JPS60224308A - 局部発振器 - Google Patents
局部発振器Info
- Publication number
- JPS60224308A JPS60224308A JP59081317A JP8131784A JPS60224308A JP S60224308 A JPS60224308 A JP S60224308A JP 59081317 A JP59081317 A JP 59081317A JP 8131784 A JP8131784 A JP 8131784A JP S60224308 A JPS60224308 A JP S60224308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- diode
- collector
- emitter
- local oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、テレビジョン受像機のアップダウン方式のチ
ューナ、コンバータ、ＳＨＦ受信機のインドアユニット
等に使用される局部発振器に関するものである。
ューナ、コンバータ、ＳＨＦ受信機のインドアユニット
等に使用される局部発振器に関するものである。
従来例の構成とその問題点
第１図に局部発振器を使用するチューナブロックの一例
を示す。１はアンテナから人力するテレビ信号のチャン
ネルを選択する入力段同調回路、２は選択した信号を増
幅するＲＦ増幅器、３は混合器で、ＲＦ増幅器２からの
増幅された信号と局部発振器４からの発振出力とを混合
して中間周波数に変換する。そして、中間周波増幅器５
を通じて、中間周波出力を得るものである。
を示す。１はアンテナから人力するテレビ信号のチャン
ネルを選択する入力段同調回路、２は選択した信号を増
幅するＲＦ増幅器、３は混合器で、ＲＦ増幅器２からの
増幅された信号と局部発振器４からの発振出力とを混合
して中間周波数に変換する。そして、中間周波増幅器５
を通じて、中間周波出力を得るものである。
第２図に、従来の局部発振器の一例の構成例を示す。本
回路は負性抵抗発振器で、発振トランジスタ１１のコレ
クタをコンデンサ１２により接地することにより、ベー
スからみたインピーダンスが負性抵抗になることを利用
したものである。図中、Ｂ点からは選局用電圧を供給し
、バリキャップダイオード１４に抵抗１３，１５．１６
を介して加えることにより、同調容量を変化させる。１
７はストリップラインで構成されたインダクタンス、１
２及び１８は直流カットコンデンサ、１９はスイッチダ
イオードで、０点から供給されるバンド切換用電圧によ
り抵抗２ｏを介してオン・オフする。
回路は負性抵抗発振器で、発振トランジスタ１１のコレ
クタをコンデンサ１２により接地することにより、ベー
スからみたインピーダンスが負性抵抗になることを利用
したものである。図中、Ｂ点からは選局用電圧を供給し
、バリキャップダイオード１４に抵抗１３，１５．１６
を介して加えることにより、同調容量を変化させる。１
７はストリップラインで構成されたインダクタンス、１
２及び１８は直流カットコンデンサ、１９はスイッチダ
イオードで、０点から供給されるバンド切換用電圧によ
り抵抗２ｏを介してオン・オフする。
一方、トランジスタ１１のエミッタにはチョークコイル
２４と抵抗２６が接続され、エミッタからはコンデンサ
２３を介してＡ点に発振信号が出力され、発振器出力と
してミキサ一段に供給される。トランジスタ１１のコレ
クタには抵抗２２を介して電源が供給され、抵抗２６（
（よりベースバイアス電圧が与えられている。
２４と抵抗２６が接続され、エミッタからはコンデンサ
２３を介してＡ点に発振信号が出力され、発振器出力と
してミキサ一段に供給される。トランジスタ１１のコレ
クタには抵抗２２を介して電源が供給され、抵抗２６（
（よりベースバイアス電圧が与えられている。
次に、このような構成における問題点について説明する
。本発振器によりミキサーにおいて約１ＧＨｚの中間周
波数に変換する場合には、テレビのＶＨＦ、ＵＨＦ帯の
信号を受信する為にはＩ ＧＨｚから２ ＧＨｚまでの
発振周波数を可変できるようにすることが必要である。
。本発振器によりミキサーにおいて約１ＧＨｚの中間周
波数に変換する場合には、テレビのＶＨＦ、ＵＨＦ帯の
信号を受信する為にはＩ ＧＨｚから２ ＧＨｚまでの
発振周波数を可変できるようにすることが必要である。
本回路において、０点からのスイッチ電圧により、ＶＨ
Ｆ受信時にはダイオード１９をオンさせ、ＵＨＦ受信時
にはダイオード１９をオフさせ、逆バイアス時のダイオ
ード１９がもつ小容量を同調回路に直列に接続すること
により、発振周波数をＵＨＦの高域まで可変できるよう
にしている。
Ｆ受信時にはダイオード１９をオンさせ、ＵＨＦ受信時
にはダイオード１９をオフさせ、逆バイアス時のダイオ
ード１９がもつ小容量を同調回路に直列に接続すること
により、発振周波数をＵＨＦの高域まで可変できるよう
にしている。
この切換回路において問題になるのは、ＶＨＦに切換え
た時である。すなわち、ダイオード１９がオンした時の
ンリーズ抵抗や配線基板容量等により共振回路のＱが低
下し、発振が不安定になったり、ある周波数でスプリア
スを発生するといった問題を生じていた。
た時である。すなわち、ダイオード１９がオンした時の
