JP2001144535A - マルチバンド型電圧制御発振器 - Google Patents

マルチバンド型電圧制御発振器

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JP2001144535A
JP2001144535A JP32526899A JP32526899A JP2001144535A JP 2001144535 A JP2001144535 A JP 2001144535A JP 32526899 A JP32526899 A JP 32526899A JP 32526899 A JP32526899 A JP 32526899A JP 2001144535 A JP2001144535 A JP 2001144535A
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マホン ジョン
Kenta Nagai
健太 永井
Masashi Katsumata
正史 勝俣
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の周波数帯域の各々において最適発振条
件を満足させて安定に発振でき、複数の周波数帯域にお
いて、周波数シフト電圧を変化させることによって発振
周波数をほぼ同じ感度で調整できる電圧制御発振器を提
供する。 【解決手段】 それぞれ所定の共振周波数を有する複数
の共振回路（１１０、１２０）を有し、第１の制御端子
（１０３）に印加される周波数シフト電圧によって、そ
れぞれの周波数帯域内で共振周波数をシフトできる共振
回路部（１００）と、これら複数の共振回路が接続され
た出力端子（１０１）にベースが接続されたトランジス
タ（Ｔ１）を有する発振回路部（２００）を設け、この
トランジスタのエミッタ−コレクタ間の容量を、第２の
制御端子（２０１）に印加される周波数帯域選択電圧に
よって変化させて前記複数の共振周波数の各々において
最適発振条件を満足させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発生すべき発振周
波数に同調された共振回路と、この共振回路に接続さ
れ、共振周波数で発振する発振回路とを具える電圧制御
発振器に関するものであり、特に複数の異なる周波数で
発振することができるマルチバンド型の電圧制御発振器
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】移動体無線通信端末機として、複数、例
えば２つの異なる周波数を利用できるものが提案され、
一部の国においては実用化されている。例えば、デュア
ルバンド方式と呼ばれている携帯電話端末機において
は、８００ＭＨｚ近傍の周波数帯域と、１．２ＧＨｚ近
傍の周波数帯域といったように周波数が大きく異なる２
つの周波数帯域で通信を行うようにしている。したがっ
て、携帯電話端末機は、これらの大きく異なった周波数
の信号を発振できる発振器を有する必要がある。
【０００３】従来、上述したように大きく異なる２つの
周波数を発生させるには、それぞれの周波数で発振する
２つの発振器を設けることが普通であった。しかし、デ
ュアルバンド方式の携帯電話端末機では、送信部と受信
部にそれぞれ２つの発振器が必要であるので、全部で４
個の発振器が必要となる。一方、携帯電話端末機では小
型化、軽量化、省電力化、低価格化が進んだため、２つ
の異なる周波数の信号を発生させるのに２つの発振器を
設けると、このような要求を満足させることが困難とな
った。そのため１つの発振器で２つの異なる周波数の信
号を発生させることが要求されている。
【０００４】このような要求に応え、２つの異なる周波
数の信号を発生させることができる発振器が提案されて
いる。ここで、２つの周波数が余り離れていない場合に
は、特開昭６０−１９０００５号公報、特開平３−９６
１０６号公報、特開平７−２０２６３８号公報などに記
載されているような発振器を用いることができる。例え
ば、特開平７−２０２６３８号公報に記載されている発
振器では、共振回路に設けた２つのコイルをスイッチに
よって回路に選択的に接続するようにして、１６０〜１
６１ＭＨｚの送信周波数帯域と、１３０〜１３１ＭＨｚ
の受信周波数帯域の２つの周波数帯域で選択的に発信す
るようにしている。
【０００５】しかしながら、これら従来の発振器は、上
述したデュアルバンド方式の携帯電話端末機で用いる場
合のように、８００ＭＨｚ近傍の周波数帯域と、１．８
ＧＨｚ近傍の周波数帯域といったように周波数が大きく
異なる２つの周波数帯域で選択的に発振できるものでは
ない。このように大きく異なる２つの周波数で発振でき
る発振器としては、例えば特開平８−３１６７３１号公
報や、特開平１０−２７０９３７号公報などに記載され
たものがある。
【０００６】
【発明が解決すべき課題】上述した特開平８−３１６７
３１号公報に記載されたマルチバンド型の電圧制御発振
器では、電圧制御発振器の発信回路の能動素子として動
作する発振トランジスタのベースに接続された共振回路
に、中間タップ付きの誘電体共振器を設け、この中間タ
ップをスイッチングトランジスタを経て接地することに
よって誘電体共振器の共振周波数、したがって共振回路
の共振周波数を変化させて発振周波数を変化させるよう
にしている。
【０００７】しかしながら、このような従来のマルチバ
ンド型電圧制御発振器では、発振トランジスタのエミッ
タ−コレクタ間に接続された容量を何ら変化させていな
いので、２つの異なる発振周波数での発振条件を共に最
適化することができない。そのため双方の周波数帯域で
