JP3399434B2 - 高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法 - Google Patents
高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法Info
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子成形材に絶
縁層を形成し、この絶縁層にレーザ照射した後、無電解
及び電解メッキを施す高分子成形材のメッキ形成方法
と、この高分子成形材のメッキ形成方法を用いた回路形
成部品及びその製造方法に関するものである。
縁層を形成し、この絶縁層にレーザ照射した後、無電解
及び電解メッキを施す高分子成形材のメッキ形成方法
と、この高分子成形材のメッキ形成方法を用いた回路形
成部品及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高分子材料にメッキを施す方法
は、高分子材料からなる成形品の表面を化学薬品によっ
て粗面化した後、錫パラジウム化合物を吸着させ、一旦
パラジウムを還元し、最後に無電解メッキを行う方法が
一般的である。また、回路パターン等の部分メッキを施
すためには、フォトレジストによる露光法が用いられて
いる。
は、高分子材料からなる成形品の表面を化学薬品によっ
て粗面化した後、錫パラジウム化合物を吸着させ、一旦
パラジウムを還元し、最後に無電解メッキを行う方法が
一般的である。また、回路パターン等の部分メッキを施
すためには、フォトレジストによる露光法が用いられて
いる。
【０００３】また、電子機器に広く用いられている多層
基板においても、この２つの工程を繰り返し行うことに
よりその製造が行われている。
基板においても、この２つの工程を繰り返し行うことに
よりその製造が行われている。
【０００４】すなわち、ビア形成工程では、図５の
（１）〜（６）に示すように基板６０に絶縁層６１を塗
布した後に予備乾燥させ、露光（ネガ）処理６４して、
現像した後に本乾燥させる。次に、前処理工程では、図
５の（７）〜（９）に示すように絶縁層６１をエッチン
グ（粗面化）し、キャタリスティング工程、アクセラレ
ーティング工程を経る。次に、パターニング工程では、
図５の（１０）〜（１５）に示すように、前処理された
絶縁層６１に無電解メッキもしくは無電解メッキ後電解
メッキを施し、レジスト６２を塗布し、露光（ポジ）処
理６５して、現像した後にＣｕのエッチングを行い、レ
ジスト６２を除去し、メッキ層からなる回路パターン６
３を得る。
（１）〜（６）に示すように基板６０に絶縁層６１を塗
布した後に予備乾燥させ、露光（ネガ）処理６４して、
現像した後に本乾燥させる。次に、前処理工程では、図
５の（７）〜（９）に示すように絶縁層６１をエッチン
グ（粗面化）し、キャタリスティング工程、アクセラレ
ーティング工程を経る。次に、パターニング工程では、
図５の（１０）〜（１５）に示すように、前処理された
絶縁層６１に無電解メッキもしくは無電解メッキ後電解
メッキを施し、レジスト６２を塗布し、露光（ポジ）処
理６５して、現像した後にＣｕのエッチングを行い、レ
ジスト６２を除去し、メッキ層からなる回路パターン６
３を得る。
【０００５】また、射出成形回路部品（ＭＩＤ）におい
ても部分メッキ製法は同様であるが、立体部品のための
適切なレジスト材や塗布方法が無いことや、立体露光が
技術的・生産的に困難であることから、露光法による射
出成形回路部品の多層化は実現されていない。
ても部分メッキ製法は同様であるが、立体部品のための
適切なレジスト材や塗布方法が無いことや、立体露光が
技術的・生産的に困難であることから、露光法による射
出成形回路部品の多層化は実現されていない。
【０００６】また、射出成形回路部品の多層化の別手段
として、２回成形と最外層面部への露光法とを組み合わ
せたものが提唱されているが３層までしか対応できず、
回路形成も極めて制限されるものである。
として、２回成形と最外層面部への露光法とを組み合わ
せたものが提唱されているが３層までしか対応できず、
回路形成も極めて制限されるものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の高分子材料にメッキを施す方法及びフォトレジ
ストによる露光法を用いての多層基板の製造では多くの
製造工程を要し、簡単に多層基板を製造することができ
なかったし、また、射出成形回路部品の多層化では３層
までしか対応できず、回路形成も極めて制限される上、
製造コストが高いという問題点があった。
た従来の高分子材料にメッキを施す方法及びフォトレジ
ストによる露光法を用いての多層基板の製造では多くの
製造工程を要し、簡単に多層基板を製造することができ
なかったし、また、射出成形回路部品の多層化では３層
までしか対応できず、回路形成も極めて制限される上、
製造コストが高いという問題点があった。
【０００８】本発明は、上記した問題点を解決するもの
であって、その第１の目的とするところは、樹脂塗布用
基材に、無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希
釈塗布して乾燥させて絶縁層を形成することで、レーザ
表面処理によるメッキが可能になり、このメッキを回路
にすることで簡単に且つ確実に回路形成部品（多層基
板）を構成することができる高分子成形材のメッキ形成
方法を提供することにある。
であって、その第１の目的とするところは、樹脂塗布用
基材に、無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希
釈塗布して乾燥させて絶縁層を形成することで、レーザ
表面処理によるメッキが可能になり、このメッキを回路
にすることで簡単に且つ確実に回路形成部品（多層基
板）を構成することができる高分子成形材のメッキ形成
方法を提供することにある。
【０００９】また、本発明の第２の目的とするところ
は、任意回路形状を有し且つ３層を超える多層の回路を
得ることができ、小型軽量化、高密度化、ＥＭＣ特性に
優れた回路形成部品を提供することにある。
は、任意回路形状を有し且つ３層を超える多層の回路を
得ることができ、小型軽量化、高密度化、ＥＭＣ特性に
優れた回路形成部品を提供することにある。
【００１０】また、本発明の第３の目的とするところ
は、任意回路形状を有し、しかも３層を超える立体的な
多層の回路を有する回路形成部品を低い製造コストで、
且つ容易に製造することができる回路形成部品の製造方
法を提供することにある。
は、任意回路形状を有し、しかも３層を超える立体的な
多層の回路を有する回路形成部品を低い製造コストで、
且つ容易に製造することができる回路形成部品の製造方
法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の第１の目的を達成
するために、本発明に係る高分子成形材のメッキ形成方
法は、樹脂塗布用基材に、無機フィラーを充填した高分
子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層を形成し
た後、絶縁層の表面にレーザを照射し、当該レーザ照射
部に正の電位を生じさせた後、レーザ照射部に無電解メ
ッキの触媒を析出させ、その後、樹脂塗布用基材を無電
解メッキ液に浸漬し、レーザ照射部に無電解メッキ層を
形成するようにしたものである。
するために、本発明に係る高分子成形材のメッキ形成方
法は、樹脂塗布用基材に、無機フィラーを充填した高分
子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層を形成し
た後、絶縁層の表面にレーザを照射し、当該レーザ照射
部に正の電位を生じさせた後、レーザ照射部に無電解メ
ッキの触媒を析出させ、その後、樹脂塗布用基材を無電
解メッキ液に浸漬し、レーザ照射部に無電解メッキ層を
形成するようにしたものである。
【００１２】また、本発明に係る高分子成形材のメッキ
形成方法は、樹脂塗布用基材に、無機フィラーを充填し
た高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層を
形成した後、前記絶縁層の表面にレーザを照射し、当該
レーザ照射部を導電化した後に、電解メッキを行うこと
