JP3425951B2 - ガス混合物のガス成分および／またはガス濃度を測定するためのセンサ - Google Patents
ガス混合物のガス成分および／またはガス濃度を測定するためのセンサInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
従来の技術
本発明は、独立請求項の概念によるガス混合物中のガ
ス成分および／またはガス濃度を測定するためのセンサ
に関する。
ス成分および／またはガス濃度を測定するためのセンサ
に関する。
Sensors und Actuators B 9（1992年）、第233〜239
頁の記載から、ポンプセルが酸素を測定素子へポンプ輸
送するようなCO濃度を測定するためのセンサは公知であ
る。この場合、O221％を有する空気中のCOの場合にSnO2
の半導体ガスセンサの抵抗値はN2中のCOの場合よりも３
倍以上も大きいことが確認された。この場合、測定素子
は、ポンプセルおよびガス混合物に対して定義された関
係なしに測定室中に配置されている。専ら、測定素子に
接して、十分な酸素濃度が存在することが必要とされ
る。ガス混合物中の測定すべきガス成分は、以下、有害
物質と呼称される。
頁の記載から、ポンプセルが酸素を測定素子へポンプ輸
送するようなCO濃度を測定するためのセンサは公知であ
る。この場合、O221％を有する空気中のCOの場合にSnO2
の半導体ガスセンサの抵抗値はN2中のCOの場合よりも３
倍以上も大きいことが確認された。この場合、測定素子
は、ポンプセルおよびガス混合物に対して定義された関
係なしに測定室中に配置されている。専ら、測定素子に
接して、十分な酸素濃度が存在することが必要とされ
る。ガス混合物中の測定すべきガス成分は、以下、有害
物質と呼称される。
更に、ドイツ連邦共和国特許出願公開第2752530号明
細書の記載から、燃料ガス雰囲気中の全ての燃焼可能な
成分の総和を測定するための方法は公知であり、この場
合、電気化学的測定セルおよびポンプセルが設定されて
いる。測定セルは、十分な酸素が内部小室中へポンプ輸
送され、燃焼可能な成分を乏しくするような環境にポン
プ能力を調節する。測定セルに接して絶えず化学量論的
量の混合物が存在するだけの酸素が正確にポンプ輸送さ
れる。この場合、ポンプ流量は、燃焼可能な成分の含量
のための尺度として使用され、この場合、ポンプ電極に
際しての燃焼可能な成分の反応によって、ポンプ流量
は、拡散開口を通る燃焼可能な成分の拡散速度に比例し
ている。酸素に対する横感度（Querempfindlichkeit）
に基づいて、ポンプ電極に接しての反応速度は、排ガス
中の燃焼可能な成分の濃度に関する解明を生じない。
細書の記載から、燃料ガス雰囲気中の全ての燃焼可能な
成分の総和を測定するための方法は公知であり、この場
合、電気化学的測定セルおよびポンプセルが設定されて
いる。測定セルは、十分な酸素が内部小室中へポンプ輸
送され、燃焼可能な成分を乏しくするような環境にポン
プ能力を調節する。測定セルに接して絶えず化学量論的
量の混合物が存在するだけの酸素が正確にポンプ輸送さ
れる。この場合、ポンプ流量は、燃焼可能な成分の含量
のための尺度として使用され、この場合、ポンプ電極に
際しての燃焼可能な成分の反応によって、ポンプ流量
は、拡散開口を通る燃焼可能な成分の拡散速度に比例し
ている。酸素に対する横感度（Querempfindlichkeit）
に基づいて、ポンプ電極に接しての反応速度は、排ガス
中の燃焼可能な成分の濃度に関する解明を生じない。
本発明の利点
本発明は、酸素自体を用いて測定素子の感応性の領域
の粒子表面を過剰負荷する場合に、高い酸素濃度の変化
が、センサ信号への看過可能な僅かな影響を有するとい
う事実を利用する。前記の依存は、例えば図1aから明ら
かになる。
の粒子表面を過剰負荷する場合に、高い酸素濃度の変化
が、センサ信号への看過可能な僅かな影響を有するとい
う事実を利用する。前記の依存は、例えば図1aから明ら
かになる。
独立請求項の特徴を有する本発明によるセンサは、ガ
ス混合物中の有害物質および／または有害物質濃度の測
定が酸素部分圧もしくはガス混合物のラムダ値とは無関
係に可能であるという利点を有する。O2の横感度は、十
分に排除されている。もう１つの利点は、該センサが簡
単な構造を有し、自体公知の測定素子で済ませることに
ある。この測定素子は、常用のポンプセルで、測定素子
に接して絶えず酸素過剰量に接するような程度に設計さ
れている。
ス混合物中の有害物質および／または有害物質濃度の測
定が酸素部分圧もしくはガス混合物のラムダ値とは無関
係に可能であるという利点を有する。O2の横感度は、十
分に排除されている。もう１つの利点は、該センサが簡
単な構造を有し、自体公知の測定素子で済ませることに
ある。この測定素子は、常用のポンプセルで、測定素子
に接して絶えず酸素過剰量に接するような程度に設計さ
れている。
従属請求項に記載された手段によって、独立請求項に
記載されたセンサの有利な形成および改善が可能であ
る。有害物質濃度を、測定素子が高い感応性を示すよう
な値に調節することは特に有利である。このことは、半
導体センサおよび電気化学的測定セルの場合に、有害物
質濃度が濃度の変化が最大の感度を提供するような程度
に調節されていることによって生じる。このことは、前
記のセンサ型の場合、低い有害物質濃度の場合に該当す
る。図1bは、COおよびHCのための曲線ＩおよびNOxのた
めの曲線IIによる有害物質濃度に関してセンサ信号Ｓの
経過に前記のセンサ型が依存していることを示してい
る。カロリーメータのセンサおよびイオン化検出器を使
用する場合には、測定素子が十分に高いセンサ信号を供
給するようにするために、形状寸法的挙動（多孔性、拡
散抵抗）およびポンプ性能を、測定素子の場所での酸素
濃度XO2が最大の有害物質濃度に必要な値をまさに上廻
るように同調させることは有利である。このことは、図
1bおよび1cから明らかになる。図1cには、カロリーメー
タのセンサのセンサ信号が有害物質濃度とともに直線的
に増大することが明示されている。従って、一定の酸素
部分圧の場合、センサ信号は、高い有害物質濃度XCOの
場合に最も大きい。しかし、酸素の横感度を排除するた
めの前提は、双方の場合、酸素濃度XO2が、有害物質濃
度の化学量論的に必要な値を上廻っていることである。
記載されたセンサの有利な形成および改善が可能であ
る。有害物質濃度を、測定素子が高い感応性を示すよう
な値に調節することは特に有利である。このことは、半
導体センサおよび電気化学的測定セルの場合に、有害物
質濃度が濃度の変化が最大の感度を提供するような程度
に調節されていることによって生じる。このことは、前
記のセンサ型の場合、低い有害物質濃度の場合に該当す
る。図1bは、COおよびHCのための曲線ＩおよびNOxのた
めの曲線IIによる有害物質濃度に関してセンサ信号Ｓの
経過に前記のセンサ型が依存していることを示してい
る。カロリーメータのセンサおよびイオン化検出器を使
用する場合には、測定素子が十分に高いセンサ信号を供
給するようにするために、形状寸法的挙動（多孔性、拡
散抵抗）およびポンプ性能を、測定素子の場所での酸素
濃度XO2が最大の有害物質濃度に必要な値をまさに上廻
るように同調させることは有利である。このことは、図
1bおよび1cから明らかになる。図1cには、カロリーメー
タのセンサのセンサ信号が有害物質濃度とともに直線的
に増大することが明示されている。従って、一定の酸素
部分圧の場合、センサ信号は、高い有害物質濃度XCOの
場合に最も大きい。しかし、酸素の横感度を排除するた
めの前提は、双方の場合、酸素濃度XO2が、有害物質濃
度の化学量論的に必要な値を上廻っていることである。
第一の有利な実施態様は、ポンプセルおよび測定素子
が、組み込まれた層系（組み込まれたセンサ型）を形成
することにある。この種の実施態様の場合、測定素子
は、例えば半導体ガスセンサである。この場合、ポンプ
輸送された酸素は、溢流効果（Spillover−Effekte）に