安定な発振を得ることができないという重大な欠点があ
る。
【０００８】また、誘電体共振器を採用しているので、
電圧制御発振器を単一のチップデバイスとして構成した
場合に、構造が複雑となり、大型になり易いと共に製造
も難しくなり、したがってコストが上昇するという欠点
もある。
【０００９】また、上述した特開平１０−２７０９３７
号公報に記載されたマルチバンド型の電圧制御発振器で
は、能動素子として動作する発振回路のトランジスタの
エミッタにダイオードを接続し、このダイオードをオン
・オフ制御することによって、エミッタ−コレクタ間の
容量を変化させて発振周波数を変えるようにしている。
しかしながら、この従来のマルチバンド型の電圧制御発
振器では、発振トランジスタのベースに接続された共振
回路の共振周波数の帯域は切り換えられないので、２つ
の異なる周波数帯域の双方で発振条件が最適化されず、
上述した従来例と同様に、発振が不安定になるという欠
点がある。さらに、共振回路に接続された可変容量ダイ
オードを用いて周波数シフト電圧を変化させ、各周波数
帯域内で共振周波数を微調整するようにしているが、こ
の周波数シフト電圧の変化に対する発振周波数の変化を
２つの周波数帯域において独立に設定することができな
い。したがって、２つの周波数帯域における周波数の微
調整が難しくなり、その結果として正確な周波数に設定
できない欠点もある。
【００１０】また、この文献に記載されたマルチバンド
型の電圧制御発振器では、共振回路に設けられた可変容
量ダイオードに対するバイアス電圧を変化させることに
よって発振周波数を切り換える旨の記載があるが、この
可変容量ダイオードはそれぞれの周波数帯域内で発振周
波数を微調整するものであり、この可変容量ダイオード
の容量を変化させても発振周波数を大きく変化させるこ
とは困難である。
【００１１】本発明の目的は、上述した従来の電圧制御
発振器の欠点を除去若しくは軽減し、大きく異なる複数
の発振周波数帯域の各々における発振条件を最適化して
安定な発振が得られる電圧制御発振器を提供しようとす
るものである。
【００１２】本発明の他の目的は、大きく異なる複数の
発振周波数帯域の各々において、制御電圧と発振周波数
との関係をそれぞれ独立に任意の値に設定できる電圧制
御発振器を提供しようとするものである。
【００１３】本発明のさらに他の目的は、単一のチップ
デバイスとして集積化する場合に、容易に小型化が可能
であると共に製造コストの低減が可能な電圧制御発振器
を提供しようとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明による電圧制御発
振器は、周波数シフト電圧に応じてそれぞれの周波数帯
域内でシフトされる複数の共振周波数を有する共振回路
部と、この共振回路部に接続され、周波数帯域切換電圧
に応じて前記複数の周波数帯域から選択された周波数帯
域内の発振周波数で発振する発振回路部とを具えるもの
である。なお、本発明では、共振回路部は、共振回路
と、それに接続された出力端子とを具えている。また、
発振回路部は、この出力端子に接続された能動素子を具
えている。
【００１５】このような本発明による電圧制御発振器を
実施するに当たっては、以下に述べるような３つの基本
的な構成がある 第１の基本的な構成においては、前記共振回路部に、そ
れぞれの周波数シフト電圧に応じて、それぞれの周波数
帯域内でシフトされる共振周波数をそれぞれ有する複数
の共振回路を用いる。
【００１６】第２の基本的な構成においては、共振周波
数切換電圧によって切り換えられる複数の周波数帯域内
にあり、それぞれの周波数帯域内において、周波数シフ
ト電圧に応じてシフトされる複数の共振周波数を有する
１つの共振回路を用いる。
【００１７】第３の基本的な構成は、上述した第１およ
び第２の基本的な構成を組み合わせたものであり、周波
数シフト電圧に応じて周波数帯域内でシフトされる共振
周波数を有する少なくとも１つの共振回路と、共振周波
数選択電圧によって切り換えられ、前記共振回路の周波
数帯域とは異なる複数の周波数帯域内にあり、それぞれ
の周波数帯域内において、周波数シフト電圧に応じてシ
フトされる複数の共振周波数を有する少なくとも１つの
共振回路とを組み合わせて用いる。
【００１８】上述した第１〜第３の基本的な構成の各々
において、前記発振回路部の能動素子として、ベースが
前記共振回路部の出力端子に接続されたトランジスタを
具え、このトランジスタのベース−エミッタ間の容量、
ベ−ス−コレクタ間のインダクタンスおよびエミッタ−
コレクタ間の容量によって決まる周波数で発振するコル
ピッツ型発振器として前記発振回路部を構成し、前記周
波数帯域選択電圧によって前記エミッタ−コレクタ間の
容量を変化させて前記複数の周波数帯域の各々において
最適発振条件を満足させる少なくとも１つの周波数帯域
選択回路を設けることができる。
【００１９】本発明による電圧制御発振器の好適な実施
例においては、前記発振回路部のトランジスタのエミッ
タ−コレクタ間の容量を周波数帯域選択電圧によって変
化させる周波数帯域選択回路には、前記トランジスタの
エミッタに接続されたコンデンサとダイオードとの直列
回路と、このダイオードに前記周波数帯域選択電圧を印
加してダイオードの導通・遮断を制御するバイアス回路
とを設ける。このバイアス回路には、前記周波数帯域選
択電圧が印加される制御端子と前記ダイオードのアノー
ドとの間に接続されたインダクタと、この制御端子と共
通電位点との間に接続されたコンデンサとを設けること
ができる。
【００２０】さらに、本発明による電圧制御発振器にお
