JPH11773A - レーザ加工装置およびその方法 - Google Patents
レーザ加工装置およびその方法Info
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- JPH11773A JPH11773A JP9153921A JP15392197A JPH11773A JP H11773 A JPH11773 A JP H11773A JP 9153921 A JP9153921 A JP 9153921A JP 15392197 A JP15392197 A JP 15392197A JP H11773 A JPH11773 A JP H11773A
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- laser
- processing
- wiring pattern
- oscillator
- laser beam
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線加工時の加工エネルギーを低減して良好
な加工品質を得る。 【解決手段】 保護膜２００ａによって被覆された配線
パターン２００ｂを有する多層薄膜２００に対し、レー
ザ発振器によってレーザ光を照射し配線パターン２００
ｂを加工するレーザ加工装置において、レーザ発振器
を、保護膜２００ａを除去するためのレーザ光ａを出射
する保護膜加工用レーザと、配線パターン２００ｂを加
工するためのレーザ光ｂを出射する配線パターン加工用
レーザとを有するレーザ発振器からなる構成としてあ
る。
な加工品質を得る。 【解決手段】 保護膜２００ａによって被覆された配線
パターン２００ｂを有する多層薄膜２００に対し、レー
ザ発振器によってレーザ光を照射し配線パターン２００
ｂを加工するレーザ加工装置において、レーザ発振器
を、保護膜２００ａを除去するためのレーザ光ａを出射
する保護膜加工用レーザと、配線パターン２００ｂを加
工するためのレーザ光ｂを出射する配線パターン加工用
レーザとを有するレーザ発振器からなる構成としてあ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩやフォトマ
スク等の多層薄膜構造物の配線パターンを加工（修正・
切断）するレーザ加工装置およびその方法に関する。
スク等の多層薄膜構造物の配線パターンを加工（修正・
切断）するレーザ加工装置およびその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、多層薄膜構造を有するＬＳＩウ
エハやフォトマスク等の配線パターンは、表面に露出し
ていることは少なく、ガラス材等の保護膜によって覆わ
れていることが多い。これら配線パターンとしては、Ｓ
ｉウエハ上に堆積された多結晶シリコンやタングステ
ン，アルミニウム等の材料からなり、レーザ加工装置に
よって加工される。
エハやフォトマスク等の配線パターンは、表面に露出し
ていることは少なく、ガラス材等の保護膜によって覆わ
れていることが多い。これら配線パターンとしては、Ｓ
ｉウエハ上に堆積された多結晶シリコンやタングステ
ン，アルミニウム等の材料からなり、レーザ加工装置に
よって加工される。
【０００３】このようなレーザ加工装置のレーザには、
レーザダイオード（以下、「ＬＤ」と称する。）励起Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザまたはＬＤ励起Ｎｄ：ＹＬＦレーザが
採用されている。
レーザダイオード（以下、「ＬＤ」と称する。）励起Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザまたはＬＤ励起Ｎｄ：ＹＬＦレーザが
採用されている。
【０００４】これらいずれのレーザも、発振波長が１μ
ｍ台であり、ＬＤで励起することから、ランプ励起方式
レーザと比べて安定したＱスイッチパルス列が得られ
る。また、ＬＤを使うことにより、長期間保守が不要
で、安定した装置稼動が実現できるという利点を有して
いる。
ｍ台であり、ＬＤで励起することから、ランプ励起方式
レーザと比べて安定したＱスイッチパルス列が得られ
る。また、ＬＤを使うことにより、長期間保守が不要
で、安定した装置稼動が実現できるという利点を有して
いる。
【０００５】この場合、配線パターンの切断加工は、保
護膜としてのガラス材が通常１μｍ台の波長のレーザ光
を殆ど透過するため、次に示す原理により行われる。す