で、レーザ照射部に電解メッキ層を形成するようにした
ものである。
形成方法は、樹脂塗布用基材に、無機フィラーを充填し
た高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層を
形成した後、前記絶縁層の表面にレーザを照射し、当該
レーザ照射部を導電化した後に、電解メッキを行うこと
で、レーザ照射部に電解メッキ層を形成するようにした
ものである。
【００１３】そして、無機フィラーはφ０．１〜１０μ
ｍの粒子状ガラス又は粒状セラミックスであり、その高
分子材料に対する添加量は１０〜５０重量％であり、ま
た、レーザは波長が６００ｎｍ以下のレーザであり、レ
ーザの全投入エネルギが１０〜５００Ｊ／ｃｍ2である
ことが好ましい。また、高分子材料に、ポリイミドまた
はエポキシ樹脂を用いることが好ましい。
ｍの粒子状ガラス又は粒状セラミックスであり、その高
分子材料に対する添加量は１０〜５０重量％であり、ま
た、レーザは波長が６００ｎｍ以下のレーザであり、レ
ーザの全投入エネルギが１０〜５００Ｊ／ｃｍ2である
ことが好ましい。また、高分子材料に、ポリイミドまた
はエポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００１４】したがって、樹脂塗布用基材に、無機フィ
ラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥さ
せて絶縁層を形成することで、レーザ表面処理による無
電解メッキ又は電解メッキが可能になり、この無電解メ
ッキ又は電解メッキを回路パターンにすることで、容易
に且つ低コストで多層基板又は回路形成部品を構成する
ことができる。
ラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥さ
せて絶縁層を形成することで、レーザ表面処理による無
電解メッキ又は電解メッキが可能になり、この無電解メ
ッキ又は電解メッキを回路パターンにすることで、容易
に且つ低コストで多層基板又は回路形成部品を構成する
ことができる。
【００１５】また、上記の第２の目的を達成するため
に、本発明に係る回路形成部品は、樹脂塗布用基材上
に、無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗
布して乾燥させて形成された絶縁層と、この絶縁層にレ
ーザ処理により形成された回路形成部及びビアホール
と、回路形成部及びビアホールにメッキを施して形成さ
れた回路とを備えたものである。
に、本発明に係る回路形成部品は、樹脂塗布用基材上
に、無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗
布して乾燥させて形成された絶縁層と、この絶縁層にレ
ーザ処理により形成された回路形成部及びビアホール
と、回路形成部及びビアホールにメッキを施して形成さ
れた回路とを備えたものである。
【００１６】また、回路形成部品は、高分子成形品が凹
陥部を有し、凹陥部の表面上に、無機フィラーを充填し
た高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層を
形成し、この絶縁層にレーザ処理により回路形成部とビ
アホールとを形成し、回路形成部及びビアホールにメッ
キを施して回路を形成し、この手順を複数回繰り返すこ
とにより、凹陥部に多層の回路を形成したものである。
陥部を有し、凹陥部の表面上に、無機フィラーを充填し
た高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層を
形成し、この絶縁層にレーザ処理により回路形成部とビ
アホールとを形成し、回路形成部及びビアホールにメッ
キを施して回路を形成し、この手順を複数回繰り返すこ
とにより、凹陥部に多層の回路を形成したものである。
【００１７】そして、メッキが、絶縁層にレーザを照射
し、このレーザ照射部に正の表面電位を生じさせた後、
レーザ照射部に無電解メッキの触媒を析出させ、その
後、無電解メッキ液に浸漬して行われる無電解メッキで
あり、また、メッキが、絶縁層にレーザを照射し、この
レーザ照射部に導電性を付与した後、電解メッキ液に浸
漬して行われる電解メッキである。
し、このレーザ照射部に正の表面電位を生じさせた後、
レーザ照射部に無電解メッキの触媒を析出させ、その
後、無電解メッキ液に浸漬して行われる無電解メッキで
あり、また、メッキが、絶縁層にレーザを照射し、この
レーザ照射部に導電性を付与した後、電解メッキ液に浸
漬して行われる電解メッキである。
【００１８】そして、無機フィラーはφ０．１〜１０μ
ｍの粒子状ガラス又は粒状セラミックスであり、その高
分子材料に対する添加量は１０〜５０重量％であり、ま
た、レーザは波長が６００ｎｍ以下のレーザであり、レ
ーザの全投入エネルギが１０〜５００Ｊ／ｃｍ2 である
ことが好ましい。
ｍの粒子状ガラス又は粒状セラミックスであり、その高
分子材料に対する添加量は１０〜５０重量％であり、ま
た、レーザは波長が６００ｎｍ以下のレーザであり、レ
ーザの全投入エネルギが１０〜５００Ｊ／ｃｍ2 である
ことが好ましい。
【００１９】また、高分子成形品の材料は、液晶ポリ
マ、ポリエーテルスルホン、ポリプチレンテレフタレー
ト、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリ
フェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリエチレン
テレフタレート、ポリアミド、アクリロニトリル・ブタ
ジェン・スチレン（ＡＢＳ）、ポリフェニレンサルフア
イド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリスルホン、ポリイミド、エポキシ樹脂、または
これらの複合樹脂である。
マ、ポリエーテルスルホン、ポリプチレンテレフタレー
ト、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリ
フェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリエチレン
テレフタレート、ポリアミド、アクリロニトリル・ブタ
ジェン・スチレン（ＡＢＳ）、ポリフェニレンサルフア
イド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリスルホン、ポリイミド、エポキシ樹脂、または
これらの複合樹脂である。
【００２０】かかる構成により、任意回路形状を有し且
つ３層を超える多層の回路を得ることができ、小型軽量
化、高密度化、ＥＭＣ特性に優れた回路形成部品を得る
ことができる。
つ３層を超える多層の回路を得ることができ、小型軽量
化、高密度化、ＥＭＣ特性に優れた回路形成部品を得る
ことができる。
【００２１】また、上記の第３の目的を達成するため
に、本発明に係る回路形成部品の製造方法は、高分子成
形材上に、無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で
希釈塗布して乾燥させて絶縁層を形成する絶縁層形成工
程と、この絶縁層形成工程で形成された絶縁層にレーザ
処理により回路形成部とビアホールとを形成する回路形
成部形成工程と、この回路形成部形成工程で形成された
回路形成部及びビアホールにメッキを施して回路を形成
する回路形成工程とを備え、絶縁層形成工程と回路形成
部形成工程と回路形成工程とを、この順序に複数回繰り
返すことにより多層の回路を有する回路形成部品を製造
するようにしたものである。
に、本発明に係る回路形成部品の製造方法は、高分子成
形材上に、無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で
希釈塗布して乾燥させて絶縁層を形成する絶縁層形成工
程と、この絶縁層形成工程で形成された絶縁層にレーザ
処理により回路形成部とビアホールとを形成する回路形
成部形成工程と、この回路形成部形成工程で形成された
回路形成部及びビアホールにメッキを施して回路を形成
する回路形成工程とを備え、絶縁層形成工程と回路形成
部形成工程と回路形成工程とを、この順序に複数回繰り
返すことにより多層の回路を有する回路形成部品を製造
するようにしたものである。
【００２２】そして、回路形成部品が多層基板であるこ