いては、前記共振回路部の複数の共振周波数の各々を、
共通の周波数シフト電圧でシフトさせる周波数シフト回
路を設けることができる。本発明による電圧制御発振器
の好適な実施例においては、この周波数シフト回路を、
前記共通の周波数シフト電圧を受ける制御端子と、共振
回路に接続された可変容量ダイオードと、これら可変容
量ダイオードに前記周波数シフト電圧を印加してその容
量を変化させるバイアス回路とで構成する。
【００２１】上述した本発明による電圧制御発振器の第
３の基本的な構成における前記共振周波数切換電圧によ
って共振周波数が切り換えられる共振回路には、切換ら
れる複数の共振周波数を、前記周波数シフト電圧によっ
てシフトする周波数シフト回路を設けることができる。
この周波数シフト回路は、前記周波数シフト電圧を受け
る制御端子と、可変容量ダイオードと、この可変容量ダ
イオードに前記周波数シフト電圧を印加してその容量を
変化させるバイアス回路とで構成するのが好適である。
【００２２】
【発明の実施の形態】（第１の実施例）図１は、本発明
による電圧制御発振器の第１の実施例を示す回路図であ
り、本例は上述した第１の基本的な構成に基づくデュア
ルバンド型のものである。本例の電圧制御発振器は、共
振回路部１００と、発振回路部２００と、バッファ部３
００とを具えているが、バッファ部３００は本発明の主
要部ではない。本例では、共振回路部１００は、第１お
よび第２の共振回路１１０および１２０を有しており、
これらの共振回路は共振回路部１００の出力端子１０１
に共通に結合されている。本例では、第１の共振回路１
１０は約９４０ＭＨｚの中心周波数を有する低周波数帯
域用のものであり、第２の共振回路１２０は約１．８１
ＧＨｚの中心周波数を有する高周波数帯域用のものであ
る。したがって、本例の電圧制御発振器はこれら２つの
周波数帯域で通信を行うデュアルバンド型の携帯電話端
末機の発振器として有利に用いられるものである。
【００２３】低周波数帯域用の第１の共振回路１１０お
よび高周波数帯域用の第２の共振回路１２０は、結合コ
ンデンサＣ１を介して出力端子１０１に結合されてい
る。第１の共振回路１１０は、出力端子１０１に結合さ
れた共通ライン１０２と大地との間に並列に接続された
コンデンサＣ２、コイルＬ１および可変容量ダイオード
ＶＤ１を有すると共に、コイルＬ１と可変容量ダイオー
ドＶＤ１のカソードとの間に接続されたコンデンサＣ３
を有している。
【００２４】また、高周波数帯域用の第２の共振回路１
２０は、結合コンデンサＣ１と直列に接続されたコンデ
ンサＣ４と、このコンデンサＣ４と並列に接続されたコ
イルＬ２と、コンデンサＣ５および可変容量ダイオード
ＶＤ２の直列回路とを有している。各周波数帯域内にお
いて周波数を微調整するための周波数シフト電圧が印加
される第１の制御端子１０３は、それぞれバイアス回路
を経て第１および第２の共振回路１１０および１２０の
可変容量ダイオードＶＤ１およびＶＤ２に接続されてい
る。すなわち、第１の制御端子１０３を、コイルＬ３を
介して可変容量ダイオードＶＤ１のカソードに接続する
と共にコイルＬ４を経て可変容量ダイオードＶＤ２のカ
ソードに接続されている。また、制御端子１０３は、交
流信号をバイパスするコンデンサＣ６を介して接地され
ている。この制御端子１０３に印加される周波数シフト
電圧の値を変化させることによって第１および第２の共
振回路１１０および１２０の共振周波数を微調整するこ
とができる。周知のように、この周波数シフト電圧は電
圧制御発振器を含む発振回路のＰＬＬ（位相ロックルー
プ）で生成されるものである。
【００２５】発振回路部２００は、能動素子としてトラ
ンジスタＴ１を有しており、そのベースは上述した共振
回路部１００の出力端子１０１に接続されていると共に
抵抗Ｒ１を経て接地されている。また、トランジスタＴ
１のエミッタは、抵抗Ｒ２を経て接地されていると共に
コンデンサＣ７を経てベースに接続されている。さら
に、トランジスタＴ１のコレクタは、バイパスコンデン
サＣ８を経て接地されている。
【００２６】本例においては、トランジスタＴ１のエミ
ッタをコンデンサＣ９およびダイオードＤ１を経て接地
すると共に、これらコンデンサＣ９とダイオードＤ１と
の接続点をコイルＬ５および抵抗Ｒ３を経て、周波数帯
域選択電圧が印加される第２の制御端子２０１に接続
し、さらにこれらコイルＬ５と抵抗Ｒ３との接続点をコ
ンデンサＣ１０を介して接地する。第２の制御端子２０
１に印加される周波数帯域選択電圧によってダイオード
Ｄ１をオン・オフさせることにより、トランジスタＴ１
のエミッタ−ベース間の容量が変化するので、発振回路
部２００の発振周波数は変化することになる。したがっ
て、コンデンサＣ９、Ｃ１０、コイルＬ５、抵抗Ｒ３お
よびダイオードＤ１は発振周波数帯域選択回路２１０を
構成するものとなる。
【００２７】バッファ部３００は、上述した発振回路部
２００で発生される発振信号を増幅して電圧制御発振器
の出力端子３０１へ出力するものである。バッファ部３
００は、発振回路部２００のトランジスタＴ１のコレク
タにエミッタが接続されたトランジスタＴ２を具え、こ
のトランジスタＴ２のコレクタはコンデンサＣ１１を経
て電圧制御発振器の出力端子３０１に接続されていると
共に、コイルＬ６を経て電源Ｖｃｃが印加される電源端
子３０２に接続されている。この電源端子３０２は、さ
らにコンデンサＣ１２を経て接地されている。また、ト
ランジスタＴ２のベースは、コンデンサＣ１３を経て接
地されていると共に、電源端子３０２と共振回路部１０
