-01 Elektrikli cihazlar ve bunları imal etmek için bir yöntem.
CNB988090767A CN100342553C (zh) 1997-09-11 1998-09-01 电器件及其制造方法
US09/150,231 US6100770A (en) 1997-09-11 1998-09-09 MIS transistor varactor device and oscillator using same
MYPI98004134A MY115602A (en) 1997-09-11 1998-09-10 Mis transistor varactor device and osillator using same
ARP980104540A AR017100A1 (es) 1997-09-11 1998-09-11 Un aparato electrico, particularmente, un varactor, un oscilador de voltaje controlado, un circuito de bucle de enganche de fase y un aparato de comunicacion por radio que incorporan dicho aparato, y un metodo para fabricar este ultimo
JP2011161985A JP2012028782A (ja) 1997-09-11 2011-07-25 電気デバイス
JP2013185188A JP5848297B2 (ja) 1997-09-11 2013-09-06 電気デバイス

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9703295A SE515783C2 (sv) 1997-09-11 1997-09-11 Elektriska anordningar jämte förfarande för deras tillverkning

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9703295D0 SE9703295D0 (sv) 1997-09-11
SE9703295L SE9703295L (sv) 1999-03-12
SE515783C2 true SE515783C2 (sv) 2001-10-08

Family

ID=20408227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9703295A SE515783C2 (sv) 1997-09-11 1997-09-11 Elektriska anordningar jämte förfarande för deras tillverkning

Country Status (13)

Country Link
US (1) US6100770A (sv)
JP (3) JP2001516955A (sv)
KR (1) KR100552916B1 (sv)
CN (2) CN100557945C (sv)
AR (1) AR017100A1 (sv)
AU (1) AU741339B2 (sv)
BR (1) BRPI9811639B1 (sv)
EE (1) EE200000047A (sv)
IL (3) IL159398A0 (sv)
MY (1) MY115602A (sv)
SE (1) SE515783C2 (sv)
TR (1) TR200000511T2 (sv)
WO (1) WO1999013514A2 (sv)

