JPH06320292A - レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法 - Google Patents
レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法Info
- Publication number
- JPH06320292A JPH06320292A JP5125494A JP12549493A JPH06320292A JP H06320292 A JPH06320292 A JP H06320292A JP 5125494 A JP5125494 A JP 5125494A JP 12549493 A JP12549493 A JP 12549493A JP H06320292 A JPH06320292 A JP H06320292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- irradiated
- irradiation
- passage hole
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Heat Treatment Of Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 不要な部分への照射による被照射物の破損や
欠陥等が生じることなくアニールを行うレーザーアニー
ル装置及びレーザーアニール方法を提供する。 【構成】 半導体ウエハ６と、レーザー光１を反射する
反射鏡２との間に介在するマスク板３に設けられた、開
閉自在のレーザー通過孔４に前記レーザー光１を通過さ
せ、前記半導体ウエハ６に照射を行い、次に前記レーザ
ー通過孔４を閉じ前記レーザー光１を遮光することによ
り照射が不要な部分への照射を防ぎ、その間に前記半導
体ウエハ６を載置している半導体ウエハステージ５を所
定位置まで移動させ、次の照射予定部分への照射準備を
完了する。
欠陥等が生じることなくアニールを行うレーザーアニー
ル装置及びレーザーアニール方法を提供する。 【構成】 半導体ウエハ６と、レーザー光１を反射する
反射鏡２との間に介在するマスク板３に設けられた、開
閉自在のレーザー通過孔４に前記レーザー光１を通過さ
せ、前記半導体ウエハ６に照射を行い、次に前記レーザ
ー通過孔４を閉じ前記レーザー光１を遮光することによ
り照射が不要な部分への照射を防ぎ、その間に前記半導
体ウエハ６を載置している半導体ウエハステージ５を所
定位置まで移動させ、次の照射予定部分への照射準備を
完了する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板等の被照射
物を、エキシマレーザーを用いてアニールするレーザー
アニール装置及びレーザーアニール方法に関する。
物を、エキシマレーザーを用いてアニールするレーザー
アニール装置及びレーザーアニール方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置製造において、半導体
ウエハ表面の結晶性回復や導入不純物の活性化のため、
該半導体ウエハ表面のレーザーアニールが行われている
が、従来のレーザーアニール装置及びレーザーアニール
方法においては、特開平２−１８１４１９号公報に開示
のように、半導体基板等の被照射物の全面にレーザーが
均一照射されるよう走査させていた。
ウエハ表面の結晶性回復や導入不純物の活性化のため、
該半導体ウエハ表面のレーザーアニールが行われている
が、従来のレーザーアニール装置及びレーザーアニール
方法においては、特開平２−１８１４１９号公報に開示
のように、半導体基板等の被照射物の全面にレーザーが
均一照射されるよう走査させていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザーアニー
ル装置及びレーザーアニール方法においては、エキシマ
レーザーが被照射物の全面に照射されるので、例えば半
導体基板への照射においては、高エネルギー密度のレー
ザーが全てのパターンに照射されるため、熱伝導率の小
さいゲート酸化膜上のゲート薄膜や細線パターンに、ク
ラックやパターン変形が生じ易いという問題があった。
ル装置及びレーザーアニール方法においては、エキシマ
レーザーが被照射物の全面に照射されるので、例えば半
導体基板への照射においては、高エネルギー密度のレー
ザーが全てのパターンに照射されるため、熱伝導率の小
さいゲート酸化膜上のゲート薄膜や細線パターンに、ク
ラックやパターン変形が生じ易いという問題があった。
【０００４】そこで本発明は、照射が不要な部分への照
射を防ぐことにより、破損や欠陥等が生じることなく、
歩留り良く例えば半導体装置等を製造することのでき
る、レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法を
提供することを目的とする。
射を防ぐことにより、破損や欠陥等が生じることなく、
歩留り良く例えば半導体装置等を製造することのでき
る、レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係るレーザーアニール装置は、被照射物が
載置されており、水平面上を任意に移動可能なステージ
と、前記被照射物の上方に位置し、入射してくるレーザ
ー光を反射して、前記被照射物に照射するための反射鏡
と、前記反射鏡と被照射物との間に介在し、その央部に
