JPH11197863A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
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- JPH11197863A JPH11197863A JP10015066A JP1506698A JPH11197863A JP H11197863 A JPH11197863 A JP H11197863A JP 10015066 A JP10015066 A JP 10015066A JP 1506698 A JP1506698 A JP 1506698A JP H11197863 A JPH11197863 A JP H11197863A
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- Japan
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- processing
- machining
- fuse
- oscillation frequency
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヒューズ等の被加工部位が増加しても加工時
間が短縮され、且つ、良好な加工を行うことができるレ
ーザ加工装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光源１から加工レーザを出射して
複数の「被加工部位」としてのヒューズを順次加工する
レーザ加工装置において、前記加工レーザのパルス発振
周波数を５ＫＨｚ以上に設定すると共に、該加工レーザ
のパルス時間幅を、前記パルス発振周波数に応じて、前
記被加工部位を正常に加工可能な値に設定した。
間が短縮され、且つ、良好な加工を行うことができるレ
ーザ加工装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光源１から加工レーザを出射して
複数の「被加工部位」としてのヒューズを順次加工する
レーザ加工装置において、前記加工レーザのパルス発振
周波数を５ＫＨｚ以上に設定すると共に、該加工レーザ
のパルス時間幅を、前記パルス発振周波数に応じて、前
記被加工部位を正常に加工可能な値に設定した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、レーザ光源から
加工レーザを出射して複数の被加工部位を順次加工する
レーザ加工装置、特に、加工速度を向上させることがで
きるレーザ加工装置に関するものである。
加工レーザを出射して複数の被加工部位を順次加工する
レーザ加工装置、特に、加工速度を向上させることがで
きるレーザ加工装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、この種のレーザ加工装置とし
ては、例えば半導体デバイス中のヒューズを加工するも
のがある。
ては、例えば半導体デバイス中のヒューズを加工するも
のがある。
【０００３】半導体デバイスには、ヒューズと呼ばれる
レーザ光切断を予定した配線部分が設けられることがあ
る。例えばＤＲＡＭにおいては、設計・製造時に各メモ
リセル列にヒューズを付設しておくと共に予備のメモリ
セル列を配置しておき、検査時に不良が判明したメモリ
セル列のヒューズを切断することにより、当該セル列を
デバイス中で隔離すると共に、予備のメモリセル列を不
良列のアドレスに指定するためのヒューズを切断するこ
とにより予備列に代替させ、ＤＲＡＭの歩留まり向上を
図っている。また、ゲートアレイにおいては、プログラ
ムリンクと呼ばれる回路中のヒューズの一部を切断し、
一部を選択的に残すことにより、特定のプログラムをデ
バイス中に造り込むことが行われている。前者をレーザ
リペア、後者をレーザトリミングと呼ぶ。
レーザ光切断を予定した配線部分が設けられることがあ
る。例えばＤＲＡＭにおいては、設計・製造時に各メモ
リセル列にヒューズを付設しておくと共に予備のメモリ
セル列を配置しておき、検査時に不良が判明したメモリ
セル列のヒューズを切断することにより、当該セル列を
デバイス中で隔離すると共に、予備のメモリセル列を不
