JPH06344172A - レーザ加工法および加工装置 - Google Patents
レーザ加工法および加工装置Info
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- JPH06344172A JPH06344172A JP5138074A JP13807493A JPH06344172A JP H06344172 A JPH06344172 A JP H06344172A JP 5138074 A JP5138074 A JP 5138074A JP 13807493 A JP13807493 A JP 13807493A JP H06344172 A JPH06344172 A JP H06344172A
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- processing
- laser
- fluence
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- laser beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザ光の照射によってデブリを生じるレー
ザ加工に関し、デブリの発生を抑止し、レーザ加工の終
了と同時に良好な加工表面を得ることのできるレーザ加
工技術を提供することを目的とする。 【構成】 加工用レーザビーム（１１）を第１のビーム
（１２）と第２（１３）のビームに分割する工程と、第
１のビーム（１２）を第１のパターン、第１のフルーエ
ンスで加工対象物（６）上に照射し、照射面（１５）を
加工する工程と、第２のビーム（１３）を第１のパター
ンを包む第２のパターン、第１のフルーエンスより低い
第２のフルーエンスで第１のビームと同時に加工対象物
上に照射し、照射面（１６）上で第１のビームの照射に
よるデブリの形成を抑止する工程とを含む。
ザ加工に関し、デブリの発生を抑止し、レーザ加工の終
了と同時に良好な加工表面を得ることのできるレーザ加
工技術を提供することを目的とする。 【構成】 加工用レーザビーム（１１）を第１のビーム
（１２）と第２（１３）のビームに分割する工程と、第
１のビーム（１２）を第１のパターン、第１のフルーエ
ンスで加工対象物（６）上に照射し、照射面（１５）を
加工する工程と、第２のビーム（１３）を第１のパター
ンを包む第２のパターン、第１のフルーエンスより低い
第２のフルーエンスで第１のビームと同時に加工対象物
上に照射し、照射面（１６）上で第１のビームの照射に
よるデブリの形成を抑止する工程とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ加工に関し、特
にレーザ光の照射によってデブリを生じるレーザ加工に
関する。
にレーザ光の照射によってデブリを生じるレーザ加工に
関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光は高いエネルギ密度を実現する
ことができ、高エネルギ密度のレーザ光を加工対象物に
照射することにより、加工対象物を加工することができ
る。
ことができ、高エネルギ密度のレーザ光を加工対象物に
照射することにより、加工対象物を加工することができ
る。
【０００３】加工用レーザとしては、ＣＯ2 レーザ、Ｙ
ＡＧレーザ、Ａｒレーザ、エキシマレーザ等が知られて
いる。これらの中、前３者の発振波長は、赤外領域ない
し可視領域に存在し、これらのレーザ光が加工対象物に
与える影響は主に加熱作用であると言えよう。
ＡＧレーザ、Ａｒレーザ、エキシマレーザ等が知られて
いる。これらの中、前３者の発振波長は、赤外領域ない
し可視領域に存在し、これらのレーザ光が加工対象物に
与える影響は主に加熱作用であると言えよう。
【０００４】エキシマレーザは、発振波長が紫外領域に
存在し、加工対象物に与える影響は熱的効果よりも光化
学的効果が支配的になる。たとえば、有機高分子化合物
にエキシマレーザを照射することにより、化学結合を切
断して飛散させ、照射領域をエッチング（削除）するこ
とができる。ポリイミド等の有機高分子材料、金属、ア
ルミナ等のセラミックスを加工できることが確認されて
いる。
存在し、加工対象物に与える影響は熱的効果よりも光化
学的効果が支配的になる。たとえば、有機高分子化合物
にエキシマレーザを照射することにより、化学結合を切