よりZrO2−固体電解質から電極の白金を経て半導電性の
金属酸化物層、例えばSnO2へ直接移動することができ、
この場合、ガス相の中に移動する必要はない。このこと
によって、ポンプセルにより金属酸化物（吸着された酸
素）の表面の状態に直接影響を及ぼすことが可能であ
る。この場合、表面の場所の変化は、ガス相の上への拡
散よりも本質的に迅速に行われる。同様の減少は、電気
化学的測定セルの使用の際にも生じる。
が、組み込まれた層系（組み込まれたセンサ型）を形成
することにある。この種の実施態様の場合、測定素子
は、例えば半導体ガスセンサである。この場合、ポンプ
輸送された酸素は、溢流効果（Spillover−Effekte）に
よりZrO2−固体電解質から電極の白金を経て半導電性の
金属酸化物層、例えばSnO2へ直接移動することができ、
この場合、ガス相の中に移動する必要はない。このこと
によって、ポンプセルにより金属酸化物（吸着された酸
素）の表面の状態に直接影響を及ぼすことが可能であ
る。この場合、表面の場所の変化は、ガス相の上への拡
散よりも本質的に迅速に行われる。同様の減少は、電気
化学的測定セルの使用の際にも生じる。
もう１つの有利な実施態様は、ポンプセルおよび測定
セルが空間的に分離されている（不連続センサ型）こと
にある。前記の配置は、拡散通路の寸法決定（Dimensio
nierung）が極端に狭い許容範囲に影響されないという
利点を有する。センサ機能の再現可能性は、本質的に正
確さによって定められ、この正確さによって、通路の長
さ／測定素子の位置の比を保持することができる。
セルが空間的に分離されている（不連続センサ型）こと
にある。前記の配置は、拡散通路の寸法決定（Dimensio
nierung）が極端に狭い許容範囲に影響されないという
利点を有する。センサ機能の再現可能性は、本質的に正
確さによって定められ、この正確さによって、通路の長
さ／測定素子の位置の比を保持することができる。
１つの詳細な効率的なポンプセルは、酸素−ポンプセ
ルに接続されている酸素が既に多孔質固体電解質体の内
部で触媒作用するポンプ電極に接して分子状の形で存在
することによって得られる。ポンプ電極に十分に酸素を
供給するためには、ポンプ輸送すべき酸素を拡散通路を
介して側面より多孔質固体電解質に案内することは特に
有利である。更に好ましくは、ポンプ輸送すべき酸素を
ポンプセルに付加的に被覆層の中に入れられかつ拡散間
隙に通じた開口を通して供給され、このことによって拡
散抵抗を減少させることができる。効率的な構造は、セ
ラミックフィルムの積層帯状物によって達成され、該積
層帯状物中に、少なくともセンサの運転のために必要な
抵抗加熱器が組み込まれており、この場合、電気的に絶
縁されたAl2O3−セラミックフィルムの使用は、特に適
当であることが明らかになる。
ルに接続されている酸素が既に多孔質固体電解質体の内
部で触媒作用するポンプ電極に接して分子状の形で存在
することによって得られる。ポンプ電極に十分に酸素を
供給するためには、ポンプ輸送すべき酸素を拡散通路を
介して側面より多孔質固体電解質に案内することは特に
有利である。更に好ましくは、ポンプ輸送すべき酸素を
ポンプセルに付加的に被覆層の中に入れられかつ拡散間
隙に通じた開口を通して供給され、このことによって拡
散抵抗を減少させることができる。効率的な構造は、セ
ラミックフィルムの積層帯状物によって達成され、該積
層帯状物中に、少なくともセンサの運転のために必要な
抵抗加熱器が組み込まれており、この場合、電気的に絶
縁されたAl2O3−セラミックフィルムの使用は、特に適
当であることが明らかになる。
図面
本発明の実施例は、図示されており、かつ以下の記載
により詳説される。詳細には、図1aは、一定の有害物質
濃度の場合の酸素濃度に関するセンサ信号の経過曲線を
示し、図1bは、一定の酸素濃度の場合の有害物質濃度に
関するセンサ信号を示し、図1cは、酸素濃度および有害
物質濃度に関連するカロリーメータのセンサのセンサ信
号を示し、図2aないし2dは、ポンプセルおよび半導体ガ
スセンサと一緒に組み込まれたセンサの横断面図を示
し、図2eは、図2d中のセンサによる酸素濃度およびCO濃
度の経過曲線を示し、図3aは、ポンプセルおよび半導体
ガスセンサを有する不連続のセンサの横断面図を示し、
図3bは、図3a中のセンサによる拡散間隙の長さに亘って
の酸素濃度およびCO濃度の経過曲線を示し、図4aは、ポ
ンプセルおよび電気化学的測定セルを有する組み込まれ
たセンサの横断面図を示し、図4bは、ポンプセルおよび
電気化学的測定セルを有する不連続のセンサの横断面図
を示し、図5aは、カロリーメータのガスセンサの平面図
を示し、図5bおよび5cは、それぞれ、図5aに記載のカロ
リーメータのガスセンサおよびO2−ポンプセルからなる
組み込まれたセンサの横断面図を示し、図5dは、カロリ
ーメータのガスセンサおよびO2−ポンプセルからなる不
連続のセンサの横断面図を示し、図5eは、図5d中のセン
サによる拡散間隙の長さに亘る酸素濃度およびHC濃度の
経過曲線を示し、図6aは、イオン化検出器およびO2−ポ
ンプセルからなる組み込まれたセンサの横断面図を示
し、図6bは、イオン化検出器およびO2−ポンプセルから
なる不連続のセンサの横断面図を示し、図7aは、測定ガ
スの侵入のための空隙を有するセンサの測定ガス側の区
間の平面図を示し、図7bは、図7aによる直線II〜IIに相
応する断面図を示し、かつ図7cは、図7aによる直線III
〜IIIに相応する断面図を示す。
により詳説される。詳細には、図1aは、一定の有害物質
濃度の場合の酸素濃度に関するセンサ信号の経過曲線を
示し、図1bは、一定の酸素濃度の場合の有害物質濃度に
関するセンサ信号を示し、図1cは、酸素濃度および有害
物質濃度に関連するカロリーメータのセンサのセンサ信
号を示し、図2aないし2dは、ポンプセルおよび半導体ガ
スセンサと一緒に組み込まれたセンサの横断面図を示
し、図2eは、図2d中のセンサによる酸素濃度およびCO濃
度の経過曲線を示し、図3aは、ポンプセルおよび半導体
ガスセンサを有する不連続のセンサの横断面図を示し、
図3bは、図3a中のセンサによる拡散間隙の長さに亘って
の酸素濃度およびCO濃度の経過曲線を示し、図4aは、ポ
ンプセルおよび電気化学的測定セルを有する組み込まれ
たセンサの横断面図を示し、図4bは、ポンプセルおよび
電気化学的測定セルを有する不連続のセンサの横断面図
を示し、図5aは、カロリーメータのガスセンサの平面図
を示し、図5bおよび5cは、それぞれ、図5aに記載のカロ
リーメータのガスセンサおよびO2−ポンプセルからなる
組み込まれたセンサの横断面図を示し、図5dは、カロリ
ーメータのガスセンサおよびO2−ポンプセルからなる不
連続のセンサの横断面図を示し、図5eは、図5d中のセン
サによる拡散間隙の長さに亘る酸素濃度およびHC濃度の
経過曲線を示し、図6aは、イオン化検出器およびO2−ポ
ンプセルからなる組み込まれたセンサの横断面図を示
し、図6bは、イオン化検出器およびO2−ポンプセルから
なる不連続のセンサの横断面図を示し、図7aは、測定ガ
スの侵入のための空隙を有するセンサの測定ガス側の区
間の平面図を示し、図7bは、図7aによる直線II〜IIに相
応する断面図を示し、かつ図7cは、図7aによる直線III
〜IIIに相応する断面図を示す。
実施例の記載
本発明によるセンサは、原理的に、２つのセンサ型に
よって実施することができる： Ａ 測定素子とポンプセルとの直接の結合を有するセン
サ（組み込まれたセンサ型）および Ｂ 測定素子とポンプセルとの空間的な分離を有するセ
ンサ（不連続のセンサ型）。
よって実施することができる： Ａ 測定素子とポンプセルとの直接の結合を有するセン
サ（組み込まれたセンサ型）および Ｂ 測定素子とポンプセルとの空間的な分離を有するセ
ンサ（不連続のセンサ型）。
組み込まれたセンサ型Ａの実施例は、図2a〜2c、4a、
5a、5bおよび6aに図示されており；不連続のセンサ型Ｂ
