JPS5816371B2 - アンテナキリカエスイツチ - Google Patents
アンテナキリカエスイツチInfo
- Publication number
- JPS5816371B2 JPS5816371B2 JP9308475A JP9308475A JPS5816371B2 JP S5816371 B2 JPS5816371 B2 JP S5816371B2 JP 9308475 A JP9308475 A JP 9308475A JP 9308475 A JP9308475 A JP 9308475A JP S5816371 B2 JPS5816371 B2 JP S5816371B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- antenna
- signal
- variable capacitance
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
- H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はEVR,VTR等のRFコンバータに使用する
アンテナ切替スイッチに関するものである。
アンテナ切替スイッチに関するものである。
VTR,EVRなどの一般の家庭用の画像信号発生装置
(以下画像装置と略す)は、一般の家庭用テレビジョン
受像機(以下TVと略す)をその画像用ディスプレイ装
置として使用している。
(以下画像装置と略す)は、一般の家庭用テレビジョン
受像機(以下TVと略す)をその画像用ディスプレイ装
置として使用している。
この場合既存のTVに手を加えることなく上記の目的を
達するためにこのTVとのインターフェースをRF倍信
号することが多い。
達するためにこのTVとのインターフェースをRF倍信
号することが多い。
この時、第1図に示すようにTVlのアンテナ入力端子
2には、RF信号切替スイッチ3を設け、アンテナ4か
らの一般TV放送信号と画像装置からのRF倍信号切替
えている。
2には、RF信号切替スイッチ3を設け、アンテナ4か
らの一般TV放送信号と画像装置からのRF倍信号切替
えている。
従来は、この切替スイッチが利用されていたが、この機
械的スイッチでは、電気信号による遠隔制御が複雑で高
価であることや漏話が多いなどの欠点を有していた。
械的スイッチでは、電気信号による遠隔制御が複雑で高
価であることや漏話が多いなどの欠点を有していた。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなくし、アン
テナ切替スイッチを電子化することにある。
テナ切替スイッチを電子化することにある。
すなわち、本発明の特徴は、とのRF倍信号切替スイッ
チの素子として、可変容量ダイオード、インダクタンス
およびRF信号スイッチング用ダイオードを組合せて使
用し、トランスファー形のスイッチを構成し、さらにこ
のスイッチの制御を制御信号電圧(又は電流)の有無に
よって行うことを特徴とするものである。
チの素子として、可変容量ダイオード、インダクタンス
およびRF信号スイッチング用ダイオードを組合せて使
用し、トランスファー形のスイッチを構成し、さらにこ
のスイッチの制御を制御信号電圧(又は電流)の有無に
よって行うことを特徴とするものである。
以下本発明を図に示す実施例について詳述する。
本発明の一実施例の回路図を第2図に示す。
図中、11はアンテナ入力端子、12はTVに接続され
るTV端子、13は画像装置からのRF倍信号へカ端子
、14および15はRF信号スイッチング用のダイオー
ド(通常のダイオードあるいはPINダイオードなど)
、16は可変容量ダイオード、17はインダクタンス、
18は制御信号端子、19はチョークコイル、20は抵
抗である。
るTV端子、13は画像装置からのRF倍信号へカ端子
、14および15はRF信号スイッチング用のダイオー
ド(通常のダイオードあるいはPINダイオードなど)
、16は可変容量ダイオード、17はインダクタンス、
18は制御信号端子、19はチョークコイル、20は抵
抗である。
次にこの回路の動作原理を説明すると、まず制御信号端
子18に電圧(または電流)が印加されずに開放もしく
は接地されている場合は、ダイオード14.15はバイ
アス電流が流れず、低レベルのRF(交流)信号に対し
ては高インピーダンスとなる。
子18に電圧(または電流)が印加されずに開放もしく
は接地されている場合は、ダイオード14.15はバイ
アス電流が流れず、低レベルのRF(交流)信号に対し
ては高インピーダンスとなる。
一方可変容量ダイオード16の逆バイアス電圧はOvで
あり、その端子間容量は大きな特定の容量Coとなる。
あり、その端子間容量は大きな特定の容量Coとなる。
ここで、通過させるRF倍信号周波数をf。
±△fとすると、とのf。に対して容量Coと直列共振
するようにインダクタンス11の値を予じめ定めると、
このとき、TV端子12は可変容量ダイオード16とイ
ンダクタンス17の直列共振回路を介してアンテナ入力
端子11に損失すくなく接続されることとなる。
するようにインダクタンス11の値を予じめ定めると、
このとき、TV端子12は可変容量ダイオード16とイ
ンダクタンス17の直列共振回路を介してアンテナ入力
端子11に損失すくなく接続されることとなる。
次に制御信号端子18に電圧(または電流)が印加され
ている場合は、電流はチョークコイル19、ダイオード
14.可変容量ダイオード16に並列に接続されている
抵抗20およびダイオード15を経由して流れる。
ている場合は、電流はチョークコイル19、ダイオード
14.可変容量ダイオード16に並列に接続されている
抵抗20およびダイオード15を経由して流れる。
この時、ダイオード14および15は導通状態にバイア
スされ、RF倍信号対して低インピーダンスとなり、一
方可変容量ダイオード16はほぼ印加電圧に等しい電圧
で逆バイアスされ、その容量は小さなある特定の容量C
B となる。
スされ、RF倍信号対して低インピーダンスとなり、一
方可変容量ダイオード16はほぼ印加電圧に等しい電圧
で逆バイアスされ、その容量は小さなある特定の容量C
B となる。
この時には容量C,とインダクタンス17の直列共振周
波数は、fo より太きぐ異なり、中心周波数f。
波数は、fo より太きぐ異なり、中心周波数f。
のRF倍信号対しては、高インピーダンスとなる。
この状態では、TV端子12はダイオード14を介して
入力端子13と接続される一方アンテナ入力端子11に
入って来る信号はダ。
入力端子13と接続される一方アンテナ入力端子11に
入って来る信号はダ。
イオード15によりアースされ、さらに可変容量ダイオ
ード16の高インピーダンスで阻止される。
ード16の高インピーダンスで阻止される。
一方入力端子13の画像信号も可変容量ダイオード16
の高インピーダンスおよびダイオード15の低インピー
