CN106098599A - 一种激光退火装置及其控制方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 76
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 25
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 claims description 11
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
本发明实施例提供一种激光退火装置及其控制方法,涉及薄膜制备技术领域。通过调光元件的开启和关闭,控制激光器照射在调光板上对应位置的发射源的通过或阻断,以在待退火膜层上形成与预设退火图案相匹配的退火图案,对待退火膜层进行退火。退火图案能够根据预设退火图案进行相应的调整改变,实现同一激光退火装置的多产品共用,节省了对每款产品配备专用退火掩膜版的生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜制备技术领域,尤其涉及一种激光退火装置及其控制方法。
背景技术
激光退火(Laser Annealing)是利用有一定能量(Power)的激光光束,快速的在半导体衬底表面进行扫描,从而达到半导体衬底上某一微分区域的微米级退火的作用。
传统的激光退火工艺主要分为全平面激光退火和可选区域激光退火两种技术形式。
全平面激光退火采用激光扫描整片硅片,很短的时间内在较小的区域产生热量,并使温度正好低于硅的熔点。但由于退火是扫描式进行的,因此热量会沿着扫描方向产生一定程度的热累积效应,且为抵消光斑均匀性,一般退火相邻两行会有不同比例的重合,这导致热量累积效应也会增强。由于热量累积效应的存在,根据非晶硅膜扫描的路径,在非晶硅膜不同区域可能产生不同的热累积结果,从而在不同区域影响离子激活的效果,并最终影响离子激活的均匀性,可能会损伤正常图形。
可选区域激光退火是先在非晶硅膜上覆盖掩膜版再进行激光扫描的工艺,由于掩膜版上制作有特定的透光图案,能够保证精确的对准TFT沟道进行选择性退火。但是由于每款产品的TFT沟道的数量和位置均不相同,掩膜版不具有通用性,使用可选区域激光退火工艺时,对每一款不同产品进行退火时,均需要制作对应于该款产品的专用退火掩膜版,导致产品的退火成本增大。
发明内容
本发明的实施例提供一种激光退火装置及其控制方法,可根据预退火图案做相应改变,避免为每款产品制作专用退火掩膜版,节省生产成本,实现同一激光退火装置的多产品共用。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例的一方面提供一种激光退火装置,包括:激光器,激光器设置有多个发射源;调光板,调光板设置于激光器与待退火膜层之间,调光板上安装有多个呈矩阵形式排列的调光元件。其中,调光板上的至少一部分调光元件与发射源的位置一一对应,调光元件在开启状态下,用于使与该调光元件位置对应的发射源发出的激光照射至待退火膜层,或在关闭状态下,用于对与该调光元件对应位置的发射源发出的激光进行阻断。
进一步的,调光元件为光开关。
优选的,调光元件为光圈。
进一步的,激光退火装置还包括多个光电感应器以及与光电感应器相连接的控制器;每一个光电感应器与一个光圈的位置一一对应,用于对经过光圈调节后出射的激光的光强度进行采集,并将采集结果输出至控制器;控制器连接光圈,控制器根据光电感应器的采集结果与预设阈值之间的比对结果,对光圈的通光孔径大小进行调节。
优选的,激光退火装置还包括设置在调光板与待退火膜层之间的聚光器;聚光器包括位于同一主光轴上的至少一片光汇聚透镜,用于对通过调光元件的激光进行汇聚。
优选的,激光器包括单点光源以及与单点光源的出光口相连接的光缆;其中,光缆包括多根紧密排列的光纤,每一根光纤背离单点光源的一端作为一个发射源。
进一步的,调光元件与发射源数量相等时,激光退火装置还包括与激光器和调光板均连接的驱动器,用于驱动激光器和调光板相对于待退火膜层移动。
