JPH02137682A - 半導体集積回路のレーザーリペア装置 - Google Patents

半導体集積回路のレーザーリペア装置

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JPH02137682A
JPH02137682A JP63289548A JP28954888A JPH02137682A JP H02137682 A JPH02137682 A JP H02137682A JP 63289548 A JP63289548 A JP 63289548A JP 28954888 A JP28954888 A JP 28954888A JP H02137682 A JPH02137682 A JP H02137682A
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JP
Japan
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laser
fuses
wafer
repair device
laser light
Prior art date
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Pending
Application number
JP63289548A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Nishimura
浩 西村
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NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ＩＣのウェハー状態での電気的特性試験にお
いて、リタンダンシ−回路を用いたＩＣの電気的特性試
験装置（以下ＩＣテスタという）により収集したヒユー
ズカット情報により、ＩＣのヒユーズカットを実行する
半導体集積回路のレーザーリペア装置に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
従来のレーザーリペア装置はＩＣテスタにより収集され
たヒユーズカット情報をもとに、１個のＩＣのヒユーズ
にレーザー光を照射することにより、ヒユーズカットを
実行するようになっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のレーザーリペア装置は、ＩＣテスタによ
り収集されたヒユーズカット情報をもとに、１個のＩＣ
のヒユーズ毎にレーザー光を照射することによりヒユー
ズカットを実行するようになっているが、近来のＩＣの
高集積度化によりリダンダンシー回路を用いたＩＣが増
加し、さらに高歩留りが期待され、回路上のヒユーズの
本数も倍増するため、従来の装置ではその処理能力が低
下するうえ、設備が高価なため、ＩＣ１個当たりのコス
トが増加するという欠点があった。
本発明の目的は上記課題を解消した半導体集積回路のレ
ーザーリペア装置を提供することにある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来のレーザーリペア装置は１個のＩＣにのみ
ヒユーズカットを実行するのに対し、本発明は、多数個
のＩＣのヒユーズカットを同時に実行するという相違点
を有する。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本発明は電気的特性試験装置
により収集したヒユーズカット情報のデータに基いて、
ウェハー上のＩＣのヒユーズにレーザー光を照射してヒ
ユーズカットを行なうレーザーリペア装置において、光
源から出光したレーザー光を２以上に分岐させて前記ウ
ェハー上の複数のＩＣのヒユーズに同時に照射する光学
系と、前記各々の光学系に設置して光路を開閉するシャ
ッターユニットと、ヒユーズカット情報のデータに基い
て前記各シャッターユニットの開閉を制御するコントロ
ーラとを有するものである。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１） 第１図は本発明の第１の実施例を示す概略図、第２図は
第１図のＡ部分の縦断面図である。
図において、本発明はＹＡＧレーザー発振器５から出光
したレーザー光を２以上に分岐させてウェハー上の複数
のＩＣのヒユーズに同時に照射する光学系と、各々の光
学系に設置して光路を開閉するシャッターユニット２．
３と、シャッターユニット２．３の開閉を制御するコン
トローラ１９゜２０を装備している。前記光学系はＹＡ
Ｇレーザー発振器５．５ＨＧ６、アッティネータ９，１
０、ビームエキスパンダ１１、半反射ミラー１４、全反
射ミラー１５等を含む。４はＩＴＶ、７はジュールメー
タ、８，１２はライトガイド、１３はアパーチャである
。
実施例において、ＹＡＧレーザー発振器５より照射され
たレーザー光は、５ＨＧ６により整波され、アッティネ
ータ９および１０により適正なエネルギーに調整され、
ビームエキスパンダ１１により垂直方向に拡大されアパ
ーチャ１３により適正な大きさに絞られる。その後第２
図のように半反射ミラー１４で反射したレーザー光はシ
ャッターユニット２を通り、ウェハー１上のＩＣのヒユ
ーズへ照射される。
一方、前記半反射ミラー１４を透過したレーザー光は全
反射ミラー１５により、シャッターユニット３の対物レ
ンズおよびシャッター１６を通り、ウェハー１上の異な
るＩＣのヒユーズへ同時に照射される。シャッター１６
．１７は、ヒユーズにレーザー光を照射するか否かを制
御するコントローラー９゜２０からの情報により開閉す
る。ジュールメータ７は、レーザー光のエネルギーを測
定するものである。
また、ウェハー１の状態は、ＩＴＶ４でモニター画面に
写し出される。ライトガイド８．１２はその照明である
。
以上実施例では、光学系の光路を２系列に分岐してＩＣ
のヒユーズに同時にレーザー光を照射する例を示したが
、反射ミラー及びシャッターユニット並びにコントロー
ラの組を増設することにより、さらに多くのＩＣのヒユ
ーズカットを同時に行なうことができる。
（実施例２） 第３図は本発明の第２の実施例を示す縦断面図である。
図において、本実施例はシャッターユニット２３の下部
にはさらに全反射ミラー１８ａ　、　１８ｂの組を配置
したものである。全反射ミラー１８ａは各シャッターユ
ニット２．３を通過した光の光路を直角に変換し、さら
に全反射ミラー１８ｂは、全反射ミラー１８ａで反射し
たレーザー光をウェハー１上の任意の位置へ照射するも
のである。この実施例は、前記全反射ミラー１８ｂを移
動させることにより２つのレーザー光を任意の間隔にと
れるため、ＩＣのチップサイズが小さいものにもレーザ
ー光が照射できるという利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はＩＣテスタにより収集され
たヒユーズカット情報をもとに、複数個のＩＣのヒユー
ズにレーザー光を同時に照射することにより、装置の処
理能力をアップできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例を示す概略図、第２図は
第１図のＡ部分の要部縦断面図、第３図は本発明の第２
の実施例を示す要部縦断面図である。 １・・・ウェハー ２．３・・・シャッターユニット ４・・・ＩＴＶ ５・・・ＹＡＧレーザー発振器 ６・・・ＳＨＧ　　　　　　　７・・・ジュールメータ
８・・・ライトガイド　　　９・・・アッティネータ１
０・・・アッティネータ １１・・・ビームエキスパンダ １２・・・ライトガイド　　　１３・・・アパーチャ１
４・・・半反射ミラー　　　１５・・・全反射ミラー１
６、１７・・・シャッター １８ａ、　１８ｂ・・・全反射ミラー ２０・・・コントローラ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）電気的特性試験装置により収集したヒューズカッ
    ト情報のデータに基いて、ウェハー上のＩＣのヒューズ
    にレーザー光を照射してヒューズカットを行なうレーザ
    ーリペア装置において、光源から出光したレーザー光を
    ２以上に分岐させて前記ウェハー上の複数のＩＣのヒュ
    ーズに同時に照射する光学系と、前記各々の光学系に設
    置して光路を開閉するシャッターユニットと、ヒューズ
    カット情報のデータに基いて前記各シャッターユニット
    の開閉を制御するコントローラとを有することを特徴と
    するレーザーリペア装置。
JP63289548A 1988-11-16 1988-11-16 半導体集積回路のレーザーリペア装置 Pending JPH02137682A (ja)

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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5670067A (en) * 1993-08-04 1997-09-23 Fujitsu Limited Apparatus for laser cutting wiring in accordance with a measured size of the wiring
JP2008503877A (ja) * 2004-06-18 2008-02-07 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 複数のレーザビームスポットを使用する半導体構造加工
US7425471B2 (en) 2004-06-18 2008-09-16 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset
US7435927B2 (en) 2004-06-18 2008-10-14 Electron Scientific Industries, Inc. Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset
US7521649B2 (en) * 2003-11-13 2009-04-21 Seiko Epson Corporation Laser processing apparatus and laser processing method
US7629234B2 (en) 2004-06-18 2009-12-08 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling
US7633034B2 (en) 2004-06-18 2009-12-15 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure
US7666759B2 (en) 2002-03-27 2010-02-23 Gsi Lumonics Corporation Method and system for high-speed, precise micromachining an array of devices
US7687740B2 (en) 2004-06-18 2010-03-30 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows
US7935941B2 (en) 2004-06-18 2011-05-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures
US8049135B2 (en) * 2004-06-18 2011-11-01 Electro Scientific Industries, Inc. Systems and methods for alignment of laser beam(s) for semiconductor link processing
US8110775B2 (en) * 2004-06-18 2012-02-07 Electro Scientific Industries, Inc. Systems and methods for distinguishing reflections of multiple laser beams for calibration for semiconductor structure processing
US8148211B2 (en) 2004-06-18 2012-04-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis delivered simultaneously
US8193468B2 (en) 2001-03-29 2012-06-05 Gsi Group Corporation Methods and systems for precisely relatively positioning a waist of a pulsed laser beam and method and system for controlling energy delivered to a target structure
JP2012138597A (ja) * 2004-06-18 2012-07-19 Electro Scientific Industries Inc 複数のレーザビームスポットを使用する半導体構造加工

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5670067A (en) * 1993-08-04 1997-09-23 Fujitsu Limited Apparatus for laser cutting wiring in accordance with a measured size of the wiring
US8193468B2 (en) 2001-03-29 2012-06-05 Gsi Group Corporation Methods and systems for precisely relatively positioning a waist of a pulsed laser beam and method and system for controlling energy delivered to a target structure
US7666759B2 (en) 2002-03-27 2010-02-23 Gsi Lumonics Corporation Method and system for high-speed, precise micromachining an array of devices
US7521649B2 (en) * 2003-11-13 2009-04-21 Seiko Epson Corporation Laser processing apparatus and laser processing method
US7687740B2 (en) 2004-06-18 2010-03-30 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows
US7629234B2 (en) 2004-06-18 2009-12-08 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling
US7633034B2 (en) 2004-06-18 2009-12-15 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure
US7435927B2 (en) 2004-06-18 2008-10-14 Electron Scientific Industries, Inc. Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset
US7425471B2 (en) 2004-06-18 2008-09-16 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset
US7923306B2 (en) 2004-06-18 2011-04-12 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots
US7935941B2 (en) 2004-06-18 2011-05-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures
US8049135B2 (en) * 2004-06-18 2011-11-01 Electro Scientific Industries, Inc. Systems and methods for alignment of laser beam(s) for semiconductor link processing
US8110775B2 (en) * 2004-06-18 2012-02-07 Electro Scientific Industries, Inc. Systems and methods for distinguishing reflections of multiple laser beams for calibration for semiconductor structure processing
US8148211B2 (en) 2004-06-18 2012-04-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis delivered simultaneously
JP2008503877A (ja) * 2004-06-18 2008-02-07 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 複数のレーザビームスポットを使用する半導体構造加工
JP2012138597A (ja) * 2004-06-18 2012-07-19 Electro Scientific Industries Inc 複数のレーザビームスポットを使用する半導体構造加工

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