JPH06339784A - レーザ加工方法および装置 - Google Patents
レーザ加工方法および装置Info
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- JPH06339784A JPH06339784A JP5129498A JP12949893A JPH06339784A JP H06339784 A JPH06339784 A JP H06339784A JP 5129498 A JP5129498 A JP 5129498A JP 12949893 A JP12949893 A JP 12949893A JP H06339784 A JPH06339784 A JP H06339784A
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 53
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 22
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 4
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エキシマレーザ等の紫外レーザ光を用いたレ
ーザ加工に関し、デブリの問題を低減することができる
レーザ加工の技術を提供することを目的とする。 【構成】 光透過窓を有し、真空排気可能な容器内に加
工対象物を配置する工程と、容器内を真空状態に排気し
つつ、第１のエネルギ密度の紫外レーザ光を光透過窓か
ら加工対象物上に照射してアブレーションによるレーザ
加工を行なう工程と、加工対象物の加工領域周辺に付着
した飛散物に前記第１のエネルギ密度より低い第２のエ
ネルギ密度で紫外レーザ光を照射し、飛散物を除去する
工程とを含む。
ーザ加工に関し、デブリの問題を低減することができる
レーザ加工の技術を提供することを目的とする。 【構成】 光透過窓を有し、真空排気可能な容器内に加
工対象物を配置する工程と、容器内を真空状態に排気し
つつ、第１のエネルギ密度の紫外レーザ光を光透過窓か
ら加工対象物上に照射してアブレーションによるレーザ
加工を行なう工程と、加工対象物の加工領域周辺に付着
した飛散物に前記第１のエネルギ密度より低い第２のエ
ネルギ密度で紫外レーザ光を照射し、飛散物を除去する
工程とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ加工に関し、特
にエキシマレーザ等の紫外レーザ光を用いたレーザ加工
に関する。
にエキシマレーザ等の紫外レーザ光を用いたレーザ加工
に関する。
【０００２】エキシマレーザ光は、化学結合を切断でき
る高いフォトンエネルギを有し、アブレーションと呼ば
れる光化学反応により熱的な影響を少なくして加工対象
物を選択的に除去することができる。このようなアブレ
ーション法によるレーザ加工が注目を集めている。
る高いフォトンエネルギを有し、アブレーションと呼ば
れる光化学反応により熱的な影響を少なくして加工対象
物を選択的に除去することができる。このようなアブレ
ーション法によるレーザ加工が注目を集めている。
【０００３】
【従来の技術】エネルギ密度を調整したエキシマレーザ
光を照射することにより、プラスチック、金属、セラミ
ックス等、種々の物質をアブレーション加工することが
できる。
光を照射することにより、プラスチック、金属、セラミ
ックス等、種々の物質をアブレーション加工することが
できる。
【０００４】アブレーション加工においては、レーザ照
射を受けた加工対象物からデブリと呼ばれる飛散物が加
工部周辺の表面に付着する。ポリイミド等の高分子材料
のレーザアブレーションにおいては、すす状に付着する
デブリの対策としてＯ2 やＨｅ等のガスを吹き付ける方
法が試みられている。
射を受けた加工対象物からデブリと呼ばれる飛散物が加
工部周辺の表面に付着する。ポリイミド等の高分子材料
のレーザアブレーションにおいては、すす状に付着する
デブリの対策としてＯ2 やＨｅ等のガスを吹き付ける方
法が試みられている。
【０００５】酸化することにより、ガス状態となるＣ等
に対しては、酸素吹き付けが有効と考えられる。また、
Ｈと結合させてガス状態に変換する提案もある。また、
分子量の小さいＨｅは、飛散物との衝突による反作用が
小さいので、吹き付けガスとして有効と考えられてい
る。
に対しては、酸素吹き付けが有効と考えられる。また、
Ｈと結合させてガス状態に変換する提案もある。また、
分子量の小さいＨｅは、飛散物との衝突による反作用が
小さいので、吹き付けガスとして有効と考えられてい
る。
【０００６】一方、デブリを発生させた後において、レ
ーザ加工時よりも低いエネルギ密度でエキシマレーザビ
ームを照射し、発生したデブリを除去する技術も提案さ
れている。デブリが除去しやすいものである場合は、こ
の方法も有効である。
ーザ加工時よりも低いエネルギ密度でエキシマレーザビ
ームを照射し、発生したデブリを除去する技術も提案さ
れている。デブリが除去しやすいものである場合は、こ
の方法も有効である。
【０００７】磁気記憶装置において、空気力学的な作用
により、磁気ヘッドを磁気ディスク盤の表面から０．１
μｍ程度の微小な隙間で浮上させるために、微細溝加工
をした磁気ヘッドスライダが用いられる。この磁気ヘッ
ドスライダにアルチック材（Ａｌ2 Ｏ3 ／ＴｉＣの複合
焼結体）が用いられる。
により、磁気ヘッドを磁気ディスク盤の表面から０．１
μｍ程度の微小な隙間で浮上させるために、微細溝加工
をした磁気ヘッドスライダが用いられる。この磁気ヘッ
ドスライダにアルチック材（Ａｌ2 Ｏ3 ／ＴｉＣの複合
焼結体）が用いられる。
【０００８】従来、磁気ヘッド用アルチック材は、イオ
ンミリングで加工されているが、加工速度が遅いので、
最近高速加工に有利なＹＡＧレーザ加工やエキシマレー
ザによるアブレーション加工が注目されている。
ンミリングで加工されているが、加工速度が遅いので、
最近高速加工に有利なＹＡＧレーザ加工やエキシマレー
ザによるアブレーション加工が注目されている。
【０００９】しかしながら、アルチックをエキシマレー
ザによるアブレーション加工で加工すると、加工領域周
辺にはデブリが付着し、磁気ヘッドの安定な浮上に重大
な支障をきたす。この場合、レーザアブレーション時に
酸素等のガスを吹き付けてもその効果は少なかった。
ザによるアブレーション加工で加工すると、加工領域周
辺にはデブリが付着し、磁気ヘッドの安定な浮上に重大
な支障をきたす。この場合、レーザアブレーション時に
酸素等のガスを吹き付けてもその効果は少なかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
レーザアブレーション加工は有効な加工方法であるが、
デブリの問題が完全に解決されてはいない。
レーザアブレーション加工は有効な加工方法であるが、
デブリの問題が完全に解決されてはいない。
【００１１】本発明の目的は、デブリの問題を低減する
ことができるレーザ加工の技術を提供することである。
ことができるレーザ加工の技術を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザ加工方法
は、光透過窓を有し、真空排気可能な容器内に加工対象
物を配置する工程と、容器内を真空状態に排気しつつ、
第１のエネルギ密度の紫外レーザ光を光透過窓から加工
対象物上に照射してアブレーションによるレーザ加工を
行なう工程と、加工対象物の加工領域周辺に付着した飛
散物に前記第１のエネルギ密度より低い第２のエネルギ
密度で紫外レーザ光を照射し、飛散物を除去する工程と
を含む。
は、光透過窓を有し、真空排気可能な容器内に加工対象
物を配置する工程と、容器内を真空状態に排気しつつ、
第１のエネルギ密度の紫外レーザ光を光透過窓から加工
対象物上に照射してアブレーションによるレーザ加工を
行なう工程と、加工対象物の加工領域周辺に付着した飛
散物に前記第１のエネルギ密度より低い第２のエネルギ
密度で紫外レーザ光を照射し、飛散物を除去する工程と
を含む。
【００１３】
【作用】真空状態に排気した減圧下で、レーザアブレー
ションを行なうことにより、デブリ発生を避けることは
できないが、デブリは広い範囲に薄く発生する。このよ
うな軽度のデブリに対し、エネルギ密度を低減した紫外
レーザ光を照射することにより、飛散物を除去し、デブ
リを有効に解決することが可能となる。
ションを行なうことにより、デブリ発生を避けることは
できないが、デブリは広い範囲に薄く発生する。このよ
うな軽度のデブリに対し、エネルギ密度を低減した紫外
レーザ光を照射することにより、飛散物を除去し、デブ
リを有効に解決することが可能となる。
【００１４】
【実施例】従来用いられてきたガス吹き付けは、デブリ
自身を低減または阻止しようとする対策である。
自身を低減または阻止しようとする対策である。
【００１５】アルチックのレーザ加工においては、一旦
発生したデブリを除去しようとしても、デブリが加工対
象物上に強固に付着し、その除去は容易ではなかった。
したがって、従来の技術によれば、このようなデブリの
問題を解決するためには、デブリの発生自身を低減もし
くは阻止することになろう。しかし、ガス吹き付けでは
良好な結果を得ることができなかった。
発生したデブリを除去しようとしても、デブリが加工対
象物上に強固に付着し、その除去は容易ではなかった。
したがって、従来の技術によれば、このようなデブリの
問題を解決するためには、デブリの発生自身を低減もし
くは阻止することになろう。しかし、ガス吹き付けでは
良好な結果を得ることができなかった。
【００１６】本発明者は、発想の転換を行ない、発生す
るデブリを除去しやすいものに変換する対策を求めた。
デブリの発生条件を変更する要素としては、照射するエ
キシマレーザ光のエネルギ密度、繰り返し周波数、波長
等の他、雰囲気、基板温度等の要素が考えられる。
るデブリを除去しやすいものに変換する対策を求めた。
デブリの発生条件を変更する要素としては、照射するエ
キシマレーザ光のエネルギ密度、繰り返し周波数、波長
等の他、雰囲気、基板温度等の要素が考えられる。
【００１７】本発明者は、これらの要素のうち特に雰囲
気の圧力に注目した。図１に、本発明の実施例によるレ
ーザアブレーション加工を示す。図１（Ａ）は、レーザ
アブレーション装置の構成を概略的に示す断面図、図１
（Ｂ）はレーザアブレーション加工領域を示す平面図、
図１（Ｃ）はクリーニングショット領域を示す平面図で
ある。
気の圧力に注目した。図１に、本発明の実施例によるレ
ーザアブレーション加工を示す。図１（Ａ）は、レーザ
アブレーション装置の構成を概略的に示す断面図、図１
（Ｂ）はレーザアブレーション加工領域を示す平面図、
図１（Ｃ）はクリーニングショット領域を示す平面図で
ある。
【００１８】図１（Ａ）において、真空チャンバ６は気
密構造を有し、真空排気可能な真空ポンプ５に接続され
ている。真空ポンプ５は、たとえば油回転ポンプやター
ボ分子ポンプで構成される。
密構造を有し、真空排気可能な真空ポンプ５に接続され
ている。真空ポンプ５は、たとえば油回転ポンプやター
ボ分子ポンプで構成される。
【００１９】油回転ポンプを用いた場合、真空チャンバ
６内の真空度は約３×１０-3Ｔｏｒｒまで排気可能であ
り、ターボ分子ポンプを用いた場合は、真空チャンバ６
内の真空度は約２×１０-6Ｔｏｒｒまで排気可能であ
る。
６内の真空度は約３×１０-3Ｔｏｒｒまで排気可能であ
り、ターボ分子ポンプを用いた場合は、真空チャンバ６
内の真空度は約２×１０-6Ｔｏｒｒまで排気可能であ
る。
【００２０】真空チャンバ６は、その一部に石英窓１を
有し、石英窓１を通してレーザ光８を導入することがで
きる。レーザ光８は、たとえばＫｒＦエキシマレーザか
ら発する波長約２４８ｎｍの紫外レーザ光である。
有し、石英窓１を通してレーザ光８を導入することがで
きる。レーザ光８は、たとえばＫｒＦエキシマレーザか
ら発する波長約２４８ｎｍの紫外レーザ光である。
【００２１】真空チャンバ６内には、加工試料であるワ
ーク２が載置される加工ステージ３が配置され、加工ス
テージ３には試料移動装置４が接続されている。操作者
が試料移動装置４を操作することにより、加工ステージ
３はその位置を調整することができる。また、レーザ光
８は、石英窓１に入射する前にマスクを透過することに
より、所望パターンに成形される。
ーク２が載置される加工ステージ３が配置され、加工ス
テージ３には試料移動装置４が接続されている。操作者
が試料移動装置４を操作することにより、加工ステージ
３はその位置を調整することができる。また、レーザ光
８は、石英窓１に入射する前にマスクを透過することに
より、所望パターンに成形される。
【００２２】ワーク２を真空チャンバ６内の加工ステー
ジ３上に設置し、その位置を調整した後、真空ポンプ５
で真空チャンバ６内を排気する。所定真空度に真空チャ
ンバ６を排気した後、石英窓１を通してレーザ光８をワ
ーク２の所望領域上に選択的に照射する。レーザ光８が
照射されたワーク２表面は、アブレーションによるレー
ザ加工を受ける。
ジ３上に設置し、その位置を調整した後、真空ポンプ５
で真空チャンバ６内を排気する。所定真空度に真空チャ
ンバ６を排気した後、石英窓１を通してレーザ光８をワ
ーク２の所望領域上に選択的に照射する。レーザ光８が
照射されたワーク２表面は、アブレーションによるレー
ザ加工を受ける。
【００２３】図１（Ｂ）は、アブレーション加工領域の
例を示す。加工領域１１は、ワーク２の表面の一部であ
り、図示の場合、矩形パターンである。アブレーション
加工領域１１を所望条件で加工し、矩形の凹部を作成す
る。この時、加工領域１１の周辺にもデブリが付着す
る。アブレーション加工の後、図１（Ｃ）に示すよう
に、アブレーション加工領域１１よりも広いクリーニン