ンリーズ抵抗や配線基板容量等により共振回路のＱが低
下し、発振が不安定になったり、ある周波数でスプリア
スを発生するといった問題を生じていた。
発明の目的
本発明は、このような局部発振回路においてバンド切換
時における問題を解消し、すべての帯域において安定な
発振を行なえる局部発振器を提供するものである。
時における問題を解消し、すべての帯域において安定な
発振を行なえる局部発振器を提供するものである。
発明の構成
本発明は、トランジスタのベースにコイル又ハ共振線路
と可変容量ダイオードよりなる共振回路を接続し、該ト
ランジスタのコレクタを交流的に接地し、該トランジス
タのエミッタをチョークコイルと抵抗を直列に接続した
一端に接続し、他端を接地し、該トランジスタのコレク
タとエミ、７り間、もしくはコレクタと、チョークコイ
ルと抵抗の接続点との間に小容量のコンデンサを交流的
に接続し、該コンデンサを外部コントロール機能により
、周波数に応じて接続又は開放するようにしたものであ
る。
と可変容量ダイオードよりなる共振回路を接続し、該ト
ランジスタのコレクタを交流的に接地し、該トランジス
タのエミッタをチョークコイルと抵抗を直列に接続した
一端に接続し、他端を接地し、該トランジスタのコレク
タとエミ、７り間、もしくはコレクタと、チョークコイ
ルと抵抗の接続点との間に小容量のコンデンサを交流的
に接続し、該コンデンサを外部コントロール機能により
、周波数に応じて接続又は開放するようにしたものであ
る。
実施例の説明
第３図に本発明の一実施例の局部発振器の構成を示す。
本回路において１１〜２６の部分は第２図中におけるそ
れらの部品と同一であり、動作も同じであるので説明を
省略する。２７は小容量のコンデンサ、２８はスイッチ
ダイオード、２９はバイアス抵抗で端子りは端子Ｃに接
続される。なおベースに接続される共振回路は一般的な
り、Ｃの共振回路でも良い。
れらの部品と同一であり、動作も同じであるので説明を
省略する。２７は小容量のコンデンサ、２８はスイッチ
ダイオード、２９はバイアス抵抗で端子りは端子Ｃに接
続される。なおベースに接続される共振回路は一般的な
り、Ｃの共振回路でも良い。
第３図において、Ｄ点にはＶＨＦ時には正、Ｕ）（Ｆ時
には負の電圧を印加し、ダイオード２８をＶＨＦ時にオ
ン、ｔＪＨＦ時にオフさせる。すると、ＶＨＦ時には約
１ＰＦのコンデンサ２７がコレクタ・エミッタ間に接続
される。このコンデンサ２７によりベース１ｐ１１から
みたインピーダンスはより負性になり、ＶＨＦ時におけ
る帰還利得を向上させることができ、安定に発振させる
ことができる。
には負の電圧を印加し、ダイオード２８をＶＨＦ時にオ
ン、ｔＪＨＦ時にオフさせる。すると、ＶＨＦ時には約
１ＰＦのコンデンサ２７がコレクタ・エミッタ間に接続
される。このコンデンサ２７によりベース１ｐ１１から
みたインピーダンスはより負性になり、ＶＨＦ時におけ
る帰還利得を向上させることができ、安定に発振させる
ことができる。
一方、ＵＨＦ時にはダイオード２８をオフさせることに
より、逆バイアス容量とコンデンサ２７との直列接続と
し、コレクタ・エミッタ間を殆んど開放状態とする。も
し、ＵＨＦ時にコンデンサが接続されたままであると、
エミッタは交流的に１ＰＦで接地される為、２ ＧＨｚ
近辺での発振出力レベルを著しく低下させるととになる
。
より、逆バイアス容量とコンデンサ２７との直列接続と
し、コレクタ・エミッタ間を殆んど開放状態とする。も
し、ＵＨＦ時にコンデンサが接続されたままであると、
エミッタは交流的に１ＰＦで接地される為、２ ＧＨｚ
近辺での発振出力レベルを著しく低下させるととになる
。
なお、ダイオード２８のカソード１則をインダクタンス
２４と抵抗２５０間に接続しても同様の効果が得られる
。又、Ｄ点の電圧は０点のスイッチ電圧を共用すること
もできる。
２４と抵抗２５０間に接続しても同様の効果が得られる
。又、Ｄ点の電圧は０点のスイッチ電圧を共用すること
もできる。
発明の効果
上記の如く、本発明によれば、スイッチダイオードを使
ってバンド毎における回路を切換えることにより、低バ
ンド時における発振の不安定さの解消及び高バンド時に
おける周波数の高域の拡大の両条件をともに満足するこ
とができる。また、バンド切換用電圧を利用する場合は
、容易に回路を構成することができる。
ってバンド毎における回路を切換えることにより、低バ
ンド時における発振の不安定さの解消及び高バンド時に
おける周波数の高域の拡大の両条件をともに満足するこ
とができる。また、バンド切換用電圧を利用する場合は
、容易に回路を構成することができる。
第１図は局部発振器を用いるチューナブロック図、第２
図は従来例の局部発振回路の回路図、第３図は本発明の
一実施例における局部発振回路の回路図である。 １１ ・トランジスタ、１２ ・・・コンデンサ、１３
．１５，１６・・・・抵抗、１４ ・ ダイオード、１
７・・・・・・インタフタンス、１８・・・・・コンデ
ンサ、１９・・・・・スイッチダイオード、２０．２２
．２５゜２６・・・・抵抗、２３・・ コンデンサ、２
４ チョークコイル、２７・・・・・コンデンサ、２８
、・・スイッチダイオード、２９・・・・・バイアス
抵抗。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
図は従来例の局部発振回路の回路図、第３図は本発明の
一実施例における局部発振回路の回路図である。 １１ ・トランジスタ、１２ ・・・コンデンサ、１３
．１５，１６・・・・抵抗、１４ ・ ダイオード、１
７・・・・・・インタフタンス、１８・・・・・コンデ
ンサ、１９・・・・・スイッチダイオード、２０．２２
．２５゜２６・・・・抵抗、２３・・ コンデンサ、２
４ チョークコイル、２７・・・・・コンデンサ、２８
、・・スイッチダイオード、２９・・・・・バイアス
抵抗。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (1)
- （１） ）ランジスタのベースにコイル又は共振線路と
可変容量ダイオードよりなる共振回路を接続し、上記ト
ランジスタのコレクタを交陣的に接地し、上記トランジ
スタのエミッタをチョークコイルト抵抗を直列に接続し
た回路の一端に接続し、その他端を接地し、上記トラン
ジスタのコレクタとエミッタとの間、もしくはコレクタ
とチョークコイルと抵抗の接続点との間に小容量のコン
デンサを交流的に接続し、上記コンデンサを外部制御に
より周波数に応じて接続または開放することを特徴とす
る局部発振器。 （′４ 小容量コンデンサを切換える手段として、スイ
ッチダイオードを使用することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の局部発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59081317A JPS60224308A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 局部発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59081317A JPS60224308A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 局部発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60224308A true JPS60224308A (ja) | 1985-11-08 |
| JPH0479162B2 JPH0479162B2 (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=13743018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59081317A Granted JPS60224308A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 局部発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60224308A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0868018A1 (en) * | 1997-03-27 | 1998-09-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Voltage-controlled oscillator |
| EP1111771A2 (en) * | 1999-11-16 | 2001-06-27 | TDK Corporation | A multi-band type voltage controlled oscillator |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4846251A (ja) * | 1971-10-14 | 1973-07-02 |
-
1984
- 1984-04-23 JP JP59081317A patent/JPS60224308A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4846251A (ja) * | 1971-10-14 | 1973-07-02 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0868018A1 (en) * | 1997-03-27 | 1998-09-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Voltage-controlled oscillator |
| EP1111771A2 (en) * | 1999-11-16 | 2001-06-27 | TDK Corporation | A multi-band type voltage controlled oscillator |
| EP1111771A3 (en) * | 1999-11-16 | 2002-01-23 | TDK Corporation | A multi-band type voltage controlled oscillator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0479162B2 (ja) | 1992-12-15 |
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