JP2009111117A - 半導体集積回路のレイアウト方法、半導体集積回路設計支援装置およびプログラム - Google Patents

半導体集積回路のレイアウト方法、半導体集積回路設計支援装置およびプログラム Download PDF

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    • G06F30/39Circuit design at the physical level
    • G06F30/394Routing

Abstract

【課題】ハードマクロが、その上層の配線から受ける影響を最小限に抑え、ハードマクロ上を効率的に使った配線を実現する。
【解決手段】半導体集積回路(28)のレイアウトを、以下の方法で実行する。まず、記憶部(6)から半導体集積回路(28)の回路情報(32)を読み込む。そして、予めハードマクロ(21)(31)に設定された配線配置可能方向条件を読み込んで、ハードマクロ(21)(31)上の所定の領域において配置が可能な配線の方向条件を決定する。そのうえで、回路情報(32)と方向条件とに基づいて配線処理を行う。この配線処理は、ハードマクロ(21)(31)上を配置する配線のうち、方向条件を満たす配線を配置する。
【選択図】図5B

Description

本発明は、半導体集積回路のレイアウト方法、半導体集積回路設計支援装置およびプログラムに関し、特に、多層配線を有する半導体集積回路のレイアウト方法、半導体集積回路設計支援装置およびプログラムに関する。
大規模回路を設計する場合、回路をいくつかのブロックに分け、それらのブロック毎に機能単位で設計や動作確認を行う手法が用いられる(階層設計)。このブロックをマクロと呼ぶ。マクロにはソフトマクロとハードマクロがある。
ソフトマクロとは、素子間の接続情報(ネットリスト)のみで構成されるマクロであり、チップ上におけるレイアウト情報は含まれない。すなわち、実際のチップ上での配置や配線は柔軟に行え、使用条件によるカスタマイズも容易である。しかしソフトマクロには配置配線情報が含まれないため、レイアウト後に性能確認の必要がある。
ハードマクロとは、素子間の接続情報(ネットリスト)の他に、チップ上におけるレイアウト情報を含むマクロである。ハードマクロのレイアウトはチップ上のレイアウト前に終了しているため、チップレイアウト前にスペック保証がされている。また、ハードマクロはマクロ毎に最適化されている。そのためソフトマクロで同一の機能を構成する場合に比べて優れた特性を持つ。しかし、マクロの形が固定であるため、チップ上のレイアウトにおいて自由度が低い。ハードマクロの上に施される配線は、ハードマクロで何層目までの配線層が使用されているかに依存している。レイアウト設計を行なう場合、例えば、ハードマクロがN層目まで配線が施されているときには、そのN層目に配線を設けることを禁止している。更に、ハードマクロ内で使用している配線層より上層に配線の配置を禁止する場合がある。これはハードマクロ内の配線がチップレベル配線(チップを階層的に設計する際のトップ階層で接続する配線)からクロストークによる影響を受けないようにする為である。
レイアウト設計では、そのハードマクロ上における配線を禁止する層の情報と、禁止する領域の情報とに基づいてチップレベル配線を決定する。この場合、並走配線、直交配線の双方とも禁止され、禁止領域を迂回することでチップレベル配線の配置が決定する。半導体集積回路の製造におけるコストを削減する為、チップ内にハードマクロを効率的に配置し、配線のみに必要な面積を少しでも小さくすることが求められている。そのため、チップサイズを可能な限り小さくすることは必要不可欠である。ハードマクロを用いた階層設計レイアウトにおける配線の設計に関する技術が知られている(例えば、特許文献1〜5参照。)。
図1は、特許文献1(特開平10−270561号公報)に記載の半導体集積回路の構成を示す平面図である。特許文献1には、1チップ111が、1層からN層(Nは2以上の整数)までの配線層を備え、ブロック112が、そのN層の配線層を使用しているときに、ブロック112の周辺の空きスペースに応じて、N−1層までの配線を使用したN−1配線済ブロック114を作成する技術が記載されている。特許文献1の1チップ111は、N−1層の配線層を使用したN−1配線済ブロック114を配置することにより、N−1配線済ブロック114の上のN層目に配線を配置させている。特許文献1に記載の技術は、配線がN−1配線済ブロック114を迂回することがないので、配線距離を短縮化でき、1チップの面積を縮小することができる。
特許文献1の1チップ111を設計する場合、ブロック112がN層まで使用して形成されているものとしてフロアプラン見積りを行う。その後、周辺に必要以上に空きスペースが存在するハードマクロを見極め、そのハードマクロを、N−1層まで使用するハードマクロ(N−1配線済ブロック114)に再構成する。
再構成されたハードマクロは、周辺の空きスペースを使って面積が拡張する。つまり、N−1層以下の配線層のみを使用するハードマクロに変更する。N−1配線済ブロック114は、面積は大きくなるが、ハードマクロで使用する配線層は1層少なくなる。
