KR940005381B1 - 다대역 튜너용 튜닝 회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

다대역 튜너용 튜닝 회로
VHF 방송 및 케이블 채널을 튜닝시키기 위한 텔레비젼 튜너를 나타낸 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 채널 선택기 30 : 대역 선택기
100 : 증폭기 117 : 버랙터 다이오드
200, 205 : 튜닝회로
본 발명은 텔레비젼 튜너에서 사용하는데 적당한 비교적 넓은 주파수 범위를 갖는 다대역 발진기에 관한 것이다.
케이블 분배 회로망의 사용이 증가함으로써, 텔레비젼 튜너가 방송 채널 뿐만 아니라 케이블을 튜닝할 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 전형적으로, 그러한 "케이블 준비"(즉, 케이블 변환기 없이 케이블 채널을 조정할 준비가 되어 있는) 튜너는 각 주파수 범위에 대응하는 부분으로 분할된다. 예를 들어, 케이블 준비 튜너는 UHF 방송 채널용 UHF 부, VHF 방송용 VHF 부 및 케이블 채널을 포함한다. 신뢰도 및 가격문제를 위해 튜너내에서 사용되는 부품의 수를 최소화하는 것이 바람직하다. 이와 같은 목적을 위해, 튜너의 각 부내에 오직 한개의 국부 발진기만을 사용하는 것이 바람직하다.
언급된 장치는 일반적으로 미국에서 101MHz 및 509MHz간의 비교적 넓은 주파수 범위에 존재하는 모든 VHF 방송 및 케이블 채널에 사용되는 국부 발진기에 관한 것이다. 그와 같은 국부 발진기가 상당히 바람직한 반면, 비교적 넓은 주파수 범위 때문에 문제를 야기시킨다. 특히, 오직 단하나의 튜닝 전압 응답 버랙터 다이오드를 갖는 주파수 결정회로를 이용하여 비교적 넓은 주파수 범위를 수용하기 위해서, 선택된 채널 주파수 대역을 의존하는 버랙터 다이오드를 갖는 튜닝 회로내에 상이한 인덕터를 선택하기 위한 대역 스위칭 장치를 포함하는 것이 필요하다는 것을 알았다. 그러한 밴드 스위칭 장치는 국부 발진기가 불필요한 주파수에서 발진하게 하는 기생 소자를 발생시키는 것을 알았다.
본 발명은 기생 소자에 의한 불필요한 주파수 응답을 방지하기 위한 장치를 가지며, 다수의 주파수 대역을 포함하는 비교적 넓은 주파수 범위를 완전히 튜닝하기 위한 상기 언급된 형태의 국부 발진기에서 사용되는 튜닝 회로에 관한 것이다. 특히, 튜닝 회로는 버랙터 다이오드 같은 가변 용량 소자와, 가변 용량 소자 및 기준 전위의 한점간에 직렬로 결합된 최소한 제1, 제2 및 제3인덕터와, 제1주파수 대역에 대응하는 제1튜닝 회로 구성을 형성하기 위해, 제1대역 스위칭 신호를 응답하여 제1 및 제2인덕터간의 제1점을 기준 전위점에 선택적으로 결합하기 위한 제1스위치 수단과, 제1주파수 대역보다 더 낮은 주파수를 갖는 제2주파수 대역에 대응하는 제2튜닝 회로구성을 형성하기 위해, 제2대역 스위칭 신호에 응답하여 제2 및 제3인덕터간의 제2점을 기준 점위점에 선택적으로 결합하기 위한 제2스위치 수단을 구비한다. 불필요한 주파수 응답방지 장치는 제1대역 스위칭 신호에 응답하여 제2 및 제3인덕터간의 제2점을 기준 점위점에 선택적으로 결합하기 위한 보조 스위치 수단을 구비한다. 이것은 제3인덕터와 제3인덕터에 연관된 기생소자를 제1동조 회로로부터 실제적으로 절연시키는 효과를 갖는다. 제어 수단은 제1대역 스위칭 신호에 응답하여 제1 및 제2스위치 수단을 에너지화하며, 제2대역 스위칭 신호에 응답하여 제1스위치 수단을 제외한 제2스위치 수단을 에너지화한다.