レーザー通過孔を有し、前記反射鏡からのレーザー光
を、照射が必要な場合には該レーザー通過孔を開孔状態
にしてレーザー光を通過させ、照射が不必要な場合には
閉孔状態にしてレーザー光を遮るマスク板と、前記レー
ザー通過孔を開閉するための開閉調節手段とを有する。
その場合、前記開閉調節手段は、開孔部を有するシャッ
ター板と、該シャッター板に接続され該シャッター板を
前記マスク板と平行になるように保持しながら該マスク
板と平行な方向に移動させ、前記シャッター板上の開孔
部とマスク板上のレーザー通過孔とを重ね合わせ或は互
いに遠ざけることにより、マスク板上のレーザー通過孔
の開閉を行うためのエアーシリンダーとを有することが
好ましい。
に、本発明に係るレーザーアニール装置は、被照射物が
載置されており、水平面上を任意に移動可能なステージ
と、前記被照射物の上方に位置し、入射してくるレーザ
ー光を反射して、前記被照射物に照射するための反射鏡
と、前記反射鏡と被照射物との間に介在し、その央部に
レーザー通過孔を有し、前記反射鏡からのレーザー光
を、照射が必要な場合には該レーザー通過孔を開孔状態
にしてレーザー光を通過させ、照射が不必要な場合には
閉孔状態にしてレーザー光を遮るマスク板と、前記レー
ザー通過孔を開閉するための開閉調節手段とを有する。
その場合、前記開閉調節手段は、開孔部を有するシャッ
ター板と、該シャッター板に接続され該シャッター板を
前記マスク板と平行になるように保持しながら該マスク
板と平行な方向に移動させ、前記シャッター板上の開孔
部とマスク板上のレーザー通過孔とを重ね合わせ或は互
いに遠ざけることにより、マスク板上のレーザー通過孔
の開閉を行うためのエアーシリンダーとを有することが
好ましい。
【０００６】また、本発明に係るレーザーアニール方法
は、被照射物と、レーザー光を反射する反射鏡との間に
介在するマスク板に設けられたレーザー通過孔を開ける
工程と、この工程の後、前記レーザー通過孔にレーザー
光を通過させ、前記被照射物に照射する工程と、この工
程の後、前記レーザー光の不要な部分への照射を防ぐた
め前記レーザー通過孔を閉じる工程と、この工程の後、
前記被照射物を載置しているステージを所定位置まで移
動させ、次の照射予定部分への照射準備をする工程とを
有する。
は、被照射物と、レーザー光を反射する反射鏡との間に
介在するマスク板に設けられたレーザー通過孔を開ける
工程と、この工程の後、前記レーザー通過孔にレーザー
光を通過させ、前記被照射物に照射する工程と、この工
程の後、前記レーザー光の不要な部分への照射を防ぐた
め前記レーザー通過孔を閉じる工程と、この工程の後、
前記被照射物を載置しているステージを所定位置まで移
動させ、次の照射予定部分への照射準備をする工程とを
有する。
【０００７】
【作用】本発明においては、被照射物と、レーザー光を
反射する反射鏡との間に開閉自在のレーザー通過孔を有
するマスク板を設け、前記レーザー通過孔に前記レーザ
ー光を通過させ前記被照射物に照射した後、前記レーザ
ー通過孔を閉じ前記レーザー光を遮光して不要な部分へ
の照射を防ぐことにより、欠陥や破損等が生じることな
く、被照射物を照射することができる。
反射する反射鏡との間に開閉自在のレーザー通過孔を有
するマスク板を設け、前記レーザー通過孔に前記レーザ
ー光を通過させ前記被照射物に照射した後、前記レーザ
ー通過孔を閉じ前記レーザー光を遮光して不要な部分へ
の照射を防ぐことにより、欠陥や破損等が生じることな
く、被照射物を照射することができる。
【０００８】
【実施例】以下、図１及び図２を用いて本発明に係るレ
ーザーアニール装置及びレーザーアニール方法を半導体
ウエハのアニールに適用した一実施例を説明する。図１
は実施例における装置の概略斜視図、図２はその装置の
マスク板及び開閉調節手段部分の拡大斜視図である。
ーザーアニール装置及びレーザーアニール方法を半導体
ウエハのアニールに適用した一実施例を説明する。図１
は実施例における装置の概略斜視図、図２はその装置の
マスク板及び開閉調節手段部分の拡大斜視図である。
【０００９】このレーザーアニール装置は、被照射物で
ある半導体ウエハ６が載置されており、水平面上を任意
に移動可能な半導体ウエハステージ５の上方に、入射し
てくるレーザー光（エキシマレーザー）１を反射して、
前記半導体ウエハ６に照射するための反射鏡２が配置さ
れており、反射鏡２と半導体ウエハ６との間には、その
央部にレーザー光１が通過するためのレーザー通過孔４
を有するマスク板３が配置され、マスク板３には、反射
鏡２からのレーザー光１を、照射が必要な場合にはレー
ザー通過孔４を開孔状態にしてレーザー光１を通過さ
せ、照射が不必要な場合には閉孔状態にしてレーザー光
１を遮るようにする開閉調節手段１１が接続されてい
る。図２に示すように、開閉調節手段１１は、開孔部１
３を有するシャッター板１２と、シャッター板１２に接
続されシャッター板１２をマスク板３と平行になるよう
に保持しながらマスク板３と平行な方向に移動させ開孔
部１３とレーザー通過孔４とを重ね合わせ或は互いに遠
ざけることによりレーザー通過孔４の開閉を行うエアー
シリンダー１４とを有している。
ある半導体ウエハ６が載置されており、水平面上を任意
に移動可能な半導体ウエハステージ５の上方に、入射し
てくるレーザー光（エキシマレーザー）１を反射して、
前記半導体ウエハ６に照射するための反射鏡２が配置さ
れており、反射鏡２と半導体ウエハ６との間には、その
央部にレーザー光１が通過するためのレーザー通過孔４