グ領域１２においてクリーニングショットを照射する。
クリーニングショットは加工時よりもエネルギ密度の低
い紫外レーザ光を加工領域１１よりも広いクリーニング
領域１２に照射する処理である。このクリーニングショ
ットによってデブリを実質的に影響しない程度まで除去
する。
例を示す。加工領域１１は、ワーク２の表面の一部であ
り、図示の場合、矩形パターンである。アブレーション
加工領域１１を所望条件で加工し、矩形の凹部を作成す
る。この時、加工領域１１の周辺にもデブリが付着す
る。アブレーション加工の後、図１（Ｃ）に示すよう
に、アブレーション加工領域１１よりも広いクリーニン
グ領域１２においてクリーニングショットを照射する。
クリーニングショットは加工時よりもエネルギ密度の低
い紫外レーザ光を加工領域１１よりも広いクリーニング
領域１２に照射する処理である。このクリーニングショ
ットによってデブリを実質的に影響しない程度まで除去
する。
【００２４】テストにおいては、ワーク２として５０ｍ
ｍ×２．７５ｍｍ×０．６７ｍｍのアルチック板を用い
た。アブレーション加工時にはエネルギ密度（フルーエ
ンス）４．２Ｊ／ｃｍ2 で１．２ｍｍ×０．７６ｍｍの
矩形領域にエキシマレーザ光を１０００ショット照射
し、アブレーション加工を行なった。真空雰囲気中での
アブレーション加工により、デブリは大気中におけるア
ブレーション加工よりも広い範囲に飛び、その付着厚さ
は薄くなる。
ｍ×２．７５ｍｍ×０．６７ｍｍのアルチック板を用い
た。アブレーション加工時にはエネルギ密度（フルーエ
ンス）４．２Ｊ／ｃｍ2 で１．２ｍｍ×０．７６ｍｍの
矩形領域にエキシマレーザ光を１０００ショット照射
し、アブレーション加工を行なった。真空雰囲気中での
アブレーション加工により、デブリは大気中におけるア
ブレーション加工よりも広い範囲に飛び、その付着厚さ
は薄くなる。
【００２５】除去したいデブリが存在する領域を含め
て、図１（Ｃ）に示すように、アブレーション加工領域
１１よりも広いクリーニング領域１２にエネルギ密度を
下げた（たとえばフルーエンス約１．５Ｊ／ｃｍ2 程
度）エキシマレーザ光を照射し、クリーニングを行なっ
た。たとえば、照射面積を１．７ｍｍ×１．３ｍｍに拡
大し、１０ショットのクリーニングショットを照射し
た。
て、図１（Ｃ）に示すように、アブレーション加工領域
１１よりも広いクリーニング領域１２にエネルギ密度を
下げた（たとえばフルーエンス約１．５Ｊ／ｃｍ2 程
度）エキシマレーザ光を照射し、クリーニングを行なっ
た。たとえば、照射面積を１．７ｍｍ×１．３ｍｍに拡
大し、１０ショットのクリーニングショットを照射し
た。
【００２６】このようなアブレーション加工による結果
を、常圧におけるアブレーション加工と比較して図２に
示す。図２（Ａ）は、真空雰囲気で行なったアブレーシ
ョン加工後のワーク表面の状態を示す。アブレーション
加工領域１１の周囲に、薄膜状にデブリ１４が付着し、
デブリ１４による干渉縞が観測される。
を、常圧におけるアブレーション加工と比較して図２に
示す。図２（Ａ）は、真空雰囲気で行なったアブレーシ
ョン加工後のワーク表面の状態を示す。アブレーション
加工領域１１の周囲に、薄膜状にデブリ１４が付着し、
デブリ１４による干渉縞が観測される。
【００２７】図２（Ｂ）は、大気中で行なったアブレー
ション加工後の試料表面の状態を示す。アブレーション
加工領域１１の周辺に、黒っぽいデブリ１５が高濃度に
付着した。この場合、干渉縞はほとん観測されなかっ
た。
ション加工後の試料表面の状態を示す。アブレーション
加工領域１１の周辺に、黒っぽいデブリ１５が高濃度に
付着した。この場合、干渉縞はほとん観測されなかっ
た。
【００２８】図２（Ｃ）は、（Ａ）で得られた材料を大
気中でアブレーション加工領域１１よりも広いクリーニ
ング領域１２にエネルギ密度を下げたエキシマレーザ光
を照射した結果を示す。
気中でアブレーション加工領域１１よりも広いクリーニ
ング領域１２にエネルギ密度を下げたエキシマレーザ光
を照射した結果を示す。
【００２９】エキシマレーザ光のエネルギ密度は、フル
ーエンス１．５Ｊ／ｃｍ2 程度に低減され、照射面積は
１．７ｍｍ×１．３ｍｍ程度に拡大された。このような
エキシマレーザ光を１０ショット照射した。
ーエンス１．５Ｊ／ｃｍ2 程度に低減され、照射面積は
１．７ｍｍ×１．３ｍｍ程度に拡大された。このような
エキシマレーザ光を１０ショット照射した。
【００３０】その結果、エネルギ密度を下げたエキシマ
レーザ光を照射したクリーニング領域１２内において
は、デブリがほとんど消滅し、その外側のエキシマレー
ザ光を照射されなかった領域にのみデブリ１４ａが残留
