JP2008270276A - ダミーパターン配置装置、ダミーパターンの配置方法、及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1軸線に沿って延在する第1配線パターン及び第2配線パターンが配置された第1領域にダミーパターンを配置するダミーパターン配置装置50であって、第1配線パターンと第2配線パターンとの間に、第1配線パターン及び第2配線パターンと離間して、第2軸線に沿って延在するダミーパターンを配置するパターン配置部54と、配置されたダミーパターンの第1端部を加工し、第1配線パターン側に第1ダミーランドを配置するパターン加工部と56と、を備える。
【選択図】 図1
Description
図1乃至図4を用いて、第1の実施の形態について説明する。図1に、ダミーパターン配置装置の概略構成を示すブロック図を示す。図2に、ダミーパターン配置工程後の配線領域(第1領域)10Aを示す。図3にダミーパターンの配置工程のフローを示す。図4に、パターン加工の前後の状態を示す説明図を示す。なお、ダミーパターンを配置する工程は、コンピュータを用いて実行される。
図5、図6を用いて、第2の実施の形態について説明する。図5に、配線領域10Bを示す。図6に本実施形態にかかるダミーパターンの配置工程のフローを示す。
図7〜図12を用いて、第3の実施の形態について説明する。図7に、本実施形態にかかる半導体装置SD1の概略斜視図を示す。図8に、配線領域10A(第1の実施の形態参照)に配線領域10Cのパターンを重ね合わせた構成図を示す。図9に、配線領域10Cのパターンを示す。なお、配線領域10Cは、配線領域10Aが形成される配線層の上層の配線層に形成される配線領域である。図10に積層方向に形成される容量についての説明図を示す。図11に、第3の実施の形態にかかるダミーパターンの配置工程のフローを示す。図12に、S8(図11参照)後のパターンについての説明図を示す。
図13〜図17を用いて、第3の実施の形態について説明する。図13に、本実施形態にかかる半導体装置SD2の概略斜視図を示す。図14に、配線領域10Dのパターンに重ね合わされた配線領域10A(第1の実施の形態参照)の構成図を示す。図15に、配線領域10Dのパターンを示す。なお、配線領域10Dは、配線領域10Aが形成される配線層の下層の配線層の配線領域である。図16に積層方向に形成される容量についての説明図を示す。図17に、第3の実施の形態にかかるダミーパターンの配置工程のフローを示す。
51 記憶部
52 処理部
53 データ率検証部
54 パターン配置部
55 パターン検索部
56 パターン加工部
10A 配線領域
11a〜11j 配線パターン
12a〜12f ダミーパターン
13a〜13f ダミーランド
14a〜14f ダミーランド
15a〜15f ダミーランド
Claims (28)
- 第1軸線に沿って延在する第1配線パターン及び第2配線パターンが配置された第1領域にダミーパターンを配置するダミーパターン配置装置であって、
前記第1配線パターンと前記第2配線パターンとの間に、前記第1配線パターン及び前記第2配線パターンと離間して、第2軸線に沿って延在するダミーパターンを配置するパターン配置部と、
配置された前記ダミーパターンの第1端部を加工し、前記第1配線パターン側に第1ダミーランドを配置するパターン加工部と、を備えるダミーパターン配置装置。 - 前記パターン加工部は、前記第1領域に配置された前記ダミーパターンの第2端部も加工し、前記第2配線パターン側に第2ダミーランドを配置することを特徴とする請求項1記載のダミーパターン配置装置。
- 前記パターン加工部は、前記第2軸線に沿う前記第1ダミーランドの幅が、前記第2軸線に沿う前記第1ダミーランドを除いた前記ダミーパターンの幅よりも狭くなるように前記ダミーパターンの前記第1端部を加工することを特徴とする請求項1記載のダミーパターン配置装置。
- 前記パターン加工部は、前記ダミーパターンの第1端部を特定する座標情報、予め設定された前記第1ダミーランドの面積情報を利用して、前記第1配線パターン側に前記第1ダミーランドが配置されるように前記ダミーパターンの前記第1端部を加工することを特徴とする請求項1記載のダミーパターン配置装置。
- 予め設定された前記第1ダミーランドの面積情報は、配線ルールの最小パターン面積と一致することを特徴とする請求項4記載のダミーパターン配置装置。
- 前記パターン加工部は、前記第1ダミーランドを加工し、前記第1ダミーランドの隣に第3ダミーランドを配置することを特徴とする請求項1記載のダミーパターン配置装置。
- パターンの配置情報を取得するパターン検索部と、を更に備え、
前記パターン配置部は、前記パターン検索部によって特定された前記第1領域に重ね合わされる第2領域の配線パターンの配置情報に基づいて、前記第2領域の前記配線パターンと重ならないように前記ダミーパターンを前記第1領域に配置することを特徴とする請求項1記載のダミーパターン配置装置。 - 前記第2領域は、前記第1領域が形成される配線層の直上の配線層又は直下の配線層に形成されることを特徴とする請求項7記載のダミーパターン配置装置。
- コンピュータを用いたダミーパターンの配置方法であって、
第1軸線に沿って延在する第1配線パターン及び第2配線パターンが第1領域に配置された配置データを読み込み、
