JP3806016B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に半導体集積回路に関し、詳しくはダミーを配置した半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
大規模半導体集積回路を製造する場合、配線密度が基板上の位置によって大きく異なると、位置によって最適なエッチング条件が異なってしまい、エッチング処理の効果が一様にならないという問題がある。この結果、配線密度が小さいところでは、レジストが消滅して断線が生じたり、配線幅が狭くなってくびれてしまい配線抵抗が著しく増大するなどの弊害が生じる。また大きくくびれる場所では配線が倒れたりする可能性がある。これを避けるために近年の半導体集積回路では、配線密度の小さい場所では配線のダミーを敷き詰めて、配線密度を基板上の位置に関わらず一定にするよう構成されている。
【0003】
図1は、配線ダミーにより配線密度が一定となるように構成される半導体集積回路の一部を示す平面図である。
【0004】
図1の半導体集積回路は、半導体基板上の第n層の配線を上部から見た平面図を示しており、第n層配線10乃至12が回路配線として設けられる(nは任意の自然数)。配線10と11との間には通常の回路配線が無く、このまま配線が無い状態でエッチング処理して半導体集積回路を製造したのでは、断線や配線くびれが生じる可能性がある。そこで図1に示されるように、第n層に、配線ダミー13を配線間の空白域に敷き詰めるように回路が設計される。この配線ダミー13は、回路に電気的に接続される配線ではなく、配線密度を一様にしてエッチング条件を一定にするためのダミーである。
【0005】
このように配線ダミー13を敷き詰めることによって、エッチング処理の条件の違いによって生じる断線や配線くびれなどを避けることが出来る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし配線ダミー13を配置した場合、これらの配線ダミー13と実際の回路との間に直接の電気接続はないが、容量が生成されるという問題がある。
【0007】
図2は、配線ダミー13による容量の生成を説明するための図である。
【0008】
図2に示されるように、第n層の上の第n+1層には、例えば回路の通常の配線14及び15が配置され、第n層の下の第n−1層には、例えば回路の通常の配線16及び17が配置される。これらの配線14乃至17及び配線ダミー13との間に容量が存在することになる。
【0009】
図3は、配線ダミー13による容量の影響を説明するための図である。
【0010】
図3の左側には、図2の回路において線A−A’に沿ってとった断面図を示す。また図3の右側には、断面図の点線で囲った部分に発生するカップリング容量を模式的に示した図を示す。これらの図に示されるように、例えば配線14及び15と配線ダミー13との間には、容量C1及びC2が発生する。ここで回路の設計過程において回路シミュレーションを行う際に、通常の配線に関しては、配線間の容量を抽出してシミュレーション計算に組み込むことが可能である。しかしながら配線ダミー13に関しては、回路設計後に自動的に生成されるために、通常の配線と配線ダミー13間との容量C1及びC2を抽出して、シミュレーション計算に組み込むことは出来ない。従って、この容量分がシミュレーションの誤差となって現れ、シミュレーションの解析精度が低下するという問題がある。
【0011】
また従来の配線ダミーパターンを生成する方法としては、配線の無い領域に、一定の大きさ及び形状の単位ダミーパターンを、所定の間隔で規則的に敷き詰めることが行われる。しかしこの方法では、配線間隔がダミーパターンの大きさより狭い領域ではダミーパターンが全く挿入されず、配線間隔が広がるとダミーパターンが例えば一列挿入されるが、更に配線間隔が広がっても上記所定の間隔で二列目のダミーパターンを挿入するに充分な配線間隔がない場合には、配置されるダミーパターンは一列のままである。このように、配線間隔は連続的な値をとり得るのに対して、所定の間隔で所定の大きさのダミーパターンを配置しようとすると、ダミーパターンの配置はステップ的に変化する。従って、空き領域が存在しレジストパターンの面積比を稼ぐことが出来ないと共に、レジストパターンの面積比を一定の割合に設定することが出来ない場合がある。
【0012】
以上を鑑みて、本発明は、通常配線とダミー配線との容量を低減して、シミュレーションの解析精度を向上することが可能な半導体集積回路を提供することを目的とする。
【0013】
また本発明は、配線間隔の大きさに関わらずレジストパターンの面積比を稼いで一定範囲に収めるように、ダミーパターンを適切に配置した半導体集積回路を提供することを目的とする。
【0024】
【課題を解決するための手段】
また本発明による半導体集積回路は、積層される複数の配線層と、該複数の配線層のうち第1の配線層に所定の間隔を最小間隔として配置され、該所定の間隔だけ離れて配線が両側に存在する第1の配線と、該所定の間隔だけ離れた位置には両側において配線が存在しない第2の配線とを含む複数の配線と、該第1の配線層の1つ上又は下にある第2の配線層において、該第1の配線の位置に対応する位置に配置されると共に、該第2の配線の位置に対応する位置には配置されないダミーパターンを含むことを特徴とする。
【0025】
上記半導体集積回路においては、両隣接グリッド(グリッド:配線を配置可能な最小間隔で配置された仮想的な格子)が空いた配線に対応するダミーパターンは相対的に大きな寄生容量を持つので、このような配線の上下層にはダミーパターンが存在しない。また両隣接グリッドが詰まった配線に対応するダミーパターンは寄生容量が相対的に小さいので、このような配線の上下層にはダミーパターンが配置されている。これにより、ある配線層に回路配線パターンが密に存在する場合であっても、その上下の配線層においてレジストパターンの面積比を増加させることが出来る。
【0031】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施例を添付の図面を用いて詳細に説明する。
【0032】
図4は、本発明の第1の実施例による半導体集積回路の一部を示す図である。
【0033】
図1の半導体集積回路は、半導体基板上の第n−1乃至n+1層の配線を上部から見た平面図を示しており、第n層配線10乃至12が回路配線として設けられる。第n層の配線10と11との間には通常の回路配線が存在しないので、同じ第n層に配線ダミー13を配線間の空白域に敷き詰めるように配置する。この配線ダミー13は、回路に電気的に接続される配線ではなく、配線密度を一様にしてエッチング条件を一定にするためのダミーである。
【0034】
但しこの配線ダミー13を配置する際に、第n層の上下に存在する第n+1層及び/又は第n−1層に通常の配線が存在する場合、その通常の配線に平面上の位置が重なる領域には配線ダミー13を配置しないように構成する。即ち、図4の例では、第n−1層に通常の配線21及び22が設けられるので、第n層においてこれらの通常配線に重なる領域には配線ダミー13を配置しない。また同様に第n+1層に通常の配線23及び24が設けられるので、第n層においてこれらの通常配線に重なる領域には配線ダミー13を配置しない。
【0035】
これによって、第n+1層及び/又は第n−1層の通常配線と第n層の配線ダミー13との間の容量を削減することが可能となり、回路設計等におけるシミュレーションの精度を向上させることが出来る。更に、実際のデバイスにおいて、配線の寄生容量を低減することが出来るため、配線における信号遅延を低減させることが出来る。
【0036】
図5は、本発明の第2の実施例による半導体集積回路の一部を示す図である。
【0037】
図5の半導体集積回路は、半導体基板上の第n−1乃至n+1層の配線を上部から見た平面図を示しており、図4と同一の要素は同一の符号で参照する。
【0038】
第n層の配線10と11との間には通常の回路配線が存在しないので、同じ第n層に配線ダミー13を配線間の空白域に敷き詰めるように配置する。 但しこの配線ダミー13を配置する際に、第n層の上下に存在する第n+1層及び/又は第n−1層に通常の配線が存在する場合、その通常の配線に平面上の位置が重なる領域には配線ダミー13を配置しないように構成する。即ち、図5の例では、第n+1層に通常の配線23及び24が設けられるので、第n層においてこれらの通常配線に重なる領域には配線ダミー13を配置しない。
