JP2000212756A - 無電解めっきの前処理方法 - Google Patents
無電解めっきの前処理方法Info
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- JP2000212756A JP2000212756A JP11011713A JP1171399A JP2000212756A JP 2000212756 A JP2000212756 A JP 2000212756A JP 11011713 A JP11011713 A JP 11011713A JP 1171399 A JP1171399 A JP 1171399A JP 2000212756 A JP2000212756 A JP 2000212756A
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- irradiation
- laser
- polymer material
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 所定領域のみをめっき可能とする。
【解決手段】 高分子材料からなる成形品１の所定領域
２に、フルーエンス及び照射回数が、貴金属を析出させ
るのに適した帯電状態となるように１回目のレーザ照射
を行う。そして、少なくとも前記所定領域周辺部５に、
１回目の投入エネルギーの１／４以下で２回目のレーザ
照射を行う。その後、前記成形品１を陰イオン性の貴金
属水溶液に浸漬する。
２に、フルーエンス及び照射回数が、貴金属を析出させ
るのに適した帯電状態となるように１回目のレーザ照射
を行う。そして、少なくとも前記所定領域周辺部５に、
１回目の投入エネルギーの１／４以下で２回目のレーザ
照射を行う。その後、前記成形品１を陰イオン性の貴金
属水溶液に浸漬する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電解めっきの前
処理方法に関するものである。
処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、高分子材料からなる成形品に
は、表面を化学薬品によって粗面化し、パラジウムを吸
着させた後、無電解めっきを施すようにしている。但
し、前記パラジウムのみの吸着は困難であるので、錫パ
ラジウム化合物を吸着させた後、還元する必要がある。
は、表面を化学薬品によって粗面化し、パラジウムを吸
着させた後、無電解めっきを施すようにしている。但
し、前記パラジウムのみの吸着は困難であるので、錫パ
ラジウム化合物を吸着させた後、還元する必要がある。
【０００３】ところで、化学薬品による粗面化は、選択
的に行うことができないため、特定箇所のみをめっきす
る場合には、一旦、全面をめっきした後、フォトレジス
トによる露光・現像処理を行う必要があった。このた
め、簡単に高分子成形品の表面にめっきすることができ
る方法が望まれていた。
的に行うことができないため、特定箇所のみをめっきす
る場合には、一旦、全面をめっきした後、フォトレジス
トによる露光・現像処理を行う必要があった。このた
め、簡単に高分子成形品の表面にめっきすることができ
る方法が望まれていた。
【０００４】そこで、特開平４─１８３８７３号公報に
示すように、高分子材料からなる成形品に紫外線レーザ
を照射することにより、特定箇所へのめっきを可能とす
る方法が提案された。
示すように、高分子材料からなる成形品に紫外線レーザ
を照射することにより、特定箇所へのめっきを可能とす
る方法が提案された。
【０００５】この方法によれば、紫外線レーザを照射
し、パラジウムコロイド水溶液に浸漬した後、無電解め
っきを行うだけで、特定箇所のみをめっきすることが可
能である。すなわち、紫外線レーザの照射により、照射
領域のみが正に帯電するので、陰イオン性のパラジウム
コロイド水溶液に浸漬すると、簡単に照射領域のみにパ
ラジウムコロイドを付着させることができる。そして、
前記水溶液中に還元剤を含有させておくことにより、無
電解めっきの触媒となるパラジウムのみを析出させるこ
とが可能である。
し、パラジウムコロイド水溶液に浸漬した後、無電解め
っきを行うだけで、特定箇所のみをめっきすることが可
能である。すなわち、紫外線レーザの照射により、照射
領域のみが正に帯電するので、陰イオン性のパラジウム
コロイド水溶液に浸漬すると、簡単に照射領域のみにパ
ラジウムコロイドを付着させることができる。そして、
前記水溶液中に還元剤を含有させておくことにより、無
電解めっきの触媒となるパラジウムのみを析出させるこ
とが可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記レ
ーザ照射による方法では、照射領域のみに電荷を付与す
る照射条件が不安定であり、照射領域のみならず、その
周辺部も帯電してめっきが施されてしまうという問題が
ある。
ーザ照射による方法では、照射領域のみに電荷を付与す
る照射条件が不安定であり、照射領域のみならず、その
周辺部も帯電してめっきが施されてしまうという問題が
ある。
【０００７】そこで、本発明は、所定領域のみをめっき
可能とする無電解めっきの前処理方法を提供することを
課題とする。
可能とする無電解めっきの前処理方法を提供することを
課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、レーザ照
射により成形品の表面が帯電する原因が、アブレーショ
ンにより発生する除去飛散物（以下、デブリーと記載す
る。）が主要因であることを突き止めた。そして、照射
領域から飛散した周辺部の帯電デブリーは、レーザを、
帯電に適した投入エネルギーの１／４以下で照射するこ
とにより除去可能であることを見出した。
射により成形品の表面が帯電する原因が、アブレーショ
ンにより発生する除去飛散物（以下、デブリーと記載す
る。）が主要因であることを突き止めた。そして、照射
領域から飛散した周辺部の帯電デブリーは、レーザを、
帯電に適した投入エネルギーの１／４以下で照射するこ
とにより除去可能であることを見出した。
【０００９】そこで、本発明は、前記課題を解決するた
めの手段として、高分子材料からなる成形品の所定領域
に、フルーエンス（単位パルスの単位面積当たりのエネ
ルギー：Ｊ／ｃｍ2／１パルス）及び照射回数が、貴金
属を析出させるのに適した帯電状態となるように１回目
のレーザ照射を行い、少なくとも前記所定領域周辺部
に、１回目の投入エネルギーの１／４以下で２回目のレ
ーザ照射を行った後、陰イオン性の貴金属水溶液に浸漬
するようにしたものである。
めの手段として、高分子材料からなる成形品の所定領域
に、フルーエンス（単位パルスの単位面積当たりのエネ
ルギー：Ｊ／ｃｍ2／１パルス）及び照射回数が、貴金
属を析出させるのに適した帯電状態となるように１回目
のレーザ照射を行い、少なくとも前記所定領域周辺部
に、１回目の投入エネルギーの１／４以下で２回目のレ
ーザ照射を行った後、陰イオン性の貴金属水溶液に浸漬
するようにしたものである。
【００１０】この方法により、１回目のレーザ照射によ
ってレーザ照射領域の周辺部に飛散して付着した帯電デ
ブリーを、２回目のレーザ照射によって除去することが
可能となる。したがって、成形品を貴金属水溶液に浸漬
しても、貴金属はレーザ照射領域のみに析出し、その周
辺部に析出することはない。
ってレーザ照射領域の周辺部に飛散して付着した帯電デ
ブリーを、２回目のレーザ照射によって除去することが
可能となる。したがって、成形品を貴金属水溶液に浸漬
しても、貴金属はレーザ照射領域のみに析出し、その周
辺部に析出することはない。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る無電解めっき
の前処理方法の実施形態を説明する。
の前処理方法の実施形態を説明する。
【００１２】まず、図１に示すように、高分子材料の成
形品１の所定領域２に１回目のレーザ３の照射を行う。
形品１の所定領域２に１回目のレーザ３の照射を行う。
【００１３】前記高分子材料として、液晶ポリマ（ＬＣ
Ｐ：Liquid Crystal Polymer）、ポリエーテルスルホ
ン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、
ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、
ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリア
ミド、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン（ＡＢ
Ｓ）、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミ
ド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリ
イミド、エポキシ樹脂、又は、これらの複合樹脂等を使
用することができる。
Ｐ：Liquid Crystal Polymer）、ポリエーテルスルホ
ン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、
ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、
ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリア
ミド、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン（ＡＢ
Ｓ）、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミ
ド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリ
イミド、エポキシ樹脂、又は、これらの複合樹脂等を使
用することができる。
【００１４】また、前記高分子材料には無機フィラーを
添加するのが好ましい。無機フィラーとしては、ガラス
フィラー、セラミックス粒子等が挙げられ、形状をφ１
〜２０μｍ、長さ１０μｍ以上のファイバー状、又は、
φ０．５〜２０μｍの粒子状で、その高分子材料に対す
る添加量を１０〜５０重量％とするのがよい。
添加するのが好ましい。無機フィラーとしては、ガラス
フィラー、セラミックス粒子等が挙げられ、形状をφ１
〜２０μｍ、長さ１０μｍ以上のファイバー状、又は、
φ０．５〜２０μｍの粒子状で、その高分子材料に対す
る添加量を１０〜５０重量％とするのがよい。
【００１５】前記レーザ３としては、エキシマレーザ
（波長λ＝１９３，２４８，３１８，３５１ｎｍ）、Ｙ
ＡＧ第２高調波（波長λ＝５３２ｎｍ）、ＹＡＧ第３高
調波（波長λ＝３５５ｎｍ）等の波長が６００ｎｍ以下
のものが使用できる。
（波長λ＝１９３，２４８，３１８，３５１ｎｍ）、Ｙ
ＡＧ第２高調波（波長λ＝５３２ｎｍ）、ＹＡＧ第３高
調波（波長λ＝３５５ｎｍ）等の波長が６００ｎｍ以下
のものが使用できる。
【００１６】また、前記レーザ３の照射条件としては、
フルーエンス及び照射回数が、貴金属を析出させるのに
適した帯電状態となるように１回目のレーザ照射を行
う。具体的には、レーザ３のフルーエンス及び照射回数
が、図３に示すグラフの領域Ａ内のいずれかの値となる
ように設定する。これにより、レーザ照射領域２で、ア
ブレーションにより発生するデブリー４の帯電状態が良
好となり、後述する貴金属の析出を適切に行わせ、めっ
きをレーザ照射領域の全面に施すことが可能となる。
フルーエンス及び照射回数が、貴金属を析出させるのに
適した帯電状態となるように１回目のレーザ照射を行
う。具体的には、レーザ３のフルーエンス及び照射回数
が、図３に示すグラフの領域Ａ内のいずれかの値となる
ように設定する。これにより、レーザ照射領域２で、ア
ブレーションにより発生するデブリー４の帯電状態が良
好となり、後述する貴金属の析出を適切に行わせ、めっ
きをレーザ照射領域の全面に施すことが可能となる。
【００１７】また、前記レーザ照射による投入エネルギ
ーの総計を１０〜５００J／ｃｍ2としてもよい。これに
よれば、周辺部５に飛散するデブリー量を抑制しつつ、
所定領域の帯電状態を良好なものとすることが可能とな
る。
ーの総計を１０〜５００J／ｃｍ2としてもよい。これに
よれば、周辺部５に飛散するデブリー量を抑制しつつ、
所定領域の帯電状態を良好なものとすることが可能とな
る。
【００１８】次に、図２に示すように、前記レーザ照射
領域２及びその周辺部５に、１回目の投入エネルギーの
１／４以下で２回目のレーザ照射を行う。具体的には、
レーザ３のフルーエンス及び照射回数が、図３に示すグ
ラフの領域Ｂ内のいずれかの値となるように設定する。
但し、高分子材料に無機フィラーを添加しない場合、レ
ーザ照射は周辺部５のみとする必要がある。これは、無
機フィラーを添加していなければ、２回目のレーザ照射
により帯電状態が弱められるためである。この点で、無
機フィラーを添加した高分子材料であれば、２回目のレ
ーザの照射領域を周辺部５に制限する必要がなくなり、
レーザ３の照射が簡単で、作業性を高めることが可能と
なる。このように、２回目のレーザ照射により、周辺部
５に飛散した帯電デブリー４のみを除去することがで
き、１回目のレーザ照射領域２でのデブリー４は帯電状
態を維持することになる。
領域２及びその周辺部５に、１回目の投入エネルギーの
１／４以下で２回目のレーザ照射を行う。具体的には、
レーザ３のフルーエンス及び照射回数が、図３に示すグ
ラフの領域Ｂ内のいずれかの値となるように設定する。
但し、高分子材料に無機フィラーを添加しない場合、レ
ーザ照射は周辺部５のみとする必要がある。これは、無
機フィラーを添加していなければ、２回目のレーザ照射
により帯電状態が弱められるためである。この点で、無
機フィラーを添加した高分子材料であれば、２回目のレ
ーザの照射領域を周辺部５に制限する必要がなくなり、
レーザ３の照射が簡単で、作業性を高めることが可能と
なる。このように、２回目のレーザ照射により、周辺部
５に飛散した帯電デブリー４のみを除去することがで
き、１回目のレーザ照射領域２でのデブリー４は帯電状
態を維持することになる。
【００１９】なお、前記フルーエンス及び照射回数によ
って決定される領域Ａ、Ｂの下限値ａ、ｂは、使用する
高分子材料の種類により相違するものである。
って決定される領域Ａ、Ｂの下限値ａ、ｂは、使用する
高分子材料の種類により相違するものである。
【００２０】また、２回目のレーザ照射のフルーエンス
を、１回目のレーザ照射に比べて大きくすると、周辺部
５に付着したデブリー５をより一層効果的に除去できる
点で好ましい。
を、１回目のレーザ照射に比べて大きくすると、周辺部
５に付着したデブリー５をより一層効果的に除去できる
点で好ましい。
【００２１】その後、成形品１を貴金属水溶液に浸漬す
る。貴金属水溶液としては、陰イオン性のパラジウムコ
ロイド液等が使用できる。これにより、成形品１の１回
目のレーザ照射領域２にのみ貴金属が析出する。したが
って、従来周知の無電解めっき処理を行うと、この領域
２のみにめっき層を形成することができる。
る。貴金属水溶液としては、陰イオン性のパラジウムコ
ロイド液等が使用できる。これにより、成形品１の１回
目のレーザ照射領域２にのみ貴金属が析出する。したが
って、従来周知の無電解めっき処理を行うと、この領域
２のみにめっき層を形成することができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細
に説明する。
に説明する。
【００２３】（実施例１） 高分子材料としてＬＣＰを
使用し、これに、無機フィラーとして、直径φ１０μｍ
のガラスフィラーを３０重量％添加した。そして、この
材料を射出成形し、得られた成形品の表面に、ＫｒＦエ
キシマレーザを用いることにより、フルーエンス０．２
Ｊ／ｃｍ2／１パルス、照射回数２００パルス、繰り返
し周波数５０Ｈｚの条件で１回目のレーザを照射した。
続いて、前記ＫｒＦエキシマレーザを用い、前記レーザ
の照射領域及びその周辺部に、フルーエンス０．５Ｊ／
ｃｍ2／１パルス、照射回数１０パルス、繰り返し周波
数５０Ｈｚの条件で２回目のレーザを照射した。次い
で、前記成形品を、塩化パラジウム、塩化ナトリウム、
ポリエチレングリコール・モノ・Ｐ・ノニルフェニルエ
ーテル、ホウ素化フッ化ナトリウムを混合したパラジウ
ムコロイド溶液に１５分間浸漬した。その後、前記成形
品を軽くイオン交換水で洗浄し、無電解ニッケル液に１
５分間浸漬した。これにより、１回目のレーザ照射領域
のみに、ニッケル無電解めっきを付着させることができ
た。
使用し、これに、無機フィラーとして、直径φ１０μｍ
のガラスフィラーを３０重量％添加した。そして、この
材料を射出成形し、得られた成形品の表面に、ＫｒＦエ
キシマレーザを用いることにより、フルーエンス０．２
Ｊ／ｃｍ2／１パルス、照射回数２００パルス、繰り返
し周波数５０Ｈｚの条件で１回目のレーザを照射した。
続いて、前記ＫｒＦエキシマレーザを用い、前記レーザ
の照射領域及びその周辺部に、フルーエンス０．５Ｊ／
ｃｍ2／１パルス、照射回数１０パルス、繰り返し周波
数５０Ｈｚの条件で２回目のレーザを照射した。次い
で、前記成形品を、塩化パラジウム、塩化ナトリウム、
ポリエチレングリコール・モノ・Ｐ・ノニルフェニルエ
ーテル、ホウ素化フッ化ナトリウムを混合したパラジウ
ムコロイド溶液に１５分間浸漬した。その後、前記成形
品を軽くイオン交換水で洗浄し、無電解ニッケル液に１
５分間浸漬した。これにより、１回目のレーザ照射領域
のみに、ニッケル無電解めっきを付着させることができ
た。
【００２４】（実験例２） 高分子材料としてＬＣＰを
使用し、無機フィラーを含有させることなく、射出成形
し、得られた成形品の表面に、ＫｒＦエキシマレーザを
用いることにより、フルーエンス０．０５Ｊ／ｃｍ2／
１パルス、照射回数１０００パルス、繰り返し周波数１
Ｈｚの条件でレーザを照射した。続いて、前記レーザの
照射領域及びその周辺部に、同じＫｒＦエキシマレーザ
を用いて、フルーエンス０．２Ｊ／ｃｍ2／１パルス、
照射回数２パルス、繰り返し周波数５０Ｈｚの条件でレ
ーザを照射した。以下、前記実験例１と同条件で処理す
ることにより、レーザ照射領域のみに、ニッケル無電解
めっきを付着させることができた。
使用し、無機フィラーを含有させることなく、射出成形
し、得られた成形品の表面に、ＫｒＦエキシマレーザを
用いることにより、フルーエンス０．０５Ｊ／ｃｍ2／
１パルス、照射回数１０００パルス、繰り返し周波数１
Ｈｚの条件でレーザを照射した。続いて、前記レーザの
照射領域及びその周辺部に、同じＫｒＦエキシマレーザ
を用いて、フルーエンス０．２Ｊ／ｃｍ2／１パルス、
照射回数２パルス、繰り返し周波数５０Ｈｚの条件でレ
ーザを照射した。以下、前記実験例１と同条件で処理す
ることにより、レーザ照射領域のみに、ニッケル無電解
めっきを付着させることができた。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る無電解めっきの前処理方法によれば、レーザ照射
領域の周辺部に、１回目の投入エネルギーの１／４以下
で２回目のレーザ照射を行うようにしたので、照射領域
から飛散して周辺部に付着した帯電デブリーを除去する
ことができる。したがって、レーザ照射領域のみに貴金
属を析出させることが可能となり、その後のめっき層の
形成を所望領域に制限することができる。
に係る無電解めっきの前処理方法によれば、レーザ照射
領域の周辺部に、１回目の投入エネルギーの１／４以下
で２回目のレーザ照射を行うようにしたので、照射領域
から飛散して周辺部に付着した帯電デブリーを除去する
ことができる。したがって、レーザ照射領域のみに貴金
属を析出させることが可能となり、その後のめっき層の
形成を所望領域に制限することができる。
【００２６】特に、２回目のレーザ照射のフルーエンス
を、１回目のレーザ照射に比べて大きくしたので、帯電
領域を制限して、より一層所定領域のみにめっきを形成
しやすくなる。
を、１回目のレーザ照射に比べて大きくしたので、帯電
領域を制限して、より一層所定領域のみにめっきを形成
しやすくなる。
【００２７】また、高分子材料に、１０〜５０重量％の
無機フィラーを添加したので、２回目のレーザ照射に１
回目のレーザ照射領域を含めることができ、簡単に帯電
領域を制限することが可能となる。
無機フィラーを添加したので、２回目のレーザ照射に１
回目のレーザ照射領域を含めることができ、簡単に帯電