なわち、レーザ集光によって瞬間的に配線材が気化して
膨張すると、この膨張によって発生する応力がガラス材
を破砕し、このガラス材に微細な孔が形成される。そし
て、この微細な孔を通して気化した配線材が外部に放出
される。
護膜としてのガラス材が通常１μｍ台の波長のレーザ光
を殆ど透過するため、次に示す原理により行われる。す
なわち、レーザ集光によって瞬間的に配線材が気化して
膨張すると、この膨張によって発生する応力がガラス材
を破砕し、このガラス材に微細な孔が形成される。そし
て、この微細な孔を通して気化した配線材が外部に放出
される。
【０００６】この際、下層部や加工周辺部への影響を最
小限にするために、加工しきい値に近いレーザパワーを
設定して不必要に高いパワーのレーザ光を照射しないよ
うにしている。
小限にするために、加工しきい値に近いレーザパワーを
設定して不必要に高いパワーのレーザ光を照射しないよ
うにしている。
【０００７】このため、保護膜の設計の最適化や配線パ
ターンの形状や配置の最適化など製品設計を中心とした
改善が行われる。また、加工状態の良好な安定した加工
を実現するために、配線材料のみに吸収し易い波長を選
択したレーザ加工装置も提案されている。
ターンの形状や配置の最適化など製品設計を中心とした
改善が行われる。また、加工状態の良好な安定した加工
を実現するために、配線材料のみに吸収し易い波長を選
択したレーザ加工装置も提案されている。
【０００８】ところで、近年におけるＬＳＩの多層化・
高密度化に伴い、保護膜の厚さが増大するとともに、配
線パターン幅が縮小する傾向にある。
高密度化に伴い、保護膜の厚さが増大するとともに、配
線パターン幅が縮小する傾向にある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のレー
ザ加工装置においては、加工対象としての保護膜の厚さ
増大によって加工エネルギーが増大し、また同じく加工
対象としての配線材のパターン幅縮小によって保護膜を
破砕するに必要な配線材の気化に伴う保護膜の破砕力低
下に繋がり、より良好な加工品質が得られるようなエネ
ルギー設定を行うこと（配線パターン加工時の加工エネ
ルギーを低減すること）は困難になってきている。
ザ加工装置においては、加工対象としての保護膜の厚さ
増大によって加工エネルギーが増大し、また同じく加工
対象としての配線材のパターン幅縮小によって保護膜を
破砕するに必要な配線材の気化に伴う保護膜の破砕力低
下に繋がり、より良好な加工品質が得られるようなエネ
ルギー設定を行うこと（配線パターン加工時の加工エネ
ルギーを低減すること）は困難になってきている。
【００１０】すなわち、この種のレーザ加工が図４
（ａ）に示すように配線加工用レーザビーム１００を保
護膜１０１下の配線パターン１０２に集光させて保護膜
１０１を突き破ることによるものであるため、大きな加
工エネルギーを必要とし、レーザ加工後に同図（ｂ）に
示すように加工痕が大きくなる。この場合、保護膜１０
１が厚くなる程、下層部や加工周辺部への影響が顕著に
なり、加工品質が悪化する。
（ａ）に示すように配線加工用レーザビーム１００を保
護膜１０１下の配線パターン１０２に集光させて保護膜
１０１を突き破ることによるものであるため、大きな加
工エネルギーを必要とし、レーザ加工後に同図（ｂ）に
示すように加工痕が大きくなる。この場合、保護膜１０
１が厚くなる程、下層部や加工周辺部への影響が顕著に
なり、加工品質が悪化する。
【００１１】このため、従来より良好な加工品質が得ら
れるようなエネルギー設定を行うことができるレーザ加
工装置の出現が要望されていた。
れるようなエネルギー設定を行うことができるレーザ加
工装置の出現が要望されていた。
【００１２】本発明はこのような要望に応えるべくなさ
れたもので、配線加工時の加工エネルギーを大幅に低減
することができ、もって良好な加工品質を得ることがで
きるレーザ加工装置およびその方法の提供を目的とす
る。
れたもので、配線加工時の加工エネルギーを大幅に低減
することができ、もって良好な加工品質を得ることがで
きるレーザ加工装置およびその方法の提供を目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の請求項１記載のレーザ加工装置は、保護膜
によって被覆された配線パターンを有する多層薄膜に対
し、レーザ発振器によってレーザ光を照射し配線パター
ンを加工するレーザ加工装置において、レーザ発振器
を、保護膜を除去するためのレーザ光を出射する第一発
振器と、配線パターンを加工するためのレーザ光を出射
