JP2000201023A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
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- JP2000201023A JP2000201023A JP11000547A JP54799A JP2000201023A JP 2000201023 A JP2000201023 A JP 2000201023A JP 11000547 A JP11000547 A JP 11000547A JP 54799 A JP54799 A JP 54799A JP 2000201023 A JP2000201023 A JP 2000201023A
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/06—Modifications of generator to ensure starting of oscillations
-
- H—ELECTRICITY
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- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 一つの発振回路で、複数の周波数帯の安定し
た発振が可能な電圧制御発振器を簡単に実現する。 【解決手段】 発振トランジスタ１のエミッタと帰還コ
ンデンサ３、４の接続点との間に、インダクタ１５を接
続し、インダクタ１５の短絡あるいは非短絡をダイオー
ド１６で切り換えることにより、一つのインダクタ１５
によって、ベース・エミッタ間及びエミッタ・コレクタ
間の両方の等価的な容量を同時に帰還コンデンサ３、４
よりも増やすことができ、高い周波数帯では帰還コンデ
ンサ３、４によって発振させ、低い周波数帯では等価的
な容量を帰還コンデンサ３、４より増やして発振させ、
共に安定した発振が可能となる。
た発振が可能な電圧制御発振器を簡単に実現する。 【解決手段】 発振トランジスタ１のエミッタと帰還コ
ンデンサ３、４の接続点との間に、インダクタ１５を接
続し、インダクタ１５の短絡あるいは非短絡をダイオー
ド１６で切り換えることにより、一つのインダクタ１５
によって、ベース・エミッタ間及びエミッタ・コレクタ
間の両方の等価的な容量を同時に帰還コンデンサ３、４
よりも増やすことができ、高い周波数帯では帰還コンデ
ンサ３、４によって発振させ、低い周波数帯では等価的
な容量を帰還コンデンサ３、４より増やして発振させ、
共に安定した発振が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電圧制御発振器に
関し、例えば、二つの異なる方式に共用される携帯電話
機に使用される電圧制御発振器に関する。
関し、例えば、二つの異なる方式に共用される携帯電話
機に使用される電圧制御発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、二つの異なる携帯電話方式に一台
の携帯電話機で共用するものが考えられている。このよ
うな二方式共用型の携帯電話機は、例えばＡＭＰＳ方式
とＰＣＳ方式に使用される場合には、９００ＭＨｚ帯の
発振信号と、１．７ＧＨｚ帯の発振信号を必要とする。
の携帯電話機で共用するものが考えられている。このよ
うな二方式共用型の携帯電話機は、例えばＡＭＰＳ方式
とＰＣＳ方式に使用される場合には、９００ＭＨｚ帯の
発振信号と、１．７ＧＨｚ帯の発振信号を必要とする。
【０００３】図４は、従来の二方式共用型の携帯電話機
を示し、携帯電話機２５には二つの電圧制御発振器２
６、２７が用いられている。第一の電圧制御発振器２６
は、例えば９００ＭＨｚ帯で発振し、第二の電圧制御発
振器２７は１．７ＧＨｚ帯で発振する。そして、いずれ
かの発振信号をスイッチ２８によって選択して増幅器２
９によって増幅し、携帯電話機２５内の高周波回路（図
示せず）に供給するようにしていた。
を示し、携帯電話機２５には二つの電圧制御発振器２
６、２７が用いられている。第一の電圧制御発振器２６
は、例えば９００ＭＨｚ帯で発振し、第二の電圧制御発
振器２７は１．７ＧＨｚ帯で発振する。そして、いずれ