N配線済ブロック112bとN配線済ブロック112cとの間に配置される配線(ブロック間配線113)は、N−1層で構成されたN−1配線済ブロック114の上、N層配線を使用することができる。
図2は、特許文献2(特開2002−368106号公報)に記載の半導体集積回路の構成を示す平面図である。特許文献2に記載の技術は、ハードマクロ上を配置する配線の設計方法で、ハードマクロ内の配線パターンを認識し、配置方向を決め、配線配置させる方法を提案している。半導体装置201には、3つのハードマクロ(ハードマクロ202a、ハードマクロ202bおよびハードマクロ202c)が配置されている。また、それらのハードマクロの周囲には、配線領域205が設けられている。また、半導体装置201には、チップ外部と電気信号を入出力する為の電極パッド(電極パッド204a電極パッド204b)が周辺部に配置されている。電極パッド204aは、ハードマクロ202aに接続され、電極パッド204bは、ハードマクロ202bに接続されている。特許文献2におけるハードマクロ202cは、メモリセルが複数個配置されている。
図3は、図2に示す平面図の一部分を拡大した図である。ハードマクロ内にはビット線(ビット線パターン206a、ビット線パターン206b)と、ワード線(ワード線207)が配線されている。ワード線207は、ビット線パターン206aおよびビット線パターン206bに直角に配置されている。また、信号配線203a(または信号配線203b)は、ワード線207の平行に配置されている。
特許文献2に記載の技術において、半導体装置201を設計する方法は、ハードマクロのビット線パターンを認識する工程と、認識された情報に基づいて、ハードマクロ上を配置する信号配線方法を決定する工程、決定した情報に基づきハードマクロ上に信号配線を配置する工程とを備えている。ハードマクロ202cの上を配置する信号配線方法を決定する工程では、認識したハードマクロのビット線パターンと垂直になるように決定する。信号配線203a(または、信号配線203b)をビット線と垂直に配線することにより、ビット線と1チップ配線の重なり(重なり部分223a,重なり部分223b)を小さくし、1チップ配線のビット線への影響を小さくしている。
ハードマクロ202cの上に配線を配置する工程においては、ハードマクロ内のビット線パターン(ビット線パターン206a、ビット線パターン206b)を認識し、ハードマクロ202cの上に配置できる信号配線方法(領域、方向(III))を決定する。そして、その決定した方法に従い、1チップの信号線をマクロ上に配置する。電極パッド204aとハードマクロ202aとを接続する信号配線203aと、電極パッド204bとハードマクロ202bとを接続する信号配線203bも、その決定した方法に従い、ハードマクロ202cのビット線パターンと垂直になる方向に配置される。
また、特許文献3(特開2001−230327号公報)には、ブロック内配線と通過配線とが直交している半導体装置が開示されている。また、特許文献4(特開平5−151313号公報)には、セル列間配線が垂直方向に配置され、通過配線が水平方向に配置されている半導体装置が開示されている。また、特許文献5(特開平10−214903号公報)には、ゲートポリシリ配線が縦方向に配置され、通過配線が横方向に配置されている半導体装置が開示されている。
特開平10−270561号公報 特開2002−368106号公報 特開2001−230327号公報 特開平5−151313号公報 特開平10−214903号公報
特許文献1に記載の技術では、N−1層配線でハードマクロを構成し、チップレベルでN層配線を配置可能としている。この場合に、チップレベルN層配線がハードマクロ内のN−1層以下の配線に与える影響が考慮されていない。ハードマクロ内で、N−1層配線が長く配線されていて、チップレベルN層配線がその直上または直上配線から最小配線間隔離れたところを並走している場合、ハードマクロ内N−1層配線とチップレベルN層配線間にカップリング容量が大きくなり、クロストークの影響を大きく受ける。例えば、一方の配線で信号変化が起きた場合、カップリング容量を介してもう一方の配線に本来起こらない信号変化が起こり、ハードマクロ内の特性、機能が保障できなくなる場合がある。
ハードマクロにおけるクロストークによる影響は、チップレベル配線が、マクロ内配線の直上、または、直上配線から最小配線間隔離れたところに平行に配置されている場合に大きくなる。チップレベル配線が、マクロ内配線に直交している場合には、ハードマクロにおけるクロストークによる影響は小さくなる。
特許文献2に記載の技術では、チップレベル配線でハードマクロ上に配置される配線の配置領域、配置方向は、ハードマクロの信号配線を認識し決定している。このとき、1つ1つの信号配線について配線層、配線形状の情報を抽出する工程と、抽出した情報から配置可能な配線層、配置方向を決定する工程が必要である。したがって、特許文献2に記載の技術では、ハードマクロ内の信号配線が多くなると、処理時間が多大になる。