する第二発振器とを有するレーザ発振器からなる構成と
してある。したがって、第一発振器から出射するレーザ
光によって保護膜の一部が除去され、第二発振器から出
射するレーザ光によって配線パターンが切断される。
に、本発明の請求項１記載のレーザ加工装置は、保護膜
によって被覆された配線パターンを有する多層薄膜に対
し、レーザ発振器によってレーザ光を照射し配線パター
ンを加工するレーザ加工装置において、レーザ発振器
を、保護膜を除去するためのレーザ光を出射する第一発
振器と、配線パターンを加工するためのレーザ光を出射
する第二発振器とを有するレーザ発振器からなる構成と
してある。したがって、第一発振器から出射するレーザ
光によって保護膜の一部が除去され、第二発振器から出
射するレーザ光によって配線パターンが切断される。
【００１４】請求項２記載の発明は、請求項１記載のレ
ーザ加工装置において、第一発振器および第二発振器に
よる各レーザ光の出射タイミングを制御する制御部を含
ませた構成としてある。したがって、制御部によって各
発振器からのレーザ光の出射タイミングを制御し、保護
膜の除去加工と配線パターンの切断加工が順次行われ
る。
ーザ加工装置において、第一発振器および第二発振器に
よる各レーザ光の出射タイミングを制御する制御部を含
ませた構成としてある。したがって、制御部によって各
発振器からのレーザ光の出射タイミングを制御し、保護
膜の除去加工と配線パターンの切断加工が順次行われ
る。
【００１５】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載のレーザ加工装置において、第一発振器および第二
発振器が各レーザ光の照射面と直角な方向に並設されて
いる構成としてある。したがって、各レーザ光による加
工位置が同一位置となり、加工時の各発振器の全移動量
が少なくなる。
記載のレーザ加工装置において、第一発振器および第二
発振器が各レーザ光の照射面と直角な方向に並設されて
いる構成としてある。したがって、各レーザ光による加
工位置が同一位置となり、加工時の各発振器の全移動量
が少なくなる。
【００１６】請求項４記載のレーザ加工方法は、保護膜
によって被覆された配線パターンを有する多層薄膜に対
し、保護膜加工用レーザを照射することにより保護膜を
一部除去する工程と、次に保護膜加工用レーザ光による
照射部に配線パターン加工用レーザ光を照射することに
より配線パターンを加工する工程とを含ませた方法とし
てある。したがって、保護膜加工用レーザを照射するこ
とにより保護膜の一部が除去され、保護膜加工用レーザ
光による照射部に配線パターン加工用レーザ光を照射す
ることにより配線パターンが切断される。
によって被覆された配線パターンを有する多層薄膜に対
し、保護膜加工用レーザを照射することにより保護膜を
一部除去する工程と、次に保護膜加工用レーザ光による
照射部に配線パターン加工用レーザ光を照射することに
より配線パターンを加工する工程とを含ませた方法とし
てある。したがって、保護膜加工用レーザを照射するこ
とにより保護膜の一部が除去され、保護膜加工用レーザ
光による照射部に配線パターン加工用レーザ光を照射す
ることにより配線パターンが切断される。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につき、
図面を参照して説明する。図１は本発明の第一実施形態
に係るレーザ加工装置を示すブロック図である。同図に
おいて、符号１で示すレーザ加工装置は、保護膜加工用
レーザ２と第一加工光学系３と配線パターン加工用レー
ザ４と第二加工光学系５とＸ−Ｙステージ６とステージ
駆動部７と制御部８とを備え、ステージベース９上に設
置されている。
図面を参照して説明する。図１は本発明の第一実施形態
に係るレーザ加工装置を示すブロック図である。同図に
おいて、符号１で示すレーザ加工装置は、保護膜加工用
レーザ２と第一加工光学系３と配線パターン加工用レー
ザ４と第二加工光学系５とＸ−Ｙステージ６とステージ
駆動部７と制御部８とを備え、ステージベース９上に設
置されている。
【００１８】保護膜加工用レーザ（第一発振器）２は、
３００ｎｍ以下の波長をもち多層薄膜２００の保護膜２
００ａ（図２に図示）を除去するためのレーザ光を出射
するレーザからなり、第一加工光学系３の上方に配設さ
れている。例えばＮｄ：ＹＡＧレーザ（波長２６６ｎｍ
の第四高調波）やエキシマレーザ等の紫外線レーザが含
まれる。
３００ｎｍ以下の波長をもち多層薄膜２００の保護膜２
