JP2008503877A - 複数のレーザビームスポットを使用する半導体構造加工 - Google Patents
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【選択図】図5
Description
本出願は、2004年6月18日出願の「マルチビーム半導体リンク加工」という名称の特許文献1と、以下全て2005年2月4日に出願された、「オンアクシスオフセットがあるように横方向に間隔を置いて設けられた複数のレーザビームスポットを用いる半導体構造加工」という名称の特許文献2と、「複数のブロー(blow)を送達する横方向に間隔を置いて設けられた複数のレーザビームスポットを用いる半導体構造加工」という名称の特許文献3と、「ジョイントベロシティプロファイリングを伴う横方向に間隔を置いて設けられた複数のレーザビームスポットを用いる半導体構造加工」という名称の特許文献4と、「同時に送達されるオンアクシスに間隔を置いて設けられる複数のレーザビームスポットを用いる半導体構造加工」という名称の特許文献5と、「単一ブローのスループットを増加させるためにオンアクシスに間隔を置いて設けられる複数のレーザビームスポットを用いる半導体構造加工」という名称の特許文献6と、「非隣接構造上にオンアクシスに間隔を置いて設けられる複数のレーザビームスポットを用いる半導体構造加工」という名称の特許文献7と、「クロスアクシスオフセットを伴うオンアクシスに間隔を置いて設けられる複数のレーザビームスポットを用いる半導体構造加工」という名称の特許文献8と、「構造上で長手方向に重複する複数のレーザビームスポットを用いる半導体構造加工」という名称の特許文献9とに基づく優先権を主張する。上記の出願の全ては引用によってそれらの全体が本明細書に取り込まれる。
1つの実施態様によれば、本発明の方法は、複数のレーザビームを使って半導体基板の上又は内部の構造(例えば、導電性リンク)を選択的に照射する。前記構造は、ほぼ長手方向に延びる実質的に平行な複数の列をなして配置される。本方法は、ある時刻に前記半導体基板の上又は内部の第1の場所に投射する第1光軸を有する第1伝搬経路に沿って第1レーザビームを伝える。第1の場所は、第1列の複数構造のうちの1つの構造の上か、第1列の2つの隣接する構造の間かのいずれかである。本方法は、ある時刻に前記半導体基板の上又は内部の第2の場所に投射する第2光軸を有する第2伝搬経路に沿って第2レーザビームを伝える。第2の場所は、第2列の複数構造のうちの1つの構造の上か、第2列の2つの隣接する構造の間かのいずれかである。第2列は第1列とは別個のもの(distinct)であって、第2の場所は前記列の長手方向に少しだけ第1の場所からオフセットを有する。本方法は、第1及び第2のレーザビームを前記半導体基板に対して前記列の長手方向に実質的に一斉に動かせて、第1列及び第2列の構造をそれぞれ第1レーザビーム及び第2レーザビームで選択的に照射する。
典型的なDRAMウェーハの修理からの測定は、リンクランの実行時間がウェーハ加工時間の大半を占めることを示す。全加工時間の約85%はリンクランを実行するのに費やされ、残りの15%が、切削レーザを1個のリンクランの終点から次のリンクランの始点までシフトするための前記ウェーハの移動、整列、合焦及び計算オーバーヘッドのようなオーバーヘッドタスクを実行するのに費やされる場合がある。リンク加工時間の大半の要素はリンクランを実行するために費やされるのが典型的であるため、ウェーハ加工時間の著しい短縮がリンクランを実行するのに費やされる時間を短縮することで実現できる。
ウェーハ表面の上に複数のレーザスポットを作成し、たぶん独立に制御することによる並列リンク加工は、システムスループットを劇的に改善できる。
隣接する横方向(クロスアクシス)に間隔を置いて配置されたリンクのバンクに投射する2個または3個以上の合焦したレーザスポットを生成することは、システムのスループットを改善するための1つの構成である。2個または3個以上のリンクのバンク同時に加工することによって、有効なリンクランの数と、ウェーハ加工中にXY移動ステージが移動しなければならない距離とが横方向に合焦したレーザスポットの数の分だけ減る。例えば、単一のスポットで1000個のリンクランをかつて必要としたウェーハが、2重のリンクランでは500個だけで加工できる場合があるが、これは、2重リンクランのそれぞれが横方向に間隔を置いて配置された2列のリンクのバンクの加工につながる。リンクランの数を半分に削減することは、ウェーハを加工するのに要する時間の同様な減小につながる。より一般的には、N個の横方向に間隔を置いて配置されたスポットの使用は、約Nのスループットの改善につながる。
オンアクシスで間隔を置いて分布し、リンクランの軸に沿って前から後ろまで調整された複数のスポットは、スループット及び複数ブローの利点を提供する。スループットの観点からは、この配向は、スポットの数NspotによってレーザPRF及びリンクラン速度▲Vの上に長音符▼LR =PlinkFlaserNspotを効果的に増大できる。例えば、2個のオンアクシス配置のスポットの場合には、リンクラン速度は2倍になる。しかし、基本リンクラン速度の上昇のためのギャッププロファイリングを通じて時間の節約は少ないかもしれない。
複数のレーザスポットをオンアクシス及びクロスアクシスのオフセットを有するように配置するための異なる方法論は異なる加工の利点を提供する。図5でリンクバンク550及び560の上に示された2列構成(dual−row configuration)は、上述のクロスアクシス配置のスポットと同じ利点(例えば、スループットの向上)を提供する。スタガードリンクはこのオンアクシス及びクロスアクシス配置法には必要とされない。これは、図6の第1実施例の規則正しく配置されたリンクにも適用できる。(例えば、図5のリンクラン540の上に示すように)合焦したレーザスポットのオンアクシス及びクロスアクシスのオフセットで一度に1列を加工することは、前記2個のリンクブローの間のシリコンに到達するレーザのフルーエンス(fluence)を低くする。この構成で加工するとき前記2個のスポットの間の距離の増大は、純粋なオンアクシス配置で達成されるレベルより低いレベルまで重複したレーザフルーエンスを低下する。
複数レーザスポットが単一の標的構造で重複するように導かれるとき、複数レーザスポットの別のカテゴリーが生じる。重複したスポットで半導体リンク構造を加工する2つの利点は、(1)異なる光学特性を有するスポットがリンク加工用に選択的に選ぶことができる点と、(2)短い時間遅延が時間的なパルス形成又は空間的なスポット形成に利用できる点とである。さらに、同一リンクの上に部分的にだけ重複するスポットを利用することは、スループットで不利益を被ることなくリンク切断の信頼性を向上できる。
並列関係は、単一の集光レンズ又は複数の集光レンズのいずれかを通じて標的リンクに送達される別々の光路を用いて達成できる。前記別々の光路は、単一のレーザ又は複数のレーザから発する場合がある。図15のブロック図に示すとおり、平行関係の1つの実施態様は、1個のレーザヘッドと1個の集光レンズとから得られる。図15は、1個のレーザ720と1個の集光レンズ730とを有するN個のスポットリンク加工システム700の基本的な機能を示す。レーザ720からのレーザビーム出力はビームスプリッタ745に向けられ、該ビームスプリッタは前記レーザビームをビーム1ないしビームNと標識されたN個のビームに分割する。スプリッタ745からの各ビームはスイッチ750を通過し、該スイッチは前記ビームを選択的に通過又はブロックできる。スイッチ750の出力はビームステアリング機構760に行くが、該機構は固定型又は調節可能型の場合がある。ビームステアリング機構760は個々のビームを集光レンズ730に導き、該集光レンズは前記ビームを加工されるべき半導体素子(図示されない)の上のN個のスポットの上に合焦させる。ビームステアリング機構760は動的に調節可能であることが好ましいが、固定されている場合もある。
