JPH11245073A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
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- JPH11245073A JPH11245073A JP10067657A JP6765798A JPH11245073A JP H11245073 A JPH11245073 A JP H11245073A JP 10067657 A JP10067657 A JP 10067657A JP 6765798 A JP6765798 A JP 6765798A JP H11245073 A JPH11245073 A JP H11245073A
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- Japan
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- laser
- processing
- stage
- laser beams
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 今後の高集積化に対応するように、ヒューズ
等の被加工部位が激増した場合でも、処理能力を上げる
ことができるレーザ加工装置を提供する。 【解決手段】 ステージ１１上に載置された「被加工
物」としての半導体デバイス１０に複数のレーザビーム
１８Ａ，１８Ｂを照射して被加工部位の加工を行うレー
ザ加工装置において、前記被加工部位は、ある間隔を隔
てて平行な複数の線上に配置され、前記各レーザビーム
１８Ａ，１８Ｂは、前記複数の異なる線上を独立に制御
されて発振するように設定された。
等の被加工部位が激増した場合でも、処理能力を上げる
ことができるレーザ加工装置を提供する。 【解決手段】 ステージ１１上に載置された「被加工
物」としての半導体デバイス１０に複数のレーザビーム
１８Ａ，１８Ｂを照射して被加工部位の加工を行うレー
ザ加工装置において、前記被加工部位は、ある間隔を隔
てて平行な複数の線上に配置され、前記各レーザビーム
１８Ａ，１８Ｂは、前記複数の異なる線上を独立に制御
されて発振するように設定された。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ステージ上に載
置された被加工物に複数のレーザビームを照射して被加
工部位の加工を行うレーザ加工装置、特に、処理能力を
向上させることができるレーザ加工装置に関するもので
ある。
置された被加工物に複数のレーザビームを照射して被加
工部位の加工を行うレーザ加工装置、特に、処理能力を
向上させることができるレーザ加工装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来から、この種のレーザ加工装置とし
ては、例えば半導体デバイスのヒューズを切断するため
のレーザリペア装置がある。
ては、例えば半導体デバイスのヒューズを切断するため
のレーザリペア装置がある。
【０００３】このレーザリペア装置は、ＤＲＡＭなどの
半導体デバイス上に形成されたメモリセル内の不良部分
を救済するため、冗長回路との切り替えヒューズを切断
することによりチップを救済し、歩留まりを上げる装置
である。
半導体デバイス上に形成されたメモリセル内の不良部分
を救済するため、冗長回路との切り替えヒューズを切断
することによりチップを救済し、歩留まりを上げる装置
である。
【０００４】その切断すべきヒューズデータは、不良部
分を検査する別装置であるテスターからのデータとして
オンライン通信やＦＤなどのメディアを介してレーザリ
ペア装置に入力される。
分を検査する別装置であるテスターからのデータとして
オンライン通信やＦＤなどのメディアを介してレーザリ
ペア装置に入力される。
【０００５】図７に示すように、半導体デバイス１上に
は、切断すべきヒューズが存在するチップ２（図中斜線
で示す）と、切断すべきヒューズが存在しないチップ３
（図中白抜きで示す）とがランダムに配置されている。
なお、切断すべきヒューズ本数は半導体デバイス１によ
り異なるが、約数十本から数百本程度である。
は、切断すべきヒューズが存在するチップ２（図中斜線
で示す）と、切断すべきヒューズが存在しないチップ３
（図中白抜きで示す）とがランダムに配置されている。
なお、切断すべきヒューズ本数は半導体デバイス１によ
り異なるが、約数十本から数百本程度である。
【０００６】各チップ２毎にヒューズの並びは同じであ
るが、切断すべきヒューズは各々のチップ２毎に異な
る。すなわち、切断すべきヒューズが存在する斜線を施
したチップ２の模式的な拡大図を図８の（ａ），（ｂ）
に示すと、各チップ２，２のヒューズ２ａ…の配置自体
は、両図とも同じであるが、切断すべきヒューズ２ａを
×印で示すと、各チップ２，２毎に切断すべきヒューズ
２ａの位置は異なる。
るが、切断すべきヒューズは各々のチップ２毎に異な
る。すなわち、切断すべきヒューズが存在する斜線を施
したチップ２の模式的な拡大図を図８の（ａ），（ｂ）
に示すと、各チップ２，２のヒューズ２ａ…の配置自体
は、両図とも同じであるが、切断すべきヒューズ２ａを
×印で示すと、各チップ２，２毎に切断すべきヒューズ
２ａの位置は異なる。
【０００７】そして、従来では、この種のレーザリペア
装置はチップ２間を図７中に示す矢印のような経路で、
レーザビームを半導体デバイス１に対して相対移動さ
せ、各チップ２内で図８の矢印に示すように切断すべき
ヒューズ２ａを順次切断して行く。
装置はチップ２間を図７中に示す矢印のような経路で、
レーザビームを半導体デバイス１に対して相対移動さ
せ、各チップ２内で図８の矢印に示すように切断すべき
ヒューズ２ａを順次切断して行く。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
メモリの高集積化に伴い、メモリセル救済用のヒューズ
２ａの本数は激増し、加工すべきヒューズ２ａの本数も
膨大となってきている。ところが、加工に必要なエネル