【0039】
但し第n+1層及び/又は第n−1層に存在する通常の配線が電源配線である場合には、この電源配線と平面上の位置が重なる領域には配線ダミー13を配置可能であると判断して回路を構成する。即ち、図5の例では、第n−1層に通常の配線25が設けられるが電源配線であるので、第n層においてこの電源配線に重なる領域には配線ダミー13を配置する。
【0040】
電源配線に供給される電圧は信号電圧ではなく電源電圧であり、配線ダミー13による容量が存在しても問題とならない。従って上述のように、電源配線に対しては、配線ダミー13の配置制限を設けないようにする。これによって、上下層に存在する通常配線の影響によって配線ダミー13の配置数が極端に減り、配線ダミー13によって配線密度を一様にするという本来の目的が損なわれることを避けることが出来る。
【0041】
なお電源配線を通常配線と区別するためには、配線幅に着目すればよい。電源配線は、信号伝送用の信号配線と比較すると、配線幅Wがかなり広く設計されるのが一般である。従って、配線幅Wが所定の配線幅以上である場合には、電源配線と認識して、配線ダミー13に対する配置制限を解除すればよい。なお信号配線と電源配線とを分ける閾値配線幅は、半導体集積回路の微細化の度合いによって異なり、半導体製造プロセスの技術進歩と共に変化(減少)する。従って、閾値配線幅は、約何マイクロと固定的に規定できるものではない。具体的には、製造する半導体集積回路の微細化の度合いに応じて、閾値配線幅を適宜決定すればよい。
【0042】
図6は、本発明の第3の実施例による半導体集積回路の一部を示す図である。
【0043】
図6の半導体集積回路は、半導体基板上の第n−1乃至n+1層の配線を上部から見た平面図を示しており、図5と同一の要素は同一の符号で参照する。
【0044】
図6の第3の実施例においては、図5の第2の実施例と同様に、第n+1層及び/又は第n−1層に存在する通常の配線が電源配線である場合には、この電源配線と平面上の位置が重なる領域には配線ダミー13を配置可能であると判断して回路を構成する。但し図5の第2の実施例では、第n−1層に配置された通常の配線25を電源配線と認識するために配線幅Wを考慮したが、図6の第3の実施例では、配線レイアウト設計において、第n−1層に配置する通常の配線26及び27とは異なるレイヤーに電源配線25Aを描くように配線レイアウトする。即ち例えば、配線レイアウト設計を行う際に、第n−1層とは別の第(n−1)’層を設けて、電源配線はこの第(n−1)’層に描くように配線レイアウトをする。これによって、図6に示される配線25Aが通常配線ではなく電源配線であると容易に認識することが可能となる。
【0045】
図7は、本発明の第4の実施例による半導体集積回路の一部を示す図である。
【0046】
図7の半導体集積回路は、半導体基板上の第n−1乃至n+1層の配線を上部から見た平面図を示しており、図4と同一の要素は同一の符号で参照する。図7に示されるように、第n層配線10乃至12が回路配線として設けられる。第n層の配線10と11との間には通常の回路配線が存在しないので、同じ第n層に配線ダミー13を配線間の空白域に敷き詰めるように配置する。
【0047】
但しこの配線ダミー13を配置する際に、第n層に隣接する層に半導体基板上に形成されたポリシリコン層又は半導体基板上に形成された拡散層が存在する場合、そのポリシリコン又は拡散層に平面上の位置が重なる領域には配線ダミー13を配置しないように構成する。即ち、図7の例では、第n−1層にポリシリコン又は拡散層30が設けられるので、第n層においてこれらのポリシリコン又は拡散層30に重なる領域には配線ダミー13を配置しない。
【0048】
これによって、第n−1層のポリシリコン又は拡散層と第n層の配線ダミー13との間の容量を削減することが可能となり、回路設計等におけるシミュレーションの精度を向上させることが出来る。更に、実際のデバイスにおいて、配線の寄生容量を低減することが出来るため、配線における信号遅延を低減させることが出来る。
【0049】
図8は、本発明の第5の実施例による半導体集積回路の一部を示す図である。
【0050】
図8の半導体集積回路は、半導体基板上の複数層の配線を上部から見た平面図を示しており、図4と同一の要素は同一の符号で参照する。
【0051】
図8において、第n層配線10乃至12が回路配線として設けられる。第n層の配線10と11との間には通常の回路配線が存在しないので、同じ第n層に配線ダミー13を配線間の空白域に敷き詰めるように配置する。また第n−1層に通常の配線21及び22が設けられるので、第n層においてこれらの通常配線に重なる領域には配線ダミー13を配置しない。また同様に第n+1層に通常の配線23及び24が設けられるので、第n層においてこれらの通常配線に重なる領域には配線ダミー13を配置しない。
【0052】
更にこの第5の実施例においては、この配線ダミー13を配置する際に、第n層の上下に存在する第n+m層及び/又は第n−m層に通常の配線が存在する場合、その通常の配線に平面上の位置が重なる第n層の領域には配線ダミー13を配置しないように構成する(mは任意の自然数)。即ち、図8の例では、第n+m層に通常の配線31及び32が設けられるので、第n層においてこれらの通常配線に重なる領域には配線ダミー13を配置しない。
【0053】
これによって、第n−m層乃至第n+m層の通常配線と第n層の配線ダミー13との間の容量を削減することが可能となり、回路設計等におけるシミュレーションの精度を向上させることが出来る。なおこの第5の実施例においては、第n−m層乃至第n+m層に通常配線が存在するときにこの通常配線に対応する位置に配線ダミー13を配置しないとしたが、更に前述の第4の実施例の場合と同様に、ポリシリコン或いは拡散層が存在するときに、これに対応する位置に配線ダミー13を配置しないようにしてよい。
【0054】
以下に、本発明の更なる実施例を添付の図面を用いて詳細に説明する。
【0055】
以下の説明においては、LSIの多層配線における配線層のうち任意の1層を例にとって実施例を説明すると共に、複数の配線層を考慮する必要がある場合にはこの任意の1層とその上下配線層を例にとって実施例を説明する。
【0056】
図9は、本発明の第6の実施例によるダミーパターン配置方法及び半導体集積回路を説明するための配線レイアウトの平面図である。図9の配線レイアウトは、第1の配線101、第2の配線102、第3の配線103、及び第4の配線104を含む。配線101乃至104は、同一配線層に存在する。
【0057】
図9(a)に示されるように、まず第1段階で、第1のダミーパターン105を発生する。ダミーパターン105は、第6の実施例で発生する3種類のダミーパターンサイズのうちで、最大のサイズを有するものである。ダミーパターン105のサイズは例えば9μmであり、隣接するダミーパターン105間の間隔は例えば1μmである。この場合、ダミーパターン105を縦横に多数並べた領域における配線面積占有率は、(9μm×9μm)/((9μm+1μm)×(9μm+1μm))×100=81% となり、高い占有率を確保できる。但し、ダミーパターン105は最大サイズのダミーパターンであるので、ダミーパターン105は、配線101と配線102の間の領域のように配線間隔が広い領域にのみ発生される。
【0058】
図9(b)は、第2段階におけるダミーパターン発生を示す。ダミーパターン106は、第6の実施例で発生する3種類のダミーパターンサイズのうち、中間のサイズを有するものである。ダミーパターン106のサイズは、例えば2μmであり、隣接するダミーパターン106間の間隔は例えば1μmである。この場合、例えばダミーパターン106を縦横に多数並べた領域における配線面積占有率は、(2μm×2μm)/((2μm+1μm)×(2μm+1μm))×100=45%となる。既にダミーパターン105が配置されているので、配線101と配線102の間にはダミーパターン106は発生されない。また、配線103と配線104との間隔が狭いので、配線103と配線104との間にダミーパターン106は発生されない。
【0059】
図9(c)は、第3段階におけるダミーパターン発生を示す。ダミーパターン107は、第6の実施例で発生する3種類のダミーパターンサイズのうち、最小のサイズを有するものである。ダミーパターン107のサイズは、例えば1μmであり、隣接するダミーパターン107間の間隔は例えば1μmである。この場合、ダミーパターン107を縦横に多数並べた部分における配線面積占有率は、(1μm×1μm)/((1μm+1μm)×(1μm+1μm))×100=25%となる。
【0060】
既にダミーパターン105及び106が配置されているので、配線101と配線102の間および配線102と配線103の間には、ダミーパターン107は発生されない。
【0061】
上述のように本実施例においては、基本となるダミーパターンサイズとして複数の異なるサイズを用意し、ダミーパターンサイズが大きい方から順にサイズに応じた間隔で配置していく。本実施例においては、小サイズのダミーパターンについては、配線面積占有率を気にすることなくサイズを小さくしてよい。
これは、具体的には以下のように説明できる。
【0062】
従来の単一ダミーサイズ方式で、ダミーサイズが2μmであり、ダミーパターンの間隔が1μmである場合を想定する。このダミーパターンは、上記第6の実施例のダミーパターン106と同一である。このダミーパターンを使用した場合、ダミーパターン近傍の面積占有率は45%となり、適切なレジスト面積比が得られる。なおレジスト面積比は、約30%から約80%の範囲にあれば適切であると見なされる。
【0063】
この従来例のダミーパターンを第6の実施例の配線101乃至104に適用すると、図10に示されるようになる。配線101及び配線102の間と配線102及び配線103の間とには、ダミーパターン108が発生されるが、配線103及び配線104の間にはダミーパターンが発生されない。
【0064】
単純にダミーパターンだけの面積占有率に着目すると、図10では、配線101と配線102の間と、配線102と配線103の間とでそれぞれ45%となり、配線103と配線104の間が0%となる。また配線101乃至103も配線面積占有率に含めて考えると、配線101と配線102とを含む近傍については、ダミーパターン108と配線102との間にはかなりのブランク領域があり、実際の面積占有率は45%より大幅に落ちることになる。
【0065】
これに対し、本発明の第6の実施例の図9(c)では、単純にダミーパターンだけの面積占有率に着目すると、配線101と配線102の間が81%で、配線102と配線103の間が45%で、配線103と配線104の間が25%となる。このように、複数のダミーパターンサイズを使用することにより、全体的に面積占有率を稼ぐことができる。また配線101乃至103も配線面積占有率に含めて考えると、配線101と配線102とを含む近傍については実際の面積占有率は81%より低くなり、また配線103と配線104を含む近傍については実際の面積占有率は25%より高くなる。従って、全体的に面積占有率を稼ぐことができると共に、適切な面積占有率を一様に実現することが可能になる。
また本実施例においては、ダミーパターンをサイズの大きいものから順に配置していくことにより、配線間隔の広い領域に大きなダミーパターンを挿入し、局所的な配線面積占有率を稼ぐことができる。これとは逆に、ダミーパターンサイズが小さい方から順に配置していくと、配線101、配線102、配線103、及び配線104の全ての配線間に最小サイズのダミーパターンが配置されてしまうので、大きなダミーパターンを挿入する余地が無くなり、配線面積占有率を向上することが出来ない。但し、ダミーパターンサイズが小さい方から順に配置していく場合であっても、より大きな残りのダミーパターンが配置可能な領域を除外して配置するように考慮すれば、適切なダミーパターンの配置を実現することが出来る。
【0066】
また本実施例では、複数のダミーパターンサイズを使用することにより、単一のダミーサイズを用いる従来例と比較して、より小さなサイズのダミーパターンを含めることが出来る。このようにより小さなサイズのダミーパターンを設定することにより、図10に示されるように従来ダミーパターンを発生できなかった配線103と配線104の間のような領域にも、ダミーパターンを発生することが可能となる。
【0067】
ダミーパターンの間隔は、デザインルール上の制約により、ダミーパターンサイズを小さくするのに比例して縮小することは難しく、一定の下限が定められてしまう。従って従来の単一ダミーサイズ方式で、配線103と配線104の間に発生できるようなダミーサイズに設定してしまうと、配線101と配線102の間のように配線間隔が広い領域において、配線面積占有率を適正値に維持することが出来なくなってしまう。これに対して本実施例では、図9(c)に示されるように、配線間の領域の広さに応じたダミーパターンサイズを用いることにより適正な配線面積占有率を確保しながら、配線間隔が狭い領域にも配置可能なダミーパターン107を使用することが出来る。
【0068】
図11は、本発明の第6の実施例によるダミーパターン配置方法を示すフローチャートである。
【0069】
ステップS1で、レイアウトデータと最大サイズの仮想ダミーパターンのデータを読み込み、レイアウトデータと最大サイズの仮想ダミーパターンを重ねる。ステップS2で、ルールファイルを読み込み、配線と最大サイズの仮想ダミーパターンの各々との最小間隔が適正であるか判断する。適正である場合には、ステップS3で、最大サイズの仮想ダミーパターンを残す。適正でない仮想ダミーパターンがある場合には、ステップS4で、適正でない最大サイズの仮想ダミーパターンを選択して削除する。これによりステップS5で、第1のダミーパターン群の配置が確定する。
【0070】
ステップS6で、中間サイズの仮想ダミーパターンデータを読み込み、レイアウトデータと第1のダミーパターンとの和に、中間サイズの仮想ダミーパターンを重ねる。ステップS7で、ルールファイルを読み込み、配線及び第1のダミーパターンと中間サイズの仮想ダミーパターンの各々との最小間隔は適正であるか判断する。適正である場合には、ステップS8で、中間サイズの仮想ダミーパターンを残す。適正でない仮想ダミーパターンがある場合には、ステップS9で、適正でない中間サイズの仮想ダミーパターンを選択して削除する。これによりステップS10で、第2のダミーパターン群の配置が確定する。
【0071】
ステップS11で、最小サイズの仮想ダミーパターンデータを読み込み、レイアウトデータと第1のダミーパターンと第2のダミーパターンとの和に、最小サイズの仮想ダミーパターンを重ねる。ステップS12で、ルールファイルを読み込み、配線、第1のダミーパターン、及び第2のダミーパターンと最小サイズの仮想ダミーパターンの各々との最小間隔は適正か判断する。適正である場合には、ステップS13で、最小サイズの仮想ダミーパターンを残す。適正でない仮想ダミーパターンがある場合には、ステップS14で、適正でない最小サイズの仮想ダミーパターンを選択して削除する。これによりステップS15で、第3のダミーパターン群の配置が確定する。
【0072】
最後に、ステップS16で、配線、第1のダミーパターン、第2のダミーパターン、及び第3のダミーパターンを合成し、レジスト露光処理に使用するためのマスクデータを作成する。
【0073】
なお上記第6の実施例の説明では、3種類の異なるサイズのダミーパターンを用いる構成としたが、2種類或いは4種類以上の異なるサイズのダミーパターンを用いる構成としてもよい。
【0074】
以下に、本発明の第7の実施例を説明する。
【0075】
図12は、本発明の第7の実施例によるダミーパターン配置方法及び半導体集積回路を説明するための図である。図12(a)に示されるように配線レイアウトは、第1の配線108、第2の配線109、及び第3の配線110を含む。配線108乃至110は、同一配線層に存在する。
【0076】
図12(a)に示されるように、まず第1段階で、ダミーパターン112を発生する。ダミーパターン112は、複数のダミーパターン要素で1つの纏まり112Aを構成し、纏まり112A内のダミーパターン間の間隔である第1の間隔D1と、纏まり間のダミーパターン間隔である第2の間隔D2とが存在するように、異なる2つの間隔を設けて配置される。ダミーパターン112の寸法は、例えば1μmである。ダミーパターン112間の間隔D1は例えば0.8μmであり、間隔D2は例えば1μmである。
【0077】
図12(b)は、本発明の第7の実施例におけるダミーパターン112のテンプレートを示す図である。このテンプレートを図12(a)の配線のレイアウトに重ねて、配線と干渉するダミーパターン112を削除すると、図12(a)のようなダミーパターン配置が得られる。この例では、3×3で9個のダミーパターン要素が、間隔0.8μmで配置され1つの纏まり112Aを形成しており、隣接する纏まり間は間隔1μmである。
【0078】
図12(c)は、第7の実施例の第2段階におけるダミーパターン発生を示す。図12(c)において、ダミーパターン113は、図12(a)のダミーパターン112の併合処理を行うことで生成される。このダミーパターン112の併合処理は、以下のように実行される。
【0079】
まずダミーパターン112に対して、例えば上下左右0.44μmの拡大処理を行う。即ち、1μmのダミーサイズが1.88μmのダミーサイズに拡大される。この段階で、間隔0.8μmで並んでいるダミーパターン同士は、周辺が重なり合うことにより間隙がなくなる。この際、纏まり112A間の間隔である間隔1μmで並んでいるダミーパターン同士の間には、0.12μmの間隔が残っているので、ダミーパターン同士が重なり合うことはなく併合されない。
【0080】
続いて、拡大併合されたダミーパターンに対して、上下左右0.44μmの縮小処理を行う。この結果、纏まり112A間の間隔である0.12μmの間隔が1μmに戻され、図12(c)に示されるダミーパターン113が得られる。
【0081】
上述のように第7の実施例では、ダミーパターンのサイズは1種類でよいが、ダミーパターン間の間隔を複数の異なる間隔に設定し。複数の異なる間隔のうちで狭い方の間隙を塞いでダミーパターンを併合する。これにより、ダミーサイズを拡大して面積占有率を稼ぐことができる。また、テンプレートのダミーサイズをある程度小さく設定しても、併合処理により面積占有率を回復できるので、狭い領域にも配置可能なサイズの小さいダミーパターンを用いることが出来る。
【0082】
図13は、本発明の第7の実施例によるダミーパターン配置方法のフローチャートを示す。
【0083】
ステップS1で、レイアウトデータとダミーパターンデータを読み込んで、レイアウトデータとダミーパターンを重ねる。ステップS2で、ルールファイルを読み込んで、配線と各々のダミーパターンとの最小間隔は適正かを判断する。適正な場合には、ステップS3で、ダミーパターンを残す。適正でないダミーパターンがある場合には、ステップS4で、適正でないダミーパターンを削除する。ステップS5で、ダミーパターン群の配置が確定される。更にステップS6で、ダミーパターンを拡大処理する。ステップS7で、拡大したダミーパターンを縮小処理し、併合されたダミーパターンを生成する。
【0084】
上記処理によって、前述の併合されたダミーパターンが生成されるが、必要であれば、以下の処理を更に行ってもよい。即ち、ステップS8で、レイアウトデータを読み込んで、レイアウトデータと併合したダミーパターンを重ねる。ステップS9で、ルールファイルを読み込んで、配線及び上記併合したダミーパターンの各々との最小間隔は適正か否かを判断する。適正な場合には、ステップS10で、併合したダミーパターンを残す。適正でない併合したダミーパターンがある場合には、ステップS11で、適正でない併合したダミーパターンを削除する。ステップS12で、併合したダミーパターン群の配置が確定される。
【0085】
その後、ステップS13で、配線及び併合したダミーパターンを合成し、露光処理のためのマスクデータを作成する。
【0086】
上記第7の実施例の説明では、併合処理により図12(c)のダミーパターンを生成する方法を説明したが、上記のような併合処理を経なくとも同様のダミーパターンを生成することは可能である。例えば、図12(c)の併合後の正方形状であるダミーパターンを縦横に等間隔で配置したものをテンプレートとしておき、このテンプレートと配線パターンとを重ね合わせて、正方形状のダミーパターンから配線パターンと重なる部分を切り取る方法などが考えられる。このように第7の実施例は、実現するための方法に関わらず、配線パターンに応じた形状を有する一定形状でないダミーパターンが配置される半導体集積回路を含むものである。
【0087】
以下に、本発明の第8の実施例を説明する。前述の実施例において、回路配線パターンの上下にダミーパターンを発生しない方法では、回路配線パターンが密に配置されている場合、その上下配線層には殆どダミーパターンが発生されないことになり、レジストパターンの面積比を稼ぐことが出来ないと共に、レジストパターンの面積比を一定範囲に収めることができない場合がある。本発明の第8の実施例は、これを解決するためのものである。
【0088】
図14は、本発明の第8の実施例によるダミーパターン配置可能領域を示すLSI断面図である。図14(a)において、着目する配線層には、両隣接グリッドの空いた配線114と、片側隣接グリッドの空いた配線115が配置される。また配線116は、着目する配線層において、両隣接グリッドが埋められた配線である。また配線117は、着目する配線層における幅の太い配線である。なおここで、グリッドとは半導体集積回路を設計する際に配線を配置する位置を示す仮想的な格子であり、グリッド間隔が配線の最小間隔に対応する。
【0089】
着目する配線層の上記配線パターンに対して、ダミーパターン配置可能領域118が計算される。着目する配線層の上下の配線層において、ダミーパターン配置可能領域118の上下においては、ダミーパターンを配置するよう構成する。配線114、115、及び116の幅は例えば0.5μmとし、配線117の幅は例えば2.5μmである。グリッドのピッチは例えば1μmである。ここで、幅が2μm以上の配線の部位においては、上下配線層にダミーパターン配置可能と設定する。それ以外に、両隣接グリッドの詰まった配線116の部位においては、上下配線層にダミーパターンを配置可能であるが、両隣接グリッドの空いた配線114及び片側隣接グリッドの空いた配線115の部位においては、上下配線層にダミーパターンを配置することは禁止である。なお上記説明は、単一配線層に付随した属性の説明であり、実際のダミー発生は、ダミー発生対象層の配線不在領域と上下の配線層に付随した属性であるダミーパターン配置可能領域118との論理積を基にして、評価し決定する。
【0090】
図14(b)は、図14(a)で着目した配線層の上側配線層にダミーパターンを仮想的に配置した場合の、寄生容量の結合を示す模式図である。ダミーパターン119は、両隣接グリッドの空いた配線114の上側に配置されたダミーパターンである。ダミーパターン120は、片側隣接グリッドの空いた配線115の上側に配置されたダミーパターンである。ダミーパターン121は、両隣接グリッドの詰まった配線116の上側に配置されたダミーパターンである。ダミーパターン122は、幅の太い配線117の上側に配置されたダミーパターンである。
【0091】
各配線と上層の対応するダミーパターンとの間に結合する寄生容量は、一般的なキャパシタの記号で模式的に示している。なお、寄生容量の相対的な大きさを、キャパシタ記号の長さで表現している。幅の太い配線117に対応するダミーパターン122が、最も寄生容量が大きくなるが、電源配線やグランド配線を想定しているため問題とならない。両隣接グリッドの空いた配線114に対応するダミーパターン119は大きな寄生容量を持つので、本実施例において、このような配線の上下層にはダミーパターンの発生を禁止する。
【0092】
片側隣接グリッドの空いた配線115に対応するダミーパターン120は中間的な寄生容量を持つので、本実施例において、このような配線の上下層にはダミーパターンの発生を禁止する。両隣接グリッドの詰まった配線116に対応するダミーパターン121は寄生容量が小さいので、本実施例において、このような配線の上下層にはダミーパターンの発生を許可する。配線116においてダミーパターン121の寄生容量が小さくなる理由は、両隣接グリッドに配線が存在する場合、隣接配線との間に結合する寄生容量が支配的になり、ダミーパターン121との間に結合する寄生容量の比率が相対的に下がるためである。従って寄生容量による影響は相対的に無視することが可能となり、上下層にダミーパターンの発生を許可することが出来る。
【0093】
図15は、本発明の第8の実施例によるダミーパターン配置方法を示すフローチャートである。また図16乃至図21は、第8の実施例によるダミーパターン配置方法の各段階におけるレイアウトを示す平面図である。以下に、図15に示されるダミーパターン配置方法を、図16乃至図21を参照して説明する。
【0094】
まず図16は、初期配線パターンを示す図である。図16において、図14と同一の配線は同一の参照番号で参照される。
