JP3483147B2 - マイクロ波プラズマ反応器 - Google Patents

マイクロ波プラズマ反応器

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Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、特に大形の基板を対称的に処理する拡大対
称プラズマを形成するようになされたマイクロ波プラズ
マ反応器に関する。
関連出願 本願は、同じ発明者による米国特許第08/072272号「M
icrowave Plasma Ractor」（1993年６月４日出願）の
一部継続出願である。
発明の背景 マイクロ波発生プラズマは、多くの付着操作、エッチ
ング操作および基板処理操作に使用される。マイクロ波
プラズマ反応器は、一般に、励起してプラズマを形成す
る気体を入れる真空室を含む。マイクロ波エネルギー
は、処理室内の真空を維持しかつマイクロ波エネルギー
を室に入れる手段を提供する誘電体窓または誘電体障壁
から室に導入される。真空室は、マイクロ波キャビティ
を含むか、または真空室とキャビティは、交わるかまた
は重なる異なった容積のものである。
しかしながら、そのようなマイクロ波装置には、それ
らが工業処理用途に広く受容されることを妨げているい
くつかの問題がある。誘電体窓を慎重に配置し密封する
必要があるため、速度と容易さが重要である工業用途に
必要な容易な基板アクセスに適さない分解が困難な装置
となる。さらに、誘電体窓はプラズマにさらされる。窓
は、プラズマ操作に必要なレベルの高温に当ててはなら
ないので、プラズマが窓に触れないように室を設計する
必要がある。しかしながら、このようにすると、プラズ
マのサイズが一定の圧力に対して電力に直接関係するの
で、プラズマに結合できる電力量が制限される。さら
に、プラズマは窓をエッチングしやすく、それにより窓
が徐々に破壊される。さらに、このエッチングは、誘電
体窓の材料による室および基板の汚染を引き起こす。ま
た、プラズマは、窓上にその耐用年数を制限する有害な
被覆を付着させる。
また、これらのマイクロ波プラズマ発生器では、プラ
ズマを利用可能な電力により形成できるように、プラズ
マ真空室を比較的小さくする必要がある。プラズマの温
度が1000℃以上に達するので、室壁への熱負荷は極端に
高くなり、装置をより高価にし、かつ基板にアクセスす
るための分解と組立を一層困難にする複雑な冷却システ
ムが必要となる。さらに、形成されるプラズマは、一般
に不均一（非対称）であり、プラズマに関連して基板を
連続的に移動させる基板ターンテーブルなど、均一さを
増加させる手段を追加しなければ、基板処理が不均一に
なる。
マイクロ波プラズマ発生に関連する問題のために、半
導体処理における材料のエッチングや付着などのプラズ
マ・プロセスでは、平行板反応器内で持続する高周波プ
ラズマ放電を使用することが多い。代表的な高周波プラ
ズマ発生器を第１図に示す。反応器10は、その中に平行
板電極16および17を有する室12を含む。電極板17は、そ
れ自体高周波電源22の一側に存在する室12に電気的に接
続されており、高周波電源22の他側は、電極板16に電気
的に接続されている。気体の入口および出口が設けられ
ている。プラズマ20は、基板14がプラズマ20によって処
理されるように、電極板16と17の間に形成される。
これらの高周波プラズマ発生器は、一般に100kHzない
し13MHzの周波数で作動する。反応器のすべての寸法
は、作動周波数における波長よりもはるかに小さい。例
えば、13MHzの上限における波長は、約20メートルであ
り、そのような反応器内の電極の直径は、通常0.5メー
トル以下である。さらに、電極間の距離、および室の高
さと直径も、作動周波数における波長よりもはるかに小
さい。これらの高周波発生器の寸法が定常波の長さに比
べて小さいので、定常波およびそれらの関連する電界分
布は、反応器の作動において重要な役目を果たさない。
しかしながら、これらの反応器は、比較的低い周波数お
よびサイズの制限のために比較的低エネルギーであり、
多くの場合、速度、フィーチャー（feature）の精細
度、および損害の程度に関して高密度マイクロ波プラズ
マよりも劣っている比較的低密度のプラズマを発生す
る。したがって、高周波プラズマ反応器は、用途が広
く、従来のマイクロ波プラズマ反応器ほど設計が複雑で
なく、したがって比較的操作しやすしが、業界の処理ニ
ーズに応えることはできなかった。
発明の概要 したがって、本発明の目的は、比較的大きいプラズマ
を発生するマイクロ波プラズマ反応器を提供することで
ある。
本発明の他の目的は、比較的均一なプラズマを発生す
るプラズマ反応器を提供することである。
本発明の他の目的は、誘電体窓の耐用年数の長いプラ
ズマ反応器を提供することである。
本発明の他の目的は、処理室内の誘電体窓に基づく汚
染がないプラズマ反応器を提供することである。
本発明の他の目的は、従来のマイクロ波プラズマ反応
器よりも冷却が容易なプラズマ反応器を提供することで
ある。
本発明の他の目的は、反応器内の基板へのより容易な
アクセスが可能なプラズマ反応器を提供することであ
る。
本発明の他の目的は、より広範囲の圧力および電力に
わたって作動できるそのようなプラズマ反応器を提供す
ることである。
本発明の他の目的は、より大きい電力をプラズマに結
合できるプラズマ反応器を提供することである。
本発明の他の目的は、基板の温度制御が改善されたプ
ラズマ反応器を提供することである。
本発明は、特に工業用半導体処理操作およびダイヤモ