以下に、[発明を実施するための最良の形態]で使用される番号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、[特許請求の範囲]の記載と[発明を実施するための最良の形態]との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、[特許請求の範囲]に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
上記の課題を解決するために、コンピュータ(1)(10)によるハードマクロ(21)(31)を有する半導体集積回路(28)のレイアウトを、以下の方法で実行する。その方法は、
記憶部(6)から前記半導体集積回路(28)の回路情報(32)を読み込むステップと、
予め前記ハードマクロ(21)(31)に設定された配線配置可能方向条件を読み込んで、前記ハードマクロ(21)(31)上の所定の領域において配置が可能な配線の方向条件を決定するステップと、
前記回路情報(32)と前記方向条件とに基づいて配線処理を行うステップとを含んでいることが好ましい。そして、前記配線処理を行うステップは、
前記ハードマクロ(21)(31)上を配置する配線のうち、前記方向条件を満たす配線を配置するステップを含むことが好ましい。
ハードマクロ上の配線配置の制限に関する情報(配置制限情報)に配線層、領域に加え配線配置可能方向の情報を持たせている。上記の動作によって、配線配置可能方向は、ハードマクロの配線と直交する方向と決定する。
ハードマクロの上に配置されるN層配線は、その下のN−1層配線と直交する方向であり、直上または直上から最小配線間隔離れたところを並走するN層配線はなくすことができる。これによりハードマクロ内の配線とチップの配線間のクロストークによる特性悪化を防ぎ、機能を保障することが可能である。
本発明によると、ハードマクロが、その上層の配線から受ける影響を最小限に抑え、ハードマクロ上を効率的に使った配線を実現することが可能である。
また、N−1層までを使用したハードマクロ上のN層配線配置が配置制限情報により、配置可能方向が制限されるので、直上または直上配線から最小配線間隔離れたところを並走する配線を禁止することができる。
[第1実施形態]
以下に、図面を参照して本発明を実施するための形態について説明を行う。なお、以下の実施形態は、半導体集積回路のレイアウト設計に関するものであり、特にハードマクロ上の配線の配置に関するものである。本実施形態のハードマクロとは、チップを階層的に設計するのに先立って、機能マクロ単位でレイアウトを完了したものである。レイアウト設計におけるハードマクロ情報は、入出力端子情報と大きさ(枠)情報を持っている。一般的なレイアウト設計では、幾つかの機能マクロをハードマクロ化して扱い、配置、配線を行っており、本実施形態もそれに倣っている。
図4は、本実施形態の半導体設計支援装置10の構成を例示するブロックである。半導体設計支援装置10は、情報処理装置1と、入力装置2と、出力装置3とを含んでいる。
情報処理装置1は、プログラムに示される手順に従って、情報処理を高速に行う装置(コンピュータ)である。情報処理装置1は、入力、記憶、演算、制御および出力の5つの基本機能を備えている。入力装置2は、情報処理装置1にデータを入力するマンマシンインターフェースである。入力装置2の代表としては、例えば、キーボード、マウス、ペンタブレット、タッチパネルなどが例示される。出力装置3は、情報処理装置1の処理結果を外部に出力するマンマシンインターフェースである。出力装置3の代表として、ディスプレイやプリンタなどが例示される。情報処理装置1は、CPU4と、RAM5と、大容量記憶装置6を備え、それらはバス7を介して接続されている。
CPU4は、中央演算処理装置とも呼ばれ、情報処理装置1に備えられた各種装置の制御やデータの処理を行う。CPU4は、入力装置2などを介して供給されるデータを解釈して演算し、その演算結果を出力装置3などに出力する。
RAM5は、DRAMやSRAMなどに代表される半導体記憶装置である。RAM5は、CPU4の命令に応答してデータの書き込みを行う。また、RAM5は、CPU4の命令に応答してデータの読み出しを行う。なお、本実施形態のRAM5は、RAMに限定されることは無い。例えば、EEPROMやフラッシュメモリなどであってもよい。
大容量記憶装置6は、HDDなどに代表される記憶装置である。大容量記憶装置6は、外部から供給される電源が遮断した場合であっても、情報を保持しつつける機能を備えている。なお、本実施形態の大容量記憶装置6は、HDDに限定されることは無い。例えば、EEPROMやフラッシュメモリなどであってもよい。
大容量記憶装置6は、半導体設計支援プログラム8と、ハードマクロ情報31と、ネットリスト32とを保持している。
半導体設計支援プログラム8は、設計対象の半導体集積回路のレイアウトを行う手順を示している。半導体設計支援プログラム8は、CPU4に読み込まれる。本実施形態においては、CPU4が半導体設計支援プログラム8に示される手順で演算やデータ処理を実行することで、情報処理装置1は、半導体設計支援装置10として機能する。