본 발명은 단 하나의 도면내에 도시된 양호한 실시예를 참조하여 기재된다. 전형적인 소자값은 도시된다. 달리 기재되어 있지 않은 한 단위는 Ω, nh, pf 이다.
미국내에서 사용하기 위하여 다음 예에 의해, RF 영상 캐리어 및 국부 발진기 주파수가 다음 표에서 같이 규정되는 한 튜너는 채널을 튜닝할 수 있다.
Figure kpo00001
상기는 다음과 같이 구분된다 : 대역(B1)은 저 VHF 방송 대역 채널에 일치한다(즉, 채널 2 내지 6) : 대역(B2)은 중간 대역 케이블 대역 하위부내의 채널에 일치한다 : 대역(B3)은 중간 대역 케이블 대역 잔여부, 고 VHF 방송 대역에 일치한다(즉, 채널 7 내지 13 및 최대 대역 케이블 대역의 하위부내의 채널) : 대역(B4)은 최대 대역 케이블 대역의 잔여부내의 채널 및 과대 대역 케이블 대역내의 채널에 일치한다. UHF 방송 채널(14 내지 69)용 제5대역의 분리부는 도시되지 않는다.
예를 들어, 사용자가 소정의 채널에 일치하도록 두 개의 디지트 번호를 누르도록 된 계산기 같은 키보드를 포함하는 채널 선택기(10)가 제공된다. 채널 번호는 디지털 코드 형태를 갖고 예를 들어 위상 고정 루프를 포함하는 튜닝 전압 발전기(20)로 전송되며, 상기 위상 고정 루프(PLL)는 채널 번호를 선택된 채널에 일치하는 크기를 갖는 튜닝 전압(VT)으로 변환시킨다. 채널 번호는 또한 선택된 채널 대역을 표시하는 대역 선택이나 대역 스위칭 신호를 발생하는 대역 선택기(30)로 전송된다. 도시된 실시예에서, 대역 선택기(30)에서 발생된 각 대역 스위칭 신호(B1,B2,B3 및 B4)의 활성 상태는 높은 양극성 전압, 예를 들어 +18볼트이다. 비활성 상태는 접지 전위에 가까운 전압이다. 대역 선택기(30)는 모든 다른것의 대역 스위칭 신호에 무관한 각 밴드를 위하여 유일한 대역 스위칭 신호를 발생한다. 즉, 각 대역은 오직 하나의 대역 스위칭 신호와 일치한다. 이 때문에, 대역 선택기(30)는 소정 채널의 코드된 표시가 각 대역에 일치하는 값의 범위내에 존재할 때 결정하기 위하여 간단하게 논리 비교기를 구비한다.
튜닝 전압 및 대역 스위칭 신호는 VHF RF 입력에서 수신된 다수의 RF 신호에서 선택된 채널에 일치하는 RF 신호를 선택하며, 선택된 RF 신호를 혼합기(50)에 공급하기 위한 RF 단(40)에 인가된다. 튜닝 전압 및 대역 스위칭 신호는 또한 선택된 채널에 일치하는 주파수를 갖는 국부 발진 신호를 발생하도록 국부발진기에 인가된다. 국부 발진기 신호는 또한 혼합기(50)에 인가되어, 합 및 차의 주파수 신호를 제공하는 선택된 RF 신호에 결합된다. 차 주파수 신호가 미합중국에서는 무익한 영상 캐리어 주파수, 예를 들어 45.75MHz를 갖도록 국부 발진기 신호의 주파수가 제어된다.