ンドその他の高度材料の化学蒸着に適した高密度プラズ
マ・マイクロ波プラズマ反応器が、電極の下側にマイク
ロ波エネルギーが印加され、電極の反対側にプラズマが
形成される単一の平板電極により達成できることが実現
されたこと、およびそのような設計において電極の底面
上に誘電体窓を使用し、それにより窓がプラズマから完
全に遮蔽され、窓に悪影響を及ぼしたり窓材料により室
を汚染することなく、より大きく、より高温のプラズマ
が得られることが実現されたことに起因する。
本発明は、マイクロ波エネルギーにより励起してプラ
ズマにする気体を入れる室を含むマイクロ波プラズマ反
応器と、２つの面を有し、マイクロ波エネルギーを一方
の面から室内に放射して放射面の近くにプラズマを形成
する室内の電極と、プラズマを形成するためのマイクロ
波エネルギーを提供する２つの電極面の他方の上にマイ
クロ波エネルギーを導入する手段を特徴とする。１つの
実施例の電極は、円盤形である。マイクロ波エネルギー
を導入する手段には、導波路や同軸導体があり、この場
合、中心同軸導体が電極に電気的に接続されていること
が好ましい。マイクロ波エネルギーを同軸導体に伝える
マイクロ波導波路を備えることもできる。
反応器は、大気圧以下の圧力で作動する室を真空にす
る手段を備えることもできる。その場合、室を大気から
密封する手段も備えられる。これは、マイクロ波エネル
ギーをそれに通過させる誘電体窓などの誘電体密封手段
によって達成できる。その場合、さらに、電極に対して
誘電体密封手段を密封する手段も備えられる。これは、
例えば、電極に機械的に結合したスプリングを用いて、
電極を誘電体密封手段に押し付ける手段（means for ur
ging）によって達成できる。誘電体密封材は、比較的低
電界の領域内、例えば励起側の電極の周縁の近くに配置
することが好ましい。これはまた、プラズマ形成気体
が、プラズマを電極の片側に保つ電極の励起側の中心に
近い高電界領域に達するのを防ぐ。
反応器は、好ましくは電極放射面の近くに比較的薄い
細長いプラズマを発生させる手段を備える。電極放射面
が平らな場合、これは、電極放射面と室の間の間隔を不
均一にすることによって達成できる。室はそれ自体、電
極の周縁から中心に向かっておおまかに増加する間隔を
含む。反応器は、電極放射面と室の間に定常波を形成す
る手段を備えることが好ましい。
２つの電極面の他方は、室から1/2波長以下の距離だ
け離れてよいが、室から1/4波長であることが好まし
い。電極放射面は、少なくとも幅1/2波長の長さであ
る。電極放射面の周縁は、室から1/2波長以下の距離だ
け離れる。電極放射面の中心は、室から１波長以下の距
離だけ離れる。室は、マイクロ波キャビティを含む。マ
イクロ波キャビティは、室と同一の容積か、または室よ
りも小さく室内に入る。あるいは、キャビティの一部が
室を越えて延びる。
本発明は、マイクロ波エネルギーにより励起してプラ
ズマにする気体を入れる室、および気体プラズマを形成
するマイクロ波電界を含むキャビティを有するマイクロ
波プラズマ反応器をも特徴とする。キャビティ内に配置
された２つの面を有し、一方の面からマイクロ波エネル
ギーを放射して放射面の近くにプラズマを形成する電極
が備えられ、かつプラズマを形成するためのマイクロ波
エネルギーを提供する２つの電極面の他方にマイクロ波
エネルギーを導入する手段が備えられている。
好ましい実施例では、マイクロ波キャビティは、室と
同一の容積（coextensive）が、または室よりも小さく
室内に含まれる。キャビティの一部は、室を越えて延び
てもよい。
反応器は、励起する気体を室内に導入する手段と、冷
却液を電極に流す手段により達成できる電極を冷却する
手段を備えることが好ましい。これは、電極内に電極放
射面から離れた１つまたは複数の液体室を備えることに
よって達成できる。その場合、さらに、電極放射面から
液体室内の冷却液への熱の流れを調整する手段が備えら
れる。これは、冷却液室と電極放射面との間の電極内に
気体を提供する手段によって達成できる。その場合、さ
らに、熱の流れを制御するために気体の圧力を変化させ
る手段が備えられる。
好ましい実施例の開示 当業者は、好ましい実施例の以下の説明および添付の
図面から、他の目的、特徴および利点を考え付くであろ
う。
第１図は、従来技術の高周波プラズマ反応器の概略図
である。
第2A図は、本発明によるマイクロ波プラズマ反応器の
簡単化した概略図である。
第2B図および第2C図は、それぞれ電磁エネルギーの流
れの方向を示す、第2A図の反応器の電極の下面図および
平面図である。
第3A図は、本発明によるマイクロ波プラズマ反応器の
好ましい実施例のより詳細な断面図である。
第3B図は、第3A図の反応器の電極および誘電体窓の下
面図である。
第4A図は、電極を冷却する手段の詳細も示す、第3A図
の反応器の電極の好ましい実施例の拡大断面図である。
第4B図は、第3A図の反応器のチョークおよびスプリン
グ調整機構の好ましい形態のより詳細な断面図である。
第5A図は、マイクロ波キャビティが真空室に含まれ
る、本発明によるマイクロ波プラズマ反応器の簡単化し
た概略図である。
第5B図は、真空室の少なくとも一部がマイクロ波キャ
ビティ内に含まれる、第5A図に類似した図である。
本発明は、マイクロ波エネルギーにより励起してプラ
ズマにする気体を入れる室を含むマイクロ波プラズマ反
応器において達成できる。マイクロ波受信面とマイクロ
波放射面とを有する電極が室内に備えられ、かつマイク
ロ波エネルギーを電極のマイクロ波受信面上に導入し、
電極がその放射面からマイクロ波エネルギーを放射し
て、その面上または真上にプラズマを形成する手段が備