した。
レーザ光を照射したクリーニング領域１２内において
は、デブリがほとんど消滅し、その外側のエキシマレー
ザ光を照射されなかった領域にのみデブリ１４ａが残留
した。
【００３１】図２（Ｄ）は、常圧でアブレーション加工
を行なった図２（Ｂ）の試料に対し、図２（Ｃ）と同等
のクリーニング照射を行なった結果を示す。アブレーシ
ョン加工領域１１の周囲に形成されたデブリ１５は、図
中１５ａに示すように減少したが、完全に除去すること
はできなかった。
を行なった図２（Ｂ）の試料に対し、図２（Ｃ）と同等
のクリーニング照射を行なった結果を示す。アブレーシ
ョン加工領域１１の周囲に形成されたデブリ１５は、図
中１５ａに示すように減少したが、完全に除去すること
はできなかった。
【００３２】クリーニング領域１２内のみを考察する
と、真空雰囲気下で行なった図２（Ｃ）のクリーニング
は、デブリの問題をほぼ完全に解決しているが、常圧下
で行なった図２（Ｄ）の結果は、デブリの問題を解消し
ていない。
と、真空雰囲気下で行なった図２（Ｃ）のクリーニング
は、デブリの問題をほぼ完全に解決しているが、常圧下
で行なった図２（Ｄ）の結果は、デブリの問題を解消し
ていない。
【００３３】なお、同時に行なった種々の実験結果よ
り、アブレーション加工時のレーザ照射頻度は２００Ｈ
ｚよりも５０Ｈｚのほうが好ましく、熱的影響が少ない
繰り返し周波数の低いレーザ光照射のほうが加工エッジ
がシャープであった。
り、アブレーション加工時のレーザ照射頻度は２００Ｈ
ｚよりも５０Ｈｚのほうが好ましく、熱的影響が少ない
繰り返し周波数の低いレーザ光照射のほうが加工エッジ
がシャープであった。
【００３４】また、真空中でのアブレーション加工の加
工速度と、常圧下でのアブレーション加工の加工速度を
比較すると、真空中では約０．０３５μｍ／ショットで
あるのに対し、大気中では０．０２８μｍ／ショットで
あり、真空中のほうが加工速度が速かった。なお、この
データを得たテストにおける真空度は、約４．５×１０
-3Ｔｏｒｒであった。
工速度と、常圧下でのアブレーション加工の加工速度を
比較すると、真空中では約０．０３５μｍ／ショットで
あるのに対し、大気中では０．０２８μｍ／ショットで
あり、真空中のほうが加工速度が速かった。なお、この
データを得たテストにおける真空度は、約４．５×１０
-3Ｔｏｒｒであった。
【００３５】真空度は、大気圧である７６０Ｔｏｒｒか
ら３．５×１０-3 Ｔｏｒｒまで段階的に変化させた
が、得られた結果は真空度に応じて変化した。ガス中を
飛来する粒子の平均自由行程を考察すると、平均自由行
程は圧力に反比例することが予測される。圧力が低くな
るほど、平均自由行程は長くなり、レーザアブレーショ
ンによって発生した飛散物は、雰囲気ガスの影響を受け
ずに遠くまで飛散することができるものと考えられる。
ら３．５×１０-3 Ｔｏｒｒまで段階的に変化させた
が、得られた結果は真空度に応じて変化した。ガス中を
飛来する粒子の平均自由行程を考察すると、平均自由行
程は圧力に反比例することが予測される。圧力が低くな
るほど、平均自由行程は長くなり、レーザアブレーショ
ンによって発生した飛散物は、雰囲気ガスの影響を受け
ずに遠くまで飛散することができるものと考えられる。
【００３６】どの範囲までデブリが及ぶかは、衝撃波理
論から Ｒ＝（Ｐ0 ／Ｅ0 ）1/3 （ここで、Ｒ：デブリ飛散半径、Ｐ0 ：雰囲気圧力、Ｅ
0 ：デブリの運動エネルギ）で示され、排気雰囲気下で
はデブリが広い範囲に及ぶ現象は理解できる。したがっ
て、排気された雰囲気下でレーザアブレーション加工を
行なえば、デブリは広い範囲に薄く分布することにな
る。
論から Ｒ＝（Ｐ0 ／Ｅ0 ）1/3 （ここで、Ｒ：デブリ飛散半径、Ｐ0 ：雰囲気圧力、Ｅ
0 ：デブリの運動エネルギ）で示され、排気雰囲気下で
はデブリが広い範囲に及ぶ現象は理解できる。したがっ
て、排気された雰囲気下でレーザアブレーション加工を
行なえば、デブリは広い範囲に薄く分布することにな
る。
【００３７】広い範囲に薄く形成されたデブリが、低い
エネルギ密度のクリーニング照射により効率的に除去で
きた現象は、上述のように考察することによって理解さ
れるであろう。
エネルギ密度のクリーニング照射により効率的に除去で
きた現象は、上述のように考察することによって理解さ
れるであろう。
【００３８】なお、アブレーション加工時における雰囲
気圧力は材料によって異なるが、アルチックセラミック
スの場合は、雰囲気圧力は約１０Ｔｏｒｒ以下にするこ
とが好ましいと判った。なお、アブレーション加工時は
減圧雰囲気で加工を行なうことが必要であるが、クリー