튜닝 제어 유닛트(20)가 PLL을 포함할때, 국부 발진기 신호는 또한 보통 "프리스케일러(prescaler)"라 불리우는 분주기(70)를 통하여 튜닝 제어 유닛트(20)에 인가되며, 이 분주기는 국부 발진기 신호의 비교적 고주파에서 PLL의 동작 주파수 범위에 적합한 주파수 신호를 제공하도록 분할된다.
국부 발진기(60)의 국조는 지금부터 상세히 설명하기로 한다.
국부 발진기(60)는 증폭기(100) 및 튜닝 회로(200)를 구비한다. 증폭기(100)는 저항(103)을 통과하여 공급 전압(+VS) 전원에 결합된 콜렉터와, 저항(105)을 통과하여 신호 접지처럼 도시된 기준 전위 전원에 결합된 에미터 및 튜닝회로(200)에 결합된 베이스 전극으로 이루어진 공통 콜렉터 구성내에 NPN 트랜지스터(101)를 포함한다. 베이스 및 에미터 전극사이에 결합된 캐패시터(107), 에미터 및 콜렉터 전극 사이에 결합된 캐패시터(109), 콜렉터 전극 및 신호 접지 사이에 결합된 캐패시터(111) 및 콜렉터 및 베이스 전극 사이에 결합된 캐패시터(113)를 구비하는 궤환 회로망은 증폭기(100)가 주파수 대역(B1,B2,B3,B4)을 포함하는 주파수 범위, 즉, 101 내지 509MHz에서 완전히 발진하도록 조정한다.
발진기(100)가 101 내지 509MHz 사이의 비교적 넓은 주파수 범위에서 확실히 발진하도록 하기 위해서, 튜닝 전압에 응답하여 궤환을 수정하기에 바람직하도록 알게 되었다. 특히, 이것은 캐패시터(107)에 병렬로 연결된 트랜지스터의 베이스 및 에미터 전극사이에서 직렬로 결합된 캐패시터(115), 버랙터 다이오드(117) 및 캐패시터(119)를 포함하는 용량 회로망에 응답하는 튜닝 전압을 결합함으로써 완성된다. 캐패시터(115, 119)는 비교적 큰 값을 갖으며, 궤환 수정 회로망의 용량 범위에 본질적으로 영향을 미치지 않으며, 원래 DC 블록킹 소자의 역할을 한다. 저항(121,123)은 버랙터 다이오드(117) 양단간에 약간의 튜닝 전압(VT)을 인가하도록 제공된다. 버랙터 다이오드(117)는 튜닝 전압의 감소에 응답하여 주파수가 감소함에 따라 베이스 및 에미터 전극간의 용량이 증가하도록 극성을 갖는다. 튜닝 회로(200)는 캐패시터(206)를 통한 신호접지 및 트랜지스터(101)의 베이스 전극 사이에 순번대로 직렬로 결합된 네 개의 인덕터(201,202,203 및 204) 및 버랙터 다이오드(205)를 포함한다. 튜닝 전압(VT)은 절연 저항(207)을 통하여 버랙터 다이오드(205)에 캐소드에 인가된다. 버랙터 다이오드(205)의 애노드 및 신호 접지간에 결합된 저항(209)은 버랙터 다이오드(205)의 귀환 경로를 제공한다. 캐패시터(211)에 결합된 분로는 튜닝 전압을 여과한다. 작은 값의 캐패시터(213)는 튜닝회로의 가변 용량 범위를 정하는데 도움을 주기 위하여 버랙터 다이오드(205)를 통하여 결합된다. 비교적 큰값의 캐패시터(215,217)는 인덕터(204)의 우측과 트랜지스터(101)의 베이스 전극에 인가된 DC 전압에서 캐소드 및 애노드를 절연하기 위하여 버랙터 다이오드(205)에 직렬로 결합된다. 캐패시터(215,217)는 튜닝 회로의 용량 범위에 매우 큰 영향을 주진 않는다.
대역 스위칭은 다음과 같이 이루어진다.