は、図3a、4b、5dおよび6bから明らかである。組み込ま
れた構造と不連続の構造との間の中間形態は、例えば図
2d、5cおよび7aにより可能である。
5a、5bおよび6aに図示されており；不連続のセンサ型Ｂ
は、図3a、4b、5dおよび6bから明らかである。組み込ま
れた構造と不連続の構造との間の中間形態は、例えば図
2d、5cおよび7aにより可能である。
図2aは、組み込まれたセンサ型Ａの第一の実施態様を
示す。該センサは、ポンプセル10および測定素子20から
なる。この場合、該測定素子20は、第一の測定電極およ
び第二の測定電極18、19および、例えばSnO2からなる多
孔質の半導電性の金属酸化物層13を有する半導体センサ
である。O2−イオン伝導性固体電解質、例えば安定化さ
れた酸化ジルコンからなる小板状またはフィルム状の固
体電解質支持体12の上には、１つの大面積の上に外側の
ポンプ電極11および対向している大面積の上に内側のポ
ンプ電極16が配置されている。双方のポンプ電極11、16
は、例えば白金または白金サーメットからなる。内側ポ
ンプ電極16とともに、支持体12の同じ大面積の上へ、例
えばAl2O3−絶縁体層15が施されている。Al2O3−絶縁体
層15の上には、測定電極18が存在する。感応性の領域の
形成のために、内側ポンプ電極16および測定電極18を介
して、金属酸化物層13が置かれ、この場合、内側ポンプ
電極16は、同時に第二の測定電極19を形成している。排
ガスからの保護のために、金属酸化物層13が、同時に拡
散遮断として作用する多孔質の保護層14で被覆されてい
る場合には好ましい。
示す。該センサは、ポンプセル10および測定素子20から
なる。この場合、該測定素子20は、第一の測定電極およ
び第二の測定電極18、19および、例えばSnO2からなる多
孔質の半導電性の金属酸化物層13を有する半導体センサ
である。O2−イオン伝導性固体電解質、例えば安定化さ
れた酸化ジルコンからなる小板状またはフィルム状の固
体電解質支持体12の上には、１つの大面積の上に外側の
ポンプ電極11および対向している大面積の上に内側のポ
ンプ電極16が配置されている。双方のポンプ電極11、16
は、例えば白金または白金サーメットからなる。内側ポ
ンプ電極16とともに、支持体12の同じ大面積の上へ、例
えばAl2O3−絶縁体層15が施されている。Al2O3−絶縁体
層15の上には、測定電極18が存在する。感応性の領域の
形成のために、内側ポンプ電極16および測定電極18を介
して、金属酸化物層13が置かれ、この場合、内側ポンプ
電極16は、同時に第二の測定電極19を形成している。排
ガスからの保護のために、金属酸化物層13が、同時に拡
散遮断として作用する多孔質の保護層14で被覆されてい
る場合には好ましい。
組み込まれたセンサの図2b中に図示された第二の実施
態様によれば、外側ポンプ電極11に対向する大面積の上
に、単に内側ポンプ電極16だけが存在する。内側ポンプ
電極16は、同時に測定素子20のための測定電極19として
利用される。第二の測定電極18'は、内側ポンプ電極16
に対向している面の上で金属酸化物層13の上へ施され、
該金属酸化物層13を介して保護層14が置かれている。こ
の場合、測定電極18'は、触媒不活性であり、従って、
有害物質成分は、既に測定電極18'に接して酸化されな
い。
態様によれば、外側ポンプ電極11に対向する大面積の上
に、単に内側ポンプ電極16だけが存在する。内側ポンプ
電極16は、同時に測定素子20のための測定電極19として
利用される。第二の測定電極18'は、内側ポンプ電極16
に対向している面の上で金属酸化物層13の上へ施され、
該金属酸化物層13を介して保護層14が置かれている。こ
の場合、測定電極18'は、触媒不活性であり、従って、
有害物質成分は、既に測定電極18'に接して酸化されな
い。
図2cは、四電極構造（Vier−Elektroden−Struktur）
を有する組み込まれたセンサの第三の実施態様を示す。
この実施態様によれば、固体電解質支持体12と金属酸化
物層13との間に位置決定された内側ポンプ電極16は、専
ら、ポンプ機能を有する。内側ポンプ電極16に対向する
面の上で、金属酸化物層13の上に２つの測定電極18'、1
9'に隣合わせに配置されている。該測定電極18'、19'
は、同様に保護層14で被覆されている。該測定電極1
8'、19'は、同様に既に記載された理由から触媒不活性
である。
を有する組み込まれたセンサの第三の実施態様を示す。
この実施態様によれば、固体電解質支持体12と金属酸化
物層13との間に位置決定された内側ポンプ電極16は、専
ら、ポンプ機能を有する。内側ポンプ電極16に対向する
面の上で、金属酸化物層13の上に２つの測定電極18'、1
9'に隣合わせに配置されている。該測定電極18'、19'
は、同様に保護層14で被覆されている。該測定電極1
8'、19'は、同様に既に記載された理由から触媒不活性
である。
図2a、2bおよび2cにより記載された組み込まれたセン
サ型の場合、多孔質金属酸化物層13中には、それぞれ反
対方向に進行して、酸素勾配および有害物質勾配が構成
される。酸素濃度は、内側ポンプ電極16から保護層14に
接してガス混合物にまで低下する。これとは異なり有害
物質濃度は、保護層14とガス混合物との境界面で最大で
あり、かつ内側ポンプ電極16へ向かって低下する。
サ型の場合、多孔質金属酸化物層13中には、それぞれ反
対方向に進行して、酸素勾配および有害物質勾配が構成
される。酸素濃度は、内側ポンプ電極16から保護層14に
接してガス混合物にまで低下する。これとは異なり有害
物質濃度は、保護層14とガス混合物との境界面で最大で
あり、かつ内側ポンプ電極16へ向かって低下する。
組み込まれた構造を有するセンサは、溢流効果（Spil
lover−Effekte）により、支持体12のZrO2から直接また
は電極16の白金を介して、金属酸化物層13への直接酸素
運搬に利用することができる。その結果、表面位置交換
は、ガス相の上への酸素の拡散よりも本質的に迅速に行
うことができる。更に、ガス相の上への拡散の際に、付
加的に、白金ポンプ電極の表面酸素の脱着工程並びに金
属酸化物半導体の表面での酸素の吸着工程は必要であ
る。
lover−Effekte）により、支持体12のZrO2から直接また
は電極16の白金を介して、金属酸化物層13への直接酸素
運搬に利用することができる。その結果、表面位置交換
は、ガス相の上への酸素の拡散よりも本質的に迅速に行
うことができる。更に、ガス相の上への拡散の際に、付
加的に、白金ポンプ電極の表面酸素の脱着工程並びに金
属酸化物半導体の表面での酸素の吸着工程は必要であ
る。
組み込まれたセンサ型と不連続のセンサ型との間の中
間形態の実施例は、図2d中に図示されている。前記の図
示に基づき、該センサは該センサの電気的接続とともに
図示されている。その上、全ての実施例の場合に使用さ
れたポンプセル10の自体公知の構造が明らかにされる。
固体電解質12中には、拡散通路24が設けられており、該
拡散通路の中に、外側ポンプ電極11が配置されている。
ポンプセルの運転のために、例えば少なくとも300℃の
運転温度が必要であり、このために、固体電解質12中に
は、絶縁体27中に埋設された加熱器28が組み込まれてい
る。内側ポンプ電極16と多孔質金属酸化物層13との間に
は、Al2O3からなる更に１つの多孔質絶縁体層25が配置
されている。この場合、ポンプセル10から内側ポンプ電
極16へポンプ輸送された酸は、多孔質絶縁体層25を通し
て金属酸化物層13へ拡散する。
間形態の実施例は、図2d中に図示されている。前記の図
示に基づき、該センサは該センサの電気的接続とともに
図示されている。その上、全ての実施例の場合に使用さ
れたポンプセル10の自体公知の構造が明らかにされる。
固体電解質12中には、拡散通路24が設けられており、該
拡散通路の中に、外側ポンプ電極11が配置されている。
ポンプセルの運転のために、例えば少なくとも300℃の
運転温度が必要であり、このために、固体電解質12中に