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6320474B1 (en) * 1998-12-28 2001-11-20 Interchip Corporation MOS-type capacitor and integrated circuit VCO using same
US6369671B1 (en) * 1999-03-30 2002-04-09 International Business Machines Corporation Voltage controlled transmission line with real-time adaptive control
US6271733B1 (en) * 1999-12-13 2001-08-07 Agere Systems Guardian Corp. Integrated oscillator circuit with a memory based frequency control circuit and associated methods
US6407412B1 (en) * 2000-03-10 2002-06-18 Pmc-Sierra Inc. MOS varactor structure with engineered voltage control range
US7000119B1 (en) 2000-04-20 2006-02-14 Realnetworks, Inc. Instruction/data protection employing derived obscuring instruction/data
US6504443B1 (en) 2000-05-17 2003-01-07 Nec America, Inc., Common anode varactor tuned LC circuit
US6642607B2 (en) * 2001-02-05 2003-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device
US6621362B2 (en) 2001-05-18 2003-09-16 Broadcom Corporation Varactor based differential VCO band switching
DE10126328A1 (de) * 2001-05-30 2002-12-12 Infineon Technologies Ag Integrierte, abstimmbare Kapazität
KR100530739B1 (ko) * 2001-06-28 2005-11-28 한국전자통신연구원 가변 수동소자 및 그 제조방법
US7235862B2 (en) 2001-07-10 2007-06-26 National Semiconductor Corporation Gate-enhanced junction varactor
DE10139396A1 (de) * 2001-08-10 2003-01-16 Infineon Technologies Ag Integrierte Halbleiterschaltung mit einem Varaktor
US6667539B2 (en) 2001-11-08 2003-12-23 International Business Machines Corporation Method to increase the tuning voltage range of MOS varactors
US6521506B1 (en) * 2001-12-13 2003-02-18 International Business Machines Corporation Varactors for CMOS and BiCMOS technologies
US6828654B2 (en) * 2001-12-27 2004-12-07 Broadcom Corporation Thick oxide P-gate NMOS capacitor for use in a phase-locked loop circuit and method of making same
US7169679B2 (en) * 2002-01-07 2007-01-30 Honeywell International Inc. Varactor with improved tuning range
US7081663B2 (en) 2002-01-18 2006-07-25 National Semiconductor Corporation Gate-enhanced junction varactor with gradual capacitance variation
DE10206375A1 (de) * 2002-02-15 2003-06-26 Infineon Technologies Ag Integrierte, abstimmbare Kapazität
JP4153233B2 (ja) * 2002-04-18 2008-09-24 富士通株式会社 ｐｎバラクタ
DE10222764B4 (de) * 2002-05-15 2011-06-01 Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik Halbleitervaraktor und damit aufgebauter Oszillator
US6608362B1 (en) 2002-08-20 2003-08-19 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method and device for reducing capacitive and magnetic effects from a substrate by using a schottky diode under passive components
KR100460273B1 (ko) * 2003-03-25 2004-12-08 매그나칩 반도체 유한회사 모스 바랙터의 제조방법
JP4046634B2 (ja) 2003-04-08 2008-02-13 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 電圧制御型容量素子及び半導体集積回路
JP2004311858A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Nec Electronics Corp 半導体集積回路装置
US6825089B1 (en) * 2003-06-04 2004-11-30 Agere Systems Inc. Increased quality factor of a varactor in an integrated circuit via a high conductive region in a well
JP2005019487A (ja) 2003-06-24 2005-01-20 Nippon Precision Circuits Inc Ｍｏｓ型可変容量素子及び電圧制御発振回路
US7075379B2 (en) * 2003-07-23 2006-07-11 Agency For Science, Technology And Research Low supply-sensitive and wide tuning-range CMOS LC-tank voltage-controlled oscillator monolithic integrated circuit
TWI373925B (en) * 2004-02-10 2012-10-01 Tridev Res L L C Tunable resonant circuit, tunable voltage controlled oscillator circuit, tunable low noise amplifier circuit and method of tuning a resonant circuit
US7038527B2 (en) * 2004-02-25 2006-05-02 Analog Devices, Inc. MOS varactor for LC VCOs
SE527215C2 (sv) * 2004-03-23 2006-01-24 Infineon Technologies Ag Integrerad omkopplingsanordning
CN100353568C (zh) * 2004-04-07 2007-12-05 联华电子股份有限公司 可变电容器与差动式可变电容器
JP4857531B2 (ja) * 2004-07-08 2012-01-18 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2006066897A (ja) * 2004-07-30 2006-03-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 容量素子及び半導体装置
EP1633005A1 (en) * 2004-09-03 2006-03-08 Infineon Technologies AG Monolithically integrated capacitor
US20080185625A1 (en) * 2004-09-10 2008-08-07 University Of Florida Research Foundation, Inc. Source/Drain to Gate Capacitive Switches and Wide Tuning Range Varactors
US20060125012A1 (en) * 2004-12-09 2006-06-15 Honeywell International Inc. Varactor
US7323948B2 (en) * 2005-08-23 2008-01-29 International Business Machines Corporation Vertical LC tank device
DE102005061683B4 (de) * 2005-12-21 2011-12-08 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung, Tastkopf und Verfahren zur galvanisch entkoppelten Übertragung eines Messsignals
US20080149983A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 International Business Machines Corporation Metal-oxide-semiconductor (mos) varactors and methods of forming mos varactors
US7825441B2 (en) * 2007-06-25 2010-11-02 International Business Machines Corporation Junction field effect transistor with a hyperabrupt junction
US8130051B2 (en) * 2008-02-06 2012-03-06 Broadcom Corporation Method and system for varactor linearization
US8008748B2 (en) * 2008-12-23 2011-08-30 International Business Machines Corporation Deep trench varactors
CN101924142B (zh) * 2009-06-17 2011-09-14 中国科学院微电子研究所 一种GaAs肖特基变容二极管及其制作方法
US9236466B1 (en) 2011-10-07 2016-01-12 Mie Fujitsu Semiconductor Limited Analog circuits having improved insulated gate transistors, and methods therefor
US8779861B2 (en) * 2011-10-19 2014-07-15 Newport Media, Inc. Multi-phase voltage controlled oscillator using capacitance degenerated single ended transconductance stage and inductance/capacitance load
US9299699B2 (en) 2013-03-13 2016-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Multi-gate and complementary varactors in FinFET process
WO2015182363A1 (ja) * 2014-05-30 2015-12-03 インターチップ株式会社 集積ｍｏｓ型バリキャップおよびこれを有する電圧制御発振器、フィルター
WO2016105424A1 (en) * 2014-12-24 2016-06-30 Intel Corporation Cmos varactor with increased tuning range
US9837555B2 (en) 2015-04-15 2017-12-05 Futurewei Technologies, Inc. Apparatus and method for a low loss coupling capacitor
KR102345676B1 (ko) * 2015-09-09 2021-12-31 에스케이하이닉스 주식회사 모스 버렉터 및 이를 포함하는 반도체 집적소자
US10608123B2 (en) * 2017-05-08 2020-03-31 Qualcomm Incorporated Metal oxide semiconductor varactor quality factor enhancement
KR20200058192A (ko) 2018-11-19 2020-05-27 이용재 압력 밸런스 기능을 갖는 가스용기 밸브
US11524222B2 (en) 2018-11-21 2022-12-13 Hanayama International Trading Limited Polyhedral toy
US11515434B2 (en) * 2019-09-17 2022-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Decoupling capacitor and method of making the same
JP7267437B2 (ja) * 2020-04-22 2023-05-01 長江存儲科技有限責任公司 可変キャパシタ