【0095】
図15のステップS1では、第1の処理として、レイアウトデータを読み込んで、配線114乃至117に対して拡幅処理を行う。拡幅量は、隣接グリッドの詰まった配線が互いに接触して隙間が潰れる量とする。このとき、隣接グリッドは空いているが2グリッド隣が詰まっている配線同士が、互いに接触して隙間が潰れる程拡幅してはならない。図17に、拡幅処理後の配線23を示す。また初期状態の配線114乃至117を参考として点線で示す。
ステップS2では、第2の処理として、拡幅後の配線パターン123に対して縮幅処理を行う。図18に示されるように、縮幅量は、片側隣接グリッドの空いた配線115の位置に縮幅後の配線パターン124が残らず、両隣接グリッドの詰まった配線116の位置に縮幅後の配線パターン124が残るような量とする。
【0096】
ステップS3で、第3の処理として、レイアウトデータを読み込んで、縮幅後の配線パターン124と元の配線114乃至117との論理和をとり、配線パターン125を生成する。図19に、論理和処理後の配線パターン125を示す。
【0097】
ステップS4で、レイアウトデータを読み込んで、着目するダミーパターン層の配線パターンを着目するダミーパターン層に配置する。ステップS5で、ダミーパターンデータを読み込んで、着目するダミーパターン層のダミーパターンを生成する。ステップS6で、ルールファイルを読み込んで、着目するダミーパターン層において、配線とダミーパターンとの最小間隔が適正であるか判断する。適正である場合には、ステップS7で、ダミーパターンを残す。適正でないダミーパターンがある場合には、ステップS8で、適正でないダミーパターンを削除する。これによりステップS9で、着目するダミーパターン層内での配線を考慮した、ダミーパターン群の配置が確定する。
【0098】
その後以下の処理において、上記論理和処理後の配線パターン125を用いて、着目するダミーパターン層の上下配線層の配線パターンを考慮したダミーパターンを生成する。
【0099】
ステップS10で、ルールファイルを読み込んで、着目ダミーパターン層の上下配線層において、着目ダミーパターン層のダミーパターンの直上或いは直下に細い配線パターンが存在するか否かチェックする。この際、上下配線層の配線パターンとしては、上記論理和処理後の配線パターン125をチェック対象として用いる。細い配線パターンが存在しない場合には、ステップS11で、ダミーパターンを残す。細い配線パターンが存在する場合には、ステップS12で、ダミーパターンを削除する。これによりステップS13で、着目するダミーパターン層に対する上下配線を考慮した、ダミーパターン群の配置が確定する。
【0100】
以上のステップS10乃至S13が第4の処理に相当し、図20に示されるように、例えば幅1μm以上の配線等の太幅配線の部位においては、着目ダミーパターン層にダミーパターン122の配置を許可し、最終的なダミーパターン122を生成する。なおその後、第5の処理として、論理和処理後の配線パターン125を元の配線114乃至117に差し替えて、最終的なレイアウトを確定する。図21は、着目ダミーパターン層の最終的なダミーパターン122とその下層の配線パターン114乃至117を示す。
【0101】
最後にステップS14で、全ダミーパターン層に対して上記処理を行った後、各配線層にて配線パターンとダミーパターンを合成し、露光処理用のマスクデータを作成する。
【0102】
なお、図16乃至図21においては図示を簡単にするために、単一の配線層のみ考慮し、その上層にダミーパターンを発生する場合について示した。実際のレイアウトにおいては、関連する複数配線層からの影響を考慮して、ダミーパターン発生対象層の配線レイアウトと、1層下の配線から上層を見込んだダミーパターン発生禁止領域と、1層上の配線から下層を見込んだダミーパターン発生禁止領域との論理和、即ち各ダミーパターン発生可能領域の論理積を考慮して、ダミーパターンを発生させる。
【0103】
上記説明した第8の実施例では、両隣接グリッドの空いた配線114の上下と、片側隣接グリッドの空いた配線115の上下は、ダミーパターン発生禁止領域としたが、寄生容量の影響が少ない場合は、片側隣接グリッドの空いた配線115の上下をダミーパターン発生可能領域としてもよい。
【0104】
以下に、本発明の第9の実施例を説明する。上述の実施例において、幅の太い配線の上下層に配線ダミーパターンの発生を認める方法では、例えばクロック配線のツリーにおける幹部分などのように、幅が太いにもかかわらず信号レベルが変化する配線に対しても、上下配線層にダミーパターンの発生を許可することになり、寄生容量による遅延が発生する場合がある。本発明の第9の実施例は、これを解決するためのものである。
【0105】
図22は、本発明の第9の実施例によるダミーパターン配置方法及び半導体集積回路を説明する図である。
【0106】
第9の実施例では、クロックツリーの上下配線層に対してダミーパターンの発生を禁止する。図22において、クロックツリーの実配線パターン131に対して、例えば1層上の配線層においてダミーパターン132が設けられる。実際のチップレイアウトにおいては当然複数配線層でツリーを構成するが、図示の簡略化のため2つの配線層のみを示す。図22に示されるように、クロックツリーの配線パターン131の部位においては、上下層においてダミーパターン132の発生が禁止される。
【0107】
図23は、本発明の第9の実施例によるダミーパターン配置方法を示すフローチャートである。
【0108】
ステップS1で、クロックツリーを生成する。ステップS2で、クロックツリーと同一形状のダミーパターン発生禁止領域を、クロックツリーの上下配線層に生成する。即ち、クロックツリーレイアウトを生成する際、CADシステムにおいて通常は実配線用のレベルコードのみを発生するのに対し、クロックツリーと同一の形状を有するパターンを生成して、ダミーパターン発生禁止領域用のレベルコードを割り当てる。
【0109】
ステップS3において、ダミーパターンを読み込んで、クロックツリーの上下配線層において、ダミーパターンを配線パターンに重ねる。ステップS4で、ルールファイルを読み込んで、クロックツリーの上下配線層において、配線パターンとダミーパターンとの最小間隔は適正か否かを判断する。適正な場合には、ステップS5で、ダミーパターンを残す。適正でないダミーパターンがある場合には、ステップS6で、適正でないダミーパターンを削除する。ステップS7で、クロックツリーの上下配線層内での配線を考慮した、ダミーパターン群の配置が確定される。
【0110】
ステップS8において、クロックツリーの上下配線層においてステップS1で生成されるダミーパターン発生禁止領域内に、ダミーパターンが位置するか否かを判断する。位置しない場合には、ステップS9で、ダミーパターンを残す。位置するダミーパターンがある場合には、ステップS10で、対応するダミーパターンを削除する。これによりステップS11で、クロックツリーの上下配線層においてクロックツリーのダミーパターン発生禁止領域を考慮した、ダミーパターン群の配置が確定する。
【0111】
最後に、ステップS12で、全配線層に対して上記処理を行った後、各配線層において配線パターンとダミーパターンとを合成し、露光処理用のマスクデータを作成する。
【0112】
図24は、本発明のダミーパターン配置方法を実行するCADシステムの構成を示す図である。
【0113】
図24に示されるように、本発明によるダミーパターン配置方法を実行する装置或いはCADシステムは、例えばパーソナルコンピュータやエンジニアリングワークステーション等のコンピュータにより実現される。図24の装置は、コンピュータ510と、コンピュータ510に接続されるディスプレイ装置520、通信装置523、及び入力装置よりなる。入力装置は、例えばキーボード521及びマウス522を含む。コンピュータ510は、CPU511、RAM512、ROM513、ハードディスク等の二次記憶装置514、可換媒体記憶装置515、及びインターフェース516を含む。
【0114】
キーボード521及びマウス522は、ユーザとのインターフェースを提供するものであり、コンピュータ510を操作するための各種コマンドや要求されたデータに対するユーザ応答等が入力される。ディスプレイ装置520は、コンピュータ510で処理された結果等を表示すると共に、コンピュータ510を操作する際にユーザとの対話を可能にするために様々なデータ表示を行う。通信装置523は、遠隔地との通信を行うためのものであり、例えばモデムやネットワークインターフェース等よりなる。
【0115】
本発明によるダミーパターン配置方法を含むCADソフトウェアは、コンピュータ510が実行可能なコンピュータプログラムとして提供される。このコンピュータプログラムは、可換媒体記憶装置515に装着可能な記憶媒体Mに記憶されており、記憶媒体Mから可換媒体記憶装置515を介して、RAM512或いは二次記憶装置514にロードされる。或いは、このコンピュータプログラムは、遠隔地にある記憶媒体(図示せず)に記憶されており、この記憶媒体から通信装置523及びインターフェース516を介して、RAM512或いは二次記憶装置514にロードされる。
【0116】
キーボード521及び/又はマウス522を介してユーザからプログラム実行指示があると、CPU511は、記憶媒体M、遠隔地記憶媒体、或いは二次記憶装置514からプログラムをRAM512にロードする。CPU511は、RAM512の空き記憶空間をワークエリアとして使用して、RAM512にロードされたプログラムを実行し、適宜ユーザと対話しながら処理を進める。なおROM513は、コンピュータ510の基本動作を制御するための制御プログラムが格納されている。
【0117】
上記コンピュータプログラムを実行することで、上記各実施例で説明されたように、ダミーパターン配置方法を実行する。またこの計算機環境が、CADシステムである。
【0118】
以上、本発明を実施例に基づいて説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で様々な変形が可能である。
【0119】
なお本発明は、以下の内容を含むものである。
【0120】
(付記1)半導体基板上に設けられた複数の層と、該複数の層の任意の1層である第1の層に設けられる配線と、該第1の層とは異なる第2の層に設けられ該配線の位置と重なる平面上の位置を避けて配置される配線ダミーを含むことを特徴とする半導体集積回路。
【0121】
(付記2)該第1の層は該第2の層の上下何れかに隣接する層であることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路。
【0122】
(付記3)該配線は電源配線を除く信号配線であることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路。
【0123】
(付記4)該配線ダミーは該第1の層に設けられる電源配線の位置と重なる平面上の位置にも配置されることを特徴とする付記3記載の半導体集積回路。
【0124】
(付記5)該信号配線は所定の配線幅以下の配線であり該電源配線は該所定の幅以上の配線であることを特徴とする付記4記載の半導体集積回路。
【0125】
(付記6)該配線ダミーはポリシリコン或いは拡散層の位置と重なる平面上の位置を避けるように配置されることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路。
【0126】
(付記7)配線層と、
該配線層に配置される配線と、
該配線層に配置される複数種類の異なるサイズのダミーパターン
を含むことを特徴とする半導体集積回路。
【0127】
(付記8)該複数種類の異なるサイズのダミーパターンはそれぞれ異なるパターン間隔で配置されることを特徴とする付記7記載の半導体集積回路。
【0128】
(付記9)配線層と、
該配線層に配置される配線と、
該配線層に配置され該配線のパターンに応じ異なる形状を有するダミーパターン
を含むことを特徴とする半導体集積回路。
【0129】
(付記10)積層される複数の配線層と、
該複数の配線層のうち第1の配線層に所定の間隔を最小間隔として配置され、該所定の間隔だけ離れて配線が両側に存在する第1の配線と、該所定の間隔だけ離れた位置には両側において配線が存在しない第2の配線とを含む複数の配線と、
該第1の配線層の1つ上又は下にある第2の配線層において、該第1の配線の位置に対応する位置に配置されると共に、該第2の配線の位置に対応する位置には配置されないダミーパターン
を含むことを特徴とする半導体集積回路。
【0130】
(付記11)該複数の配線は該所定の間隔だけ離れて配線が片側にのみ存在する第3の配線を含み、該第2の配線層において該ダミーパターンは該第3の配線の位置に対応する位置にも配置されることを特徴とする付記10記載の半導体集積回路。
【0131】
(付記12)該複数の配線は該所定の間隔だけ離れて配線が片側にのみ存在する第3の配線を含み、該第2の配線層において該ダミーパターンは該第3の配線の位置に対応する位置に配置されないことを特徴とする付記10記載の半導体集積回路。
【0132】
(付記13)積層される複数の配線層と、
該複数の配線層のうち第1の配線層に配置され、所定幅未満の第1の配線と、該所定幅以上であり電源電位を伝達する第2の配線と、該所定幅以上でありクロック信号を伝達する第3の配線とを含む複数の配線と、
該第1の配線層の1つ上又は下にある第2の配線層において、該第2の配線の位置に対応する位置に配置されると共に、該第3の配線の位置に対応する位置には配置されないダミーパターン
を含むことを特徴とする半導体集積回路。
【0133】
(付記14)複数の異なるサイズを有するパターンがそれぞれ縦横に配置された複数のダミーパターンを提供し、
該複数のダミーパターンをサイズの大きいものから配線レイアウト上に順に配置する
各段階を有することを特徴とするダミーパターン配置方法。
【0134】
(付記15)第1の間隔と該第1の間隔より広い第2の間隔を含む複数の間隔で配置されるダミーパターンを提供し、
該ダミーパターンを配線レイアウト上に配置し、
該ダミーパターンのサイズを拡大することで該第1の間隔で隣接するダミーパターン同士を併合し、
該併合されたダミーパターンのサイズを縮小する
各段階を含むことを特徴とするダミーパターン配置方法。
【0135】
(付記16)積層される複数の配線層のうち第1の配線層に所定の間隔を最小間隔として配置される第1の配線パターンを拡幅することにより該所定間隔で隣接する配線パターン同士を併合し、
併合された配線パターンを含む該拡幅された配線パターンを縮幅し、
該縮幅された配線パターンと拡幅される前の該第1の配線パターンとを重ねあわせることで第2の配線パターンを生成し、
該第1の配線層の1つ上又は下にある第2の配線層において、該第2の配線パターンにおける該縮幅された配線パターンの位置に対応する位置にダミーパターンを配置する
各段階を含むことを特徴とするダミーパターン配置方法。
【0136】
【発明の効果】
本発明による半導体集積回路では、異なる層に通常配線と配線ダミーとが配置される際に、通常配線の位置と重なる平面上の位置を避けて配線ダミーを配置する。これによって、異なる層に配置される通常配線と配線ダミーとの間の容量を削減することが可能となり、回路設計等におけるシミュレーションの精度を向上させることが出来る。
【0137】
また上記半導体集積回路において、通常配線が電源配線の場合には、配線ダミーは電源配線の位置と重なる平面上の位置に配置可能であることを特徴とする。このように、カップリング容量の影響の無い電源配線に対しては配線ダミーの配置制限を設けないようにすることで、上下層に存在する通常配線の影響によって配線ダミーの配置数が極端に減り、配線ダミーによって配線密度を一様にするという本来の目的が損なわれることを避けることが出来る。
【0138】
また上記半導体集積回路において、配線ダミーはポリシリコン或いは拡散層の位置と重なる平面上の位置を避けるように配置されることを特徴とする。これによって、カップリング容量の影響を受けるポリシリコン又は拡散層と配線ダミーとの間の容量を削減することが可能となり、回路設計等におけるシミュレーションの精度を向上させることが出来る。
【0139】
更に、本発明によれば、複数サイズのダミーパターンを利用することにより、ダミーパターン近傍においてパターン面積占有率の制御可能範囲を広げると共に、狭い隙間にも小さなダミーパターンを挿入してダミー発生効率を向上させることが出来る。この結果、適正なレジストパターン面積比を達成することが出来る。
【0140】
更に、隣接配線との結合容量が支配的な密配線部を選択的に抽出して、その上下にダミーパターンを発生可能とすることで、寄生容量の影響を極力抑えながら、適正なダミーパターンの面積占有率を確保することが出来る。
【0141】
更に、クロックツリーの上下にはダミーパターンの発生を禁止することで、ダミーパターン面積占有率確保のために太幅配線の上下にダミーパターンの発生を許可している場合であっても、高速な電位変動を伴うクロックツリーのみ選択的に除外し、クロック信号に対する寄生容量の影響を削減することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】配線ダミーにより配線密度が一定となるように構成される半導体集積回路の一部を示す平面図である。
【図2】配線ダミーによる容量の生成を説明するための図である。
【図3】配線ダミーによる容量の影響を説明するための図である。
【図4】本発明の第1の実施例による半導体集積回路の一部を示す図である。
【図5】本発明の第2の実施例による半導体集積回路の一部を示す図である。
【図6】本発明の第3の実施例による半導体集積回路の一部を示す図である。
【図7】本発明の第4の実施例による半導体集積回路の一部を示す図である。
【図8】本発明の第5の実施例による半導体集積回路の一部を示す図である。
【図9】本発明の第6の実施例によるダミーパターン配置方法及び半導体集積回路を説明するための配線レイアウトの平面図である。
【図10】従来の単一ダミーサイズ方式によるパターン配置を示す配線レイアウトの平面図である。
【図11】本発明の第6の実施例によるダミーパターン配置方法を示すフローチャートである。
【図12】本発明の第7の実施例によるダミーパターン配置方法及び半導体集積回路を説明するための図である。
【図13】本発明の第7の実施例によるダミーパターン配置方法を示すフローチャートである。
【図14】本発明の第8の実施例によるダミーパターン配置可能領域を示すLSI断面図である。
【図15】本発明の第8の実施例によるダミーパターン配置方法を示すフローチャートである。
【図16】第8の実施例によるダミーパターン配置方法の一段階におけるレイアウトを示す平面図である。
【図17】第8の実施例によるダミーパターン配置方法の一段階におけるレイアウトを示す平面図である。
【図18】第8の実施例によるダミーパターン配置方法の一段階におけるレイアウトを示す平面図である。
【図19】第8の実施例によるダミーパターン配置方法の一段階におけるレイアウトを示す平面図である。
【図20】第8の実施例によるダミーパターン配置方法の一段階におけるレイアウトを示す平面図である。
【図21】第8の実施例によるダミーパターン配置方法の一段階におけるレイアウトを示す平面図である。
【図22】本発明の第9の実施例によるダミーパターン配置方法及び半導体集積回路を説明する図である。
【図23】本発明の第9の実施例によるダミーパターン配置方法を示すフローチャートである。
【図24】本発明のダミーパターン配置方法を実行するCADシステムの構成を示す図である。
【符号の説明】
10、11、12 通常配線
13 配線ダミー
30 ポリシリコン又は拡散層
510 コンピュータ
511 CPU
512 RAM
513 ROM
514 二次記憶装置
515 可換媒体記憶装置
516 インターフェース
520 ディスプレイ装置
521 キーボード
522 マウス
523 通信装置
Claims (3)
- 積層される複数の配線層と、該複数の配線層のうち第1の配線層に所定の間隔を最小間隔として配置され、該所定の間隔だけ離れて配線が両側に存在する第1の配線と、該所定の間隔だけ離れた位置には両側において配線が存在しない第2の配線とを含む複数の配線と、該第1の配線層の1つ上又は下にある第2の配線層において、該第1の配線の位置に対応する位置に配置されると共に、該第2の配線の位置に対応する位置には配置されないダミーパターンを含むことを特徴とする半導体集積回路。
- 該複数の配線は該所定の間隔だけ離れて配線が片側にのみ存在する第3の配線を含み、該第2の配線層において該ダミーパターンは該第3の配線の位置に対応する位置にも配置されることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 該複数の配線は該所定の間隔だけ離れて配線が片側にのみ存在する第3の配線を含み、該第2の配線層において該ダミーパターンは該第3の配線の位置に対応する位置に配置されないことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
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JP2002368088A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Fujitsu Ltd | ダミーパターン発生工程とlcr抽出工程とを有するlsi設計方法及びそれを行うコンピュータプログラム |
JP2003273221A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Fujitsu Ltd | 配線の遅延調整を可能にする集積回路のレイアウト方法及びそのプログラム |
JP2003324149A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Nec Electronics Corp | ダミーパターンの自動発生方法 |
US6998653B2 (en) * | 2002-05-29 | 2006-02-14 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
JP4198502B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2008-12-17 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | パターン発生方法 |
US7007259B2 (en) * | 2003-07-31 | 2006-02-28 | Lsi Logic Corporation | Method for providing clock-net aware dummy metal using dummy regions |
US7260803B2 (en) * | 2003-10-10 | 2007-08-21 | Lsi Corporation | Incremental dummy metal insertions |
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JP4164056B2 (ja) * | 2004-09-15 | 2008-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の設計方法及び半導体装置 |
US7091614B2 (en) * | 2004-11-05 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuit design for routing an electrical connection |
JP4799858B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2011-10-26 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体集積回路の自動設計方法 |
US7701034B2 (en) * | 2005-01-21 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dummy patterns in integrated circuit fabrication |
CN100481347C (zh) | 2005-03-11 | 2009-04-22 | 松下电器产业株式会社 | 半导体集成电路 |
KR100730282B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2007-06-19 | 삼성전자주식회사 | 패턴 밀도 조절 방법 |
JP5253759B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2013-07-31 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 配線プログラム、配線方法、および配線装置 |
US7739648B2 (en) * | 2007-02-12 | 2010-06-15 | International Business Machines Corporation | Formation of masks/reticles having dummy features |
JP2008258425A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 標準セルおよびこれを有する半導体装置 |
JP2008270276A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Nec Electronics Corp | ダミーパターン配置装置、ダミーパターンの配置方法、及び半導体装置 |
JP2009049107A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Nec Electronics Corp | ダミーパターンの配置装置及びその配置方法、プログラム、並びに半導体装置 |
JP5332295B2 (ja) * | 2008-04-30 | 2013-11-06 | 富士通株式会社 | ダミーメタル挿入処理プログラム、方法及び装置 |
JP2010016044A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Toshiba Corp | 設計レイアウトデータ作成方法および半導体装置の製造方法 |
TWI384603B (zh) * | 2009-02-17 | 2013-02-01 | Advanced Semiconductor Eng | 基板結構及應用其之封裝結構 |
US20100270061A1 (en) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | Qualcomm Incorporated | Floating Metal Elements in a Package Substrate |
US8843869B1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-23 | Globalfoundries Inc. | Via insertion in integrated circuit (IC) designs |
US10043767B2 (en) | 2013-10-24 | 2018-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Semiconductor device including dummy conductive cells |
US9330224B2 (en) * | 2014-04-30 | 2016-05-03 | Oracle International Corporation | Method and apparatus for dummy cell placement management |
WO2016198965A1 (en) * | 2015-06-10 | 2016-12-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistance change memory |
CN106340540B (zh) * | 2015-07-07 | 2020-09-01 | 联华电子股份有限公司 | 半导体元件及填补图案的方法 |
TWI664546B (zh) * | 2018-06-21 | 2019-07-01 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 時脈樹合成方法 |
CN111259613B (zh) * | 2018-11-14 | 2023-08-15 | 华邦电子股份有限公司 | 电子装置及集成电路的布局方法 |
Family Cites Families (14)
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---|---|---|---|---|
DE3902693C2 (de) * | 1988-01-30 | 1995-11-30 | Toshiba Kawasaki Kk | Mehrebenenverdrahtung für eine integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung von Mehrebenenverdrahtungen für integrierte Halbleiterschaltungsanordnungen |
KR930008894B1 (ko) * | 1991-09-19 | 1993-09-16 | 삼성전자 주식회사 | 반도체장치의 금속배선구조 |
JP3118899B2 (ja) * | 1991-10-01 | 2000-12-18 | 日本電気株式会社 | アライメントチェックパターン |
JP2988075B2 (ja) * | 1991-10-19 | 1999-12-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US5441915A (en) * | 1992-09-01 | 1995-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Process of fabrication planarized metallurgy structure for a semiconductor device |
US5589706A (en) * | 1995-05-31 | 1996-12-31 | International Business Machines Corp. | Fuse link structures through the addition of dummy structures |
TW388912B (en) | 1996-04-22 | 2000-05-01 | Toshiba Corp | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JPH1027799A (ja) | 1996-04-22 | 1998-01-27 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US5733798A (en) * | 1996-06-05 | 1998-03-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Mask generation technique for producing an integrated circuit with optimal polysilicon interconnect layout for achieving global planarization |
JP3614619B2 (ja) * | 1997-07-16 | 2005-01-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン設計方法及びパターン設計装置 |
US6020616A (en) * | 1998-03-31 | 2000-02-01 | Vlsi Technology, Inc. | Automated design of on-chip capacitive structures for suppressing inductive noise |
KR100319883B1 (ko) * | 1999-03-16 | 2002-01-10 | 윤종용 | 패드 주위에 더미 패턴을 구비한 반도체소자 |
US6396158B1 (en) * | 1999-06-29 | 2002-05-28 | Motorola Inc. | Semiconductor device and a process for designing a mask |
JP2001077543A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Fujitsu Ltd | 多層配線基板 |
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