００ａ（図２に図示）を除去するためのレーザ光を出射
するレーザからなり、第一加工光学系３の上方に配設さ
れている。例えばＮｄ：ＹＡＧレーザ（波長２６６ｎｍ
の第四高調波）やエキシマレーザ等の紫外線レーザが含
まれる。
【００１９】第一加工光学系３は、光減衰器１０と可変
開口部１１と対物レンズ１２とを有し、ステージベース
９にフレーム１３を介して配設されている。これによ
り、Ｘ−Ｙステージ６上の多層薄膜２００に対し、保護
膜加工用レーザ２から出射するレーザ光ａが照射され
る。
開口部１１と対物レンズ１２とを有し、ステージベース
９にフレーム１３を介して配設されている。これによ
り、Ｘ−Ｙステージ６上の多層薄膜２００に対し、保護
膜加工用レーザ２から出射するレーザ光ａが照射され
る。
【００２０】配線パターン加工用レーザ４は、３００ｎ
ｍ〜１．１μｍの波長をもち多層薄膜２００の配線パタ
ーン２００ｂ（図２に図示）を加工するためのレーザ光
を出射するレーザ光からなり、保護膜加工用レーザ２の
ステージ移動平面方向（レーザ光照射面方向）に並設さ
れ、かつ第二加工光学系５の上方に配設されている。例
えばＮｄ：ＹＡＧレーザやＮｄ：ＹＬＦレーザが含まれ
る。
ｍ〜１．１μｍの波長をもち多層薄膜２００の配線パタ
ーン２００ｂ（図２に図示）を加工するためのレーザ光
を出射するレーザ光からなり、保護膜加工用レーザ２の
ステージ移動平面方向（レーザ光照射面方向）に並設さ
れ、かつ第二加工光学系５の上方に配設されている。例
えばＮｄ：ＹＡＧレーザやＮｄ：ＹＬＦレーザが含まれ
る。
【００２１】第二加工光学系５は、光減衰器１５と可変
開口部１６と対物レンズ１７とを有し、ステージベース
９にフレーム１３を介して配設されている。これによ
り、Ｘ−Ｙステージ６上の多層薄膜２００に対し、配線
パターン加工用レーザ４から出射するレーザ光ｂが照射
される。
開口部１６と対物レンズ１７とを有し、ステージベース
９にフレーム１３を介して配設されている。これによ
り、Ｘ−Ｙステージ６上の多層薄膜２００に対し、配線
パターン加工用レーザ４から出射するレーザ光ｂが照射
される。
【００２２】Ｘ−Ｙステージ６は、それぞれが互いに直
角な方向に進退可能なステージエレメント６ａ，６ｂを
有し、第一加工光学系３および第二加工光学系５の下方
に配設され、かつステージベース９に設置されている。
これにより、平面Ｘ―Ｙ方向に多層薄膜２００を移動操
作して所定の位置に位置決めする。
角な方向に進退可能なステージエレメント６ａ，６ｂを
有し、第一加工光学系３および第二加工光学系５の下方
に配設され、かつステージベース９に設置されている。
これにより、平面Ｘ―Ｙ方向に多層薄膜２００を移動操
作して所定の位置に位置決めする。
【００２３】ステージ駆動部７は、Ｘ−Ｙステージ６の
ステージエレメント６ａ，６ｂに接続されている。これ
により、Ｘ−Ｙステージ６のステージエレメント６ａ，
６ｂが平面Ｘ―Ｙ方向に駆動する。制御部８は、ステー
ジ駆動部７および両レーザ２，４に接続されている。こ
れにより、各レーザ２，４によるレーザ光ａ，ｂの出射
タイミングが制御される.。
ステージエレメント６ａ，６ｂに接続されている。これ
により、Ｘ−Ｙステージ６のステージエレメント６ａ，
６ｂが平面Ｘ―Ｙ方向に駆動する。制御部８は、ステー
ジ駆動部７および両レーザ２，４に接続されている。こ
れにより、各レーザ２，４によるレーザ光ａ，ｂの出射
タイミングが制御される.。
【００２４】次に、本実施形態に係るレーザ加工方法に
つき、図２を用いて説明する。図２（ａ）〜（ｃ）は本
発明の第一実施形態に係るレーザ加工方法を説明するた
めに示す断面図である。先ず、同図（ａ）に示すように
保護膜２００ａにレーザ光（レーザビーム）ａを照射す
ることにより、保護膜２００ａの一部を除去して同図
（ｂ）に示すように保護膜２００ａに凹部２００Ａを形
成するか、あるいは配線パターン２００ｂに至る貫通孔
（図示せず）を形成する。
つき、図２を用いて説明する。図２（ａ）〜（ｃ）は本
発明の第一実施形態に係るレーザ加工方法を説明するた
めに示す断面図である。先ず、同図（ａ）に示すように
保護膜２００ａにレーザ光（レーザビーム）ａを照射す
ることにより、保護膜２００ａの一部を除去して同図
（ｂ）に示すように保護膜２００ａに凹部２００Ａを形
成するか、あるいは配線パターン２００ｂに至る貫通孔
（図示せず）を形成する。
【００２５】この場合、保護膜２００ａの加工部分がレ
ーザ光ａの照射前の数分の一に低下する（凹部を形成し
た場合）か、あるいはレーザ光ｂによる配線加工時の障
害物が除去される（貫通孔を形成した場合）。