대역 스위칭 핀 다이오드(221,222,223 및 224)의 캐소드는 각각 인덕터(201)의 좌측 단부, 인덕터(201,202)간의 접항, 인덕터(202,203)간의 접합 및 인덕터(203,204)간의 접합에 결합된다. 스위칭 다이오드의 애노드는 각각 저항/캐패시터 회로망(231/232, 233/234, 235/236 및 237/238)을 통하여 대역 스위칭 신호(B1,B2,B3 및 B4)를 수신한다. 캐패시터(232,234,236 및 238)는 필터 캐패시터이다. 스위칭 다이오드(222,223 및 224)의 애노드는 또한 각각 캐패시터(242,243 및 245)를 통하여 신호 접지에 결합된다. 캐패시터(242,244)는 비교적 큰 값을 갖으며, 실질적으로 바이패스 캐패시터이다. 캐패시터(243)는 하기 이유 때문에 캐패시터(242,244)보다 작은 값을 갖는다.
다이오드(221)와 인덕터(201) 및 신호 접지의 접합간에 결합된 저항(251)은 대역 스위칭 다이오드(221,222,223 및 224)를 위한 귀환 작용을 한다. 다이오드(221,222,223 혹은 224)중의 어느 하나가 비교적 높은 양극성 활성 전압레벨, 예를 들어 +18볼트로 존재할 대역 스위칭 신호(B1,B2,B3 및 B4)의 각각의 하나에 응답하여 온 상태로 전환되도록 순방향 바이어스될때, 전류는 저항(251)을 통하여 흐르도록 하고, 잔류 다이오드를 오프 상태로 전환하기 위한 역방향 바이어스 전압이 저항(251) 양단간에 발생된다.
인덕터(204) 및 트랜지스터(101)의 베이스간에 결합되어 캐패시터(215), 버랙터 다이오드(205) 및 캐패시터(217)를 바이패스하는 베이스 바이어스 회로망은 직렬로 결합된 저항(261) 및 분로 결합 저항(263)을 포함한다.
대역(B1)내의 한 채널이 선택될때, 대역 스위치 신호(B1)는 활성 상태에 일치하는 비교적 높은 양극성 활성 전압 레벨, 예를 들어 +18볼트에서 존재되도록 하며, 트랜지스터를 온으로 전환하기 위한 양극성 바이어스 전압은 저항(231), 스위칭 다이오드(221), 인덕터(201,202,203 및 204) 및 베이스 바이어스 회로망(261/263)을 통하여 트랜지스터(101)의 베이스에 인가된다. 최저 주파수 대역인 대역(B1)내의 한 채널이 선택될때, 스위칭 다이오드(222,223 및 224)는 모두 오프로 전환되며, 대역(B1)용 튜닝 회로는 모든 인덕터(201,202,203 및 204)를 포함한 최대 튜닝 인덕턴스를 갖도록 형성된다. 대역(B2)내의 한 채널이 선택될때, 스위칭 다이오드(222)는 인덕터(203,204)를 포함한 최소 튜닝 인덕턴스를 갖는 밴드(B4)용 튜닝 회로를 형성하도록 온으로 전환된다. 대역(B3)내의 한 채널이 선택될때, 스위칭 다이오드(223)는 인덕터(203,204)를 포함한 밴드(B3)용 튜닝 회로를 형성하도록 온으로 전환한다. 비슷한 방식으로, 최대 주파수 대역인 대역(B4)내의 한 채널이 선택될때, 스위칭 다이오드(224)는 오직(하기될 기생 소자를 줄이는) 인덕터(204)만을 포함한 최소 튜닝 인덕턴스를 갖는 밴드(B4)용 튜닝 회로를 형성하도록 온으로 전환된다. 각 대역(B2,B3 및 B4) 때문에 베이스 바이어스 전압은 각 저항(233,235 및 237)중의 하나의 양단에 인가된다.