領域を制限することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る無電解めっきの前処理方法を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】 本発明に係る無電解めっきの前処理方法を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】 フルーエンスと照射回数の違いによる照射領
域の状態を示すグラフである。
域の状態を示すグラフである。
１…成形品 ２…１回目のレーザ照射領域（所定領域） ３…レーザ ４…デブリー ５…周辺部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 廣野 聡 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内 (72)発明者 新納 弘之 茨城県つくば市東１−１ 工業技術院物質 工学工業技術研究所内 (72)発明者 矢部 明 茨城県つくば市東１−１ 工業技術院物質 工学工業技術研究所内 Ｆターム(参考） 4K022 AA13 AA14 AA15 AA16 AA17 AA18 AA20 AA25 AA26 BA01 BA03 BA14 BA18 CA12 DA01
Claims (5)
- 【請求項１】 高分子材料からなる成形品の所定領域
に、フルーエンス及び照射回数が、貴金属を析出させる
のに適した帯電状態となるように１回目のレーザ照射を
行い、少なくとも前記所定領域周辺部に、１回目の投入
エネルギーの１／４以下で２回目のレーザ照射を行った
後、陰イオン性の貴金属水溶液に浸漬することを特徴と
する無電解めっきの前処理方法。 - 【請求項２】 前記２回目のレーザ照射のフルーエンス
を、１回目のレーザ照射に比べて大きくしたことを特徴
とする請求項１に記載の無電解めっきの前処理方法。 - 【請求項３】 前記１回目のレーザ照射による投入エネ
ルギーの総計を１０〜５００J／ｃｍ2としたことを特徴
とする請求項１又は２に記載の無電解めっきの前処理方
法。 - 【請求項４】 前記高分子材料に、１０〜５０重量％の
無機フィラーを添加したことを特徴とする請求項１ない
し３のいずれか１項に記載の無電解めっきの前処理方
法。 - 【請求項５】 前記高分子材料を、ＬＣＰ、ポリエーテ
ルスルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボ
ネート、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキ
サイド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリアミド、ＡＢＳ、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリスルホン、ポリイミド、エポキシ樹脂、又は、
これらの複合樹脂としたことを特徴とする請求項１ない
し４のいずれか１項に記載の無電解めっきの前処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11011713A JP2000212756A (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 無電解めっきの前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11011713A JP2000212756A (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 無電解めっきの前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000212756A true JP2000212756A (ja) | 2000-08-02 |
Family
ID=11785692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11011713A Pending JP2000212756A (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 無電解めっきの前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000212756A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001226777A (ja) * | 2001-03-02 | 2001-08-21 | Omron Corp | 高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法 |
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| JP2005228990A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 回路基板用部材の製造方法、中継基板を用いた電子部品固定方法、中継基板の製造方法および中継基板を備えた部品実装基板。 |
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