CN1299189A - 调谐器的双调谐电路 - Google Patents

调谐器的双调谐电路 Download PDF

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Abstract

本发明的目的是要在通过开关二极管的导通或截止能在双频带上进行转换的调谐器的双调谐电路中,防止因开关二极管截止时产生的静电电容构成不希望的新的调谐电路引起的选择特性下降。解决方案是在二次调谐电路12中,在隔直流电容器33与调谐线圈34的连接点和变容二极管37与隔直流电容器38的连接点上设置电容器40,并设置由调谐线圈32,变容二极管37和电容器40构成的陷波电路。

Description

调谐器的双调谐电路
本发明涉及通过开关二极管的导通或截止能可调谐转换的多个频带的调谐器的双调谐电路，特别是涉及防止因由开关二极管的截止时产生的静电电容构成的不希望的新调谐电路引起的选择性下降的调谐器的双调谐电路。
下面通过图5至图7及图4说明现有的调谐器的双调谐电路。在图5中，调谐电路由一次调谐电路51和二次调谐电路52构成。一次调谐电路51由串联连接的隔直流的电容器53和变容二极管54与按图示的顺序串联的高频带接收用的调谐线圈55，低频带接收用的调谐线圈56，电阻57，耦合用的线圈58，隔直流电容器59并联连接构成。而变容二极管54的正极接地线、负极与隔直流电容器53连接。另外，隔直流电容器59的另一端也与地线连接。隔直流电容器59与调谐器55的连接点构成该双调谐电路51的输入端，连在前级的高频放大器60上。
在调谐线圈55与调谐线圈56的连接点与地线之间设置串联连接的隔直流电容器61、开关二极管62和隔直电容器63。开关二极管62的正极与隔直流电容器61相连，负极与隔直电容器63相连。
隔直流电容器61与开关二极管62的连接点通过供电电阻64连接在高频带接收用的转换端子65上。
而开关二极管62与隔直流电容器63的连接点通过供电电阻66连接在低频带接收用的转换端子67上。
另外，在开关二极管62与隔直流电容器63的连接点与地线之间设置偏流电阻68。
隔直流电容器53与变容二极管54的连接点通过供电电阻69连接在调谐电压端子70上。
二次调谐电路52由变容二极管71与按图示的顺序串联连接的高频带接收用调谐线圈72与低频带接收用的调谐线圈73、电阻74、隔直流电容器75、耦合用的线圈58、隔直流电容59并联构成。变容二极管71的正极接地线，负极与调谐线圈72相连。串联连接的变容二极管76和隔直流电容器77连接在变容二极管71与调谐线圈72的连接点上。变容二极管76的正极与隔直流电容77相连，负极与调谐线圈72相连。隔直流电容器77的另一端构成该双调谐电路的输出端，连接在后级的混频器78上。在混频器78中与来自振荡器(未示出)的振荡信号混频并输出中频信号。
在调谐线圈72与调谐线圈73的连接点和开关二极管62与隔直流电容器63的连接点上设置串联连接的隔直流电容器79和开关二极管80。其中，开关二极管80的正极与隔直流电容器79连接，负极与隔直流电容器63连接。
隔直流电容器79与开关二极管80的连接点通过供给电阻81连接在高频带接收用的转换端子65上。
另外，开关二极管80与隔直流电容器63的连接点通过供给电阻66连接在低频带接收用的转换端子67上。
变容二极管71与调谐线圈72的连接点通过供给电阻82连接在调谐电压端子70上。
通过以上那样的结构，把电压加在高频带接收用的转换端子65上或低频带接收用的转换端子67上，通过使开关二极管62和开关二极管80共同导通或截止，把该双调谐电路转换到高频带的接收状态或低频带的接收状态。