국부 발진기(60)의 비교적 넓은 주파수 범위 때문에, 튜닝 회로(200)에 연관된 일정한 기생 소자는 국부 발진기가 원치않는 주파수에서 발진하도록 하는 것이 발견된다. 그러한 상태를 방지하기 위한 설비는 설명되지 않을 것이다.
상기된 바같이, 대역(B1)이 선택될때, 스위칭 다이오드(222,223 및 224)는 오프로 전환된다. 도시된 바와 같이, 밴드(B1)내에서, 각 인덕터(201,202,203 및 204) 및 "오프" 스위칭 다이오드(222,223 및 224)중의 하나 양단간의 기생 용량은 국부 발진기가(밴드(B1)내에서 제1의 소정의 주파수외에 또) 발진할 수 있는 곳에서 대역(B4)내에 약 470MHz의 제2의 원치않는 주파수를 발생한다. 이 문제의 해결점은 발진의 범위를 원치않는 주파수 아래에 있도록 제한하기 위하여 증폭기(100)가 대역(B1)내에서 발진하도록 용량 궤환 회로망을 선택적으로 변화시킴으로써 찾을 수 있다. 특히, 이것은 트랜지스터(101)의 에미터 및 콜렉터간의 캐패시터(131) 및 스위칭 다이오드(133)를 캐패시터(109)에 병렬로 결합함으로써 이루어진다. B1대역 스위칭 신호는 직렬로 결합된 저항(135) 및 분로 결합 캐패시터(137)를 포함한 절연/필터 회로망에 의해 스위칭 다이오드(133)의 애노드에 인가된다. 대역 스위칭 신호(B1)를 위한 귀환은 트랜지스터(101)의 에미터 및 스위칭 다이오드(133)에 결합된 저항(105)에 의해 제공된다. 대역(B1)내의 한 채널이 선택될때, 스위칭 다이오드(133)는 온으로 전환되며, 캐패시터(131)는 트랜지스터(101)의 에미터 및 콜렉터간의 용량을 증가시키기 위하여 캐패시터(109)에 병렬로 결합된다. 에미터 전압은 또한 트랜지스터(101)의 바이어스가 변하도록 증가된다.
스위치된 용량 회로망(131/133)이 원치않는 대역발진을 막는 동안, 국부 발진기(60) 동작의 기본 모드는 변하지 않으며, 이 때문에 실행하는 데에는 비교적 간단하다는 것이 주지된다. 또한, 상기된 밴드(B1) 및 다른 밴드간의 궤환을 스위칭하는 것은 전환 손실을 감소시키며, 이 때문에 대역(B1,B4)의 필요사항간에 타협점으로 선택된 트랜지스터(101)의 에미터 및 콜렉터간의 용량값의 경우에 있는 대역(B4)내에서 전체 튜너 이득이 증가한다. 이러한 라인에 따라, 스위칭된 용량 회로망(131/133)은 또한 다른 디자인으로 허용되는 범위내에서 이득이 있는 대역(B1)을 위한 튜닝 범위를 확장시키도록 할 수 있다.
다른 불필요한 주파수는 스위칭 다이오드(221,222,223 및 224)의 기생 리드 인덕턴스 때문에 발생된다.
특히, 대역(B4)내에 한 채널이 선택되며, 스위칭 다이오드(224)가 대역(B4)용 튜닝 회로에 있는 인덕터를 기준으로 그 좌측에 있는 튜닝 회로(200)의 일부의 기능이 마비되도록 "온"으로 전환됐을때, 인덕터(201,202 및 203)간의 기생 용량이 대역(B4)용 튜닝 회로내에 인가되는 것과 같이 다이오드(224)의 리드 인덕턴스는 최고 주파수 대역인 대역(B4)내에 대단히 큰 임피던스가 존재하도록 하고, 인덕터(204)의 좌칙에 있는 튜닝 회로(200)소자와 그들과 연관된 기생 소자를 효과적으로 허용하도록 하는 것이 발견된다. 바꿔 말하면, "온"스위칭 다이오드(224)는 인덕터(204)의 좌측에 있는 튜닝 회로(200)의 일부를 효과적으로 "차단"하지 못하며, 이 때문에 신호 전류가 인덕터내로 흐르도록 불필요하게 허용된다. 이것은 국부 발진기(60)가 발진하는 곳에서 불필요한 주파수 공진이 발생한다.