かの発振信号をスイッチ２８によって選択して増幅器２
９によって増幅し、携帯電話機２５内の高周波回路（図
示せず）に供給するようにしていた。
【０００４】図５は、このような電圧制御発振器の回路
図である。この発振回路は、コレクタ接地型の発振回路
であり、電源電圧（Ｅ）が印加された発振トランジスタ
３１のコレクタは直流阻止コンデンサ３２によって高周
波的に接地され、ベースとエミッタとの間、及び、エミ
ッタとグランドとの間にはそれぞれ帰還コンデンサ３
３、３４が接続される。そして、ベースとグランドとの
間にリアクタンス回路３５が接続される。リアクタンス
回路３５は、直列に接続された帰還コンデンサ３３、３
４に対して並列に接続され、発振周波数においては等価
的にインダクタンス素子として働く。
図である。この発振回路は、コレクタ接地型の発振回路
であり、電源電圧（Ｅ）が印加された発振トランジスタ
３１のコレクタは直流阻止コンデンサ３２によって高周
波的に接地され、ベースとエミッタとの間、及び、エミ
ッタとグランドとの間にはそれぞれ帰還コンデンサ３
３、３４が接続される。そして、ベースとグランドとの
間にリアクタンス回路３５が接続される。リアクタンス
回路３５は、直列に接続された帰還コンデンサ３３、３
４に対して並列に接続され、発振周波数においては等価
的にインダクタンス素子として働く。
【０００５】リアクタンス回路３５は、クラップコンデ
ンサ３６、直流阻止コンデンサ３７、３８、インダクタ
ンス素子である例えばコイル３９、コイル３９に並列接
続されるバラクタダイオード４０、及びバラクタダイオ
ード４０に制御電圧を印加するチョークコイル４１から
なる。そして、チョークコイル４１からバラクタダイオ
ード４０へ印加する制御電圧を変化させると、バラクタ
ダイオード４０の容量が変化し、リアクタンス回路３５
の等価的なインダクタンスが変化して発振周波数が変化
する。このリアクタンス回路３５の等価的なインダクタ
ンスと、直列接続された帰還コンデンサ３３、３４の直
列容量とによる並列共振周波数によって発振周波数が決
定される。
ンサ３６、直流阻止コンデンサ３７、３８、インダクタ
ンス素子である例えばコイル３９、コイル３９に並列接
続されるバラクタダイオード４０、及びバラクタダイオ
ード４０に制御電圧を印加するチョークコイル４１から
なる。そして、チョークコイル４１からバラクタダイオ
ード４０へ印加する制御電圧を変化させると、バラクタ
ダイオード４０の容量が変化し、リアクタンス回路３５
の等価的なインダクタンスが変化して発振周波数が変化
する。このリアクタンス回路３５の等価的なインダクタ
ンスと、直列接続された帰還コンデンサ３３、３４の直
列容量とによる並列共振周波数によって発振周波数が決
定される。
【０００６】また、発振トランジスタ３１のエミッタと
グランドとの間には抵抗４２が接続され、ベースとグラ
ンドとの間には抵抗４３が接続される。また、ベースに
は抵抗４４を介して電源電圧（Ｅ）が供給される。抵抗
４２は、エミッタにバイアス電圧を与えるためのエミッ
タバイアス抵抗となり、抵抗４３、４４はベースにバイ
アス電圧を与えるためのベースバイアス抵抗となってい
る。
グランドとの間には抵抗４２が接続され、ベースとグラ
ンドとの間には抵抗４３が接続される。また、ベースに
は抵抗４４を介して電源電圧（Ｅ）が供給される。抵抗
４２は、エミッタにバイアス電圧を与えるためのエミッ
タバイアス抵抗となり、抵抗４３、４４はベースにバイ
アス電圧を与えるためのベースバイアス抵抗となってい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
発振回路では、ある一つの周波数帯の発振しかできなか
った。また、リアクタンス回路３５のインダクタンス素
子のコイル３７のインダクタンスを他のコイルと切り換
えることにより複数の周波数帯に使用したとしてもイン
ダクタンスの変化だけでは、変化できる帯域が狭く、広
い帯域を切り換えるためには、帰還コンデンサ３３、３
４の容量も変化させないと発振の品質が悪くなるという
欠点があった。また、帰還コンデンサ３３、３４の片方
あるいは両方を可変コンデンサあるいはバラクタダイオ
ードとして帰還容量を調節して複数の広い周波数帯に使
用したとしても調節が複雑であるという欠点があった。