ハードマクロ情報31は、設計対象の半導体集積回路に配置されるハードマクロに関する情報を含んでいる。上述したように、ハードマクロは、素子間の接続情報とチップにおけるレイアウト情報とを含んでいる。そのハードマクロのレイアウトはチップ上のレイアウト前に終了している。
本実施形態のハードマクロ情報31は、多層配線構造のハードマクロが、m−1層目まで配線層を使用しているときに、その上のm層目の配線(以下、m層配線と呼ぶ)の配置に関する情報を含んでいる。具体的には、ハードマクロ情報31は、m層配線の自由な配置を禁止する(制限する)領域に関する情報(制限領域情報)と、その制限する領域における配線の配置が可能な方向の情報(配置方向情報)とを含んでいる。以下の実施形態においては、配線層に関する情報と、制限領域情報と、配置方向情報と合わせて配置制限情報と記述する。ネットリスト32は、設計対象の半導体数積回路における回路の接続情報を含んでいる。
図5A、図5Bは、本実施形態のレイアウト方法における、設計対象の半導体集積回路(以下、チップ28と呼ぶ)の構成を例示するレイアウト図である。本実施形態のレイアウト方法は、N(Nは2以上の整数)層の配線層を備えているチップ28に適用可能である。以下の実施形態の説明においては、本願発明の理解を容易にするために、チップ28が、5層の配線層を有する多層配線構造である場合を例示する。つまり、チップ28は、素子領域と、その素子領域の上の第1層〜第5層の配線層を備えた多層配線構造であるものとする。
また、チップ28に配置されるハードマクロ21は、第1層〜第4層までを使用しているものとする。したがって、以下では、そのハードマクロ21の上に、チップレベル配線を行なう場合に対応して、本実施形態の説明を行う。なお、この構成は、本実施形態における設計対象のチップ28の構成を制限するものではない。たとえば、チップ28が6層の配線層を有し、ハードマクロ21が、第1層〜第4層までを使用している場合であっても、本実施形態のレイアウト方法を適用することができる。
図5Aは、チップレベル配線をレイアウトする前のチップ28の構成を例示するレイアウト図である。図5Aに示されているように、ハードマクロ21は、x方向4層配線22とy方向4層配線23とを含んでいる。x方向4層配線22は、x方向(水平方向)に長く配線されている。y方向4層配線23は、y方向(垂直方向)に長く配線されている。
また、ハードマクロ21上において、第4層の上の層を5層配線層とするとき、ハードマクロ21は、その5層配線層に配置される配線を制限する制限領域(第1制限領域24、第2制限領域25)を備えている。第1制限領域24は、x方向4層配線22に対応して構成され、第2制限領域25は、y方向4層配線23に対応して構成されている。第1制限領域24、第2制限領域25に配置される5層配線は、所定に規則に対応して延伸する方向が制限されている。
上述のハードマクロ情報31は、x方向4層配線22、y方向4層配線23、第1制限領域24および第2制限領域25を対応付けて配置制限情報として保持する。その配置制限情報は、領域ごとに設定を変更することが可能である。例えば、特定の領域において、チップレベル配線の配置を全て禁止するように設定することも可能である。また、配置制限情報の領域はハードマクロ内でクロストークの影響を気にする配線がある場合、配線ごとに設定することができる。配線可能方向は、領域のx、y比の小さい方の方向を設定することが好ましい。
図5Bは、チップレベル配線をレイアウトした後のチップ28の構成を例示するレイアウト図である。ハードマクロ21の上のチップレベル配線(5層配線)は、配置可能方向にのみ配線され、それ以外の方向の配置は禁止される。図5Bに示されているように、ハードマクロ21の第1制限領域24は、Y方向(垂直方向)が配置可能方向であり、第1チップレベル配線26は、そのy方向(垂直方向)に配置されている。同様に、第2制限領域25は、x方向(水平方向)が配置可能方向であり、ハードマクロ情報31は、そのことを示す情報を含んでいる。したがって、チップレベル配線をレイアウトした後のチップ28には、x方向に第2チップレベル配線27が配置されている。
図5Bに示されているように、チップ28は、ハードマクロ内の4層配線とチップレベルの5層配線とが直角になるように配置されている。したがって、両者間のカップリング容量は小さくなり、クロストークの影響は最小限に抑えられている。
以下に、本実施形態の動作について説明を行う。図6は、本実施形態の動作を例示するフローチャートである。以下の実施形態においては、上述のハードマクロ21を有するチップ28を設計する場合に対応して説明を行う。以下の動作は、CPU4が、半導体設計支援プログラム8に示される手順に従って、情報処理装置1を半導体設計支援装置10として機能させることによって実現する。上述の図5に示されているように、チップ28は、多層配線構造を有し、第1層から第5層を配線に使用することができる。また、ハードマクロ21は、第1層から第4層を配線に使用しているマクロである。