可是，把如图5所示的调谐器的双调谐电路转换到接收高频带的电视信号(例如170MHz～222MHz)的状态时，在高频带接收用的转换端子65上施加例如5V的电压，而在低频带接收用的转换端子67上不施加电压，这样，在开关二极管62和开关二极管80上施加正向电压，该开关二极管62和开关二极管80变成导通状态，高频带接收用的调谐线圈55与低频带接收用的调谐线圈56的连接点接地线，并且高频带接收用的调谐线圈72与低频带接收用的调谐线圈73的连接点也接地线。结果使一次调谐电路51的变容二极管54与高频带接收用的调谐线圈55并联在一起，而使二次调谐电路52的变容二极管71与高频带接收用的调谐线圈72并联在一起。这时的高频波的等效电路图在略去隔直流电容器和电阻的情况下，变成图6所示的双调谐电路，通过调整加在变容二极管54和71上的电压可以获得所期望的调谐频率。
在把图5所示的调谐器的双调谐电路转换到接收低频带的电视信号(例如90MHz～108MHz)的状态时，在低频带接收用的转换端子67上施加例如5V的电压，而在高频带接收用的转换端子65上不施加电压，这样，在开关二极管62和开关二极管80上施加反向电压，开关二极管62和开关二极管80变成截止状态，结果使一次调谐电路51变成由高频带接收用的调谐线圈55，低频带接收用的调谐线圈56，耦合用的线圈58和变容二极管54组成的并联调谐电路(以下把该电路称为“主调谐电路”)，二次调谐电路52变成由高频带接收用的调谐线圈72，低频带接收用的调谐线圈73，耦合用线圈58和变容二极管71组成的并联调谐电路，通过调整施加在变容二极管54和71上的电压可以获得期望的调谐频率。
可是在已转换到低频带接收状态的双调谐电路中，在开关二极管62、80上施加反向电压。在二极管上施加反向电压时要产生例如0.2PF左右的端子间电容，因此，如果在开关二极管62、80的反向电压下的端子间电容与电容器83的电容等效，则在低频带接收状态下的双调谐电路的高频等效电路在略去隔直流电容器和电阻的情况下，变成图7所示的双调谐电路。
在图7中，由电容器83和在一次调谐电路51中的变容二极管54、调谐线圈55和电容器83构成主调谐电路和由二次调谐电路52中的变容二极管71、调谐线圈72和电容器83构成另外的新的调谐电路84(以下把该电路称为“寄生调谐电路”)该寄生调谐电路84的调谐频率都与一次调谐电路51和二次调谐电路52大致相同。例如如果主调谐电路的所期望的调谐频率为127MHz时，则寄生调谐电路84的调谐频率出现在600～700MHz范围的UHF带内。
因此，该低频带接收状态的双调谐电路变成例如由图4的实线表示的那样的频率选择特性，除了由主调谐电路产生的调谐频率(图4的A部分)之外，还产生了由寄生调谐电路84产生的调谐频率(图4的B部分)的最大值特性。另外，该寄生调谐电路84产生的调谐频率域中的信号输入给连接在该双调谐电路输出端上的混频器78，在混频器78中与振荡信号混频，由与振荡信号的频率的N倍与寄生调谐电路84产生的调谐频率中信号频率的和或差生成的信号：对作为来自混频器78的输出的中频率信号(54MHz～60MHz)产生干扰。
如果举一个例子，则使主调谐电路的调谐频率57MHz为127MHz时，振荡信号频率是比主调谐电路的调谐频率高的184MHz，变成为其3倍频的552MHz与由寄生调谐电路的调谐频率的609MHz的差额57MHz由混频器78输出。
本发明要解决这个问题，其目的是提供一种不受在低频带接收状态下由于开关二极管62、80截止时的静电电容83新构成的寄生调谐电路84产生的影响，并且具有良好的选择特性的调谐器的双调谐电路。
为了解决上述课题，本发明所述的双调谐器的双调谐电路具有一次调谐电路和二次调谐电路，上述二次调谐电路具有：第一变容二极管；并联连接在上述第一变容二极管上并互相串联连接的高频带接收用第一线圈和低频带接收用第二接收线圈；连接在上述第一线圈与上述第二线圈的连接点与地线之间的开关二极管；一端连接在上述第一线圈与上述第一变容二极管的连接点上的第二变容二极管；并联连接在上述第二变容二极管的另一端和上述第一线圈与上述第二线圈的连接点上的电容器；把第二变容二极管的另一端作为输出端，由上述第一线圈、上述第二变容二极管和上述电容器构成的陷波电路。
本发明所述的调谐器双线圈电路是使电容器的容量与开关二极截止时端子间的电容大致相同。
下面参照附图来说明本发明的调谐器双调谐电路的实施方式。
图1是本发明调谐器双调谐电路的电路图。