は、絶縁体27中に埋設された加熱器28が組み込まれてい
る。内側ポンプ電極16と多孔質金属酸化物層13との間に
は、Al2O3からなる更に１つの多孔質絶縁体層25が配置
されている。この場合、ポンプセル10から内側ポンプ電
極16へポンプ輸送された酸は、多孔質絶縁体層25を通し
て金属酸化物層13へ拡散する。
図2eは、多孔質絶縁体25、金属酸化物層13および図2d
によるセンサ型の半導体ガスセンサの保護層14からの層
厚ｄに沿って有害物質濃度XCOと酸素濃度XO2との経過曲
線を示す。図2eによれば、金属酸化物層13の双方の境界
面S'およびS"に接しての有害物質濃度XCO（s'）およびX
CO（s"）は、前記の位置に接しての酸素濃度XO2（s'）
およびXO2（s"）をはるかに下廻っている。従って、測
定素子20の感応性の領域に接して酸素過剰量が存在する
という本発明の要求に相応する。
によるセンサ型の半導体ガスセンサの保護層14からの層
厚ｄに沿って有害物質濃度XCOと酸素濃度XO2との経過曲
線を示す。図2eによれば、金属酸化物層13の双方の境界
面S'およびS"に接しての有害物質濃度XCO（s'）およびX
CO（s"）は、前記の位置に接しての酸素濃度XO2（s'）
およびXO2（s"）をはるかに下廻っている。従って、測
定素子20の感応性の領域に接して酸素過剰量が存在する
という本発明の要求に相応する。
本発明によるセンサ運転方法は、図2dに記載のセンサ
型の例により詳説されることになる。ポンプ電極11およ
び16への直流電圧Upの印加によって、酸素は、外側ポン
プ電極11から内側ポンプ電極16へポンプ輸送される。こ
の場合、ポンプ輸送すべき酸素を、ポンプセル10の外側
ポンプ電極面11の上に存在する基準ガスが拡散通路24か
ら除去してもよいかまたはセンサを全体的に測定ガス中
へ浸漬して、分子状の酸素または酸素含有化合部からの
酸素を排ガスから外側ポンプ電極11を介してポンプ排出
してもよい。更に、測定電圧源23および電流計22が設け
られている。該電流計22は、例えばセンサ信号の記録に
使用される。
型の例により詳説されることになる。ポンプ電極11およ
び16への直流電圧Upの印加によって、酸素は、外側ポン
プ電極11から内側ポンプ電極16へポンプ輸送される。こ
の場合、ポンプ輸送すべき酸素を、ポンプセル10の外側
ポンプ電極面11の上に存在する基準ガスが拡散通路24か
ら除去してもよいかまたはセンサを全体的に測定ガス中
へ浸漬して、分子状の酸素または酸素含有化合部からの
酸素を排ガスから外側ポンプ電極11を介してポンプ排出
してもよい。更に、測定電圧源23および電流計22が設け
られている。該電流計22は、例えばセンサ信号の記録に
使用される。
第一の運転方法によれば、ポンプセル10のポンプ電圧
Upは、SAEの刊行物第860408号およびSensors und Aktua
tors、第９巻（1986年）、第287〜300頁に記載されてい
るような公知の制御回路を介して、ポンプセル10の内側
ポンプ電極16に接して、一定の酸素部分圧に調節され
る。この場合、該酸素部分圧は、本発明によれば、有害
物質成分の測定すべき部分圧と比べて過剰量に調節され
る。例えば、酸素部分圧は、測定ガスの全圧力の２〜10
％の間に選択される。また、一定の酸素部分圧は、触媒
不活性の電極材料が使用される場合には、内側ポンプ電
極16およびガス室の三相境界に接しての酸素部分圧にも
相応する。殊に白金からの、平衡を調節する触媒活性の
電極が使用される場合、電極およびポンプセルの三相境
界への孔拡散によって達する還元ガスは酸素と反応す
る。金属酸化物層13を通って、排ガスからポンプ電極16
へ向かって、排ガス中の還元する有害物質成分の濃度に
依存し、かつ金属酸化物層13の層厚に亘って前記の相の
導電性を全体的に定める有害物質勾配が生じる。
Upは、SAEの刊行物第860408号およびSensors und Aktua
tors、第９巻（1986年）、第287〜300頁に記載されてい
るような公知の制御回路を介して、ポンプセル10の内側
ポンプ電極16に接して、一定の酸素部分圧に調節され
る。この場合、該酸素部分圧は、本発明によれば、有害
物質成分の測定すべき部分圧と比べて過剰量に調節され
る。例えば、酸素部分圧は、測定ガスの全圧力の２〜10
％の間に選択される。また、一定の酸素部分圧は、触媒
不活性の電極材料が使用される場合には、内側ポンプ電
極16およびガス室の三相境界に接しての酸素部分圧にも
相応する。殊に白金からの、平衡を調節する触媒活性の
電極が使用される場合、電極およびポンプセルの三相境
界への孔拡散によって達する還元ガスは酸素と反応す
る。金属酸化物層13を通って、排ガスからポンプ電極16
へ向かって、排ガス中の還元する有害物質成分の濃度に
依存し、かつ金属酸化物層13の層厚に亘って前記の相の
導電性を全体的に定める有害物質勾配が生じる。
もう１つの運転方法によれば、一定のポンプ流Ipを用
いて、一定の酸素−イオン流が三相境界へポンプ輸送さ
れ、該酸素−イオン流によって、同様に本発明によれば
酸素過剰量が測定素子20に接して生じる。多孔質金属酸
化物相13を通して分子状の酸素は、排ガス中に拡散す
る。ポンプ電極16の三相境界に接して、ポンプ流、ガス
混合物中の酸素部分圧および有害物質の部分圧によって
定められる酸素部分圧が生じる。
いて、一定の酸素−イオン流が三相境界へポンプ輸送さ
れ、該酸素−イオン流によって、同様に本発明によれば
酸素過剰量が測定素子20に接して生じる。多孔質金属酸
化物相13を通して分子状の酸素は、排ガス中に拡散す
る。ポンプ電極16の三相境界に接して、ポンプ流、ガス
混合物中の酸素部分圧および有害物質の部分圧によって
定められる酸素部分圧が生じる。
不連続のセンサ型の実施例は、図3a中に図示されてい
る。小板状またはフィルム状の電解質支持体12中に、公
知方法で、例えば高められた温度の場合に跡形もなく分
解する物質、例えばカーボンブラックまたはテオブロミ
ンの刷り込みによって拡散間隙31が得られる。拡散間隙
31の閉鎖された末端には、できるだけ大きな活性面積を
有していなければならず、従って拡散間隙31の全ての高
さを占め、かつ付加的に拡散間隙31の長手方向に上面お
よび下面に沿って拡張されている内側ポンプ電極16が配
置されている。固体電解質支持体12の上側大面積の上
に、内側ポンプ電極16に対向して、外側ポンプ電極11が
配置されている。
る。小板状またはフィルム状の電解質支持体12中に、公
知方法で、例えば高められた温度の場合に跡形もなく分
解する物質、例えばカーボンブラックまたはテオブロミ
ンの刷り込みによって拡散間隙31が得られる。拡散間隙
31の閉鎖された末端には、できるだけ大きな活性面積を
有していなければならず、従って拡散間隙31の全ての高
さを占め、かつ付加的に拡散間隙31の長手方向に上面お
よび下面に沿って拡張されている内側ポンプ電極16が配
置されている。固体電解質支持体12の上側大面積の上
に、内側ポンプ電極16に対向して、外側ポンプ電極11が
配置されている。
拡散間隙31の入口からの距離ｓ中で、測定素子20、例
えば半導体ガスセンサ15は位置決定されている。このた
めに、拡散間隙31の下面の上へ、例えばAl2O3からなる
絶縁体層32が施され、該絶縁体層の上に、双方の測定電
極18および19と金属酸化物層13とが配置されている。
えば半導体ガスセンサ15は位置決定されている。このた
めに、拡散間隙31の下面の上へ、例えばAl2O3からなる
絶縁体層32が施され、該絶縁体層の上に、双方の測定電
極18および19と金属酸化物層13とが配置されている。
センサを動作させる場合、ポンプセル10の電極11およ
び16へポンプ電圧Upが印加されるので、定義された十分
に高い酸素部分圧、例えば拡散間隙31の閉鎖された末端
に接しての全圧力の10％が生じる。酸素部分圧と比べ
て、拡散間隙31の開口でのガス混合物中の酸素部分圧
は、看過可能なほど小さい。拡散間隙31の長さ１に亘っ
ての酸素濃度XO2および有害物質濃度XCOの経過曲線は、
図3bから明らかである。酸素勾配XO2および有害物質勾
配XCOは、反対方向に向けられている。半導体ガスセン
サ15が配置されている拡散間隙31の位置ｓは、XO
2（ｓ）≫XCO（ｓ）である。
び16へポンプ電圧Upが印加されるので、定義された十分
に高い酸素部分圧、例えば拡散間隙31の閉鎖された末端
に接しての全圧力の10％が生じる。酸素部分圧と比べ
て、拡散間隙31の開口でのガス混合物中の酸素部分圧
は、看過可能なほど小さい。拡散間隙31の長さ１に亘っ
ての酸素濃度XO2および有害物質濃度XCOの経過曲線は、
図3bから明らかである。酸素勾配XO2および有害物質勾
配XCOは、反対方向に向けられている。半導体ガスセン
サ15が配置されている拡散間隙31の位置ｓは、XO
2（ｓ）≫XCO（ｓ）である。
直線的な関係の場合の半導体ガスセンサ15の位置ｓで
の還元成分、例えばCOの部分圧は次のように見倣されて
いる： pCO（ｓ）＝（１−s/1）pCO このことにより、半導体ガスセンサ15は、近似的に一
定の酸素部分圧に晒されていることが保証される。セン
サの位置での還元成分、例えばCOの部分圧から、ガス混
合物中の還元成分の部分圧を遡及計算することができ
る。
の還元成分、例えばCOの部分圧は次のように見倣されて
いる： pCO（ｓ）＝（１−s/1）pCO このことにより、半導体ガスセンサ15は、近似的に一
定の酸素部分圧に晒されていることが保証される。セン
サの位置での還元成分、例えばCOの部分圧から、ガス混
合物中の還元成分の部分圧を遡及計算することができ
る。
不連続のセンサ型（Ｂ）は、殊に、極端に狭い許容範
囲を拡散間隙31の計測の場合に注意する必要がないとい
う利点を有する。拡散間隙31の計測は、専ら、閉鎖され
た間隙末端で、パラメーターが、酸素部分圧は２〜10％
に等しく、かつ還元有害物質成分、例えばCOの部分圧は
０に等しく調節することができるような程度にポンプセ
ル10のポンプ性能に適合させなければならない。
囲を拡散間隙31の計測の場合に注意する必要がないとい
う利点を有する。拡散間隙31の計測は、専ら、閉鎖され
た間隙末端で、パラメーターが、酸素部分圧は２〜10％
に等しく、かつ還元有害物質成分、例えばCOの部分圧は
０に等しく調節することができるような程度にポンプセ
ル10のポンプ性能に適合させなければならない。
測定素子20が電気化学的測定セル30である場合の組み
込まれたセンサは、図4aから明らかである。ポンプセル
10は、記載された半導体ガスセンサの場合と同様に、内
側ポンプ電極および外側ポンプ電極11、16を有する。内
側ポンプ電極16の上には、もう１つの固体電解質層35が
配置され、該固体電解質層の上には内側ポンプ電極16に
対向して、測定電極36が設けられている。該固体電解質
層35は、多孔質に記載されている。測定電極36は、触媒
的に活性ではない。ただ触媒的に弱いかまたは活性でな
い測定電極の場合に、有害物質成分にも左右される“混
合能力”が測定される。また、前記センサの場合、測定
電極36は、多孔質保護層14で被覆されている。測定セル
30の形成のために、内側ポンプ電極16は、同時に基準電
極37として接続される。
込まれたセンサは、図4aから明らかである。ポンプセル
10は、記載された半導体ガスセンサの場合と同様に、内
側ポンプ電極および外側ポンプ電極11、16を有する。内
側ポンプ電極16の上には、もう１つの固体電解質層35が
配置され、該固体電解質層の上には内側ポンプ電極16に
対向して、測定電極36が設けられている。該固体電解質
層35は、多孔質に記載されている。測定電極36は、触媒
的に活性ではない。ただ触媒的に弱いかまたは活性でな
い測定電極の場合に、有害物質成分にも左右される“混
合能力”が測定される。また、前記センサの場合、測定
電極36は、多孔質保護層14で被覆されている。測定セル
30の形成のために、内側ポンプ電極16は、同時に基準電
極37として接続される。
有害物質勾配および酸素勾配は、多孔質固体電解質層
35中で、それぞれ反対方向に向かって進行し、この場
合、基準電極37に接して酸素過剰量は調節されている。
内側電極16、ひいては基準電極37に接する酸素過剰量
は、基準電極37と測定電極36との間の相応する容量差を
形成する。更に予定されたポンプ電圧源Upは、前記実施
例の場合、図2d中のものと同じ機能を有する。電圧測定
装置38を用いて、容量差は、センサ信号として記録され
る。
35中で、それぞれ反対方向に向かって進行し、この場
合、基準電極37に接して酸素過剰量は調節されている。
内側電極16、ひいては基準電極37に接する酸素過剰量
は、基準電極37と測定電極36との間の相応する容量差を
形成する。更に予定されたポンプ電圧源Upは、前記実施
例の場合、図2d中のものと同じ機能を有する。電圧測定
装置38を用いて、容量差は、センサ信号として記録され
る。
電気化学的測定セル30を有する不連続のセンサの実施
態様は、図4b中に図示されている。前記センサは、半導
体ガスセンサの代わりに電気化学的測定セル30が設けら
れているだけで図3a中のセンサと同様に構成されてい
る。該測定セル30は、拡散間隙31中に配置された測定電
極35および内側ポンプ電極16によって形成された基準電
極37からなる。他の構造および機能は、図3a中の実施態
様に相応する。
態様は、図4b中に図示されている。前記センサは、半導
体ガスセンサの代わりに電気化学的測定セル30が設けら
れているだけで図3a中のセンサと同様に構成されてい
る。該測定セル30は、拡散間隙31中に配置された測定電
極35および内側ポンプ電極16によって形成された基準電
極37からなる。他の構造および機能は、図3a中の実施態
様に相応する。
図5aおよび5bは、組み込まれたセンサのもう１つの実
施例を示し、この場合、測定素子として、カロリーメー
タのガスセンサ40（熱量変化センサ（Ｗrmetnungss
ensor）、ペリスター（Pellistor））が使用される。こ
のために、ポンプセル10の固体電解質支持体12の上に、
それぞれ、例えば白金または白金サーメットからなる第
一および第二の曲折抵抗路（Ｍander−Widerstandsba
hn）41および42が設けられる。第一の抵抗路41の上に、
多孔質触媒活性の導電性でない層43が配置され、かつ第
二の抵抗路42の上には、触媒的に不活性の導電性でない
層44が配置されている（図5b）。
施例を示し、この場合、測定素子として、カロリーメー
タのガスセンサ40（熱量変化センサ（Ｗrmetnungss
ensor）、ペリスター（Pellistor））が使用される。こ
のために、ポンプセル10の固体電解質支持体12の上に、
それぞれ、例えば白金または白金サーメットからなる第
一および第二の曲折抵抗路（Ｍander−Widerstandsba
hn）41および42が設けられる。第一の抵抗路41の上に、
多孔質触媒活性の導電性でない層43が配置され、かつ第
二の抵抗路42の上には、触媒的に不活性の導電性でない
層44が配置されている（図5b）。
触媒的に不活性の層44は、抵抗路432に接しての接触
反応を十分に回避するために、有利に気密である。触媒
活性層43には、好ましくは同様に拡散遮断として作用す
る多孔質保護層48が施されている。有利には、抵抗路供
給管（Widerstandsbahnzuleitungen）の領域で、気密
で、絶縁体または導電路に抗して絶縁された被覆層49が
施され、該被覆層が供給管に接しての反応を阻止する。
触媒活性層43に接して、酸化可能なガスが、空気酸素
と、熱を放出しながら反応し、この場合、熱量変化は、
センサの温度上昇に関して非等温で測定されるかまたは
センサの損失性能変化（Verlustleistungsnderung）
に関して等温で（一定のセンサ温度での制御）測定され
る。熱量変化は、O2−過剰量の場合、酸化可能なガスの
ガス濃度にのみ左右されるが、しかし、O2−濃度には左
右されない。このために、十分に高いO2−過剰量をポン