이러한 문제는 B4 대역 스위칭 제어 라인 및 B3 대역 스위칭 제어 라인간에 결합된 스위칭 다이오드(271)를 포함한 보조 대역 스위칭 회로망에 의해 해결된다. 이것은 대역(B4)(인덕터(203)의 우측까지)용 튜닝 회로에서 인덕터(204)를 기준으로 좌칙에 있는 튜닝 회로(200) 일부의 결합을 대단히 크게 약화시켜, 불필요한 주파수 공진의 발생을 막는다. 스위칭 다이오드(222)가 도시된 바와 같이 B4 대역 스위칭 제어라인 및 B2 대역 스위칭 제어 라인간에 또 다른 스위칭 다이오드를 결합하는 같은 방식으로 유사한 이유 때문에 또한 온으로 전환될지라도, 이것은 필요치 않는 것으로 간파된다. 이 결과, 대역(B4)내에서 모두 세 개인 스위칭 다이오드(224,223 및 222)를 온으로 전환하는데 필요한 여분의 전원은 편리하게 구해진다. 다이오드(271)는 밴드 스위칭 신호(B3)가 밴드(B4) 스위칭 다이오드(224)를 온으로 전환하지 못하게 하는 것을 제외하고는 밴드 스위칭 신호(B4)가 밴드(B3) 스위칭 다이오드(223)를 온으로 전환하도록 극성을 갖는다. 보조 대역 스위칭 회로망은 또한 B3 대역 스위칭 제어 라인내에 직렬로 결합된 스위칭 다이오드(273)를 포함하며, B3 대역 스위칭 제어 라인상의 전압이 대역 스위칭 신호(B4)에 의한 영향으로부터 절연하는 것을 제외하고는 대역 스위칭 신호(B3)가 대역(B3) 스위칭 다이오드(223)를 온으로 전환하는 것을 허용하도록 극성을 갖는다. 서로가 무관하게 RF 단(40)내에 포함된 것 같이, 다른 튜닝 회로의 대역 스위칭을 제어하는 것이 필요하기 때문에 다이오드(271,273)의 절연 접합은 매우 요망된다.
다이오드(271,273)가 캐패시터(243)를 B3 및 B4 제어 라인으로부터 절연시키기 때문에, 큰 값의 저항(275)은 캐패시터가 방전하는 것이 가능하도록 캐패시터(243)와 분로로 결합된다.
정상적으로 대역 스위칭 다이오드(221,222,223 및 224)에 연관된 캐패시터(242,243 및 244)는 국부 발진기(60)의 주파수 범위내에서 완전히 임피던스를 무시하도록 하기 위하여, 모두 비교적 큰 값(예를 들어, 모두 470pf인 캐패시터)을 갖도록 선택된다. 그러나 한 개(또는 그 이상)의 캐패시터는 그들이 연관되는 대역(또는 대역들)의 주파수 응답 특성에 영향을 끼치기 위하여 매우 낮은 값(예를 들어, 82pf)을 갖도록 선택된다.
도시된 바와 같이, RF 단(40) 및 국부 발진기(60)의 튜닝 회로가 대역(B3)내에서 완전히 튜닝 전압에 응답하여 상호간에 정확히 추적하도록 캐패시터(243)가 82pf를 갖는 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.