すなわち、従来の二方式共用型の携帯電話機では、発振
回路を二つ設けなければならなかった。このため、携帯
電話機の小型化あるいは軽量化の妨げとなっていた。
発振回路では、ある一つの周波数帯の発振しかできなか
った。また、リアクタンス回路３５のインダクタンス素
子のコイル３７のインダクタンスを他のコイルと切り換
えることにより複数の周波数帯に使用したとしてもイン
ダクタンスの変化だけでは、変化できる帯域が狭く、広
い帯域を切り換えるためには、帰還コンデンサ３３、３
４の容量も変化させないと発振の品質が悪くなるという
欠点があった。また、帰還コンデンサ３３、３４の片方
あるいは両方を可変コンデンサあるいはバラクタダイオ
ードとして帰還容量を調節して複数の広い周波数帯に使
用したとしても調節が複雑であるという欠点があった。
すなわち、従来の二方式共用型の携帯電話機では、発振
回路を二つ設けなければならなかった。このため、携帯
電話機の小型化あるいは軽量化の妨げとなっていた。
【０００８】そこで、本発明は、一つの発振回路で、複
数の周波数帯での安定した発振が可能な電圧制御発振器
を簡単に提供することで、二方式共用型の携帯電話機の
発振回路を一つにし、携帯電話機を小型化あるいは軽量
化し、そして価格を安くすることを目的とする。
数の周波数帯での安定した発振が可能な電圧制御発振器
を簡単に提供することで、二方式共用型の携帯電話機の
発振回路を一つにし、携帯電話機を小型化あるいは軽量
化し、そして価格を安くすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の電圧制御発振器は、互いに直列接続された
第一のコンデンサ及び第二のコンデンサを発振トランジ
スタのベースとコレクタ間に接続し、前記第一のコンデ
ンサと前記第二のコンデンサとの接続点と前記発振トラ
ンジスタのエミッタとの間にインダクタンスを接続し、
周波数の高い第一の周波数帯で発振するときに前記イン
ダクタンスの両端を短絡し、周波数の低い第二の周波数
帯で発振するときに前記インダクタンスの両端を短絡せ
ず、かつ前記インダクタンスと前記第一及び第二のコン
デンサによって前記発振トランジスタのベース・エミッ
タ間及びエミッタ・コレクタ間に形成される等価的な容
量をそれぞれ前記第一及び第二のコンデンサの容量より
も大きくなるようにした。
め、本発明の電圧制御発振器は、互いに直列接続された
第一のコンデンサ及び第二のコンデンサを発振トランジ
スタのベースとコレクタ間に接続し、前記第一のコンデ
ンサと前記第二のコンデンサとの接続点と前記発振トラ
ンジスタのエミッタとの間にインダクタンスを接続し、
周波数の高い第一の周波数帯で発振するときに前記イン
ダクタンスの両端を短絡し、周波数の低い第二の周波数
帯で発振するときに前記インダクタンスの両端を短絡せ
ず、かつ前記インダクタンスと前記第一及び第二のコン
デンサによって前記発振トランジスタのベース・エミッ
タ間及びエミッタ・コレクタ間に形成される等価的な容
量をそれぞれ前記第一及び第二のコンデンサの容量より
も大きくなるようにした。
【００１０】また、本発明の電圧制御発振器は、前記イ
ンダクタンスと並列にダイオードを接続し、周波数の高
い第一の周波数帯で発振するときに前記ダイオードを導
通させ、周波数の低い第二の周波数帯で発振するときに
前記ダイオードを非導通とさせるようにした。
ンダクタンスと並列にダイオードを接続し、周波数の高
い第一の周波数帯で発振するときに前記ダイオードを導
通させ、周波数の低い第二の周波数帯で発振するときに
前記ダイオードを非導通とさせるようにした。
【００１１】また、本発明の電圧制御発振器は、前記発
振トランジスタのエミッタをエミッタバイアス抵抗で接
地し、前記ダイオードに直列接続された直流阻止コンデ
ンサを設けると共に、直列接続された前記ダイオードと
前記直流阻止コンデンサとの接続点に前記ダイオードを
導通又は非導通とする切換電圧を印加するようにした。
振トランジスタのエミッタをエミッタバイアス抵抗で接
地し、前記ダイオードに直列接続された直流阻止コンデ
ンサを設けると共に、直列接続された前記ダイオードと
前記直流阻止コンデンサとの接続点に前記ダイオードを
導通又は非導通とする切換電圧を印加するようにした。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の電圧制御発振器の回路図
を図１に示す。この発振回路は、コレクタ接地型の発振
回路であり、電源電圧（Ｅ）が印加された発振トランジ
スタ１のコレクタは直流阻止コンデンサ２によって高周
波的に接地され、ベースとエミッタとの間、及び、エミ
ッタとグランドとの間にはそれぞれ第一の帰還コンデン
サ３、第二の帰還コンデンサ４が接続される。そして、
ベースとグランドとの間にリアクタンス回路５が接続さ
れる。リアクタンス回路５は、直列に接続された帰還コ
ンデンサ３、４に対して並列に接続され、発振周波数に
おいては等価的にインダクタンス素子として働く。
を図１に示す。この発振回路は、コレクタ接地型の発振
回路であり、電源電圧（Ｅ）が印加された発振トランジ
スタ１のコレクタは直流阻止コンデンサ２によって高周
波的に接地され、ベースとエミッタとの間、及び、エミ
ッタとグランドとの間にはそれぞれ第一の帰還コンデン
サ３、第二の帰還コンデンサ４が接続される。そして、
ベースとグランドとの間にリアクタンス回路５が接続さ
れる。リアクタンス回路５は、直列に接続された帰還コ
ンデンサ３、４に対して並列に接続され、発振周波数に
おいては等価的にインダクタンス素子として働く。
【００１３】リアクタンス回路５は、クラップコンデン
サ６、直流阻止コンデンサ７、８、インダクタンス素子
である例えばコイル９ｂ、９ｃ、コイル９ｂ、９ｃを切
り換えるスイッチ９ａ、コイル９ｂ、９ｃに並列接続さ
れるバラクタダイオード１０、及びバラクタダイオード
１０に制御電圧を印加するチョークコイル１１からな
る。コイル９ｂとコイル９ｃのインダクタンスは互いに
異なっている。
サ６、直流阻止コンデンサ７、８、インダクタンス素子
である例えばコイル９ｂ、９ｃ、コイル９ｂ、９ｃを切
り換えるスイッチ９ａ、コイル９ｂ、９ｃに並列接続さ
れるバラクタダイオード１０、及びバラクタダイオード
１０に制御電圧を印加するチョークコイル１１からな
る。コイル９ｂとコイル９ｃのインダクタンスは互いに
異なっている。
【００１４】スイッチ９ａによりコイル９ｂ、９ｃを切
り換えることにより、リアクタンス回路５のインダクタ
ンスが大きく変化し異なる周波数帯で発振可能となる。
また、チョークコイル１１からバラクタダイオード１０
へ印加する制御電圧を変化させると、バラクタダイオー
ド１０の容量が変化し、各周波数帯での発振周波数が変
えられる。そして、このリアクタンス回路５の等価的な
インダクタンスと、直列接続された帰還コンデンサ３、
４の直列容量とによる並列共振周波数によって発振周波
数が決定される。
り換えることにより、リアクタンス回路５のインダクタ
ンスが大きく変化し異なる周波数帯で発振可能となる。
また、チョークコイル１１からバラクタダイオード１０
へ印加する制御電圧を変化させると、バラクタダイオー
ド１０の容量が変化し、各周波数帯での発振周波数が変
えられる。そして、このリアクタンス回路５の等価的な
インダクタンスと、直列接続された帰還コンデンサ３、
４の直列容量とによる並列共振周波数によって発振周波
数が決定される。
【００１５】また、発振トランジスタ１のエミッタとグ
ランドとの間には抵抗１２が接続され、ベースとグラン
ドとの間には抵抗１３が接続される。また、ベースには
抵抗１４を介して電源電圧（Ｅ）が供給される。抵抗１
２は、エミッタにバイアス電圧を与えるためのエミッタ
バイアス抵抗となり、抵抗１３、１４はベースにバイア
ス電圧を与えるためのベースバイアス抵抗となってい
る。
ランドとの間には抵抗１２が接続され、ベースとグラン
ドとの間には抵抗１３が接続される。また、ベースには
抵抗１４を介して電源電圧（Ｅ）が供給される。抵抗１
２は、エミッタにバイアス電圧を与えるためのエミッタ
バイアス抵抗となり、抵抗１３、１４はベースにバイア
ス電圧を与えるためのベースバイアス抵抗となってい
る。
【００１６】また、発振トランジスタ１のエミッタと帰
還コンデンサ３、４の接続点との間にインダクタ１５を
接続し、インダクタ１５に、直列接続されたダイオード
１６及び直流阻止コンデンサ１７を並列に接続する。そ
して、ダイオード１６とコンデンサ１７の接続点に切換
電圧端子１９からの切換電圧を抵抗１８を介して印加す
るようにしている。なお、抵抗１８と切換電圧端子１９
との接続点を直流阻止コンデンサ２０で接地する。切換
電圧は、この電圧制御発振器を高い周波数帯で発振させ
る時は、正の電圧とし、低い周波数帯で発振させる時
は、０又は負の電圧とする。
還コンデンサ３、４の接続点との間にインダクタ１５を
接続し、インダクタ１５に、直列接続されたダイオード
１６及び直流阻止コンデンサ１７を並列に接続する。そ
して、ダイオード１６とコンデンサ１７の接続点に切換
電圧端子１９からの切換電圧を抵抗１８を介して印加す
るようにしている。なお、抵抗１８と切換電圧端子１９
との接続点を直流阻止コンデンサ２０で接地する。切換
電圧は、この電圧制御発振器を高い周波数帯で発振させ
る時は、正の電圧とし、低い周波数帯で発振させる時
は、０又は負の電圧とする。
【００１７】図１に示す電圧制御発振器の回路の動作を
以下に示す。この電圧制御発振器の発振周波数帯は、ス
イッチ９ａにより、コイル９ｂ、９ｃを切り換えて行
う。この電圧制御発振器を高い周波数帯で発振させる時
は、ダイオード１６には正の電圧が印加されるので、ダ
イオード１６は導通し、したがって、インダクタ１５の
両端は高周波的に短絡する。この場合の動作は、従来例
と同一なので説明は省略する。一方、この電圧制御発振
器を低い周波数帯で発振させる時は、ダイオード１６に
は０又は負の電圧が印加されるので、ダイオード１６は
非導通となり、インダクタ１５が帰還コンデンサ３、４
の接続点と発振トランジスタ１のエミッタとの間に接続
された状態となる。
以下に示す。この電圧制御発振器の発振周波数帯は、ス
イッチ９ａにより、コイル９ｂ、９ｃを切り換えて行
う。この電圧制御発振器を高い周波数帯で発振させる時
は、ダイオード１６には正の電圧が印加されるので、ダ
イオード１６は導通し、したがって、インダクタ１５の
両端は高周波的に短絡する。この場合の動作は、従来例
と同一なので説明は省略する。一方、この電圧制御発振
器を低い周波数帯で発振させる時は、ダイオード１６に
は０又は負の電圧が印加されるので、ダイオード１６は
非導通となり、インダクタ１５が帰還コンデンサ３、４
の接続点と発振トランジスタ１のエミッタとの間に接続
された状態となる。
【００１８】図２は、この場合の要部の回路図である。
図２から明らかなように、帰還コンデンサ３、４とイン
ダクタ１５はＹ結線となっている。この図２のＹ結線を
Δ結線の等価回路に置き換えたのが図３である。このと
き、インダクタ１５のインダクタンスをＬ、帰還コンデ
ンサ３及び４の容量をそれぞれＣ３、Ｃ４、とすると、
ベース・エミッタ間には容量Ｃ３を有するコンデンサ２
１とインダクタンスＬ（１＋Ｃ４／Ｃ３）を有するイン
ダクタンス２２が直列に挿入され、コレクタ・エミッタ
間には容量Ｃ４を有するコンデンサ２３とインダクタン
スＬ（１＋Ｃ３／Ｃ４）を有するインダクタンス２４が
直列に挿入されたことになる。そして、ベース・エミッ
タ間のインピーダンスＺｂｅ、コレクタ・エミッタ間の
インピーダンスＺｃｅは、この電圧制御発振器の発振周
波数をωｏとすると、 Ｚｂｅ＝ｊωｏＬ（１＋Ｃ４／Ｃ３）＋１／ｊωｏＣ３ Ｚｃｅ＝ｊωｏＬ（１＋Ｃ３／Ｃ４）＋１／ｊωｏＣ４
となる。
図２から明らかなように、帰還コンデンサ３、４とイン
ダクタ１５はＹ結線となっている。この図２のＹ結線を
Δ結線の等価回路に置き換えたのが図３である。このと
き、インダクタ１５のインダクタンスをＬ、帰還コンデ
ンサ３及び４の容量をそれぞれＣ３、Ｃ４、とすると、
ベース・エミッタ間には容量Ｃ３を有するコンデンサ２
１とインダクタンスＬ（１＋Ｃ４／Ｃ３）を有するイン
ダクタンス２２が直列に挿入され、コレクタ・エミッタ
間には容量Ｃ４を有するコンデンサ２３とインダクタン
スＬ（１＋Ｃ３／Ｃ４）を有するインダクタンス２４が
直列に挿入されたことになる。そして、ベース・エミッ
タ間のインピーダンスＺｂｅ、コレクタ・エミッタ間の
インピーダンスＺｃｅは、この電圧制御発振器の発振周
波数をωｏとすると、 Ｚｂｅ＝ｊωｏＬ（１＋Ｃ４／Ｃ３）＋１／ｊωｏＣ３ Ｚｃｅ＝ｊωｏＬ（１＋Ｃ３／Ｃ４）＋１／ｊωｏＣ４
となる。
【００１９】このとき、インダクタ１５は、ベース・エ
ミッタ間とコレクタ・エミッタ間に等価的に挿入される
容量を、帰還コンデンサ３、４の容量よりも増やす方に
機能する必要があるため、 ωｏＬ（１＋Ｃ４／Ｃ３）−１／ωｏＣ３＜０ ωｏＬ（１＋Ｃ３／Ｃ４）−１／ωｏＣ４＜０ が両方とも成立しなければならない。この結果、インダ
クタ１５のＬは、 Ｌ＜１／ωｏ＾２（Ｃ３＋Ｃ４） （「ωｏ＾２」
は、ωｏの２乗を示す） を満足すればベース・エミッタ間とコレクタ・エミッタ
間に等価的に挿入される帰還容量がそれぞれ帰還コンデ
ンサ３、４の容量より大きくなって、低い周波数帯で発
振が安定する。
ミッタ間とコレクタ・エミッタ間に等価的に挿入される
容量を、帰還コンデンサ３、４の容量よりも増やす方に
機能する必要があるため、 ωｏＬ（１＋Ｃ４／Ｃ３）−１／ωｏＣ３＜０ ωｏＬ（１＋Ｃ３／Ｃ４）−１／ωｏＣ４＜０ が両方とも成立しなければならない。この結果、インダ
クタ１５のＬは、 Ｌ＜１／ωｏ＾２（Ｃ３＋Ｃ４） （「ωｏ＾２」
は、ωｏの２乗を示す） を満足すればベース・エミッタ間とコレクタ・エミッタ
間に等価的に挿入される帰還容量がそれぞれ帰還コンデ
ンサ３、４の容量より大きくなって、低い周波数帯で発
振が安定する。
【００２０】以上のように、発振トランジスタ１のエミ
ッタと帰還コンデンサ３、４の接続点との間に、前述し
た範囲のインダクタンスＬを持つインダクタ１５を接続
し、インダクタ１５の両端を短絡又は非短絡とすること
によって、高い周波数帯では帰還コンデンサ３、４によ
って発振させ、低い周波数帯では等価的な容量を帰還コ
ンデンサ３、４より増やして発振させ、共に安定した発
振が可能となる。
ッタと帰還コンデンサ３、４の接続点との間に、前述し
た範囲のインダクタンスＬを持つインダクタ１５を接続
し、インダクタ１５の両端を短絡又は非短絡とすること
によって、高い周波数帯では帰還コンデンサ３、４によ
って発振させ、低い周波数帯では等価的な容量を帰還コ
ンデンサ３、４より増やして発振させ、共に安定した発
振が可能となる。
【００２１】なお、以上までの説明は、コレクタ接地型
の発振回路について説明したが、ベース接地型あるいは
コレクタ接地型の発振回路で構成しても同じ効果を奏す
る。
の発振回路について説明したが、ベース接地型あるいは
コレクタ接地型の発振回路で構成しても同じ効果を奏す
る。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明の電圧制御発振器
は、互いに直列接続された第一の帰還コンデンサと第二
の帰還コンデンサの接続点と前記発振トランジスタのエ
ミッタとの間にインダクタンスを接続し、周波数の高い
第一の周波数帯で発振するときに前記インダクタンスの
両端を短絡し、周波数の低い第二の周波数帯で発振する
ときに前記インダクタンスの両端を短絡せず、かつ前記
インダクタと前記第一及び第二のコンデンサによって前
記発振トランジスタのベース・エミッタ間及びエミッタ
・コレクタ間に形成される等価的な容量を前記第一及び
第二のコンデンサの容量よりも大きくなるようにしたの
で、両方の周波数帯において安定した発振状態が得られ
る。また、インダクタンス１つを用いるだけで、ベース
・エミッタ間及びエミッタ・コレクタ間の両方の等価的
な帰還容量を変えることができる。
は、互いに直列接続された第一の帰還コンデンサと第二
の帰還コンデンサの接続点と前記発振トランジスタのエ
ミッタとの間にインダクタンスを接続し、周波数の高い
第一の周波数帯で発振するときに前記インダクタンスの
両端を短絡し、周波数の低い第二の周波数帯で発振する
ときに前記インダクタンスの両端を短絡せず、かつ前記
インダクタと前記第一及び第二のコンデンサによって前
記発振トランジスタのベース・エミッタ間及びエミッタ
・コレクタ間に形成される等価的な容量を前記第一及び
第二のコンデンサの容量よりも大きくなるようにしたの
で、両方の周波数帯において安定した発振状態が得られ
る。また、インダクタンス１つを用いるだけで、ベース
・エミッタ間及びエミッタ・コレクタ間の両方の等価的
な帰還容量を変えることができる。
【００２３】また、本発明の電圧制御発振器は、前記イ
ンダクタと並列にダイオードを接続し、周波数の高い第
一の周波数帯で発振するときに前記ダイオードを導通さ
せ、周波数の低い第二の周波数帯で発振するときに前記
ダイオードを非導通とさせるようにしたので、ベース・
エミッタ間及びエミッタ・コレクタ間の等価的な帰還容
量を簡単に変えることができる。
ンダクタと並列にダイオードを接続し、周波数の高い第
一の周波数帯で発振するときに前記ダイオードを導通さ
せ、周波数の低い第二の周波数帯で発振するときに前記
ダイオードを非導通とさせるようにしたので、ベース・
エミッタ間及びエミッタ・コレクタ間の等価的な帰還容
量を簡単に変えることができる。
【００２４】また、本発明の電圧制御発振器は、前記発
振トランジスタのエミッタをエミッタバイアス抵抗で接
地し、前記ダイオードに直列接続された直流阻止コンデ
ンサを設けると共に、直列接続された前記ダイオードと
前記直流阻止コンデンサとの接続点に前記ダイオードを
導通又は非導通とする切換電圧を印加するようにしたの
で、一つの切換電圧でベース・エミッタ間及びエミッタ
・コレクタ間の等価的な帰還容量を簡単に変えることが
できる。
振トランジスタのエミッタをエミッタバイアス抵抗で接
地し、前記ダイオードに直列接続された直流阻止コンデ
ンサを設けると共に、直列接続された前記ダイオードと
前記直流阻止コンデンサとの接続点に前記ダイオードを
導通又は非導通とする切換電圧を印加するようにしたの
で、一つの切換電圧でベース・エミッタ間及びエミッタ
・コレクタ間の等価的な帰還容量を簡単に変えることが
できる。
【図１】本発明の電圧制御発振器の発振回路を示す回路
図である。
図である。
【図２】本発明の電圧制御発振器の発振回路の要部を示
す回路図である。
す回路図である。
【図３】本発明の電圧制御発振器の発振回路の要部を示
す等価回路図である。
す等価回路図である。
【図４】従来の携帯電話の要部を示すブロック図であ
る。
る。
【図５】従来の電圧制御発振器の発振回路を示す回路図
である。
である。
１ 発振トランジスタ ３、４ 帰還コンデンサ ５ リアクタンス回路 ９ａ スイッチ ９ｂ、９ｃ コイル １０ バラクタダイオード １１ チョークコイル １２ エミッタバイアス抵抗 １５ インダクタンス １６ ダイオード １７、２０ 直流阻止コンデンサ １８ 抵抗 １９ 切換電圧端子
Claims (3)
- 【請求項１】 互いに直列接続された第一の帰還コンデ
ンサ及び第二の帰還コンデンサを発振トランジスタのベ
ースとコレクタ間に接続し、前記第一の帰還コンデンサ
と前記第二の帰還コンデンサとの接続点と、前記発振ト
ランジスタのエミッタとの間にインダクタンスを接続
し、周波数の高い第一の周波数帯で発振するときに前記
インダクタンスの両端を短絡し、周波数の低い第二の周
波数帯で発振するときに前記インダクタンスの両端を短
絡せず、かつ前記インダクタンスと前記第一及び第二の
コンデンサによって前記発振トランジスタのベース・エ
ミッタ間及びエミッタ・コレクタ間に形成される等価的
な容量をそれぞれ前記第一及び第二の帰還コンデンサの
容量よりも大きくなるようにしたことを特徴とする電圧
制御発振器。 - 【請求項２】 前記インダクタンスと並列にダイオード
を接続し、周波数の高い第一の周波数帯で発振するとき
に前記ダイオードを導通させ、周波数の低い第二の周波
数帯で発振するときに前記ダイオードを非導通とさせる
ようにしたことを特徴とする請求項１に記載の電圧制御
発振器。 - 【請求項３】 前記発振トランジスタのエミッタをエミ
ッタバイアス抵抗で接地し、前記ダイオードに直列接続
された直流阻止コンデンサを設けると共に、直列接続さ
れた前記ダイオードと前記直流阻止コンデンサとの接続
点に前記ダイオードを導通又は非導通とする切換電圧を
印加するようにしたことを特徴とする電圧制御発振器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000547A JP2000201023A (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | 電圧制御発振器 |
| KR1019990063173A KR100354241B1 (ko) | 1999-01-05 | 1999-12-28 | 전압제어발진기 |
| CNB991273095A CN1175573C (zh) | 1999-01-05 | 1999-12-28 | 电压控制振荡器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000547A JP2000201023A (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | 電圧制御発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000201023A true JP2000201023A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11476764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11000547A Withdrawn JP2000201023A (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | 電圧制御発振器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000201023A (ja) |
| KR (1) | KR100354241B1 (ja) |
| CN (1) | CN1175573C (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006238034A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Alps Electric Co Ltd | 発振回路 |
| KR100759508B1 (ko) * | 2000-08-01 | 2007-09-18 | 정연문 | 귀환루프를 갖는 고주파 발진 회로 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100382432C (zh) * | 2005-04-11 | 2008-04-16 | 南京理工大学 | 快速捷变频集成锁相式频率合成器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55133109A (en) * | 1979-04-04 | 1980-10-16 | Toyo Commun Equip Co Ltd | Crystal oscillator of voltage control |
| JPH05226934A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Tokimec Inc | 広帯域電圧制御発振器 |
-
1999
- 1999-01-05 JP JP11000547A patent/JP2000201023A/ja not_active Withdrawn
- 1999-12-28 KR KR1019990063173A patent/KR100354241B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-12-28 CN CNB991273095A patent/CN1175573C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100759508B1 (ko) * | 2000-08-01 | 2007-09-18 | 정연문 | 귀환루프를 갖는 고주파 발진 회로 |
| JP2006238034A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Alps Electric Co Ltd | 発振回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100354241B1 (ko) | 2002-09-26 |
| KR20000052592A (ko) | 2000-08-25 |
| CN1175573C (zh) | 2004-11-10 |
| CN1259799A (zh) | 2000-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040811 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040824 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20041012 |