を有するマスク板３が配置され、マスク板３には、反射
鏡２からのレーザー光１を、照射が必要な場合にはレー
ザー通過孔４を開孔状態にしてレーザー光１を通過さ
せ、照射が不必要な場合には閉孔状態にしてレーザー光
１を遮るようにする開閉調節手段１１が接続されてい
る。図２に示すように、開閉調節手段１１は、開孔部１
３を有するシャッター板１２と、シャッター板１２に接
続されシャッター板１２をマスク板３と平行になるよう
に保持しながらマスク板３と平行な方向に移動させ開孔
部１３とレーザー通過孔４とを重ね合わせ或は互いに遠
ざけることによりレーザー通過孔４の開閉を行うエアー
シリンダー１４とを有している。
【００１０】まず、レーザー光１は、反射鏡２へ入射し
反射鏡２で反射され、マスク板３に開設されたレーザー
通過孔４を通過して、半導体ウエハステージ５上に載置
されている半導体ウエハ６に形成された第一のチップ７
ａに照射される。この時、反射鏡２の傾きを変化させる
ことにより、レーザー光１のチップ７ａへの照射位置を
変えることができる。
反射鏡２で反射され、マスク板３に開設されたレーザー
通過孔４を通過して、半導体ウエハステージ５上に載置
されている半導体ウエハ６に形成された第一のチップ７
ａに照射される。この時、反射鏡２の傾きを変化させる
ことにより、レーザー光１のチップ７ａへの照射位置を
変えることができる。
【００１１】このようにして第一のチップ７ａへの照射
が完了した後、レーザー通過孔４を、シャッター板１２
をエアーシリンダー１４により移動することにより閉
じ、レーザー光１を遮光し照射が不要な部分への照射を
防ぎながら半導体ウエハステージ５を図１中のＸ，Ｙ方
向に沿って移動させ、第二のチップ７ｂへ照射できるよ
う所定位置に位置決めする。
が完了した後、レーザー通過孔４を、シャッター板１２
をエアーシリンダー１４により移動することにより閉
じ、レーザー光１を遮光し照射が不要な部分への照射を
防ぎながら半導体ウエハステージ５を図１中のＸ，Ｙ方
向に沿って移動させ、第二のチップ７ｂへ照射できるよ
う所定位置に位置決めする。
【００１２】次に、レーザー通過孔４を開き、前記チッ
プ７ａに対して行ったのと同様にしてチップ７ｂに照射
を行う。
プ７ａに対して行ったのと同様にしてチップ７ｂに照射
を行う。
【００１３】以上のような一連の動作の繰返しにより半
導体ウエハ６上の全てのチップに対するレーザーアニー
ルを行う。
導体ウエハ６上の全てのチップに対するレーザーアニー
ルを行う。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、必
要な部分にのみレーザー光を照射することにより、不要
なレーザー光の照射による例えば半導体装置の微細パタ
ーン等に対する悪影響を防止することができる。
要な部分にのみレーザー光を照射することにより、不要
なレーザー光の照射による例えば半導体装置の微細パタ
ーン等に対する悪影響を防止することができる。
【図１】本発明に係るレーザーアニール装置及びレーザ
ーアニール方法を半導体ウエハのアニールに適用した一
実施例における装置の概略斜視図である。
ーアニール方法を半導体ウエハのアニールに適用した一
実施例における装置の概略斜視図である。
【図２】上記実施例装置のマスク板及び開閉調節手段部
分の拡大斜視図である。
分の拡大斜視図である。
１ レーザー光 ２ 反射鏡 ３ マスク板 ４ レーザー通過孔 ５ 半導体ウエハステージ ６ 半導体ウエハ（被照射物） １１ 開閉調節手段 １２ シャッター板 １３ 開孔部 １４ エアーシリンダー
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/00 Ｂ 8934−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 エキシマレーザーを被照射物に照射して
アニール処理を行うレーザーアニール装置において、 前記被照射物が載置されており、水平面上を任意に移動
可能なステージと、 前記被照射物の上方に位置し、入射してくるレーザー光
を反射して、前記被照射物に照射するための反射鏡と、 前記反射鏡と被照射物との間に介在し、その央部にレー
ザー通過孔を有し、前記反射鏡からのレーザー光を、照
射が必要な場合には該レーザー通過孔を開孔状態にして
レーザー光を通過させ、照射が不必要な場合には閉孔状
態にしてレーザー光を遮るマスク板と、 前記レーザー通過孔を開閉するための開閉調節手段と、
を有することを特徴とするレーザーアニール装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のレーザーアニール装置
において、前記開閉調節手段が、開孔部を有するシャッ
ター板と、該シャッター板に接続され該シャッター板を
前記マスク板と平行になるように保持しながら該マスク
板と平行な方向に移動させ、前記シャッター板上の開孔
部とマスク板上のレーザー通過孔とを重ね合わせ或は互
いに遠ざけることにより、マスク板上のレーザー通過孔
の開閉を行うためのエアーシリンダーとを備えているこ
とを特徴とするレーザーアニール装置。 - 【請求項３】 エキシマレーザーを被照射物に照射して
アニール処理を行うレーザーアニール方法において、 前記被照射物と、レーザー光を反射する反射鏡との間に
介在するマスク板に設けられたレーザー通過孔を開ける
第一の工程と、 前記レーザー通過孔にレーザー光を通過させ、前記被照
射物に照射する第二の工程と、 この第二の工程の後、前記レーザー光の不要な部分への