本发明实施例的另一方面提供一种激光退火装置的控制方法,包括:根据预设退火图案,开启调光板上的部分调光元件;根据预设退火图案,关闭调光板上的部分调光元件;开启激光器,发射源发出的激光能够通过开启状态的调光元件照射至待退火膜层,关闭状态的调光元件能够阻挡发射源发出的激光照射至待退火膜层,从而在待退火膜层上形成与预设退火图案相匹配的退火图案,以对待退火膜层进行退火。
进一步的,当调光元件为光圈,且激光退火装置还包括多个光电感应器以及与光电感应器相连接的控制器时,控制方法还包括:每一个光电感应器对与该光电感应器位置对应的光圈出射的激光的光强度进行采集,并将采集结果输出至控制器;控制器将光电感应器的采集结果与预设阈值进行比对,当小于预设阈值的最小值时,将对应的光圈的通光孔径面积调大;当大于预设阈值的最大值时,将对应光圈的通光孔径面积调小。
本发明提供一种激光退火装置及其控制方法,激光退火装置包括:激光器,激光器设置有多个发射源;调光板,调光板设置于激光器与待退火膜层之间,调光板上安装有多个呈矩阵形式排列的调光元件。其中,调光板上的至少一部分调光元件与发射源的位置一一对应,调光元件在开启状态下,用于使与该调光元件位置对应的发射源发出的激光照射至待退火膜层,或在关闭状态下,用于对与该调光元件对应位置的发射源发出的激光进行阻断。通过调光元件的开启和关闭,控制激光器照射在调光板上对应位置的发射源的通过或阻断,对待退火膜层进行退火,以在待退火膜层上形成与预设退火图案相匹配的退火图案。
这样一来,由于调光板上的至少一部分调光元件与发射源的位置一一对应,从而可以对每一个发射源发出的照射至待退火膜层的光线通断状态进行调整。因此当预设退火图案改变时,通过重新调整与发射源的位置一一对应的调光元件的通断状态,使得在待退火膜层上形成与改变后的预设退火图案相匹配的退火图案,从而达到退火图案能够根据预设退火图案进行相应的调整改变的效果,实现同一激光退火装置的多产品共用,节省了对每款产品配备专用退火掩膜版的生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的一种激光退火装置的结构示意图;
图2为图1的水平方向视图;
图3为调光元件为光圈时调光板的结构示意图;
图4为本发明提供的一种激光退火装置设置有光电感应器和控制器的水平方向视图;
图5为本发明提供的一种激光退火装置设置有双层调光板的水平方向视图;
图6为本发明提供的一种激光退火装置设置有聚光器的水平方向视图;
图7为本发明提供的一种激光退火装置设置有光缆的水平方向视图;
图8为本发明提供的一种激光退火装置设置有驱动器的结构示意图;
图9为本发明提供的另一种激光退火装置设置有驱动器的结构示意图;
图10为本发明提供的一种激光退火装置的控制方法的流程图;
图 11为本发明提供的另一种激光退火装置的控制方法的流程图。
附图标记:
1-激光器;11-发射源;12-光缆;121-光纤;2-调光板;21-调光元件;3-待退火膜层;4-光电感应器;5-控制器;6-聚光器;61-光汇聚透镜;7-驱动器。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种激光退火装置,如图1所示,包括:激光器1和调光板2,调光板2设置于激光器1与待退火膜层3之间,如图2所示,激光器1上设置有多个发射源11,调光板2上安装有多个呈矩阵形式排列的调光元件21。其中,调光板2上的至少一部分调光元件21与发射源11的位置一一对应,调光元件21在开启状态下,用于使与该调光元件21位置对应的发射源11发出的激光照射至待退火膜层3,或在关闭状态下,用于对与该调光元件21对应位置的发射源11发出的激光进行阻断。
需要说明的是,激光器1设置有多个发射源11,每个发射源11指由激光器1的出光口出射的一束激光,多个发射源11呈矩阵形式排列形成向待退火膜层3照射退火的激光源,当发射源11的排列形式不同时,该激光源的出射形状也随之改变,例如,多个发射源11组成线形、矩形,或者,多个发射源11组成与待退火膜层3表面相同的形状。