良列のアドレスに指定するためのヒューズを切断するこ
とにより予備列に代替させ、ＤＲＡＭの歩留まり向上を
図っている。また、ゲートアレイにおいては、プログラ
ムリンクと呼ばれる回路中のヒューズの一部を切断し、
一部を選択的に残すことにより、特定のプログラムをデ
バイス中に造り込むことが行われている。前者をレーザ
リペア、後者をレーザトリミングと呼ぶ。
【０００４】このような半導体デバイス中のヒューズ
は、一般的に、ポリシリコンやアルミニウムからなる細
い線（幅０．８〜１．５μｍ、厚０．３〜１．０μｍ、
切断部の長さ３〜１０μｍ）である。このヒューズにＹ
ＡＧレーザ等のレーザ光源からの加工レーザを集光させ
て照射し、ヒューズを構成する物質を光エネルギによっ
て昇温蒸発させて除去することによりヒューズを切断す
る。なお、ヒューズは通常、透明なＳｉＯ2膜（０．２
〜０．５μｍ）の下に形成されている。
は、一般的に、ポリシリコンやアルミニウムからなる細
い線（幅０．８〜１．５μｍ、厚０．３〜１．０μｍ、
切断部の長さ３〜１０μｍ）である。このヒューズにＹ
ＡＧレーザ等のレーザ光源からの加工レーザを集光させ
て照射し、ヒューズを構成する物質を光エネルギによっ
て昇温蒸発させて除去することによりヒューズを切断す
る。なお、ヒューズは通常、透明なＳｉＯ2膜（０．２
〜０．５μｍ）の下に形成されている。
【０００５】切断すべきヒューズの位置データについて
は、不良部分を検査する別装置であるテスターからのデ
ータが、オンライン通信やＦＤなどのメディアを介して
レーザリペア装置に入力される。レーザリペア装置で
は、半導体デバイスをＸーＹテーブル上に載置して位置
決めし、切断すべきヒューズの位置をレーザ光の集光点
に自動的に位置合わせしながらヒューズを順次切断する
ようにしている。
は、不良部分を検査する別装置であるテスターからのデ
ータが、オンライン通信やＦＤなどのメディアを介して
レーザリペア装置に入力される。レーザリペア装置で
は、半導体デバイスをＸーＹテーブル上に載置して位置
決めし、切断すべきヒューズの位置をレーザ光の集光点
に自動的に位置合わせしながらヒューズを順次切断する
ようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
メモリデバイスの高集積化に伴いメモリセル救済用のヒ
ューズ本数は激増しており、ヒューズ本数の増加は加工
時間の増加となり、従って、半導体デバイスの処理時間
が長くなるという問題がある。
メモリデバイスの高集積化に伴いメモリセル救済用のヒ
ューズ本数は激増しており、ヒューズ本数の増加は加工
時間の増加となり、従って、半導体デバイスの処理時間
が長くなるという問題がある。
【０００７】そこで、この発明は、ヒューズ等の被加工
部位が増加しても加工時間を短縮でき、且つ、良好な加
工を行うことができるレーザ加工装置を提供することを
課題としている。
部位が増加しても加工時間を短縮でき、且つ、良好な加
工を行うことができるレーザ加工装置を提供することを
課題としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる課題に着目し、請
求項１に記載された発明は、レーザ光源から加工レーザ
を出射して複数の被加工部位を順次加工するレーザ加工
装置において、前記加工レーザのパルス発振周波数を５
ＫＨｚ以上に設定すると共に、該加工レーザのパルス時
間幅を、前記パルス発振周波数に応じて、前記被加工部
位を正常に加工可能な値に設定したレーザ加工装置とし
たことを特徴とする。
求項１に記載された発明は、レーザ光源から加工レーザ
を出射して複数の被加工部位を順次加工するレーザ加工
装置において、前記加工レーザのパルス発振周波数を５
ＫＨｚ以上に設定すると共に、該加工レーザのパルス時
間幅を、前記パルス発振周波数に応じて、前記被加工部
位を正常に加工可能な値に設定したレーザ加工装置とし
たことを特徴とする。
【０００９】請求項２に記載された発明は、請求項１に
記載の構成に加え、前記被加工部位を正常に加工可能な
値は、１ｎｓｅｃ以上２５ｎｓｅｃ未満であることを特
徴とする。
記載の構成に加え、前記被加工部位を正常に加工可能な
値は、１ｎｓｅｃ以上２５ｎｓｅｃ未満であることを特
徴とする。
【００１０】請求項３に記載された発明は、請求項１又
は２に記載の構成に加え、前記複数の被加工部位が被加
工物上に所定の間隔Ｐで配設されているとき、前記被加
工物を停止させることなく速度Ｖ（但し、Ｖ≧０．２／
Ｐ）で移動して、前記複数の被加工部位にそれぞれ前記
加工レーザを照射することを特徴とする。
は２に記載の構成に加え、前記複数の被加工部位が被加
工物上に所定の間隔Ｐで配設されているとき、前記被加
工物を停止させることなく速度Ｖ（但し、Ｖ≧０．２／
Ｐ）で移動して、前記複数の被加工部位にそれぞれ前記
加工レーザを照射することを特徴とする。
【００１１】請求項４に記載された発明は、請求項１乃
至３の何れか一つに記載の構成に加え、前記被加工部位
は、半導体デバイスのヒューズであることを特徴とす
る。
至３の何れか一つに記載の構成に加え、前記被加工部位
は、半導体デバイスのヒューズであることを特徴とす
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１３】図１乃至図３は、この発明の実施の形態を
示す図である。
示す図である。
【００１４】この実施の形態のレーザ加工装置は、ＹＡ
Ｇレーザ又はＹＬＦレーザ等のレーザ光源１から発振さ
れた加工レーザが、光量可変部２にて所定の光量に設定
され、可変開口絞り３にて所定のビームサイズに可変さ
れ、更に、ダイクロイックミラー４にて反射された後、
対物レンズ５を通して縮小されてステージ７上の「被加
工物」としての半導体デバイス８の「被加工部位」とし
てのヒューズ８ａに照射されて加工が行われるようにな
っている。
Ｇレーザ又はＹＬＦレーザ等のレーザ光源１から発振さ
れた加工レーザが、光量可変部２にて所定の光量に設定
され、可変開口絞り３にて所定のビームサイズに可変さ
れ、更に、ダイクロイックミラー４にて反射された後、
対物レンズ５を通して縮小されてステージ７上の「被加
工物」としての半導体デバイス８の「被加工部位」とし
てのヒューズ８ａに照射されて加工が行われるようにな
っている。
【００１５】また、その半導体デバイス８を保持するス
テージ７は、水平面内で、平行移動可能、又は回転可能
となっており、制御部１０により駆動制御される。ま
た、この制御部１０内の記憶部１０ａには、ヒューズ８
ａに対する最適の加工エネルギ、加工ビームサイズ及
び、ヒューズ８ａの位置座標などの加工情報が記憶され
ている。
テージ７は、水平面内で、平行移動可能、又は回転可能
となっており、制御部１０により駆動制御される。ま
た、この制御部１０内の記憶部１０ａには、ヒューズ８
ａに対する最適の加工エネルギ、加工ビームサイズ及
び、ヒューズ８ａの位置座標などの加工情報が記憶され
ている。
【００１６】さらに、そのステージ７上にはエネルギメ
ータ１１が設けられ、対物レンズ５を介して照射された
加工レーザのエネルギがモニターされて、このエネルギ
メータ１１から信号が制御部１０に送られることによ
り、この制御部１０の記憶部１０ａに記憶されている所
定のエネルギと比較されて、この制御部１０からの信号
により、前記光量可変部２が制御されて、所定のエネル
ギとなるように調整される。また、加工中においては、
レーザ光源１から射出されたレーザビームの一部はダイ
クロイックミラー４を介して光量モニター１３に入射さ
れるようになっており、この光量モニター１３からの信
号が制御部１０に入力されるようになっている。この光
量モニター１３に入射されるレーザ光量は、半導体デバ
イス８に照射される光量よりも小さいため、電気的に増
幅され、半導体デバイス８に照射される光量と一致する
ように校正される。そして、得られた平均エネルギが規
定値以外であれば制御部１０により加工が停止され、再
び、エネルギメータ１１により照射エネルギの設定が行
われ加工が再開されるようになっている。
ータ１１が設けられ、対物レンズ５を介して照射された
加工レーザのエネルギがモニターされて、このエネルギ
メータ１１から信号が制御部１０に送られることによ
り、この制御部１０の記憶部１０ａに記憶されている所
定のエネルギと比較されて、この制御部１０からの信号
により、前記光量可変部２が制御されて、所定のエネル
ギとなるように調整される。また、加工中においては、
レーザ光源１から射出されたレーザビームの一部はダイ
クロイックミラー４を介して光量モニター１３に入射さ
れるようになっており、この光量モニター１３からの信
号が制御部１０に入力されるようになっている。この光
量モニター１３に入射されるレーザ光量は、半導体デバ
イス８に照射される光量よりも小さいため、電気的に増
幅され、半導体デバイス８に照射される光量と一致する
ように校正される。そして、得られた平均エネルギが規
定値以外であれば制御部１０により加工が停止され、再
び、エネルギメータ１１により照射エネルギの設定が行
われ加工が再開されるようになっている。
【００１７】また、前記可変開口絞り３も制御部１０に
より制御されて、加工レーザが半導体デバイス８のヒュ
ーズ８ａに対して所定のビームサイズとなるように作動
される。
より制御されて、加工レーザが半導体デバイス８のヒュ
ーズ８ａに対して所定のビームサイズとなるように作動
される。
【００１８】一方、加工される半導体デバイス８の観察
を行うために以下のような構成が設けられている。すな
わち、まず、観察光を射出する観察光源１５が設けら
れ、この観察光源１５からの観察光が反射ミラー１６に
て反射され、この反射光がダイクロイックミラー４を透
過し、対物レンズ５を通して半導体デバイス８が照射さ
れる。そして、この反射光をＣＣＤカメラ１７に取り込
み、ＴＶモニタ１８上で観察できるようにしている。
を行うために以下のような構成が設けられている。すな
わち、まず、観察光を射出する観察光源１５が設けら
れ、この観察光源１５からの観察光が反射ミラー１６に
て反射され、この反射光がダイクロイックミラー４を透
過し、対物レンズ５を通して半導体デバイス８が照射さ
れる。そして、この反射光をＣＣＤカメラ１７に取り込
み、ＴＶモニタ１８上で観察できるようにしている。
【００１９】かかる装置を用いてヒューズ８ａを加工す
るには、以下に示すように行う。
るには、以下に示すように行う。
【００２０】まず、ヒューズ８ａの座標に従い、加工す
べきヒューズ８ａ（図２中「×」印で示す部分）と加工
レーザとが一致するように制御部１０にてステージ７を
位置決めする。この位置決め終了後、制御部１０からレ
ーザ光源１にトリガー信号を送り、パルスレーザを発振
させて、対物レンズ５等を介して半導体デバイス８に加
工レーザを照射して加工を行う。
べきヒューズ８ａ（図２中「×」印で示す部分）と加工
レーザとが一致するように制御部１０にてステージ７を
位置決めする。この位置決め終了後、制御部１０からレ
ーザ光源１にトリガー信号を送り、パルスレーザを発振
させて、対物レンズ５等を介して半導体デバイス８に加
工レーザを照射して加工を行う。
【００２１】この際には、パルス発振周波数が５ｋＨｚ
以上に設定される一方、このパルス発振周波数に応じ
て、加工レーザのパルス時間幅Ｈ（図３参照）が、ヒュ
ーズ８ａを正常に加工可能な値に設定されている。ここ
での当該値は、１ｎｓｅｃ以上２５ｎｓｅｃ未満に設定
されている。
以上に設定される一方、このパルス発振周波数に応じ
て、加工レーザのパルス時間幅Ｈ（図３参照）が、ヒュ
ーズ８ａを正常に加工可能な値に設定されている。ここ
での当該値は、１ｎｓｅｃ以上２５ｎｓｅｃ未満に設定
されている。
【００２２】また、複数の加工すべきヒューズ８ａが半
導体デバイス８上に所定の間隔Ｐで配設されていると
き、この半導体デバイス８を停止させることなく速度Ｖ
（但し、Ｖ≧０．２／Ｐ）で移動させて、前記複数の加
工すべきヒューズ８ａにそれぞれ前記加工レーザを照射
する。
導体デバイス８上に所定の間隔Ｐで配設されていると
き、この半導体デバイス８を停止させることなく速度Ｖ
（但し、Ｖ≧０．２／Ｐ）で移動させて、前記複数の加
工すべきヒューズ８ａにそれぞれ前記加工レーザを照射
する。
【００２３】このようにパルス発振周波数を５ｋＨｚ以
上に設定することにより、ヒューズ８ａが激増した場合
でも、速度Ｖを従来より速くすることができ、加工時間
を短縮させることができる。
上に設定することにより、ヒューズ８ａが激増した場合
でも、速度Ｖを従来より速くすることができ、加工時間
を短縮させることができる。
【００２４】しかし、レーザ光源１の特性として、発振
周波数が上がり、５ＫＨｚ以上になると加工レーザのエ
ネルギ変動が大きくなる。かかる場合に、パルス時間幅
Ｈが大きく設定されていると、加工が可能な値まで出力
が上昇せず、加工が良好に行えない虞がある。
周波数が上がり、５ＫＨｚ以上になると加工レーザのエ
ネルギ変動が大きくなる。かかる場合に、パルス時間幅
Ｈが大きく設定されていると、加工が可能な値まで出力
が上昇せず、加工が良好に行えない虞がある。
【００２５】この点を加味して、加工レーザのパルス時
間幅Ｈを上記のような値に設定している。これにより、
エネルギマージン（加工可能な出力からダメージが生ず
る出力までのエネルギ範囲）が広く取れるため、出力が
低下（変動）しても加工に影響を及ぼさない。
間幅Ｈを上記のような値に設定している。これにより、
エネルギマージン（加工可能な出力からダメージが生ず
る出力までのエネルギ範囲）が広く取れるため、出力が
低下（変動）しても加工に影響を及ぼさない。
【００２６】なお、上記実施の形態では、「被加工物」
の「被加工部位」として半導体デバイス８のヒューズ８
ａを適用しているが、これに限らず、他のものを加工す
るレーザ加工装置にも、この発明を適用できる。
の「被加工部位」として半導体デバイス８のヒューズ８
ａを適用しているが、これに限らず、他のものを加工す
るレーザ加工装置にも、この発明を適用できる。
【００２７】また、この実施の形態では、パルス時間幅
を１ｎｓｅｃ以上２５ｎｓｅｃ未満に設定したが、これ
に限らず、パルス発振周波数に対応して、被加工部位を
正常に加工可能な値であれば、他の値でも良い。すなわ
ち、パルス発振周波数の値及び被加工部位の種類等に応
じて、被加工部位を正常に加工可能なパルス時間幅の値
の範囲も変動することから、パルス発振周波数の値及び
被加工部位の種類等に対応して適正なパルス時間幅を設
定する必要がある。
を１ｎｓｅｃ以上２５ｎｓｅｃ未満に設定したが、これ
に限らず、パルス発振周波数に対応して、被加工部位を
正常に加工可能な値であれば、他の値でも良い。すなわ
ち、パルス発振周波数の値及び被加工部位の種類等に応
じて、被加工部位を正常に加工可能なパルス時間幅の値
の範囲も変動することから、パルス発振周波数の値及び
被加工部位の種類等に対応して適正なパルス時間幅を設
定する必要がある。
【００２８】
【発明の効果】以上説明してきたように、各請求項に記
載された発明によれば、加工レーザのパルス発振周波数
を５ＫＨｚ以上に設定すると共に、加工レーザのパルス
時間幅を、パルス発振周波数に応じて、前記被加工部位
を正常に加工可能な値に設定したため、ヒューズ等の被
加工部位の数が多い場合でも、従来よりも短時間で、し
かも、正常な加工を行うことができる。
載された発明によれば、加工レーザのパルス発振周波数
を５ＫＨｚ以上に設定すると共に、加工レーザのパルス
時間幅を、パルス発振周波数に応じて、前記被加工部位
を正常に加工可能な値に設定したため、ヒューズ等の被
加工部位の数が多い場合でも、従来よりも短時間で、し
かも、正常な加工を行うことができる。
【図１】この発明の実施の形態に係るレーザ加工装置の
概略図である。
概略図である。
【図２】同実施の形態に係るヒューズを示す説明図であ
る。
る。
【図３】同実施の形態に係る加工レーザの出力の特性曲
線を示すグラフ図である。
線を示すグラフ図である。
１ レーザ光源 ２ 光量可変部 ３ 可変開口絞り ４ ダイクロイックミラー ５ 対物レンズ ７ ステージ ８ 半導体デバイス（被加工物） 8a ヒューズ（被加工部位） 10 制御部 11 エネルギメータ 13 光量モニター 15 観察光源 16 反射ミラー 17 ＣＣＤカメラ 18 ＴＶモニタ Ｈ パルス時間幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｓ 3/10 Ｈ０１Ｌ 21/82 Ｆ
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザ光源から加工レーザを出射して複
数の被加工部位を順次加工するレーザ加工装置におい
て、 前記加工レーザのパルス発振周波数を５ＫＨｚ以上に設
定すると共に、該加工レーザのパルス時間幅を、前記パ
ルス発振周波数に応じて、前記被加工部位を正常に加工
可能な値に設定したことを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項２】 前記被加工部位を正常に加工可能な値
は、１ｎｓｅｃ以上２５ｎｓｅｃ未満であることを特徴
とする請求項１記載のレーザ加工装置。 - 【請求項３】 前記複数の被加工部位が被加工物上に所
定の間隔Ｐで配設されているとき、前記被加工物を停止
させることなく速度Ｖ（但し、Ｖ≧０．２／Ｐ）で移動
して、前記複数の被加工部位にそれぞれ前記加工レーザ
を照射することを特徴とする請求項１又は２記載のレー
ザ加工装置。 - 【請求項４】 前記被加工部位は、半導体デバイスのヒ
ューズであることを特徴とする請求項１乃至３の何れか
一つに記載のレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10015066A JPH11197863A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10015066A JPH11197863A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11197863A true JPH11197863A (ja) | 1999-07-27 |
Family
ID=11878483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10015066A Pending JPH11197863A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11197863A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003518440A (ja) * | 1999-12-28 | 2003-06-10 | ジーエスアイ ルモニクス インコーポレイテッド | 標的材を処理するエネルギー効率に優れたレーザーベースの方法およびシステム |
| JP2003519933A (ja) * | 2000-01-10 | 2003-06-24 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | レーザシステム及び超短パルスのパルスレーザからなるバーストを用いたメモリリンクの加工方法 |
| JP2004532520A (ja) * | 2001-03-29 | 2004-10-21 | ジーエスアイ ルモニックス コーポレイション | デバイスを処理する方法及びシステム、デバイスをモデリングする方法及びシステム、並びにデバイス |
| JPWO2021205789A1 (ja) * | 2020-04-07 | 2021-10-14 |
-
1998
- 1998-01-09 JP JP10015066A patent/JPH11197863A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003518440A (ja) * | 1999-12-28 | 2003-06-10 | ジーエスアイ ルモニクス インコーポレイテッド | 標的材を処理するエネルギー効率に優れたレーザーベースの方法およびシステム |
| JP2003519933A (ja) * | 2000-01-10 | 2003-06-24 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | レーザシステム及び超短パルスのパルスレーザからなるバーストを用いたメモリリンクの加工方法 |
| JP2004532520A (ja) * | 2001-03-29 | 2004-10-21 | ジーエスアイ ルモニックス コーポレイション | デバイスを処理する方法及びシステム、デバイスをモデリングする方法及びシステム、並びにデバイス |
| JPWO2021205789A1 (ja) * | 2020-04-07 | 2021-10-14 | ||
| WO2021205789A1 (ja) * | 2020-04-07 | 2021-10-14 | 株式会社アマダウエルドテック | レーザ加工モニタ装置、レーザ加工モニタ方法、およびレーザ加工装置 |
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