プセル10を用いて触媒活性層43中に導入することが必要
である。
反応を十分に回避するために、有利に気密である。触媒
活性層43には、好ましくは同様に拡散遮断として作用す
る多孔質保護層48が施されている。有利には、抵抗路供
給管（Widerstandsbahnzuleitungen）の領域で、気密
で、絶縁体または導電路に抗して絶縁された被覆層49が
施され、該被覆層が供給管に接しての反応を阻止する。
触媒活性層43に接して、酸化可能なガスが、空気酸素
と、熱を放出しながら反応し、この場合、熱量変化は、
センサの温度上昇に関して非等温で測定されるかまたは
センサの損失性能変化（Verlustleistungsnderung）
に関して等温で（一定のセンサ温度での制御）測定され
る。熱量変化は、O2−過剰量の場合、酸化可能なガスの
ガス濃度にのみ左右されるが、しかし、O2−濃度には左
右されない。このために、十分に高いO2−過剰量をポン
プセル10を用いて触媒活性層43中に導入することが必要
である。
組み込まれたセンサ型Ａとカロリーメータのセンサ40
を有する不連続のセンサ型Ｂとの間の中間形態は、図5c
から明らかになる。この場合、分離された内側ポンプ電
極16を有するポンプセル10が記載され、該ポンプ電極を
介して多孔質絶縁体層45が置かれている。多孔質絶縁体
層45の上には、少なくとも抵抗路41および触媒活性層43
が配置ている。前記実施態様のセンサは、図5b中に図示
されたセンサと同じ原理により働いている。酸素勾配お
よび有害物質勾配は、それぞれ、多孔質触媒活性層43お
よび多孔質絶縁体層45を通して進行する。触媒活性層を
介して、多孔質保護層48は、配置されていてもよい。同
様に、抵抗路供給管には、有利に気密被覆層49が施され
ている。
を有する不連続のセンサ型Ｂとの間の中間形態は、図5c
から明らかになる。この場合、分離された内側ポンプ電
極16を有するポンプセル10が記載され、該ポンプ電極を
介して多孔質絶縁体層45が置かれている。多孔質絶縁体
層45の上には、少なくとも抵抗路41および触媒活性層43
が配置ている。前記実施態様のセンサは、図5b中に図示
されたセンサと同じ原理により働いている。酸素勾配お
よび有害物質勾配は、それぞれ、多孔質触媒活性層43お
よび多孔質絶縁体層45を通して進行する。触媒活性層を
介して、多孔質保護層48は、配置されていてもよい。同
様に、抵抗路供給管には、有利に気密被覆層49が施され
ている。
図3a中の実施態様と同様に、カロリーメータのガスセ
ンサ40の間隔s'、s"で拡散間隙31中に配置されている図
5dに記載のセンサは、不連続の構造を有する。拡散間隙
31は、入口のところで、例えば多孔質酸化触媒47で閉鎖
されている。この酸化触媒47は、HCに対する選択性を達
成し、この場合、排ガス中に存在する燃焼可能なガス成
分NOx、H2および／またはCOが、例えば300℃の低い温度
での前燃焼により燃焼される。従って、カロリーメータ
の測定素子40は、例えば500〜600℃のより高い温度でHC
だけを燃焼する。
ンサ40の間隔s'、s"で拡散間隙31中に配置されている図
5dに記載のセンサは、不連続の構造を有する。拡散間隙
31は、入口のところで、例えば多孔質酸化触媒47で閉鎖
されている。この酸化触媒47は、HCに対する選択性を達
成し、この場合、排ガス中に存在する燃焼可能なガス成
分NOx、H2および／またはCOが、例えば300℃の低い温度
での前燃焼により燃焼される。従って、カロリーメータ
の測定素子40は、例えば500〜600℃のより高い温度でHC
だけを燃焼する。
拡散間隙31の中での酸素勾配およびHC勾配の進行は、
図5eから明らかになる。従って、十分に高い酸素部分圧
の場合、カロリーメータのガスセンサ40に接して、酸素
濃度は測定すべきHC−濃度を上廻っている。
図5eから明らかになる。従って、十分に高い酸素部分圧
の場合、カロリーメータのガスセンサ40に接して、酸素
濃度は測定すべきHC−濃度を上廻っている。
センサの図6aおよび6b中に図示された実施態様は、測
定素子20としてイオン化検出器50を利用する。この場
合、図6aは、固体電解質支持体12の上に双方のポンプ電
極11および16が配置されている組み込まれた実施態様で
あり、この場合、内側ポンプ電極16は、同時にイオン化
検出器50のアノード51を形成する。このアノード51は、
カソード52に対向している。アノード51とカソード52途
の間には、ガス室55が形成され、該ガス室に、測定ガス
開口56を介してガス混合物が供給される。例えば800℃
の温度で、触媒活性アノード51に接して燃焼の際にHC−
イオンが形成され、該HC−イオンは、対向しているカソ
ード52によって吸引される。燃焼のために排ガス中で必
要な酸素は、別の実施例の場合と同様に、ポンプセル10
によって直接アノード51にポンプ輸送される。
定素子20としてイオン化検出器50を利用する。この場
合、図6aは、固体電解質支持体12の上に双方のポンプ電
極11および16が配置されている組み込まれた実施態様で
あり、この場合、内側ポンプ電極16は、同時にイオン化
検出器50のアノード51を形成する。このアノード51は、
カソード52に対向している。アノード51とカソード52途
の間には、ガス室55が形成され、該ガス室に、測定ガス
開口56を介してガス混合物が供給される。例えば800℃
の温度で、触媒活性アノード51に接して燃焼の際にHC−
イオンが形成され、該HC−イオンは、対向しているカソ
ード52によって吸引される。燃焼のために排ガス中で必
要な酸素は、別の実施例の場合と同様に、ポンプセル10
によって直接アノード51にポンプ輸送される。
図6bは、イオン化検出器を有する不連続の実施態様を
示し、この場合、この図6bには、固体電解質支持体12
が、前記の不連続のセンサ型の場合と同様に、拡散間隙
31を有する。拡散間隙31中には、前記開口の間隔でイオ
ン化検出器50が配置されている。この場合、それぞれ対
向して拡散間隙31の上面および下面の上へ、絶縁体層54
が施され、該絶縁体層の上に、それぞれ、アノード51お
よびカソード52が配置されている。アノード51に接して
のHCの燃焼反応の際に、カロリーメータのセンサの場合
と比較可能な挙動が存在するので、酸素を含めてガスの
濃度分布に関連して考慮する場合、既に前記の関係の中
で記載された説明が当てはまる。
示し、この場合、この図6bには、固体電解質支持体12
が、前記の不連続のセンサ型の場合と同様に、拡散間隙
31を有する。拡散間隙31中には、前記開口の間隔でイオ
ン化検出器50が配置されている。この場合、それぞれ対
向して拡散間隙31の上面および下面の上へ、絶縁体層54
が施され、該絶縁体層の上に、それぞれ、アノード51お
よびカソード52が配置されている。アノード51に接して
のHCの燃焼反応の際に、カロリーメータのセンサの場合
と比較可能な挙動が存在するので、酸素を含めてガスの
濃度分布に関連して考慮する場合、既に前記の関係の中
で記載された説明が当てはまる。
図7aは、センサの被覆フィルム15の測定ガス側の区間
の平面図を示す。図7bおよびｃによるセンサは、セラミ
ック支持体10'、電気化学的酸素−ポンプセル20'および
測定素子30を有する。セラミック支持体10'は、Al2O3か
らなる第一のセラミックフィルム11'および同様にAl2O3
からなる第二のセラミックフィルム12'を有し、前記セ
ラミックフィルムの間に抵抗加熱器13'が埋設されてい
る。第二のセラミックフィルム12'の大面積の上に、１
つの別のポンプ電極21'が配置され、該ポンプ電極の上
へ、Yb2O3−またはY2O3−安定化された酸化ジルコニウ
ムからなる多孔質酸素イオン伝導固体電解質23'が施さ
れている。この多孔質固体電解質23'は、熱膨張率を適
合させるために、好ましくは1:1の比で、有利に安定化
されたZrO2およびAl2O3からなる混合セラミックとして
記載されている。
の平面図を示す。図7bおよびｃによるセンサは、セラミ