とが好ましい。また、メッキが、絶縁層にレーザを照射
し、このレーザ照射部に正の表面電位を生じさせた後、
レーザ照射部に無電解メッキの触媒を析出させ、その
後、無電解メッキ液に浸漬して行われる無電解メッキで
あり、また、メッキが、絶縁層にレーザを照射し、この
レーザ照射部に導電性を付与した後、電解メッキ液に浸
漬して行われる電解メッキである。
とが好ましい。また、メッキが、絶縁層にレーザを照射
し、このレーザ照射部に正の表面電位を生じさせた後、
レーザ照射部に無電解メッキの触媒を析出させ、その
後、無電解メッキ液に浸漬して行われる無電解メッキで
あり、また、メッキが、絶縁層にレーザを照射し、この
レーザ照射部に導電性を付与した後、電解メッキ液に浸
漬して行われる電解メッキである。
【００２３】そして、無機フィラーはφ０．１〜１０μ
ｍの粒子状ガラス又は粒状セラミックスであり、その高
分子材料に対する添加量は１０〜５０重量％であり、ま
た、レーザは波長が６００ｎｍ以下のレーザであり、レ
ーザの全投入エネルギが１０〜５００Ｊ／ｃｍ2 である
ことが好ましい。
ｍの粒子状ガラス又は粒状セラミックスであり、その高
分子材料に対する添加量は１０〜５０重量％であり、ま
た、レーザは波長が６００ｎｍ以下のレーザであり、レ
ーザの全投入エネルギが１０〜５００Ｊ／ｃｍ2 である
ことが好ましい。
【００２４】また、高分子成形品の材料は、液晶ポリ
マ、ポリエーテルスルホン、ポリプチレンテレフタレー
ト、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリ
フェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリエチレン
テレフタレート、ポリアミド、アクリロニトリル・ブタ
ジェン・スチレン（ＡＢＳ）、ポリフェニレンサルフア
イド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリスルホン、ポリイミド、エポキシ樹脂、または
これらの複合樹脂である。
マ、ポリエーテルスルホン、ポリプチレンテレフタレー
ト、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリ
フェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリエチレン
テレフタレート、ポリアミド、アクリロニトリル・ブタ
ジェン・スチレン（ＡＢＳ）、ポリフェニレンサルフア
イド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリスルホン、ポリイミド、エポキシ樹脂、または
これらの複合樹脂である。
【００２５】したがって、任意回路形状を有し、しかも
３層を超える立体的な多層の回路を有する回路形成部品
を低い製造コストで、且つ容易に製造することができ
る。
３層を超える立体的な多層の回路を有する回路形成部品
を低い製造コストで、且つ容易に製造することができ
る。
【００２６】
【発明の実施の形態】本発明に係る高分子成形材のメッ
キ形成方法を説明する。
キ形成方法を説明する。
【００２７】本発明に係る高分子成形材のメッキ形成方
法は、図１の（１）〜（３）に示すように、樹脂塗布用
基材２０に、１０〜５０重量％の無機フィラーを充填し
た高分子材料（例えば、ポリイミド等）を溶剤（例え
ば、キシレン等）で希釈塗布して乾燥させて絶縁層２１
を形成した後、この絶縁層２１の表面に波長が６００ｎ
ｍ以下のレーザＲを照射し、当該レーザ照射部２２に正
の電位を生じさせた後、樹脂塗布用基材２０を貴金属水
溶液（例えば、陰イオン性のＰｄ化合物またはＰｄコロ
イドを含む水溶液）に浸漬して、レーザ照射部２２に無
電解メッキの触媒（例えばＰｄ）のみを析出させた後、
樹脂塗布用基材２０を無電解メッキ液に浸漬して行うこ
とで、レーザ照射部２２に無電解メッキ層２３を形成す
るようにしたものである。
法は、図１の（１）〜（３）に示すように、樹脂塗布用
基材２０に、１０〜５０重量％の無機フィラーを充填し
た高分子材料（例えば、ポリイミド等）を溶剤（例え
ば、キシレン等）で希釈塗布して乾燥させて絶縁層２１
を形成した後、この絶縁層２１の表面に波長が６００ｎ
ｍ以下のレーザＲを照射し、当該レーザ照射部２２に正
の電位を生じさせた後、樹脂塗布用基材２０を貴金属水
溶液（例えば、陰イオン性のＰｄ化合物またはＰｄコロ
イドを含む水溶液）に浸漬して、レーザ照射部２２に無
電解メッキの触媒（例えばＰｄ）のみを析出させた後、
樹脂塗布用基材２０を無電解メッキ液に浸漬して行うこ
とで、レーザ照射部２２に無電解メッキ層２３を形成す
るようにしたものである。
【００２８】また、本発明に係る高分子成形材のメッキ
形成方法は、図１の（４）に示すように、樹脂塗布用基
材２０に、１０〜５０重量％の無機フィラーを充填した
高分子材料（例えば、ポリイミド等）を溶剤（例えば、
キシレン等）で希釈塗布して乾燥させて絶縁層２１を形
成した後、この絶縁層２１の表面に波長が６００ｎｍ以
下のレーザＲを照射し、当該レーザ照射部２２を導電化
した後に、電解メッキを行うことで、レーザ照射部２２
に電解メッキ層２３´を形成するようにしたものであ
る。
形成方法は、図１の（４）に示すように、樹脂塗布用基
材２０に、１０〜５０重量％の無機フィラーを充填した
高分子材料（例えば、ポリイミド等）を溶剤（例えば、
キシレン等）で希釈塗布して乾燥させて絶縁層２１を形
成した後、この絶縁層２１の表面に波長が６００ｎｍ以
下のレーザＲを照射し、当該レーザ照射部２２を導電化
した後に、電解メッキを行うことで、レーザ照射部２２
に電解メッキ層２３´を形成するようにしたものであ
る。
【００２９】無機フィラーとしては、ガラスフィラー、
セラミックス粒子等が挙げられ、形状をφ１〜２０μ
ｍ、長さ１０μｍ以上のファイバー状、または、φ０．
５〜２０μｍの粒子状で、その高分子材料に対する添加
量を１０〜５０重量％とすると、より一層デブリーの飛
散を抑制することが可能になる。
セラミックス粒子等が挙げられ、形状をφ１〜２０μ
ｍ、長さ１０μｍ以上のファイバー状、または、φ０．
５〜２０μｍの粒子状で、その高分子材料に対する添加
量を１０〜５０重量％とすると、より一層デブリーの飛
散を抑制することが可能になる。
【００３０】また、レーザとしては、エキシマレーザ
（波長λ＝１９３、２４８、３０８、３５１ｎｍ）、Ｙ
ＡＧ第２高調波（波長λ＝５３２ｎｍ）、ＹＡＧ第３高
調波（波長λ＝３５５ｎｍ）等の波長が６００ｎｍ以下
のものであれば使用できる。
（波長λ＝１９３、２４８、３０８、３５１ｎｍ）、Ｙ
ＡＧ第２高調波（波長λ＝５３２ｎｍ）、ＹＡＧ第３高
調波（波長λ＝３５５ｎｍ）等の波長が６００ｎｍ以下
のものであれば使用できる。
【００３１】また、レーザによる全投入エネルギの総計
を１０〜５００Ｊ／ｃｍ2 とすると、無電解メッキの場
合は、レーザの照射領域の帯電状態を貴金属を析出させ
るのに適した状態にすることができるし、電解メッキの
場合は、レーザの照射領域のの導電性を電解メッキ層の
形成に適した状態にすることができる。
を１０〜５００Ｊ／ｃｍ2 とすると、無電解メッキの場
合は、レーザの照射領域の帯電状態を貴金属を析出させ
るのに適した状態にすることができるし、電解メッキの
場合は、レーザの照射領域のの導電性を電解メッキ層の
形成に適した状態にすることができる。
【００３２】無電解メッキの場合は、レーザの照射条件
を、フルーエンス（単位パルスの単位面積当たりのエネ
ルギー：Ｊ／ｃｍ2 ／１パルス）及び照射回数が、貴金
属を析出させるのに適した帯電状態となるように設定す
るのがよい。これにより、レーザ照射領域で、アプレー
ションにより発生するデブリーの帯電状態が良好とな
り、貴金属の析出を適切に行わせ、無電解メッキをレー
ザ照射領域の全面に施すことが可能となる。
を、フルーエンス（単位パルスの単位面積当たりのエネ
ルギー：Ｊ／ｃｍ2 ／１パルス）及び照射回数が、貴金
属を析出させるのに適した帯電状態となるように設定す
るのがよい。これにより、レーザ照射領域で、アプレー
ションにより発生するデブリーの帯電状態が良好とな
り、貴金属の析出を適切に行わせ、無電解メッキをレー
ザ照射領域の全面に施すことが可能となる。
【００３３】また、電解メッキの場合は、レーザの照射