えられている。この配置では、誘電体窓を電極のマイク
ロ波受信側に配置でき、その結果、窓が電極によってプ
ラズマから遮蔽されて、より高電力の操作が可能にな
り、窓の耐用年数も増加し、窓がプラズマ・エッチング
または被覆されるために窓材料により反応器が汚染され
ることがなくなる。
第2A図から第2C図には、本発明によるマイクロ波プラ
ズマ反応器50が示されている。反応器50は、励起してプ
ラズマにする気体を入れる真空室52を含む。気体は、気
体流入口56から室に供給され、排気口58から排出され
る。排気口は、室内の所望の圧力（一般に1mTorrないし
200Torr）を維持する手段も提供する。マイクロ波エネ
ルギーは、マイクロ波入力輸送管54を通って供給され
る。ここで「マイクロ波」の語は、300MHz以上の周波数
の電磁エネルギーを表すのに使用されている。円盤形や
長方形である平らな拡大面電極62は、例えば、輸送管54
から入るマイクロ波エネルギーの経路内に配置されてい
る。マイクロ波エネルギーは、電極62の下側のまわりを
伝播し、周縁のまわりに逆流し、電極62の上面の中央に
向かい、プラズマ66を形成する電極62の上にマイクロ波
放電を生じる。基板64は、プラズマ66の近くの室52の壁
に配置されるか、あるいは電極62の上に配置される。こ
の図は、電子サイクロトロン共鳴が望まれる状況に使用
される電磁石60の使用法も示す。室52内の開口70用のカ
バー68は、基板64を交換できるように、外部から室52に
アクセスする手段を提供する。
発生器50は、電極の一方（励起側）からマイクロ波電
力によって励起され、かつ電極の他方（プラズマ側）に
プラズマ放電が発生するように、電力を散乱するかまた
は励起電界により電極上に誘電される電流によってマイ
クロ波電界を放射する１つまたは複数の電極を特徴とす
る。電極（室から離れた電極）と室自体のサイズは、定
常波および反応器内の電磁界の固有モードを利用するた
めに、作動周波数における波長に比べて小さくないこと
が好ましい。電極と反応器室の寸法および励起モードを
適切に選択することにより、反応容器内の最も強い電界
が、励起源の近くではなく、電極のプラズマ側の領域内
に発生する反応器の配置が達成できる。これにより、プ
ラズマが電極のプラズマ側のみの所望の領域内に優先的
に生じるようになり、電極の励起側の領域内に配置され
た誘電材料が、反応容器をマイクロ波供給源から分離す
る真空障壁または圧力障壁として役立つようになる。こ
のようにマイクロ波窓を励起側に配置することで、電極
が窓をプラズマから遮蔽し、したがって障壁がプラズマ
にさらされる場合に生じる加熱、被覆およびエッチング
から誘電体障壁が保護される。
マイクロ波エネルギーが電極に結合される電極の中心
からの半径方向距離が増加するにつれて、電極62の励起
側または下側の電界強度は減少するので、誘電体障壁
は、プラズマ破壊を防げる比較的低電界内に入るよう
に、電極62の周縁の近くに配置される。これは、第2B図
および第2C図に示されている。これらの図は、電極62の
下側61における電磁界が電極の周縁に向かって放射し、
かつ上側63の電界が電極の中心に向かって逆に放射し、
効率的にプラズマが発生するように上側の中心に向かっ
て電界強度が増加することを示す。
プラズマ反応器100の好ましい形態が、第3A図および
第3B図に示されている。反応器100は、マイクロ波エネ
ルギーにより励起してプラズマにする気体を入れる反応
器室102を含む。気体は、入口142から供給され、真空ポ
ンプ146によって出口144から排出される。該ポンプは、
気体供給源142の標準弁体と結合して、圧力と室102の内
部を通るマスフローの両方を制御する。平面または曲面
の上側面電極114は、室102内に配置されている。電極14
4は、第3B図の下面図を見ると最もよくわかるように、
円盤であることが最も好ましい。
マイクロ波電力は、中心導体120が電極114に電気的、
機械的に結合され、かつ外部導体122がほぼ円筒形の反
応器室102の底面金属板106に結合されている基本モード
同軸輸送管118によって、電極114の下側または励起側に
供給される。誘電体障壁116は、電界強度が比較的低い
場所に入るように、電極114の外縁に向かって配置され
た環状リングであり、その結果、窓116およびその近く
にプラズマ破壊が発生しないので、他のマイクロ波プラ
ズマ反応器設計では周知の、窓の加熱、被覆またはエッ
チングが起こらない。この配置は、また、電極の励起側
の中心に近い高電界領域から気体を保護し、電極の上側
の所望の位置にプラズマを形成するのを助ける。この実
施例では、中心導体が円盤電極114の中心に取り付けら
れ、基本モードマイクロ波が導波路124に供給され、電
磁界が縦軸135のまわりに対称となっている。半径方向
の波が電極114の励起側または下側において発散するの
で、電磁界の強度は半径方向位置が増加するにつれて減
少する。電極114のプラズマ側または上側では、該電界
強度は、波が軸135に集束するので、半径方向位置が減
少するにつれて増加する傾向にあり、その結果、比較的
薄い細長い円盤形のプラズマ140を形成する気体の破壊
に十分な強度になる。
電極114のプラズマ側に面した室102の壁の形状、およ
び電界と室のプラズマ側との間の間隔は、最も均一な放
電または他の所望の半径方向の電界のプロファイル（pr
ofile）を得るために、半径方向位置の関数として電界
の強度を制御するのに使用できる。図示の実施例では、
プレート104とプレート110の整合によって形成される面
111および113は、電極半径に反比例して変化するほぼ曲
面になり、これが１次のオーダーまで電極114の直径の
大部分にわたって電界強度を一定に保ち、電極114の面
の大部分にわたって軸対称の均一なプラズマ円盤140が
生じる。プラズマのサイズは、電極上に配置された基板
138のサイズとほぼ同じである。
環状誘電体窓116は、Ｏ−リングや他の種類の市販の
密封材を使用して、プレート106と電極114の両方に対し
て密封される。窓116は、反応器102の内部に向かってバ
ーチャル真空（virtual vacuum）、一般に中心導体120
の領域の外側の大気圧を受けるので、窓116を電極114と
プレート106の両方に半永久的に固定するか、好ましく
は窓116をその密封材上に固定するために、電極114に下
向きの力を加える必要がある。これは、第3A図の実施例
では、中心導体120に何らかの手段で固定された可変張
力スプリング130を使用して、導体120を通して下向きの
力を電極114に加えることにより達成される。図示の例
では、これは、部材120上に固定された部材128上にスプ
リング130を固定し、かつスプリング130の他端を調整ナ
ット134にシールすることによって達成される。調整ナ
ットは、部材120に沿って調整部材134を回転またはスラ
イドさせることによって調整する。スプリング130の圧
縮が大きければ大きいほど、電極114への下向きの力が
大きくなる。スライド・チョーク126は、導波路124の頂
部からほぼ1/2波長の距離Ｄのところに配置されること
が好ましい。このスライド・チョークは、導体120を通
して電極114上にバイアスが生じるように、導体120から
直流絶縁（DC isolated）される。
反応器100の設計の好ましい実施例では、2.45GHz、50
00ワットのマイクロ波供給源が導波路124ののところに
使用されている。この周波数は、約12センチメートルの
波長を有する。電極114は、プラズマを電極114の上側に
保つために、放電またはプラズマ140に等しいかまたは
それよりも大きい直径を有し、その結果、窓116が遮蔽
される。電極円盤114の直径は、1/2波長よりも大きく、
22センチメートル程度であることが好ましい。
また、電極114と室102の上側部分の間に定常波が形成
されることが望ましい。円盤基板の直径が約１波長（12
センチメートル）であり、かつ電極114の頂部と室の頂
部の内側との間の間隙が電極の半径とほぼ反比例して変
化する場合、電極114の底面の周縁と室102の底面板106
との間の間隙Ａは、約1/2波長またはそれ以下でよい
が、窓116の近くにプラズマ放電が発生するのを防止す
るには、２つの金属面の間に定常波が生じないように約
1/4波長が好ましい。該間隙は、同様にプラズマ放電を
発生する電界強度の増加を防止するために、これよりも
小さくない。電極114の頂部周縁から反応器室102の頂部
までの距離Ｂも、同じ理由から約1/4波長であり、一
方、電極114の中心から室102の頂部までの距離Ｃは、１
波長以下に保たれ、プラズマ140を形成するのに望まれ
る領域内に電界強度を増大させる定常波を形成するため
に、1/2波長に近いことが好ましい。１つの実施例で
は、距離Ｃは、壁111と113の間に画定される円形開口を
有するプレート110に追加の厚さを加えて、頂部板112の
電極114の頂部からの距離を変化させることによって調
整可能となっている。
電極は、冷却することが好ましく、以下のように一定
の温度に保つ手段を備えることができる。
中心導体120a（第4A図）は、管状であり、その中に環
状間隙170と中心間隙172とを形成する内部管状部材136a
を有する。これらの間隙の１つの、例えば図の間隙172
から、電極114aの軸135aの周囲に配置された複数の扇形
の室166内に冷却水が供給される。中心環状間隙172から
入る水は、室166内に入り、室から放射状に出て、次い
で室166の下にあり、かつ電極114aの周縁171までほぼ放
射状に延びるプレート167によって形成される戻り室168
内に入る。次いで、水は、環状間隙170を逆流して廃棄
されるか、再循環システム用の熱交換器に送られる。内
部部材174も中空であり、その中央導管を通して、電極1
14a上に基板（図示せず）を保持するための基板テーブ
ル162の真下に加工された、円筒形室164への通路を提供
する。テーブル162内の基板から電極114aへの熱伝導の
速度、特に室166のような室の内部の冷却水は、環状導
体174の中心開口を通して気体を供給して室164を満たす
ことによって制御できる。気体の圧力は、基板からの熱
伝導を効率的に制御するために、気体供給源、絞り弁、
および気体媒体を通る熱伝導速度を制御する排気ポンプ
などの手段によって制御できる。このようにすると、特
に高温計や基板または基板テーブル162中に埋め込まれ
た熱電対などの他の手段によって基板の温度を測定する
場合、基板の温度をより正確に調整できる。
第4B図は、第3A図の反応器のチョークおよびスプリン
グ調整機構の好ましい形態を詳細に示す。電極114aは、
スプリング調整機構219によって、電極と底面板106aの
両方に対して窓を密封するために窓116aに押し付けられ
る。機構219は、内部導体120aの周囲に配置されたスプ
リング217および215のような多数のスプリングを含む。
スプリング215および217にそれぞれ関連する調整ネジ21
4および216は、スプリングへの荷重力の調整を可能にす
る。ボルト212によって適所に保持されたクランプ・リ
ング210は、上述の電極114aに下向きの圧力を加えるた
めに、スプリングの負荷を複数のスプリングから中心導