照射を防ぐため前記レーザー通過孔を閉じる第三の工程
と、 この第三の工程の後、前記被照射物を載置しているステ
ージを所定位置まで移動させ、次の照射予定部分への照
射準備をする第四の工程と、を有することを特徴とする
レーザーアニール方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5125494A JPH06320292A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5125494A JPH06320292A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06320292A true JPH06320292A (ja) | 1994-11-22 |
Family
ID=14911494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5125494A Withdrawn JPH06320292A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06320292A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6989300B1 (en) | 1999-07-13 | 2006-01-24 | Nec Corporation | Method for forming semiconductor films at desired positions on a substrate |
| US7482552B2 (en) * | 2003-06-30 | 2009-01-27 | Lg Display Co., Ltd. | Laser crystallizing device and method for crystallizing silicon |
| US7551655B2 (en) | 2003-12-02 | 2009-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method and method for manufacturing semiconductor device |
| US7608527B2 (en) | 2003-12-26 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method and method for manufacturing crystalline semiconductor film |
| US7635412B2 (en) * | 2003-08-18 | 2009-12-22 | Lg Display Co., Ltd. | Crystallizing silicon using a laser beam transmitted through a mask |
| JP2011056536A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| WO2013191863A1 (en) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | Applied Materials, Inc. | Aperture control of thermal processing radiation |
| CN104498677A (zh) * | 2015-01-04 | 2015-04-08 | 宁波英飞迈材料科技有限公司 | 一种高通量微区快速热处理设备及其热处理方法 |
| CN106098599A (zh) * | 2016-08-17 | 2016-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种激光退火装置及其控制方法 |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP5125494A patent/JPH06320292A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6989300B1 (en) | 1999-07-13 | 2006-01-24 | Nec Corporation | Method for forming semiconductor films at desired positions on a substrate |
| US7482552B2 (en) * | 2003-06-30 | 2009-01-27 | Lg Display Co., Ltd. | Laser crystallizing device and method for crystallizing silicon |
| US7635412B2 (en) * | 2003-08-18 | 2009-12-22 | Lg Display Co., Ltd. | Crystallizing silicon using a laser beam transmitted through a mask |
| US7551655B2 (en) | 2003-12-02 | 2009-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method and method for manufacturing semiconductor device |