０の出力端子１０１との間に接続された分圧抵抗Ｒ４お
よびＲ５の共通接続点に接続されている。
【００２８】次に、本例の電圧制御発振器の動作を説明
する。発振回路部２００の発振周波数帯域選択回路２１
０に接続された第２の制御入力端子２０１に印加される
周波数帯域選択電圧は、発振周波数帯域選択回路のダイ
オードＤ１を非導通とする非正の第１の制御電圧値と、
このダイオードを導通させる正の第２の制御電圧値との
２つの値を取る。
【００２９】今、第１の制御電圧値を有する周波数帯域
選択電圧が第２の制御端子２０１に印加されると、ダイ
オードＤ１は非導通となり、そのｐｎ接合によって生成
される容量が、トランジスタＴ１のエミッタに一端が接
続されたコンデンサＣ９の他端と大地との間に接続され
ることになり、トランジスタのエミッタ−コレクタ間の
インピーダンスは、主としてコンデンサＣ９の容量と、
ダイオードＤ１の非導通時の容量と、コイルＬ５のイン
ダクタンスとによって決まる。このとき、発振回路部２
００は図２Ａに示すような特性を示すため、低周波数側
で発振する。ここで、Ｚ１（ｆ）は共振回路部１００の
出力端子１０１から見た共振回路部１００のインピーダ
ンスを示し、Ｚ２（ｆ）は出力端子１０１から見た発振
回路部２００のインピーダンスを示すものである。
【００３０】また、第２の制御電圧値を有する周波数帯
域選択電圧が第２の制御端子２０１に印加されると、ダ
イオードＤ１が導通し、トランジスタＴ１のエミッタに
一端が接続されたコンデンサＣ９の他端は接地されるこ
とになり、トランジスタのエミッタ−コレクタ間のイン
ピーダンスは、主としてこのコンデンサＣ９の容量によ
って決まる。このとき、発振回路部２００は図２Ｂに示
すような特性を示すため、高周波数側で発振する。
【００３１】ここで、発振回路部２００の発振条件は、
上述したように、共振回路部１００の出力端子１０１か
ら見た共振回路部１００のインピーダンスをＺ１（ｆ）
とし、出力端子１０１から見た発振回路部２００のイン
ピーダンスをＺ２（ｆ）とするとき、 Ｚ１（ｆ）＋ Ｚ２（ｆ）(０ （１） が発振開始条件となり、 Ｚ１（ｆ）＋ Ｚ２（ｆ）＝０ （２） が定常発振条件となる。図２Ａおよび２Ｂに示すよう
に、発振が開始されるのは、出力端子１０１から見た発
振回路部２００のインピーダンスＺ２が負の値で最も大
きいとき、すなわち負帰還増幅器の増幅率が最も大きく
なるときであるから、図２Ａおよび２Ｂに示すように、
インピーダンスＺ２の極値において発振が開始される。
この発振開始時の周波数をそれぞれｆ１０およびｆ２０
で示す。その後、発振周波数は変化して行き、Ｚ１
（ｆ）＋ Ｚ２（ｆ）＝０となる点で定常発振状態とな
る。このときの発振周波数をそれぞれｆ１およびｆ２と
する。
【００３２】上述したように、 Ｚ１（ｆ１）＋ Ｚ２（ｆ１）＝０ （３） が満足されるときは、電圧制御発振器は周波数ｆ１で定
常的に発振し、この周波数ｆ１の発振信号が電圧制御発
振器の出力端子３０１から出力される。また、 Ｚ１（ｆ２）＋ Ｚ２（ｆ２）＝０ （４） が満足されるときは、電圧制御発振器は周波数ｆ２で定
常的に発振し、この周波数ｆ２の発振信号が電圧制御発
振器の出力端子３０１から出力される。
【００３３】したがって、低周波数帯域内の周波数ｆ１
において、共振回路部１００のインピーダンスＺ１（ｆ
１）と、発振回路部２００の発振周波数帯域選択回路２
１０に接続された第２の制御端子２０１に印加される第
１の値を有する周波数帯域選択電圧によってダイオード
Ｄ１が非導通状態となるときの発振回路部２００のイン
ピーダンスＺ２（ｆ１）とが、上述した式（３）を満足
する値となり、高周波数帯域内の周波数ｆ２において、
共振回路部１００のインピーダンスＺ１（ｆ２）と、第
２の値を有する周波数帯域選択電圧によってダイオード
Ｄ１が導通状態となるときの発振回路部２００のインピ
ーダンスＺ２（ｆ２）が、上述した式（４）を満足する
値と等しくなるように回路定数を定めることによって、
低周波数帯域内の周波数ｆ１および高周波数帯域内の周
波数ｆ２の双方において、定常発振条件を満足させるこ
とができ、それぞれの周波数において安定した発振を行
わせることができる。
【００３４】また、第１の発振周波数ｆ１で発振してい
るときに、第１の制御端子１０３に印加される周波数シ
フト電圧を変化させることによって、発振周波数を定常
発振周波数ｆ１を中心として第１の周波数帯域内におい
て調整することができる。同様に、第２の発振周波数ｆ
２で発振しているときに、第１の制御端子１０３に印加
される周波数シフト電圧を変化させることによって、発
振周波数を定常発振周波数ｆ２を中心として第２の周波
数帯域内において調整することができる。この場合、共
振回路部１００にはそれぞれの周波数帯域に対応した第
１および第２の共振回路１１０および１２０が設けられ
ているので、周波数シフト電圧を変化させたときの発振
周波数の変化は、第１および第２の周波数帯域の双方に
おいてほぼ均一となる。換言すると、本発明によれば、
周波数シフト電圧に対する共振回路の感度を第１および
第２の共振回路１１０および１２０においてほぼ等しく
することができ、従来のデュアルバンド電圧制御発振器
のように一方の発振周波数帯域内での感度が異常に高く
なるようなことはない。これによって、本発明による電
圧制御発振器では、２つの発振周波数を微調整する作業
が簡単かつ正確となる。
【００３５】（第２の実施例）図３は、本発明による電
圧制御発振器の第２の実施例を示すものであり、本例は
上述した第２の基本的な構成に基づくデュアルバンド型
のものである。本例において、図１に示した第１の実施