불운하게도, 이것은 상기된 보조 대역 스위칭 회로에도 불구하고 대역(B)내의 한 채널이 선택될때 인덕터(201,202) 및 연관된 기생 소자를 포함한 다이오드(203) 좌측에 있는 튜닝 회로(200)의 일부가 불필요한 주파수 공진을 발생하도록 하는 역효과를 볼 수 있다. 그러나 이것은 비교적 높은 값(예를 들어, 1000옴)에서 매우 낮은 값(예를 들어, 330옴)으로 저항(235)값이 변함으로써 개선될 수 있다. 이러한 개선책은 국부 발진기(60)의 주파수 범위내에서 임피던스를 무시할 수 있는 비교적 큰 캐패시터(206,236) 값(예를 들어, 470pf) 때문에 저항(235)은 효과적으로 캐패시터(243)와 분로되며, 인덕터(201,202)와 직렬결합된다. 그 결과, 인덕터(203)의 좌측에 있는 튜닝 회로(200) 일부의 Q는 대역(B3)내의 채널이 선택될 때 불필요한 공진을 인입하지 않는 곳까지 적절하게 감소된다.
국부 발진기(60)의 출력 신호는 트랜지스터(101)의 에미터에서 인출된다. 국부 발진기(60)의 출력 신호는 분압기(310) 및 캐패시터(320)를 포함한 결합 회로(300)를 통하여 혼합기(50)에 인가된다. 국부 발진기(60)의 출력 신호는 병렬 튜닝 회로(410) 및 캐패시터(420)를 포함한 결합 회로(400)를 통하여 프리스케일러(70)에 인가된다.
병렬 튜닝 회로(410)는 다음 방식에서 프리스-케일러(70)의 소정의 입력 주파수 응답을 조정할 수 있다는 점에서 매우 중요하다. 뉴져지 소재의 RCA에서 이용한 CA-3163 IC 회로와 같은 것을 텔레비젼 튜너에서 사용하는데 알맞는 프리스케일러는 전형적으로 중간 주파수에서는 최대이며 고, 저주파수에서는 매우 낮은 입력 감도를 갖는다. 또한, 최저 주파수 채널, 예를 들어 채널 2 및 상당한 제2고조파 성분에서 존재하는 거와 같이 만약 국부 발진기 신호가 비교적 작은 진폭을 갖는다면, 프리스-케일러는 프리스케일러의 출력이 결합되는 PLL의 동작을 반전시킴으로써 제2고조파 성분에 대해 불필요하게 응답한다. 이러한 문제점은 채널 2의 제2고조파 성분, 즉 202MHz 내외에서 최소이며, 고, 저 주파수에서 고주파수인 전달 특성(즉, 입력 전압 대 출력 전압의 비율)을 제공하는 병렬 튜닝 회로(410)에 의해 해결된다. 이것이 이루어지기 위하여, 튜닝 회로(410) 인덕터(411) 및 캐패시터(413)는 채널 2를 위한 국부 발진기 신호의 제2고조파 주파수, 즉 202MFz에서 공진하도록 선택된다. 바람직하게도, 캐패시터(413)는 인덕터(411)의 기생 차단 용량이다. 병렬 결합된 저항(415)은 국부 발진기의 주파수 범위를 위하여 튜닝 회로(410)의 대역폭을 조정한다.

Claims (7)

  1. 튜너에 있어서, 가변 용량 소자(502)와; 상기 가변 용량 소자 및 기준 전위 사이에 지정된 순서대로 직렬로 결합된 제1(204), 제2(203) 및 제3(202) 인덕터와; 제1대역 신호(B4)에 응답하여 상기 제1 및 제2인덕터를 기준 전위의 상기 점에 선택적으로 결합하고, 그에 따라 제1주파수 대역에 대응하는 제1튜닝된 회로 구성내에 상기 제1인덕터 및 상기 가변 용량 소자가 결합시키는 제1스위치 수단(224); 제2대역 스위칭 신호(B3)에 응답하여 상기 제2(203) 및 제3(204) 인덕터간의 제2점을 기준 전위의 상기 점에 선택적으로 결합시키고, 그에 따라 상기 제1주파수 대역보다 주파수가 더 낮은 제2주파수 대역에 일치하는 튜닝된 회로구성내에 상기 제1 및 제2인덕터와 상기 가변 용량 소자가 결합시키는 제2스위칭 수단(223) 및; 상기 제1대역 스위칭 신호에 응답하여 상기 제1 및 제2스위치 수단을 에너지화하며, 상기 제2대역 스위칭 신호에 응답하여 상기 제1스위치 수단을 제외한 상기 제2스위치 수단을 에너지화하기 위한 제어수단(30, 271)을 구비하는 것을 특징으로 하는 다대역 튜너용 튜닝 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어 수단(30,271)이 상기 제1대역 스위칭 신호가 상기 제2대역 스위칭 신호에 의해 영향을 받는 것을 방지하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 다대역 튜너용 튜닝 회로.