ーザ光ａの照射前の数分の一に低下する（凹部を形成し
た場合）か、あるいはレーザ光ｂによる配線加工時の障
害物が除去される（貫通孔を形成した場合）。
【００２６】次に、同図（ｃ）に示すようにレーザ光ａ
による照射部（加工部）にレーザ光ｂ（レーザビーム）
を照射することにより、配線パターン２００ｂを切断す
る。この場合、レーザ光ｂが保護膜２００ａを介して配
線パターン２００ｂに照射されるか、あるいは配線パタ
ーン２００ｂに直接照射される。
による照射部（加工部）にレーザ光ｂ（レーザビーム）
を照射することにより、配線パターン２００ｂを切断す
る。この場合、レーザ光ｂが保護膜２００ａを介して配
線パターン２００ｂに照射されるか、あるいは配線パタ
ーン２００ｂに直接照射される。
【００２７】なお、本実施形態においては、各レーザ
２，４がステージ移動平面方向に互いに並列する場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されず、図３に
第二実施形態として示すように保護膜加工用レーザ２１
および配線加工用レーザ２２がステージ移動平面（レー
ザ光照射面）と直角な方向に互いに並列する場合でも実
施形態と同様の効果を奏する。同図において、符号２３
および２４は反射ミラーとハーフミラー、２５は共用の
対物レンズである。
２，４がステージ移動平面方向に互いに並列する場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されず、図３に
第二実施形態として示すように保護膜加工用レーザ２１
および配線加工用レーザ２２がステージ移動平面（レー
ザ光照射面）と直角な方向に互いに並列する場合でも実
施形態と同様の効果を奏する。同図において、符号２３
および２４は反射ミラーとハーフミラー、２５は共用の
対物レンズである。
【００２８】この場合、各レーザ光ａ，ｂによる加工位
置が同一位置となり、加工時の全ステージ移動量（各レ
ーザ２１，２２の全移動量）が少なくなる。
置が同一位置となり、加工時の全ステージ移動量（各レ
ーザ２１，２２の全移動量）が少なくなる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ーザ発振器を、保護膜を除去するためのレーザ光を出射
する第一発振器と、配線パターンを加工するためのレー
ザ光を出射する第二発振器とを有するレーザ発振器から
なるので、第一発振器から出射するレーザ光によって保
護膜の一部が除去され、第二発振器から出射するレーザ
光によって配線パターンが切断される。
ーザ発振器を、保護膜を除去するためのレーザ光を出射
する第一発振器と、配線パターンを加工するためのレー
ザ光を出射する第二発振器とを有するレーザ発振器から
なるので、第一発振器から出射するレーザ光によって保
護膜の一部が除去され、第二発振器から出射するレーザ
光によって配線パターンが切断される。
【００３０】したがって、配線加工時の加工エネルギー
を大幅に低減することができるから、良好な加工品質を
得ることができる。
を大幅に低減することができるから、良好な加工品質を
得ることができる。
【図１】本発明の第一実施形態に係るレーザ加工装置を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は同じく本発明の第一実施形態
に係るレーザ加工方法を説明するために示す断面図であ
る。
に係るレーザ加工方法を説明するために示す断面図であ
る。
【図３】本発明の第二実施形態に係るレーザ加工装置を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は従来のレーザ加工方法を
説明するために示す断面図である。
説明するために示す断面図である。
１ レーザ加工装置 ２ 保護膜加工用レーザ ３ 第一加工光学系 ４ 配線パターン加工用レーザ ５ 第二加工光学系 ２００ 多層薄膜 ２００ａ 保護膜 ２００ｂ 配線パターン ａ 保護膜加工用のレーザ光 ｂ 配線パターン加工用のレーザ光
Claims (4)
- 【請求項１】 保護膜によって被覆された配線パターン
を有する多層薄膜に対し、レーザ発振器によってレーザ
光を照射し前記配線パターンを加工するレーザ加工装置
において、 前記レーザ発振器を、前記保護膜を除去するためのレー
ザ光を出射する第一発振器と、前記配線パターンを加工
するためのレーザ光を出射する第二発振器とを有するレ
ーザ発振器からなることを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項２】 前記第一発振器および前記第二発振器に