米国特許第6,816,294号明細書は、XY移動ステージで起こる相対位置エラーを矯正するために合焦レーザスポットの位置をシフトするFSMの使用を説明する。当該特許に説明された技術は本明細書に説明される複数レーザビーム加工システムと完全に適合可能である。本明細書に説明されるとおり、レーザビームはコーディネート位置コマンドに応答してワークピース上の標的の場所に向けられる。そのコマンドに応答して、XY移動ステージはワークピースのコーディネート位置の上にレーザビームを配置する。システムは、前記コーディネートの位置に対するワークピースの実際の位置も感知して、位置の差がもしある場合には該位置の差を示すエラーシグナルを発生する。XY移動ステージと関連するサーボ制御システムが前記位置の差を補償する位置矯正シグナルを発生して、レーザビームを標的の場所により正確に誘導する。類似のサーボ制御システムが複数のレーザビームを複数の標的の場所に誘導するのに利用できる。例えば、2個のスポットのシステムでは、XY移動ステージエラーを原因とする相対位置エラーは両方のスポットに等しく影響を与えるので、図28に示すとおり複数スポットの場合について、、最終XYビームステアリング機構772の追加がこれらのエラーを矯正して再誘導するのに利用される場合がある。しかし、XYステージの回転によって生じるエラーは両方のスポットに等しく影響を与えることはないので、いずれかの感知された回転エラーは、回転コーディネート変換及び前記2個のビームステアリング機構764を利用して類似のやり方で矯正できる。
複数ビーム光路リンク加工システムの利用は、各レーザビームについてビームエネルギーパラメータ及びスポット位置パラメータの較正を必要とする場合がある。図30に示すとおり、エネルギー較正を達成する1つのやり方は、各ビームから一部の光学出力を分流して独立のパルスデテクタ790を使って、パルスエネルギーと、パルス高と、パルス幅と、おそらくその他のパラメータとのようなパルス特性を感知することである。光学的なパラメータを感知した後、ビーム光路内に構成可能なハードウェア又はレーザが調整を行うために使用できる。1つの実施態様では、パルスデテクタ790からの情報がエネルギー制御のために各ビーム光路内の構成可能なアッテネータ792の独立したチューニングを可能にする場合がある。アッテネータ792は、標準的な光学系、AOMsその他のアッテネータの場合がある。パルスデテクタ790からのフィードバックはレーザでのパルスの発生を修正するのにも使うことができる。これは、複数のレーザ光源を使うときにさらなる利点を提供する。
programmable ROM)と、EEPROM(electrically erasable, programmable ROM)と、フラッシュメモリと、磁気又は光学ディスク又はテープとを含む。搬送波を利用して変調するか否かに関わらず、代表的なコンピュータで読み取り可能な信号は、コンピュータプログラムのホストとなっているか、あるいは、コンピュータプログラムを走らせている、コンピュータシステムがアクセスするように構成されている場合がある信号であって、インターネットその他のネットワークを通じてダウンロードされる信号を含む。上述の具体的な例は、CDROM上か、あるいは、インターネットのダウンロード経由かによるソフトウェアの配布を含む。ある意味では、抽象的な存在としてのインターネットそのものがコンピュータで読み取り可能な媒体である。同じことがコンピュータネットワーク一般についてもいえる。
140 未加工のリンク
150 切断されたリンク
210 静止光学テーブル
220、720 レーザ
225、775 ミラー
230 合焦レンズ
240 ウェーハ
250 チャック
260、660 移動ステージ
270 X軸リンクラン
280 Y軸リンクラン
410 リンクラン速度プロフィール
430 バンク
440 定速
450 ギャップ
460 ギャッププロフィール
470 加速
480 定常状態
490 減速
530、540、550、560、570、580 リンクバンク
610 第1レーザパルス
620 第2レーザパルス
630 第3レーザパルス
680 位置センサー
690 コントローラ
695 標的マップ
700 N個のスポットのシステム
722 ビーム形成視準光学系
723、765 ビームコンバイナ
724 半波長板
725 最終ミラー
730 集光レンズ
731 遅延エレメント
735 光学系
740 ワーク表面
745、754、794 ビームスプリッタ
750 スイッチ
752 ビームサイズ制御光学系
755 追加の光学エレメント
756 投射光デテクタ
758、798 反射光デテクタ
760 ビームステアリング機構
761 X軸AOM
762 中継ミラー
763 Y軸AOM
764 XYビームステアリング機構
766 Xビームステアリング機構
767 回折エレメント
768 Yビームステアリング機構
769 集光制御光学系
770 リレー・レンズ
772 最終XYビームステアリング機構
780 PSD
784 XYステージサーボシステム
790 パルスデテクタ
792 アッテネータ
796 4分の1波長板
800 2個のスポットのレーザ加工システム
810、820 アライメント標的
Claims (173)
- 半導体基板(740)の上又は内部の構造を複数のレーザビームを使って選択的に照射する方法であって、
前記構造は、ほぼ長手方向に延びる実質的に平行な複数の列をなして配置され、
ある時刻に半導体基板(740)の上又は内部の第1の場所に入射する第1光軸を有する第1伝搬光路に沿って第1レーザビームを伝搬させるステップであって、第1の場所は、複数の構造のうちの第1列の1個の構造の上か、第1列の隣接する2個の構造の間かのいずれかである、第1レーザビームを伝搬させるステップと、
前記時刻に半導体基板(740)の上又は内部の第2の場所に入射する第2光軸を有する第2伝搬光路に沿って第2レーザビームを伝搬させるステップであって、第2の場所は、複数の構造のうちの第2列の1個の構造の上か、第2列の隣接する2個の構造の間かのいずれかであり、第2の場所は第1の場所から前記列の長手方向に少しオフセットがあり、第2列は第1列とは別個である、第2レーザビームを伝搬させるステップと、
第1列及び第2列の構造をそれぞれ第1及び第2のレーザビームで選択的に照射するために、第1及び第2のレーザビーム光軸を半導体基板(740)に対して前記列の長手方向に実質的に一斉に動かすステップとを含む、半導体基板(740)の上又は内部の構造を複数のレーザビームを使って選択的に照射する方法。 - 第1列の構造は第2列の構造から前記列の長手方向にオフセットがある、請求項1に記載の方法。
- 第1列の構造は第2列の構造と前記列の長手方向に整列しているが、第1及び第2の場所はそれぞれ第1列及び第2列の構造に対応し、該構造は前記列の長手方向に互いにオフセットがある、請求項1に記載の方法。
- 第1及び第2レーザビームはそれぞれ第1及び第2セットの光学特性を有し、第1及び第2セットの光学特性は互いに異なる、請求項1に記載の方法。
- 第1レーザビームが第1の場所に到達することを選択的にブロックするステップと、第2レーザビームが第2の場所に到達することを選択的にブロックするステップとを含む、請求項1に記載の方法。
- 第1及び第2レーザビームは実質的に同時に前記ワークピースに到達する、請求項1に記載の方法。
- 第1レーザビームは第1列の選択された構造を第1の期間照射し、第2レーザビームは第1レーザビームで既に照射された第2列の構造を第2の期間照射する、請求項1に記載の方法。
- 前記動かすステップの際に、半導体基板(740)上の第1及び第2レーザビーム光軸の入射場所の間の相対間隔を動的に調整するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記構造は導電性のあるリンクを含み、リンクの照射は該リンクの切断をもたらす、請求項1に記載の方法。
- 半導体基板(740)は複数のダイスを含み、第1レーザビーム光軸は半導体基板(740)上の1個のダイスに投射し、第2レーザビーム光軸は半導体基板(740)上の別の1個のダイスに投射する、請求項1に記載の方法。
- 第1列及び第2列は隣接する、請求項1に記載の方法。
- 第1及び第2の場所の近傍の半導体基板(740)に有害な濃度のエネルギーが吸収されることを避けるために十分な距離だけ第1の場所は第2の場所から離れている、請求項11に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法で加工された半導体基板(740)。
- 少なくとも第1レーザビーム及び第2レーザビームを発生するレーザ光源と、第1及び第2レーザビームの伝搬光路と、移動ステージ(660)とを含む、複数のレーザビームを使って半導体基板の上又は内部の構造を選択的に照射するためのシステムであって、
前記構造はほぼ長手方向に延びる実質的に平行な複数の列をなして配置され、
第1レーザビームの伝搬光路は、ある時刻に半導体基板(740)の上又は内部の第1の場所で第1スポットに投射する第1光軸を有し、第1の場所は、複数の構造のうち第1列の1個の構造の上か、第1列の隣接する2個の構造の間かのいずれかであり、
第2レーザビームの伝搬光路は、前記時刻に半導体基板(740)の上又は内部の第2の場所で第2スポットに投射する第2光軸を有し、第2の場所は、複数の構造のうち第2列の1個の構造の上か、第2列の隣接する2個の構造の間かのいずれかであり、第2の場所は第1の場所から前記列の長手方向に少しオフセットがあり、第2列は第1列とは別個であり、
移動ステージ(660)は、第1列及び第2列の構造をそれぞれ第1及び第2のレーザビームで選択的に照射するために、第1及び第2のレーザビーム光軸を半導体基板(740)に対して前記列の長手方向に実質的に一斉に動かす、複数のレーザビームを使って半導体基板の上又は内部の構造を選択的に照射するためのシステム。 - 前記レーザ光源は、それぞれ第1及び第2のレーザ(720−1、720−2、...)を含む、請求項14に記載のシステム。
- 前記レーザ光源は、レーザ(720)と、ビームスプリッタ(745)とを含み、
ビームスプリッタ(745)は、レーザ(720)と、半導体基板(740)との間の第1及び第2両方のレーザビーム伝搬光路内に配置される、請求項14に記載のシステム。 - 第1光学スイッチ(750)と第2光学スイッチ(750)とを含み、
第1光学スイッチ(750)は、第1レーザビームの伝搬光路内に配置され、選択的に第1レーザビームを透過させるか、第1レーザビームが半導体基板(740)に到達するのをブロックすることができ、
第2光学スイッチ(750)は、第2レーザビームの伝搬光路内に配置され、選択的に第2レーザビームを透過させるか、第2レーザビームが半導体基板(740)に到達するのをブロックすることができる、請求項14に記載のシステム。 - 第1及び第2光学スイッチ(750)はAOMsである、請求項17に記載のシステム。
- 第1及び第2光学スイッチ(750)に接続されたコントローラ(690)を含み、
コントローラ(690)は、選択された構造だけを照射するように第1及び第2光学スイッチ(750)の状態を設定する、請求項17に記載のシステム。 - 第1レーザビーム伝搬光路内に配置され、第1の場所を調整できるビームステアリング機構(760、764、766、768)を含む、請求項14に記載のシステム。
- 第2レーザビーム伝搬光路内に配置され、第2の場所を調整できるビームステアリング機構(760、764、766、768)を含む、請求項14に記載のシステム。
- 第1及び第2のレーザビーム伝搬光路の両方に配置されるビームコンバイナ(765)と、
ビームコンバイナ(765)と半導体基板(740)との間の第1及び第2の両方のレーザビーム伝搬光路内に配置される集光レンズ(730)とを含む、請求項14に記載のシステム。 - 第1レーザビーム伝搬光路内に配置される第1集光レンズ(730A)と、第2レーザビーム伝搬光路内に配置される第2集光レンズ(730B)とを含む、請求項14に記載のシステム。
- ほぼ長手方向に延びる実質的に平行な複数の列をなして配置される複数の構造を有する半導体基板(740)を加工するための方法であって、
前記複数の構造は複数のレーザビームで選択的に照射され、
半導体基板(740)の上又は内部で第1標的の場所と交差する第1レーザビーム光軸に沿って伝搬する第1レーザビームを発生するステップと、
半導体基板(740)の上又は内部で第2標的の場所と交差する第2レーザビーム光軸に沿って伝搬する第2レーザビームを発生するステップであって、第2標的の場所は、第1標的の場所が複数の構造の第1列の上の1個の構造であるとき、第2標的の場所が第1列とは別個の第2列の上の1個の構造か、隣接する2個の構造の間かであるように、第1標的の場所から前記列の長手方向と垂直な方向に少しオフセットがある、第2レーザビームを発生するステップと、
第1列の選択された構造を第1の期間照射するために第1列に沿って第1標的の場所を通過するように、かつ、第2列に沿った第1標的の場所の前回の通過の際に第1レーザビームによって以前照射された構造を第2の期間照射するために第2列に沿って第2標的の場所を同時に通過するように、第1及び第2のレーザ光軸に対して前記列の構造とほぼ平行な方向に半導体基板(740)を動かすステップとを含む、複数の構造を有する半導体基板(740)を加工するための方法。 - 第1及び第2レーザビームはそれぞれ第1セットの光学特性及び第2セットの光学特性を有し、第1セットの光学特性と第2セットの光学特性とは互いに異なる、請求項24に記載の方法。
- 第1レーザビーム光軸は、第2レーザビーム光軸から前記列の長手方向と平行な方向に少しオフセットがある、請求項24に記載の方法。
- 第1レーザビームが第1標的の場所に到達することを選択的にブロックするステップと、
第2レーザビームが第2標的の場所に到達することを選択的にブロックするステップとを含む、請求項24に記載の方法。 - 第1及び第2レーザビームは実質的に同時に半導体基板(740)に到達する、請求項24に記載の方法。
- 前記動かすステップの際に、半導体基板(740)上に第1及び第2レーザビーム光軸が投射する場所の間の相対間隔を動的に調整するステップを含む、請求項24に記載の方法。
- 前記構造は導電性があるリンクであり、リンクの照射は該リンクの切断をもたらす、請求項24に記載の方法。
- 半導体基板(740)は複数のダイスを含み、第1レーザビーム光軸は半導体基板(740)上の1個のダイスに投射し、第2レーザビーム光軸は半導体基板(740)上の別のダイスに投射する、請求項24に記載の方法。
- ある構造に第2レーザビームが投射する場所は、該構造に第1レーザビームが投射する場所から該構造の長手方向にオフセットがある、請求項24に記載の方法。
- 請求項24に記載の方法で加工された半導体基板(740)。
- 少なくとも第1レーザビーム及び第2レーザビームを発生するレーザ光源と、第1レーザビームの伝搬光路と、第2レーザビームの伝搬光路と、移動ステージ(660)とを含む、複数のレーザビームで選択的に照射される複数の構造を有する半導体基板(740)を加工するためのシステムであって、
前記構造はほぼ長手方向に延びる実質的に平行な複数の列をなして配置され、
第1レーザビーム伝搬光路は、前記レーザ光源から半導体基板(740)へ行き、半導体基板(740)の上又は内部の第1標的の場所と交差する第1レーザビーム光軸を有し、
第2レーザビーム伝搬光路は、前記レーザ光源から半導体基板(740)へ行き、半導体基板(740)の上又は内部の第2標的の場所と交差する第2レーザビーム光軸を有し、第2標的の場所は、第1標的の場所が複数の構造の第1列の上の1個の構造であるとき、第2標的の場所が第1列とは別個の第2列の上の1個の構造か、隣接する2個の構造の間かであるように、前記列の長手方向に垂直な方向に第1標的の場所から少しオフセットがあり、
移動ステージ(660)は、第1列の選択された構造を第1の期間照射するために第1列に沿って第1標的の場所を通過するように、かつ、第2列に沿った第1標的の場所の前回の通過の際に第1レーザビームによって以前照射された構造を第2の期間照射するために第2列に沿って第2標的の場所を同時に通過するように、第1及び第2のレーザ光軸に対して前記列の構造とほぼ平行な方向に半導体基板(740)を動かす、半導体基板(740)を加工するためのシステム。 - 前記レーザ光源は、それぞれ第1及び第2のレーザ(720−1、720−2、...)を含む、請求項34に記載のシステム。
- 前記レーザ光源は、レーザ(720)と、ビームスプリッタ(745)とを含み、
ビームスプリッタ(745)は、レーザ(720)と、半導体基板(740)との間の第1及び第2両方のレーザビーム伝搬光路内に配置される、請求項34に記載のシステム。 - 第1光学スイッチ(750)と第2光学スイッチ(750)とを含み、
第1光学スイッチ(750)は、第1レーザビームの伝搬光路内に配置され、選択的に第1レーザビームを透過させるか、第1レーザビームが半導体基板(740)に到達するのをブロックすることができ、
第2光学スイッチ(750)は、第2レーザビームの伝搬光路内に配置され、選択的に第2レーザビームを透過させるか、第2レーザビームが半導体基板(740)に到達するのをブロックすることができる、請求項34に記載のシステム。 - 第1及び第2光学スイッチ(750)はAOMsである、請求項37に記載のシステム。
- 第1及び第2光学スイッチ(750)に接続されたコントローラ(690)を含み、
コントローラ(690)は、選択された構造だけを照射するように第1及び第2光学スイッチ(750)の状態を設定する、請求項37に記載のシステム。 - 第1レーザビーム伝搬光路内に配置され、第1の場所を調整できるビームステアリング機構(760、764、766、768)を含む、請求項34に記載のシステム。
- 第2レーザビーム伝搬光路内に配置され、第2の場所を調整できるビームステアリング機構(760、764、766、768)を含む、請求項34に記載のシステム。
- 第1及び第2のレーザビーム伝搬光路の両方に配置されるビームコンバイナ(765)と、
ビームコンバイナ(765)と半導体基板(740)との間の第1及び第2の両方のレーザビーム伝搬光路内に配置される集光レンズ(730)とを含む、請求項34に記載のシステム。 - 第1レーザビーム伝搬光路内に配置される第1集光レンズ(730A)と、第2レーザビーム伝搬光路内に配置される第2集光レンズ(730B)とを含む、請求項34に記載のシステム。
- スループットの利益を得るためにN組のレーザパルスを使う、半導体基板(740)の上又は内部の構造の加工における使用のための方法であって、
Nは2又は3以上であり、前記構造はほぼ長手方向に延びる実質的に平行な複数の列をなして配置され、前記N組のレーザパルスは、N本のそれぞれ別個の列の選択された構造に投射するまでN本のそれぞれのビーム光軸に沿って伝搬し、
前記N本の列の構造を加工するように、実質的に一斉に前記N本のレーザビーム光軸を半導体基板に対して長手方向に同時に動かすための合同速度プロフィールを決定するステップを含み、
前記合同速度プロフィールは、前記N組のレーザパルスのそれぞれと該N組のレーザパルスで加工される構造のN本の列のそれぞれとについて前記合同速度プロフィールが実施可能な速度を表すことを担保しつつ、スループットの利益が達成されるように決定される、方法。 - 前記決定するステップは、
前記N本の列のそれぞれについて、各組のレーザパルスで構造を加工するように、半導体基板(740)に対する各レーザビーム光軸を長手方向へ動かすための速度プロフィール(410)を決定して、N個の個別の速度プロフィール(410)を得るステップと、
前記N個の個別の速度プロフィール(410)を比較して、前記合同速度プロフィールを決定するステップとを含む、請求項44に記載の方法。 - 前記合同速度プロフィールは、該プロフィールに沿った各点での前記N個の個別の速度プロフィール(410)の最小速度数値である、請求項45に記載の方法。
- 前記合同速度プロフィールは、構造がレーザパルスで加工されている間は、前記N個の個別の速度プロフィール(410)の最小数値を超えない、請求項45に記載の方法。
- 前記N個の個別の速度プロフィール(410)はそれぞれの一定速度を有する整列したセクション(440)を含み、前記合同速度プロフィールは、前記N個の対応する一定速度の最小値である一定速度を有する対応するセクションを含む、請求項45に記載の方法。
- 前記N本の列のうちの1本又は2本以上は照射されるべき構造を有さないギャップ(460)を含み、N本の列の全てが互いに整列したギャップを含む場合には、前記合同速度プロフィールはギャッププロフィールを含む、請求項45に記載の方法。
- 前記合同速度プロフィールは、一定速度のセクションを1個または2個以上含む、請求項44に記載の方法。
- 前記N組のレーザパルスを発生させるステップと、
前記N本の列の構造をそれぞれN組のレーザパルスで選択的に照射するように、前記合同速度プロフィールに従って、半導体基板(740)に対して一斉に前記N本のレーザビーム光軸を長手方向に動かすステップとを含む、請求項44に記載の方法。 - 前記決定するステップは、
1セットのマスターコーディネートを作成するステップと、
レーザ照射されるべき前記N本の列の各構造について、マスターコーディネートからの相対オフセットコーディネートを決定するステップと、
前記セットのマスターコーディネートに基づいて前記N本の列について合同速度プロフィールを決定するステップとを含む、請求項44に記載の方法。 - 前記構造は導電性のあるリンクを含み、リンクの照射は該リンクの切断をもたらす、請求項44に記載の方法。
- 半導体基板(740)は複数のダイスを含み、第1レーザビーム光軸は半導体基板(740)上の1個のダイスに投射し、第2レーザビーム光軸は半導体基板(740)上の別の1個のダイスに投射する、請求項44に記載の方法。
- 請求項44に記載の方法を実行するプログラムが埋め込まれたコンピュータで読み取り可能な媒体。
- 半導体基板(740)であって、
該基板の上に単一レーザビームによってよりも迅速にN本のレーザビームによって照射されるように定位され、Nは2又は3以上であり、前記N本のレーザビームは半導体基板(740)の上を1つの配向で投射するように配置され、
半導体基板(740)は、ほぼ長手方向に延びる複数の列をなして配置された複数の構造を含み、少なくともN本のかかる列は、該N本の列が前記配向に実質的に適合するように配置された1個または2個以上のセクションを有するように、構成及び配置され、半導体基板(740)は、前記N本のレーザビームの使用によって高いスループットで照射加工でき、各レーザビームスポットは、N列の前記セクションのうちの1個のそれぞれの列の構造の上に同時に投射する、半導体基板(740)。 - 前記列の長手方向に前記N個のレーザビームスポットを同時に動かすための前記合同速度プロフィールを最大化するように前記構造が配置される、請求項56に記載の半導体基板(740)。
- 前記N本の列は照射加工されるべき構造がない整列したギャップを含み、該ギャップは前記N本の列に沿った長手方向に実質的に整列して配置される、請求項56に記載の半導体基板(740)。
- 前記N本の列に沿った構造の配置は該列の長手方向ではほぼ同一である、請求項56に記載の半導体基板(740)。
- 前記N本の列は、前記N本のレーザビームが単一のレンズを使って半導体基板(740)上に合焦できるほど互いに十分近接して前記列の長手方向と垂直な方向に配置される、請求項56に記載の半導体基板(740)。
- 前記セクションはほぼ一定ピッチで間隔を置いて配置される隣接した構造を有する、請求項56に記載の半導体基板(740)。
- 前記配向は、前記列の長手方向と実質的に垂直な方向でほぼコリニアである、請求項56に記載の半導体基板(740)。
- 半導体基板(740)の実質的に全ての構造が長手方向に整列した列をなして配置される、請求項56に記載の半導体基板(740)。
- 半導体基板(740)内の列の総数がNの整数倍である、請求項56に記載の半導体基板(740)。
- 前記構造はリンクである、請求項56に記載の半導体基板(740)。
- 複数のレーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するための方法であって、
前記構造はほぼ長手方向に延びる列をなして配置され、
半導体基板(740)と交差する第1レーザビーム光軸に沿って伝搬する第1レーザビームを発生するステップと、
半導体基板(740)と交差する第2レーザビーム光軸に沿って伝搬する第2レーザビームを発生するステップと、
第1及び第2レーザビームを前記列の別々の第1及び第2構造の上に同時に導くステップと、
第1及び第2レーザビームのうちの1個または2個以上で前記列の構造を選択的に照射するように、半導体基板(740)に対して第1及び第2レーザビーム光軸を実質的に一斉に前記列の長手方向と実質的に平行な方向に動かすステップとを含む、複数のレーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するための方法。 - 第1及び第2構造は隣接していない、請求項66に記載の方法。
- 第1及び第2構造の近傍の半導体基板(740)に有害な濃度のエネルギーが吸収されることを避けるために十分な距離だけ第1構造は第2構造から離れている、請求項67に記載の方法。
- 第1及び第2構造の間には2個又は3個以上の構造がある、請求項67に記載の方法。
- 第1及び第2構造の間の構造の数は偶数である、請求項69に記載の方法。
- 半導体基板(740)と交差する第3レーザビーム光軸に沿って伝搬する第3レーザビームを発生するステップと、
第3レーザビームを前記列の構造の上に導くステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 第1及び第2レーザビームは、それぞれ第1及び第2セットの光学特性を有し、第1及び第2セットの光学特性は互いに異なる、請求項66に記載の方法。
- 第1レーザビームが半導体基板(740)に到達するのを選択的にブロックするステップと、
第2レーザビームが半導体基板(740)に到達するのを選択的にブロックするステップとを含む、請求項66に記載の方法。 - 前記動かすステップの際に、第1及び第2のレーザビーム光軸の投射場所の間の相対間隔を動的に調整するステップを含む、請求項66に記載の方法。
- 前記構造は導電性があるリンクを含み、リンクの照射は該リンクの切断をもたらす、請求項66に記載の方法。
- 請求項66に記載の方法に従って加工された半導体基板(740)。
- 少なくとも第1及び第2レーザビームを生成するレーザ光源と、第1及び第2レーザビームの伝搬光路と、移動ステージ(660)とを含む、複数のレーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するためのシステムであって、
前記構造はほぼ長手方向に延びる列をなして配置され、
第1レーザビームは第1レーザビームの伝搬光路に沿って半導体基板(740)に向けて伝搬し、第1レーザビームの伝搬光路は第1スポットで半導体基板(740)と交差する第1レーザビーム光軸を有し、
第2レーザビームは第2レーザビームの伝搬光路に沿って半導体基板(740)に向けて伝搬し、第2レーザビームの伝搬光路は第2スポットで半導体基板(740)と交差する第2レーザビーム光軸を有し、第1及び第2スポットは前記列のそれぞれ第1及び第2構造に同時に投射し、第1構造は第2構造とは別個であり、
移動ステージ(660)は、第1及び第2レーザビームのうちの1個または2個以上で同時に前記列の構造を選択的に照射するように、半導体基板(740)に対して前記列の長手方向と実質的に平行な方向に第1及び第2レーザビーム光軸を実質的に一斉に動かす、複数のレーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するためのシステム。 - 前記レーザ光源は、それぞれ第1及び第2のレーザ(720−1、720−2、...)を含む、請求項77に記載のシステム。
- 前記レーザ光源は、レーザ(720)と、ビームスプリッタ(745)とを含み、
ビームスプリッタ(745)は、レーザ(720)と、半導体基板(740)との間の第1及び第2両方のレーザビーム伝搬光路内に配置される、請求項77に記載のシステム。 - 第1光学スイッチ(750)と第2光学スイッチ(750)とを含み、
第1光学スイッチ(750)は、第1レーザビームの伝搬光路内に配置され、選択的に第1レーザビームを透過させるか、第1レーザビームが半導体基板(740)に到達するのをブロックすることができ、
第2光学スイッチ(750)は、第2レーザビームの伝搬光路内に配置され、選択的に第2レーザビームを透過させるか、第2レーザビームが半導体基板(740)に到達するのをブロックすることができる、請求項77に記載のシステム。 - 第1及び第2光学スイッチ(750)はAOMsである、請求項80に記載のシステム。
- 第1及び第2光学スイッチ(750)に接続されたコントローラ(690)を含み、
コントローラ(690)は、選択された構造だけを照射するように第1及び第2光学スイッチ(750)の状態を設定する、請求項80に記載のシステム。 - 第1レーザビーム伝搬光路内に配置され、第1の場所を調整できるビームステアリング機構(760、764、766、768)を含む、請求項77に記載のシステム。
- 第2レーザビーム伝搬光路内に配置され、第2の場所を調整できるビームステアリング機構(760、764、766、768)を含む、請求項77に記載のシステム。
- 第1及び第2のレーザビーム伝搬光路の両方に配置されるビームコンバイナ(765)と、
ビームコンバイナ(765)と半導体基板(740)との間の第1及び第2の両方のレーザビーム伝搬光路内に配置される集光レンズ(730)とを含む、請求項77に記載のシステム。 - 第1レーザビーム伝搬光路内に配置される第1集光レンズ(730A)と、第2レーザビーム伝搬光路内に配置される第2集光レンズ(730B)とを含む、請求項77に記載のシステム。
- 複数のパルス発光レーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するための方法であって、
前記構造はほぼ長手方向に延びる列をなして配置され、
半導体基板(740)と交差する第1レーザビーム光軸に沿って伝搬する第1パルス発光レーザビームを発生するステップと、
半導体基板(740)と交差する第2レーザビーム光軸に沿って伝搬する第2パルス発光レーザビームを発生するステップと、
構造あたり単一のレーザパルスで前記構造を完全に照射するように、第1及び第2パルス発光レーザビームからのそれぞれ第1及び第2パルスを前記列の第1及び第2構造上に向けるステップと、
第1レーザビームか第2レーザビームかのいずれかで前記列の構造を選択的に照射するように、半導体基板(740)に対して前記列の長手方向に実質的に平行な方向に第1パルス発光レーザビーム光軸を実質的に一斉に動かすステップとを含み、
第1構造は第2構造とは別個のものであり、前記動かすステップは、単一のレーザビームだけが前記列の構造を照射するのに用いられる場合の速度より速い速度で動かす、複数のパルス発光レーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するための方法。 - 第1及び第2パルスはそれぞれ第1及び第2構造に同時に送達される、請求項87に記載の方法。
- 前記構造は導電性があるリンクを含み、リンクの照射は該リンクの切断につながる、請求項87に記載の方法。
- 前記構造は、潜在的に導電性があるリンクを含み、リンクの照射は該リンクを電気的に接続することにつながる、請求項87に記載の方法。
- 第1及び第2構造は隣接しない、請求項87に記載の方法。
- 第1及び第2構造の近傍の半導体基板(740)に有害な濃度のエネルギーが吸収されることを避けるために十分な距離だけ第1構造は第2構造から離れている、請求項91に記載の方法。
- 第1及び第2構造の間には2個又は3個以上の構造がある、請求項91に記載の方法。
- 第1及び第2構造の間の構造の数は偶数である、請求項93に記載の方法。
- 第1及び第2レーザビーム光軸はそれぞれ第1及び第2スポットで半導体基板(740)と交差し、第1及び第2スポットは前記列の長手方向と実質的に垂直な方向に互いに少しオフセットがある、請求項87に記載の方法。
- 半導体基板(740)と交差する第3レーザビーム光軸に沿って伝搬する第3レーザビームを発生するステップと、
第3レーザビームを前記列の構造の上に導くステップとを含む、請求項87に記載の方法。 - 第1及び第2レーザビームはそれぞれ第1セットの光学特性及び第2セットの光学特性を有し、第1セットの光学特性と第2セットの光学特性とは互いに異なる、請求項87に記載の方法。
- 第1レーザビームが半導体基板(740)に到達するのを選択的にブロックするステップと、
第2レーザビームが半導体基板(740)に到達するのを選択的にブロックするステップとを含む、請求項87に記載の方法。 - 前記動かすステップの際に、第1及び第2スポットの間の相対間隔を動的に調整するステップを含む、請求項87に記載の方法。
- 請求項87に記載の方法に従って加工された半導体基板(740)。
- 少なくとも第1及び第2レーザビームを生成するレーザ光源と、第1及び第2レーザビームの伝搬光路と、移動ステージ(660)とを含む、複数のパルス発光レーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するためのシステムであって、
前記構造はほぼ長手方向に延びる列をなして配置され、
第1レーザビームは第1レーザビームの伝搬光路に沿って半導体基板(740)に向けて伝搬し、第1レーザビームの伝搬光路は第1スポットで半導体基板(740)と交差する第1レーザビーム光軸を有し、
第2レーザビームは第2レーザビームの伝搬光路に沿って半導体基板(740)に向けて伝搬し、第2レーザビームの伝搬光路は第2スポットで半導体基板(740)と交差する第2レーザビーム光軸を有し、第1及び第2スポットは前記列のそれぞれ第1及び第2構造に投射し、第1構造は第2構造とは別個であり、
移動ステージ(660)は、第1パルス発光レーザビームか、第2パルス発光レーザビームかのいずれかで前記列の構造を選択的に照射して、前記列のいずれかの構造がたった1個のレーザビームパルスによって照射されるように、半導体基板(740)に対して前記列の長手方向と実質的に平行な方向に第1及び第2レーザビーム光軸を実質的に一斉に動かし、これによって、移動ステージ(660)は単一のレーザビームが前記列の構造を照射するのに用いられる場合に要する時間より短い時間で前記列の全長を横切る、複数のパルス発光レーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するためのシステム。 - 前記レーザ光源は、それぞれ第1及び第2のレーザ(720−1、720−2、...)を含む、請求項101に記載のシステム。
- 前記レーザ光源は、レーザ(720)と、ビームスプリッタ(745)とを含み、
ビームスプリッタ(745)は、レーザ(720)と、半導体基板(740)との間の第1及び第2両方のレーザビーム伝搬光路内に配置される、請求項101に記載のシステム。 - 第1光学スイッチ(750)と第2光学スイッチ(750)とを含み、
第1光学スイッチ(750)は、第1レーザビームの伝搬光路内に配置され、選択的に第1レーザビームを透過させるか、第1レーザビームが半導体基板(740)に到達するのをブロックすることができ、
第2光学スイッチ(750)は、第2レーザビームの伝搬光路内に配置され、選択的に第2レーザビームを透過させるか、第2レーザビームが半導体基板(740)に到達するのをブロックすることができる、請求項101に記載のシステム。 - 第1及び第2光学スイッチ(750)はAOMsである、請求項104に記載のシステム。
- 第1及び第2光学スイッチ(750)に接続されたコントローラ(690)を含み、
コントローラ(690)は、選択された構造だけを照射するように第1及び第2光学スイッチ(750)の状態を設定する、請求項104に記載のシステム。 - 第1レーザビーム伝搬光路内に配置され、第1の場所を調整できるビームステアリング機構(760、764、766、768)を含む、請求項101に記載のシステム。
- 第2レーザビーム伝搬光路内に配置され、第2の場所を調整できるビームステアリング機構(760、764、766、768)を含む、請求項101に記載のシステム。
- 第1及び第2のレーザビーム伝搬光路の両方に配置されるビームコンバイナ(765)と、
ビームコンバイナ(765)と半導体基板(740)との間の第1及び第2の両方のレーザビーム伝搬光路内に配置される集光レンズ(730)とを含む、請求項101に記載のシステム。 - 第1レーザビーム伝搬光路内に配置される第1集光レンズ(730A)と、第2レーザビーム伝搬光路内に配置される第2集光レンズ(730B)とを含む、請求項101に記載のシステム。
- 複数のレーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するための方法であって、該構造はほぼ長手方向に延びる列をなして配置され、
半導体基板(740)と交差する第1レーザビーム光軸に沿って伝搬する第1レーザビームを発生するステップと、
半導体基板(740)と交差する第2レーザビーム光軸に沿って伝搬する第2レーザビームを発生するステップと、
前記列の第1及び第2構造の上に第1及び第2レーザビームを導くステップと、
半導体基板(740)に対して前記列の長手方向と実質的に平行な方向に前記列に沿って第1及び第2レーザビームを実質的に一斉に動かすステップとを含み、
第1構造は第2構造とは隣接しない、複数のレーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するための方法。 - 第1レーザビームが半導体基板(740)に到達するのを選択的にブロックするステップと、
第2レーザビームが半導体基板(740)に到達するのを選択的にブロックするステップとを含む、請求項111に記載の方法。 - 第1レーザビームは前記列の1個の構造を第1の期間照射し、その後、第2レーザビームは該1個の構造を第2の期間照射する、請求項111に記載の方法。
- 前記列の選択された構造は、第1レーザビームか第2レーザビームかのいずれかによって照射されるが、第1レーザビーム及び第2レーザビームの両方によって照射されることはなく、前記動かすステップは、単一のレーザビームだけが前記列の構造を照射するのに利用される場合の速度よりも速い速度で動かすことができる、請求項111に記載の方法。
- 第1及び第2構造の近傍の半導体基板(740)に有害な濃度のエネルギーが吸収されることを避けるために十分な距離だけ第1構造は第2構造から離れている、請求項111に記載の方法。
- 第1及び第2構造の間には2個又は3個以上の構造がある、請求項115に記載の方法。
- 第1及び第2構造の間の構造の数は偶数である、請求項116に記載の方法。
- 第1及び第2レーザビーム光軸はそれぞれ第1及び第2スポットで半導体基板(740)と交差し、第1及び第2スポットは前記列の長手方向と実質的に垂直な方向に互いに少しオフセットがある、請求項111に記載の方法。
- 第1及び第2スポットの近傍の半導体基板(740)に有害な濃度のエネルギーが吸収されることを避けるために十分な距離だけ第1スポットは第2スポットから離れている、請求項118に記載の方法。
- 半導体基板(740)と交差する第3レーザビーム光軸に沿って伝搬する第3レーザビームを発生するステップと、
第3レーザビームを前記列の構造の上に導くステップとを含む、請求項111に記載の方法。 - 第1及び第2レーザビームは、それぞれ第1及び第2セットの光学特性を有し、第1及び第2セットの光学特性は互いに異なる、請求項111に記載の方法。
- 前記動かすステップの際に、第1及び第2のレーザビーム光軸の間の相対間隔を動的に調整するステップを含む、請求項111に記載の方法。
- 前記構造は導電性があるリンクを含み、リンクの照射は該リンクの切断をもたらす、請求項111に記載の方法。
- 第1及び第2レーザビームはパルス発光レーザビームである、請求項111に記載の方法。
- 第1及び第2レーザビームはそれぞれ第1及び第2構造の上に同時にパルス発光する、請求項124に記載の方法。
- 請求項111に記載の方法に従って加工された半導体基板(740)。
- 少なくとも第1及び第2レーザビームを発生するレーザ光源と、第1及び第2レーザビームの伝搬光路と、移動ステージ(660)とを含む、複数のレーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するためのシステムであって、
前記構造はほぼ長手方向に延びる列をなして配置され、
第1レーザビームは第1レーザビーム伝搬光路に沿って半導体基板(740)に向かって伝搬し、第1レーザビーム伝搬光路は第1スポットで半導体基板(740)と交差する第1レーザビーム光軸を有し、
第2レーザビームは第2レーザビーム伝搬光路に沿って半導体基板(740)に向かって伝搬し、第2レーザビーム伝搬光路は第2スポットで半導体基板(740)と交差する第2レーザビーム光軸を有し、第1及び第2スポットは前記列の第1及び第2構造の上に投射し、第1構造は第2構造とは隣接せず、
移動ステージ(660)は半導体基板(740)に対して前記列の長手方向と実質的に平行な方向に第1及び第2レーザビーム光軸を実質的に一斉に動かす、複数のレーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するためのシステム。 - 前記レーザ光源は、それぞれ第1及び第2のレーザ(720−1、720−2、...)を含む、請求項127に記載のシステム。
- 前記レーザ光源は、レーザ(720)と、ビームスプリッタ(745)とを含み、
ビームスプリッタ(745)は、レーザ(720)と、半導体基板(740)との間の第1及び第2両方のレーザビーム伝搬光路内に配置される、請求項127に記載のシステム。 - 第1光学スイッチ(750)と第2光学スイッチ(750)とを含み、
第1光学スイッチ(750)は、第1レーザビームの伝搬光路内に配置され、選択的に第1レーザビームを透過させるか、第1レーザビームが半導体基板(740)に到達するのをブロックすることができ、
第2光学スイッチ(750)は、第2レーザビームの伝搬光路内に配置され、選択的に第2レーザビームを透過させるか、第2レーザビームが半導体基板(740)に到達するのをブロックすることができる、請求項127に記載のシステム。 - 第1及び第2光学スイッチ(750)はAOMsである、請求項130に記載のシステム。
- 第1及び第2光学スイッチ(750)に接続されたコントローラ(690)を含み、
コントローラ(690)は、選択された構造だけを照射するように第1及び第2光学スイッチ(750)の状態を設定する、請求項130に記載のシステム。 - 第1レーザビーム伝搬光路内に配置され、第1の場所を調整できるビームステアリング機構(760、764、766、768)を含む、請求項127に記載のシステム。
- 第1及び第2のレーザビーム伝搬光路の両方に配置されるビームコンバイナ(765)と、
ビームコンバイナ(765)と半導体基板(740)との間の第1及び第2の両方のレーザビーム伝搬光路内に配置される集光レンズ(730)とを含む、請求項127に記載のシステム。 - 第1レーザビーム伝搬光路内に配置される第1集光レンズ(730A)と、第2レーザビーム伝搬光路内に配置される第2集光レンズ(730B)とを含む、請求項127に記載のシステム。
- 複数のレーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するための方法であって、
前記構造はほぼ長手方向に延びる列をなして配置され、
半導体基板(740)と交差する第1レーザビーム光軸に沿って伝搬する第1レーザビームを発生するステップと、
半導体基板(740)と交差する第2レーザビーム光軸に沿って伝搬する第2レーザビームを発生するステップと、
第1及び第2レーザビームを前記列のそれぞれ第1及び第2構造の上の第1及び第2スポットの上に導くステップと、
半導体基板(740)に対して前記列の長手方向と実質的に平行な方向に第1及び第2レーザビーム光軸を実質的に一斉に動かすステップとを含み、
第1スポットは第2スポットとは別個であり、第2スポットは、第1スポットから前記列の長手方向と垂直な方向に少しオフセットがある、複数のレーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するための方法。 - 第1レーザビームが半導体基板(740)に到達するのを選択的にブロックするステップと、
第2レーザビームが半導体基板(740)に到達するのを選択的にブロックするステップとを含む、請求項136に記載の方法。 - 第1レーザビームは前記列の1個の構造を第1の期間照射し、その後、第2レーザビームは該1個の構造を第2の期間照射する、請求項136に記載の方法。
- 前記列の選択された構造は、第1レーザビームか第2レーザビームかのいずれかによって照射されるが、第1レーザビーム及び第2レーザビームの両方によって照射されることはなく、前記動かすステップは、単一のレーザビームだけが前記列の構造を照射するのに利用される場合の速度よりも速い速度で動かすことができる、請求項136に記載の方法。
- 第1構造は第2構造とは隣接しない、請求項136に記載の方法。
- 第1及び第2構造の間には2個又は3個以上の構造がある、請求項140に記載の方法。
- 第1及び第2構造の間の構造の数は偶数である、請求項141に記載の方法。
- 第1及び第2構造の近傍の半導体基板(740)に有害な濃度のエネルギーが吸収されることを避けるために十分な距離だけ第1構造は第2構造から離れている、請求項136に記載の方法。
- 第1及び第2レーザビームは、それぞれ第1及び第2セットの光学特性を有し、第1及び第2セットの光学特性は互いに異なる、請求項136に記載の方法。
- 前記構造は導電性があるリンクを含み、リンクの照射は該リンクの切断をもたらす、請求項136に記載の方法。
- 請求項136に記載の方法に従って加工された半導体基板(740)。
- 少なくとも第1及び第2レーザビームを発生するレーザ光源と、第1及び第2レーザビーム伝搬光路と、移動ステージ(660)とを含む、複数のレーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するための方法であって、
前記構造はほぼ長手方向に延びる列をなして配置され、
第1レーザビームは第1レーザビーム伝搬光路に沿って半導体基板(740)に向かって伝搬し、第1レーザビーム伝搬光路は第1スポットで半導体基板(740)と交差する第1レーザビーム光軸を有し、
第2レーザビームは第2レーザビーム伝搬光路に沿って半導体基板(740)に向かって伝搬し、第2レーザビーム伝搬光路は第2スポットで半導体基板(740)と交差する第2レーザビーム光軸を有し、第1及び第2スポットは前記列の第1及び第2構造の上に投射し、第1構造は第2構造とは別個であり、第1及び第2スポットは前記列の長手方向と垂直な方向に少しの距離だけ離れており、
移動ステージ(660)は、半導体基板(740)に対して前記列の長手方向と実質的に平行な方向に第1及び第2レーザビーム光軸を実質的に一斉に動かす、複数のレーザビームを使って半導体基板(740)の上又は内部の構造を選択的に照射するための方法。 - 前記レーザ光源は、それぞれ第1及び第2のレーザ(720−1、720−2、...)を含む、請求項147に記載のシステム。
- 前記レーザ光源は、レーザ(720)と、ビームスプリッタ(745)とを含み、
ビームスプリッタ(745)は、レーザ(720)と、半導体基板(740)との間の第1及び第2両方のレーザビーム伝搬光路内に配置される、請求項147に記載のシステム。 - 第1光学スイッチ(750)と第2光学スイッチ(750)とを含み、
第1光学スイッチ(750)は、第1レーザビームの伝搬光路内に配置され、選択的に第1レーザビームを透過させるか、第1レーザビームが半導体基板(740)に到達するのをブロックすることができ、
第2光学スイッチ(750)は、第2レーザビームの伝搬光路内に配置され、選択的に第2レーザビームを透過させるか、第2レーザビームが半導体基板(740)に到達するのをブロックすることができる、請求項147に記載のシステム。 - 第1及び第2光学スイッチ(750)はAOMsである、請求項150に記載のシステム。
- 第1及び第2光学スイッチ(750)に接続されたコントローラ(690)を含み、
コントローラ(690)は、選択された構造だけを照射するように第1及び第2光学スイッチ(750)の状態を設定する、請求項150に記載のシステム。 - 第1レーザビーム伝搬光路内に配置され、第1の場所を調整できるビームステアリング機構(760、764、766、768)を含む、請求項147に記載のシステム。
- 第2レーザビーム伝搬光路内に配置され、第2の場所を調整できるビームステアリング機構(760、764、766、768)を含む、請求項147に記載のシステム。
- 第1及び第2のレーザビーム伝搬光路の両方に配置されるビームコンバイナ(765)と、
ビームコンバイナ(765)と半導体基板(740)との間の第1及び第2の両方のレーザビーム伝搬光路内に配置される集光レンズ(730)とを含む、請求項147に記載のシステム。 - 第1レーザビーム伝搬光路内に配置される第1集光レンズ(730A)と、第2レーザビーム伝搬光路内に配置される第2集光レンズ(730B)とを含む、請求項147に記載のシステム。
- 半導体基板(740)の上又は内部の選択された構造を加工するためにレーザパルスを使用する方法であって、
前記構造は表面と幅と全長とを有し、前記レーザパルスが前記選択された構造を照射するとき、該レーザパルスは前記基板に対して走査ビーム光路に沿って動く光軸に沿って伝搬し、
前記選択された構造の上に第1及び第2レーザビームパルスを同時に発生するステップであって、第1及び第2レーザビームパルスはそれぞれ第1及び第2レーザビーム光軸に沿って伝搬し、第1及び第2レーザビーム光軸は第1及び第2の場所で前記選択された構造と交差し、第1の場所は第2の場所とは別個であり、第1及び第2レーザビームパルスはそれぞれ第1及び第2ビームスポットを前記選択された構造の上に投射し、該ビームスポットのそれぞれは前記選択された構造の少なくとも幅を包含し、第1及び第2ビームスポットは、第1及び第2ビームスポットの両方に覆われた重複領域と、第1及び第2ビームスポットのうちの一方又は両方に覆われた全領域とを画定するために、前記選択された構造の全長に沿った互いからの空間的なオフセットを有し、前記全領域は、第1ビームスポットより大きく、第2ビームスポットよりも大きい、ステップと、
前記全領域の少なくとも一部で前記選択された構造の幅を横切って該構造の完全な深さ方向加工を起こすために、第1及び第2レーザビームパルスのそれぞれ第1及び第2エネルギー値を設定するステップとを含む、半導体基板(740)の上又は内部の選択された構造を加工するためにレーザパルスを使用する方法。 - 第1及び第2レーザビーム光軸が前記走査ビーム光路に沿って動くときに、前記選択された構造の完全な深さ方向加工をオンザフライで起こすために、第1及び第2レーザビームパルスの間の時間遅延を確立するステップを含む、請求項157に記載の方法。
- 前記時間遅延は、前記選択された構造の近傍に有害な濃度のエネルギーが吸収されることを避けるのに十分な大きさである、請求項158に記載の方法。
- 第1及び第2ビームスポットは、前記選択された構造の長手方向と垂直な方向に互いからの空間的なオフセットを有する、請求項158に記載の方法。
- 第1及び第2レーザエネルギービームパルスはほぼ等しいエネルギーを有する、請求項157に記載の方法。
- 第1及び第2ビームスポットはレーザビームサイズがほぼ等しい、請求項157に記載の方法。
- 第1及び第2ビームスポットの前記空間的なオフセットは、前記レーザビームスポットのサイズの約50%未満である、請求項162に記載の方法。
- 第2レーザビームパルスは第1レーザビームパルスと異なる光学特性が少なくとも1つある、請求項157に記載の方法。
- 前記選択された構造は導電性のあるリンクで、前記加工の目的は、前記リンクを切断するためである、請求項157に記載の方法。
- 前記分割するステップは、
前記単一のレーザビームを予め定められた角度だけ離れた2本のビームに回折するステップを含み、
前記2本のビームは、前記選択された構造の全長に沿って該選択された構造の上に第1及び第2ビームスポットを形成するために、1個または2個以上の光学コンポーネントを通過し、第1及び第2ビームスポットの空間的なオフセットを達成する、請求項165に記載の方法。 - 請求項157に記載の方法に従って加工された半導体基板(740)。
- パルス発光レーザと、第1及び第2レーザビーム伝搬光路とを含むシステムであって、
第1及び第2レーザビーム伝搬光路は前記パルス発光レーザから半導体基板(740)の上の第1及び第2の場所に延び、第1の場所は第2の場所とは別個であり、半導体基板(740)は前記パルス発光レーザからの照射によって加工できる構造を含み、該構造は表面と幅と全長とを有し、1個のパルスの間に第1及び第2ビームスポットは、該ビームスポットのそれぞれが前記構造の少なくとも幅を包含するように、前記構造の上の第1及び第2の場所の上を投射し、第1及び第2ビームスポットは、第1及び第2ビームスポットの両方に覆われた重複領域と、第1及び第2ビームスポットのうちの一方又は両方に覆われた全領域とを画定するために、前記選択された構造の全長に沿った互いからの空間的なオフセットを有し、前記全領域は、第1ビームスポットより大きく、第2ビームスポットよりも大きく、前記パルスは、前記全領域の少なくとも一部で前記構造の幅を横切って完全な深さ方向加工を起こすエネルギーで、前記選択された構造の第1及び第2ビームスポットを照射する、システム。 - 第1及び第2の両方の伝搬光路内に配置されるビームスプリッタ(745)を含み、
ビームスプリッタ(745)は、RF出力レベル及びRF周波数を有するRFシグナルを受け入れるための入力を有し、ビームスプリッタ(745)を通過するレーザビームをビームスプリッタ(745)は予め定められた角度だけ離れた2本のビームに回折する、請求項168に記載のシステム。 - 第1及び第2ビームスポットの前記空間的なオフセットは前記レーザビームスポットのサイズの約50%未満であり、該空間的なオフセットはビームスプリッタ(745)に供給される前記RFシグナルのRF周波数によって決定される、請求項169に記載のシステム。
- 第1及び第2伝搬光路は全長が異なり、前記構造の上に入射する第1及び第2ビームスポットの間の前記レーザパルスの時間遅延を確立する、請求項168に記載のシステム。
- 、
第1及び第2伝搬光路のうちの1つは予め定められた全長のファイバーを含む、請求項168に記載のシステム。 - 第1及び第2伝搬光路のうちの1つは光学エレメント(735)を含み、光学エレメント(735)は、第1及び第2ビームスポットに到達するパルスが異なる光学特性を有するように、光学特性を変化させる、請求項168に記載のシステム。
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