図6を参照すると、ステップS101において、半導体設計支援装置10は、大容量記憶装置6からハードマクロ情報31とネットリスト32とを読み出す。ハードマクロ情報31は、ハードマクロ21の第1制限領域24と第2制限領域25に対応する情報を有しテイル。またハードマクロ情報31は、ハードマクロ21の上の第5層目に配線の配置が可能か否かを示す配置制限情報を含んでいる。ハードマクロ情報31は、上述の配置制限情報の他に、入出力ピンのピン名と位置と形状、マクロサイズを含んでいる。
ステップS102において、半導体設計支援装置10は、ハードマクロ情報31とネットリスト32を入力として、1チップフロアプランを行い、チップ28におけるハードマクロ21の位置(ハードマクロ位置)を決定する。
ステップS103において、半導体設計支援装置10は、ハードマクロ情報31が、配置制限情報を持つか否かを判断する。その判断の結果、配置制限情報を持っている場合、処理はステップS104に進む。その判断の結果、配置制限情報を持っていない場合、処理はステップS105に進む。
ステップS104において、半導体設計支援装置10は、配置制限情報に基づいて、ハードマクロの上の5層配線の配置が可能な方向(配置可能方向)を決定する。具体的には、半導体設計支援装置10は、ハードマクロの5層配線の配置制限情報に基づいて、第1制限領域24と第2制限領域25とを認識する。そして、その第1制限領域24と第2制限領域25に応じて配置可能方向を認識する。その後、ステップS101で決定したフロアプランから、ハードマクロの向きを認識する。半導体設計支援装置10は、この配置可能方向とハードマクロに向きとから、チップレベル配線のマクロ上の5層配線の配置可能方向を決定する。
例えば、上述の図2は、ハードマクロ21がチップで回転せず0度で配置されている場合である。マクロ内x−y座標におけるy軸方向と、チップ内X−Y座標におけるY軸方向とが平行のとき、半導体設計支援装置10は、第1制限領域24の配置可能方向をY方向(垂直方向)と認識し、第2制限領域25の配置可能方向をX方向(水平方向)と認識する。ハードマクロ21がチップで回転して配置され、0度以外で配置された場合は、マクロ配置方向に応じてチップレベル配線のマクロ上5層配線の配置可能方向を決定する。
ステップS105において、ハードマクロ上の配線配置可能方向が決定した後、その決定した情報に基づいて、ハードマクロ21の上の5層配線の配置を決定する。また、ハードマクロ上以外の領域は1層から5層まで使用して配線が行われる。上述のチップ28の場合、ハードマクロ21の第1制限領域24のチップレベル配線(第1チップレベル配線26)をY軸方向(垂直方向)平行に配置し、第2制限領域25のチップレベル配線(第2チップレベル配線27)をX軸方向(水平方向)に配置することを決定する。
ハードマクロ情報31の配置制限情報は、ステップS104において、ハードマクロ上の5層配線の配置が可能な方向を決定するときに変更することができる。つまり、ステップS102におけるフロアプラン時には、配置制限情報を持たずに、ハードマクロ上の5層配線の配置を決定する工程で配置制限情報を追加することも可能である。フロアプラン時に入力した配置制限情報と異なるハードマクロ情報を入力することで、配置制限情報を変更することも可能である。なお、この場合、ステップS104におけるハードマクロ情報を優先的にしようするこが好ましい。配置制限情報を持ったハードマクロ情報を入力してフロアプランを行う場合、フロアプランで仮配線を行い、ハードマクロ上の配線配置を考慮したハードマクロ位置を決定することができる。
ハードマクロの配置制限情報に、配置可能方向の情報を持たせることにより、ハードマクロ内の信号配線を認識せずともハードマクロ上配置可能な配線を決定することができる。これにより、ハードマクロ内の信号配線について配線層、配線形状の情報を抽出する工程、抽出した情報から配置可能な配線層、配置方向を決定する工程を省略することができ、処理時間を短くすることが可能となる。
[第2実施形態]
以下に、図面を参照して、本発明の第2実施形態について説明を行う。以下の第2実施形態のレイアウト方法では、ハードマクロ情報にN層配線の配置制限情報を持つのではなく、チップ配線時に、チップレベルでハードマクロ上の配置制限情報を与える。
図7A、図7Bは、第2実施形態における、設計対象の半導体集積回路(以下、チップ45と呼ぶ)の構成を例示するレイアウト図である。なお、以下の第2実施形態では、チップ45が5層の配線層を有する場合を例示する。また、チップ45に配置されるハードマクロ41とハードマクロ42とは、第1層〜第4層までを使用しているものとする。したがって、以下では、そのハードマクロ41の上の第5層目に、チップレベル配線を行なう場合に対応して、本実施形態の説明を行う。
図7Aは、チップレベル配線をレイアウトする前のチップ45の構成を例示するレイアウト図である。図7Aに示されているように、ハードマクロ41は、4層配線43を含んでいる。4層配線43は、y方向(垂直方向)に長く配線されている。ハードマクロ41上において、第4層の上の層を5層配線層とするとき、ハードマクロ41は、その5層配線層に配置される配線を制限する制限領域(制限領域44)を備えている。
図7Bは、チップレベル配線をレイアウトした後のチップ45の構成を例示するレイアウト図である。ハードマクロ41の上のチップレベル配線(5層配線)は、配置可能方向にのみ配線され、それ以外の方向の配置は禁止される。図7Bに示されているように、ハードマクロ41の制限領域44は、X方向(水平方向)が配置可能方向であり、チップレベル配線46は、そのX方向(垂直方向)に配置されている。
図8は、第2実施形態の動作を例示するフローチャートである。第2実施形態の動作は、ハードマクロ上に配置制限情報を与える工程と、その配置制限情報から配線配置方向を認識してハードマクロ上配線配置可能方向を判断する工程(ステップS201〜ステップS203)を備えている点で、第1実施形態の動作と異なっている。配置制限情報は、配線層、領域、配置可能方向を含んでいる。配置制限情報を与える工程は、例えば、フロアプランを行った後で行なわれる。
図8のステップS101とステップS102の動作は、第1実施形態と同様である。ステップS101において、ハードマクロ情報31とネットリスト32を入力として1チップフロアプランを行う。その後ステップS102において、ハードマクロ位置を決定する。
ステップS201において、ハードマクロ上の5層目の配置制限情報が必要か否かの判断を実行する。その判断の結果、その配置制限情報が必要な場合、処理はステップS202に進む。その判断の結果、その配置制限情報が不要な場合、処理はステップS105に進む。
ステップS202において、ハードマクロ上の5層目の配置制限情報をチップレベルで与える。このとき、その配置制限情報は、配置を制限する領域を特定する情報を含む。ステップS203において、与えられた配置制限情報の領域、配置可能方向からハードマクロ上のN層配線の配置可能方向を判断する。このとき、半導体設計支援装置10は、マクロが配置される方向に関係なく、チップレベルで見た方向を配置可能方向に与える。その判断に基づいて、ハードマクロ上の5層配線の配置可能方向を決定する。
ステップS105において、決定した配置制限情報に基づいてハードマクロ上の配線の配置可能方向を決定し、これに従い配線を行う。配置制限情報が与えられた領域(制限領域44)でのチップレベル配線(チップレベル配線46)は、水平方向に配置する。
第4層までを使用したハードマクロの上に配置される第5層配線は、配置制限情報により、延伸する方向が制限される。従って、チップレベル配線が、ハードマクロ内配線(例えば、4層配線43)と平行に配置されることを禁止することができる。これによって、N番目の配線層に配置される配線と、マクロ内のN−1層配線との間のクロストークの影響を小さくすることが可能である。また、ハードマクロ情報にあらかじめ情報を持たなくても、その後の工程でN層の配線通過を制御することが可能となる。
[第3実施形態]
以下に、図面を参照して、本発明の第3実施形態について説明を行う。以下の第3実施形態では、配置制限情報をハードマクロ上に限らず、チップ内の領域に登録し、チップレベルの配線配置方向を制御する。これによって、チップで配線可能な全ての配線層に対して配線配置方向を制御することが可能である。
図9A、図9Bは、第3実施形態における、設計対象の半導体集積回路(以下、チップ64と呼ぶ)の構成を例示するレイアウト図である。チップ64は1層からN層まで配線に使用することができ、チップ内にはハードマクロ62を配置し、階層的にレイアウトを行う。なお、以下の第3実施形態では、チップ64が5層の配線層を有する場合を例示する。また、チップ64に配置される制限領域61とハードマクロ62とは、第1層〜第4層までを使用しているものとする。したがって、以下では、その制限領域61の上の第5層目に、チップレベル配線を行なう場合に対応して、本実施形態の説明を行う。
図9Aは、チップレベル配線をレイアウトする前のチップ64の構成を例示するレイアウト図である。図9Aに示されているように、チップ64には、ハードマクロ62が配置されている。
チップ内には、ある配線層の配線を配置する方向を制御する為に、配線層、制限領域61、配置可能方向情報を含む配置制限情報を与える。配線層は1層からN層まで全ての配線層に対して設定可能である。図9Bは、チップレベル配線をレイアウトした後のチップ64の構成を例示するレイアウト図である。図9Bに示されているように、そのチップ64は、チップ内のある領域(制限領域61)で、ある配線層の配線配置方向が制御されている。N層配線(チップレベル配線63)は、配置制限情報に基づいて配置されている。配置制限情報は、制限領域61に関する情報と、配線層に関する情報と、配置可能方向に関する情報とを含んでいる。
チップ内のある領域で、ある配線層の配線配置方向を制御する為に、配線層、領域(61)、配置可能方向情報から成る配置制限情報を与える。配線層は1層からN層まで全ての配線層に対して設定可能である。
配置制限情報が与えられた配線層は、その制限領域61で配置方向が制限され、設定された配置可能方向のみ配線配置が可能である。例えば、配線可能な方向がY方向(垂直方向)と与えられた場合、配線は、制限領域61内の垂直方向に配置される。なお、第3実施形態の半導体設計支援装置10は、ハードマクロ以外の領域に、チップで配線に使用できる全ての配線層(1〜N層)の配置制限情報を与えることができるものとする。