よる各レーザ光の出射タイミングを制御する制御部を含
ませたことを特徴とする請求項１記載のレーザ加工装
置。 - 【請求項３】 前記第一発振器および前記第二発振器が
各レーザ光の照射面と直角な方向に並設されていること
を特徴とする請求項１または２記載のレーザ加工装置。 - 【請求項４】 保護膜によって被覆された配線パターン
を有する多層薄膜に対し、保護膜加工用レーザを照射す
ることにより前記保護膜を一部除去する工程と、 次に前記保護膜加工用レーザ光による照射部に配線パタ
ーン加工用レーザ光を照射することにより前記配線パタ
ーンを加工する工程とを含ませたことを特徴とするレー
ザ加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9153921A JPH11773A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | レーザ加工装置およびその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9153921A JPH11773A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | レーザ加工装置およびその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11773A true JPH11773A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15573013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9153921A Pending JPH11773A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | レーザ加工装置およびその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11773A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001321978A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-11-20 | Amada Eng Center Co Ltd | レーザ加工方法およびその装置 |
| JP2004526575A (ja) * | 2001-01-31 | 2004-09-02 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 半導体中への微細構造の紫外線レーザアブレーションパターニング方法 |
| JP2005238246A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Towa Corp | 切断装置及び切断方法 |
| US7157038B2 (en) | 2000-09-20 | 2007-01-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors |
| JP2008100285A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-05-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法及びレーザ加工装置 |
| USRE43400E1 (en) | 2000-09-20 | 2012-05-22 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser segmented cutting, multi-step cutting, or both |
| US8372762B2 (en) | 2006-09-21 | 2013-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device and laser processing apparatus |
-
1997
- 1997-06-11 JP JP9153921A patent/JPH11773A/ja active Pending
Cited By (8)
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