ック支持体10'、電気化学的酸素−ポンプセル20'および
測定素子30を有する。セラミック支持体10'は、Al2O3か
らなる第一のセラミックフィルム11'および同様にAl2O3
からなる第二のセラミックフィルム12'を有し、前記セ
ラミックフィルムの間に抵抗加熱器13'が埋設されてい
る。第二のセラミックフィルム12'の大面積の上に、１
つの別のポンプ電極21'が配置され、該ポンプ電極の上
へ、Yb2O3−またはY2O3−安定化された酸化ジルコニウ
ムからなる多孔質酸素イオン伝導固体電解質23'が施さ
れている。この多孔質固体電解質23'は、熱膨張率を適
合させるために、好ましくは1:1の比で、有利に安定化
されたZrO2およびAl2O3からなる混合セラミックとして
記載されている。
外側ポンプ電極21'は、第二のセラミックフィルム12'
の上に案内された導電路25'と接続されている。この第
二のセラミックフィルム12'の上へおよび導電路25'を介
して、固体電解質23'にまで、好ましくは固体電解質23'
の厚さを有し、かつAl2O3からなる電気的に絶縁性の中
間層14'が置かれている。この固体電解質23'の上には、
外側ポンプ電極21'に対向して内側ポンプ電極22'が配置
されている。この内側ポンプ電極22'は、中間層14'の上
に配置されたもう１つの導電路26'と接続されている。
該ポンプ電極21'、22'は、好ましくは完全安定化された
ZrO2−保護骨格を有するサーメット電極である。
の上に案内された導電路25'と接続されている。この第
二のセラミックフィルム12'の上へおよび導電路25'を介
して、固体電解質23'にまで、好ましくは固体電解質23'
の厚さを有し、かつAl2O3からなる電気的に絶縁性の中
間層14'が置かれている。この固体電解質23'の上には、
外側ポンプ電極21'に対向して内側ポンプ電極22'が配置
されている。この内側ポンプ電極22'は、中間層14'の上
に配置されたもう１つの導電路26'と接続されている。
該ポンプ電極21'、22'は、好ましくは完全安定化された
ZrO2−保護骨格を有するサーメット電極である。
ポンプセル20'を介して、第一の絶縁体層27'および第
二の絶縁体層28'から構成される被覆フィルム15'が存在
する。双方の絶縁体層27'、28'は、例えばAl2O3からな
る。被覆層15'中には、図7aによれば孔17'およびその側
面にはそれぞれ開口18"が設けられている。この孔17'
は、該孔がポンプセル20'に戴置され、かつ内側ポンプ
電極22'の上にまで達しているような程度に配置されて
いる。
二の絶縁体層28'から構成される被覆フィルム15'が存在
する。双方の絶縁体層27'、28'は、例えばAl2O3からな
る。被覆層15'中には、図7aによれば孔17'およびその側
面にはそれぞれ開口18"が設けられている。この孔17'
は、該孔がポンプセル20'に戴置され、かつ内側ポンプ
電極22'の上にまで達しているような程度に配置されて
いる。
孔17'の中には、測定素子30'が配置されている。測定
素子30'としては、この例の場合、半導体ガスセンサが
使用される。このために、孔17'中には、内側ポンプ電
極22'の上へ、例えばAl2O3からなる多孔質絶縁体層31'
が施されている。該多孔質絶縁体層31'の上には、例え
ば白金からなる２つの互いに並列に配置された測定電極
31'が存在する。双方の測定電極32'は、それぞれ、双方
の絶縁体層27'および28'の間に導かれている測定電極導
電路33'を提供する。双方の測定電極32'の上には、例え
ばSnO2からなる半導電性の金属酸化物層34'が戴置され
ている。金属酸化物層34'は、好ましくは第二の絶縁体
層28'の表面で確実に遮断されている多孔質保護層35'で
被覆されている。
素子30'としては、この例の場合、半導体ガスセンサが
使用される。このために、孔17'中には、内側ポンプ電
極22'の上へ、例えばAl2O3からなる多孔質絶縁体層31'
が施されている。該多孔質絶縁体層31'の上には、例え
ば白金からなる２つの互いに並列に配置された測定電極
31'が存在する。双方の測定電極32'は、それぞれ、双方
の絶縁体層27'および28'の間に導かれている測定電極導
電路33'を提供する。双方の測定電極32'の上には、例え
ばSnO2からなる半導電性の金属酸化物層34'が戴置され
ている。金属酸化物層34'は、好ましくは第二の絶縁体
層28'の表面で確実に遮断されている多孔質保護層35'で
被覆されている。
孔17'とともに配置された双方の開口18"は、ポンプセ
ル20に側面で案内されたそれぞれ１つの通路19"へ通じ
ている。双方の通路19"は、ポンプセル20'保護のため
に、好ましくは、例えばZrO2からなる多孔質拡散体24'
で充填されている。開口18"に同様にこの種の多孔質拡
散体を備え付けることは、同様に考えられる。該ポンプ
セル20'は、センサの細い前面16'によって元に戻り、そ
の結果、付加的に前面16'へ向かう前面通路29'は、同様
に拡散体24'で充填されているポンプセル20'へ向かって
形成されている。しかしまた一方で、通路19"および29"
を、充填なしに完成することも考えられる。
ル20に側面で案内されたそれぞれ１つの通路19"へ通じ
ている。双方の通路19"は、ポンプセル20'保護のため
に、好ましくは、例えばZrO2からなる多孔質拡散体24'
で充填されている。開口18"に同様にこの種の多孔質拡
散体を備え付けることは、同様に考えられる。該ポンプ
セル20'は、センサの細い前面16'によって元に戻り、そ
の結果、付加的に前面16'へ向かう前面通路29'は、同様
に拡散体24'で充填されているポンプセル20'へ向かって
形成されている。しかしまた一方で、通路19"および29"
を、充填なしに完成することも考えられる。
センサの運転のために、ポンプ電圧はポンプ電極2
1'、22'に印加され、例えばSAEの刊行物第860408号に記
載されている公知の制御回路を介して、内側ポンプ電極
22'に接して、一定の酸素部分圧に調節され、その結
果、本発明によれば、酸素は、測定すべきガス成分に比
べて過剰量で存在する。例えば、酸素部分圧は、測定ガ
スの全圧力の２から10％の間に選択される。また、一定
の酸素部分圧は、測定素子30'に接している酸素部分圧
にも相応する。
1'、22'に印加され、例えばSAEの刊行物第860408号に記
載されている公知の制御回路を介して、内側ポンプ電極
22'に接して、一定の酸素部分圧に調節され、その結
果、本発明によれば、酸素は、測定すべきガス成分に比
べて過剰量で存在する。例えば、酸素部分圧は、測定ガ
スの全圧力の２から10％の間に選択される。また、一定
の酸素部分圧は、測定素子30'に接している酸素部分圧
にも相応する。
センサの運転のために、ポンプセル20'および測定素
子30'は、測定ガス中に浸漬してもよい。この場合、ポ
ンプセル20'は分子状の酸素または酸素含有化合物から
の酸素を測定ガスから別のポンプ電極21'の上へポンプ
輸送により排出する。しかし、測定素子30'を測定ガス
と接触して運搬し、ポンプセル20'を通路19'、29'およ
び開口18'を、酸素がポンプ輸送により排出される基準
ガスに晒されることも全く同じく考えられる。
子30'は、測定ガス中に浸漬してもよい。この場合、ポ
ンプセル20'は分子状の酸素または酸素含有化合物から
の酸素を測定ガスから別のポンプ電極21'の上へポンプ
輸送により排出する。しかし、測定素子30'を測定ガス
と接触して運搬し、ポンプセル20'を通路19'、29'およ
び開口18'を、酸素がポンプ輸送により排出される基準
ガスに晒されることも全く同じく考えられる。
記載されたセンサ型は、好ましくは、厚膜技術で記載
されている。このための常用のスクリーニング技術は、
十分に公知である。更に、記載されたセンサ型は、好ま
しくは図2d中の実施態様と関連して記載された組み込ま
れた加熱器と一緒に記載され、該加熱器については詳細
に図示することは不要であった。更に、層構造のための