条件を、フルーエンス（単位パルスの単位面積当たりの
エネルギー：Ｊ／ｃｍ2 ／１パルス）及び照射回数が、
レーザの照射領域で電解メッキに適した導電性となるよ
うに設定するのがよい。
条件を、フルーエンス（単位パルスの単位面積当たりの
エネルギー：Ｊ／ｃｍ2 ／１パルス）及び照射回数が、
レーザの照射領域で電解メッキに適した導電性となるよ
うに設定するのがよい。
【００３４】また、無電解メッキの場合は、絶縁層２１
を陰イオン性の貴金属水溶液に浸漬する。この場合、使
用可能な貴金属水溶液としては、ＰｄＣｌ ２ 粉末
をイオン交換水に溶解したり、Ｎａ ２ ＰｄＣ１
４ 粉末をイオン交換水に溶解したり、ＰｄＣｌ
２ 粉末とＮａＣｌ粉末をイオン交換水に溶解してなる
バラジウム水溶液や、塩化バラジウム、塩化ナトリウ
ム、ポリエチレングリコール・モノ・Ｐ・ノニルフェニ
ルエーテル、ホウ素化フッ化ナトリウムを混合したパラ
ジウムコロイド水溶液等が挙げられる。
を陰イオン性の貴金属水溶液に浸漬する。この場合、使
用可能な貴金属水溶液としては、ＰｄＣｌ ２ 粉末
をイオン交換水に溶解したり、Ｎａ ２ ＰｄＣ１
４ 粉末をイオン交換水に溶解したり、ＰｄＣｌ
２ 粉末とＮａＣｌ粉末をイオン交換水に溶解してなる
バラジウム水溶液や、塩化バラジウム、塩化ナトリウ
ム、ポリエチレングリコール・モノ・Ｐ・ノニルフェニ
ルエーテル、ホウ素化フッ化ナトリウムを混合したパラ
ジウムコロイド水溶液等が挙げられる。
【００３５】このような前処理方法により、絶縁層２１
のレーザ照射領域にのみ貴金属を析出させ、その後に無
電解メッキを行うことで、この領域のみに無電解メッキ
層２３を形成する。
のレーザ照射領域にのみ貴金属を析出させ、その後に無
電解メッキを行うことで、この領域のみに無電解メッキ
層２３を形成する。
【００３６】また、電解メッキの場合は、上記したよう
に絶縁層２１のレーザ照射領域のみを導電化した後に、
電解メッキを行うことで、この領域のみに電解メッキ層
２３´を形成する。
に絶縁層２１のレーザ照射領域のみを導電化した後に、
電解メッキを行うことで、この領域のみに電解メッキ層
２３´を形成する。
【００３７】したがって、上記した高分子成形材のメッ
キ形成方法によれば、樹脂塗布用基材２０に、無機フィ
ラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥さ
せて絶縁層２１を形成することで、レーザ表面処理によ
る無電解メッキまたは電解メッキが可能になり、この無
電解メッキまたは電解メッキを回路（導電パターン）に
することで基板を構成することができる。
キ形成方法によれば、樹脂塗布用基材２０に、無機フィ
ラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥さ
せて絶縁層２１を形成することで、レーザ表面処理によ
る無電解メッキまたは電解メッキが可能になり、この無
電解メッキまたは電解メッキを回路（導電パターン）に
することで基板を構成することができる。
【００３８】次に、本発明に係る回路形成部品としての
多層基板とその製造方法を説明する。
多層基板とその製造方法を説明する。
【００３９】多層基板は、樹脂塗布用基材２０上に、無
機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して
乾燥させて形成された絶縁層２１と、この絶縁層２１に
レーザ処理により形成された回路形成部（図示せず）及
びビアホール２５と、回路形成部及びビアホール２５に
メッキを施して形成された回路２３−１（２３´−１）
とを備えたものである。
機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して
乾燥させて形成された絶縁層２１と、この絶縁層２１に
レーザ処理により形成された回路形成部（図示せず）及
びビアホール２５と、回路形成部及びビアホール２５に
メッキを施して形成された回路２３−１（２３´−１）
とを備えたものである。
【００４０】そして、メッキは、上記した本発明に係る
高分子成形材のメッキ形成方法で述べた無電解メッキま
たは電解メッキである。
高分子成形材のメッキ形成方法で述べた無電解メッキま
たは電解メッキである。
【００４１】すなわち、樹脂塗布用基材２０に、１０〜
５０重量％の無機フィラーを充填した高分子材料（例え
ば、ポリイミド等）を溶剤（例えば、キシレン等）で希
釈塗布して乾燥させて絶縁層２１を形成した後、この絶
縁層２１の表面に波長が６００ｎｍ以下のレーザＲを照
射し、当該レーザ照射部２２に正の電位を生じさせた
後、樹脂塗布用基材２０を貴金属水溶液（例えば、陰イ
オン性のＰｄ化合物またはＰｄコロイドを含む水溶液）
に浸漬して、レーザ照射部２２に無電解メッキの触媒
（例えばＰｄ）のみを析出させた後、樹脂塗布用基材２
０を無電解メッキ液に浸漬して行う無電解メッキであ
り、また、樹脂塗布用基材２０に、１０〜５０重量％の
無機フィラーを充填した高分子材料（例えば、ポリイミ
ド等）を溶剤（例えば、キシレン等）で希釈塗布して乾
燥させて絶縁層２１を形成した後、この絶縁層２１の表
面に波長が６００ｎｍ以下のレーザＲを照射し、当該レ
ーザ照射部２２を導電化した後に行う電解メッキであ
る。
５０重量％の無機フィラーを充填した高分子材料（例え
ば、ポリイミド等）を溶剤（例えば、キシレン等）で希
釈塗布して乾燥させて絶縁層２１を形成した後、この絶
縁層２１の表面に波長が６００ｎｍ以下のレーザＲを照
射し、当該レーザ照射部２２に正の電位を生じさせた
後、樹脂塗布用基材２０を貴金属水溶液（例えば、陰イ
オン性のＰｄ化合物またはＰｄコロイドを含む水溶液）
に浸漬して、レーザ照射部２２に無電解メッキの触媒
（例えばＰｄ）のみを析出させた後、樹脂塗布用基材２
０を無電解メッキ液に浸漬して行う無電解メッキであ
り、また、樹脂塗布用基材２０に、１０〜５０重量％の
無機フィラーを充填した高分子材料（例えば、ポリイミ
ド等）を溶剤（例えば、キシレン等）で希釈塗布して乾
燥させて絶縁層２１を形成した後、この絶縁層２１の表
面に波長が６００ｎｍ以下のレーザＲを照射し、当該レ
ーザ照射部２２を導電化した後に行う電解メッキであ
る。
【００４２】そして、多層基板の製造は、高分子成形材
上に、無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈
塗布して乾燥させて絶縁層を形成する絶縁層形成工程
と、絶縁層形成工程で形成された絶縁層にレーザ処理に
より回路形成部とビアホールとを形成する回路形成部形
成工程と、回路形成部形成工程で形成された回路形成部
及びビアホールにメッキ層を形成して回路を形成する回
路形成工程とを、この順序に複数回繰り返すことにより
行われる。
上に、無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈
塗布して乾燥させて絶縁層を形成する絶縁層形成工程
と、絶縁層形成工程で形成された絶縁層にレーザ処理に
より回路形成部とビアホールとを形成する回路形成部形
成工程と、回路形成部形成工程で形成された回路形成部
及びビアホールにメッキ層を形成して回路を形成する回
路形成工程とを、この順序に複数回繰り返すことにより
行われる。
【００４３】図２の（１）では、上記したように樹脂塗
布用基材２０に高分子材料（１０〜５０％の無機フィラ
ーを充填した高分子材料）が塗布され且つ乾燥されて形
成された絶縁層２１の表面に無電解メッキ層２３を形成
し、また、上記したように高分子成形材のレーザ照射領
域のみを導電化した後に、電解メッキを行うことで、こ
の領域のみに電解メッキ層２３´からなる回路２３´−
１を形成した状態を示す。
布用基材２０に高分子材料（１０〜５０％の無機フィラ
ーを充填した高分子材料）が塗布され且つ乾燥されて形
成された絶縁層２１の表面に無電解メッキ層２３を形成
し、また、上記したように高分子成形材のレーザ照射領
域のみを導電化した後に、電解メッキを行うことで、こ
の領域のみに電解メッキ層２３´からなる回路２３´−
１を形成した状態を示す。
【００４４】次に、図２の（２）に示すように絶縁層２
１の表面に再び１０〜５０％の無機フィラーを充填した
高分子材料を溶剤で希釈塗布し乾燥させることで第１の
絶縁層２４−１を形成する。
１の表面に再び１０〜５０％の無機フィラーを充填した