| US7608527B2 (en) | 2003-12-26 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method and method for manufacturing crystalline semiconductor film |
| JP2011056536A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| WO2013191863A1 (en) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | Applied Materials, Inc. | Aperture control of thermal processing radiation |
| US8785815B2 (en) | 2012-06-22 | 2014-07-22 | Applied Materials, Inc. | Aperture control of thermal processing radiation |
| KR20150022973A (ko) * | 2012-06-22 | 2015-03-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 열 처리 복사의 애퍼쳐 제어 |
| CN104498677A (zh) * | 2015-01-04 | 2015-04-08 | 宁波英飞迈材料科技有限公司 | 一种高通量微区快速热处理设备及其热处理方法 |
| CN106098599A (zh) * | 2016-08-17 | 2016-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种激光退火装置及其控制方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW546684B (en) | Process and mask projection system for laser crystallization processing of semiconductor film regions on a substrate | |
| US4940508A (en) | Apparatus and method for forming die sites in a high density electrical interconnecting structure | |
| JP4220156B2 (ja) | 逐次的横方向結晶化法による処理中及び処理後のシリコンフィルムの表面平坦化法 | |
| US20080151951A1 (en) | Laser optical system | |
| JPH06320292A (ja) | レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法 | |
| JPH01256114A (ja) | レーザアニール方法 | |
| WO2005029548A2 (en) | System and process for providing multiple beam sequential lateral solidification | |
| US5097137A (en) | Light irradiation apparatus used in manufacturing semiconductor device | |
| JPH02137682A (ja) | 半導体集積回路のレーザーリペア装置 | |
| JP4518369B2 (ja) | 半導体結晶層の製造方法、レーザ照射方法、マルチパターンマスクおよびレーザ照射システム | |
| JP2550370B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS6352442A (ja) | 配線形成方法 | |
| JP5013235B2 (ja) | イオン注入装置およびイオン注入方法 | |
| JP3413484B2 (ja) | レーザアニーリング装置 | |
| JP3842480B2 (ja) | リソグラフ投影装置 | |
| JPH01276621A (ja) | ビームアニール装置 | |
| JPH04356393A (ja) | レーザ加工光学系及びレーザ加工方法 | |
| JPH04171717A (ja) | ステップアンドリピート式のレーザ結晶化方法及びレーザ光照射方法 | |
| JP2548961B2 (ja) | レーザ熱処理装置 | |
| JPH05102062A (ja) | エキシマレーザ光照射装置 | |
| KR100285580B1 (ko) | 웨이퍼 에지 노광 장치 | |
| KR20180109241A (ko) | 레이저 어닐링시스템 | |
| KR100514396B1 (ko) | 레이저를 이용한 반도체 기판 처리 시스템 및 방법 | |
| TW201248699A (en) | Crystallization apparatus and method of amorphous film | |
| JP2973737B2 (ja) | 露光方法およびその実施に用いる露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |