JP2001157127A - チューナの複同調回路 - Google Patents
チューナの複同調回路Info
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- H03J5/242—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
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Abstract
って複数の周波数帯に同調可能なように切替可能なチュ
ーナの複同調回路において、スイッチダイオードの非導
通時に発生する静電容量によって構成される所望しない
新たな同調回路による選択特性の悪化を防止する 【解決手段】 2次同調回路12に、直流阻止コンデン
サ33と同調コイル34との接続点と、バラクタダイオ
ード37と直流阻止コンデンサ38との接続点に、コン
デンサ40を設け、同調コイル32とバラクタダイオー
ド37とコンデンサ40で構成されるトラップ回路を設
けた。
Description
ドの導通または非導通によって複数の周波数帯に同調可
能なように切替可能なチューナの複同調回路に関し、特
にスイッチダイオードの非導通時に発生する静電容量に
よって構成される所望しない新たな同調回路による選択
特性の悪化を防止するチューナの複同調回路に関する。
図5〜図7および図4によって説明する。図5におい
て、複同調回路は、1次同調回路51と2次同調回路5
2とで構成されている。1次同調回路51は、直列に接
続された直流阻止コンデンサ53およびバラクタダイオ
ード54と、図示の順序で直列に接続されたハイバンド
受信用の同調コイル55、ローバンド受信用の同調コイ
ル56、抵抗57、結合用のコイル58、直流阻止コン
デンサ59とが、並列に接続されて構成されている。こ
こで、バラクタダイオード54は、アノードが接地さ
れ、カソードが直流阻止コンデンサ53と接続されてい
る。また、直流阻止コンデンサ59の他端も接地されて
いる。そして、直流阻止コンデンサ53と同調コイル5
5の接続点が、この複同調回路51の入力端となってい
て、前段の高周波増幅器60に接続されている。
の接続点と、グランドの間に、直列に接続された直流阻
止コンデンサ61とスイッチダイオード62と直流阻止
コンデンサ63が設けられている。ここで、スイッチダ
イオード62は、アノードが直流阻止コンデンサ61
と、カソードが直流阻止コンデンサ63と接続されてい
る。
ダイオード62との接続点は、給電抵抗64を介し、ハ
イバンド受信用の切替端子65に接続されている。ま
た、スイッチダイオード62と直流阻止コンデンサ63
との接続点は、給電抵抗66を介し、ローバンド受信用
の切替端子67に接続されている。また、スイッチダイ
オード62と直流阻止コンデンサ63との接続点と、グ
ランドとの間に、バイアス抵抗68が設けられている。
そして、直流阻止コンデンサ53とバラクタダイオード
54との接続点は、給電抵抗69を介して、同調電圧端
子70に接続されている。
オード71と、図示の順序で直列に接続されたハイバン
ド受信用の同調コイル72、ローバンド受信用の同調コ
イル73、抵抗74、直流阻止コンデンサ75、結合用
のコイル58、直流阻止コンデンサ59とが並列に接続
されて構成されている。ここで、バラクタダイオード7
1は、アノードが接地され、カソードが同調コイル72
と接続されている。そして、バラクタダイオード71と
同調コイル72との接続点に、直列に接続したバラクタ
ダイオード76と直流阻止コンデンサ77が接続されて
いる。ここで、バラクタダイオード76は、アノードが
直流阻止コンデンサ77と接続され、カソードが同調コ
イル72と接続されている。そして、直流阻止コンデン
サ77の他端がこの複同調回路の出力端となっていて、
後段の混合器78に接続されている。そして、混合器7
8において発振器(図示せず)からの発振信号と混合さ
れ、中間周波信号を出力するようになっている。
の接続点と、スイッチダイオード62と直流阻止コンデ
ンサ63との接続点とに、直列に接続された直流阻止コ
ンデンサ79とスイッチダイオード80とが設けられて
いる。ここで、スイッチダイオード80は、アノードが
直流阻止コンデンサ79と、カソードが直流阻止コンデ
ンサ63と接続されている。
ダイオード80との接続点は、給電抵抗81を介し、ハ
イバンド受信用の切替端子65に接続されている。ま
た、スイッチダイオード80と直流阻止コンデンサ63
との接続点は、給電抵抗66を介し、ローバンド受信用
の切替端子67に接続されている。そして、バラクタダ
イオード71と同調コイル72との接続点は、給電抵抗
82を介して、同調電圧端子70に接続されている。
信用の切替端子65または、ローバンド受信用の切替端
子67に電圧を印加することで、スイッチダイオード6
2およびスイッチダイオード80を共に導通または非導
通にすることにより、この複同調回路をハイバンドの受
信状態またはローバンドの受信状態に切替えている。
路をハイバンドのテレビジョン信号(例えば170MH
z〜222MHz)を受信する状態に切り替えるとき
は、ハイバンド受信用の切替端子65に、例えば5Vの
電圧を印加し、ローバンド受信用の切替端子67には電
圧を印加しない。すると、スイッチダイオード62およ
びスイッチダイオード80には順方向の電圧が印加さ
れ、両スイッチダイオード62および80は導通状態に
なり、ハイバンド受信用の同調コイル55とローバンド
受信用の同調コイル56の接続点が接地され、また、ハ
イバンド受信用の同調コイル72とローバンド受信用の
同調コイル73の接続点も接地される。この結果、1次
同調回路51は、バラクタダイオード54とハイバンド
受信用の同調コイル55とが共に並列接続され、2次同
調回路52は、バラクタダイオード71とハイバンド受
信用の同調コイル72とが共に並列接続される。この時
の高周波的な等価回路図は、直流阻止コンデンサおよび
抵抗を無視すると、図6に示す複同調回路となり、バラ
クタダイオード54および71に印加する電圧の調整に
より所望の同調周波数が得られる。
ローバンドのテレビジョン信号(例えば90MHz〜1
08MHz)を受信する状態に切り替えるときは、ロー
バンド受信用の切替端子67に、例えば5Vの電圧を印
加し、ハイバンド受信用の切替端子65には電圧を印加
しない。すると、スイッチダイオード62および80に
は逆方向の電圧が印加され、両スイッチダイオード62
および80は非導通状態になる。この結果、1次同調回
路51は、ハイバンド受信用の同調コイル55、ローバ
ンド受信用の同調コイル56、結合用のコイル58およ
びバラクタダイオード54からなる並列同調回路(以下
この回路を「主同調回路」という)となり、2次同調回
路52は、ハイバンド受信用の同調コイル72、ローバ
ンド受信用の同調コイル73、結合用のコイル58およ
びバラクタダイオード71からなる並列同調回路とな
り、バラクタダイオード54および71に印加する電圧
の調整により所望の同調周波数が得られる。
受信状態に切替えた複同調回路においては、スイッチダ
イオード62、80には逆方向の電圧が印加されてい
る。一般に、ダイオードに逆方向の電圧を印加すると、
例えば0.2pF程度の端子間容量が発生する。ここ
で、スイッチダイオード62、80の逆方向電圧での端
子間容量がコンデンサ83の容量と等価すると、ローバ
ンド受信状態での複同調回路における高周波的な等価回
路は、直流阻止コンデンサおよび抵抗を無視すると、図
7に示す複同調回路となる。
次同調回路51では、バラクタダイオード54、同調コ
イル55、コンデンサ83により、また、2次同調回路
52では、バラクタダイオード71、同調コイル72、
コンデンサ83により、主同調回路とは別の新たな同調
回路84(以下この回路を「寄生同調回路」という)が
構成される。そして、この寄生同調回路84での同調周
波数は、1次同調回路51と2次同調回路52ともほぼ
同一の周波数であり、例えば、主同調回路での所望の同
調周波数を127MHzとすると、寄生同調回路84で
の同調周波数は、600〜700MHz域のUHF帯に
現れていた。
複同調回路は、例えば図4の実線で示されるような周波
数選択特性となり、主同調回路による同調周波数(図4
A部)の他に、寄生同調回路84による同調周波数(図
4B部)によるピーク特性が発生していた。そして、こ