以下に、第3実施形態の動作について説明を行う。図10は、第3実施形態の動作を例示するフローチャートである。ステップS101〜ステップS102の動作は、第1及び第2実施形態と同様である。ステップS101において、ハードマクロ情報31とネットリスト32を読み出し、ステップS102において、それらを入力として1チップフロアプランを行いハードマクロ位置を決定する。
ステップS301において、半導体設計支援装置10は、配線前にチップ64で第1層配線〜第N層配線の配置制限情報が必要な箇所を判断する。その判断結果、配置制限情報が必要な場合には、処理はステップS302に進む。その判断結果、配置制限情報が不必要な場合、処理はステップS304に進む。
ステップS302において、1チップレベルで配置制限情報を与える。配置制限情報は、配線層、領域、配置可能方向に関する情報を含んでいるものとする。このとき、指定された領域(例えば制限領域61)内での指定された配線層の配線配置可能方向を判断する。ステップS303において、チップ無い全体における配線の配置可能方向を決定する。ステップS304において、決定した配置制限情報に従い配線を行う。
第3実施形態では、配線の配置可能方向を制御することができるので、特性上考慮の必要な配線(アナログ配線等、他配線からのノイズ影響を小さくしたい配線)のチップレベルでの他配線の並走を禁止することができる。
また、ハードマクロ情報にあらかじめ情報を持たなくても、その後の工程でN層の配線配置を制御することが可能であり、ハードマクロ領域に関係なくチップ内の配線配置を制御することが可能である。
なお、上述の複数の実施形態は、その構成・動作に矛盾が生じない範囲において、組み合わせて実施することが可能である。
図1は、従来の半導体集積回路の構成を示す平面図である。 図2は、従来の半導体集積回路の構成を示す平面図である。 図3は、従来の半導体集積回路の構成を示す平面図である。 図4は、半導体集積回路設計支援装置の構成を例示するブロック図である。 図5Aは、第1実施形態の半導体集積回路の構成を例示するレイアウト図である。 図5Bは、第1実施形態の半導体集積回路の構成を例示するレイアウト図である。 図6は、第1実施形態の半導体集積回路を設計する動作を例示するフローチャートである。 図7Aは、第2実施形態における、設計対象の半導体集積回路の構成を例示するレイアウト図である。 図7Bは、第2実施形態における、設計対象の半導体集積回路の構成を例示するレイアウト図である。 図8は、第2実施形態の動作を例示するフローチャートである。 図9Aは、第3実施形態における、設計対象の半導体集積回路の構成を例示するレイアウト図である。 図9Bは、第3実施形態における、設計対象の半導体集積回路の構成を例示するレイアウト図である。 図10は、第3実施形態の動作を例示するフローチャートである。
符号の説明
1…情報処理装置
2…入力装置
3…出力装置
4…CPU
5…RAM
6…大容量記憶装置
7…バス
8…半導体設計支援プログラム
10…半導体設計支援装置
31…ハードマクロ情報
32…ネットリスト
21…ハードマクロ
22…x方向4層配線
23…y方向4層配線
24…第1制限領域
25…第2制限領域
26…第1チップレベル配線
27…第2チップレベル配線
28…チップ
41…ハードマクロ
42…ハードマクロ
43…4層配線
44…制限領域
45…チップ
46…チップレベル配線
61…制限領域
62…ハードマクロ
63…チップレベル配線
64…チップ
111…1チップ
112…ブロック
112b…N配線済ブロック
112c…N配線済ブロック
113…ブロック間配線
114…N−1配線済ブロック
201…半導体装置
202a…ハードマクロ
202b…ハードマクロ
202c…ハードマクロ
203a…信号配線
203b…信号配線
204a…電極パッド
204b…電極パッド
205…配線領域
206a…ビット線パターン
206b…ビット線パターン
207…ワード線
223a…重なり部分
223b…重なり部分

Claims (12)

  1. コンピュータを用いて、ハードマクロを有する半導体集積回路のレイアウトを行う方法であって、
    記憶部から前記半導体集積回路の回路情報を読み込むステップと、
    予め前記ハードマクロに設定された配線配置可能方向条件を読み込んで、前記ハードマクロ上の所定の領域において配置が可能な配線の方向条件を決定するステップと、
    前記回路情報と前記方向条件とに基づいて配線処理を行うステップとを含み、
    前記配線処理を行うステップは、
    前記ハードマクロ上を配置する配線のうち、前記方向条件を満たす配線を配置するステップを含む
    レイアウト方法。
  2. 前記回路情報は、更に、前記ハードマクロの配置方向の情報を有し、
    前記方向条件を決定するステップは、
    前記配線配置可能方向条件と、前記配置方向情報とに基づいて配置条件を決定する
    請求項1に記載のレイアウト方法。
  3. 前記ハードマクロはN層(Nは1以上の整数)のマクロ内配線層を含み、
    前記方向条件を決定するステップは、