別の材料を使用することも考えられる。例えば、層系を
セラミック支持体上に施すことができる。
されている。このための常用のスクリーニング技術は、
十分に公知である。更に、記載されたセンサ型は、好ま
しくは図2d中の実施態様と関連して記載された組み込ま
れた加熱器と一緒に記載され、該加熱器については詳細
に図示することは不要であった。更に、層構造のための
別の材料を使用することも考えられる。例えば、層系を
セラミック支持体上に施すことができる。
しかし、個々の層をフィルムとして記載し、その結
果、該センサは、全体的に積層結合体として構成される
ことも全く同じく考えられる。
果、該センサは、全体的に積層結合体として構成される
ことも全く同じく考えられる。
フロントページの続き
(72)発明者 ノイマン，ハラルト
ドイツ連邦共和国 Ｄ―71665 ヴァイ
ヒンゲン／エンツヴァイヒンゲン レー
メンシュトラーセ 29／１
(72)発明者 リーゲル，ヨハン
ドイツ連邦共和国 Ｄ―74321 ビーテ
ィッヒハイム―ビシンゲン アイヒェン
ヴェーク 27
(72)発明者 フリーゼ，カール−ヘルマン
ドイツ連邦共和国 Ｄ―71229 レオン
ベルク シュトローゴイシュトラーセ
13
(72)発明者 グリュンヴァルト，ヴェルナー
ドイツ連邦共和国 Ｄ―70839 ゲルリ
ンゲン レーマーヴェーク ８
(56)参考文献 特開 平５−180794（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01N 27/416
G01N 27/12
G01N 27/419
G01N 27/14
G01N 27/62
Claims (10)
- 【請求項１】１つの感知領域を有する測定素子及び固体
電解質の上に配置されたポンプ電極を有する、測定素子
への酸素運搬を生じるポンプセルを有する、ガス混合物
中のガス成分および／またはガス濃度を測定するための
センサにおいて、ポンプセル（10）および測定素子（2
0）は、空間的に互いに別個に配置され、かつ拡散間隙
（31）を介して互いに結合され、開口を有する拡散間隙
（31）はガス混合物に晒され、ポンプセル（10,20′）
とガス混合物との間に、拡散区間が設けられ、該拡散区
間中で、それぞれ互いに反対方向に進行して測定すべき
ガス成分の勾配および酸素勾配が生じ、かつ測定素子
（20、30′）は、過剰の酸素が感知領域に接しているよ
うに拡散区間に関連して形成されていることを特徴とす
る、ガス混合物中のガス成分および／またはガス濃度を
測定するためのセンサ。 - 【請求項２】感知領域で、測定すべきガス成分の勾配に
基づいて、測定すべき１つまたはそれ以上のガス成分に
関連するより感度の高い領域に測定素子（20、30'）が
存在しているように濃度が生じる、請求項１に記載のセ
ンサ。 - 【請求項３】ガス濃度の変化が、本質的に、酸素濃度の
変化によって生じるセンサ信号の変化よりも大きなセン
サ信号の変化を生じるような程度にガス濃度が調節され
ている、請求項２に記載のセンサ。 - 【請求項４】測定すべきガス成分の感知領域に接して最
大に生じる濃度が、酸素濃度に関連してほぼ化学量論的
値で調節されているが、しかし、前記値を超えてはおら
ず、その結果、測定すべきガス成分の濃度は、最大のセ
ンサ信号を生じる、請求項２に記載のセンサ。 - 【請求項５】ポンプセル（10、20'）が内側ポンプ電極
および外側ポンプ電極（11、16、22'、21'）を有し、測
定素子（20、30'）がポンプセル（10、20'）で統合され
た層系を形成し、かつ拡散区間が少なくとも１つの多孔
質層によって形成され、この場合、多孔質層中には、そ
れぞれ反対方向に進行して、測定すべきガス成分の勾配
および酸素勾配が構成されている、請求項１に記載のセ
ンサ。 - 【請求項６】ポンプセル（10）および測定素子（20）
は、空間的に互いに別個に配置され、かつ拡散間隙（3
1）を介して、互いに結合され、かつ開口を有する拡散
間隙（31）は、ガス混合物に晒され、この場合、拡散間
隙（31）は拡散区間を形成し、かつこの場合、拡散間隙
（31）は、それぞれ互いに反対方向に進行して、酸素勾
配および測定すべきガス成分の勾配が構成されている、
請求項１に記載のセンサ。 - 【請求項７】拡散間隙（31）の閉鎖された末端に接し
て、内側ポンプ電極および外側ポンプ電極（11、16）を
有するポンプセルが配置され、かつ拡散間隙（31）中に
測定素子（20）が配置されている、請求項６に記載のセ
ンサ。 - 【請求項８】ポンプセル（20'）が、多孔質に仕上げら
れている固体電解質（23'）を有する、請求項１に記載
のセンサ。 - 【請求項９】少なくとも１つの拡散通路（19"、29'）
が、多孔質の固体電解質（23'）の側面に導かれている
ポンプ輸送すべき酸素のために設けられている、請求項
８に記載のセンサ。 - 【請求項１０】測定素子（20）の上に、拡散遮蔽を形成
する多孔質層（14）が戴置されている、請求項１から９
までのいずれか１項に記載のセンサ。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19924243734 DE4243734C2 (de) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | Sensor zur Bestimmung von Gaskomponenten und/oder von Gaskonzentrationen von Gasgemischen |
| DE4243734.2 | 1992-12-23 | ||
| DE4311849A DE4311849C2 (de) | 1992-12-23 | 1993-04-10 | Sensor zur Bestimmung von Gaskomponenten und/oder Gaskonzentrationen von Gasgemischen |
| DE4311849.6 | 1993-04-10 | ||
| PCT/DE1993/001164 WO1994015206A1 (de) | 1992-12-23 | 1993-12-07 | Sensor zur bestimmung von gaskomponenten und/oder von gaskonzentrationen von gasgemischen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07504040A JPH07504040A (ja) | 1995-04-27 |
| JP3425951B2 true JP3425951B2 (ja) | 2003-07-14 |
Family
ID=25921676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51466694A Expired - Fee Related JP3425951B2 (ja) | 1992-12-23 | 1993-12-07 | ガス混合物のガス成分および／またはガス濃度を測定するためのセンサ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5476001A (ja) |
| EP (1) | EP0627078B1 (ja) |
| JP (1) | JP3425951B2 (ja) |
| KR (1) | KR100245322B1 (ja) |
| DE (2) | DE4311849C2 (ja) |
| WO (1) | WO1994015206A1 (ja) |
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| JPH08122287A (ja) * | 1994-10-24 | 1996-05-17 | Ngk Insulators Ltd | ガス成分の濃度の測定装置および方法 |
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