の寄生同調回路84による同調周波数域における信号
が、この複同調回路の出力端に接続されている混合器7
8に入力され、混合器78で発振信号と混合されると、
発振信号の周波数のN倍と寄生同調回路84による同調
周波数における信号の周波数との和または差によって作
られる信号が、混合器78からの出力である中間周波信
号(54MHz〜60MHz)に妨害を及ぼしていた。
よる同調周波数を127MHzとすると、発振信号の周
波数は、主同調回路による同調周波数より57MHz高
い184MHzであり、その3倍の周波数である552
MHzと寄生同調回路による同調周波数の609MHz
との差が57MHzとなって混合器78から出力されて
いた。
の目的は、ローバンド受信状態においてスイッチダイオ
ード62、80の非導通時の静電容量83によって新た
に構成される寄生同調回路84による影響をなくした良
好な選択特性を持つチューナーの複同調回路を提供する
ことである。
め、本発明の請求項1に記載のチューナの複同調回路
は、1次同調回路および2次同調回路を備え、2次同調
回路は、第1のバラクタダイオードと、前記第1のバラ
クタダイオードに並列に接続され、互いに直列接続され
たハイバンド受信用第1のコイルとローバンド受信用第
2のコイルと、第1のコイルと第2のコイルの接続点と
グランドとの間に接続されたスイッチダイオードと、第
1のコイルと第1のバラクタダイオードとの接続点に一
端を接続された第2のバラクタダイオードと、第2のバ
ラクタダイオードの他端と第1のコイルおよび第2のコ
イルの接続点とに並列に接続されたコンデンサとを有
し、第2のバラクタダイオードの他端を出力端とし、第
1のコイルと第2のバラクタダイオードとコンデンサで
トラップ回路を構成した。
の複同調回路は、コンデンサの容量をスイッチダイオー
ドの非導通時の端子間容量とほぼ同じとした。
回路の実施の形態を図1〜図4を参照して説明する。
回路図である。本発明のチューナの複同調回路は、1次
同調回路11と2次同調回路12とで構成されている。
1次同調回路11は、直列に接続された直流阻止コンデ
ンサ13およびバラクタダイオード14と、図示の順序
で直列に接続されたハイバンド受信用の同調コイル1
5、ローバンド受信用の同調コイル16、抵抗17、結
合用のコイル18、直流阻止コンデンサ19とが並列に
接続されて構成されている。ここで、バラクタダイオー
ド14は、アノードが接地され、カソードが直流阻止コ
ンデンサ13と接続されている。また、直流阻止コンデ
ンサ19の他端も接地されている。そして、直流阻止コ
ンデンサ13と同調コイル15の接続点がこの複同調回
路の入力端となっていて、前段の高周波増幅器20に接
続されている。
の接続点と、グランドの間に、直列に接続された直流阻
止コンデンサ21とスイッチダイオード22と直流阻止
コンデンサ23が設けられている。ここで、スイッチダ
イオード22は、アノードが直流阻止コンデンサ21
と、カソードが直流阻止コンデンサ23と接続されてい
る。
ダイオード22との接続点は、給電抵抗24を介し、ハ
イバンド受信用の切替端子25に接続されている。ま
た、スイッチダイオード22と直流阻止コンデンサ23
との接続点は、給電抵抗26を介し、ローバンド受信用
の切替端子27に接続されている。また、スイッチダイ
オード22と直流阻止コンデンサ23との接続点とグラ
ンドとの間に、バイアス抵抗28が設けられている。そ
して、直流阻止コンデンサ13とバラクタダイオード1
4との接続点は、給電抵抗29を介して、同調電圧端子
30に接続されている。
タダイオード31と、図示の順序で直列に接続されたハ
イバンド受信用の第1の同調コイル32、直流阻止コン
デンサ33、ローバンド受信用の第2の同調コイル3
4、抵抗35、直流阻止コンデンサ36、結合用のコイ
ル18、直流阻止コンデンサ19とが並列に接続されて
構成されている。ここで、バラクタダイオード31は、
アノードが接地され、カソードが同調コイル32と接続
されている。そして、バラクタダイオード31と同調コ
イル32との接続点に、直列に接続した第2のバラクタ
ダイオード37と直流阻止コンデンサ38が接続されて
いる。ここで、バラクタダイオード37は、アノードが