高分子材料を溶剤で希釈塗布し乾燥させることで第１の
絶縁層２４−１を形成する。
【００４５】次に、第１の絶縁層２４−１の表面に波長
が６００ｎｍ以下のレーザを照射し、このレーザ照射部
に正の電位を生じさせると共に、レーザで第１の絶縁層
２４−１にビヤホール２５を形成し、このビヤホール２
５の周面部に正の電位を生じさせる。
が６００ｎｍ以下のレーザを照射し、このレーザ照射部
に正の電位を生じさせると共に、レーザで第１の絶縁層
２４−１にビヤホール２５を形成し、このビヤホール２
５の周面部に正の電位を生じさせる。
【００４６】その後、陰イオン性のＰｄ化合物またはＰ
ｄコロイドを含む水溶液に浸漬し、図２の（３）に示す
ようにレーザ照射部（回路形成部）及びビヤホール２５
にＰｄを核として第１の無電解メッキ層からなる回路２
３−１と、無電解メッキ層からなる回路２３−１と第１
の無電解メッキ層からなる回路２３−１とを連ねるラン
ド２６とを形成する。また、電解メッキの場合には、上
記したように高分子成形材のレーザ照射部（回路形成
部）及びビヤホール２５の周面部を導電化した後に、電
解メッキを行うことで、第１の電解メッキ層からなる回
路２３´−１と、電解メッキ層からなる回路２３´−１
と第１の電解メッキ層からなる回路２３´−１とを連ね
るランド２６´とを形成する。
ｄコロイドを含む水溶液に浸漬し、図２の（３）に示す
ようにレーザ照射部（回路形成部）及びビヤホール２５
にＰｄを核として第１の無電解メッキ層からなる回路２
３−１と、無電解メッキ層からなる回路２３−１と第１
の無電解メッキ層からなる回路２３−１とを連ねるラン
ド２６とを形成する。また、電解メッキの場合には、上
記したように高分子成形材のレーザ照射部（回路形成
部）及びビヤホール２５の周面部を導電化した後に、電
解メッキを行うことで、第１の電解メッキ層からなる回
路２３´−１と、電解メッキ層からなる回路２３´−１
と第１の電解メッキ層からなる回路２３´−１とを連ね
るランド２６´とを形成する。
【００４７】次に、図２の（４）に示すように、上記し
たように回路２３−１（２３´−１）とランド２６を形
成した第１の絶縁層２４−１に再び１０〜５０％の無機
フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布し乾燥
させることで第２の絶縁層２４−２を形成する。
たように回路２３−１（２３´−１）とランド２６を形
成した第１の絶縁層２４−１に再び１０〜５０％の無機
フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布し乾燥
させることで第２の絶縁層２４−２を形成する。
【００４８】次に、この第２の絶縁層２４−２の表面に
波長が６００ｎｍ以下のレーザを照射し、このレーザ照
射部に正の電位を生じさせると共に、レーザで第２の絶
縁層２４−２にビヤホール２５を形成し、このビヤホー
ル２５の周面部に正の電位を生じさせる。
波長が６００ｎｍ以下のレーザを照射し、このレーザ照
射部に正の電位を生じさせると共に、レーザで第２の絶
縁層２４−２にビヤホール２５を形成し、このビヤホー
ル２５の周面部に正の電位を生じさせる。
【００４９】その後、陰イオン性のＰｄ化合物またはＰ
ｄコロイドを含む水溶液に浸漬し、レーザ照射部（回路
形成部）及びビヤホール２５にＰｄを核として第２の無
電解メッキ層からなる回路２３−２と、第１の無電解メ
ッキ層からなる回路２３−１と第２の無電解メッキ層か
らなる回路２３−２とを連ねるランド２６とを形成す
る。また、電解メッキの場合には、上記したように高分
子成形材のレーザ照射部（回路形成部）及びビヤホール
２５の周面部を導電化した後に、電解メッキを行うこと
で、第２の電解メッキ層からなる回路２３´−２と、第
１の電解メッキ層からなる回路２３´−１と第２の電解
メッキ層からなる回路２３´−２とを連ねるランド２６
´とを形成する。
ｄコロイドを含む水溶液に浸漬し、レーザ照射部（回路
形成部）及びビヤホール２５にＰｄを核として第２の無
電解メッキ層からなる回路２３−２と、第１の無電解メ
ッキ層からなる回路２３−１と第２の無電解メッキ層か
らなる回路２３−２とを連ねるランド２６とを形成す
る。また、電解メッキの場合には、上記したように高分
子成形材のレーザ照射部（回路形成部）及びビヤホール
２５の周面部を導電化した後に、電解メッキを行うこと
で、第２の電解メッキ層からなる回路２３´−２と、第
１の電解メッキ層からなる回路２３´−１と第２の電解
メッキ層からなる回路２３´−２とを連ねるランド２６
´とを形成する。
【００５０】以下、この工程を繰り返すことにより多層
（図２の（４）では３層）の無電解メッキ層からなる回
路２３−１、２３−２、２３−３又は電解メッキ層から
なる回路２３´−１、２３´−２、２３´−３を形成し
て多層基板を製造する。
（図２の（４）では３層）の無電解メッキ層からなる回
路２３−１、２３−２、２３−３又は電解メッキ層から
なる回路２３´−１、２３´−２、２３´−３を形成し
て多層基板を製造する。
【００５１】したがって、任意回路形状を有し且つ３層
を超える多層の回路を得ることができ、小型軽量化、高
密度化、ＥＭＣ特性に優れた多層基板を得ることができ
る。
を超える多層の回路を得ることができ、小型軽量化、高
密度化、ＥＭＣ特性に優れた多層基板を得ることができ
る。
【００５２】また、この多層基板の製造方法によれば、
任意回路形状を有し、しかも３層を超える立体的な多層
基板を低い製造コストで、且つ容易に製造することがで
きる。
任意回路形状を有し、しかも３層を超える立体的な多層
基板を低い製造コストで、且つ容易に製造することがで
きる。
【００５３】次に、本発明に係る回路形成部品として図
３に示す部品について説明する。
３に示す部品について説明する。
【００５４】この回路形成部品は、高分子成形品３０が
凹陥部３９を有し、凹陥部３９の表面上に、無機フィラ
ーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させ
て絶縁層３４−１を形成し、この絶縁層３４−１にレー
ザ処理により回路形成部とビアホール３５とを形成し、
回路形成部及びビアホール３５にメッキを施して回路３
６−１（３６´−１）を形成し、この手順を複数回繰り
返すことにより、凹陥部３９に多層の回路を形成し、多
層の回路から高分子成形品の外側にかけてランド３３
（３３´）を形成したものである。
凹陥部３９を有し、凹陥部３９の表面上に、無機フィラ
ーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させ
て絶縁層３４−１を形成し、この絶縁層３４−１にレー
ザ処理により回路形成部とビアホール３５とを形成し、
回路形成部及びビアホール３５にメッキを施して回路３
６−１（３６´−１）を形成し、この手順を複数回繰り
返すことにより、凹陥部３９に多層の回路を形成し、多
層の回路から高分子成形品の外側にかけてランド３３
（３３´）を形成したものである。
【００５５】そして、メッキは、上記した本発明に係る
高分子成形材のメッキ形成方法で述べた無電解メッキま
たは電解メッキである。
高分子成形材のメッキ形成方法で述べた無電解メッキま
たは電解メッキである。
【００５６】すなわち、高分子成形品３０の凹陥部３９
の表面に、１０〜５０重量％の無機フィラーを充填した
高分子材料（例えば、ポリイミド等）を溶剤（例えば、
キシレン等）で希釈塗布して乾燥させて絶縁層３４−１
を形成した後、この絶縁層３４−１の表面に波長が６０
０ｎｍ以下のレーザＲを照射し、当該レーザ照射部に正
の電位を生じさせた後、貴金属水溶液（例えば、陰イオ
ン性のＰｄ化合物またはＰｄコロイドを含む水溶液）に
浸漬して、レーザ照射部に無電解メッキの触媒（例えば
Ｐｄ）のみを析出させた後、無電解メッキ液に浸漬して
行う無電解メッキであり、また、凹陥部３９の表面に、
１０〜５０重量％の無機フィラーを充填した高分子材料
（例えば、ポリイミド等）を溶剤（例えば、キシレン
等）で希釈塗布して乾燥させて絶縁層３４−１を形成し
た後、この絶縁層３４−１の表面に波長が６００ｎｍ以
下のレーザＲを照射し、当該レーザ照射部を導電化した
後に行う電解メッキである。
の表面に、１０〜５０重量％の無機フィラーを充填した
高分子材料（例えば、ポリイミド等）を溶剤（例えば、