断して飛散させ、照射領域をエッチング（削除）するこ
とができる。ポリイミド等の有機高分子材料、金属、ア
ルミナ等のセラミックスを加工できることが確認されて
いる。
【０００５】一般に、エキシマレーザで材料を加工する
と、デブリ（ｄｅｂｒｉｓ）と称する副次物が発生す
る。デブリは、簡単に言えば木材加工時の鋸屑のような
ものであり、加工対象物がポリイミド等のポリマーであ
れば、加工孔周辺にカーボンのすすのような付着が認め
られる。加工対象物がアルチック（Ａｌ2 Ｏ3 ／ＴｉＣ
複合焼結体）のようなセラミックスであれば、微小な破
砕物の堆積が加工穴周辺に確認できる。
と、デブリ（ｄｅｂｒｉｓ）と称する副次物が発生す
る。デブリは、簡単に言えば木材加工時の鋸屑のような
ものであり、加工対象物がポリイミド等のポリマーであ
れば、加工孔周辺にカーボンのすすのような付着が認め
られる。加工対象物がアルチック（Ａｌ2 Ｏ3 ／ＴｉＣ
複合焼結体）のようなセラミックスであれば、微小な破
砕物の堆積が加工穴周辺に確認できる。
【０００６】このようなデブリを除去するためには、通
常は加工工程の後に除去工程が付加されている。この付
加工程は、たとえば湿式の洗浄工程、あるいは乾式のプ
ラズマ処理工程であり、両者とも加工処理の後に行なわ
れる。
常は加工工程の後に除去工程が付加されている。この付
加工程は、たとえば湿式の洗浄工程、あるいは乾式のプ
ラズマ処理工程であり、両者とも加工処理の後に行なわ
れる。
【０００７】レーザガス加工工程と同時に、加工副次物
を除去する方法としてガスアシスト法が知られている。
ガスアシスト法においては、反応性あるいは不活性のガ
ス（たとえば、Ｈ2 、Ｏ2 、Ｎｅ、Ｈｅ等）を吹き付け
ながら、レーザ光を照射し、レーザ加工を行なう。
を除去する方法としてガスアシスト法が知られている。
ガスアシスト法においては、反応性あるいは不活性のガ
ス（たとえば、Ｈ2 、Ｏ2 、Ｎｅ、Ｈｅ等）を吹き付け
ながら、レーザ光を照射し、レーザ加工を行なう。
【０００８】ところが、ポリイミド等の有機高分子化合
物に対しては、Ｏ2 あるいはＨｅ以外のアシストガスは
さほど効果を有さない。また、アルチック等のセラミッ
クスに対しては、どのようなアシストガスを用いても顕
著な効果は認められない。
物に対しては、Ｏ2 あるいはＨｅ以外のアシストガスは
さほど効果を有さない。また、アルチック等のセラミッ
クスに対しては、どのようなアシストガスを用いても顕
著な効果は認められない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】加工対象物の表面を削
り取るようなレーザ加工においては、加工副次物として
加工領域周辺にデブリが発生することが多い。このよう
なデブリの発生を防止するためには、加工処理の後にデ
ブリ除去工程を設けるか、または加工対象物が所定の材
料である場合にはレーザ加工と同時にガスアシストを行
なう。
り取るようなレーザ加工においては、加工副次物として
加工領域周辺にデブリが発生することが多い。このよう
なデブリの発生を防止するためには、加工処理の後にデ
ブリ除去工程を設けるか、または加工対象物が所定の材
料である場合にはレーザ加工と同時にガスアシストを行
なう。
【００１０】加工対象物がセラミックス等の場合には、
レーザ加工と同時にデブリの発生を抑止する方法は知ら
れていなかった。本発明の目的は、デブリの発生を抑止
し、レーザ加工の終了と同時に良好な加工表面を得るこ
とのできるレーザ加工技術を提供することである。
レーザ加工と同時にデブリの発生を抑止する方法は知ら
れていなかった。本発明の目的は、デブリの発生を抑止
し、レーザ加工の終了と同時に良好な加工表面を得るこ
とのできるレーザ加工技術を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザ加工法
は、加工用レーザビームを第１のビームと第２のビーム
に分割する工程と、第１のビームを第１のパターン、第
１のフルーエンスで加工対象物上に照射し、照射面を加
工する工程と、第２のビームを第１のパターンを包む第
２のパターン、第１のフルーエンスより低い第２のフル
ーエンスで第１のビームと同時に加工対象物上に照射
し、照射面上で第１のビームの照射によるデブリの形成
を抑止する工程とを含む。
は、加工用レーザビームを第１のビームと第２のビーム
に分割する工程と、第１のビームを第１のパターン、第
１のフルーエンスで加工対象物上に照射し、照射面を加
工する工程と、第２のビームを第１のパターンを包む第
２のパターン、第１のフルーエンスより低い第２のフル
ーエンスで第１のビームと同時に加工対象物上に照射
し、照射面上で第１のビームの照射によるデブリの形成
を抑止する工程とを含む。
【００１２】
【作用】加工対象物を加工するための第１のレーザビー
ムとは別に、フルーエンスを低く選んだ第２のレーザビ
ームを加工領域周辺に照射すると、デブリの形成を抑止
することができる。両レーザビームは同時に照射するこ
とができるため、加工終了と同時に良好な加工対象物表
面を得ることができる。
ムとは別に、フルーエンスを低く選んだ第２のレーザビ
ームを加工領域周辺に照射すると、デブリの形成を抑止
することができる。両レーザビームは同時に照射するこ
とができるため、加工終了と同時に良好な加工対象物表
面を得ることができる。
【００１３】
【実施例】本出願人は、先にエキシマレーザビーム照射
によるレーザ加工に続いてエネルギ密度（フルーエン
ス）を低下させたクリーニングレーザビームを照射する
ことにより、デブリを除去する技術を提案した（特願平
４−１３９３１１号）。
によるレーザ加工に続いてエネルギ密度（フルーエン
ス）を低下させたクリーニングレーザビームを照射する
ことにより、デブリを除去する技術を提案した（特願平
４−１３９３１１号）。
【００１４】図２を参照して、この参考例をまず説明す
る。図２（Ａ）は、エキシマレーザを用いた加工光学系
を示す。エキシマレーザ１から発したレーザビーム１１
は、全反射ミラー２ａ、２ｂ等で構成された光学系によ
ってマスク４に導かれ、マスク４を照射する。
る。図２（Ａ）は、エキシマレーザを用いた加工光学系
を示す。エキシマレーザ１から発したレーザビーム１１
は、全反射ミラー２ａ、２ｂ等で構成された光学系によ
ってマスク４に導かれ、マスク４を照射する。
【００１５】マスク４は、たとえばＭｏ、ＣｕＮｉ等の
板を打抜くことで形成されたパターンを有し、所望形状
のレーザビームのみを透過させる。なお、この際レーザ
ビームの中央部分のみを用いることにより、エネルギ密
度（フルーエンス）の均一な所望形状のレーザビームを
発生させる。
板を打抜くことで形成されたパターンを有し、所望形状
のレーザビームのみを透過させる。なお、この際レーザ
ビームの中央部分のみを用いることにより、エネルギ密
度（フルーエンス）の均一な所望形状のレーザビームを
発生させる。
【００１６】なお、保持手段９およびその上に載置され
た加工対象物６は、真空容器１７中に収容されている。
真空容器１７には、エキシマレーザビームを透過させる
ための窓１８が設けられている。
た加工対象物６は、真空容器１７中に収容されている。
真空容器１７には、エキシマレーザビームを透過させる
ための窓１８が設けられている。
【００１７】マスク４に対する結像レンズ５は、マスク
４の像を加工対象物６上に形成するためのものであり、
所定の倍率（縮小率）のパターンを加工対象物６上に結
像させる。加工対象物６は、テーブル等の保持手段９上
に保持され、その位置を調整することができる。
４の像を加工対象物６上に形成するためのものであり、
所定の倍率（縮小率）のパターンを加工対象物６上に結
像させる。加工対象物６は、テーブル等の保持手段９上
に保持され、その位置を調整することができる。
【００１８】結像レンズ５、加工対象物６の光軸上の位
置を変更することにより、加工対象物６上に結像される
マスク４の像の倍率を変更することができる。加工対象
物にある程度以上のエネルギ密度（フルーエンス）でエ
キシマレーザビームを照射すると、加工対象物表面でア
ブレーションと呼ばれるドライエッチング現象が生じ、
加工対象物が徐々に削られていく。加工を可能とする最
低エネルギ密度を閾値と呼ぶ。
置を変更することにより、加工対象物６上に結像される
マスク４の像の倍率を変更することができる。加工対象
物にある程度以上のエネルギ密度（フルーエンス）でエ
キシマレーザビームを照射すると、加工対象物表面でア
ブレーションと呼ばれるドライエッチング現象が生じ、
加工対象物が徐々に削られていく。加工を可能とする最
低エネルギ密度を閾値と呼ぶ。
【００１９】図２（Ｂ）に示すように、たとえば矩形パ
ターンの加工を行なう場合、加工ビーム照射領域１５に