直流阻止コンデンサ38と、カソードが同調コイル32
と接続されている。そして、直流阻止コンデンサ38の
他端がこの複同調回路の出力端となっていて、後段の混
合器39に接続されている。そして、混合器39におい
て発振器(図示せず)からの発振信号と混合され、中間
周波信号を出力するようになっている。
ル34との接続点と、バラクタダイオード37と直流阻
止コンデンサ38との接続点に、コンデンサ40が設け
られている。
ル34との接続点と、スイッチダイオード22と直流阻
止コンデンサ23との接続点に、スイッチダイオード4
1が設けられている。ここで、スイッチダイオード41
は、アノードが直流阻止コンデンサ33と同調コイル3
4との接続点と接続され、カソードがスイッチダイオー
ド22と直流阻止コンデンサ23との接続点と接続され
ている。なお、コンデンサ40の容量は、スイッチダイ
オード41が非導通となった場合の端子間容量ほぼ同じ
になるように設けられている。
は、給電抵抗42を介し、ハイバンド受信用の切替端子
25に接続されている。また、スイッチダイオード41
のカソードは、給電抵抗26を介し、ローバンド受信用
の切替端子27に接続されている。そして、バラクタダ
イオード31と同調コイル32との接続点は、給電抵抗
43を介して、同調電圧端子30に接続されている。
信用の切替端子25またはローバンド受信用の切替端子
27に電圧を印加することで、スイッチダイオード22
およびスイッチダイオード41を共に導通または非導通
にすることにより、この複同調回路をハイバンドの受信
状態またはローバンドの受信状態に切り替えている。
路をハイバンドのテレビジョン信号(例えば170MH
z〜222MHz)を受信する状態に切り替えるとき
は、ハイバンド受信用の切替端子25に、例えば5Vの
電圧を印加し、ローバンド受信用の切替端子27に電圧
を印加しない。すると、スイッチダイオード22および
スイッチダイオード41には順方向の電圧が印加され、
両スイッチダイオード22および41は導通状態にな
り、ハイバンド受信用の同調コイル15とローバンド受
信用の同調コイル16の接続点が接地され、直流阻止コ
ンデンサ33とローバンド受信用の同調コイル34の接
続点も接地される。この結果、1次同調回路11は、バ
ラクタダイオード14とハイバンド受信用の同調コイル
15とが共に並列接続され、2次同調回路12は、バラ
クタダイオード31とハイバンド受信用の同調コイル3
2とが共に並列接続される。この時の高周波的な等価回
路は、直流阻止コンデンサおよび抵抗を無視すると、図
2に示す複同調回路となり、バラクタダイオード14お
よび31に印加する電圧の調整により所望の同調周波数
が得られ、また、バラクタダイオード37とコンデンサ
40によるタップ回路が構成されている。
えば90MHz〜108MHz)を受信する状態に切り
替えるときは、ローバンド受信用の切替端子27に、例
えば5Vの電圧を印加し、ハイバンド受信用の切替端子
25には電圧を印加しない。すると、スイッチダイオー
ド22およびスイッチダイオード41には逆方向の電圧
が印加され、両スイッチダイオード22および41は非
導通状態となる。この結果、1次同調回路11は、ハイ
バンド受信用の同調コイル15、ローバンド受信用の同
調コイル16、結合用のコイル18およびバラクタダイ
オード14からなる並列同調回路(以下この回路を「主
同調回路」という)となり、2次同調回路12は、ハイ
バンド受信用の同調コイル32、ローバンド受信用の同
調コイル34、結合用のコイル18およびバラクタダイ
オード31からなる並列同調回路となり、バラクタダイ
オード14および31に印加する電圧の調整により所望
の同調周波数が得られる。
た複同調回路においては、スイッチダイオード22、4
1には逆方向の電圧が印加されている。一般に、ダイオ
ードに逆方向の電圧を印加すると、例えば0.2pF程
度の端子間容量が発生する。ここで、スイッチダイオー
ド22、41の逆方向電圧での端子間容量がコンデンサ
44と等価すると、ローバンド受信状態での複同調回路
における高周波的な等価回路は、直流阻止コンデンサお
よび抵抗を無視すると、図3に示す複同調回路となる。
次同調回路11では、バラクタダイオード14、同調コ