キシレン等）で希釈塗布して乾燥させて絶縁層３４−１
を形成した後、この絶縁層３４−１の表面に波長が６０
０ｎｍ以下のレーザＲを照射し、当該レーザ照射部に正
の電位を生じさせた後、貴金属水溶液（例えば、陰イオ
ン性のＰｄ化合物またはＰｄコロイドを含む水溶液）に
浸漬して、レーザ照射部に無電解メッキの触媒（例えば
Ｐｄ）のみを析出させた後、無電解メッキ液に浸漬して
行う無電解メッキであり、また、凹陥部３９の表面に、
１０〜５０重量％の無機フィラーを充填した高分子材料
（例えば、ポリイミド等）を溶剤（例えば、キシレン
等）で希釈塗布して乾燥させて絶縁層３４−１を形成し
た後、この絶縁層３４−１の表面に波長が６００ｎｍ以
下のレーザＲを照射し、当該レーザ照射部を導電化した
後に行う電解メッキである。
【００５７】この場合、高分子成形品３０の高分子材料
には、液晶ポリマ（ＬＣＰ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ポリエーテルスルホン、ポリ
プチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリフェ
ニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセ
タール、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ア
クリロニトリル・ブタジェン・スチレン（ＡＢＳ）、ポ
リフェニレンサルフアイド、ポリエーテルイミド、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリイミド、
エポキシ樹脂、又は、これらの複合樹脂等が使用可能で
ある。
には、液晶ポリマ（ＬＣＰ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ポリエーテルスルホン、ポリ
プチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリフェ
ニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセ
タール、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ア
クリロニトリル・ブタジェン・スチレン（ＡＢＳ）、ポ
リフェニレンサルフアイド、ポリエーテルイミド、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリイミド、
エポキシ樹脂、又は、これらの複合樹脂等が使用可能で
ある。
【００５８】そして、回路形成部品は次のように製造さ
れる。
れる。
【００５９】すなわち、まず、高分子成形品３０の凹陥
部３９の内周面部３０ａ及び底面部３０ｃに、無電解メ
ッキ層からなる回路３６（又は電解メッキ層からなる回
路３６´）を形成する。
部３９の内周面部３０ａ及び底面部３０ｃに、無電解メ
ッキ層からなる回路３６（又は電解メッキ層からなる回
路３６´）を形成する。
【００６０】すなわち、高分子成形品３０の凹陥部３９
の内周面部３０ａ及び底面部３０ｃに波長が６００ｎｍ
以下のレーザを照射し、この照射部に正の電位を生じさ
せた後、陰イオン性のＰｄ化合物またはＰｄコロイドを
含む水溶液に浸漬し、照射部にＰｄを核として無電解メ
ッキ層からなる回路３６を形成する。
の内周面部３０ａ及び底面部３０ｃに波長が６００ｎｍ
以下のレーザを照射し、この照射部に正の電位を生じさ
せた後、陰イオン性のＰｄ化合物またはＰｄコロイドを
含む水溶液に浸漬し、照射部にＰｄを核として無電解メ
ッキ層からなる回路３６を形成する。
【００６１】また、電解メッキの場合は、上記したよう
に高分子成形品３０の凹陥部３９の内周面部３０ａ及び
底面部３０ｃの表面にレーザを照射して導電化した後に
電解メッキを行うことで、この領域に電解メッキ層から
なる回路３６´を形成する。
に高分子成形品３０の凹陥部３９の内周面部３０ａ及び
底面部３０ｃの表面にレーザを照射して導電化した後に
電解メッキを行うことで、この領域に電解メッキ層から
なる回路３６´を形成する。
【００６２】次に、高分子成形品３０の凹陥部３９の底
部の表面に、１０〜５０％の無機フィラーを充填した高
分子材料を溶剤で希釈塗布し乾燥させることで第１の絶
縁層３４−１を形成する。
部の表面に、１０〜５０％の無機フィラーを充填した高
分子材料を溶剤で希釈塗布し乾燥させることで第１の絶
縁層３４−１を形成する。
【００６３】次に、この絶縁層３４−１の表面に波長が
６００ｎｍ以下のレーザを照射し、このレーザ照射部に
正の電位を生じさせると共に、レーザで第１の絶縁層３
４−１にビヤホール３５を形成し、このビヤホール３５
の周面部に正の電位を生じさせる。
６００ｎｍ以下のレーザを照射し、このレーザ照射部に
正の電位を生じさせると共に、レーザで第１の絶縁層３
４−１にビヤホール３５を形成し、このビヤホール３５
の周面部に正の電位を生じさせる。
【００６４】その後、陰イオン性のＰｄ化合物またはＰ
ｄコロイドを含む水溶液に浸漬し、レーザ照射部及びビ
ヤホール３５にＰｄを核として第１の無電解メッキ層か
らなる回路３６−１と、無電解メッキ層からなる回路３
６と第１の無電解メッキ層からなる回路３６−１とを連
ねるランド３７とを形成する。また、電解メッキの場合
には、上記したようにレーザ照射部及びビヤホール３５
の周面部を導電化した後に、電解メッキを行うことで、
第１の電解メッキ層からなる回路３６´−１と、電解メ
ッキ層からなる回路３６´と第１の電解メッキ層からな
る回路３６´−１とを連ねるランド３７´とを形成す
る。
ｄコロイドを含む水溶液に浸漬し、レーザ照射部及びビ
ヤホール３５にＰｄを核として第１の無電解メッキ層か
らなる回路３６−１と、無電解メッキ層からなる回路３
６と第１の無電解メッキ層からなる回路３６−１とを連
ねるランド３７とを形成する。また、電解メッキの場合
には、上記したようにレーザ照射部及びビヤホール３５
の周面部を導電化した後に、電解メッキを行うことで、
第１の電解メッキ層からなる回路３６´−１と、電解メ
ッキ層からなる回路３６´と第１の電解メッキ層からな
る回路３６´−１とを連ねるランド３７´とを形成す
る。
【００６５】次に、上記したように回路３６−１（又は
回路３６´−１）とランド３７（又はランド３７´）を
形成した絶縁層３４−１に、再び１０〜５０％の無機フ
ィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布し乾燥さ
せることで第２の絶縁層３４−２を形成する。
回路３６´−１）とランド３７（又はランド３７´）を
形成した絶縁層３４−１に、再び１０〜５０％の無機フ
ィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布し乾燥さ
せることで第２の絶縁層３４−２を形成する。
【００６６】次に、この第２の絶縁層３４−２の表面に
波長が６００ｎｍ以下のレーザを照射し、このレーザ照
射部に正の電位を生じさせると共に、レーザで第２の絶
縁層３４−２にビヤホール３５を形成し、このビヤホー
ル３５の周面部に正の電位を生じさせる。
波長が６００ｎｍ以下のレーザを照射し、このレーザ照
射部に正の電位を生じさせると共に、レーザで第２の絶
縁層３４−２にビヤホール３５を形成し、このビヤホー
ル３５の周面部に正の電位を生じさせる。
【００６７】その後、陰イオン性のＰｄ化合物またはＰ
ｄコロイドを含む水溶液に浸漬し、レーザ照射部及びビ
ヤホール３５にＰｄを核として第２の無電解メッキ層か
らなる回路３６−２と、第１の無電解メッキ層からなる
回路３６−１と第２の無電解メッキ層からなる回路３６
−２とを連ねるランド３７とを形成する。また、電解メ
ッキの場合には、上記したようにレーザ照射部及びビヤ
ホール３５の周面部を導電化した後に、電解メッキを行
うことで、第２の電解メッキ層からなる回路３６´−２
と、第１の電解メッキ層からなる回路３６´−１と第２
の電解メッキ層からなる回路３６´−２とを連ねるラン
ド３７´とを形成する。
ｄコロイドを含む水溶液に浸漬し、レーザ照射部及びビ
ヤホール３５にＰｄを核として第２の無電解メッキ層か
らなる回路３６−２と、第１の無電解メッキ層からなる
回路３６−１と第２の無電解メッキ層からなる回路３６
−２とを連ねるランド３７とを形成する。また、電解メ