ニング照射においては雰囲気は必ずしも常圧下である必
要はない。アブレーション加工を減圧雰囲気で行ない、
そのまま減圧雰囲気でクリーニング照射を行なう方が好
ましいが、作業効率の面から、どちらの条件を採用して
も良い。
気圧力は材料によって異なるが、アルチックセラミック
スの場合は、雰囲気圧力は約１０Ｔｏｒｒ以下にするこ
とが好ましいと判った。なお、アブレーション加工時は
減圧雰囲気で加工を行なうことが必要であるが、クリー
ニング照射においては雰囲気は必ずしも常圧下である必
要はない。アブレーション加工を減圧雰囲気で行ない、
そのまま減圧雰囲気でクリーニング照射を行なう方が好
ましいが、作業効率の面から、どちらの条件を採用して
も良い。
【００３９】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザ加工におけるデブリの影響を低減することができ
る。
レーザ加工におけるデブリの影響を低減することができ
る。
【図１】本発明の実施例によるレーザアブレーションを
説明するための図である。図１（Ａ）は、レーザアブレ
ーション装置の構成を概略的に示す断面図、図１
（Ｂ）、（Ｃ）は、レーザアブレーション加工を説明す
るための平面図である。
説明するための図である。図１（Ａ）は、レーザアブレ
ーション装置の構成を概略的に示す断面図、図１
（Ｂ）、（Ｃ）は、レーザアブレーション加工を説明す
るための平面図である。
【図２】本発明の実施例によるレーザアブレーションを
従来技術によるレーザアブレーションと比較して示す平
面図である。
従来技術によるレーザアブレーションと比較して示す平
面図である。
１ 石英窓 ２ ワーク ３ 加工ステージ ４ 試料移動装置 ５ 真空ポンプ ６ 真空チャンバ ８ レーザ光 １１ 加工領域 １２ クリーニング領域 １４、１５ デブリ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０４Ｂ 41/80 Ａ
Claims (3)
- 【請求項１】 光透過窓を有し、真空排気可能な容器内
に加工対象物を配置する工程と、 容器内を真空状態に排気しつつ、第１のエネルギ密度の
紫外レーザ光を光透過窓から加工対象物上に照射してア
ブレーションによるレーザ加工を行なう工程と、 加工対象物の加工領域周辺に付着した飛散物に前記第１
のエネルギ密度より低い第２のエネルギ密度で紫外レー
ザ光を照射し、飛散物を除去する工程とを含むレーザ加
工方法。 - 【請求項２】 前記加工対象物がセラミックス材料であ
り、紫外レーザ光がエキシマレーザ光である請求項１記
載のレーザ加工方法。 - 【請求項３】 光透過窓を有し、真空排気可能な容器
と、 前記容器内に配置された被加工物載置手段と、 前記容器に接続された排気手段と、 前記光透過窓を通して被加工物載置手段上に紫外レーザ
光を照射することのできるレーザ発振器とを有するレー
ザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05129498A JP3082013B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | レーザ加工方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05129498A JP3082013B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | レーザ加工方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06339784A true JPH06339784A (ja) | 1994-12-13 |
| JP3082013B2 JP3082013B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=15010973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05129498A Expired - Fee Related JP3082013B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | レーザ加工方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3082013B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000212756A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-02 | Agency Of Ind Science & Technol | 無電解めっきの前処理方法 |