体120aに伝達する。力は、スプリング調整ネジをねじ込
み可能に受ける部材222を通して部材210に伝達される。
導波路124a用のチョーク・アセンブリは、フッ素樹脂
などの材料で製造される環状絶縁スリーブ202を含む。
環状チョーク溝204は、波長の約1/4の高さを有する。前
述の電極の冷却および基板の温度制御は、水の入口226
と出口224、および前述の温度制御用の気体を供給する
ための管継手228を使用して達成される。
励起してプラズマにする気体用の真空室と、マイクロ
波エネルギーが気体プラズマを発生するマイクロ波キャ
ビティの両方の機能を、室52および102が果たしている
が、これは必ずしも本発明を制限するものではない。
室とキャビティは、第2A図および第3A図に示すように
同一の容積であるが、その必要はない。室52a（第5A
図）は、その中に金属網302などの気体透過性マイクロ
波境界によって形成されるマイクロ波キャビティ300を
含む。あるいは、キャビティ300b（第5B図）は、室52b
を越えて延びてもよい。キャビティ300bは、石英容器に
よって構成されるようなマイクロ波透過性の気体境界で
もよい。
便宜上、本発明の特定の特徴を図面のみにより示した
が、これらの特徴は本発明による他の特徴のうちのいく
つかまたはすべてと組み合わせることができる。
当業者は、以下の請求の範囲内に入る他の実施例を考
え付くであろう。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 セヴィラノ，エベリオ アメリカ合衆国 マサチューセッツ 02173，レキシントン，ボランティア ウェイ ６ (72)発明者 スミス，ドナルド ケー. アメリカ合衆国 マサチューセッツ 02174，アーリントン，ウェーヴァリー ストリート 167 (56)参考文献 特開 平４−184899（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−159379（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−215659（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−194174（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−175727（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−311726（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−325899（ＪＰ，Ａ) 実開 平６−86331（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23F 4/00 H05H 1/46 C23C 16/50 H01L 21/3065

Claims (31)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】マイクロ波エネルギーにより励起してプラ
    ズマにする気体を入れる室と、 ２つの面を有し、かつ該室内に配置されて、一方の面か
    らマイクロ波エネルギーを該室内に放射して、その放射
    面の近くにプラズマを形成する電極と、 プラズマを形成するためのエネルギーを提供するため
    に、２つの電極面の他方にマイクロ波エネルギーを導入
    する手段と、 電極のマイクロ波受信側に配置されたマイクロ波エネル
    ギーを導入する誘電体窓とを含み、 前記電極は、前記誘電体窓をプラズマから遮蔽するよう
    配置されたことを特徴とするマイクロ波プラズマ反応
    器。
  2. 【請求項２】電極が円盤形である請求の範囲第１項に記
    載のマイクロ波プラズマ反応器。
  3. 【請求項３】マイクロ波エネルギーを導入する手段が同
    軸導体を含む請求の範囲第１又は２項に記載のマイクロ
    波プラズマ反応器。
  4. 【請求項４】電極に中心同軸導体が電気的に結合されて
    いる請求の範囲第３項に記載のマイクロ波プラズマ反応
    器。
  5. 【請求項５】マイクロ波エネルギーを導入する手段が、
    同軸導体にマイクロ波エネルギーを伝導するマイクロ波
    導波路を含む請求の範囲第３又は４項に記載のマイクロ
    波プラズマ反応器。
  6. 【請求項６】さらに、大気圧以下の圧力で作動する該室
    を真空にする手段を含む請求の範囲第１〜５項のいずれ
    かに記載のマイクロ波プラズマ反応器。
  7. 【請求項７】さらに、該室を大気から密封する手段を含
    む請求の範囲第６項に記載のマイクロ波プラズマ反応
    器。
  8. 【請求項８】該室を密封する手段が、マイクロ波エネル
    ギーをそれに通過させる誘電体密封手段を含む請求の範
    囲第７項に記載のマイクロ波プラズマ反応器、
  9. 【請求項９】さらに、該室を密封する手段が、誘電体密
    封手段を電極に対して密封する手段を含む請求の範囲第
    ８項に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
  10. 【請求項１０】誘電体密封手段を電極に対して密封する
    手段が、該誘電体密封手段に対して該電極を押し付ける
    手段を含む請求の範囲第９項に記載のマイクロ波プラズ
    マ反応器。
  11. 【請求項１１】押し付ける手段が、電極に機械的に結合