    前記ハードマクロ上のN+1層における配線に対する方向条件を決定し、
    前記配線処理を行うステップは、
    前記半導体集積回路のN+1層の配線処理を行う場合に、前記ハードマクロ上を配置する配線のうち、前記方向条件を満たす配線を配置させる
    請求項1に記載のレイアウト方法。
  4. ハードマクロ情報とネットリストとを有する記憶装置と、
    前記ハードマクロ情報と前記ネットリストとに基づいて、ハードマクロを有する半導体集積回路のレイアウトを決定する演算処理装置と
    を具備し、
    前記ハードマクロ情報は、前記ハードマクロの上層に上層配線を設けるときの制限事項を示す配線配置可能方向条件を有し、
    前記演算処理装置は、
    前記記憶部から前記ネットリストを読み出し、前記ネットリストと前記配線配置可能方向条件とに基づいて、前記ハードマクロ上において配置が可能な配線の方向条件を決定し、前記回路情報と前記方向条件とに基づいて、前記半導体集積回路の配線を決定する処理を行う
    半導体集積回路設計支援装置。
  5. 請求項4に記載の半導体集積回路設計支援装置において、
    前記演算処理装置は、
    前記ハードマクロ上の配線が、前記方向条件を満たすときに、前記上層配線を配置する
    半導体集積回路設計支援装置。
  6. 請求項5に記載の半導体集積回路設計支援装置において、
    前記回路情報は、更に、前記ハードマクロの配置方向の情報を有し、
    前記演算処理装置は、
    前記配線配置可能方向条件と、前記配置方向情報とに基づいて配置条件を決定する
    半導体集積回路設計支援装置。
  7. 請求項6に記載の半導体集積回路設計支援装置において、
    前記ハードマクロはN層(Nは1以上の整数)のマクロ内配線層を含み、
    前記演算処理装置は、
    前記ハードマクロ上のN+1層における配線に対する方向条件を決定し、前記半導体集積回路のN+1層の配線処理を行う場合に、前記ハードマクロ上を配置する配線のうち、前記方向条件を満たす配線を、前記上層配線として配置する
    半導体集積回路設計支援装置。
  8. コンピュータを、半導体集積回路のレイアウトを行う半導体設計支援装置として機能させるための半導体設計支援プログラムであって、
    前記半導体設計支援プログラムは、
    記憶部から前記半導体集積回路の回路情報を読み込むステップと、
    予めハードマクロに設定された配線配置可能方向条件を読み込んで、前記ハードマクロ上の所定の領域において配置が可能な配線の方向条件を決定するステップと、
    前記回路情報と前記方向条件とに基づいて配線処理を行うステップと
    を実行するための手順を示し、
    前記配線処理を行うステップは、
    前記ハードマクロ上を配置する配線のうち、前記方向条件を満たす配線を配置するステップを含む
    半導体設計支援プログラム。
  9. 前記回路情報は、更に、前記ハードマクロの配置方向の情報を有し、
    前記方向条件を決定するステップは、
    前記配線配置可能方向条件と、前記配置方向情報とに基づいて配置条件を決定する
    請求項8に記載の半導体設計支援プログラム。
  10. 前記ハードマクロはN層(Nは1以上の整数)のマクロ内配線層を含み、
    前記方向条件を決定するステップは、
    前記ハードマクロ上のN+1層における配線に対する方向条件を決定し、
    前記配線処理を行うステップは、
    前記半導体集積回路のN+1層の配線処理を行う場合に、前記ハードマクロ上を配置する配線のうち、前記方向条件を満たす配線を配置させる
    請求項8に記載の半導体設計支援プログラム。
  11. ハードマクロを有する半導体集積回路のレイアウト方法であって、
    前記ハードマクロの上層に上層配線を設けるときの制限事項を示す配線配置可能方向条件を有するハードマクロ情報を、記憶部から読み出すステップと、
    前記記憶部から前記半導体集積回路の回路情報を読み出すステップと、
    前記ハードマクロ情報と前記回路情報とに基づいて、前記ハードマクロのレイアウトを決定するステップと、
    前記ハードマクロ情報から前記配線配置可能方向条件を抽出し、前記配線可能方向条件に基づいて、前記ハードマクロの所定の領域の上を配置する配線の方向条件を決定するステップと、
    前記回路情報と前記方向条件とに基づいて、前記所定の領域の上に配置される前記上層配線が前記方向条件を満たすように前記半導体集積回路の配線を決定するステップと
    を具備する
    半導体集積回路のレイアウト方法。
  12. 請求項11に記載の半導体集積回路のレイアウト方法において、
    前記ハードマクロ情報は、
    前記ハードマクロに含まれるマクロ内配線の方向を示す配置方向情報を有し、
    前記方向条件を決定するステップは、
    前記配線配置可能方向条件と前記配置方向情報とに基づいて前記方向条件を決定する
    半導体集積回路のレイアウト方法。
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