ダンスによシ阻止され、アンテナ人、□力端子11には
漏えいしない。
の高インピーダンスおよびダイオード15の低インピー
ダンスによシ阻止され、アンテナ人、□力端子11には
漏えいしない。
ここで可変容量ダイオード16に並列に接続されている
抵抗20は、RF倍信号対して十分インピーダンスの高
い定数を選んでおく必要がある。
抵抗20は、RF倍信号対して十分インピーダンスの高
い定数を選んでおく必要がある。
以上の説明により、制御信号電圧(または電流);かな
いときは、アンテナ入力端子11、TV端子12、制御
信号電圧(または電流)があるときは、入力端子13、
TV端子12が接続されることになる。
いときは、アンテナ入力端子11、TV端子12、制御
信号電圧(または電流)があるときは、入力端子13、
TV端子12が接続されることになる。
このように、本発明は電子スイッチの一素子として可変
容量ダイオードを使用し、さらに適当なインダクタンス
のコイルを用いれば、RF倍信号損失なく切り替えるこ
とができる。
容量ダイオードを使用し、さらに適当なインダクタンス
のコイルを用いれば、RF倍信号損失なく切り替えるこ
とができる。
また本発明によれば、第3図に示すよりな1,2間の阻
止時の想失を大きくするだめの従属接続の場合でも、可
変容量ダイオードの直列接続の容量とインダクタンス1
7を共振させれば、通過時の損失はあまり増加させずに
阻止時の損失を大きくすることが可能である。
止時の想失を大きくするだめの従属接続の場合でも、可
変容量ダイオードの直列接続の容量とインダクタンス1
7を共振させれば、通過時の損失はあまり増加させずに
阻止時の損失を大きくすることが可能である。
以上述べたように、本発明は、遠隔制御が直流電圧(ま
たは電流)の有無で簡単に行うことができ、さらに従来
の機械的スイッチに比較して、安価で小形で、かつ漏話
特性も優れているアンテナ切替スイッチを得ることがで
きる等の効果を有する。
たは電流)の有無で簡単に行うことができ、さらに従来
の機械的スイッチに比較して、安価で小形で、かつ漏話
特性も優れているアンテナ切替スイッチを得ることがで
きる等の効果を有する。
第1図は、アンテナ切替スイッチの説明図、第2図は、
本発明の実施例を示すアンテナ切替回路の回路図、第3
図は、本発明の他の実施例であるアンテナ切替回路の回
路図である。 符号の説明 11・・・アンテナ入力端子、12・・・
TV端子、13・・・入力端子、14.15・・・ダイ
オード、16・・・可変容量ダイオード、11・・・イ
ンダクタンス、18・・・制御信号端子、19・・・チ
ョークコイル、20・・・抵抗。
本発明の実施例を示すアンテナ切替回路の回路図、第3
図は、本発明の他の実施例であるアンテナ切替回路の回
路図である。 符号の説明 11・・・アンテナ入力端子、12・・・
TV端子、13・・・入力端子、14.15・・・ダイ
オード、16・・・可変容量ダイオード、11・・・イ
ンダクタンス、18・・・制御信号端子、19・・・チ
ョークコイル、20・・・抵抗。
Claims (1)
- 1 制御信号端子とアース間に並列に接続した可変容量
ダイオードと画像信号のRF倍信号対し十分に高い値の
インピーダンスを有する抵抗との両端に、それぞれダイ
オードを順方向に直列に接続し、一方のダイオードの制
御信号端子接続何匹画像信号入力端子を、前記ダイオー
ドと可変容量ダイオードの接続点にテレビ信号入力端子
を、他方のダイオード町変容量ダイオードの接続点に無
バイアス時の前記可変容量ダイオードの容量と画像信号
のRF倍信号対し直列共振するような値のインダクタン
スを介してアンテナ入力端子をそれぞれ接続し、前記制
御信号で前記スイッチング用の複数のダイオードを制御
し得るように構成したことを特徴とするアンテナ切替ス
イッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9308475A JPS5816371B2 (ja) | 1975-08-01 | 1975-08-01 | アンテナキリカエスイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9308475A JPS5816371B2 (ja) | 1975-08-01 | 1975-08-01 | アンテナキリカエスイツチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5218114A JPS5218114A (en) | 1977-02-10 |
JPS5816371B2 true JPS5816371B2 (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=14072649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9308475A Expired JPS5816371B2 (ja) | 1975-08-01 | 1975-08-01 | アンテナキリカエスイツチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5816371B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5742976B2 (ja) * | 1972-12-31 | 1982-09-11 | ||
US4475964A (en) * | 1979-02-20 | 1984-10-09 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
JPS5636153A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit |
JPS5644194A (en) * | 1979-09-19 | 1981-04-23 | Toshiba Corp | Memory device |
US4453175A (en) * | 1979-09-19 | 1984-06-05 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | MOS Static RAM layout with polysilicon resistors over FET gates |
JPS5767437U (ja) * | 1980-10-08 | 1982-04-22 |
-
1975
- 1975-08-01 JP JP9308475A patent/JPS5816371B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5218114A (en) | 1977-02-10 |
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