图2是本发明调谐器双调谐电路的高频带接收时的等效电路图。
图3是本发明调谐器双调谐电路的低频带接收时的等效电路图。
图4是本发明和现有的调谐器双调谐电路的低频带接收时的选择特性图。
图5是现有的调谐器双调谐电路的电路图。
图6是现有的调谐器的双调谐电路高频带接收时的等效电路图。
图7是现有的调谐器的双调谐电路低频带接收时的等效电路图。
如图1所示，本发明调谐器双调谐电路由一次调谐电路11和二次调谐电路12构成。一次调谐电路11由串联连接的隔直流电容器13和变容二极管14与按图示的顺序串联连接的高频带接收用的调谐线圈15，低频带接收用的调谐线圈16，电阻17，耦合用的线圈18，隔直流电容器19并联连接构成。变容二极管14的正极接地线，负极与隔直流电容器13相连。隔直流电容器19的另一端也接地线，隔直流电容器13与调谐线圈15的连接点成为该双调谐电路的输入端连接在前级的高频放大器20上。
在调谐线圈15与调谐线圈16的连接点与地线之间设置串联连接的隔直流电容器21、开关二极管22和隔直流电容器23，开关二极管22的正极与隔直流电容器21相连，负极与隔直流电容器23相连。
隔直流电容器21与开关二极管22的连接点通过供电电阻24连接在高频带接收用的转换端子25上。
而开关二极管22与隔直流电容器23的连接点通过供电电阻26连接在低频带接收用的转换端子27上。
另外，在开关二极管22与隔直流电容器23的连接点与地线之间设置偏流电阻28。
隔直流电容器23与变容二极管14的连接点通过供电电阻29连接在调谐电压端子30上。
二次调谐电路12由第一变容二极管31与按图示的顺序串联连接的高频接收用的第一调谐线圈32，隔直流电容器33，低频带接收用的第二调谐线圈34，电阻35，隔直流电容器36，耦合用线圈18，隔直流电容器19并联构成。其中，变容二极管31的正极接地线，负极与调谐线圈32相连，串联连接的第二变容二极管37和隔直流电容器38连接在变容二极管31与调谐线圈32的连接点上。变容二极管37的正极与隔直流电容器38相连，负极与调谐线圈32相连。隔直流电容器38的另一端构成该双调谐电路的输出端，连接在后级的混频器39上。在混频器39与来自振荡器(未示出)的振荡信号混频后输出中频信号。
在隔直流电容器33与调谐线圈34的连接点和变容二极管37与隔直流电容器38的连接点上，设置电容器40。
在隔直流电容器33与调谐线圈34的连接点和开关二极管22与隔直流电容器23的连接点上，设置开关二极管41。开关二极管41的正极与隔直流电容器33和调谐线圈34的连接点相连，负极与开关二极管22和隔直流电容器23的连接点相连。
将电容器40的容量设定为与在开关二极管41变成截止时的端子间电容的容量几乎相同。
开关二极管41的正极通过供电电阻42连接在高频带接收用的转换端子25上。
而开关二极管41的负极通过供电电阻26连接在低频带接收用的转换端子27上。
变容二极管31与调谐线圈32的连接点通过供电电阻43连接在调谐电压端子30上。
按照以上的结构，通过把电压施加在高频带接收用的转换端子25或低频带接收用的转换端子27上，使开关二极管22和开关二极管41同时导通或截止，从而使该双调谐电路转换到高频带接收状态或低频带接收状态。
可是，在使图1中所示的调谐器的双调谐电路转换到接收高频带的电视信号(例如170MHz～222MHz)的状态时，在高频带接收用的转换端子25上施加例如5V的电压，在低频带接收用的转换端子27上不施加电压。这样，在开关二极管22和开关二极管41施加正向电压，使这二个开关二极管22和41变成导通状态，高频带接收用的调谐线圈15与低频带接收用的调谐线圈16的连接点接地线，隔直流电容器33与低频带接收用的调谐线圈34的连接点也接地线。其结果，一次调谐电路11与变容二极管14和高频带接收用的调谐线圈15一起并联连接，二次调谐电路12与变容二极管31和高频带接收用的调谐线圈32一起并联连接。这时的高频波的等效电路在略去隔直流电容器和电阻的条件下，变成图2所示的双调谐电路，通过调整施加在变容二极管14和31上的电压可以获得期望的调谐频率，并且构成由变容二极管37和电容器40组成的陷波电路。
在转换到接收低频带的电视信号(例如90MHz～108MHz)的状态时，在低频带接收用的转换端子27上施加例如5V的电压，在高频带接收用的转换端子25上不施加电压。这时，在开关二极管22和开关二极管41上施加反向电压，使开关二极管22和开关二极管41变成截止状态。其结果，一次调谐电路11变成由高频接收用的调谐线圈15、低频带接收用的调谐线圈16、耦合用的线圈18和变容二极管14组成的并联调谐电路(以下把该电路称为“主调谐电路”)，二次调谐电路12变成由高频带接收用的调谐线圈32、低频带接收用的调谐线圈34、耦合用的线圈18和变容二极管31组成的并联调谐电路，通过调整施加在变容二极管14和31上的电压可以获得期望的调谐频率。
可是，在转换到低频接收状态下的双调谐电路中，在开关二极管22、41上施加反向电压。通常在二极管上施加反向电压时，在端子间产生例如0.2PF左右的电容。因此，如果把在开关二极管22、41的反向电压下的端子间电容等效为电容器44，则在低频接收状态的双调谐电路中的高频波的等效电路在略去隔直流电容器和电阻的条件下，变成图3所示的双调谐电路。
在图3中，借助电容器44，在一次调谐电路11中，通过变容二极管14、调谐线圈15和电容器44，和在二次调谐电路12中，通过变容二极管31、调谐线圈32和电容器44分别构成主调谐电路和另一新的调谐电路45(以下称该电路为“寄生调谐电路”)并且在该寄生调谐电路45中调谐频在一次调谐电路11和二次调谐电路12具有同一频率，例如当把调谐电路中的期望调谐频率变为127MHz时，则寄生调谐电路45中的调谐频率出现在600～700MHz范围的UHF带内。
因此，通过设置电容器40，在二次调谐电路12中通过调谐线圈32，变容二极管37和电容器40分别构成主调谐电路和另一新的调谐电路46(以下把该电路称为“陷波电路”)。在此，因为电容器44与电容器40的电容量相等，变容二极管31与变容二极管37的电容量相等，并且共同具有调谐线圈32，所以陷波电路46与寄生调谐电路45具有同一调谐频率。
因此，在该低接收频率状态下的双调谐电路具有用图4的点线表示那样的频率选择特性，如果把主调谐电路中的调谐频率变为127MHz，则几乎失去了由在现有技术的例子中的寄生调谐电路引起的600～700MHz带的峰，因此，不会产生变成损害混频器39的信号。
另外，在高频带接收状态的双调谐电路如图2所示，通过由变容二极管37和电容器40产生的效果，可以使二次调谐电路Q值提高并使选择度特性变陡。从而改善交扰调制特性。
如上所述，按照本发明在低频带接收状态下，由于通过设置电容器，构成由高频带接收用调谐线圈，变容二极管和电容组成的陷波电路，而使由二极管截止期间的端子间电容量新构成的寄生调谐电路发生的频率特性峰消失，结果不会干扰中频信号。
另外，按照本发明，在高频接收状态下，通过设置电容器利用变容二极管和电容器的陷波效果使二次调谐电路的Q值提高，从而使选择度变陡，结果改善了交扰调制特性。
按照本发明，通过使电容器的电容值与开关二极管截止期间端子间的电容值大致相等，可以使陷波电路与寄生调谐电路的调谐频率相等。

Claims (2)

1．一种调谐器的双调谐电路，具有一次调谐电路和二次调谐电路，其特征在于：
上述二次调谐电路具有：
第一变容二极管；
并联连接在上述第一变容二极管上并互相串联连接的高频带接收用第一线圈和低频带接收用第二线圈；
连接在上述第一线圈与上述第二线圈的连接点与地线之间的开关二极管，
一端连接在上述第一线圈与上述第一变容二极管的连接点上的第二变容二极管；
并联连接在上述第二变容二极管的另一端和上述第一线圈与上述第二线圈的连接点上的电容器；
把第二变容二极管的另一端作为输出端，由上述第一线圈、上述第二变容二极管和上述电容器构成的陷波电路。
2．如权利要求1所述的调谐器双调谐电路，其特征在于：使上述电容器电容值与上述开关二极管的截止时的端子间的电容值大致相同。
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