| US6512198B2 (en) | 2001-05-15 | 2003-01-28 | Lexmark International, Inc | Removal of debris from laser ablated nozzle plates |
| JP2004273771A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2005507318A (ja) * | 2001-03-22 | 2005-03-17 | エグシル テクノロジー リミテッド | レーザ加工システム及び方法 |
| JP2010516472A (ja) * | 2007-01-23 | 2010-05-20 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | 超短レーザ微細テクスチャ印刷 |
| JP5635151B2 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-12-03 | キヤノンマシナリー株式会社 | 周期構造形成方法 |
| WO2024242074A1 (ja) * | 2023-05-22 | 2024-11-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 顕微鏡装置の使用方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015020195A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | アイシン精機株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工方法、及びレーザ発振装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5344996A (en) * | 1976-10-06 | 1978-04-22 | Hitachi Ltd | Method of and apparatus for laser machining |
| JPH02289478A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-11-29 | Ciba Geigy Ag | セラミツク、上薬、ガラスセラミツク、ガラス等をレーザーでマークづけする方法 |
| JPH02290687A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Nissan Motor Co Ltd | 真空レーザー照射装置 |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP05129498A patent/JP3082013B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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| US8670151B2 (en) | 2007-01-23 | 2014-03-11 | Imra America, Inc. | Ultrashort laser micro-texture printing |
| US8995029B2 (en) | 2007-01-23 | 2015-03-31 | Imra America, Inc. | Ultrashort laser micro-texture printing |
| JP5635151B2 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-12-03 | キヤノンマシナリー株式会社 | 周期構造形成方法 |
| WO2024242074A1 (ja) * | 2023-05-22 | 2024-11-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 顕微鏡装置の使用方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3082013B2 (ja) | 2000-08-28 |
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