ッキの場合には、上記したようにレーザ照射部及びビヤ
ホール３５の周面部を導電化した後に、電解メッキを行
うことで、第２の電解メッキ層からなる回路３６´−２
と、第１の電解メッキ層からなる回路３６´−１と第２
の電解メッキ層からなる回路３６´−２とを連ねるラン
ド３７´とを形成する。
【００６８】以下、この工程を繰り返すことにより、高
分子成形品３０の凹陥部３９に多層の無電解メッキ層か
らなる回路３６−１、３６−２、３６−３又は電解メッ
キ層からなる回路３６´−１、３６´−２、３６´−３
を形成して多層の回路構成部３８を製造する。
分子成形品３０の凹陥部３９に多層の無電解メッキ層か
らなる回路３６−１、３６−２、３６−３又は電解メッ
キ層からなる回路３６´−１、３６´−２、３６´−３
を形成して多層の回路構成部３８を製造する。
【００６９】次に、高分子成形品３０の上面部３０ｅ、
外周部３０ｂ及び底面部の外側部分３０ｄに無電解メッ
キ層からなるランド３３（又は、電解メッキ層からなる
ランド３３´）を形成して、このランド３３（３３´）
を回路３６（３６´）を介して多層の回路構成部３８に
接続する。
外周部３０ｂ及び底面部の外側部分３０ｄに無電解メッ
キ層からなるランド３３（又は、電解メッキ層からなる
ランド３３´）を形成して、このランド３３（３３´）
を回路３６（３６´）を介して多層の回路構成部３８に
接続する。
【００７０】このように、高分子成形材である高分子成
形品３０の表面上に、無機フィラーを充填した高分子材
料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層３４−１を形
成し、絶縁層３４−１にレーザ処理により回路形成部と
ビアホール３５とを形成し、回路形成部及びビアホール
３５にメッキを施して回路３６−１（３６´−１）を形
成し、この手順を複数回繰り返すことにより、高分子成
形品３０の表面上に多層の回路構成部３８を形成したこ
とにより、任意回路形状を有し且つ３層を超える多層で
立体的な回路構成部３８を得ることができ、小型軽量
化、高密度化、ＥＭＣ特性に優れた回路形成部品を得る
ことができる。
形品３０の表面上に、無機フィラーを充填した高分子材
料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層３４−１を形
成し、絶縁層３４−１にレーザ処理により回路形成部と
ビアホール３５とを形成し、回路形成部及びビアホール
３５にメッキを施して回路３６−１（３６´−１）を形
成し、この手順を複数回繰り返すことにより、高分子成
形品３０の表面上に多層の回路構成部３８を形成したこ
とにより、任意回路形状を有し且つ３層を超える多層で
立体的な回路構成部３８を得ることができ、小型軽量
化、高密度化、ＥＭＣ特性に優れた回路形成部品を得る
ことができる。
【００７１】また、回路形成部品の製造方法によれば、
高分子成形品３０に、無機フィラーを充填した高分子材
料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層３４−１を形
成することで、レーザ表面処理による無電解メッキ又は
電解メッキからなる回路３６−１（３６´−１）を形成
することが可能になり、任意回路形状を有する回路形成
部品を製造することができる。
高分子成形品３０に、無機フィラーを充填した高分子材
料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層３４−１を形
成することで、レーザ表面処理による無電解メッキ又は
電解メッキからなる回路３６−１（３６´−１）を形成
することが可能になり、任意回路形状を有する回路形成
部品を製造することができる。
【００７２】また、図４に示す回路形成部品にあって
は、高分子成形品（高分子材料に無機フィラーを充填し
射出成形することで得られた成形品）４０に２つの凹陥
部４１、４２が形成してあり、これらの凹陥部４１、４
２の内部に多層の回路構成部４３、４４を形成するよう
にしたものである。そして、多層の回路構成部４３、４
４は、上記した多層の回路構成部３８と同構成であり、
その製造（形成）方法に同じである。
は、高分子成形品（高分子材料に無機フィラーを充填し
射出成形することで得られた成形品）４０に２つの凹陥
部４１、４２が形成してあり、これらの凹陥部４１、４
２の内部に多層の回路構成部４３、４４を形成するよう
にしたものである。そして、多層の回路構成部４３、４
４は、上記した多層の回路構成部３８と同構成であり、
その製造（形成）方法に同じである。
【００７３】そして、高分子成形品４０の上面部４０ａ
には、凹陥部４１、４２に形成した多層の回路構成部４
３、４４に接続されるランド４５が形成してある。
には、凹陥部４１、４２に形成した多層の回路構成部４
３、４４に接続されるランド４５が形成してある。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る高分
子成形材のメッキ形成方法によれば、樹脂塗布用基材
に、無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗
布して乾燥させて絶縁層を形成することで、レーザ表面
処理による無電解メッキ又は電解メッキが可能になり、
この無電解メッキ又は電解メッキを回路パターンにする
ことで多層基板又は回路形成部品を構成することができ
る。
子成形材のメッキ形成方法によれば、樹脂塗布用基材
に、無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗
布して乾燥させて絶縁層を形成することで、レーザ表面
処理による無電解メッキ又は電解メッキが可能になり、
この無電解メッキ又は電解メッキを回路パターンにする
ことで多層基板又は回路形成部品を構成することができ
る。
【００７５】また、本発明に係る回路形成部品によれ
ば、任意回路形状を有し且つ３層を超える多層の回路構
成を得ることができ、小型軽量化、高密度化、ＥＭＣ特
性に優れた多層基板を得ることができる。
ば、任意回路形状を有し且つ３層を超える多層の回路構
成を得ることができ、小型軽量化、高密度化、ＥＭＣ特
性に優れた多層基板を得ることができる。
【００７６】また、本発明に係る回路形成部品の製造方
法によれば、任意回路形状を有し、しかも３層を超える
立体的な多層の回路を有する回路形成部品を低い製造コ
ストで、且つ容易に製造することができる。
法によれば、任意回路形状を有し、しかも３層を超える
立体的な多層の回路を有する回路形成部品を低い製造コ
ストで、且つ容易に製造することができる。
【図１】（１）〜（３）は本発明に係る高分子成形材の
メッキ形成方法の工程説明図である。（４）は本発明に
係る高分子成形材のメッキ形成方法において電解メッキ
を用いた工程説明図である。
メッキ形成方法の工程説明図である。（４）は本発明に
係る高分子成形材のメッキ形成方法において電解メッキ
を用いた工程説明図である。
【図２】（１）〜（４）は本発明に係る回路形成部品
（多層基板）の製造方法の工程説明図である。
（多層基板）の製造方法の工程説明図である。
【図３】本発明に係る回路形成部品の構成説明図であ
る。
る。
【図４】本発明に係る回路形成部品の他の実施の形態の
構成説明図である。
構成説明図である。
【図５】（１）〜（１５）は従来の多層基板の製造方法
の工程説明図である。
の工程説明図である。
２０ 樹脂塗布用基材
２１ 絶縁層
２２ レーザ照射部
２３ 無電解メッキ層
２３−１ 回路
２３−２ 回路
２３−３ 回路
２３´ 電解メッキ層
２３´−１ 回路
２３´−２ 回路
２３´−３ 回路
２５ ビアホール
２６ ランド
２６´ ランド
３０ 高分子成形品
３３ ランド
３３´ ランド
３４ 絶縁層
３５ ビアホール
３６ 回路
３６´ 回路
３６−１ 回路
３６−２ 回路
３６−３ 回路
３６´−１ 回路
３６´−２ 回路
３６´−３ 回路
３７ ランド
３７´ ランド
３８ 回路構成部
３９ 凹陥部
４０ 高分子成形品
４１ 凹陥部
４２ 凹陥部
４３ 回路構成部
４４ 回路構成部
４５ ランド
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｎ
Ｔ