例と同様の部分には図１と同じ符号を付けて示した。本
例の、発振回路部２００およびバッファ部３００の回路
構成は図１に示した第１の実施例と同様であり、その説
明は省略する。
【００３６】本例の共振回路部１００の構成は図１に示
したものと相違している。すなわち、共振回路部１００
に設けられた共振回路１５０は、共振周波数切換電圧に
よって２つの周波数帯域が切り換えられるように構成さ
れており、それぞれの周波数帯域内において、周波数シ
フト電圧に応じて共振周波数をシフトするように構成さ
れている。
【００３７】共振回路部１００に設けられた共振回路１
５０は、結合コンデンサＣ１を介して出力端子１０１に
結合されている。共振回路１５０は、また、出力端子１
０１に結合されたライン１０２と大地との間に接続され
たコンデンサＣ２、可変容量ダイオードＶＤ１と、コイ
ルＬ２１およびＬ２２の直列回路と、コンデンサＣ２と
可変容量ダイオードＶＤ１のカソードとの間に接続され
たコンデンサＣ３とを有すると共に、直列接続されたコ
イルＬ２１とＬ２２との接続点にカソードが接続され、
アノードが抵抗Ｒ２１を経て共振周波数切換電圧が印加
される第３の制御端子１０４に接続されると共にコンデ
ンサＣ２１を介して接地されたダイオードＤ２１とを有
している。前例と同様に周波数シフト電圧が印加される
第１の制御端子１０３は、コイルＬ３を経て可変容量ダ
イオードＶＤ１のカソードに接続されていると共にコン
デンサＣ６を経て接地されている。
【００３８】本例の電圧制御発振器の動作を説明する。
第３の制御端子１０４に印加される共振周波数切換電圧
がダイオードＤ２１を非導通状態とする非正の値を有す
るときは、コイルＬ２１とＬ２２との接続点は、この非
導通状態にあるダイオードＤ２１の容量とコンデンサＣ
２１との直列回路を経て接地されることになる。これと
同時に、発振回路部２００のダイオードＤ１を非導通状
態とする。ここで、共振回路部１００のインピーダンス
Ｚ１（ｆ）と、発振回路部２００のインピーダンスＺ２
（ｆ）との間に、上述した式（１）の発振条件が満足さ
れると、電圧制御発振器は発振を開始する。その後、式
（３）を満足する低周波数帯域内の周波数ｆ１で定常的
に安定に発振することになる。
【００３９】また、第３の制御端子１０４に印加される
共振周波数切換電圧がダイオードＤ２１を導通状態とす
る正の値を有するときは、コイルＬ２１とＬ２２との接
続点はコンデンサＣ２１を経て接地されるので、コイル
Ｌ２２とコンデンサＣ２１との並列回路が、コイルＬ２
１と大地との間に接続されることになる。これと同時に
発振回路部２００のダイオードＤ１を導通状態とするこ
とにより、上述した式（１）の発振開始条件が満足さ
れ、その後上述した式（４）の定常発振条件を満足する
高周波数帯域内の周波数ｆ２において定常的に安定に発
振することになる。
【００４０】本例においても、２つの発振周波数ｆ１お
よびｆ２の各々において、最適発振条件が満足されるよ
うに回路定数を決めることができるので、それぞれの周
波数帯域において安定した発振が行われることになる。
さらに、第１の制御端子１０３に印加される周波数シフ
ト電圧の変化に対するそれぞれの周波数帯域における発
振周波数の変化を安定化できので、周波数シフト電圧を
変化させることによって、それぞれの周波数帯域におい
て発振周波数を容易かつ正確に調整することができる。
ただし、本例では、共振回路部１００に設けたダイオー
ドＤ２１をオン・オフ制御することによって共振周波数
を変化させるようにしているので、２つの周波数帯域の
間隔は、上述した第１の実施例に比べると狭くなるが、
従来の電圧制御発振器よりは広いものである。
【００４１】（第３の実施例）図４は、本発明による電
圧制御発振器の第３の実施例を示すものであり、本例は
上述した第３の基本的な構成に基づくトリプルバンド型
のものである。本例においても、図１および図３に示し
た第１および第２の実施例と同様の部分には図１と同じ
符号を付けて示した。本例でも、発振回路部２００およ
びバッファ部３００の回路構成は図１に示した第１の実
施例と同様であるので、その説明は省略する。
【００４２】本例の共振回路部１００は、上述した第１
および第２の実施例の構成を組み合わせた構成を有する
ものである。すなわち、第１の実施例の第１の共振回路
１１０を、第２の実施例の共振回路１５０と置き換えた
ものであり、第２の共振回路１２０は、第１の実施例の
第２の共振回路１２０と同じ構成のものである。
【００４３】本例では、共振回路部１００に接続された
第３の制御端子１０４に印加される共振周波数切換電圧
によってダイオードＤ２１を非導通状態とし、発振回路
部２００に接続された第２の制御端子２０１に印加され
る発振周波数選択電圧によってダイオードＤ１を非導通
状態とするとき、出力端子１０１から見た共振回路部１
００および発振回路部２００のインピーダンスＺ１
（ｆ）およびＺ２（ｆ）が、最も低い第１の周波数帯域
内の周波数ｆ１において、上述した式（２）の定常発振
条件を満たすように構成する。このようにして周波数ｆ
１で安定に発振するようになる。
【００４４】また、発振回路部２００に接続されたダイ
オードＤ１を非導通状態に維持したままで、共振回路部
１００に接続された第３の制御端子１０４に印加される
共振周波数切換電圧によってダイオードＤ２を導通状態
とすることによって、出力端子１０１から見た共振回路
部１００のインピーダンスＺ１（ｆ）と、出力端子１０
０から見た発振回路部２００のインピーダンスＺ２
（ｆ）との間に、前記第１の周波数帯域よりも高い第２