此外,要使调光板2上的至少一部分调光元件21与发射源11的位置一一对应,则调光板2上的调光元件21的数量必须大于或等于发射源11的数量。当组成调光板2的多个调光元件21的数量与激光器1发射源11的数量一致时,如图8所示,调光元件21与发射源11的位置一一对应设置;当组成调光板2的多个调光元件21的数量大于激光器1发射源11的数量时,如图9所示,保证至少有与发射源11数量相等的一部分调光元件21与发射源11的位置一一对应。以使得无论调光元件21的数量大于或是等于发射源11的数量,都能够保证每一个发射源11发出的激光唯一对应的照射至一个调光元件21上。
上述的调光元件21为能够通过状态的改变,控制照射于调光元件21上的发射源11的通过状态。当调光元件21为开启状态,对应的发射源11发出的激光能够通过调光元件21,并照射至待退火膜层3的对应位置上;当调光元件21为关闭状态,则对应的发射源11发出的激光被调光元件21阻断,待退火膜层3对应于该调光元件21的位置处不能受到激光的照射。多个调光元件21设置为不同的开关状态,当激光器1透过调光板2照射在待退火膜层3上,就能够在待退火膜层3上形成与预设退火图案相匹配的退火图案。
本发明提供的一种激光退火装置,包括:激光器,激光器设置有多个发射源;调光板,调光板设置于激光器与待退火膜层之间,调光板上安装有多个呈矩阵形式排列的调光元件。其中,调光板上的至少一部分调光元件与发射源的位置一一对应,调光元件在开启状态下,用于使与该调光元件位置对应的发射源发出的激光照射至待退火膜层,或在关闭状态下,用于对与该调光元件对应位置的发射源发出的激光进行阻断。通过调光元件的开启和关闭,控制激光器照射在调光板上对应位置的发射源的通过或阻断,对待退火膜层进行退火,以在待退火膜层上形成与预设退火图案相匹配的退火图案。
这样一来,由于调光板上的至少一部分调光元件与发射源的位置一一对应,从而可以对每一个发射源发出的照射至待退火膜层的光线通断状态进行调整。因此当预设退火图案改变时,通过重新调整与发射源的位置一一对应的调光元件的通断状态,使得在待退火膜层上形成与改变后的预设退火图案相匹配的退火图案,从而达到退火图案能够根据预设退火图案进行相应的调整改变的效果,实现同一激光退火装置的多产品共用,节省了对每款产品配备专用退火掩膜版的生产成本。
以下调光元件21在开启状态下,用于使与该调光元件21位置相对应的发射源11发出的激光照射至待退火膜层3上对应位置,此处所述的照射,包括使发射源11发出的激光完全照射至待退火膜层3上对应位置,或者使发射源11发出的激光中的一部分照射至待退火膜层3上对应位置。以下对调光元件21的具体结构进行举例说明。
例如,如图1所示,调光元件21为光开关。
光开关(Optical Switch,OS)是一种具有一个或多个可选择的传输窗口,可对光传输线路或集成光路中的光信号进行相互转换或逻辑操作的器件。通过光开关的开启或关闭,使得传输至光开关的光信号通过或阻断,如图1所示,图中的调光板2上黑色块区域为关闭状态的光开关,传输至关闭状态的光开关的光信号被阻断,白色块区域为开启状态的光开关,传输至开启状态的光开关的光信号能够通过光开关并照射至待退火膜层3的对应位置。这样一来,在对每一个光开关设置了对应的开光状态后,启动激光器1,发射源11发出的激光照射在调光板2上,一部分发射源11被阻挡,待退火膜层3上对应位置没有激光照射,一部分发射源11透过光开关照射在待退火膜层3上对应位置,即在待退火膜层3上形成与预设退火图案相匹配的退火图案。
又例如,当需要对激光器1的每一个发射源11分别照射至待退火膜层3上的光强度进行单独调节时,如图3所示,调光元件21为光圈。
光圈是用来控制透过光线光量的装置,光圈通过设置于其内部的多个面积可变的孔状光栅来达到控制镜头通光量的目的,光圈的通光量可以调节为由0至100%之间的任意范围,对应照射至该光圈的光线由完全不透过、部分透过直至完全透过。这样一来,如图4所示,当使用光圈作为调光元件21时,通过调节光圈的通光孔径大小,除了能够使与之对应的发射源11发出的激光的通过或阻断,还能够调节激光透过每一个调光元件21的通光量,以实现对照射至待退火膜层3上的激光的光强度控制。
进一步的,当调光元件21为光圈时,为了实现对通过每一个光圈的通光量的精确调节以及反馈修正,如图4所示,激光退火装置还包括多个光电感应器4以及与光电感应器4相连接的控制器5;每一个光电感应器4与一个光圈的位置一一对应,用于对经过光圈调节后出射的激光的光强度进行采集,并将采集结果输出至控制器5;控制器5连接光圈,控制器5根据光电感应器4的采集结果与预设阈值之间的比对结果,对光圈的通光孔径大小进行调节。
上述的预设阈值是指,在控制器5中预先设定有一个由设计计算或经验累积确定而来的光强度值的阈值范围,每一个光电感应器4采集与之一一对应的发射源11透过光圈之后的光强度值,该光强度值输入控制器5后,分别与预设阈值进行比对,若采集到的光强度值在预设阈值范围内,则认可该处位置的光强度值,不做调整。若采集到的光强度值大于预设阈值范围的最大值,则控制器5根据比对得到的差值计算预调节幅度,并在控制器5的控制下光圈的通光孔径按照预调节幅度缩小,以减小该处的光强度值。若采集到的光强度值小于预设阈值范围的最小值,则控制器5根据比对得到的差值计算预调节幅度,并在控制器5的控制下光圈的通光孔径按照预调节幅度增大,以增大该处的光强度值。这样一来,通过控制器5对每一个光圈的分别控制,能够保证透过每一个光圈照射至待退火膜层3上的激光光强度的均匀性。
需要说明的是,对于待退火膜层3上的各部分分别有不同的退火光强度要求的情况,也可以通过控制器5对对应待退火膜层3上的各部分设定不同的预设阈值,根据各自不同的预设阈值分别调节对应各部分的光圈的通光孔径大小,以实现照射至待退火膜层3上各部分的光强度不相同。
此外,在需要控制和调节退火激光强度的情况下,本发明还包括有另一种实现方案,如图5所示,调光板2在激光退火装置中设置有上、下两层,其中一层调光板2的调光元件21为光圈,另一层调光板2的调光元件21为光开关,两层调光板2的上下位置不做具体限定,光圈组成的调光板2位于上层和光开关组成的调光板2位于上层均可。例如,如图5所示,以由光圈组成的调光板2位于上层,在上层调光板2下端,对应每一个光圈的出光位置处,设置有光电感应器4,光电感应器4与控制器5相连接,将采集结果输出至控制器5,控制器5还分别与两层调光板2中的每个调光元件21连接,分别控制调节上层调光板2中的每一个光圈的通光孔径大小,以及控制下层调光板2中的每一个光开关的开启或关闭。
这样一来,在调光板2上形成预设退火图案以及控制经过调光板2出射的激光强度均匀性的功能,分别由下层的由光开关组成的调光板2和上层的由光圈组成的调光板2实现,控制器5对上、下两层调光板2分别调节和设置。此方案中的其他部分实现功能以及连接关系与设置一层调光板2的方案均相同,以上已进行了详细说明,此处不再赘述。
由于在待退火膜层3上需要形成的退火图案通常均为微米级大小,调节矩阵形式排列的调光元件21的开启或关闭,在调光板2上直接形成微米级的预设退火图案,需要调光元件21自身即为微米级的大小,这样一来一方面,加大了调光元件21的加工难度,另一方面,微米级大小的调光元件21的工作稳定性也较差。
因此,进一步的,如图6所示,在调光板2与待退火膜层3之间设置有聚光器6;聚光器6包括位于同一主光轴上的至少一片光汇聚透镜61,用于对通过调光元件2的激光进行汇聚。
这样一来,在调光板2上只需形成毫米级大小的预设退火图案,亦即组成调光板2的调光元件21制作为毫米级大小即可。聚光器6设置在调光板2与待退火膜层3之间,对通过调光元件2的激光进行汇聚,经过聚光器6的汇聚作用,激光通过调光板2形成的预设退火图案缩小为微米级,照射在待退火膜层3上,实现对待退火膜层3的微米级退火处理。
进一步的,如图6所示,当聚光器6由一片光汇聚透镜61构成时,光汇聚透镜61与调光板2平行设置,且光汇聚透镜61的主光轴穿过调光板2且与调光板2的中心垂直,通过选用不同焦距的光汇聚透镜61,实现对预设退火图案的不同缩小比例。调光元件2的激光以光汇聚透镜61的主光轴为中心汇聚,在待退火膜层3上形成对预设退火图案等比例缩小的退火图案,避免退火图案在汇聚过程中发生变形,保证了退火图案的准确性。当聚光器6由多片光汇聚透镜61构成时,多片光汇聚透镜61的主光轴重合,且主光轴与穿过调光板2且与调光板2的中心垂直,多片光汇聚透镜61组成的聚光器6的光汇聚原理与一片光汇聚透镜61构成的聚光器6的光汇聚原理相同,此处不再赘述。
激光器1的功率越大,激光器1发出的激光源照射在目标物体上呈现的光斑面积越大,需要进行激光退火处理的待退火膜层3为一个平面,要提高对待退火膜层3的退火效率,就需要发射源11的面积增大,以使得发射源11能够照射到的待退火膜层3的范围越大,但是这样一来,就会导致激光器1的功率增大,同时,大功率的激光器1的制作成本也较高。
本发明所述的激光器1,根据激光出射的形状,可以分为单点光源,条状光源以及面状光源。单点光源的激光器1照射出的光斑形状为一个点,直接使用单点光源的激光器1对待退火膜层3退火,激光器1的照射面积过小,退火效率低效果差,条状光源和面状光源的激光器1照射出的光斑形状为具有一定宽度的条形或面,退火效率较高,但是由于激光器1自身受激发光的原理,激光器1发出的激光光斑面积越大,要求激光器1的功率越大,且制造成本也较高。
此外,上述的设置有多个发射源11的激光器1,为由多个单点光源的激光器1以矩阵形式紧密排列后形成的条状光源或面状光源,但同样存在成本过高的问题。
优选的,如图7所示,激光器1包括单点光源以及与所述单点光源的出光口相连接的光缆12。其中,光缆12包括多根紧密排列的光纤121,每一根光纤121背离单点光源的一端作为一个发射源11。
这样一来,由于光缆12中的光纤121能够稳定的传输激光,且光纤121在光缆12中相互之间的排列关系可以变化,通过激光器1仅将单点光源输入光缆12的一端,每一根光纤121都可以传输一束激光束作为一个发射源11,将光缆12的另一端制作为所需的形状,例如,将光缆12另一端的光纤121排列为一条直线,则可实现发射源11的线状照射。
进一步的,如图8所示,当调光元件21与发射源11数量相等时,激光退火装置还包括与激光器1和调光板2均连接的驱动器7,用于驱动激光器1和调光板2相对于待退火膜层3移动。
需要说明的是,驱动器7可以为如图8中所示的直线电机,激光器1和调光板2共同安装在支架上,由直线电机驱动支架在轨道上沿箭头所示的方向匀速移动。此外,驱动器7还可以是其他如液压马达等能够驱动激光器1和调光板2沿某一方向移动的元件,本发明对驱动器7的具体形式在此不作限定,仅以直线电机作为驱动器7的举例进行具体说明。
这样一来,例如,如图8所示,发射源11为一行N列的线状排列形式(N为≥1的正整数),调光元件21与发射源11的数量相等且位置一一对应,调光元件21与发射源11在待退火膜层3上形成一个线状的投影区域,通过分别设置每一个调光元件21的开启或关闭,在调光板2上形成对应该投影区域的预设退火图案,发射源11发出的激光束通过调光板2照射在待退火膜层3上的该投影区域,对调光板2在待退火膜层3上投影的区域进行退火。直线电机推动激光器1和调光板2沿箭头所示的方向匀速移动,此时调光元件21和发射源11在待退火膜层3上的投影区域也随之移动至下一处,再次设置调光板2上每一个调光元件21的开启或关闭,在调光板2上形成对应下一处投影区域的预设退火图案,发射源11发出的激光束通过调光板2照射在待退火膜层3的下一处投影区域,如此循环,当激光器1和调光板2沿箭头所示的方向扫过了待退火膜层3上的每一处待退火区域时,即完成了整个待退火膜层3的退火。
进一步的,如图9所示,当调光板2完全覆盖于待退火膜层3上时,激光退火装置还包括与激光器1连接的驱动器7,用于驱动激光器1相对于待退火膜层3移动。
当调光板2完全覆盖于待退火膜层3上时,设置调光板2上的调光元件21以形成整个待退火膜层3上所需的预设退火图案,这样一来,调光板2通过一次设置即可完成整个待退火膜层3的图案准备,不需要根据激光器1的移动进行多次调整。驱动器7,例如直线电机,推动激光器1沿箭头所示的方向匀速移动,如图9所示的发射源11排列为一行N列的线状光束,通过匀速移动逐步扫描调光板2上的每一列调光元件21,以对待退火膜层3进行退火处理,当激光器1扫过了待退火膜层3上的每一处待退火区域时,即完成了整个待退火膜层3的退火。
本发明实施例提供一种对上述任意一种激光退火装置的控制方法,其中激光退火装置的结构如上所述,此处不再赘述。
所述驱动方法,如图10所示,可以包括:
S01、根据预设退火图案,如图2所示,开启调光板2上的部分调光元件21。
S02、根据预设退火图案,如图2所示,关闭调光板2上的部分调光元件21。
S03、开启激光器1,如图2所示,发射源11发出的激光能够通过开启状态的调光元件21照射至待退火膜层3,关闭状态的调光元件21能够阻挡发射源11发出的激光照射至待退火膜层3,从而在待退火膜层3上形成与预设退火图案相匹配的退火图案,以对待退火膜层3进行退火。
其中,对于步骤S01和步骤S02的先后顺序不做具体限定,并且步骤S01和步骤S02可同时进行,以对整个调光板2上的调光元件21设置开启或关闭状态,步骤S03在步骤S01和步骤S02完成后进行。在S01和S02的步骤完成后,此时调光板2上已经形成了预设退火图案,此时进行S03步骤,开启激光器1,发射源11发出的激光通过调光板2照射至待退火膜层3上,对待退火膜层3进行激光照射退火。
本发明提供的一种激光退火装置的控制方法,通过调光元件的开启和关闭,控制激光器照射在调光板上对应位置的发射源的通过或阻断,对待退火膜层进行退火,以在待退火膜层上形成与预设退火图案相匹配的退火图案。这样一来,由于调光板上的至少一部分调光元件与发射源的位置一一对应,从而可以对每一个发射源发出的照射至待退火膜层的光线通断状态进行调整。因此当预设退火图案改变时,通过重新调整与发射源的位置一一对应的调光元件的通断状态,使得在待退火膜层上形成与改变后的预设退火图案相匹配的退火图案,从而达到退火图案能够根据预设退火图案进行相应的调整改变的效果,实现同一激光退火装置的多产品共用,节省了对每款产品配备专用退火掩膜版的生产成本。
进一步的,当调光元件21为光圈时,且激光退火装置还包括多个光电感应器4以及与光电感应器4相连接的控制器5时,如图11所示,控制方法还包括:
S11、每一个光电感应器4对与该光电感应器4位置对应的光圈出射的激光的光强度进行采集,并将采集结果输出至控制器5。
需要说明的是,控制器5中的预设阈值,为根据设计计算或通过经验累积得到的对待退火膜层3退火效果较佳的理想光强度值范围,将该理想光强度值范围预先在控制器5中设定,以便在控制器5接收到光电感应器4发送的采集结果时,能够将采集结果与预设阈值进行比对。
S12、控制器5将光电感应器4的采集结果与预设阈值进行比对,当小于预设阈值的最小值时,将对应的光圈的通光孔径面积调大;当大于预设阈值的最大值时,将对应光圈的通光孔径面积调小。
具体的,控制器5将光电感应器4的采集结果与预设阈值进行比对,若光电感应器4的采集结果在预设阈值的范围内,则认可该处的光强度不作调整,若光电感应器4的采集结果小于预设阈值的最小值,则认为该处的激光强度过小,可能会导致该处退火不充分,则控制器5根据比对差值的大小进行计算并根据计算结果调大光圈的通光孔径面积,若光电感应器4的采集结果大于预设阈值的最大值,则认为该处的激光强度过大,可能会导致该处退火区域受损,则控制器5根据比对差值的大小进行计算并根据计算结果调小光圈的通光孔径面积。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种激光退火装置,其特征在于,包括:
激光器,所述激光器设置有多个发射源;
调光板,所述调光板设置于所述激光器与待退火膜层之间,所述调光板上安装有多个呈矩阵形式排列的调光元件;
其中,所述调光板上的至少一部分调光元件与所述发射源的位置一一对应,所述调光元件在开启状态下,用于使与该调光元件位置对应的发射源发出的激光照射至所述待退火膜层,或在关闭状态下,用于对与该调光元件对应位置的发射源发出的激光进行阻断。
2.根据权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,所述调光元件为光开关。
3.根据权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,所述调光元件为光圈。
4.根据权利要求3所述的激光退火装置,其特征在于,所述激光退火装置还包括多个光电感应器以及与所述光电感应器相连接的控制器;
每一个光电感应器与一个所述光圈的位置一一对应,用于对经过所述光圈调节后出射的激光的光强度进行采集,并将采集结果输出至所述控制器;
所述控制器连接所述光圈,所述控制器根据所述光电感应器的采集结果与预设阈值之间的比对结果,对所述光圈的通光孔径大小进行调节。
5.根据权利要求1-4任一项所述的激光退火装置,其特征在于,所述激光退火装置还包括设置在所述调光板与所述待退火膜层之间的聚光器;
所述聚光器包括位于同一主光轴上的至少一片光汇聚透镜,用于对通过所述调光元件的激光进行汇聚。
6.根据权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,所述激光器包括单点光源以及与所述单点光源的出光口相连接的光缆;
其中,所述光缆包括多根紧密排列的光纤,每一根光纤背离所述单点光源的一端作为一个所述发射源。
7.根据权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,所述调光元件与所述发射源数量相等时,所述激光退火装置还包括与所述激光器和所述调光板均连接的驱动器,用于驱动所述激光器和所述调光板相对于所述待退火膜层移动。
8.根据权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,所述调光板完全覆盖于所述待退火膜层上时,所述激光退火装置还包括与所述激光器连接的驱动器,用于驱动所述激光器相对于所述待退火膜层移动。
9.一种如权利要求1-8所述的激光退火装置的控制方法,其特征在于,包括:
根据预设退火图案,开启调光板上的部分调光元件;
根据预设退火图案,关闭所述调光板上的部分调光元件;
开启激光器,发射源发出的激光能够通过开启状态的所述调光元件照射至待退火膜层,关闭状态的所述调光元件能够阻挡发射源发出的激光照射至所述待退火膜层,从而在所述待退火膜层上形成与所述预设退火图案相匹配的退火图案,以对所述待退火膜层进行退火。
10.根据权利要求9所述的控制方法,其特征在于,当所述调光元件为光圈,且所述激光退火装置还包括多个光电感应器以及与所述光电感应器相连接的控制器时,所述控制方法还包括:
每一个所述光电感应器对与该光电感应器位置对应的所述光圈出射的激光的光强度进行采集,并将采集结果输出至所述控制器;
所述控制器将所述光电感应器的采集结果与预设阈值进行比对,当小于预设阈值的最小值时,将对应的所述光圈的通光孔径面积调大;当大于预设阈值的最大值时,将对应所述光圈的通光孔径面积调小。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610681322.6A CN106098599B (zh) | 2016-08-17 | 2016-08-17 | 一种激光退火装置及其控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610681322.6A CN106098599B (zh) | 2016-08-17 | 2016-08-17 | 一种激光退火装置及其控制方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106098599A true CN106098599A (zh) | 2016-11-09 |
CN106098599B CN106098599B (zh) | 2020-04-21 |
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ID=58069491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610681322.6A Expired - Fee Related CN106098599B (zh) | 2016-08-17 | 2016-08-17 | 一种激光退火装置及其控制方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106098599B (zh) |
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