    されたスプリング手段を含む請求の範囲第10項に記載の
    マイクロ波プラズマ反応器。
  12. 【請求項１２】さらに、電極放射面の近くに比較的薄く
    細長いプラズマを発生する手段を含む請求の範囲第１〜
    11項のいずれかに記載のマイクロ波プラズマ反応器。
  13. 【請求項１３】電極放射面が平らである請求の範囲第12
    項に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
  14. 【請求項１４】比較的薄く細長いプラズマを発生する手
    段が、電極放射面と該室の内壁との間に、電極の周縁か
    ら中心に向かって増加する不均一な間隙を含む請求の範
    囲第12又は13項に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
  15. 【請求項１５】電極放射面が、少なくとも幅1/2波長の
    長さである請求の範囲第１〜14項のいずれかに記載のマ
    イクロ波プラズマ反応器。
  16. 【請求項１６】電極放射面の周縁が、該室の内壁から1/
    2波長以下の距離だけ離れる請求の範囲第１〜15項のい
    ずれかに記載のマイクロ波プラズマ反応器。
  17. 【請求項１７】電極放射面の中心が、該室の内壁から１
    波長以下の距離だけ離れる請求の範囲第１〜16項のいず
    れかに記載のマイクロ波プラズマ反応器。
  18. 【請求項１８】さらに、該室内に励起する気体を導入す
    る手段を含む請求の範囲第１〜17項のいずれかに記載の
    マイクロ波プラズマ反応器。
  19. 【請求項１９】さらに、電極を冷却する手段を含む請求
    の範囲第１〜18項のいずれかに記載のマイクロ波プラズ
    マ反応器。
  20. 【請求項２０】電極を冷却する該手段が、電極に冷却液
    を流す手段を含む請求の範囲第19項に記載のマイクロ波
    プラズマ反応器。
  21. 【請求項２１】電極に冷却液を流す手段が、該電極内に
    あり、かつ該電極放射面から離れた液体室を含む請求の
    範囲第20項に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
  22. 【請求項２２】さらに、電極放射面から液体室内の冷却
    液への熱の流れを調整する手段を含む請求の範囲第21項
    に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
  23. 【請求項２３】熱の流れを調整する手段が、冷却液室と
    電極放射面との間の電極内に気体を提供する手段を含む
    請求の範囲第22項に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
  24. 【請求項２４】さらに、電極放射面と該室の内壁との間
    に定常波を形成する手段を含む請求の範囲第１〜23項の
    いずれかに記載のマイクロ波プラズマ反応器。
  25. 【請求項２５】２つの電極面のうちの他方が、該室の内
    壁から1/2波長以下の距離だけ離れる請求の範囲第１〜2
    4項のいずれかに記載のマイクロ波プラズマ反応器、
  26. 【請求項２６】２つの電極面のうち他方が、該室の内壁
    から1/4波長の距離だけ離れる請求の範囲第25に記載の
    マイクロ波プラズマ反応器。
  27. 【請求項２７】該室が、マイクロ波キャビティを含む請
    求の範囲第１〜26項のいずれかに記載のマイクロ波プラ
    ズマ反応器。
  28. 【請求項２８】マイクロ波エネルギーにより励起してプ
    ラズマにする気体を入れる室と、 気体プラズマを発生させるマイクロ波電界を入れるキャ
    ビティと、 ２つの面を有し、かつその一方の面からマイクロ波エネ
    ルギーを放射して、該電極放射面の近くにプラズマを形
    成するように該キャビティ内に配置された電極と、 ２つの電極面の他方のまわりおよびプラズマを形成する
    ためのマイクロ波放電を発生する該電極放射面の近くを
    通るマイクロ波エネルギーを２つの電極面の他方に導入
    する手段と、 電極のマイクロ波受信側に配置された、マイクロ波エネ
    ルギーを導入する誘電体窓とを含み、 前記電極が、前記誘電体窓をプラズマから遮蔽するよう
    配置されたことを特徴とするマイクロ波プラズマ反応
    器。
  29. 【請求項２９】マイクロ波キャビティが、該室と同一の
    容積である請求の範囲第27又は28項に記載のマイクロ波
    プラズマ反応器。
  30. 【請求項３０】マイクロ波キャビティが、該室よりも小
    さく該室内に含まれる請求の範囲第27又は28項に記載の
    マイクロ波プラズマ反応器。
  31. 【請求項３１】キャビティの一部が、該室を越えて延び
    る請求の範囲第27又は28項に記載のマイクロ波プラズマ
    反応器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023238826A1 (ja) * 2022-06-08 2023-12-14 国立研究開発法人産業技術総合研究所 マイクロ波プラズマｃｖｄ装置

Families Citing this family (317)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0726593A1 (en) * 1995-02-13 1996-08-14 Applied Materials, Inc. A high power, plasma-based, reactive species generator