(56)参考文献 特開 平２−205686（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−3653（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−137176（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−298770（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−80374（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−183873（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−221443（ＪＰ，Ａ)
特開2000−212755（ＪＰ，Ａ)
特開2000−212756（ＪＰ，Ａ)
特開2000−212757（ＪＰ，Ａ)
特開2000−212793（ＪＰ，Ａ)
特開2001−192847（ＪＰ，Ａ)
特開2001−200370（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−64544（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−240568（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 18/20
C25D 5/54
C25D 7/00
H05K 3/18
H05K 3/46
Claims (16)
- 【請求項１】 樹脂塗布用基材に、無機フィラーを充填
した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層
を形成した後、前記絶縁層の表面にレーザを照射し、当
該レーザ照射部に正の電位を生じさせた後、前記レーザ
照射部に無電解メッキの触媒を析出させ、その後、前記
樹脂塗布用基材を無電解メッキ液に浸漬し、前記レーザ
照射部に無電解メッキ層を形成するようにしたことを特
徴とする高分子成形材のメッキ形成方法。 - 【請求項２】 樹脂塗布用基材に、無機フィラーを充填
した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層
を形成した後、前記絶縁層の表面にレーザを照射し、当
該レーザ照射部を導電化した後に、電解メッキを行うこ
とで、前記レーザ照射部に電解メッキ層を形成するよう
にしたことを特徴とする高分子成形材のメッキ形成方
法。 - 【請求項３】 前記無機フィラーはφ０．１〜１０μｍ
の粒子状ガラス又は粒状セラミックスであり、その高分
子材料に対する添加量は１０〜５０重量％であり、前記
レーザは波長が６００ｎｍ以下のレーザであり、前記レ
ーザの全投入エネルギが１０〜５００Ｊ／ｃｍ2 である
請求項１又は請求項２に記載の高分子成形材のメッキ形
成方法。 - 【請求項４】 前記高分子材料に、ポリイミドまたはエ
ポキシ樹脂を用いるようにした請求項１乃至請求項３に
記載の高分子成形材のメッキ形成方法。 - 【請求項５】 樹脂塗布用基材上に、無機フィラーを充
填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて形成
された絶縁層と、 前記絶縁層にレーザ処理により形成された回路形成部及
びビアホールと、 前記回路形成部及び前記ビアホールにメッキを施して形
成された回路とを備えたことを特徴とする回路形成部
品。 - 【請求項６】 高分子成形品が凹陥部を有し、前記凹陥
部の表面上に、無機フィラーを充填した高分子材料を溶
剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層を形成し、前記絶縁
層にレーザ処理により回路形成部とビアホールとを形成
し、前記回路形成部及び前記ビアホールにメッキを施し
て回路を形成し、この手順を複数回繰り返すことによ
り、前記凹陥部に多層の回路を形成したことを特徴とす
る回路形成部品。 - 【請求項７】 前記メッキが、前記絶縁層に前記レーザ
を照射し、前記レーザ照射部に正の表面電位を生じさせ
た後、前記レーザ照射部に無電解メッキの触媒を析出さ
せ、その後、無電解メッキ液に浸漬して行われる無電解
メッキである請求項５又は請求項６に記載の回路形成部
品。 - 【請求項８】 前記メッキが、前記絶縁層に前記レーザ
を照射し、前記レーザ照射部に導電性を付与した後、電
解メッキ液に浸漬して行われる電解メッキである請求項
５又は請求項６に記載の回路形成部品。 - 【請求項９】 前記無機フィラーはφ０．１〜１０μｍ
の粒子状ガラス又は粒状セラミックスであり、その高分
子材料に対する添加量は１０〜５０重量％であり、前記
レーザは波長が６００ｎｍ以下のレーザであり、前記レ
ーザの全投入エネルギが１０〜５００Ｊ／ｃｍ2 である
請求項５乃至請求項８に記載の回路形成部品。 - 【請求項１０】 前記高分子成形品の高分子材料は、液
晶ポリマ、ポリエーテルスルホン、ポリプチレンテレフ
タレート、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテ
ル、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリアミド、アクリロニトリ
ル・ブタジェン・スチレン（ＡＢＳ）、ポリフェニレン
サルフアイド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエー
テルケトン、ポリスルホン、ポリイミド、エポキシ樹
脂、またはこれらの複合樹脂である請求項６乃至請求項
９に記載の回路形成部品。 - 【請求項１１】 高分子成形材上に、無機フィラーを充
填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁
層を形成する絶縁層形成工程と、 前記絶縁層形成工程で形成された前記絶縁層にレーザ処
理により回路形成部とビアホールとを形成する回路形成
部形成工程と、 前記回路形成部形成工程で形成された前記回路形成部及
び前記ビアホールにメッキを施して回路を形成する回路
形成工程とを備え、 前記絶縁層形成工程と前記回路形成部形成工程と前記回
路形成工程とを、この順序に複数回繰り返すことにより
回路形成部品を製造するようにしたことを特徴とする回
路形成部品の製造方法。 - 【請求項１２】 前記回路形成部品が多層基板であるこ
とを特徴とする請求項１１に記載の回路形成部品の製造
方法。 - 【請求項１３】 前記メッキが、前記絶縁層に前記レー
ザを照射し、前記レーザ照射部に正の表面電位を生じさ
せた後、前記レーザ照射部に無電解メッキの触媒を析出
させ、その後、無電解メッキ液に浸漬して行われる無電
解メッキである請求項１１又は請求項１２に記載の回路
形成部品の製造方法。 - 【請求項１４】 前記メッキが、前記絶縁層に前記レー
ザを照射し、前記レーザ照射部に導電性を付与した後、
電解メッキ液に浸漬して行われる電解メッキである請求
項１１又は請求項１２に記載の回路形成部品の製造方
法。 - 【請求項１５】 前記無機フィラーはφ０．１〜１０μ
ｍの粒子状ガラス又は粒状セラミックスであり、その高
分子材料に対する添加量は１０〜５０重量％であり、前
記レーザは波長が６００ｎｍ以下のレーザであり、前記
レーザの全投入エネルギが１０〜５００Ｊ／ｃｍ2 であ
る請求項１１乃至請求項１４に記載の回路形成部品の製
造方法。 - 【請求項１６】 前記高分子成形品の高分子材料は、液
晶ポリマ、ポリエーテルスルホン、ポリプチレンテレフ
タレート、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテ
ル、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリアミド、アクリロニトリ
ル・ブタジェン・スチレン（ＡＢＳ）、ポリフェニレン
サルフアイド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエー
テルケトン、ポリスルホン、ポリイミド、エポキシ樹
脂、またはこれらの複合樹脂である請求項１１乃至請求
項１５に記載の回路形成部品の製造方法。
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