前記第1及び前記第2配線パターンと離間するように、第2軸線に沿って延在するダミーパターンを前記第1領域に配置し、
前記第1領域に配置された前記ダミーパターンの第1端部を加工し、前記第1配線パターン側に第1ダミーランドを配置する、ダミーパターン配置方法。 - 前記第1領域に配置された前記ダミーパターンの第2端部を加工し、前記第2配線パターン側に第2ダミーランドを配置する、請求項9記載のダミーパターン配置方法。
- 複数の前記ダミーパターンを前記第1領域に配置し、
前記第1領域に配置された複数の前記ダミーパターンの前記第1端部を加工し、前記第1配線パターン側に複数の前記第1ダミーランドを配置することを特徴とする請求項9記載のダミーパターン配置方法。 - 前記第1領域に配置された複数の前記ダミーパターンの前記第2端部を加工し、前記第2配線パターン側に複数の前記第2ダミーランドを配置することを特徴とする請求項10記載のダミーパターン配置方法。
- 前記第2軸線に沿う前記第1ダミーランドの幅は、前記第2軸線に沿う前記第1ダミーランドを除いた前記ダミーパターンの幅よりも狭いことを特徴とする請求項9記載のダミーパターン配置方法。
- 前記第1ダミーランドの端部を加工し、前記第1ダミーランドの隣に第3ダミーランドを配置することを特徴とする請求項9記載のダミーパターン配置方法。
- 前記第1領域に重ね合わされる第2領域の配線パターンの配置位置を確認し、
前記第2領域の前記配線パターンと重ならないように前記ダミーパターンを前記第1領域に配置する、請求項9記載のダミーパターン配置方法。 - 前記第2領域は、前記第1領域が形成される配線層の直上の配線層又は直下の配線層に形成されることを特徴とする請求項15記載のダミーパターン配置方法。
- 前記第1領域に重ね合わされる第2領域の配線パターンの配置位置を確認し、
前記第1領域に重ね合わされる第3領域の配線パターンの配置位置を確認し、
前記第2領域の前記配線パターン及び前記第3領域の前記配線パターンと重ならないように、前記ダミーパターンを前記第1領域に配置する、請求項9記載のダミーパターン配置方法。 - 前記第2領域は、前記第1領域が形成される配線層の直上の配線層に形成され、
前記第3領域は、前記第1領域が形成される配線層の直下の配線層に形成されることを特徴とする請求項17記載のダミーパターン配置方法。 - 前記第1領域におけるパターンの占有率を確認し、
確認した占有率が所定の占有率より低いとき、前記第2領域の前記配線パターンと重なるように、前記第2領域の前記配線パターンのパターン幅に対して幅狭のダミーパターンを前記第1領域に配置する、請求項15記載のダミーパターン配置方法。 - 前記第1軸線と前記第2軸線とは実質的に直交する関係にあることを特徴とする請求項9記載のダミーパターン配置方法。
- 積層される配線層の主面に一致する第1領域及び第2領域を備える半導体装置であって、
前記第1領域に配置され、第1軸線に沿って延在する第1配線パターン及び第2配線パターンと、
前記第2領域に配置された配線パターンと、
前記第2領域に配置された前記配線パターンと重ならないように、かつ前記第1配線パターン及び前記第2配線パターンと離間して前記第1領域に配置されるとともに、前記第1配線パターン側に配置されたダミーランドを含む、第2軸線に沿って延在するダミーパターンと、
を備える半導体装置。 - 複数の前記ダミーパターンを備え、
前記第1配線パターンの隣には、複数の前記ダミーランドが配置されることを特徴とする請求項21記載の半導体装置。 - 前記第1領域は、前記第2領域が形成された配線層の下層の配線層に形成されることを特徴とする請求項21記載の半導体装置。
- 前記第1領域上に配置される第3領域をさらに備え、
前記ダミーパターンは、前記第3領域の配線パターンとも重ならないように配置されることを特徴とする請求項21記載の半導体装置。 - 前記第2領域に配置された配線パターンのパターン長よりも短いパターン長のダミーパターンが、前記第2領域に配置された配線パターンと重なるように前記第1領域に配置されていることを特徴とする請求項21記載の半導体装置。
- 前記第1軸線と前記第2軸線とは実質的に直交する関係にあることを特徴とする請求項21記載の半導体装置。
- 互いに離間する複数の配線パターンが配置された第1領域にダミーパターンを配置するダミーパターン配置装置であって、
前記第1領域の上又は下の第2領域に配置された配線パターンの配置情報を取得するパターン検索部と、
前記パターン検索部により特定された前記第2領域の前記配線パターンと重ならないようにダミーパターンを前記第1領域に配置するパターン配置部と、
前記パターン配置部により前記第1領域に配置された前記ダミーパターンの第1端部を加工し、前記第1配線パターン側に第1ダミーランドを配置するパターン加工部と、を備えるダミーパターン配置装置。 - コンピュータを用いてダミーパターンを配置する方法であって、
複数の配線パターンが第1領域に配置された配置データを読み込み、
前記第1領域の上又は下の第2領域に配置された配線パターンの配置情報を確認し、
前記第1領域の複数の前記配線パターンと離間し、かつ前記第2領域の前記配線パターンと重ならないようにダミーパターンを前記第1領域に配置する、ダミーパターンの配置方法。
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