US6132550A (en) * 1995-08-11 2000-10-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatuses for desposition or etching
US5895548A (en) * 1996-03-29 1999-04-20 Applied Komatsu Technology, Inc. High power microwave plasma applicator
US5788799A (en) * 1996-06-11 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cleaning of semiconductor process chamber surfaces
DE19802971C2 (de) 1998-01-27 1999-12-02 Fraunhofer Ges Forschung Plasmareaktor
US6374831B1 (en) * 1999-02-04 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Accelerated plasma clean
US6263830B1 (en) 1999-04-12 2001-07-24 Matrix Integrated Systems, Inc. Microwave choke for remote plasma generator
JP4057198B2 (ja) * 1999-08-13 2008-03-05 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US20030047138A1 (en) * 2001-09-11 2003-03-13 Ceramoptec Industries, Inc. Spiral gas flow plasma reactor
US6707017B2 (en) * 2002-05-16 2004-03-16 Rayth On Company High-power microwave window
JP2005235464A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Toshio Goto プラズマ発生装置
JP2008305736A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびプラズマ処理装置のクリーニング方法
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
GB201021870D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
GB201021855D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd Microwave power delivery system for plasma reactors
GB201021853D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
GB201021865D0 (en) * 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
GB201021860D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for diamond synthesis
CA2821621C (en) 2010-12-23 2018-03-27 Element Six Limited Controlling doping of synthetic diamond material
GB201021913D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture
US20120196242A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with heater and rapid temperature change
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9144858B2 (en) 2011-11-18 2015-09-29 Recarbon Inc. Plasma generating system having movable electrodes
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) * 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
RU2694432C1 (ru) * 2018-01-18 2019-07-15 Общество С Ограниченной Ответственностью "Твинн" СВЧ плазменный реактор
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI728456B (zh) 2018-09-11 2021-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於基板的薄膜沉積方法