ギを維持しながらレーザビームの繰り返し周波数を上げ
ることには限界があるため、ヒューズ２ａ間の移動速度
をレーザビームの繰り返し周波数以上に上げることが困
難であることから、処理能力にも自ずと限界がある。
メモリの高集積化に伴い、メモリセル救済用のヒューズ
２ａの本数は激増し、加工すべきヒューズ２ａの本数も
膨大となってきている。ところが、加工に必要なエネル
ギを維持しながらレーザビームの繰り返し周波数を上げ
ることには限界があるため、ヒューズ２ａ間の移動速度
をレーザビームの繰り返し周波数以上に上げることが困
難であることから、処理能力にも自ずと限界がある。
【０００９】そこで、本発明では、今後の高集積化に対
応するように、ヒューズ等の被加工部位が激増した場合
でも、処理能力を上げることができるレーザ加工装置を
提供することを課題としている。
応するように、ヒューズ等の被加工部位が激増した場合
でも、処理能力を上げることができるレーザ加工装置を
提供することを課題としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる課題に着目し、請
求項１に記載された発明は、ステージ上に載置された被
加工物に複数のレーザビームを照射して被加工部位の加
工を行うレーザ加工装置において、前記被加工部位は、
ある間隔を隔てて平行な複数の線上に配置され、前記各
レーザビームは、前記複数の異なる線上を独立に制御さ
れて発振するように設定されたレーザ加工装置としたこ
とを特徴とする。
求項１に記載された発明は、ステージ上に載置された被
加工物に複数のレーザビームを照射して被加工部位の加
工を行うレーザ加工装置において、前記被加工部位は、
ある間隔を隔てて平行な複数の線上に配置され、前記各
レーザビームは、前記複数の異なる線上を独立に制御さ
れて発振するように設定されたレーザ加工装置としたこ
とを特徴とする。
【００１１】請求項２に記載された発明は、請求項１に
記載の構成に加え、前記各レーザビームは、前記複数の
線に直交する方向の間隔が間隔調整手段により調整可能
とされたことを特徴とする。
記載の構成に加え、前記各レーザビームは、前記複数の
線に直交する方向の間隔が間隔調整手段により調整可能
とされたことを特徴とする。
【００１２】請求項３に記載された発明は、請求項１又
は２に記載の構成に加え、前記被加工部位が配置された
平行な複数の線の各線毎に、対物レンズが独立して制御
されて、当該線にほぼ沿って移動可能に配置される一
方、前記ステージは、前記対物レンズの移動方向と直交
する面内で移動可能としたことを特徴とする。
は２に記載の構成に加え、前記被加工部位が配置された
平行な複数の線の各線毎に、対物レンズが独立して制御
されて、当該線にほぼ沿って移動可能に配置される一
方、前記ステージは、前記対物レンズの移動方向と直交
する面内で移動可能としたことを特徴とする。
【００１３】請求項４に記載された発明は、請求項１又
は２に記載の構成に加え、前記被加工部位が配置された
平行な複数の線の各線毎に、対物レンズが設けられ、該
複数の対物レンズ間隔は加工中に固定され、前記ステー
ジがＸＹ２軸方向に移動可能に設けられたことを特徴と
する。
は２に記載の構成に加え、前記被加工部位が配置された
平行な複数の線の各線毎に、対物レンズが設けられ、該
複数の対物レンズ間隔は加工中に固定され、前記ステー
ジがＸＹ２軸方向に移動可能に設けられたことを特徴と
する。
【００１４】請求項５に記載された発明は、請求項３又
は４に記載の構成に加え、前記各対物レンズのそれぞれ
に複数のレーザビームが入射され、且つ、当該一つの対
物レンズに入射された複数のレーザビームの間隔を調整
可能としたことを特徴とする。
は４に記載の構成に加え、前記各対物レンズのそれぞれ
に複数のレーザビームが入射され、且つ、当該一つの対
物レンズに入射された複数のレーザビームの間隔を調整
可能としたことを特徴とする。
【００１５】請求項６に記載された発明は、請求項１乃
至５の何れか一つに記載の構成に加え、前記被加工部位
は、半導体デバイス上に配置されているヒューズである
ことを特徴とする。
至５の何れか一つに記載の構成に加え、前記被加工部位
は、半導体デバイス上に配置されているヒューズである
ことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態１に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１７】［発明の実施の形態１］図１乃至図４に
は、この発明の実施の形態を示す。
は、この発明の実施の形態を示す。
【００１８】まず構成を説明すると、この実施の形態１
では、「レーザ加工装置」としてレーザリペア装置にこ
の発明が適用されている。
では、「レーザ加工装置」としてレーザリペア装置にこ
の発明が適用されている。
【００１９】このレーザリペア装置は、図１に示すよう
に、半導体デバイス１０が載置されるステージ１１が紙
面に垂直方向（Ｙ軸方向）に移動自在に配置され、移動
距離が半導体デバイス１０の直径より大きく設定されて
いる。このステージ１１の位置は干渉計１２でカウント
されて制御部１３に信号として入力されるようになって
いる。
に、半導体デバイス１０が載置されるステージ１１が紙
面に垂直方向（Ｙ軸方向）に移動自在に配置され、移動
距離が半導体デバイス１０の直径より大きく設定されて
いる。このステージ１１の位置は干渉計１２でカウント
されて制御部１３に信号として入力されるようになって
いる。
【００２０】また、ステージ１１の上側には、２個の対
物レンズ１５Ａ，１５Ｂが配設され、加工レーザ光源１
７Ａ，１７Ｂから発振されたレーザビーム１８Ａ，１８
Ｂは全反射ミラー１９Ａ，１９Ｂで反射されて、それぞ
れ独立の対物レンズ１５Ａ，１５Ｂを通ってステージ１
１上に配置されている半導体デバイス１０にそれぞれ集
光されるように構成されている。
物レンズ１５Ａ，１５Ｂが配設され、加工レーザ光源１
７Ａ，１７Ｂから発振されたレーザビーム１８Ａ，１８
Ｂは全反射ミラー１９Ａ，１９Ｂで反射されて、それぞ
れ独立の対物レンズ１５Ａ，１５Ｂを通ってステージ１
１上に配置されている半導体デバイス１０にそれぞれ集
光されるように構成されている。
【００２１】それら加工レーザ光源１７Ａ，１７Ｂは、
制御部１３に接続され、この制御部１３により、各加工
レーザ光源１７Ａ，１７Ｂからのレーザビーム１８Ａ，
１８Ｂの発振が、それぞれ独立に制御されるようになっ
ている。
制御部１３に接続され、この制御部１３により、各加工
レーザ光源１７Ａ，１７Ｂからのレーザビーム１８Ａ，
１８Ｂの発振が、それぞれ独立に制御されるようになっ
ている。
【００２２】また、前記対物レンズ１５Ａ，１５Ｂは、
それぞれレンズステージ２１Ａ，２１Ｂに固定されてお
り、これらレンズステージ２１Ａ，２１Ｂが、それぞれ
図中左右方向（Ｘ軸方向）に沿うＸ軸方向ガイド２３
Ａ，２３Ｂによりスライド自在に支持されている。これ
ら各対物レンズ１５Ａ，１５Ｂの移動距離は、半導体デ
バイス１０の直径より大きく設定されている。さらに、
その一方のＸ軸方向ガイド２３Ａは、図中紙面に垂直な
方向（Ｙ軸方向）に沿う一対のＹ軸方向ガイド２５Ａに
より、Ｙ軸方向にスライド可能に支持されている。
それぞれレンズステージ２１Ａ，２１Ｂに固定されてお
り、これらレンズステージ２１Ａ，２１Ｂが、それぞれ
図中左右方向（Ｘ軸方向）に沿うＸ軸方向ガイド２３
Ａ，２３Ｂによりスライド自在に支持されている。これ
ら各対物レンズ１５Ａ，１５Ｂの移動距離は、半導体デ
バイス１０の直径より大きく設定されている。さらに、
その一方のＸ軸方向ガイド２３Ａは、図中紙面に垂直な
方向（Ｙ軸方向）に沿う一対のＹ軸方向ガイド２５Ａに
より、Ｙ軸方向にスライド可能に支持されている。
【００２３】さらにまた、それら対物レンズ１５Ａ，１
５Ｂには、それぞれ検出器２７Ａ，２７Ｂが配設される
と共に、それら対物レンズ１５Ａ，１５Ｂは、それぞれ
前記干渉計１２及び制御部１３に接続されている。
５Ｂには、それぞれ検出器２７Ａ，２７Ｂが配設される
と共に、それら対物レンズ１５Ａ，１５Ｂは、それぞれ
前記干渉計１２及び制御部１３に接続されている。
【００２４】そして、ステージ１１上にフィデュシャル
マーク２６が配設され、前記ステージ１１及びレンズス
テージ２１Ａ，２１Ｂを移動させることにより、そのフ
ィデュシャルマーク２６を加工レーザ光１８Ａ，１８Ｂ
でスキャンさせて、その時の反射光を検出器２７Ａ，２
７Ｂで検出する。これら検出器２７Ａ，２７Ｂからの検
出結果と前記干渉計１２からの検出値が制御部１３に入
力されることにより、各対物レンズ１５Ａ，１５Ｂから
射出される加工レーザ光１８Ａ，１８Ｂの位置が求めら
れる。
マーク２６が配設され、前記ステージ１１及びレンズス
テージ２１Ａ，２１Ｂを移動させることにより、そのフ
ィデュシャルマーク２６を加工レーザ光１８Ａ，１８Ｂ
でスキャンさせて、その時の反射光を検出器２７Ａ，２
７Ｂで検出する。これら検出器２７Ａ，２７Ｂからの検
出結果と前記干渉計１２からの検出値が制御部１３に入
力されることにより、各対物レンズ１５Ａ，１５Ｂから
射出される加工レーザ光１８Ａ，１８Ｂの位置が求めら
れる。
【００２５】このようにして各対物レンズ１５Ａ，１５
Ｂからの加工レーザ光１８Ａ，１８Ｂの位置を求めるこ
とができるため、図２に示すように、両対物レンズ１５
Ａ，１５Ｂの間隔Ｌを所定の値に設定できると共に、各
対物レンズ１５Ａ，１５ＢのＸ方向の位置を独自に制御
することができる。
Ｂからの加工レーザ光１８Ａ，１８Ｂの位置を求めるこ
とができるため、図２に示すように、両対物レンズ１５
Ａ，１５Ｂの間隔Ｌを所定の値に設定できると共に、各
対物レンズ１５Ａ，１５ＢのＸ方向の位置を独自に制御
することができる。
【００２６】次に実際のヒューズ加工の方法について説
明する。
明する。
【００２７】まず、「被加工物」としての半導体デバイ
ス１０は、図３に示すように、切断すべきヒューズが存
在するチップ３１（図中斜線で示す）と、切断すべきヒ
ューズが存在しないチップ３２（図中白抜きで示す）と
を有し、半導体デバイス１０上には、一般的に切断すべ
きヒューズが存在するチップ３１がランダムに配列され
ている。この実施の形態では、その切断すべきヒューズ
が「被加工部位」であり、当該ヒューズを有するチップ
３１が、ある間隔を隔てて平行な複数の線Ｐ上に配置さ
れている。
ス１０は、図３に示すように、切断すべきヒューズが存
在するチップ３１（図中斜線で示す）と、切断すべきヒ
ューズが存在しないチップ３２（図中白抜きで示す）と
を有し、半導体デバイス１０上には、一般的に切断すべ
きヒューズが存在するチップ３１がランダムに配列され
ている。この実施の形態では、その切断すべきヒューズ
が「被加工部位」であり、当該ヒューズを有するチップ
３１が、ある間隔を隔てて平行な複数の線Ｐ上に配置さ
れている。
【００２８】そして、同一半導体デバイス１０上では、
チップ３１，３２毎にヒューズの並びは同じであるが、
切断すべきヒューズは各々のチップ３１毎に異なる。す
なわち、切断すべきヒューズが存在する斜線を施したチ
ップ３１の模式的な拡大図を図４の（ａ），（ｂ）に示
すと、各チップ３１，３１のヒューズ３１ａ…の配置自
体は、両図とも同じであるが、切断すべきヒューズ３１
ａを×印で示せば、各チップ３１，３１毎に切断すべき
ヒューズ３１ａの位置は異なる。但し、チップ３１毎の
切断すべきヒューズ３１ａ本数は一般的に概略同じであ
る。
チップ３１，３２毎にヒューズの並びは同じであるが、
切断すべきヒューズは各々のチップ３１毎に異なる。す
なわち、切断すべきヒューズが存在する斜線を施したチ
ップ３１の模式的な拡大図を図４の（ａ），（ｂ）に示
すと、各チップ３１，３１のヒューズ３１ａ…の配置自
体は、両図とも同じであるが、切断すべきヒューズ３１
ａを×印で示せば、各チップ３１，３１毎に切断すべき
ヒューズ３１ａの位置は異なる。但し、チップ３１毎の
切断すべきヒューズ３１ａ本数は一般的に概略同じであ
る。
【００２９】ここで、図２に示す対物レンズ１５Ａ，１
５Ｂの間隔Ｌは、チップ間隔の整数倍、この実施の形態
では、チップ間隔の４倍に設定されており、これら対物
レンズ１５Ａ，１５Ｂにより集光される各レーザビーム
１８Ａ，１８Ｂは、複数の異なる線Ｐ上に配置されたチ
ップ３１に対して、独立に制御されて発振される。
５Ｂの間隔Ｌは、チップ間隔の整数倍、この実施の形態
では、チップ間隔の４倍に設定されており、これら対物
レンズ１５Ａ，１５Ｂにより集光される各レーザビーム
１８Ａ，１８Ｂは、複数の異なる線Ｐ上に配置されたチ
ップ３１に対して、独立に制御されて発振される。
【００３０】そのチップ間隔は半導体デバイス１０毎に
一定であるので、その間隔Ｌは加工開始に先立ち１回設
定すれば良い。
一定であるので、その間隔Ｌは加工開始に先立ち１回設
定すれば良い。
【００３１】加工の順序は、図３に示すように、対物レ
ンズ１５Ａが経路３４Ａ、対物レンズ１５Ｂが経路３４
Ｂに沿って移動し、ヒューズ加工が行われる。この時、
Ｘ方向については対物レンズ１５Ａ，１５Ｂは独立して
駆動するようになっている。しかし、Ｙ方向については
ステージ１１が駆動するため、両加工レーザ光１８Ａ，
１８ＢによるＸ方向の各ブロックＡ−１…，Ｂ−１…内
のすべてのヒューズ加工が終了してから次のブロックＡ
−１…，Ｂ−１…へ対物レンズ１５Ａ，１５Ｂが同時に
相対移動されることとなる。
ンズ１５Ａが経路３４Ａ、対物レンズ１５Ｂが経路３４
Ｂに沿って移動し、ヒューズ加工が行われる。この時、
Ｘ方向については対物レンズ１５Ａ，１５Ｂは独立して
駆動するようになっている。しかし、Ｙ方向については
ステージ１１が駆動するため、両加工レーザ光１８Ａ，
１８ＢによるＸ方向の各ブロックＡ−１…，Ｂ−１…内
のすべてのヒューズ加工が終了してから次のブロックＡ
−１…，Ｂ−１…へ対物レンズ１５Ａ，１５Ｂが同時に
相対移動されることとなる。
【００３２】具体的には、ブロックＡ−２には、切断す
べきヒューズが存在するチップ３１の数は３つである
が、ブロックＢ−２は４つである。従って、ブロックＡ
−２を処理する対物レンズ１５Ａの方がより早く処理が
終了するが、Ｙ方向への移動は対物レンズ１５Ｂの処理
が終了するのを待ってから相対移動することとなる。
べきヒューズが存在するチップ３１の数は３つである
が、ブロックＢ−２は４つである。従って、ブロックＡ
−２を処理する対物レンズ１５Ａの方がより早く処理が
終了するが、Ｙ方向への移動は対物レンズ１５Ｂの処理
が終了するのを待ってから相対移動することとなる。
【００３３】一方、ブロックＡ−３とブロックＢ−３は
切断すべきヒューズが存在するチップ３１の数はどちら
も４つと同一である。各チップ３１内でのヒューズ３１
ａの加工量は概略同一であるため、切断すべきチップ間
の移動時間に差異は生ずるが、対物レンズ１５Ａ，１５
Ｂが独立に駆動することが可能なためブロックＡ−３と
Ｂ−３の処理時間を概略同じにすることができる。
切断すべきヒューズが存在するチップ３１の数はどちら
も４つと同一である。各チップ３１内でのヒューズ３１
ａの加工量は概略同一であるため、切断すべきチップ間
の移動時間に差異は生ずるが、対物レンズ１５Ａ，１５
Ｂが独立に駆動することが可能なためブロックＡ−３と
Ｂ−３の処理時間を概略同じにすることができる。
【００３４】いずれにせよ対物レンズ１５Ａ，１５Ｂ
は、異なる線Ｐ上に配置されて、処理すべきチップ３１
を分担して処理するため、処理能力を増大させることが
できる。
は、異なる線Ｐ上に配置されて、処理すべきチップ３１
を分担して処理するため、処理能力を増大させることが
できる。
【００３５】なお、レンズステージ２１Ａ，２１Ｂの走
りが完全に平行ではないため、加工位置が所望の位置と
ずれる場合が生じうるが、Ｙ軸方向ガイド２５Ａにて対
物レンズ１５Ａ，１５Ｂの間隔Ｌを逐次補正をして加工
を行えばよい。あるいは対物レンズ１５Ａまたは１５Ｂ
のみをＹ軸方向に微動することができる機構を取り付け
て、逐次位置を補正して加工を行えうこともできる。こ
の方が駆動部が小さくなるので高速に補正が行える利点
がある。
りが完全に平行ではないため、加工位置が所望の位置と
ずれる場合が生じうるが、Ｙ軸方向ガイド２５Ａにて対
物レンズ１５Ａ，１５Ｂの間隔Ｌを逐次補正をして加工
を行えばよい。あるいは対物レンズ１５Ａまたは１５Ｂ
のみをＹ軸方向に微動することができる機構を取り付け
て、逐次位置を補正して加工を行えうこともできる。こ
の方が駆動部が小さくなるので高速に補正が行える利点
がある。
【００３６】［発明の実施の形態２］図５及び図６に
は、この発明の実施の形態２を示す。
は、この発明の実施の形態２を示す。
【００３７】この実施の形態２は、各対物レンズ１５
Ａ，１５Ｂにそれぞれ２本づつ加工レーザ光が入射され
るようになっている点で、実施の形態１と異なってい
る。
Ａ，１５Ｂにそれぞれ２本づつ加工レーザ光が入射され
るようになっている点で、実施の形態１と異なってい
る。
【００３８】すなわち、２つの加工レーザ光源１０１
Ａ，１０２Ａから発振されたレーザビーム２０１Ａ，２
０２Ａは、全反射ミラー３０１Ａ，３０２Ａで反射し、
対物レンズ１５Ａを通ってステージ１１上に配置されて
いる半導体デバイス１０にそれぞれ集光される。
Ａ，１０２Ａから発振されたレーザビーム２０１Ａ，２
０２Ａは、全反射ミラー３０１Ａ，３０２Ａで反射し、
対物レンズ１５Ａを通ってステージ１１上に配置されて
いる半導体デバイス１０にそれぞれ集光される。
【００３９】同様に２つの加工レーザ光源１０１Ｂ，１
０２Ｂから発振されたレーザビーム２０１Ｂ，２０２Ｂ
は全反射ミラー３０１Ｂ，３０２Ｂで反射し、対物レン
ズ１５Ｂを通って、ステージ１１上に配置されている半
導体デバイス１０にそれぞれ集光される。
０２Ｂから発振されたレーザビーム２０１Ｂ，２０２Ｂ
は全反射ミラー３０１Ｂ，３０２Ｂで反射し、対物レン
ズ１５Ｂを通って、ステージ１１上に配置されている半
導体デバイス１０にそれぞれ集光される。
【００４０】各々の加工レーザ光源１０１Ａ，１０２
Ａ，１０１Ｂ，１０２Ｂは制御部１３に接続され、この
制御部１３からの指令により、加工レーザ光源１０１
Ａ，１０２Ａ，１０１Ｂ，１０２Ｂがそれぞれ独立に制
御、発振されるようになっている。
Ａ，１０１Ｂ，１０２Ｂは制御部１３に接続され、この
制御部１３からの指令により、加工レーザ光源１０１
Ａ，１０２Ａ，１０１Ｂ，１０２Ｂがそれぞれ独立に制
御、発振されるようになっている。
【００４１】このステージ１１は、実施の形態１と異な
り、ＸＹ軸方向に移動可能であり、このステージ１１の
位置は、干渉計１２でカウントされて制御部１３に送ら
れて検知されるようになっている。
り、ＸＹ軸方向に移動可能であり、このステージ１１の
位置は、干渉計１２でカウントされて制御部１３に送ら
れて検知されるようになっている。
【００４２】また、この対物レンズ１５Ａは、微小スト
ローク移動できるガイド４０に取り付けられており、対
物レンズ１５Ｂとの間隔を調整することができる。ま
た、全反射ミラー３０２Ａ，３０２Ｂはそれぞれ光軸間
隔調整機構４１Ａ，４１Ｂによりレーザビーム２０１
Ａ，２０２Ａの間隔とレーザビーム２０１Ｂ、２０２Ｂ
の間隔を調整することができるようになっている。
ローク移動できるガイド４０に取り付けられており、対
物レンズ１５Ｂとの間隔を調整することができる。ま
た、全反射ミラー３０２Ａ，３０２Ｂはそれぞれ光軸間
隔調整機構４１Ａ，４１Ｂによりレーザビーム２０１
Ａ，２０２Ａの間隔とレーザビーム２０１Ｂ、２０２Ｂ
の間隔を調整することができるようになっている。
【００４３】すなわち、レーザビーム２０１Ａ，２０２
Ａ，２０１Ｂ，２０２Ｂの位置ＸＡ１，ＸＡ２，ＸＢ
１，ＸＢ２は、ステージ１１を移動させることにより、
フィデュシャルマーク２９をそれぞれのレーザビーム２
０１Ａ，２０２Ａ，２０１Ｂ，２０２Ｂに対してスキャ
ンさせたときの反射光を検出器２７Ａ，２７Ｂで検出し
た結果と干渉計１２から求めることができる。
Ａ，２０１Ｂ，２０２Ｂの位置ＸＡ１，ＸＡ２，ＸＢ
１，ＸＢ２は、ステージ１１を移動させることにより、
フィデュシャルマーク２９をそれぞれのレーザビーム２
０１Ａ，２０２Ａ，２０１Ｂ，２０２Ｂに対してスキャ
ンさせたときの反射光を検出器２７Ａ，２７Ｂで検出し
た結果と干渉計１２から求めることができる。
【００４４】従って、対物レンズ１５Ａ，１５Ｂを所望
の間隔Ｌに設定することが可能であり、レーザビーム２
０１Ａ，２０２Ａおよびレーザビーム２０１Ｂ，２０２
Ｂを所望の間隔ｄに設定することが可能である。
の間隔Ｌに設定することが可能であり、レーザビーム２
０１Ａ，２０２Ａおよびレーザビーム２０１Ｂ，２０２
Ｂを所望の間隔ｄに設定することが可能である。
【００４５】そして、図６に示すように、加工すべきヒ
ューズ３１ａは２列に配置されている場合が多いため、
このヒューズ３１ａ列の間隔ｄに、レーザビーム２０１
Ａ，２０２Ａのレーザ間隔、およびレーザビーム２０１
Ｂ，２０２Ｂのレーザ間隔を設定すれば、ステージ１１
の移動量が減少し、処理能力を増大させることができ
る。
ューズ３１ａは２列に配置されている場合が多いため、
このヒューズ３１ａ列の間隔ｄに、レーザビーム２０１
Ａ，２０２Ａのレーザ間隔、およびレーザビーム２０１
Ｂ，２０２Ｂのレーザ間隔を設定すれば、ステージ１１
の移動量が減少し、処理能力を増大させることができ
る。
【００４６】この実施の形態２では、ステージ１１がＸ
Ｙ方向に移動することにより、ヒューズ加工が行われ、
対物レンズ１５Ａ，１５Ｂは固定されているため、この
対物レンズ１５Ａ，１５Ｂに２本のレーザビーム２０１
Ａ，２０２Ａ，２０１Ｂ，２０２Ｂを入れることが容易
である。また、対物レンズ１５Ａ，１５Ｂが固定で、一
つのステージ１１をＸＹ方向に移動させるようにしてい
るため、駆動系を一つにすることができて構成を簡単に
でき、その結果、コストを低減でき、信頼性を高くする
ことができる。
Ｙ方向に移動することにより、ヒューズ加工が行われ、
対物レンズ１５Ａ，１５Ｂは固定されているため、この
対物レンズ１５Ａ，１５Ｂに２本のレーザビーム２０１
Ａ，２０２Ａ，２０１Ｂ，２０２Ｂを入れることが容易
である。また、対物レンズ１５Ａ，１５Ｂが固定で、一
つのステージ１１をＸＹ方向に移動させるようにしてい
るため、駆動系を一つにすることができて構成を簡単に
でき、その結果、コストを低減でき、信頼性を高くする
ことができる。
【００４７】ところで、上記各実施の形態においては、
ステージ１１上に載置された半導体デバイス１が微少回
転していると、ヒューズ２ａの配列方向がＸ軸方向に対
して傾くことになる。この場合、レンズステージ２１
Ａ，２１ＢをＸ軸に沿って移動すると、一列に配列され
る複数のヒューズ２ａの一部では対物レンズ１５Ａ，１
５Ｂとの位置合わせが正確に行われないことが起こり得
る。そこで、半導体デバイス１の回転量（Ｘ軸方向に対
するヒューズ２ａの配列方向の傾き）に応じて対物レン
ズ１５Ａ，１５ＢをＹ軸方向に微動し、その一部のヒュ
ーズ２ａと対物レンズ１５Ａ，１５Ｂとを正確に位置合
わせする。このとき、対物レンズ１５Ａ，１５Ｂは、Ｘ
軸方向に沿って移動するのではなく、正確にはＸ軸方向
と交差する方向、即ち、ヒューズ２ａの配列方向（ヒュ
ーズ列）に沿って移動することになる。
ステージ１１上に載置された半導体デバイス１が微少回
転していると、ヒューズ２ａの配列方向がＸ軸方向に対
して傾くことになる。この場合、レンズステージ２１
Ａ，２１ＢをＸ軸に沿って移動すると、一列に配列され
る複数のヒューズ２ａの一部では対物レンズ１５Ａ，１
５Ｂとの位置合わせが正確に行われないことが起こり得
る。そこで、半導体デバイス１の回転量（Ｘ軸方向に対
するヒューズ２ａの配列方向の傾き）に応じて対物レン
ズ１５Ａ，１５ＢをＹ軸方向に微動し、その一部のヒュ
ーズ２ａと対物レンズ１５Ａ，１５Ｂとを正確に位置合
わせする。このとき、対物レンズ１５Ａ，１５Ｂは、Ｘ
軸方向に沿って移動するのではなく、正確にはＸ軸方向
と交差する方向、即ち、ヒューズ２ａの配列方向（ヒュ
ーズ列）に沿って移動することになる。
【００４８】ここで、対物レンズ１５Ａ，１５Ｂの代わ
りにステージ１１をＹ軸方向に微動しても良いし、ある
いは対物レンズ１５Ａ，１５Ｂとステージ１１の両方を
Ｙ軸方向に微動しても良い。また、対物レンズ１５Ａ，
１５Ｂと半導体デバイス１とを相対回転させる機構、例
えばステージ１１上で半導体デバイス１を保持して微少
回転する回転テーブルなどを設けても良い。さらに、半
導体デバイス１の回転量が比較的小さい時は、１つのヒ
ューズ列における両端のヒューズ２ａ（又は、１つのヒ
ューズ列で最も離れた、加工すべき２つのヒューズ２
ａ）についてＹ軸方向の位置をそれぞれ検出し、Ｙ軸方
向に関しては、例えばその２つの位置の平均値に対物レ
ンズ１５Ａ，１５Ｂを位置決めしたまま、その対物レン
ズ１５Ａ，１５ＢをＸ軸方向に沿って移動するようにし
ても良い。このとき、対物レンズ１５Ａ，１５Ｂの移動
方向（Ｘ軸方向）とヒューズ２ａの配列方向とは正確に
は一致しない。なお、半導体デバイス１が微少回転して
いるときに、例えば対物レンズ１５Ａ，１５Ｂと半導体
デバイス１とを相対的にＹ軸方向に微動するか否かにつ
いては、その回転量に応じて一義的に決定するようにし
ても良いし、あるいは加工すべきヒューズ２ａのＹ軸方
向の長さまでも考慮して決定するようにしても良い。
りにステージ１１をＹ軸方向に微動しても良いし、ある
いは対物レンズ１５Ａ，１５Ｂとステージ１１の両方を
Ｙ軸方向に微動しても良い。また、対物レンズ１５Ａ，
１５Ｂと半導体デバイス１とを相対回転させる機構、例
えばステージ１１上で半導体デバイス１を保持して微少
回転する回転テーブルなどを設けても良い。さらに、半
導体デバイス１の回転量が比較的小さい時は、１つのヒ
ューズ列における両端のヒューズ２ａ（又は、１つのヒ
ューズ列で最も離れた、加工すべき２つのヒューズ２
ａ）についてＹ軸方向の位置をそれぞれ検出し、Ｙ軸方
向に関しては、例えばその２つの位置の平均値に対物レ
ンズ１５Ａ，１５Ｂを位置決めしたまま、その対物レン
ズ１５Ａ，１５ＢをＸ軸方向に沿って移動するようにし
ても良い。このとき、対物レンズ１５Ａ，１５Ｂの移動
方向（Ｘ軸方向）とヒューズ２ａの配列方向とは正確に
は一致しない。なお、半導体デバイス１が微少回転して
いるときに、例えば対物レンズ１５Ａ，１５Ｂと半導体
デバイス１とを相対的にＹ軸方向に微動するか否かにつ
いては、その回転量に応じて一義的に決定するようにし
ても良いし、あるいは加工すべきヒューズ２ａのＹ軸方
向の長さまでも考慮して決定するようにしても良い。
【００４９】なお、上記各実施の形態では、この発明の
レーザ加工装置を、半導体デバイスのヒューズを切断す
るレーザリペア装置に適用したが、これに限らず、被加
工物に複数のレーザビームを照射して被加工部位の加工
を行うレーザ加工装置で、且つ、被加工部位が、ある間
隔を隔てて平行な複数の線上に配置されているようなも
のであれば、他の装置に適用できることは勿論である。
レーザ加工装置を、半導体デバイスのヒューズを切断す
るレーザリペア装置に適用したが、これに限らず、被加
工物に複数のレーザビームを照射して被加工部位の加工
を行うレーザ加工装置で、且つ、被加工部位が、ある間
隔を隔てて平行な複数の線上に配置されているようなも
のであれば、他の装置に適用できることは勿論である。
【００５０】
【発明の効果】以上説明してきたように、各請求項に記
載された発明によれば、複数の各レーザビームを、被加
工部位が配置された複数の異なる線上に対して独立に制
御されて発振するように設定したため、異なる線上にお
ける被加工部位の加工を同時に処理することができ、レ
ーザリペア装置等の処理能力を向上させることができ
る。
載された発明によれば、複数の各レーザビームを、被加
工部位が配置された複数の異なる線上に対して独立に制
御されて発振するように設定したため、異なる線上にお
ける被加工部位の加工を同時に処理することができ、レ
ーザリペア装置等の処理能力を向上させることができ
る。
【００５１】請求項２に記載された発明によれば、上記
効果に加え、各レーザビームは、複数の線に直交する方
向の間隔が間隔調整手段により調整可能とされているた
め、当該間隔が異なる複数種の被加工物に対して簡単に
対応できて加工を迅速に行うことができる。
効果に加え、各レーザビームは、複数の線に直交する方
向の間隔が間隔調整手段により調整可能とされているた
め、当該間隔が異なる複数種の被加工物に対して簡単に
対応できて加工を迅速に行うことができる。
【００５２】請求項３に記載された発明によれば、上記
効果に加え、被加工部位が配置された平行な複数の線の
各線毎に、対物レンズが独立して制御されて、当該線に
沿って移動可能となっているため、各線毎に被加工部位
の位置が相違しても、他方の処理を待つ必要なく、独立
して加工でき、処理能力を向上させることができる。
効果に加え、被加工部位が配置された平行な複数の線の
各線毎に、対物レンズが独立して制御されて、当該線に
沿って移動可能となっているため、各線毎に被加工部位
の位置が相違しても、他方の処理を待つ必要なく、独立
して加工でき、処理能力を向上させることができる。
【００５３】請求項４に記載された発明によれば、上記
効果に加え、被加工部位が配置された平行な複数の線の
各線毎に、対物レンズが設けられ、該複数の対物レンズ
間隔は加工中に固定され、ステージがＸＹ２軸方向に移
動可能に設けられたため、ステージを駆動する駆動系を
一つとすることができて構成を簡単にでき、その結果、
コストを低減でき、信頼性を高くすることができる。
効果に加え、被加工部位が配置された平行な複数の線の
各線毎に、対物レンズが設けられ、該複数の対物レンズ
間隔は加工中に固定され、ステージがＸＹ２軸方向に移
動可能に設けられたため、ステージを駆動する駆動系を
一つとすることができて構成を簡単にでき、その結果、
コストを低減でき、信頼性を高くすることができる。
【００５４】請求項５に記載された発明によれば、上記
効果に加え、各対物レンズのそれぞれに複数のレーザビ
ームが入射され、且つ、当該一つの対物レンズに入射さ
れた複数のレーザビームの間隔を調整可能とすることに
より、被加工部位が前記複数の線上において、更に複数
列に配置されている場合でも、加工を迅速に行うことが
できる。
効果に加え、各対物レンズのそれぞれに複数のレーザビ
ームが入射され、且つ、当該一つの対物レンズに入射さ
れた複数のレーザビームの間隔を調整可能とすることに
より、被加工部位が前記複数の線上において、更に複数
列に配置されている場合でも、加工を迅速に行うことが
できる。
【図１】この発明の実施の形態１に係るレーザリペア装
置の概略構成図である。
置の概略構成図である。
【図２】同実施の形態１に係る対物レンズ等の概略平面
図である。
図である。
【図３】同実施の形態１に係る半導体デバイスを示す概
略図である。
略図である。
【図４】同実施の形態１に係るチップの概略を示す図
で、（ａ），（ｂ）は切断すべきヒューズが相違するチ
ップを示す。
で、（ａ），（ｂ）は切断すべきヒューズが相違するチ
ップを示す。
【図５】この発明の実施の形態２を示す図１に相当する
概略図である。
概略図である。
【図６】同実施の形態２に係る図４に相当するチップの
概略を示す図で、（ａ），（ｂ）は切断すべきヒューズ
が相違するチップを示す。
概略を示す図で、（ａ），（ｂ）は切断すべきヒューズ
が相違するチップを示す。
【図７】従来例を示す図３に相当する半導体デバイスの
概略平面図である。
概略平面図である。
【図８】同従来例を示す図４に相当するチップの概略を
示す図で、（ａ），（ｂ）は切断すべきヒューズが相違
するチップを示す。
示す図で、（ａ），（ｂ）は切断すべきヒューズが相違
するチップを示す。
10 半導体デバイス（被加工物） 11 ステージ 15A,15B 対物レンズ 17A,17B,101A,102A,101B,102B 加工レーザ光源 18A,18B,201A,202A,201B,202B レーザビーム 23A,23B Ｘ軸方向ガイド 間隔調整手段 25 Ｙ軸方向ガイド 31a ヒューズ（被加工部位） Ｐ ある間隔を隔てて平行な複数の線
Claims (6)
- 【請求項１】 ステージ上に載置された被加工物に複数
のレーザビームを照射して被加工部位の加工を行うレー
ザ加工装置において、 前記被加工部位は、ある間隔を隔てて平行な複数の線上
に配置され、前記各レーザビームは、前記複数の異なる
線上を独立に制御されて発振するように設定されたこと
を特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項２】 前記各レーザビームは、前記複数の線に
直交する方向の間隔が間隔調整手段により調整可能とさ
れたことを特徴とする請求項１記載のレーザ加工装置。 - 【請求項３】 前記被加工部位が配置された平行な複数
の線の各線毎に、対物レンズが独立して制御されて、当
該線にほぼ沿って移動可能に配置される一方、前記ステ
ージは、前記対物レンズの移動方向と直交する面内で移
動可能としたことを特徴とする請求項１又は２記載のレ
ーザ加工装置。 - 【請求項４】 前記被加工部位が配置された平行な複数
の線の各線毎に、対物レンズが設けられ、該複数の対物
レンズ間隔は加工中に固定され、前記ステージがＸＹ２
軸方向に移動可能に設けられたことを特徴とする請求項
１又は２記載のレーザ加工装置。 - 【請求項５】 前記各対物レンズのそれぞれに複数のレ
ーザビームが入射され、且つ、当該一つの対物レンズに
入射された複数のレーザビームの間隔を調整可能とした
ことを特徴とする請求項３又は４記載のレーザ加工装
置。 - 【請求項６】 前記被加工部位は、半導体デバイス上に
配置されているヒューズであることを特徴とする請求項
１乃至５の何れか一つに記載のレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10067657A JPH11245073A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10067657A JPH11245073A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11245073A true JPH11245073A (ja) | 1999-09-14 |
Family
ID=13351316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10067657A Pending JPH11245073A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11245073A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008503877A (ja) * | 2004-06-18 | 2008-02-07 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 複数のレーザビームスポットを使用する半導体構造加工 |
| US7425471B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-09-16 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset |
| US7435927B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-10-14 | Electron Scientific Industries, Inc. | Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset |
| US7629234B2 (en) | 2004-06-18 | 2009-12-08 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling |
| US7633034B2 (en) | 2004-06-18 | 2009-12-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure |
| JP2010029917A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Pulstec Industrial Co Ltd | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
| US7687740B2 (en) | 2004-06-18 | 2010-03-30 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows |
| US7935941B2 (en) | 2004-06-18 | 2011-05-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures |
| US8049135B2 (en) * | 2004-06-18 | 2011-11-01 | Electro Scientific Industries, Inc. | Systems and methods for alignment of laser beam(s) for semiconductor link processing |
| JP2012138597A (ja) * | 2004-06-18 | 2012-07-19 | Electro Scientific Industries Inc | 複数のレーザビームスポットを使用する半導体構造加工 |
| US8238007B2 (en) | 2001-02-16 | 2012-08-07 | Electro Scientific Industries, Inc. | On-the-fly laser beam path error correction for specimen target location processing |
| US8374206B2 (en) | 2008-03-31 | 2013-02-12 | Electro Scientific Industries, Inc. | Combining multiple laser beams to form high repetition rate, high average power polarized laser beam |
| US8497450B2 (en) | 2001-02-16 | 2013-07-30 | Electro Scientific Industries, Inc. | On-the fly laser beam path dithering for enhancing throughput |
-
1998
- 1998-03-04 JP JP10067657A patent/JPH11245073A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7935941B2 (en) | 2004-06-18 | 2011-05-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures |
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| US7425471B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-09-16 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset |
| US7687740B2 (en) | 2004-06-18 | 2010-03-30 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows |
| US7923306B2 (en) | 2004-06-18 | 2011-04-12 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots |
| JP2008503877A (ja) * | 2004-06-18 | 2008-02-07 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 複数のレーザビームスポットを使用する半導体構造加工 |
| US7629234B2 (en) | 2004-06-18 | 2009-12-08 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling |
| JP2012138597A (ja) * | 2004-06-18 | 2012-07-19 | Electro Scientific Industries Inc | 複数のレーザビームスポットを使用する半導体構造加工 |
| US7435927B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-10-14 | Electron Scientific Industries, Inc. | Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset |
| KR101257029B1 (ko) * | 2004-06-18 | 2013-04-22 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 다중 레이저 빔 스폿을 이용하는 반도체 구조 가공 |
| KR101346118B1 (ko) * | 2006-07-05 | 2013-12-31 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 반도체 링크 가공용 레이저 빔(들)의 정렬 시스템 및 방법 |
| US8374206B2 (en) | 2008-03-31 | 2013-02-12 | Electro Scientific Industries, Inc. | Combining multiple laser beams to form high repetition rate, high average power polarized laser beam |
| JP2010029917A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Pulstec Industrial Co Ltd | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
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