  3. 상기 제1스위칭 수단이 상기 제1점과 기준 전위의 지정된 순서의 상기 점간에 직렬로 결합된 제1스위칭 다이오드 및 제1캐패시터를 구비하고, 상기 제1대역 스위칭 신호가 제1스위칭 다이오드 및 상기 제1캐패시터간의 접합에 결합되며, 상기 제2스위칭 수단은 상기 제2점과 기준 전위의 지정된 순서의 상기 점간에 직렬로 결합된 제2스위칭 다이오드 및 제2캐패시터를 구비하는 제2항에 있어서, 상기 제어 수단(30,271)이 상기 제1대역 스위칭 신호를 상기 제2스위칭 다이오드 및 상기 제2캐패시터간의 상기 접합에 인가하기 위한 제1절연 다이오드(271)를 구비하며, 상기 제1절연 다이오드는 상기 제1스위칭 다이오드가 상기 제1대역 스위칭 신호에 응답하여 도통될 때는 상기 제2스위칭 다이오드를 도통시키며, 상기 제2스위칭 다이오드가 상기 제2대역 스위칭 신호에 응답하여 도통될때는 상기 제1스위칭 다이오드가 도통되지 않도록 하는 극점을 가지며, 상기 제2대역 스위칭 신호는 제2절연 다이오드를 통하여 상기 제2스위칭 다이오드 및 상기 제2캐패시터간의 접합에 인가되고, 상기 제2절연 다이오드는 제2스위칭 다이오드가 상기 제2대역 스위칭 신호에 응답하여 도통될때는 상기 제2스위칭 다이오드를 도통시키며, 상기 제2대역 스위칭 신호가 상기 제1대역 스위칭 신호에 의해 영향을 받지 않도록 방지하는 극점을 갖는 것을 특징으로 하는 다대역 튜너용 튜닝 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 가변 용량 소자(205)와 상기 제1(204), 제2(203) 및 제3(202)인덕터에 결합되어 발진되도록 구성된 증폭기(101)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 다대역 튜너용 튜닝 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 증폭기(101)가 상기 가변 용량 소자(205)와 상기 제1(204), 제2(203) 및 제3(202)인덕터에 결합된 베이스 전극을 갖는 공통 콜렉터 구성을 하는 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 다대역 튜너용 튜닝 회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제3(202), 제2(203) 및 제1(204)인덕터와 상기 가변 용량 소자(205)가 상기 베이스 전극에 순서대로 직렬로 결합된 것을 특징으로 하는 다대역 튜너용 튜닝 회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제3인덕터(202) 및 기준 전위의 상기 점간에 직렬로 결합된 제4인덕터(201) 및; 제3대역 스위칭 신호에 응답하여 상기 제3 및 제4인덕터간의 제3점을 기준 전위의 상기 점에 선택적으로 결합하고, 그에 따라 상기 제2주파수 대역보다 더 낮은 주파수의 제3주파수 대역에 일치하는 제3튜닝된 회로 구성내에 상기 제1(204), 제2(203) 및 제3(202) 인덕터와 상기 가변 용량 소자(205)를 결합시키는 제3스위칭 수단(222)을 구비하는 것을 특징으로 하는 다대역 튜너용 튜닝 회로.
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