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55131175A (en) * 1979-03-30 1980-10-11 Toshiba Corp Surface treatment apparatus with microwave plasma
JPS5673539A (en) * 1979-11-22 1981-06-18 Toshiba Corp Surface treating apparatus of microwave plasma
US4630566A (en) * 1984-08-16 1986-12-23 Board Of Trustees Operating Michigan State University Microwave or UHF plasma improved apparatus
JPS62218575A (ja) * 1986-03-20 1987-09-25 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマｃｖｄ法
DE3750115T2 (de) * 1986-10-20 1995-01-19 Hitachi Ltd Plasmabearbeitungsgerät.
JPS63107898A (ja) * 1986-10-23 1988-05-12 Natl Inst For Res In Inorg Mater プラズマを用いるダイヤモンドの合成法
US4919077A (en) * 1986-12-27 1990-04-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor producing apparatus
JP2552292B2 (ja) * 1987-06-15 1996-11-06 日本真空技術株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JPS6424094A (en) * 1987-07-21 1989-01-26 Nat Inst Res Inorganic Mat Synthesizing apparatus for diamond
JPS6446916A (en) * 1987-08-17 1989-02-21 Fujitsu Ltd Vacuum thin-film formation device
DE3830430A1 (de) * 1987-09-11 1989-03-23 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Verfahren zur herstellung von ueberzuegen
JPH01109699A (ja) * 1987-10-23 1989-04-26 Japan Synthetic Rubber Co Ltd プラズマ処理装置
US5024716A (en) * 1988-01-20 1991-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus for etching, ashing and film-formation
JPH0736447B2 (ja) * 1988-07-15 1995-04-19 富士電機株式会社 半導体中性子線検出素子
JPH02141494A (ja) * 1988-07-30 1990-05-30 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド気相合成装置
JPH02277776A (ja) * 1989-04-18 1990-11-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
US5061838A (en) * 1989-06-23 1991-10-29 Massachusetts Institute Of Technology Toroidal electron cyclotron resonance reactor
SE465100B (sv) * 1989-06-30 1991-07-22 Inst Mikroelektronik Im Foerfarande och anordning foer att i en kallvaeggsreaktor behandla en kiselskiva
US5078851A (en) * 1989-07-26 1992-01-07 Kouji Nishihata Low-temperature plasma processor
US5131992A (en) * 1990-01-08 1992-07-21 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Interior Microwave induced plasma process for producing tungsten carbide
KR910016054A (ko) * 1990-02-23 1991-09-30 미다 가쓰시게 마이크로 전자 장치용 표면 처리 장치 및 그 방법
US5342472A (en) * 1991-08-12 1994-08-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023238826A1 (ja) * 2022-06-08 2023-12-14 国立研究開発法人産業技術総合研究所 マイクロ波プラズマｃｖｄ装置

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