JPH10296468A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
- Publication number
- JPH10296468A JPH10296468A JP9120134A JP12013497A JPH10296468A JP H10296468 A JPH10296468 A JP H10296468A JP 9120134 A JP9120134 A JP 9120134A JP 12013497 A JP12013497 A JP 12013497A JP H10296468 A JPH10296468 A JP H10296468A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- laser beam
- workpiece
- head
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被加工物の材質、形状、又は加工形状などに
対応して、最適なレーザビームを選択することができる
レーザ加工装置を提供する。 【解決手段】 本発明のレーザ加工装置は、波長やパル
ス時間幅の異なる複数のレーザ光１′を出射することの
できる加工レーザ光源１、及び、レーザ光１′を被加工
物７に集光する照射光学系を有する。さらに、被加工物
の種類を入力する入力部２２と、被加工物の種類に応じ
た最適のレーザ光波長等を予め記憶している記憶部２１
を含む制御部９を備える。
対応して、最適なレーザビームを選択することができる
レーザ加工装置を提供する。 【解決手段】 本発明のレーザ加工装置は、波長やパル
ス時間幅の異なる複数のレーザ光１′を出射することの
できる加工レーザ光源１、及び、レーザ光１′を被加工
物７に集光する照射光学系を有する。さらに、被加工物
の種類を入力する入力部２２と、被加工物の種類に応じ
た最適のレーザ光波長等を予め記憶している記憶部２１
を含む制御部９を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を被加工
物に集光させて除去加工するレーザ加工装置に関する。
特には、半導体デバイスの製造プロセス等において被加
工物の特性に応じて最適な条件で微細加工を行うことの
できるレーザ加工装置に関する。
物に集光させて除去加工するレーザ加工装置に関する。
特には、半導体デバイスの製造プロセス等において被加
工物の特性に応じて最適な条件で微細加工を行うことの
できるレーザ加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスにおけるヒューズ加工を
例にとって説明する。半導体デバイスにおいては、ヒュ
ーズと呼ばれるレーザ光切断を予定した冗長回路が設け
られることがある。例えばＤＲＡＭにおいては、設計・
製造時に各メモリセルにヒューズを付設しておくととも
に予備のメモリセルを配置しておき、検査時に不良が判
明したメモリセルのヒューズを切断することによりデバ
イス中で隔離するとともに、予備のメモリセルのヒュー
ズを選択的に残すことにより不良メモリセルを代替さ
せ、ＤＲＡＭの歩留り向上を図っている。また、ゲート
アレイにおいては、プログラムリンクと呼ばれる回路中
のヒューズを切断して一部を選択的に残すことにより、
特定のプログラムをデバイス中に造り込むことが行われ
ている。前者をレーザリペア、後者をレーザトリミング
と呼ぶ。
例にとって説明する。半導体デバイスにおいては、ヒュ
ーズと呼ばれるレーザ光切断を予定した冗長回路が設け
られることがある。例えばＤＲＡＭにおいては、設計・
製造時に各メモリセルにヒューズを付設しておくととも
に予備のメモリセルを配置しておき、検査時に不良が判
明したメモリセルのヒューズを切断することによりデバ
イス中で隔離するとともに、予備のメモリセルのヒュー
ズを選択的に残すことにより不良メモリセルを代替さ
せ、ＤＲＡＭの歩留り向上を図っている。また、ゲート
アレイにおいては、プログラムリンクと呼ばれる回路中
のヒューズを切断して一部を選択的に残すことにより、
特定のプログラムをデバイス中に造り込むことが行われ
ている。前者をレーザリペア、後者をレーザトリミング
と呼ぶ。
【０００３】このような半導体デバイス中のヒューズ
は、一般的に、ポリシリコンやアルミニウムからなる細
い線（幅０．８〜１．５μm 、厚０．３〜１．０μm 、
切断部長さ３〜１０μm ）である。このヒューズにＹＡ
Ｇレーザ等の加工レーザ光源からのレーザ光を集光させ
て照射し、ヒューズを構成する物質を光エネルギによっ
て昇温蒸発させて除去することによりヒューズを切断す
る。切断すべきヒューズの位置は、半導体デバイスある
いはデバイスを作り込んであるウェハ上で明確化されて
おり、その位置情報は、あらかじめレーザリペア装置に
入力される。レーザリペア装置では、ウェハをＸ−Ｙテ
ーブル上に載置して位置決めし、切断すべきヒューズの
位置を自動的に位置合わせしながらヒューズを順次切断
する。
は、一般的に、ポリシリコンやアルミニウムからなる細
い線（幅０．８〜１．５μm 、厚０．３〜１．０μm 、
切断部長さ３〜１０μm ）である。このヒューズにＹＡ
Ｇレーザ等の加工レーザ光源からのレーザ光を集光させ
て照射し、ヒューズを構成する物質を光エネルギによっ
て昇温蒸発させて除去することによりヒューズを切断す
る。切断すべきヒューズの位置は、半導体デバイスある
いはデバイスを作り込んであるウェハ上で明確化されて
おり、その位置情報は、あらかじめレーザリペア装置に
入力される。レーザリペア装置では、ウェハをＸ−Ｙテ
ーブル上に載置して位置決めし、切断すべきヒューズの
位置を自動的に位置合わせしながらヒューズを順次切断
する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来この種の装置で
は、被加工物に照射される加工レーザの波長やパルス時
間幅は一定であった。そのため例えば、パルス時間幅の
長いレーザビームを放出するレーザ加工装置を用いて微
細な加工を行う場合、１パルスあたりの照射時間が長い
ため、熱的な拡散が広範囲に及び、加工部分周辺に影響
を与えてしまう。逆に、パルス時間幅の短いレーザビー
ムを放出するレーザ加工装置を用いて加工を行う場合に
は、ピークパワーが大きくなるため、照射時の衝撃が大
きく、加工部周辺に影響を与える場合がある。
は、被加工物に照射される加工レーザの波長やパルス時
間幅は一定であった。そのため例えば、パルス時間幅の
長いレーザビームを放出するレーザ加工装置を用いて微
細な加工を行う場合、１パルスあたりの照射時間が長い
ため、熱的な拡散が広範囲に及び、加工部分周辺に影響
を与えてしまう。逆に、パルス時間幅の短いレーザビー
ムを放出するレーザ加工装置を用いて加工を行う場合に
は、ピークパワーが大きくなるため、照射時の衝撃が大
きく、加工部周辺に影響を与える場合がある。
【０００５】このように、従来のレーザ加工装置におい
ては、被加工物の材質、形状、又は加工形状などによっ
ては、加工処理に最適なレーザビームを得ることができ
ないとの問題点があった。本発明は、このような問題点
に鑑みてなされたものであり、被加工物の材質、形状、
又は加工形状などに対応して、最適なレーザビームを選
択することができるレーザ加工装置を提供することを目
的とする。
ては、被加工物の材質、形状、又は加工形状などによっ
ては、加工処理に最適なレーザビームを得ることができ
ないとの問題点があった。本発明は、このような問題点
に鑑みてなされたものであり、被加工物の材質、形状、
又は加工形状などに対応して、最適なレーザビームを選
択することができるレーザ加工装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のレーザ加工装置は、レーザ光を被加工物に
照射して加工を行うレーザ加工装置であって； 波長及
び／又はパルス時間幅の異なる複数のレーザ光を出射す
ることのできる加工レーザ光源と、 加工レーザ光源か
ら出射されたレーザ光を被加工物に集光する照射光学系
と、 被加工物の種類を入力する入力部と、 被加工物
の種類に応じた最適のレーザ光波長及び／又はパルス時
間幅を予め記憶している記憶部を含み、被加工物の特性
に応じて最適なレーザ光波長及び／又はパルス時間幅を
選択して加工レーザ光源を制御する制御部と、 を具備
することを特徴とする。本発明においては加工レーザの
波長及びパルス時間幅を自動的に選択して使用できるた
め、様々な被加工物に対して適正な加工が自動的に行え
る。
め、本発明のレーザ加工装置は、レーザ光を被加工物に
照射して加工を行うレーザ加工装置であって； 波長及
び／又はパルス時間幅の異なる複数のレーザ光を出射す
ることのできる加工レーザ光源と、 加工レーザ光源か
ら出射されたレーザ光を被加工物に集光する照射光学系
と、 被加工物の種類を入力する入力部と、 被加工物
の種類に応じた最適のレーザ光波長及び／又はパルス時
間幅を予め記憶している記憶部を含み、被加工物の特性
に応じて最適なレーザ光波長及び／又はパルス時間幅を
選択して加工レーザ光源を制御する制御部と、 を具備
することを特徴とする。本発明においては加工レーザの
波長及びパルス時間幅を自動的に選択して使用できるた
め、様々な被加工物に対して適正な加工が自動的に行え
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明す
る。図１は、本発明の１実施例に係るレーザ加工装置の
構成を示すブロック図である。図１のレーザ加工装置
は、加工レーザ光源１、可変アパーチャ３、対物レンズ
６等からなる加工レーザ照射光学系と観察光源１０、対
物レンズ６、ＣＣＤカメラ１２等からなる観察光学系と
を有する。加工レーザ光源１は、ＹＡＧレーザ等のレー
ザ光源であり、後述する具体的構造により、波長又はパ
ルス時間幅を変えることができる。
る。図１は、本発明の１実施例に係るレーザ加工装置の
構成を示すブロック図である。図１のレーザ加工装置
は、加工レーザ光源１、可変アパーチャ３、対物レンズ
６等からなる加工レーザ照射光学系と観察光源１０、対
物レンズ６、ＣＣＤカメラ１２等からなる観察光学系と
を有する。加工レーザ光源１は、ＹＡＧレーザ等のレー
ザ光源であり、後述する具体的構造により、波長又はパ
ルス時間幅を変えることができる。
【０００８】加工レーザ光源１から出射されたレーザ光
１′は光量可変部２に入射する。光量可変部２には、透
過率の異なる複数のＮＤフィルタが装備されており、こ
れらのフィルタを選択的に光路に介在させることにより
レーザ光量が調整される。光量可変部２を出たレーザ光
は、可変アパーチャ３に入射し、同アパーチャ３で断面
形状を整形される。光量可変部２及び可変アパーチャ３
は、いずれも制御部９にコントロールされる。
１′は光量可変部２に入射する。光量可変部２には、透
過率の異なる複数のＮＤフィルタが装備されており、こ
れらのフィルタを選択的に光路に介在させることにより
レーザ光量が調整される。光量可変部２を出たレーザ光
は、可変アパーチャ３に入射し、同アパーチャ３で断面
形状を整形される。光量可変部２及び可変アパーチャ３
は、いずれも制御部９にコントロールされる。
【０００９】可変アパーチャ３を出たレーザ光は、加工
光学系と観察光学系の光軸の交点に配置されているダイ
クロイックミラー４に当って大部分が下方に反射され
る。ダイクロイックミラー４から反射したレーザ光は、
対物レンズ６に入射し、同レンズ６によって被加工物
（ウェハ）７上の加工点に集光される。ダイクロイック
ミラー４を通過した一部のレーザ光は、光量モニタ５′
に入射する。光量モニタ５′は、所定の数のパルスの平
均ピーク値を用いて、被加工物８に照射されるレーザビ
ームのエネルギを、ダイクロイックミラー４を透過した
レーザビームから算出し、算出結果を制御部９に供給す
る。
光学系と観察光学系の光軸の交点に配置されているダイ
クロイックミラー４に当って大部分が下方に反射され
る。ダイクロイックミラー４から反射したレーザ光は、
対物レンズ６に入射し、同レンズ６によって被加工物
（ウェハ）７上の加工点に集光される。ダイクロイック
ミラー４を通過した一部のレーザ光は、光量モニタ５′
に入射する。光量モニタ５′は、所定の数のパルスの平
均ピーク値を用いて、被加工物８に照射されるレーザビ
ームのエネルギを、ダイクロイックミラー４を透過した
レーザビームから算出し、算出結果を制御部９に供給す
る。
【００１０】被加工物であるウェハ７は、ステージ８上
に載置されている。ステージ８は、制御部９によって、
光軸方向（Ｚ方向）及び光軸直角面内（Ｘ、Ｙ、θ方
向）において走査される。
に載置されている。ステージ８は、制御部９によって、
光軸方向（Ｚ方向）及び光軸直角面内（Ｘ、Ｙ、θ方
向）において走査される。
【００１１】ステージ８の端部には光量モニタ５が置か
れている。照射エネルギの設定は以下のように行う。ま
ずステージ８上のエネルギメータ５でエネルギがモニタ
され、制御部９は記憶部２１で記憶されている被加工物
７の所定のエネルギになるように光量可変部２を調整し
照射エネルギの設定が行われる。また、加工中のエネル
ギはエネルギメータ５′でモニタされ、制御部９でエネ
ルギ安定性等が測定される。
れている。照射エネルギの設定は以下のように行う。ま
ずステージ８上のエネルギメータ５でエネルギがモニタ
され、制御部９は記憶部２１で記憶されている被加工物
７の所定のエネルギになるように光量可変部２を調整し
照射エネルギの設定が行われる。また、加工中のエネル
ギはエネルギメータ５′でモニタされ、制御部９でエネ
ルギ安定性等が測定される。
【００１２】次に、図１のレーザ加工装置における観察
光学系について説明する。このレーザ加工装置は、ハロ
ゲンランプ等の観察光源１０を備える。同光源１０から
出射された観察光１０′は、ハーフミラー１１に当って
下方に反射され、前述のダイクロイックミラー４及び対
物レンズ６を通って被加工物７を照明する。被加工物７
から反射した観察光は、対物レンズ６、ダイクロイック
ミラー４、ハーフミラー１１を通過してＣＣＤカメラ１
２の光電変換面に被加工物表面の像を結像する。被加工
物表面の像はＴＶモニタ１３に表示されるとともに、図
示せぬ画像処理装置で処理されてアライメント等の用に
供される。
光学系について説明する。このレーザ加工装置は、ハロ
ゲンランプ等の観察光源１０を備える。同光源１０から
出射された観察光１０′は、ハーフミラー１１に当って
下方に反射され、前述のダイクロイックミラー４及び対
物レンズ６を通って被加工物７を照明する。被加工物７
から反射した観察光は、対物レンズ６、ダイクロイック
ミラー４、ハーフミラー１１を通過してＣＣＤカメラ１
２の光電変換面に被加工物表面の像を結像する。被加工
物表面の像はＴＶモニタ１３に表示されるとともに、図
示せぬ画像処理装置で処理されてアライメント等の用に
供される。
【００１３】制御部９は、図１のレーザ加工装置の各部
をコントロールする。制御部９中の記憶部２１には、被
加工物（あるいは被加工部分）の種類・特性に応じたレ
ーザ加工条件が記憶されている。記憶されているレーザ
加工条件の一例を以下に挙げる。
をコントロールする。制御部９中の記憶部２１には、被
加工物（あるいは被加工部分）の種類・特性に応じたレ
ーザ加工条件が記憶されている。記憶されているレーザ
加工条件の一例を以下に挙げる。
【００１４】条件例（１） ヒューズ材質：ポリシリコン ヒューズ寸法：幅１．０μm 、厚０．５μm レーザ条件：波長１，０６４nm、パルス時間幅ショート レーザビームサイズ：４．０μm レーザエネルギー：０．５０μJ
【００１５】条件例（２） ヒューズ材質：アルミニウム ヒューズ寸法：幅０．８μm 、厚０．３μm レーザ条件：波長５３２nm、パルス時間幅ショート レーザビームサイズ：３．５μm レーザエネルギー：０．７０μJ
【００１６】なお、ヒューズ切断用のレーザ加工装置の
場合、通常、ヒューズの材質・寸法は各半導体デバイス
によって１つに決まっているので、各半導体デバイスの
識別符号に対応させて加工レーザの条件が記憶される。
場合、通常、ヒューズの材質・寸法は各半導体デバイス
によって１つに決まっているので、各半導体デバイスの
識別符号に対応させて加工レーザの条件が記憶される。
【００１７】制御部９には入力部２２が付設されてい
る。この入力部２２は、キーボードや半導体デバイスの
識別符号の自動読み取り装置等である。後者の場合、入
力部２２で読み込まれた半導体デバイスの種類に応じ
て、ヒューズの最適レーザ加工条件が記憶部から読み出
される。
る。この入力部２２は、キーボードや半導体デバイスの
識別符号の自動読み取り装置等である。後者の場合、入
力部２２で読み込まれた半導体デバイスの種類に応じ
て、ヒューズの最適レーザ加工条件が記憶部から読み出
される。
【００１８】図２は、加工レーザ光源の自動選択機構の
具体例を示すブロック図である。この加工レーザ光源１
は、１つの電源１４と、この電源１４に、レーザヘッド
切換え部１５を介して接続された、パルス時間幅の異な
る２つのレーザヘッドＡ１６及びレーザヘッドＢ１７を
有する。また、ヘッドＡ及びヘッドＢの出射軸上に配置
されている全反射ミラー１８及び１９を有する。
具体例を示すブロック図である。この加工レーザ光源１
は、１つの電源１４と、この電源１４に、レーザヘッド
切換え部１５を介して接続された、パルス時間幅の異な
る２つのレーザヘッドＡ１６及びレーザヘッドＢ１７を
有する。また、ヘッドＡ及びヘッドＢの出射軸上に配置
されている全反射ミラー１８及び１９を有する。
【００１９】図２（Ａ）の状態では、レーザヘッド切換
え部１５に制御部からヘッドＡを選択する信号が送られ
ており、ヘッドＡ１６に励起電力が供給されている。レ
ーザヘッドＡ１６から出射したレーザ光１６′は、全反
射ミラー１８で下方に反射し、ミラー１９で右方に反射
して出射される。図２（Ｂ）の状態では、レーザヘッド
切換え部１５に制御部からヘッドＢを選択する信号が送
られており、ヘッドＢ１７に励起電力が供給されてい
る。レーザヘッドＢ１７から出射したレーザ光１７′
は、そのまま右方向に出射される。この際、ミラー１９
は、レーザ光１７′の光路から外れた位置に移動してい
る。
え部１５に制御部からヘッドＡを選択する信号が送られ
ており、ヘッドＡ１６に励起電力が供給されている。レ
ーザヘッドＡ１６から出射したレーザ光１６′は、全反
射ミラー１８で下方に反射し、ミラー１９で右方に反射
して出射される。図２（Ｂ）の状態では、レーザヘッド
切換え部１５に制御部からヘッドＢを選択する信号が送
られており、ヘッドＢ１７に励起電力が供給されてい
る。レーザヘッドＢ１７から出射したレーザ光１７′
は、そのまま右方向に出射される。この際、ミラー１９
は、レーザ光１７′の光路から外れた位置に移動してい
る。
【００２０】一方、レーザ光波長の切り換えは、上記同
様の複数レーザヘッドを有する光源や高調波を発生させ
るための結晶素子ユニットの出し入れにより行うことが
できる。
様の複数レーザヘッドを有する光源や高調波を発生させ
るための結晶素子ユニットの出し入れにより行うことが
できる。
【００２１】図１の実施例のレーザ加工装置における加
工条件選択についてまとめて説明する。まず被加工物で
ある半導体デバイスの識別符号が入力部２２から記憶部
２１に入力される。制御部９は、この入力された識別符
号に対応する加工条件を記憶部２１から読み出す。そし
て、レーザ光の波長、パルス時間幅については加工レー
ザ光源１を制御して最適の条件のレーザ光を選択する。
光量やビーム形状については、光量可変部２や可変アパ
ーチャ３を制御して最適の条件を選択する。これによ
り、各半導体デバイスのヒューズ材質・寸法に応じた最
適の加工条件を選択できる。
工条件選択についてまとめて説明する。まず被加工物で
ある半導体デバイスの識別符号が入力部２２から記憶部
２１に入力される。制御部９は、この入力された識別符
号に対応する加工条件を記憶部２１から読み出す。そし
て、レーザ光の波長、パルス時間幅については加工レー
ザ光源１を制御して最適の条件のレーザ光を選択する。
光量やビーム形状については、光量可変部２や可変アパ
ーチャ３を制御して最適の条件を選択する。これによ
り、各半導体デバイスのヒューズ材質・寸法に応じた最
適の加工条件を選択できる。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、被加工物の材質、形状、又は加工形状などに
対応して最適な条件で微細加工を行うことのできるレー
ザ加工装置を提供することができる。
によれば、被加工物の材質、形状、又は加工形状などに
対応して最適な条件で微細加工を行うことのできるレー
ザ加工装置を提供することができる。
【図１】本発明の１実施例に係るレーザ加工装置の構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図２】加工レーザ光源の自動選択機構の具体例を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
１ 波長又はパルス時間幅可変加工レーザ光源 １′ 加工レーザ光 ２ 光量可変部 ３ 可変アパーチャ ４ ダイクロイッ
クミラー ５、５′ 光量モニタ ６ 対物レンズ ７ 被加工物 ８ ステージ ９ 制御部 １０ 観察光源 １０′ 観察光 １１ 反射ミラー １２ ＣＣＤカメ
ラ １３ ＴＶモニタ １４ レーザ電源 １５ レーザヘッド切換え部 １６ レーザヘッ
ドＡ １６′ レーザ光Ａ １７ レーザヘッ
ドＢ １７′ レーザ光Ｂ １８ 全反射ミラ
ー １９ 可動全反射ミラー
クミラー ５、５′ 光量モニタ ６ 対物レンズ ７ 被加工物 ８ ステージ ９ 制御部 １０ 観察光源 １０′ 観察光 １１ 反射ミラー １２ ＣＣＤカメ
ラ １３ ＴＶモニタ １４ レーザ電源 １５ レーザヘッド切換え部 １６ レーザヘッ
ドＡ １６′ レーザ光Ａ １７ レーザヘッ
ドＢ １７′ レーザ光Ｂ １８ 全反射ミラ
ー １９ 可動全反射ミラー
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザ光を被加工物に照射して加工を行
うレーザ加工装置であって；波長及び／又はパルス時間
幅の異なる複数のレーザ光を出射することのできる加工
レーザ光源と、 加工レーザ光源から出射されたレーザ光を被加工物に集
光する照射光学系と、 被加工物の種類を入力する入力部と、 被加工物の種類に応じた最適のレーザ光波長及び／又は
パルス時間幅を予め記憶している記憶部を含み、被加工
物の特性に応じて最適なレーザ光波長及び／又はパルス
時間幅を選択して加工レーザ光源を制御する制御部と、 を具備することを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項２】 上記被加工物が半導体デバイスにおける
ヒューズであり、 上記被加工物の種類が上記半導体デバイスの識別符号と
して上記入力部に入力されることを特徴とする請求項１
記載のレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9120134A JPH10296468A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9120134A JPH10296468A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10296468A true JPH10296468A (ja) | 1998-11-10 |
Family
ID=14778816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9120134A Pending JPH10296468A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10296468A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002076668A1 (en) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser machining apparatus |
| WO2006024585A1 (de) * | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Hitachi Via Mechanics, Ltd. | Laserlichtquelle, verfahren zum bearbeiten von werkstücken mittels gepulster laserstrahlung |
| JP2011258796A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Ricoh Co Ltd | レーザ駆動装置、光走査装置並びに画像形成装置 |
| JP2015013297A (ja) * | 2013-07-04 | 2015-01-22 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工機および、レーザ加工機の調整方法 |
| WO2022209930A1 (ja) * | 2021-04-02 | 2022-10-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ加工ヘッド及びこれを備えたレーザ加工システム |
-
1997
- 1997-04-24 JP JP9120134A patent/JPH10296468A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002076668A1 (en) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser machining apparatus |
| US6804035B2 (en) | 2001-03-23 | 2004-10-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser machining apparatus |
| WO2006024585A1 (de) * | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Hitachi Via Mechanics, Ltd. | Laserlichtquelle, verfahren zum bearbeiten von werkstücken mittels gepulster laserstrahlung |
| JP2011258796A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Ricoh Co Ltd | レーザ駆動装置、光走査装置並びに画像形成装置 |
| JP2015013297A (ja) * | 2013-07-04 | 2015-01-22 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工機および、レーザ加工機の調整方法 |
| WO2022209930A1 (ja) * | 2021-04-02 | 2022-10-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ加工ヘッド及びこれを備えたレーザ加工システム |
| JPWO2022209930A1 (ja) * | 2021-04-02 | 2022-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5033296B2 (ja) | Ｉｃヒューズ切断用シングルパルスのためのｕｖレーザシステムおよびその方法 | |
| KR101212936B1 (ko) | 레이저 가공 방법, 레이저 가공 장치 및 그 제조 방법 | |
| US7358157B2 (en) | Method and system for high-speed precise laser trimming, scan lens system for use therein and electrical device produced thereby | |
| JP5670647B2 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
| JPH08195357A (ja) | レーザー照射装置 | |
| JP2001096386A (ja) | レーザーの焦点位置を決定するための方法および装置 | |
| JPH10328873A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP2000233291A (ja) | レーザー加工装置および方法 | |
| JPH10305384A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH10296468A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH10189496A (ja) | ウェーハ切断方法およびその装置 | |
| JP4112745B2 (ja) | レーザーラインパターンニング方法 | |
| JPH11245060A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH1119786A (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工装置用制御プログラムを記憶した媒体 | |
| JPH11104871A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP2785666B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
| JPH07124764A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH1190659A (ja) | レーザリペア装置 | |
| JP2004306101A (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
| JPH115185A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH10328872A (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
| KR20080010380A (ko) | 고속의 정확한 레이저 트리밍을 위한 장치와 방법, 그에사용하는 렌즈 및 그에 의해 산출된 전기 장치 | |
| JPH11197863A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH106049A (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
| JP2912167B2 (ja) | レーザリダンダンシー装置 |