閾値よりも十分高いフルーエンスを有するレーザビーム
を照射し、加工を終えた後、加工ビーム照射領域１５を
含むより広いクリーニングビーム照射領域１６に、閾値
以下にフルーエンスを低下させたクリーニングビームを
照射する。クリーニングビームは、加工対象物６を加工
する能力は有さないが、加工ビームによって加工を行な
った際に発生したデブリを除去する能力を有する。
ターンの加工を行なう場合、加工ビーム照射領域１５に
閾値よりも十分高いフルーエンスを有するレーザビーム
を照射し、加工を終えた後、加工ビーム照射領域１５を
含むより広いクリーニングビーム照射領域１６に、閾値
以下にフルーエンスを低下させたクリーニングビームを
照射する。クリーニングビームは、加工対象物６を加工
する能力は有さないが、加工ビームによって加工を行な
った際に発生したデブリを除去する能力を有する。
【００２０】先の提案には開示していないが、アルチッ
ク（Ａｌ2 Ｏ3 ／ＴｉＣ複合焼結体）を加工する場合を
以下に説明する。アルチックの加工対象物６を約２×１
０-3Ｔｏｒｒの真空雰囲気下に配置し、フルーエンス
４．２Ｊ／ｃｍ2 のエキシマレーザビームを、たとえば
１０００ショット照射する。このような高いフルーエン
スのエキシマレーザビームを照射された加工対象物表面
においては、アブレーションが生じ、レーザビーム加工
が行なわれる。
ク（Ａｌ2 Ｏ3 ／ＴｉＣ複合焼結体）を加工する場合を
以下に説明する。アルチックの加工対象物６を約２×１
０-3Ｔｏｒｒの真空雰囲気下に配置し、フルーエンス
４．２Ｊ／ｃｍ2 のエキシマレーザビームを、たとえば
１０００ショット照射する。このような高いフルーエン
スのエキシマレーザビームを照射された加工対象物表面
においては、アブレーションが生じ、レーザビーム加工
が行なわれる。
【００２１】真空雰囲気下でアブレーションを生じさせ
ると、デブリは広い範囲に薄く生じる。真空雰囲気であ
るため、酸化、窒化等の空気の成分との化学反応もほと
んど生じないものと考えられる。
ると、デブリは広い範囲に薄く生じる。真空雰囲気であ
るため、酸化、窒化等の空気の成分との化学反応もほと
んど生じないものと考えられる。
【００２２】その後、フルーエンスを１．５Ｊ／ｃｍ2
に低下させ、照射面積を約２．５倍に拡大して１０ショ
ットのエキシマレーザビームを照射した。なお、アルチ
ックに対して、フルーエンス１．５Ｊ／ｃｍ2 のエキシ
マレーザビームは閾値以下であり、アルチック自身を加
工することはできない。しかしながら、このような閾値
以下のエキシマレーザビームの照射によってデブリは完
全に除去することができることが確認された。なお、ク
リーニングショットは真空雰囲気の中に限らず、大気中
で行なってもよい。
に低下させ、照射面積を約２．５倍に拡大して１０ショ
ットのエキシマレーザビームを照射した。なお、アルチ
ックに対して、フルーエンス１．５Ｊ／ｃｍ2 のエキシ
マレーザビームは閾値以下であり、アルチック自身を加
工することはできない。しかしながら、このような閾値
以下のエキシマレーザビームの照射によってデブリは完
全に除去することができることが確認された。なお、ク
リーニングショットは真空雰囲気の中に限らず、大気中
で行なってもよい。
【００２３】マスク４と結像レンズ５の間の距離をａと
し、結像レンズ５と加工対象物６の間の距離をｂとし、
結像レンズ５の焦点距離をｆとすると、 １／ａ＋１／ｂ＝１／ｆ のレンズの公式が成立する。
し、結像レンズ５と加工対象物６の間の距離をｂとし、
結像レンズ５の焦点距離をｆとすると、 １／ａ＋１／ｂ＝１／ｆ のレンズの公式が成立する。
【００２４】マスク４と結像レンズ５の間の距離ａを縮
小すると、このレンズの式を成立させるためには、ｂが
大きな値となり、縮小率が低くなる。すなわち、加工対
象物６の広い面積にレーザビームが照射され、そのエネ
ルギ密度は低下する。このような調整によって、クリー
ニングショットを行なう際の照射面積を広く、エネルギ
密度を閾値以下の適当な値に設定することができる。
小すると、このレンズの式を成立させるためには、ｂが
大きな値となり、縮小率が低くなる。すなわち、加工対
象物６の広い面積にレーザビームが照射され、そのエネ
ルギ密度は低下する。このような調整によって、クリー
ニングショットを行なう際の照射面積を広く、エネルギ
密度を閾値以下の適当な値に設定することができる。
【００２５】このように、レーザビーム加工に引き続い
てクリーニングショットを行なうことにより、デブリを
除去することが可能であるが、レーザ加工に引き続く操
作を必要とし、加工プロセス全体を複雑なものとしてし
まう。
てクリーニングショットを行なうことにより、デブリを
除去することが可能であるが、レーザ加工に引き続く操
作を必要とし、加工プロセス全体を複雑なものとしてし
まう。
【００２６】以下、このような問題を解決した本発明の
実施例を説明する。図１は、本発明の実施例によるエキ
シマレーザを用いた加工光学系を示す。発振波長２４８
ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のエキシマレーザ１から
発したレーザビーム１１は、全反射ミラー２等の光学系
を通って、ビームスプリッタ７に導かれる。ビームスプ
リッタ７は、たとえば部分反射ミラーで形成され、入射
した光の所定割合を反射させ、所定割合を透過させる。
このようなビームスプリッタは、一般に誘電体多層膜や
部分金属ミラー等によって形成できる。
実施例を説明する。図１は、本発明の実施例によるエキ
シマレーザを用いた加工光学系を示す。発振波長２４８
ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のエキシマレーザ１から
発したレーザビーム１１は、全反射ミラー２等の光学系
を通って、ビームスプリッタ７に導かれる。ビームスプ
リッタ７は、たとえば部分反射ミラーで形成され、入射
した光の所定割合を反射させ、所定割合を透過させる。
このようなビームスプリッタは、一般に誘電体多層膜や
部分金属ミラー等によって形成できる。
【００２７】このようにして、入射するレーザビーム１
１から部分反射ビーム１２と部分透過ビーム１３を形成
する。たとえば、反射率約９０％の部分反射ミラーでビ
ームスプリッタ７を形成し、部分反射ビーム１２に対し
て約１／１０のエネルギ密度を有する部分透過ビーム１
３を形成する。
１から部分反射ビーム１２と部分透過ビーム１３を形成
する。たとえば、反射率約９０％の部分反射ミラーでビ
ームスプリッタ７を形成し、部分反射ビーム１２に対し
て約１／１０のエネルギ密度を有する部分透過ビーム１
３を形成する。
【００２８】部分反射ビーム１２は、マスク４に導か
れ、マスク４を透過したレーザビームは結像レンズ５に
よって加工対象物６上に結像される。このように、部分
反射ビーム１２を用いて、参考例で説明したものと同様
のレーザ加工を行なうことができる。
れ、マスク４を透過したレーザビームは結像レンズ５に
よって加工対象物６上に結像される。このように、部分
反射ビーム１２を用いて、参考例で説明したものと同様
のレーザ加工を行なうことができる。
【００２９】なお、加工対象物６は、テーブル等の保持
手段９上に載置され、保持手段９と共に真空容器１７中
に収容されている。真空容器１７には窓１８が設けられ
ており、エキシマレーザビームを透過させることができ
る。
手段９上に載置され、保持手段９と共に真空容器１７中
に収容されている。真空容器１７には窓１８が設けられ
ており、エキシマレーザビームを透過させることができ
る。
【００３０】ビームスプリッタで分割された部分透過ビ
ーム１３は、全反射ミラー８等の光学系によって加工用
ビームとは別の光路をたどり、窓１８を通って加工対象
物６上に照射される。この部分透過ビーム１３によって
レーザ加工と同時にクリーニングショットを照射するこ
とができる。
ーム１３は、全反射ミラー８等の光学系によって加工用
ビームとは別の光路をたどり、窓１８を通って加工対象
物６上に照射される。この部分透過ビーム１３によって
レーザ加工と同時にクリーニングショットを照射するこ
とができる。
【００３１】図示の構成においては、部分透過ビーム１
３の光路上にはマスクも結像レンズも配置されていな
い。部分透過ビーム１３の照射領域が、マスク４を通っ
た部分反射ビーム１２の照射領域を含む十分広い領域に
照射されればよいためである。
３の光路上にはマスクも結像レンズも配置されていな
い。部分透過ビーム１３の照射領域が、マスク４を通っ
た部分反射ビーム１２の照射領域を含む十分広い領域に
照射されればよいためである。
【００３２】もちろん、全反射ミラー８をたとえば曲率
半径１０ｍ程度の凹面鏡とすること等により、部分透過
ビーム１３に収束作用を付与してもよい。また、マスク
４と同等の形状を有するマスクを透過させてもよい。た
だし、加工対象物上での照射領域は、加工領域とその周
囲のデブリ付着可能領域を含むように設定する。さら
に、ビームを遮断するシャッタを設けてもよい。
半径１０ｍ程度の凹面鏡とすること等により、部分透過
ビーム１３に収束作用を付与してもよい。また、マスク
４と同等の形状を有するマスクを透過させてもよい。た
だし、加工対象物上での照射領域は、加工領域とその周
囲のデブリ付着可能領域を含むように設定する。さら
に、ビームを遮断するシャッタを設けてもよい。
【００３３】テストとして、ポリイミドフィルムをレー
ザ加工した。ポリイミドフィルムの加工閾値は、約５０
ｍＪ／ｃｍ2 と言われている。我々は、加工ビームのフ
ルーエンスを１００ｍＪ／ｃｍ2 とし、クリーニングビ
ームのフルーエンスをその１／１０程度とした。加工ビ
ームとクリーニングビームを同時に加工対象物上に照射
することにより、実質的にデブリのないレーザ加工を行
なうことができた。
ザ加工した。ポリイミドフィルムの加工閾値は、約５０
ｍＪ／ｃｍ2 と言われている。我々は、加工ビームのフ
ルーエンスを１００ｍＪ／ｃｍ2 とし、クリーニングビ
ームのフルーエンスをその１／１０程度とした。加工ビ
ームとクリーニングビームを同時に加工対象物上に照射
することにより、実質的にデブリのないレーザ加工を行
なうことができた。
【００３４】なお、レーザビームを分割し、その一方を
加工ビームとして用いると共に、他方をクリーニングビ
ームとして用い、レーザ加工と同時にクリーニングを行
なうことが可能であれば図示の構成に限らず、種々の構
成を取ることができる。
加工ビームとして用いると共に、他方をクリーニングビ
ームとして用い、レーザ加工と同時にクリーニングを行
なうことが可能であれば図示の構成に限らず、種々の構
成を取ることができる。
【００３５】ビームスプリッタの光軸上位置は、図示の
場合に制限されず、マスクの後に設けることも可能であ
る。クリーニングビームの光軸は、加工用ビームの光軸
と別である必要はなく、一致させることも可能である。
必要に応じてクリーニングビームをレンズ等で集光して
もよい。
場合に制限されず、マスクの後に設けることも可能であ
る。クリーニングビームの光軸は、加工用ビームの光軸
と別である必要はなく、一致させることも可能である。
必要に応じてクリーニングビームをレンズ等で集光して
もよい。
【００３６】なお、エキシマレーザを用いてレーザ加工
を行なう場合を説明したが、ＹＡＧレーザのような他の
レーザによるレーザ加工にも適用することが可能であ
る。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明は
これらに制限されるものではない。たとえば、種々の変
更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明で
あろう。
を行なう場合を説明したが、ＹＡＧレーザのような他の
レーザによるレーザ加工にも適用することが可能であ
る。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明は
これらに制限されるものではない。たとえば、種々の変
更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明で
あろう。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザ加工と同時にレーザ加工によって発生するデブリ
を除去することが可能となる。このため、レーザ加工が
全体として簡単化される。
レーザ加工と同時にレーザ加工によって発生するデブリ
を除去することが可能となる。このため、レーザ加工が
全体として簡単化される。
【図１】本発明の実施例によるエキシマレーザ加工を説
明するための概略図である。
明するための概略図である。
【図２】参考例を説明するための概略図である。
１ エキシマレーザ ２ 全反射ミラー ４ マスク ５ 結像レンズ ６ 加工対象物 ７ ビームスプリッタ ８ 全反射ミラー ９ 保持手段 １１ レーザビーム １２ 部分反射ビーム １３ 部分透過ビーム １５ 加工ビーム照射領域 １６ クリーニングビーム照射領域 １７ 真空容器 １８ 窓
Claims (2)
- 【請求項１】 加工用レーザビームを第１のビームと第