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3878482A (en) * 1973-10-04 1975-04-15 Gen Electric Wide-band, voltage controlled oscillator utilizing complimentary metal oxide semiconductor integrated circuits and a constant current MOS-FET field effect transistor
US3904988A (en) * 1974-09-11 1975-09-09 Motorola Inc CMOS voltage controlled oscillator
JPS53139959A (en) * 1977-05-13 1978-12-06 Hitachi Ltd Amplifying circuit
JPS5530862A (en) * 1978-08-25 1980-03-04 Seiko Instr & Electronics Ltd Method of making semiconductor device
DE2915134A1 (de) * 1979-04-12 1980-10-16 Siemens Ag Steuerbare oszillatoranordnung
JPS57113264A (en) * 1980-12-29 1982-07-14 Fujitsu Ltd Manufacture of mis type capacitor
GB2104725B (en) * 1981-07-17 1986-04-09 Clarion Co Ltd Variable capacitance device
US4450416A (en) * 1981-08-17 1984-05-22 General Electric Company Voltage controlled oscillator
JPS5923569A (ja) * 1982-07-29 1984-02-07 Matsushita Electronics Corp 半導体可変容量素子
JPS59104180A (ja) * 1982-12-06 1984-06-15 Clarion Co Ltd 可変容量ダイオ−ド
JPS59154077A (ja) * 1983-02-23 1984-09-03 Clarion Co Ltd 可変容量素子
JPS61292358A (ja) * 1985-06-19 1986-12-23 Fujitsu Ltd Ｍｉｓ型電界効果トランジスタの製造方法
JPS62156853A (ja) * 1985-12-28 1987-07-11 Toshiba Corp Ｍｏｓ型可変容量回路
US4692717A (en) * 1986-03-14 1987-09-08 Western Digital Corporation Voltage controlled oscillator with high speed current switching
JPS6461070A (en) * 1987-09-01 1989-03-08 Nec Corp Semiconductor device
US4887053A (en) * 1987-11-27 1989-12-12 American Telephone And Telegraph Company High frequency VLSI oscillator
US4853655A (en) * 1987-11-27 1989-08-01 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories High frequency CMOS oscillator
JPH01146351A (ja) * 1987-12-02 1989-06-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5107227A (en) * 1988-02-08 1992-04-21 Magellan Corporation (Australia) Pty. Ltd. Integratable phase-locked loop
JPH0294914A (ja) * 1988-09-30 1990-04-05 Nec Corp 電圧制御型発振器
US4866567A (en) * 1989-01-06 1989-09-12 Ncr Corporation High frequency integrated circuit channel capacitor
JP2786467B2 (ja) * 1989-03-15 1998-08-13 沖電気工業株式会社 Ｃｍｏｓ半導体集積回路
JPH03278579A (ja) * 1990-03-28 1991-12-10 Nec Corp 半導体装置
US5045966A (en) * 1990-09-17 1991-09-03 Micrel Semiconductor Method for forming capacitor using FET process and structure formed by same
JPH0477266U (sv) * 1990-11-16 1992-07-06
US5061907A (en) * 1991-01-17 1991-10-29 National Semiconductor Corporation High frequency CMOS VCO with gain constant and duty cycle compensation
FR2679702A1 (fr) * 1991-07-23 1993-01-29 Thomson Csf Element semi-conducteur a capacite variable pour circuit integre en micro-ondes et circuit integre equipe d'au moins un tel element.
US5173835A (en) * 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
US5175512A (en) * 1992-02-28 1992-12-29 Avasem Corporation High speed, power supply independent CMOS voltage controlled ring oscillator with level shifting circuit
US5218325A (en) * 1992-03-31 1993-06-08 Motorola, Inc. Low noise oscillator
KR950003233B1 (ko) * 1992-05-30 1995-04-06 삼성전자 주식회사 이중층 실리사이드 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법
US5300898A (en) * 1992-07-29 1994-04-05 Ncr Corporation High speed current/voltage controlled ring oscillator circuit
JP2951128B2 (ja) * 1992-10-20 1999-09-20 三洋電機株式会社 電圧制御型発振回路
US5365204A (en) * 1993-10-29 1994-11-15 International Business Machines Corporation CMOS voltage controlled ring oscillator
JPH07176952A (ja) * 1993-12-20 1995-07-14 Sony Corp 発振器
JPH07162231A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Nec Corp 発振回路
US5396195A (en) * 1993-12-13 1995-03-07 At&T Corp. Low-power-dissipation CMOS oscillator circuits
JP3215258B2 (ja) * 1994-04-05 2001-10-02 富士通株式会社 Ｐｌｌ集積回路および調整方法
US5483207A (en) * 1994-12-30 1996-01-09 At&T Corp. Adiabatic MOS oscillators
JPH08102526A (ja) * 1995-07-14 1996-04-16 Rohm Co Ltd Ｃｍｏｓ半導体装置
DE19631389A1 (de) * 1995-08-29 1997-03-06 Hewlett Packard Co Monolithischer spannungsvariabler Kondensator
JPH0993124A (ja) * 1995-09-27 1997-04-04 Ando Electric Co Ltd 広帯域ｖｃｏ回路
US5629652A (en) * 1996-05-09 1997-05-13 Analog Devices Band-switchable, low-noise voltage controlled oscillator (VCO) for use with low-q resonator elements
US5914513A (en) * 1997-06-23 1999-06-22 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Electronically tunable capacitor

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001516955A (ja) 2001-10-02
BR9811639A (pt) 2000-08-08
BRPI9811639B1 (pt) 2016-08-02
IL134416A (en) 2004-08-31
KR100552916B1 (ko) 2006-02-22
KR20010023918A (ko) 2001-03-26
JP2012028782A (ja) 2012-02-09
IL159187A (en) 2005-06-19
IL134416A0 (en) 2001-04-30
IL159187A0 (en) 2004-06-01
CN100557945C (zh) 2009-11-04
CN1508966A (zh) 2004-06-30
US6100770A (en) 2000-08-08
CN100342553C (zh) 2007-10-10
AU9192498A (en) 1999-03-29
IL159398A0 (en) 2004-06-01
EE200000047A (et) 2000-10-16
JP5848297B2 (ja) 2016-01-27
TR200000511T2 (tr) 2000-06-21
SE9703295D0 (sv) 1997-09-11
AU741339B2 (en) 2001-11-29
MY115602A (en) 2003-07-31
CN1270704A (zh) 2000-10-18
AR017100A1 (es) 2001-08-22
SE9703295L (sv) 1999-03-12
WO1999013514A2 (en) 1999-03-18
JP2014039043A (ja) 2014-02-27
WO1999013514A3 (en) 1999-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE515783C2 (sv) Elektriska anordningar jämte förfarande för deras tillverkning
US9171841B2 (en) Field plate trench transistor and method for producing it
US9502400B2 (en) Decoupling capacitor and method of making same
US7335956B2 (en) Capacitor device with vertically arranged capacitor regions of various kinds
US5883423A (en) Decoupling capacitor for integrated circuit signal driver
US20020179977A1 (en) Integrated radio frequency circuits
US20050221787A1 (en) Integrated radio frequency circuits
CN104241244A (zh) 可变电容器件
JPH06151859A (ja) 半導体装置
US6281564B1 (en) Programmable integrated passive devices
US9583554B1 (en) Adjustable ground shielding circuitry
EP0902483B1 (en) Electrical device comprising a voltage dependant capacitance and method of manufacturing the same
US20050047064A1 (en) High quality factor spiral inductor that utilizes active negative capacitance
US5355095A (en) Broadband microwave integrated circuit amplifier with capacitive neutralization
US20230056901A1 (en) Method to integrate dc &amp; rf phase change switches into high-speed sige bicmos
US10424579B2 (en) Tunable electrostatic discharge clamp
US6278871B1 (en) Integrated circuit including a low-dispersion capacitive network
US20230064220A1 (en) Configurable Inductor for Broadband Electronic Systems
US20040196063A1 (en) Minimizing end boundary resistance in a programmable resistor of an integrated circuit
US20230282726A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method
JP2004158699A (ja) 半導体集積回路
CN111418061A (zh) 用作rc滤波器的单个电容器
EP0951731A2 (en) Programmable integrated passive devices and methods therefor
JP2006005207A (ja) 半導体装置
JP2007266621A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed