JP3054558B2 - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
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- JP3054558B2 JP3054558B2 JP6258456A JP25845694A JP3054558B2 JP 3054558 B2 JP3054558 B2 JP 3054558B2 JP 6258456 A JP6258456 A JP 6258456A JP 25845694 A JP25845694 A JP 25845694A JP 3054558 B2 JP3054558 B2 JP 3054558B2
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- circuit
- coil
- tuning
- resistor
- capacitor
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- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発振回路に関し、特に
各種の方式に対応してテレビジョン信号を生成するRFモ
ジュレータにおける発振回路に関する。
各種の方式に対応してテレビジョン信号を生成するRFモ
ジュレータにおける発振回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】テレビジョンの方式にはNTSC,PAL,SECAM
の各方式がある。各方式における映像搬送波周波数と音
声搬送波周波数との間隔であるインタキャリア周波数は
次の通りである。 NTSC 4.5MHz PAL B/G 5.5MHz PAL I 6.0MHz PAL D/K, SECAM L 6.5MHz RFモジュレータは、映像・音声信号をテレビジョン信号
に変換する装置であり、同一の装置でテレビジョンの各
方式に対応するためには、インタキャリア周波数を切り
替えなければならない。
の各方式がある。各方式における映像搬送波周波数と音
声搬送波周波数との間隔であるインタキャリア周波数は
次の通りである。 NTSC 4.5MHz PAL B/G 5.5MHz PAL I 6.0MHz PAL D/K, SECAM L 6.5MHz RFモジュレータは、映像・音声信号をテレビジョン信号
に変換する装置であり、同一の装置でテレビジョンの各
方式に対応するためには、インタキャリア周波数を切り
替えなければならない。
【０００３】図６はインタキャリア周波数を発振する従
来の発振回路の回路図である。図において11は発振回路
を構成する半導体集積回路であり、12,13 は該集積回路
に同調回路を外付けする端子である。そして14はスイッ
チング用の電圧を与える端子である。両端子12,14 間に
コイル15, 直流阻止コンデンサ16, チョークコイル17及
び抵抗18が直列に接続され、端子13及び接地間に直流阻
止コンデンサ19及びチョークコイル20が直列に接続さ
れ、コイル15及びコンデンサ16の接続点並びに端子13の
間にコイル22が介装され、コンデンサ16及びチョークコ
イル17の接続点並びにコンデンサ19及びチョークコイル
20の接続点の間にスイッチングダイオード23が介装さ
れ、両端子12,13 間に、コンデンサ21が介装されてい
る。ここにコイル15のインダクタンスＬ1 は12.6μH で
あり、コイル22のインダクタンスＬ2 は2.4 μH であ
り、コンデンサ21の容量Ｃ1 は56pFである。
来の発振回路の回路図である。図において11は発振回路
を構成する半導体集積回路であり、12,13 は該集積回路
に同調回路を外付けする端子である。そして14はスイッ
チング用の電圧を与える端子である。両端子12,14 間に
コイル15, 直流阻止コンデンサ16, チョークコイル17及
び抵抗18が直列に接続され、端子13及び接地間に直流阻
止コンデンサ19及びチョークコイル20が直列に接続さ
れ、コイル15及びコンデンサ16の接続点並びに端子13の
間にコイル22が介装され、コンデンサ16及びチョークコ
イル17の接続点並びにコンデンサ19及びチョークコイル
20の接続点の間にスイッチングダイオード23が介装さ
れ、両端子12,13 間に、コンデンサ21が介装されてい
る。ここにコイル15のインダクタンスＬ1 は12.6μH で
あり、コイル22のインダクタンスＬ2 は2.4 μH であ
り、コンデンサ21の容量Ｃ1 は56pFである。
【０００４】次に動作について説明する。 (端子14に５Ｖを印加した場合)ダイオード23は導通状態
となり、その抵抗値はコイル22の誘導リアクタンスに比
較して小さく、両コンデンサ16,19 の容量リアクタンス
は小さく、両コイル17,20 の誘導リアクタンスは大きい
故、コイル22はダイオード23で実効的に短絡され、コイ
ル15及びダイオード23の直列回路並びにコンデンサ21が
同調回路を形成する。この同調回路の同調周波数ｆ1 は ｆ1 ＝１／｛２π√ (Ｌ1 Ｃ1 ) ｝＝6.0MHz である。
となり、その抵抗値はコイル22の誘導リアクタンスに比
較して小さく、両コンデンサ16,19 の容量リアクタンス
は小さく、両コイル17,20 の誘導リアクタンスは大きい
故、コイル22はダイオード23で実効的に短絡され、コイ
ル15及びダイオード23の直列回路並びにコンデンサ21が
同調回路を形成する。この同調回路の同調周波数ｆ1 は ｆ1 ＝１／｛２π√ (Ｌ1 Ｃ1 ) ｝＝6.0MHz である。
【０００５】(端子14に０Ｖを印加した場合)ダイオード
23は非導通状態となり、両コイル17,20 の誘導リアクタ
ンスは大きい故、両コイル15,22 及びコンデンサ21が同
調回路を形成する。この同調回路の同調周波数ｆ2 は ｆ2 ＝１／〔２π√｛（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）Ｃ1 ｝〕＝5.5MHz である。そして発振回路は同調周波数の6.0MHz又は5.5M
Hzで発振する故、端子14に５Ｖ又は０Ｖを印加すること
により発振周波数が切り替えられる。
23は非導通状態となり、両コイル17,20 の誘導リアクタ
ンスは大きい故、両コイル15,22 及びコンデンサ21が同
調回路を形成する。この同調回路の同調周波数ｆ2 は ｆ2 ＝１／〔２π√｛（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）Ｃ1 ｝〕＝5.5MHz である。そして発振回路は同調周波数の6.0MHz又は5.5M
Hzで発振する故、端子14に５Ｖ又は０Ｖを印加すること
により発振周波数が切り替えられる。
【０００６】図７は発振周波数を切り替える従来の他の
発振回路の回路図である。図において31は発振回路を構
成する半導体集積回路であり、32は発振回路を構成する
同調回路を外付けする端子である。そして33はスイッチ
ング用の電圧を同調回路へ与える端子である。端子32及
び接地間にコイル34及びコイル35からなる直列回路並び
にコンデンサ36が並列に接続され、両コイル34,35 の接
続点と接地間にスイッチング用のnpn 型トランジスタ37
が介装され、該トランジスタ37のベース及び端子33間に
抵抗38が介装されている。
発振回路の回路図である。図において31は発振回路を構
成する半導体集積回路であり、32は発振回路を構成する
同調回路を外付けする端子である。そして33はスイッチ
ング用の電圧を同調回路へ与える端子である。端子32及
び接地間にコイル34及びコイル35からなる直列回路並び
にコンデンサ36が並列に接続され、両コイル34,35 の接
続点と接地間にスイッチング用のnpn 型トランジスタ37
が介装され、該トランジスタ37のベース及び端子33間に
抵抗38が介装されている。
【０００７】トランジスタ37は、両コイル34,35 の接続
点及び抵抗38間に図示しない一のダイオードを介装し、
接地及び抵抗38間に図示しない他のダイオードを介装
し、前記両ダイオードの導通・非導通を図示しない回路
で制御し、スイッチングダイオードとして動作せしめた
場合と同様に動作する。ここに、コイル34のインダクタ
ンスＬ3 は12.6μH であり、コイル35のインダクタンス
Ｌ4 は2.4 μH であり、コンデンサ36の容量Ｃ2 は56pF
である。
点及び抵抗38間に図示しない一のダイオードを介装し、
接地及び抵抗38間に図示しない他のダイオードを介装
し、前記両ダイオードの導通・非導通を図示しない回路
で制御し、スイッチングダイオードとして動作せしめた
場合と同様に動作する。ここに、コイル34のインダクタ
ンスＬ3 は12.6μH であり、コイル35のインダクタンス
Ｌ4 は2.4 μH であり、コンデンサ36の容量Ｃ2 は56pF
である。
【０００８】(トランジスタ37を導通状態となした場合)
コイル35は実効的に短絡され、コイル34及びコンデンサ
36が同調回路を形成する。この同調回路の同調周波数ｆ
1 は ｆ1 ＝１／｛２π√（Ｌ3 Ｃ2 ）｝＝6.0MHz である。
コイル35は実効的に短絡され、コイル34及びコンデンサ
36が同調回路を形成する。この同調回路の同調周波数ｆ
1 は ｆ1 ＝１／｛２π√（Ｌ3 Ｃ2 ）｝＝6.0MHz である。
【０００９】(トランジスタ37を非導通状態となした場
合)両コイル34,35 及びコンデンサ36が同調回路を形成
する。この同調回路の同調周波数ｆ2 は ｆ2 ＝１／〔２π√｛（Ｌ3 ＋Ｌ4 ）Ｃ2 ｝〕＝5.5MHz である。そして発振回路は同調周波数の6.0MHz又は5.5M
Hzで発振する故、トランジスタ37を導通又は非導通とす
ることにより発振周波数が切り替えられる。
合)両コイル34,35 及びコンデンサ36が同調回路を形成
する。この同調回路の同調周波数ｆ2 は ｆ2 ＝１／〔２π√｛（Ｌ3 ＋Ｌ4 ）Ｃ2 ｝〕＝5.5MHz である。そして発振回路は同調周波数の6.0MHz又は5.5M
Hzで発振する故、トランジスタ37を導通又は非導通とす
ることにより発振周波数が切り替えられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図６においてスイッチ
素子として使用しているダイオード23又は図７において
スイッチ素子として使用しているトランジスタ37は、そ
の導通状態において完全な閉路状態ではなく抵抗成分を
有している。それ故コイルに直列にスイッチ素子の抵抗
成分が加わり同調回路の選択度Ｑが低下する。9.5 Ωの
抵抗成分を有するインダクタンス12.6μH のコイルと容
量56pFのコンデンサからなる同調回路の選択度Ｑは Ｑ＝ (ωＬ) ／Ｒ＝50 である。この同調回路に図６に示す如くダイオードが挿
入され、そのダイオードの導通状態における抵抗値が３
Ωである場合、同調回路の抵抗成分は 9.5 Ω＋３Ω＝12.5Ω となり、その選択度Ｑは38に低下する。そしてＱの値が
低下した場合、発振周波数のレベルは、発振回路の構成
に依存するものではあるが、数dB低下する。そしてレベ
ルの低下したインタキャリア周波数に基づいて生成され
た音声搬送波のレベルは低い。
素子として使用しているダイオード23又は図７において
スイッチ素子として使用しているトランジスタ37は、そ
の導通状態において完全な閉路状態ではなく抵抗成分を
有している。それ故コイルに直列にスイッチ素子の抵抗
成分が加わり同調回路の選択度Ｑが低下する。9.5 Ωの
抵抗成分を有するインダクタンス12.6μH のコイルと容
量56pFのコンデンサからなる同調回路の選択度Ｑは Ｑ＝ (ωＬ) ／Ｒ＝50 である。この同調回路に図６に示す如くダイオードが挿
入され、そのダイオードの導通状態における抵抗値が３
Ωである場合、同調回路の抵抗成分は 9.5 Ω＋３Ω＝12.5Ω となり、その選択度Ｑは38に低下する。そしてＱの値が
低下した場合、発振周波数のレベルは、発振回路の構成
に依存するものではあるが、数dB低下する。そしてレベ
ルの低下したインタキャリア周波数に基づいて生成され
た音声搬送波のレベルは低い。
【００１１】図８は従来の発振回路を用いて方式の異な
るインタキャリア周波数を発振し、夫々の音声搬送波を
生成する場合における映像搬送波及び音声搬送波の出力
レベルを示す模式図である。図において実線は映像搬送
波を示し、その周波数はｆPであり、１点鎖線はPAL B/G
方式の場合の音声搬送波を示し、その周波数はｆS2で
あり、破線はPAL I 方式の場合の音声搬送波を示し、そ
の周波数はｆS1である。ｆP はPAL I 方式における第36
CHの場合591.25MHz であり、ｆS2−ｆP は5.5MHzであ
り、ｆS −ｆP は6.0MHzである。そして、両音声搬送波
の出力レベルに数dBのレベル差が存在する。
るインタキャリア周波数を発振し、夫々の音声搬送波を
生成する場合における映像搬送波及び音声搬送波の出力
レベルを示す模式図である。図において実線は映像搬送
波を示し、その周波数はｆPであり、１点鎖線はPAL B/G
方式の場合の音声搬送波を示し、その周波数はｆS2で
あり、破線はPAL I 方式の場合の音声搬送波を示し、そ
の周波数はｆS1である。ｆP はPAL I 方式における第36
CHの場合591.25MHz であり、ｆS2−ｆP は5.5MHzであ
り、ｆS −ｆP は6.0MHzである。そして、両音声搬送波
の出力レベルに数dBのレベル差が存在する。
【００１２】音声搬送波のレベルが変化する場合、SN比
等の受信特性が変化する故、異なる方式のテレビジョン
信号を視聴する場合、受信特性が異なるという問題点が
ある。発振回路の発振周波数を切り替えるべくメカニカ
ルスイッチを使用した場合、その接触抵抗は殆ど０Ωで
ある故、発振周波数によりレベル差を生ずることはない
が、スイッチを電子的に制御して発振周波数を切り替え
ることはできない。本発明はこのような問題点を解決す
るためになされたものであり、同調回路を構成するコイ
ルに抵抗を接続し、このコイルと抵抗との直列回路を電
子スイッチで短絡又は非短絡とすべく構成し、前記抵抗
の値を前記電子スイッチの導通抵抗と実効的に等しくす
ることにより、発振周波数を切り替えた場合にそのレベ
ルが変動しない回路を提供することを目的とする。
等の受信特性が変化する故、異なる方式のテレビジョン
信号を視聴する場合、受信特性が異なるという問題点が
ある。発振回路の発振周波数を切り替えるべくメカニカ
ルスイッチを使用した場合、その接触抵抗は殆ど０Ωで
ある故、発振周波数によりレベル差を生ずることはない
が、スイッチを電子的に制御して発振周波数を切り替え
ることはできない。本発明はこのような問題点を解決す
るためになされたものであり、同調回路を構成するコイ
ルに抵抗を接続し、このコイルと抵抗との直列回路を電
子スイッチで短絡又は非短絡とすべく構成し、前記抵抗
の値を前記電子スイッチの導通抵抗と実効的に等しくす
ることにより、発振周波数を切り替えた場合にそのレベ
ルが変動しない回路を提供することを目的とする。
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る発信回路
は、コンデンサ及び複数のコイルよりなる同調回路を備
え、３つの同調周波数に切替え可能な発振回路におい
て、第１コイルの一端と第２コイルの一端とを接続し、
その接続点に抵抗の一端を接続した回路と、前記第１コ
イルの他端と前記抵抗の他端との間に介装した第１電子
スイッチと、前記第２コイルの他端と前記抵抗の他端と
の間に介装した第２電子スイッチとを備え、前記第１電
子スイッチ及び前記第２電子スイッチの閉路時の抵抗値
と前記抵抗の値とを実効的に等しくなしてあることを特
徴とする。
は、コンデンサ及び複数のコイルよりなる同調回路を備
え、３つの同調周波数に切替え可能な発振回路におい
て、第１コイルの一端と第２コイルの一端とを接続し、
その接続点に抵抗の一端を接続した回路と、前記第１コ
イルの他端と前記抵抗の他端との間に介装した第１電子
スイッチと、前記第２コイルの他端と前記抵抗の他端と
の間に介装した第２電子スイッチとを備え、前記第１電
子スイッチ及び前記第２電子スイッチの閉路時の抵抗値
と前記抵抗の値とを実効的に等しくなしてあることを特
徴とする。
【００１６】第２発明に係る発信回路は、前記第１電子
スイッチ及び前記第２電子スイッチがコンデンサを備え
ることを特徴とする。
スイッチ及び前記第２電子スイッチがコンデンサを備え
ることを特徴とする。
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【作用】第１発明において、第１電子スイッチは第１コ
イル及び抵抗を接続した回路を短絡又は非短絡とし、第
２電子スイッチは第２コイル及び前記抵抗を接続した回
路を短絡又は非短絡とすることにより同調回路のインダ
クタンスが変化し、３値のインダクタンスが得られる。
そして第１電子スイッチと第２電子スイッチの閉路時の
抵抗値及び前記抵抗の値が実効的に等しい故、同調回路
のインダクタンスを変化させた場合、選択度Ｑは殆ど変
化しない。
イル及び抵抗を接続した回路を短絡又は非短絡とし、第
２電子スイッチは第２コイル及び前記抵抗を接続した回
路を短絡又は非短絡とすることにより同調回路のインダ
クタンスが変化し、３値のインダクタンスが得られる。
そして第１電子スイッチと第２電子スイッチの閉路時の
抵抗値及び前記抵抗の値が実効的に等しい故、同調回路
のインダクタンスを変化させた場合、選択度Ｑは殆ど変
化しない。
【００２０】第２発明において、第１電子スイッチ又は
第２電子スイッチは第１コイル又は第２コイルと抵抗を
接続した回路を交流的に短絡又は非短絡とすることによ
り、同調回路のインダクタンスを変化させる。
第２電子スイッチは第１コイル又は第２コイルと抵抗を
接続した回路を交流的に短絡又は非短絡とすることによ
り、同調回路のインダクタンスを変化させる。
【００２１】
【実施例】先ず、本発明に係る原理を以下の参考例を示
す図面に基づき具体的に説明する。図１は第１参考例に
係る発振回路の回路図である。図において11は発振回路
を構成する半導体集積回路であり、12,13 は該集積回路
に同調回路を外付けする端子である。そして14はスイッ
チング用の電圧を同調回路へ与える端子である。両端子
12,14 間にコイル15, 直流阻止コンデンサ16, チョーク
コイル17及び抵抗18が直列に接続され、端子13及び接地
間に直流阻止コンデンサ19及びチョークコイル20が直列
に接続され、コイル15及びコンデンサ16の接続点並びに
端子13の間にコイル22及び抵抗24が直列に接続され、コ
ンデンサ16及びチョークコイル17の接続点並びにコンデ
ンサ19及びチョークコイル20の接続点の間にスイッチン
グダイオード23が介装され、両端子12,13 間に、コンデ
ンサ21が介装されている。スイッチングダイオード23は
その導通又は非導通を端子14へ与えられる電圧により制
御される電子スイッチとして動作する。そしてコイル15
のインダクタンスＬ1 は12.6μH であり、コイル22のイ
ンダクタンスＬ2 は2.4 μH であり、コンデンサ21の容
量Ｃ1 は56pFである。そして、ダイオード23が導通状態
である場合の抵抗成分の値と抵抗24の値とは実効的に等
しくＲ1 ( Ω) である。
す図面に基づき具体的に説明する。図１は第１参考例に
係る発振回路の回路図である。図において11は発振回路
を構成する半導体集積回路であり、12,13 は該集積回路
に同調回路を外付けする端子である。そして14はスイッ
チング用の電圧を同調回路へ与える端子である。両端子
12,14 間にコイル15, 直流阻止コンデンサ16, チョーク
コイル17及び抵抗18が直列に接続され、端子13及び接地
間に直流阻止コンデンサ19及びチョークコイル20が直列
に接続され、コイル15及びコンデンサ16の接続点並びに
端子13の間にコイル22及び抵抗24が直列に接続され、コ
ンデンサ16及びチョークコイル17の接続点並びにコンデ
ンサ19及びチョークコイル20の接続点の間にスイッチン
グダイオード23が介装され、両端子12,13 間に、コンデ
ンサ21が介装されている。スイッチングダイオード23は
その導通又は非導通を端子14へ与えられる電圧により制
御される電子スイッチとして動作する。そしてコイル15
のインダクタンスＬ1 は12.6μH であり、コイル22のイ
ンダクタンスＬ2 は2.4 μH であり、コンデンサ21の容
量Ｃ1 は56pFである。そして、ダイオード23が導通状態
である場合の抵抗成分の値と抵抗24の値とは実効的に等
しくＲ1 ( Ω) である。
【００２２】次に動作について説明する。 (端子14に５Ｖを印加した場合)ダイオード23は導通状態
となり、その抵抗値はコイル22の誘導リアクタンスに比
較して小さく、両コンデンサ16,19 の容量リアクタンス
は小さく、両コイル17,20 の誘導リアクタンスは大きい
故、コイル22及び抵抗24の直列回路はダイオード23で実
効的に短絡され、コイル15及びダイオード23の直列回路
並びにコンデンサ21が同調回路を形成する。この場合の
等価回路を図２に示す。この等価回路の同調周波数ｆ1
は ｆ1 ＝１／｛２π√ (Ｌ1 Ｃ1 ) ｝＝6.0MHz であり、この等価回路の選択度Ｑは Ｑ＝ (ωＬ1 ) ／（Ｒ1 ＋ＲL1） である。但しＲL1はコイル15の抵抗成分である。
となり、その抵抗値はコイル22の誘導リアクタンスに比
較して小さく、両コンデンサ16,19 の容量リアクタンス
は小さく、両コイル17,20 の誘導リアクタンスは大きい
故、コイル22及び抵抗24の直列回路はダイオード23で実
効的に短絡され、コイル15及びダイオード23の直列回路
並びにコンデンサ21が同調回路を形成する。この場合の
等価回路を図２に示す。この等価回路の同調周波数ｆ1
は ｆ1 ＝１／｛２π√ (Ｌ1 Ｃ1 ) ｝＝6.0MHz であり、この等価回路の選択度Ｑは Ｑ＝ (ωＬ1 ) ／（Ｒ1 ＋ＲL1） である。但しＲL1はコイル15の抵抗成分である。
【００２３】(端子14に０Ｖを印加した場合)ダイオード
23は非導通状態となり、両コイル17,20 の誘導リアクタ
ンスは大きい故、両コイル15,22 及び抵抗24の直列回路
並びにコンデンサ21が同調回路を形成する。この場合の
等価回路を図３に示す。この等価回路の同調周波数ｆ2
は ｆ2 ＝１／〔２π√｛（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）Ｃ1 ｝〕＝5.5MHz であり、この等価回路の選択度Ｑは Ｑ＝｛ω (Ｌ1 ＋Ｌ2 ) ｝／（Ｒ1 ＋ＲL1＋ＲL2） である。但しＲL2はコイル22の抵抗成分である。
23は非導通状態となり、両コイル17,20 の誘導リアクタ
ンスは大きい故、両コイル15,22 及び抵抗24の直列回路
並びにコンデンサ21が同調回路を形成する。この場合の
等価回路を図３に示す。この等価回路の同調周波数ｆ2
は ｆ2 ＝１／〔２π√｛（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）Ｃ1 ｝〕＝5.5MHz であり、この等価回路の選択度Ｑは Ｑ＝｛ω (Ｌ1 ＋Ｌ2 ) ｝／（Ｒ1 ＋ＲL1＋ＲL2） である。但しＲL2はコイル22の抵抗成分である。
【００２４】このように、コイル22及び抵抗24の直列回
路を、導通時の抵抗値がＲ1 であるダイオード23が実効
的に短絡又は非短絡とする場合において、選択度Ｑを決
定するインダクタンスはＬ1 又はＬ1 ＋Ｌ2 であり、ま
た抵抗成分はＲ1 ＋ＲL1又はＲ1 ＋ＲL1＋ＲL2である
が、 Ｌ1 >>Ｌ2 ， ＲL1>>ＲL2 である故、選択度Ｑの値は殆ど変わらない。そして本参
考例の発振回路は、この同調回路の同調周波数及び選択
度Ｑに基づいて発振する故、発振周波数の切り替えによ
るレベル差は生じない。
路を、導通時の抵抗値がＲ1 であるダイオード23が実効
的に短絡又は非短絡とする場合において、選択度Ｑを決
定するインダクタンスはＬ1 又はＬ1 ＋Ｌ2 であり、ま
た抵抗成分はＲ1 ＋ＲL1又はＲ1 ＋ＲL1＋ＲL2である
が、 Ｌ1 >>Ｌ2 ， ＲL1>>ＲL2 である故、選択度Ｑの値は殆ど変わらない。そして本参
考例の発振回路は、この同調回路の同調周波数及び選択
度Ｑに基づいて発振する故、発振周波数の切り替えによ
るレベル差は生じない。
【００２５】図４は第２参考例に係る発振回路の回路図
である。図において31は発振回路を構成する半導体集積
回路であり、32は該集積回路に同調回路を外付けする端
子である。そして33はスイッチング用の電圧を同調回路
へ与える端子である。端子32及び接地間にコイル34, コ
イル35及び抵抗39からなる直列回路並びにコンデンサ36
が並列に接続され、両コイル34,35 の接続点及び接地間
にスイッチング用のnpn 型トランジスタ37が介装され、
該トランジスタ37のベース及び端子33間に抵抗38が介装
されている。トランジスタ37は両コイル34,35 の接続点
及び抵抗38間に図示しない一のダイオードを介装し、接
地及び抵抗38間に図示しない他のダイオードを介装し、
前記両ダイオードの導通・非導通を図示しない回路で制
御し、スイッチングダイオードとして動作せしめた場合
と同様に動作する電子スイッチである。そしてトランジ
スタ37の導通時の抵抗値と抵抗39の値とは実効的に等し
くＲ2 (Ω) である。また、コイル34のインダクタンス
Ｌ3 は12.6μH であり、コイル35のインダクタンスＬ4
は2.4 μH であり、コンデンサ36の容量Ｃ2 は56pFであ
る。
である。図において31は発振回路を構成する半導体集積
回路であり、32は該集積回路に同調回路を外付けする端
子である。そして33はスイッチング用の電圧を同調回路
へ与える端子である。端子32及び接地間にコイル34, コ
イル35及び抵抗39からなる直列回路並びにコンデンサ36
が並列に接続され、両コイル34,35 の接続点及び接地間
にスイッチング用のnpn 型トランジスタ37が介装され、
該トランジスタ37のベース及び端子33間に抵抗38が介装
されている。トランジスタ37は両コイル34,35 の接続点
及び抵抗38間に図示しない一のダイオードを介装し、接
地及び抵抗38間に図示しない他のダイオードを介装し、
前記両ダイオードの導通・非導通を図示しない回路で制
御し、スイッチングダイオードとして動作せしめた場合
と同様に動作する電子スイッチである。そしてトランジ
スタ37の導通時の抵抗値と抵抗39の値とは実効的に等し
くＲ2 (Ω) である。また、コイル34のインダクタンス
Ｌ3 は12.6μH であり、コイル35のインダクタンスＬ4
は2.4 μH であり、コンデンサ36の容量Ｃ2 は56pFであ
る。
【００２６】次に動作について説明する。 (トランジスタ37を導通状態となした場合)コイル35及び
抵抗39は実効的に短絡され、コイル34及びトランジスタ
37の直列回路並びにコンデンサ36が同調回路を形成す
る。この同調回路の同調周波数ｆ1は ｆ1 ＝１／｛２π√（Ｌ3 Ｃ2 ）｝＝6.0MHz であり、同調回路の選択度Ｑは Ｑ＝ (ωＬ3 ) ／（Ｒ2 ＋ＲL3） である。但しＲL3はコイル34の抵抗成分である。
抵抗39は実効的に短絡され、コイル34及びトランジスタ
37の直列回路並びにコンデンサ36が同調回路を形成す
る。この同調回路の同調周波数ｆ1は ｆ1 ＝１／｛２π√（Ｌ3 Ｃ2 ）｝＝6.0MHz であり、同調回路の選択度Ｑは Ｑ＝ (ωＬ3 ) ／（Ｒ2 ＋ＲL3） である。但しＲL3はコイル34の抵抗成分である。
【００２７】（トランジスタ37を非導通状態となした場
合） 両コイル34,35 及び抵抗39の直列回路並びにコンデンサ
36が同調回路を形成する。この同調回路の同調周波数ｆ
2 は ｆ2 ＝１／〔２π√｛（Ｌ3 ＋Ｌ4 ）Ｃ2 ｝〕＝5.5MHz であり、同調回路の選択度Ｑは Ｑ＝｛ω (Ｌ3 ＋Ｌ4 ) ｝／（Ｒ2 ＋ＲL3＋ＲL4） である。但しＲL4はコイル35の抵抗成分である。このよ
うに、コイル35及び抵抗39の直列回路を、導通時の抵抗
値がＲ2 であるトランジスタ37が実効的に短絡又は非短
絡とする場合において、選択度Ｑを決定するインダクタ
ンスはＬ3 又はＬ3 ＋Ｌ4 であり、また抵抗成分はＲ2
＋ＲL3，Ｒ2 ＋ＲL3＋ＲL4であるが、 Ｌ3 >>Ｌ4 ， ＲL3>>ＲL4 である故、選択度Ｑの値は殆ど変わらない。そして本参
考例の発振回路はこの同調回路の同調周波数及び選択度
Ｑに基づいて発振する故、発振周波数の切り替えによる
レベル差が生じない。
合） 両コイル34,35 及び抵抗39の直列回路並びにコンデンサ
36が同調回路を形成する。この同調回路の同調周波数ｆ
2 は ｆ2 ＝１／〔２π√｛（Ｌ3 ＋Ｌ4 ）Ｃ2 ｝〕＝5.5MHz であり、同調回路の選択度Ｑは Ｑ＝｛ω (Ｌ3 ＋Ｌ4 ) ｝／（Ｒ2 ＋ＲL3＋ＲL4） である。但しＲL4はコイル35の抵抗成分である。このよ
うに、コイル35及び抵抗39の直列回路を、導通時の抵抗
値がＲ2 であるトランジスタ37が実効的に短絡又は非短
絡とする場合において、選択度Ｑを決定するインダクタ
ンスはＬ3 又はＬ3 ＋Ｌ4 であり、また抵抗成分はＲ2
＋ＲL3，Ｒ2 ＋ＲL3＋ＲL4であるが、 Ｌ3 >>Ｌ4 ， ＲL3>>ＲL4 である故、選択度Ｑの値は殆ど変わらない。そして本参
考例の発振回路はこの同調回路の同調周波数及び選択度
Ｑに基づいて発振する故、発振周波数の切り替えによる
レベル差が生じない。
【００２８】図５は本発明の実施例に係る発振回路の回
路図である。図において41は発振回路を構成する半導体
集積回路であり、42,43 は該集積回路に同調回路を外付
けする端子である。そして44,45 はスイッチング用の電
圧を同調回路へ与える端子である。両端子42,44 間に、
コイル46, 直流阻止コンデンサ47, チョークコイル48及
び抵抗49が直列に接続され、両端子43,45 間に、直流阻
止コンデンサ51, チョークコイル52及び抵抗53が直列に
接続され、コイル46及びコンデンサ47の接続点並びに端
子43の間にコイル54及びコイル55が直列に接続され、コ
ンデンサ47及びコイル48の接続点並びにコンデンサ51及
びコイル52の接続点の間にスイッチングダイオード58及
びスイッチングダイオード59が、その極性が対称となる
よう直列に接続され、両コイル54,55 の接続点及び両ダ
イオード58,59 の接続点の間に抵抗56及び直流阻止コン
デンサ57が直列に接続され、両ダイオード58,59 の接続
点及び接地間にチョークコイル60が介装され、両端子4
2,43 間にＣ3 コンデンサ50が介装されている。
路図である。図において41は発振回路を構成する半導体
集積回路であり、42,43 は該集積回路に同調回路を外付
けする端子である。そして44,45 はスイッチング用の電
圧を同調回路へ与える端子である。両端子42,44 間に、
コイル46, 直流阻止コンデンサ47, チョークコイル48及
び抵抗49が直列に接続され、両端子43,45 間に、直流阻
止コンデンサ51, チョークコイル52及び抵抗53が直列に
接続され、コイル46及びコンデンサ47の接続点並びに端
子43の間にコイル54及びコイル55が直列に接続され、コ
ンデンサ47及びコイル48の接続点並びにコンデンサ51及
びコイル52の接続点の間にスイッチングダイオード58及
びスイッチングダイオード59が、その極性が対称となる
よう直列に接続され、両コイル54,55 の接続点及び両ダ
イオード58,59 の接続点の間に抵抗56及び直流阻止コン
デンサ57が直列に接続され、両ダイオード58,59 の接続
点及び接地間にチョークコイル60が介装され、両端子4
2,43 間にＣ3 コンデンサ50が介装されている。
【００２９】ダイオード58 (又は59) は、端子44 (又は
45) へ与えられる電圧により、その導通又は非導通を制
御される電子スイッチとして動作する。そして、コンデ
ンサ50の容量Ｃ3 は56pFであり、コイル46のインダクタ
ンスＬ5 は10.7μH であり、コイル54のインダクタンス
Ｌ6 は1.9 μH であり、コイル55のインダクタンスＬ 7
は4.3 μH である。そしてダイオード58又はダイオード
59が導通状態である場合の夫々の抵抗成分の値と抵抗56
の値とは、実効的に等しくＲ3 (Ω) である。また同調
時において３個のコンデンサ47,51,57の容量リアクタン
スは小さく、３個のコイル49,53,60の誘導リアクタンス
は大きい。
45) へ与えられる電圧により、その導通又は非導通を制
御される電子スイッチとして動作する。そして、コンデ
ンサ50の容量Ｃ3 は56pFであり、コイル46のインダクタ
ンスＬ5 は10.7μH であり、コイル54のインダクタンス
Ｌ6 は1.9 μH であり、コイル55のインダクタンスＬ 7
は4.3 μH である。そしてダイオード58又はダイオード
59が導通状態である場合の夫々の抵抗成分の値と抵抗56
の値とは、実効的に等しくＲ3 (Ω) である。また同調
時において３個のコンデンサ47,51,57の容量リアクタン
スは小さく、３個のコイル49,53,60の誘導リアクタンス
は大きい。
【００３０】次に動作について説明する。 (端子44及び端子45にいずれも５Ｖを印加した場合)両ダ
イオード58,59 は導通状態となり、両コイル54,55 は実
効的に短絡され、コイル46, ダイオード58及びダイオー
ド59の直列回路並びにコンデンサ50が同調回路を形成す
る。この同調回路の同調周波数ｆS3は ｆS3＝１／｛２π√ (Ｌ5 Ｃ3 ) ｝＝6.5MHz であり、選択度Ｑは Ｑ＝（ωＬ5 ）／（２Ｒ3 ＋ＲL5） である。但しＲL5はコイル46の抵抗成分である。
イオード58,59 は導通状態となり、両コイル54,55 は実
効的に短絡され、コイル46, ダイオード58及びダイオー
ド59の直列回路並びにコンデンサ50が同調回路を形成す
る。この同調回路の同調周波数ｆS3は ｆS3＝１／｛２π√ (Ｌ5 Ｃ3 ) ｝＝6.5MHz であり、選択度Ｑは Ｑ＝（ωＬ5 ）／（２Ｒ3 ＋ＲL5） である。但しＲL5はコイル46の抵抗成分である。
【００３１】(端子44に０Ｖを印加し、端子45に５Ｖを
印加した場合)ダイオード58は非導通状態で、ダイオー
ド59は導通状態となり、コイル55は実効的に短絡され、
コイル46, コイル54, 抵抗56及びダイオード59の直列回
路並びにコンデンサ50が同調回路を形成する。この同調
回路の同調周波数ｆS1は ｆS1＝１／〔２π√｛（Ｌ5 ＋Ｌ6 ）Ｃ3 ｝〕＝6.0MHz であり、選択度Ｑは Ｑ＝｛ω（Ｌ5 ＋Ｌ6 ）｝／（２Ｒ3 ＋ＲL5＋ＲL6） である。但しＲL6はコイル54の抵抗成分である。
印加した場合)ダイオード58は非導通状態で、ダイオー
ド59は導通状態となり、コイル55は実効的に短絡され、
コイル46, コイル54, 抵抗56及びダイオード59の直列回
路並びにコンデンサ50が同調回路を形成する。この同調
回路の同調周波数ｆS1は ｆS1＝１／〔２π√｛（Ｌ5 ＋Ｌ6 ）Ｃ3 ｝〕＝6.0MHz であり、選択度Ｑは Ｑ＝｛ω（Ｌ5 ＋Ｌ6 ）｝／（２Ｒ3 ＋ＲL5＋ＲL6） である。但しＲL6はコイル54の抵抗成分である。
【００３２】（端子44に５Ｖを印加し、端子45に０Ｖを
印加した場合)ダイオード58は導通状態で、ダイオード5
9は非導通状態となり、コイル54は実効的に短絡され、
コイル46, ダイオード58, 抵抗56及びコイル55の直列回
路並びにコンデンサ50が同調回路を形成する。こ同調回
路の同調周波数ｆS2は ｆS2＝１／〔２π√｛（Ｌ5 ＋Ｌ7 ）Ｃ3 ｝〕＝5.5MHz であり、選択度Ｑは Ｑ＝｛ω (Ｌ5 ＋Ｌ7 ) ｝／（２Ｒ3 ＋ＲL5＋ＲL7） である。但しＲL7はコイル55の抵抗成分である。このよ
うに両コイル54,55 の一端を接続し、その接続点に抵抗
56の一端を接続し、夫々のコイルの他端と抵抗56の他端
とを、ダイオード58及び／又はダイオード59が非短絡又
は実効的に短絡する場合において、選択度Ｑを決定する
インダクタンスはＬ5 ，Ｌ5 ＋Ｌ6 又はＬ5 ＋Ｌ7 であ
り、抵抗成分はＲ3 ＋ＲL5，Ｒ3＋ＲL5＋ＲL6，Ｒ3 ＋
ＲL5＋ＲL7であるが、 Ｌ5 >>Ｌ6 ， Ｌ5 >>Ｌ7 ， ＲL5>>ＲL6， ＲL5>>ＲL7 である故、選択度Ｑの値は殆ど変わらない。そして本実
施例の発振回路はこの同調回路の同調周波数及び選択度
Ｑに基づいて発振する故、発振回路の切り替えによるレ
ベル差が生じない。
印加した場合)ダイオード58は導通状態で、ダイオード5
9は非導通状態となり、コイル54は実効的に短絡され、
コイル46, ダイオード58, 抵抗56及びコイル55の直列回
路並びにコンデンサ50が同調回路を形成する。こ同調回
路の同調周波数ｆS2は ｆS2＝１／〔２π√｛（Ｌ5 ＋Ｌ7 ）Ｃ3 ｝〕＝5.5MHz であり、選択度Ｑは Ｑ＝｛ω (Ｌ5 ＋Ｌ7 ) ｝／（２Ｒ3 ＋ＲL5＋ＲL7） である。但しＲL7はコイル55の抵抗成分である。このよ
うに両コイル54,55 の一端を接続し、その接続点に抵抗
56の一端を接続し、夫々のコイルの他端と抵抗56の他端
とを、ダイオード58及び／又はダイオード59が非短絡又
は実効的に短絡する場合において、選択度Ｑを決定する
インダクタンスはＬ5 ，Ｌ5 ＋Ｌ6 又はＬ5 ＋Ｌ7 であ
り、抵抗成分はＲ3 ＋ＲL5，Ｒ3＋ＲL5＋ＲL6，Ｒ3 ＋
ＲL5＋ＲL7であるが、 Ｌ5 >>Ｌ6 ， Ｌ5 >>Ｌ7 ， ＲL5>>ＲL6， ＲL5>>ＲL7 である故、選択度Ｑの値は殆ど変わらない。そして本実
施例の発振回路はこの同調回路の同調周波数及び選択度
Ｑに基づいて発振する故、発振回路の切り替えによるレ
ベル差が生じない。
【００３３】なお、以上の参考例及び実施例において電
子スイッチとしてダイオード又はトランジスタを使用し
たが、例えばトランスミッションゲートの如く複数の素
子で構成されたスイッチ回路を使用してもよく、スイッ
チ素子がバイアス電圧によりオン，オフするものであれ
ばよいことはいうまでもない。
子スイッチとしてダイオード又はトランジスタを使用し
たが、例えばトランスミッションゲートの如く複数の素
子で構成されたスイッチ回路を使用してもよく、スイッ
チ素子がバイアス電圧によりオン，オフするものであれ
ばよいことはいうまでもない。
【００３４】
【００３５】
【００３６】第１発明によれば、第１コイル及び抵抗を
接続した回路を第１電子スイッチが短絡又は非短絡と
し、第２コイル及び前記抵抗を接続した回路を第２電子
スイッチが短絡又は非短絡とし、第１電子スイッチ及び
第２電子スイッチの閉路時の抵抗値と前記抵抗の値とを
実効的に等しく構成することにより、同調回路のインダ
クタンスを変化させた発振回路の発振周波数を切り替え
た場合、選択度Ｑが変わらず、発振周波数のレベルが変
動しない。それ故、RFモジュレータに本発振回路を使用
して異なる方式のテレビジョン信号を視聴した場合、受
信特性は安定している。
接続した回路を第１電子スイッチが短絡又は非短絡と
し、第２コイル及び前記抵抗を接続した回路を第２電子
スイッチが短絡又は非短絡とし、第１電子スイッチ及び
第２電子スイッチの閉路時の抵抗値と前記抵抗の値とを
実効的に等しく構成することにより、同調回路のインダ
クタンスを変化させた発振回路の発振周波数を切り替え
た場合、選択度Ｑが変わらず、発振周波数のレベルが変
動しない。それ故、RFモジュレータに本発振回路を使用
して異なる方式のテレビジョン信号を視聴した場合、受
信特性は安定している。
【００３７】第２発明によれば、第１コイル及び抵抗を
接続した回路を第１電子スイッチが交流的に短絡又は非
短絡とし、第２コイル及び前記抵抗を接続した回路を第
２電子スイッチが交流的に短絡又は非短絡とすべく構成
することにより、同調回路のインダクタンスを変化させ
て発振回路の発振周波数を切り替えた場合、選択度Ｑが
変わらず、発振周波数のレベルが変動しない。それ故、
RFモジュレータに本発振回路を使用して異なる方式のテ
レビジョン信号を視聴した場合、受信特性は安定してい
る。
接続した回路を第１電子スイッチが交流的に短絡又は非
短絡とし、第２コイル及び前記抵抗を接続した回路を第
２電子スイッチが交流的に短絡又は非短絡とすべく構成
することにより、同調回路のインダクタンスを変化させ
て発振回路の発振周波数を切り替えた場合、選択度Ｑが
変わらず、発振周波数のレベルが変動しない。それ故、
RFモジュレータに本発振回路を使用して異なる方式のテ
レビジョン信号を視聴した場合、受信特性は安定してい
る。
【図１】第１参考例に係る発振回路の回路図である。
【図２】図１に示す発振回路の等価回路図である。
【図３】図１に示す発振回路の他の等価回路図である。
【図４】第２参考例に係る発振回路の回路図である。
【図５】本発明の実施例に係る発振回路の回路図であ
る。
る。
【図６】従来の発振回路の回路図である。
【図７】従来の他の発振回路の回路図である。
【図８】従来の発振回路で生成した音声搬送波の出力レ
ベルを示す模式図である。
ベルを示す模式図である。
11,31,41 半導体集積回路 15,22,34,35,46,54,55 コイル 21,36,50 コンデンサ 23,58,59 ダイオード 24,39,56 抵抗 37 トランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03B 5/08 - 5/20 H04B 1/26 H03J 5/00 - 5/24
Claims (2)
- 【請求項１】 コンデンサ及び複数のコイルよりなる同
調回路を備え、３つの同調周波数に切替え可能な発振回
路において、 第１コイルの一端と第２コイルの一端とを接続し、その
接続点に抵抗の一端を接続した回路と、 前記第１コイルの他端と前記抵抗の他端との間に介装し
た第１電子スイッチと、 前記第２コイルの他端と前記抵抗の他端との間に介装し
た第２電子スイッチとを備え、前記第１電子スイッチ及
び前記第２電子スイッチの閉路時の抵抗値と前記抵抗の
値とを実効的に等しくなしてあることを特徴とする発振
回路。 - 【請求項２】 前記第１電子スイッチ及び前記第２電子
スイッチがコンデンサを備える請求項１記載の発振回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6258456A JP3054558B2 (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6258456A JP3054558B2 (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125496A JPH08125496A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3054558B2 true JP3054558B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=17320475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6258456A Expired - Fee Related JP3054558B2 (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3054558B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69718741T2 (de) * | 1996-10-10 | 2003-11-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven | Integrierter Oszillator und einen solchen Oszillator verwendendes Funktelefon |
| KR100474999B1 (ko) * | 1997-09-12 | 2005-05-27 | 삼성전자주식회사 | 전압 조정 발진기 |
| EP1146640A1 (de) | 2000-04-10 | 2001-10-17 | Infineon Technologies AG | Integrierter Hochfrequenzschwingkreis mit Abgleichkondensatoren |
-
1994
- 1994-10-24 JP JP6258456A patent/JP3054558B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08125496A (ja) | 1996-05-17 |
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Legal Events
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