２のビームに分割する工程と、 第１のビームを第１のパターン、第１のフルーエンスで
加工対象物上に照射し、照射面を加工する工程と、 第２のビームを第１のパターンを包む第２のパターン、
第１のフルーエンスより低い第２のフルーエンスで第１
のビームと同時に加工対象物上に照射し、照射面上で第
１のビームの照射によるデブリの形成を抑止する工程と
を含むレーザ加工法。 - 【請求項２】 加工対象物を保持する保持手段と、 加工用レーザビームを第１のビームと第２のビームに分
割するビームスプリッタと、 第１のビームを第１のフルーエンスで保持手段上に導く
第１の光学系と、 第２のビームを第１のフルーエンスより低い第２のフル
ーエンスで保持手段上に導く第２の光学系とを有するレ
ーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5138074A JP3052226B2 (ja) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | レーザ加工法および加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JP2009248126A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Shibaura Mechatronics Corp | レーザ加工装置 |
| JP2010052031A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Hitachi High-Technologies Corp | レーザ処理装置、太陽電池パネルの製造装置、太陽電池パネルおよびレーザ処理方法 |
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| WO2015008482A1 (ja) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | アイシン精機株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工方法、及びレーザ発振装置 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1993
- 1993-06-10 JP JP5138074A patent/JP3052226B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0386385A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-11 | Hitachi Ltd | レーザマーカ |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009248126A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Shibaura Mechatronics Corp | レーザ加工装置 |
| JP2010052031A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Hitachi High-Technologies Corp | レーザ処理装置、太陽電池パネルの製造装置、太陽電池パネルおよびレーザ処理方法 |
| CN102189336A (zh) * | 2010-03-12 | 2011-09-21 | 三菱综合材料株式会社 | 激光加工装置及激光加工方法 |
| JP2011189362A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Mitsubishi Materials Corp | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
| WO2015008482A1 (ja) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | アイシン精機株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工方法、及びレーザ発振装置 |
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