の周波数帯域内の周波数ｆ２において、上述した式
（２）の定常発振条件を満たすことによってこの周波数
ｆ２で安定に発振するようになる。
【００４５】さらに、共振回路部１００の第１の共振回
路１５０に接続された第３の制御端子１０４に印加され
る共振周波数切換電圧によってダイオードＤ２を導通状
態に維持したまま、発振回路部２００に接続された第２
の制御端子２０１に印加される発振周波数選択電圧によ
ってダイオードＤ１を導通状態とすることによって、最
も高い周波数帯域内の周波数ｆ３において、出力端子１
０１から見た共振回路部１００のインピーダンスＺ１
（ｆ）と、出力端子１０１から見た発振回路部２００の
インピーダンスＺ２（ｆ）が、上述した式（１）を満足
し、電圧制御発振器は最も高い周波数帯域内の周波数ｆ
３で定常的に安定に発振するようになる。
【００４６】第２の実施例において上述したように、第
１の共振回路部１００の共振回路１５０のダイオードＤ
２１をオン・オフ制御することによって切り換えられる
周波数帯域の間隔は狭いが、発振回路部２００のダイオ
ードＤ１をオン・オフ制御することによって切り換えら
れる周波数帯域の間隔は広いものとなる。したがって、
例えば第１の周波数帯域の中心周波数を８００ＭＨｚと
し、第２の周波数帯域の中心周波数を９００ＭＨｚと
し、第３の周波数帯域の中心周波数を１．８ＧＨｚとし
たトリプルバンド型の電圧制御発振器を提供することが
できる。さらに、これら３つの周波数帯域の各々におい
て、発振回路部１００の第１の制御端子１０３に印加さ
れる周波数シフト電圧を変化させることによって発振周
波数を微調整することができ、しかも各周波数帯域にお
ける共振周波数を変化させる感度を均一とすることがで
きる。
【００４７】（第４の実施例）図５は、本発明による電
圧制御発振器の第４の実施例の共振回路部１００を示す
ものである。本例は、第３の実施例と同様にトリプルバ
ンド型の電圧制御発振器であり、図１に示した共振回路
部１００に設けた第１および第２の共振回路１１０およ
び１２０に加えて第３の共振回路１３０を設けたもので
ある。この第３の共振回路１３０は、ライン１０２と大
地との間に並列接続したコンデンサＣ３１、コイルＬ３
１および可変容量ダイオードＶＤ３と、この可変容量ダ
イオードのカソードとコイルＬ３１との間に接続された
コンデンサＣ３２とを具えている。また、第２の共振回
路１２０と第３の共振回路１３０とは結合コンデンサＣ
３３で結合されている。
【００４８】本例のトリプルバンド型の電圧制御発振器
では、共振回路部１００の第１、第２および第３の共振
回路１１０、１２０および１３０はそれぞれ独立して構
成されているので、３つの周波数帯域をそれぞれ独立に
設定することができる。また、これらの共振回路１１
０、１２０および１３０に設けた可変容量ダイオードＶ
Ｄ１、ＶＤ２およびＶＤ３には、第１の制御端子１０３
から、周波数シフト電圧を、それぞれコイルＬ３、Ｌ４
およびＬ３２を経て印加するようにしたので、各周波数
帯域内において共振周波数を正確かつ容易に微調整する
ことができる。
【００４９】（第５の実施例）図６は、本発明による電
圧制御発振器の第５の実施例の共振回路部１００を示す
ものである。本例も第３および第４の実施例と同様にト
リプルバンド型の電圧制御発振器としたものである。本
例では、図５に示した第１、第２および第３の共振回路
１１０、１２０および１３０を、それぞれ結合コンデン
サＣ４１、Ｃ４２およびＣ４３を経て出力端子１０１に
並列に接続したものである。本例においても、図５に示
した第４の実施例と同様に、第１、第２および第３の共
振回路１１０、１２０および１３０はそれぞれ独立して
構成されているので、３つの周波数帯域をそれぞれ独立
に設定することができる。また、これらの共振回路１１
０、１２０および１３０に設けた可変容量ダイオードＶ
Ｄ１、ＶＤ２およびＶＤ３には、第１の制御端子１０３
から、周波数シフト電圧を、それぞれコイルＬ３、Ｌ４
およびＬ３２を経て印加するようにしたので、各周波数
帯域内において共振周波数を正確かつ容易に微調整する
ことができる。
【００５０】上述した図５および図６に示した実施例の
ように３つの共振周波数を有する共振回路部１００を用
いる場合には、発振回路部２００の周波数帯域選択回路
は、３つの共振周波数に対応して少なくとも３つの状態
を持つ必要がある。このような周波数帯域選択回路を有
する発振回路部２００を次に説明する。
【００５１】図７は、上述したように少なくとも３つの
周波数帯域に亘ってインピーダンスを切り換えることが
できるように構成された発振回路部２００の一例を示す
ものである。本例では、図１に示した第１の実施例の発
振回路部２００に設けた周波数帯域選択回路２１０の加
えて第２の周波数帯域選択回路２２０を設けたものであ
る。この第２の周波数帯域選択回路２２０は、トランジ
スタＴ１のエミッタと大地との間に接続されたコンデン
サＣ５１とダイオードＤ５１との直列回路を有すると共
に、これらコンデンサＣ５１とダイオードＤ５１との接
続点と第２の周波数帯域選択電圧が印加される制御端子
２０２と、この制御端子と大地との間に接続させたバイ
パスコンデンサＣ５２とを具えている。
【００５２】本例の発振回路部２００においては、第１
の周波数帯域選択回路２１０のダイオードＤ１と、第２
の周波数帯域選択回路２２０のダイオードＤ５１とをそ
れぞれオン・オフ制御することによって、表１に示すよ
うな４つの状態を得ることができる。
【００５３】
【表１】
【００５４】これら４つの状態の内の３つの状態を、上
述した第１、第２および第３の周波数帯域に対応するよ
うに回路定数を決めることによって、それぞれの周波数
帯域において上述した式（４）で表される定常発振条件
をそれぞれ満足させることができ、したがって３つの周
波数帯域の各々において安定した発振を行うことができ
る。
【００５５】本発明は、上述した実施例にのみ限定され
るものではなく、当業者は本発明の概念の範囲内におい
て幾多の変更や変形を推考することができる。例えば、
上述した実施例の電圧制御発振器は、２つ或いは３つの
周波数帯域で動作するものであるが、４つ以上の周波数
帯域で動作させることができる。さらに、個々の共振回
路や発振回路部の構成は、単に例として示したものであ
り、他の種々の構成が可能である。
【００５６】また、上述した実施例の電圧制御発振器は
モジュールとしてマザーボ―ドに搭載され、無線電話端
末機に組み込まれるものであるが、他の用途に用いるこ
ともできる。
【００５７】
【発明の効果】上述したように、本発明による電圧制御
発振器においては、共振回路部と、その出力端子に接続
された発振回路部とを具え、共振回路部に複数の共振回
路を設けるかまたは共振周波数を切り換えることができ
る共振回路を設けて、複数の周波数帯域を作り、発振回
路部は、これら複数の周波数帯域に対応して発振周波数
を選択することができるように構成したため、複数の周
波数帯域の各々において発振条件をほぼ最適化すること
ができ、それぞれの周波数帯域において安定した発振信
号を得ることができる。
【００５８】また、複数の周波数帯域の各々において、
周波数シフト電圧を変化させることによって共振周波
数、したがって発振周波数をほぼ同じ感度で調整するこ
とができ、全ての周波数帯域において正確な発振周波数
に容易に設定することができる。
【００５９】さらに、従来の２つの電圧制御発振器を用
いる場合に比べて、小型化、省電力化が可能となり、例
えばチップデバイスとした場合には、４０％以上の容積
の減少が期待できる。さらに、誘電体共振器を用いた従
来のデュアルバンド発振器に比べて構成は簡単となるの
で、チップデバイスの寸法をやはり小さくすることがで
きると共に製造コストの低減も図れることになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明の第１の基本的構成による電
圧制御発振器の第１の実施例を示す回路図である。
【図２】 図２Ａおよび２Ｂは、第１の実施例の共振回
路部および発振回路部のインピーダンス特性を示すグラ
フである。
【図３】 図３は、本発明の第２の基本的構成による電
圧制御発振器の第２の実施例を示す回路図である。
【図４】 図４は、本発明の第３の基本的構成による電
圧制御発振器の第３の実施例を示す回路図である。
【図５】 図５は、本発明による電圧制御発振器の第４
の実施例の共振回路部を示す回路図である。
【図６】 図６は、本発明による電圧制御発振器の第５
の実施例の共振回路部を示す回路図である。
【図７】 図７は、本発明による電圧制御発振器の発振
回路部の他の例を示す回路図である。
【符号の説明】
１００ 共振回路部、 １１０、１２０、１３０、１５
０ 共振回路、 ２００発振回路部、 ３００ バッフ
ァ部、１０１ 共振回路部の出力端子、１０３周波数シ
フト電圧が印加される制御端子、１０４ 共振周波数切
換電圧が印加される制御端子、 ２０１、２０２ 周波
数帯域選択電圧が印加される制御端子、 ２１０、２２
０ 周波数帯域選択回路、 ３０１ 発振信号出力端
子、 ３０２ 電源端子、 Ｔ トランジスタ、 Ｃ
コンデンサ、 Ｌ コイル、 Ｒ抵抗、 ＶＤ 可変容
量ダイオード、 Ｄ ダイオード
フロントページの続き (72)発明者 勝俣 正史 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5J081 AA03 AA19 BB01 CC07 CC10 DD03 DD16 DD20 EE02 EE03 EE14 EE18 FF19 GG05 KK02 KK09 KK22 KK23 LL08 MM01

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 周波数シフト電圧に応じてそれぞれの周
    波数帯域内でシフトされる複数の共振周波数を有する共
    振回路部と、 この共振回路部に接続され、周波数帯域切換電圧に応じ
    て前記複数の周波数帯域から選択された周波数帯域内の
    発振周波数で発振する発振回路部とを具えるマルチバン
    ド型電圧制御発振器。
  2. 【請求項２】 前記共振回路部は、それぞれの周波数帯
    域内の共振周波数を有する複数の共振回路を有し、これ
    らの共振回路が１つの出力端子に結合されている請求項
    １に記載のマルチバンド型電圧制御発振器。
  3. 【請求項３】 前記複数の共振回路が、それぞれの周波
    数シフト電圧に応じて、それぞれの周波数帯域内でシフ
    トされる共振周波数をそれぞれ有する請求項２に記載の
    マルチバンド型電圧制御発振器。
  4. 【請求項４】 前記共振回路部が、共振周波数切換電圧
    によって切り換えられる複数の周波数帯域内にあり、そ
    れぞれの周波数帯域内において、周波数シフト電圧に応
    じてシフトされる複数の共振周波数を有する１つの共振
    回路を具える請求項１に記載のマルチバンド型電圧制御
    発振器。
  5. 【請求項５】 前記共振回路部が、周波数シフト電圧に
    応じて、所定の周波数帯域内でシフトされる共振周波数
    を有する少なくとも１つの共振回路と、 共振周波数切換電圧によって切り換えられる複数の周波
    数帯域内にあり、それぞれの周波数帯域内において、周
    波数シフト電圧に応じてシフトされる複数の共振周波数
    を有する少なくとも１つの共振回路とを有する請求項１
    に記載のマルチバンド型電圧制御発振器。
  6. 【請求項６】 前記発振回路部が能動素子を具える請求
    項１〜５の何れかに記載のマルチバンド型電圧制御発振
    器。
  7. 【請求項７】 前記能動素子として、ベースが前記共振
    回路部の出力端子に接続されたトランジスタを具え、こ
    のトランジスタのベース−エミッタ間の容量、ベ−ス−
    コレクタ間のインダクタンスおよびエミッタ−コレクタ
    間の容量によって決まる周波数で発振するコルピッツ型
    発振器として前記発振回路部を構成し、前記周波数帯域
    選択電圧によって前記エミッタ−コレクタ間の容量を変
    化させて前記複数の周波数帯域の各々において最適発振
    条件を満足させる少なくとも１つの周波数帯域選択回路
    を設けた請求項６に記載のマルチバンド型電圧制御発振
    器。
  8. 【請求項８】 前記周波数帯域選択回路が、 前記トランジスタのエミッタに接続されたコンデンサと
    ダイオードとの直列回路と、 このダイオードに前記周波数帯域選択電圧を印加してダ
    イオードの導通・遮断を制御するバイアス回路とを具え
    る請求項７に記載のマルチバンド型電圧制御発振器。
  9. 【請求項９】 前記バイアス回路が、 前記周波数帯域選択電圧が印加される制御端子と前記ダ
    イオードのアノードとの間に接続されたインダクタと、 前記制御端子と共通電位点との間に接続されたコンデン
    サとを具える請求項８に記載のマルチバンド型電圧制御
    発振器。
  10. 【請求項１０】 前記共振回路部の複数の共振周波数の
    各々を、共通の周波数シフト電圧に応じてシフトさせる
    周波数シフト回路を設けた請求項１〜９の何れかに記載
    のマルチバンド型電圧制御発振器。
  11. 【請求項１１】 前記周波数シフト回路が、 前記共通の周波数シフト電圧を受ける制御端子と、 共振回路にそれぞれ接続された可変容量ダイオードと、 これら可変容量ダイオードに前記周波数シフト電圧を印
    加してその容量を変化させるバイアス回路とを具える請
    求項１０に記載のマルチバンド型電圧制御発振器。
  12. 【請求項１２】 前記バイアス回路が、 前記周波数シフト電圧が印加される制御端子と前記可変
    容量ダイオードのアノードとの間に接続されたコイル
    と、 前記制御端子と共通電位点との間に接続されたコンデン
    サとを具える請求項１１に記載のマルチバンド型電圧制
    御発振器。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100601929B1 (ko) * 2001-07-23 2006-07-14 삼성전자주식회사 그 구성이 최소화된 다중-대역 무선주파수 모듈
CN102273046A (zh) * 2009-01-08 2011-12-07 Nec东金株式会社 电能输送装置以及非接触电能传输系统
KR20200122878A (ko) * 2019-04-19 2020-10-28 한화시스템 주식회사 전압 제어 발진기 및 이를 포함하는 주파수 합성 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043843A (ja) * 2000-07-27 2002-02-08 Murata Mfg Co Ltd 電圧制御発振器及びそれを用いた通信機

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60224308A (ja) * 1984-04-23 1985-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 局部発振器
US4593257A (en) * 1985-02-28 1986-06-03 Rca Corporation Multiband local oscillator
US4598423A (en) * 1985-02-28 1986-07-01 Rca Corporation Tuning circuit for a multiband tuner
JPH10270937A (ja) * 1997-03-27 1998-10-09 Murata Mfg Co Ltd 電圧制御発振器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100601929B1 (ko) * 2001-07-23 2006-07-14 삼성전자주식회사 그 구성이 최소화된 다중-대역 무선주파수 모듈
CN102273046A (zh) * 2009-01-08 2011-12-07 Nec东金株式会社 电能输送装置以及非接触电能传输系统
KR20200122878A (ko) * 2019-04-19 2020-10-28 한화시스템 주식회사 전압 제어 발진기 및 이를 포함하는 주파수 합성 장치
KR102222808B1 (ko) * 2019-04-19 2021-03-04 한화시스템 주식회사 전압 제어 발진기 및 이를 포함하는 주파수 합성 장치

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