イル15、コンデンサ44により、また、2次同調回路
12では、バラクタダイオード31、同調コイル32、
コンデンサ44により、主同調回路とは別の新たな同調
回路45(以下この回路を「寄生同調回路」という)が
構成される。そして、この寄生同調回路45での同調周
波数は、1次同調回路11と2次同調回路12とも同一
の周波数であり、例えば、主同調回路での所望の同調周
波数を127MHzとすると、寄生同調回路45での同
調周波数は、600〜700MHz域のUHF帯に現れ
る。
り、2次同調回路12では、同調コイル32、バラクタ
ダイオード37、コンデンサ40により、主同調回路と
は別の新たな同調回路46(以下この回路を「トラップ
回路」という)が構成される。ここで、コンデンサ44
とコンデンサ40との容量が等しく、バラクタダイオー
ド31とバラクタダイオード37との容量が等しく、さ
らに同調コイル32を共有しているので、トラップ回路
46と寄生同調回路45とは同一の同調周波数となる。
複同調回路は、例えば図4の点線で示されるような周波
数選択特性となり、主同調回路での同調周波数を127
MHzとすると、従来例での寄生同調回路による600
〜700MHz帯のピークがほぼなくなる。したがっ
て、混合器39から妨害となる信号が発生しない。な
お、ハイバンド受信状態での複同調回路は、図2に示す
ように、バラクタダイオード37とコンデンサ40によ
るタップ効果によって2次同調回路のQが高くなって選
択度特性が急峻となる。この結果、混変調特性が改良さ
れている。
ば、ローバンド受信状態においては、コンデンサを設け
ることにより、ハイバンド受信用同調コイル、バラクタ
ダイオード、コンデンサによるトラップ回路が構成され
るので、スイッチダイオードの非導通時の端子間容量に
よって新たに構成される寄生同調回路により発生する周
波数特性ピークをなくすことができ、この結果中間周波
信号への妨害をなくすことができる。また、本発明によ
れば、ハイバンド受信状態においては、コンデンサを設
けることにより、バラクタダイオードとコンデンサによ
るタップ効果によって2次同調回路のQが高くなって選
択度特性が急峻となる。この結果混変調特性が改良され
る。
をスイッチダイオードの非導通時の端子間容量とほぼ同
じとしたことにより、トラップ回路と寄生同調回路との
同調周波数を等しくすることができる。
る。
信時の等価回路図である。
信時の等価回路図である。
ーバンド受信時の選択特性図である。
時の等価回路図である。
時の等価回路図である。
等価なコンデンサ 45 寄生共振回路 46 トラップ回路
Claims (2)
- 【請求項1】 1次同調回路および2次同調回路を備
え、前記2次同調回路は、第1のバラクタダイオード
と、前記第1のバラクタダイオードに並列に接続され、
互いに直列接続されたハイバンド受信用第1のコイルと
ローバンド受信用第2のコイルと、前記第1のコイルと
前記第2のコイルの接続点とグランドとの間に接続され
たスイッチダイオードと、前記第1のコイルと前記第1
のバラクタダイオードとの接続点に一端を接続された第
2のバラクタダイオードと、前記第2のバラクタダイオ
ードの他端と前記第1のコイルおよび前記第2のコイル
の接続点とに並列に接続されたコンデンサと、を有し、
前記第2のバラクタダイオードの他端を出力端とし、前
記第1のコイルと前記第2のバラクタダイオードと前記
コンデンサとでトラップ回路を構成したことを特徴とす
るチューナの複同調回路。 - 【請求項2】 前記コンデンサの容量を前記スイッチダ
イオードの非導通時の端子間容量とほぼ同じとしたこと
を特徴とする請求項1に記載のチューナの複同調回路。
Priority Applications (7)
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---|---|---|---|
JP33494799A JP3592160B2 (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | チューナの複同調回路 |
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