JP2646552B2

JP2646552B2 - インダクタ切換え回路

Info

Publication number: JP2646552B2
Application number: JP62078764A
Authority: JP
Inventors: 正直大脇
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1987-03-30
Filing date: 1987-03-30
Publication date: 1997-08-27
Anticipated expiration: 2012-08-27
Also published as: JPS63244913A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、例えばラジオ受信機のアンテナ回路等に
用いて好適なインダクタ切換え回路に関する。

〔発明の概要〕

この発明は、直列共振回路の影響を受けるインダクタ
群（６、７）から影響を与える直列共振回路を構成する
インダクタ群（８、９）の向きに順方向にスイッチング
ダイオード（20）を接続し、直列共振回路の影響を受け
るインダクタ群（６、７）が選択されたときにスイッチ
ングダイオード（20）が逆バイアスとなり、影響を与え
る直列共振回路を構成するインダクタ群（８、９）が選
択されたときにスイッチングダイオード（20）が順バイ
アスとなるようにしたので、影響を与える直列共振回路
を構成するインダクタ群（８、９）の直列共振回路の影
響を受けるインダクタ群（６、７）に対する直列共振の
悪影響を抑えることができるインダクタ切り換え回路で
ある。

〔従来の技術〕

例えばラジオ受信機において、多数のバンドにわたっ
て短波放送等を聞く場合、そのアンテナ回路にはその多
数のバンドに応じて複数のインダクタ（コイル）が配列
され、これをスライドスイッチ等を用いて機械的に切換
えている。

ところが、最近ではこのスライドスイッチ等の代りに
ダイオードを用い、このダイオードを夫々複数のインダ
クタに直列接続してダイオードをオンオフすることによ
り、電気的に切換えているものもあり、第３図のその一
例である。

第３図において、正の電源端子＋Ｂにプルアップ用の
抵抗器（１）〜（５）の各一端が接続され、抵抗器
（１）の他端に例えばアンテナコイル用のインダクタ
（６）〜（９）の一端が接続される。また、インダクタ
（６）〜（９）の各他端は夫々ダイオード（10）〜（1
3）を介し、更に夫々コンデンサ（14）〜（17）を介し
て接地される。抵抗器（２）〜（５）の各他端は夫々ダ
イオード（10）〜（13）の各カソード側に接続されると
共にスイッチ（18）の接点ａ〜ｄを介して接地される。
また抵抗器（１）の他端とインダクタ（６）の一端との
接続点にコンデンサ（19）の一端が接続され、このコン
デンサ（19）の他端は図示せずもアンテナ増幅回路に接
続される。ここで、インダクタ（６）〜（９）のインダ
クタンスを夫々L₁〜L₄とすると、これ等はL₄＞L₃＞L₂＞
L₁の関係に設定されている。

いま、例えばスイッチ（18）が第３図に示す如く接点
ｂに接続されると、ダイオード（11）は順バイアスさ
れ、ダイオード（10），（12）及び（13）は逆バイアス
され、ダイオード（11）に接続されたインダクタ（７）
のみが選択され、図示せずもアンテナ増幅回路側のコン
デンサと共振回路を形成し、アンテナ回路として働く。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、上述の如くスイッチ（18）が接点ｂに接続
されてダイオード（10），（12）及び（13）が逆バイア
スされているとき、これ等のダイオード（10），（12）
及び（13）による静電容量を夫々C₁,C₃及びC₄とする
と、第３図の回路は第４図に示すような等価回路として
表わすことができる。

ところが、第３図の如き従来回路の場合、複数のイン
ダクタをダイオードで切換えようとすると、選択されて
いないインダクタのインダクタンスと、このインダクタ
に接続された逆バイアスされているダイオードの静電容
量とにより直列共振を生じ、この直列共振周波数が選択
されているインダクタの使用する周波数に近いと、直列
共振により選択されているインダクタは所定のインダク
タンスがとれなくなる欠点がある。

すなわち、この場合、インダクタ（９）のインダクタ
ンスL₄と逆バイアスされているダイオード（13）の静電
容量C₄の直列共振により選択されているインダクタ
（７）のインダクタンスL₂が影響を受け、インダクタン
スL₂が所定のインダクタンスとしてとれなくなる。

因みに、いまインダクタ（６）〜（９）を夫々20MHz,
10MHz,6MHz及び3MHz用とし、そのインダクタンスL₁〜L₄
を夫々1.5μH,6μH,10μＨ及び60μＨとすると、インダ
クタ（９）のインダクタンスL₄（60μＨ）と逆バイアス
されているダイオード（13）の静電容量の直列共振によ
り10MHzの周波数が発生し、これが選択されている10MHz
用のインダクタ（７）に悪影響を及ぼし、そのインダク
タンスL₂を６μＨに維持することが困難となる。

このことは例えばスイッチ（18）が接点ａに切換って
インダクタ（６）が選択されているときに、インダクタ
（８）のインダクタンスL₃と逆バイアスされているダイ
オード（12）の静電容量C₃の直列共振がインダクタ
（６）のインダクタンスL₁に悪影響を及ぼすことも同様
に考えられる。

この発明は斯る点に鑑みてなされたもので、選択され
ていないインダクタのインダクタンスと逆バイアスされ
ているダイオードの静電容量により生じた直列共振によ
る選択されたインダクタに対する悪影響を防止すること
ができるインダクタ切換え回路を提供するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、インダクタ（６〜９）、ダイオード（10〜
13）及びコンダンサ（14〜17）から成る直列共振回路が
電源（＋Ｂ）間に複数個並列接続され、上記複数のイン
ダクタ（６〜９）のうちの１つのインダクタ（１〜９）
が選択されたときに上記１のインダクタ（６〜９）に接
続されたダイオード（10〜13）が順バイアスされると共
に他の複数のインダクタ（６〜９）に接続されたダイオ
ード（10〜13）が逆バイアスされることにより、上記複
数のインダクタ（６〜９）切換えるようにしたインダク
タ切換え回路において、上記複数のインダクタ（６〜
９）をインダクタとダイオードの直列共振回路の影響を
受けるインダクタ群（６、７）と、上記影響を与える直
列共振回路を構成するインダクタ群（８、９）とに分
け、上記直列共振回路の影響を受けるインダクタ群
（６、７）から上記影響を与える直列共振回路を構成す
るインダクタ群（８、９）の向きに順方向にスイッチン
グダイオード（20）を接続し、上記直列共振回路の影響
を受けるインダクタ群（６、７）が選択されたときに上
記スイッチングダイオード（20）が逆バイアスとなり、
上記影響を与える直列共振回路を構成するインダクタ群
（８、９）が選択されたときに上記スイッチングダイオ
ード（20）が順バイアスとなるようにしたことを特徴と
するインダクタ切換え回路である。

〔作用〕

複数のインダクタ（６〜９）をそのインダクタンスの
値によって大きい側と小さい側に分ける。例えばインダ
クタ（６〜９）はL₁＜L₂＜L₃＜L₄の関係にあるので、イ
ンダクタ（8,9）を大きい側とし、インダクタ（6,9）を
小さい側とする。そしてインダクタンスの大きい側のイ
ンダクタ（8,9）とインダクタンスの小さい側のインダ
クタ（6,7）の間にスイッチング素子（20）を接続す
る。これにより、選択されていないインダクタンスの大
きな側のインダクタ（8,9）のインダクタンスとこのイ
ンダクタと接続された逆バイアスされているダイオード
（12,13）の静電容量により生じた直列共振による選択
されたインダクタンスの小さな側のインダクタ（6,7）
に対する悪影響を防止することができる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を第１図及び第２図に基づ
いて詳しく説明する。

第１図は本実施例の回路構成を示すもので、同図にお
いて、第３図と対応する部分には同一符号を付し、その
詳細説明は省略する。

本実施例では使用する複数のインダクタ（６）〜
（９）を、そのインダクタンスの値によって大きい側と
小さい側に分ける。すなわち本実施例ではインダクタ
（６）〜（９）のインダクタンスはL₁＜L₂＜L₃＜L₄の関
係にあるので、インダクタ（６）及び（７）をインダク
タンスの小さい側、インダクタ（８）及び（９）をイン
ダクタンスの大きい側とする。

そして、インダクタンスの大きい側のインダクタ
（８）及び（９）とインダクタンスの小さい側のインダ
クタ（６）及び（７）の間にスイッチング素子例えばダ
イオード（20）を、カソード側が大きい側を、アノード
側が小さい側を向くようにして接続する。その他の構成
は第３図と同様である。

いま、スイッチ（18）が第１図に示す如く接点ｂに接
続されると、ダイオード（11）は順バイアスされ、ダイ
オード（10），（12）及び（13）は逆バイアスされ、ダ
イオード（11）に接続されたインダクタ（７）のみが選
択され、図示せずもアンテナ増幅回路側のコンデンサと
共振回路を形成し、アンテナ回路として働く。

また、このときダイオード（20）も逆バイアスされ、
このときのダイオード（20）により静電容量をＣとする
と、第１図の回路は第２図に示すような等価回路として
表わすことができる。

このダイオード（20）による静電容量Ｃがなければ上
述の如きインダクタ（９）のインダクタンスL₄と逆バイ
アスされているダイオード（13）の静電容量C₄の直列共
振により選択されているインダクタ（７）のインダクタ
ンスL₂が影響を受け、所定のインダクタンスをとれなく
なるが、本実施例ではダイオード（20）による静電容量
Ｃの介在によりこの直列共振による悪影響が抑えられ、
インダクタ（７）のインダクタンスL₂は所定のインダク
タンスをとることができる。

また、ダイオード（20）により静電容量Ｃがなけれ
ば、スイッチ（18）が接点ａに切換ってインダクタ
（６）が選択されているときに、インダクタ（８）のイ
ンダクタンスL₃に逆バイアスされているダイオード（1
2）の静電容量C₃の直列共振がインダクタ（６）のイン
ダクタンスL₁に悪影響を及ぼすことが考えられるが、ダ
イオード（20）による静電容量Ｃの介在によりこの直列
共振による悪影響が抑えられ、インダクタ（６）のイン
ダクタンスL₁は所定のインダクタンスをとることができ
る。

なお、スイッチ（18）が接点Ｃに切換ったときは、選
択されているインダクタ（８）の使用周波数は選択され
ていないインダクタ（９）のインダクタンスL₄とダイオ
ード（13）の静電容量C₄による直列共振周波数より低い
ので問題ない。また、スイッチ（18）が接点ｄに切換っ
たときは選択されているインダクタ（９）の使用周波数
は選択されていないどのインダクタのインダクタンスと
ダイオードの静電容量による直列共振周波数よりも低い
ので問題ない。

なお、上述の実施例では複数のインダクタとして４個
の場合を例にとり説明したが、これに限定されることな
く２個以上の任意の数でよい。

〔発明の効果〕

この発明によれば、直列共振回路の影響を受けるイン
ダクタ群（６、７）から影響を与える直列共振回路を構
成するインダクタ群（８、９）の向きに順方向にスイッ
チングダイオード（20）を接続し、直列共振回路の影響
を受けるインダクタ群（６、７）が選択されたときにス
イッチングダイオード（20）が逆バイアスとなり、影響
を与える直列共振回路を構成するインダクタ群（８、
９）が選択されたときにスイッチングダイオード（20）
が順バイアスとなるようにしたので、影響を与える直列
共振回路を構成するインダクタ群（８、９）の直列共振
回路の影響を受けるインダクタ群（６、７）に対する直
列共振の悪影響を抑えることができるという効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す回路構成図、第２図
は第１図の等価回路図、第３図は従来回路の一例を示す
回路構成図、第４図は第３図の等価回路図である。（６）〜（９）はインダクタ、（10）〜（13）及び（2
0）はダイオード、（18）はスイッチである。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】インダクタ、ダイオード及びコンダンサか
ら成る直列共振回路が電源間に複数個並列接続され、上
記複数のインダクタのうちの１つのインダクタが選択さ
れたときに上記１のインダクタに接続されたダイオード
が順バイアスされると共に他の複数のインダクタに接続
されたダイオードが逆バイアスされることにより、上記
複数のインダクタを切換えるようにしたインダクタ切換
え回路において、上記複数のインダクタをインダクタとダイオードの直列
共振回路の影響を受けるインダクタ群と、上記影響を与
える直列共振回路を構成するインダクタ群とに分け、上記直列共振回路の影響を受けるインダクタ群から上記
影響を与える直列共振回路を構成するインダクタ群の向
きに順方向にスイッチングダイオードを接続し、上記直列共振回路の影響を受けるインダクタ群が選択さ
れたときに上記スイッチングダイオードが逆バイアスと
なり、上記影響を与える直列共振回路を構成するインダ
クタ群が選択されたときに上記スイッチングダイオード
が順バイアスとなるようにしたことを特徴とするインダ
クタ切換え回路。