CN101101869B - 激光退火方法和半导体设备制造方法 - Google Patents

激光退火方法和半导体设备制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101101869B
CN101101869B CN2006101156099A CN200610115609A CN101101869B CN 101101869 B CN101101869 B CN 101101869B CN 2006101156099 A CN2006101156099 A CN 2006101156099A CN 200610115609 A CN200610115609 A CN 200610115609A CN 101101869 B CN101101869 B CN 101101869B
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
laser beam
substrate
moving device
mechanically moving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2006101156099A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101101869A (zh
Inventor
山崎舜平
田中幸一郎
广木正明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of CN101101869A publication Critical patent/CN101101869A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101101869B publication Critical patent/CN101101869B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0838—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction by using an endless conveyor belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02488—Insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02491—Conductive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02678—Beam shaping, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02683—Continuous wave laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02686—Pulsed laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02691—Scanning of a beam
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D1/00—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
    • C21D1/34—Methods of heating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

本发明涉及激光退火装置和相应的半导体设备制造方法，其中在用激光束斜向照射基底之前，移动机械装置被加速地移动，在该照射期间以恒定的速度被移动，以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。由此可以防止或减少同心圆图案的产生，从而提高了半导体设备的可靠性。

Description

激光退火方法和半导体设备制造方法 
本申请是于2002年8月12日提交的申请号为02130305.3、发明名称为“激光退火装置和半导体设备制造方法”的发明专利申请的分案申请。 
技术领域
本发明涉及一种使用激光束的激光退火装置。本发明还涉及一种半导体设备制造方法，制造半导体设备所经过的步骤中包括一个使用激光退火方法的步骤。这里半导体设备是指一种利用半导体特性来发挥作用的普通设备，包括液晶显示器和发光设备等电光设备和将电光设备作为一个部件包含其中的电子设备。 
背景技术
近年来，广泛开展了对形成于玻璃等绝缘基底上的半导体膜使用的激光退火技术的研究，目的是晶化或提高结晶度。在目前的描述中，将使用激光束晶化半导体膜并获得结晶半导体膜的方法称作激光结晶。 
与传统常用的人造石英玻璃基底相比，玻璃基底价格低廉，有极好的可加工性，具有容易制备大面积基底的优点。这是上面提到的研究的原因。同时，由于玻璃基底熔点低，所以激光器首先用在结晶过程中。激光器可以只将高能量传递给半导体膜而完全不增加基底的温度。而且与使用电炉相比透射能要高得多。 
结晶半导体膜由很多晶粒形成，因此它们也称作多晶半导体膜。因为通过激光退火装置形成的结晶半导体膜迁移率高，所以可以使用结晶半导体膜来形成薄膜晶体管(TFT)。它们广泛使用在，例如，像素驱动的单极液晶电光设备和形成在一块玻璃基底上的驱动电路TFT中。 
同时，因为激光退火装置生产能力和工业优势高，所以优先使用方法是将受激准分子激光器等发出的高输出脉冲激光通过光学系统，在照射板上形成一个几厘米平方的方点或长度为10多厘米的线性形状，目的是扫描激光(相对于照射板移动激光照射位置)。顺便说一句，将激光形成线性形状是指激光在照射板上形成线性形状。它是指激光的截面形状是线性形状。此外，“线性形状”在这里不是严格的“线 性”，而是指长宽比大的矩形或椭圆形。例如长宽比为10或更大。(优选是100～10000)。 
具体来讲，与使用需要扫描的点状激光的情况不同，使用线性激光束可以只通过在线性光束纵向的垂直方向扫描就可以实现整个照射平面的激光照射，提供了高生产效率。在纵向的垂直方向上进行扫描是因为这个扫描方向具有最高的效率。因为生产效率高，所以在当前的激光退火处理中，使用脉冲振荡的受激准分子激光通过适当光学系统形成的线性光束是制造使用TFT的液晶显示设备技术的主流。 
为了形成受激准分子激光束，将KrF(波长248nm)或XeCl(波长308nm)用作激发气体。但是Kr(氪)和Xe(氙)这样的气体是十分昂贵的。因此，如果使用了Kr或Xe而且还要经常进行气体交换，那么会不利的提高制造成本。 
此外，两到三年之内需要替换一次激光振荡用激光管这样的附件和去除在振荡期间产生的不需要成分的气体净化器。这些附件大多是昂贵的，这更不利的提高了制造成本。 
如上所述，使用受激准分子激光束的激光照射设备性能高。但是，此类激光照射设备需花费很多人工来维护，而且如果用作主生产激光照射设备，其运行成本(这里指设备运行必需的成本)不利的高。 
因此，为了实现运行成本低于受激准分子激光器的激光器和使用激光器的激光退火方法，提出了一种固态激光器(是将晶体棒组作为共振腔来输出激光束的)。 
YAG激光器是典型固态激光器中的一种，使用它将激光束照射到半导体膜。根据YAG激光器，光学系统将由非线性光学元件调制成第二谐波的激光束(波长532nm)处理成在照射面上呈线状的线性光束。半导体膜是厚度为55nm的非晶体硅膜，是通过等离子CVD方法在基底(“1737基底”，由Corning公司制造)上形成的。得到结晶硅膜的执行步骤包含一个对非晶体硅膜使用激光退火方法的步骤，但在其上形成了同心圆图案。这个图案表示板中结晶硅膜的材料特性是不一致的。因此，如果使用上面形成有同心圆图案的结晶硅膜来制造TFT，那么这个图案反而会影响TFT的电特性。这里，同心圆的图案称作同心圆图案。 
此外，因为制造的电光设备屏幕的尺寸大，所以增加了母玻璃的面 积。在这之后，对于激光退火方法，产生了将激光束高速照射到安装在作为基底的母玻璃上的半导体层的需要。 
此外，对于激光退火方法，产生了补偿在半导体层结晶过程中临时熔化半导体膜的激光束功率低的需要。 
发明内容
因此，本发明的一个目标是提供一种用于要求低运行成本、能够防止产生同心圆图案或减少其形成的激光照射设备的激光退火方法，以及提供一种包括一个使用激光退火方法步骤的半导体设备制造方法。 
根据本发明的一种激光退火装置，包括：输出激光束的激光光源；以及移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置，其中该移动机械装置的作用包括反复移动等于或大于该基底一条边长度的距离，在反复移动方向的垂直方向上移动等于或小于该激光束在该垂直方向上在该基底上的照射区域的长度的距离；以及在用该激光束斜向照射该基底之前，该移动机械装置被加速地移动，在该照射期间以恒定的速度被移动，以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。 
根据本发明的另一种激光退火装置，包括：输出激光束的激光光源；处理该激光束的光学系统；反射该激光束的镜子；以及移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置，其中该移动机械装置的作用包括反复移动等于或大于该基底一条边长度的距离，在反复移动方向的垂直方向上移动等于或小于该激光束在该垂直方向上在该基底上的照射区域的长度的距离；以及在用该激光束斜向照射该基底之前，该移动机械装置被加速地移动，在该照射期间以恒定的速度被移动，以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。 
根据本发明的又一种激光退火装置，包括：输出激光束的激光光源；调制该激光束的非线性光学元件；会聚已调制激光束的波导管；以及移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置，其中该移动机械装置的作用包括反复移动等于或大于该基底一条边长度的距离，在反复移动方向的垂直方向上移动等于或小于该激光束在该垂直方向上在该基底上的照射区域的长度的距离；以及在用该激光束斜向照射该基底之前，该移动机械装置被加速地移动，在该照射期间以恒定的速度被移动，以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。 
根据本发明的另一种激光退火装置，包括：输出激光束的激光光源； 以及移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置；其中该移动机械装置沿着导轨以非接触方式移动；该移动机械装置的作用包括反复移动等于或大于该基底一条边长度的距离，在反复移动方向的垂直方向上移动等于或小于该激光束在该垂直方向上在该基底上的照射区域的长度的距离；以及在用该激光束斜向照射该基底之前，该移动机械装置被加速地移动，在该照射期间以恒定的速度被移动，以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。 
根据本发明的再一种激光退火装置，包括：输出激光束的激光光源；以及具有由该激光束通过的透明窗的激光退火室、移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置和用于控制该激光退火室的气体的真空泵；其中该移动机械装置的作用包括反复移动等于或大于该基底一条边长度的距离，在反复移动方向的垂直方向上移动等于或小于该激光束在该垂直方向上在该基底上的照射区域的长度的距离；以及在用该激光束斜向照射该基底之前，该移动机械装置被加速地移动，在该照射期间以恒定的速度被移动，以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。 
根据本发明所提供的半导体设备制造方法，包括：在基底上形成半导体膜；以及照射激光束到该半导体膜，其中不停地重复在以第一方向移动该基底的同时用该激光束斜向照射该半导体膜的步骤和在垂直于该第一方向的第二方向上移动该基底等于或小于该激光束宽度的距离的步骤；以及在用该激光束斜向照射该基底之前，该基底被加速地移动，在该照射期间以恒定的速度被移动，以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。 
下面将要考虑产生同心圆图案的一个原因。照射到非晶体硅膜的激光束是在照射面上呈线性形状的线性光束。因此，即使在激光束照射后获得的结晶硅膜上形成一些图案，只要半导体膜、基底和基底平台是完全平的，那么图案也应该是与线性光束平行或垂直的。但是，看到的图案是同心圆图案。从这一点，可以认为同心圆图案的产生不是由线性光束导致的。也就是可以估计是半导体膜的厚度、半导体膜的激光束吸收系数、基底或基底平台或它们的组合导致了同心圆图案的产生。 
下面将考虑产生同心圆图案的原因中的半导体膜的激光吸收系数。 分别得到非晶体硅膜(厚度55nm)相对于波长的反射系数和透射系数，图10A和10B分别显示了结果。请注意，非晶体硅膜是用等离子CVD方法在1737基底上形成的。图10A和10B显示非晶体硅膜对于YAG激光器第二谐波(波长532nm)的反射系数和透射系数分别是26％和38％。我们认为非晶体硅膜表面的反射光在某一表面上与非晶体硅膜透射的激光束相互干扰。估计是这一点产生了同心圆图案。 
因此，为了防止或减少同心圆图案的产生，我们认为必须要防止这样的干扰。为了防止干扰，聚光多束激光束，聚光后的激光束照射基底表面上的半导体膜，从而使半导体膜结晶。 
因此，根据本发明的激光退火装置是一个包括下列组件的激光退火装置：一个输出激光束的激光源；以及一个移动由激光束斜向照射的基底的移动机械装置，其特征在于移动机械装置的作用是往复运动等于或大于基底一条边长的距离，在往复方向的垂直方向移动等于或小于激光束在激光束照射基底的区域中Y轴方向长度的距离。结果通过使用根据本发明的激光退火装置，可以防止或减少由激光束照射不利产生的同心圆图案的产生，可以提高所得半导体设备的可靠性。即使是大尺寸基底上的半导体膜，也可以将激光束均匀的照射到其上面。 
此外，根据本发明的激光退火装置是一个包括下列组件的激光退火装置：一个输出激光束的激光源；一个调制激光束的非线性光学元件；一个聚光已调制激光束的波导管；以及一个移动由聚光激光束斜向照射的基底的移动机械装置，其特征在于移动机械装置的作用是往复运动等于或大于基底一条边长的距离，在往复方向的垂直方向移动等于或小于激光束在激光束照射基底的区域中Y轴方向长度的距离。结果通过使用根据本发明的激光退火装置，可以防止或减少由激光束照射不利产生的同心圆图案的产生，可以提高所得半导体设备的可靠性。即使是大尺寸基底上的半导体膜，也可以将激光束均匀的照射到其上面。 
根据本发明的半导体设备制造方法是包括下列步骤的半导体设备制造方法：在基底上形成半导体膜；以及照射多束激光束到半导体膜，其特征在于不断的重复在恒速移动基底的同时将激光束斜向照射到半导体膜的步骤和在移动方向的垂直方向移动等于或小于激光束宽度的距离的步骤。结果，通过使用根据本发明的激光退火装置，可以防止 或减少由激光束照射不利产生的同心圆图案的产生，可以提高所得半导体设备的可靠性。即使是大尺寸基底上的半导体膜，也可以将激光束均匀的照射到其上面。 
根据本发明的半导体设备制造方法是包括下列步骤的半导体设备制造方法：在基底上形成半导体膜；以及照射多束激光束到半导体膜，其特征在于不断的重复由多个非线性光学元件分别调制多束激光束的步骤、使已调制激光束通过波导管从而聚光已调制激光束的步骤、在恒速移动基底的同时将聚光激光束斜向照射到半导体膜的步骤和在移动方向的垂直方向移动等于或小于激光束的距离的步骤。结果，通过使用根据本发明的激光退火装置，可以防止或减少由激光束照射不利产生的同心圆图案的产生，可以提高所得半导体设备的可靠性。即使是大尺寸基底上的半导体膜，也可以将激光束均匀的照射到其上面。 
而且，根据本发明的半导体设备制造方法是特征在于恒定的速度处在20～200cm/s范围内的半导体设备制造方法。结果是可以将激光束高速照射到在大尺寸基底上提供的半导体膜。 
另外，在本发明中使用的激光束可以通过光学系统处理成椭圆形。 
此外，根据本发明的半导体设备制造方法是特征在于激光束是以相对于基底前表面法线方向或基底后表面法线方向5～10°的斜角入射到半导体膜的半导体设备制造方法。这种方法是根据这样的事实发明的：如果在倾斜基底的同时执行使用激光退火方法的步骤，那么不会出现同心圆图案。同时使用本发明，可以去掉或减少由激光束干扰引起的结晶半导体膜的不规则材料特性。如果使用这样的结晶半导体膜制造TFT，那么会提高TFT的电特性。 
而且，根据本发明的半导体设备制造方法是特征在于从平行于基底并靠近基底端面的方向进行半导体基底结晶的半导体设备制造方法。通过使用根据本发明的半导体设备制造方法，可以制造半导体层表面是平的、具有高电迁移率的半导体设备。 
此外，激光束可以从基底的后表面(形成半导体膜的表面的反面)照射到半导体膜。 
至于激光束，可以使用通常所知的激光器，例如YAG激光器(通常表示为Nd:YAG激光器)、Nd:YLF激光器、Nd:YVO4激光器、Nd:YAlO3激光器、红宝石激光器、Ti：兰宝石激光器或玻璃激光器。特别首选 一致性和脉冲能量好的YAG激光器。 
例如，如果使用了YAG激光器，那么最好使用第二谐波(波长532nm)。这是因为YAG激光器的基谐波(第一谐波)的波长为1064nm。第一谐波可以由包含一个非线性元件的波长调制器调制成第二、第三或第四谐波。各个谐波可以使用已知的技术来形成。在此叙述中，假设“固态激光器发出的激光束”不只包括第一谐波，还包括波长半调制的谐波。 
对于YAG激光器还可以使用应用良好的Q开关方法(Q调制开关方法)。这种方法是突然将Q系数从Q系数非常低的状态增加到会输出能量级非常高、非常陡的脉冲激光束。 
如果装配了激发固态晶体的共振镜或光源，那么在本发明中使用的固态激光器基本上可以输出激光束。因此，与受激准分子激光器相比，不需要花费太多的人工来维护。即，因为固态激光器的运行成本远远低于受激准分子激光器，所以可以大大减少半导体设备的制造成本。此外，如果减少了维护频率，就会提高大规模生产线的运行效率，并提高制造过程的总生产量，还大大有利于减少半导体设备的制造成本。除此之外，固态激光器所占面积小于受激准分子激光器所占面积，这对于生产线的设计而言具有好的影响。 
如果激光束的功率不低于10W，那么即使是使用单激光束也可以进行均匀的激光退火。功率不低于10W的激光束足够在半导体层的结晶过程中熔化半导体层了。 
附图描述 
图1是一幅显示了一个激光束照射例子的图； 
图2是一幅显示了一个激光退火装置例子的图； 
图3是一幅显示了激光退火装置例子的图； 
图4是处理目标基底的X和Y方向的说明图； 
图5是一幅显示了处理目标基底的移动时间和速度之间相互关系的图表； 
图6是一幅显示了一个根据本发明的激光退火装置例子的图； 
图7A到7D显示了半导体设备制造步骤； 
图8是一幅显示了根据本发明的半导体设备的图。 
图9A是像素部分TFT的示意图，图9B是驱动电路TFT的示意图； 
图10A是一幅显示了非晶形硅膜(厚度55nm)反射系数相对于波长的图表，图10B是一幅显示了非晶体硅膜(厚度55nm)透射系数相对于波长的图表； 
图11是一幅显示了一个激光退火装置例子的图； 
图12是一幅显示了一个激光退火装置例子的图；以及 
图13A到13C是显示了一个激光退火装置例子的图。 
具体实施方式
首先参照图1来讲述本发明一个实施方案中的激光束照射方法。 
通过一个将激光束照射到非晶形硅膜的结晶步骤，形成结晶硅层。这个结晶过程是在配有透明窗601的激光退火室602中进行的。 
首先，基底使用的是Corning公司制造的，由表示为#7059玻璃或#1737玻璃的硼硅酸盐钡玻璃或硼硅酸盐铝玻璃制成的透光基底。替代做法是用石英基底或硅基底作为基底。在此实施方案中，使用了大小为680mm×880mm，厚度为1.1mm的玻璃基底。在此说明中，在上面按顺序形成底膜和半导体膜的基底称作“处理目标基底”。 
在激光退火室602内配置了台架603、装配在台架603上的平台604和移动台架603的移动机械装置605。在激光退火室602外配置了真空泵630、供气管607和闸门阀608。 
安装台架603，这样由移动台架603的移动机械装置605在与处理目标基底606的法线方向成正确角度的方向上(X轴方向或Y轴方向)移动底座603，从而使激光束照射到处理目标基底606的上表面。激光束照射方向与处理目标基底606的法线方向相比偏了5到10°。 
在此说明中，包含平台604和移动机械装置605的半导体制造设备称作激光退火装置。台架603可以安装在平台604和移动机械装置605之间。激光退火装置除了上面提到的组元外还包括激光振荡器609、光学系统610和镜子611。非晶形硅膜由配置有激光退火装置和透明窗611的激光退火室602、真空泵630、供气管607和闸门阀608的组合装置来晶化。图2从Y轴方向显示了图1的激光退火装置。图3显示了从镜子一侧(处理目标基底606的上方)观看的激光退火装置。移动机械装置605在X轴方向可以移动等于或大于处理目标基底606一条边长度的距离，在垂直于X方向的Y轴方向可以移动等于或小于激光束宽度的距离。注意的是该激光束的宽度是在垂至于移动机械装置 的移动方向的方向上的激光束的宽度。 
如图1所示，激光振荡器609发射出激光束600，光学系统610处理激光束使其具有椭圆形截面，镜子611反射激光束，使其通过透明窗601照射处理目标基底606。照射光束可以是矩形的光束。 
图4是一幅从法线方向显示了处理目标基底606的图。安装处理目标基底606，使处理目标基底606的末端位于距激光束照射位置100mm远的位置。接下来，在加速的同时移动移动机械装置605，使处理目标基底606以箭头①的方向移动。0.05秒之后，激光束600以恒速(在本实施方案中是20cm/s)照射处理目标基底606。如果激光束照射位置在处理目标基底606的外侧，那么增加移动速度(图5)。接下来在与箭头①方向相反的箭头②方向执行与箭头①方向相同的步骤，从而晶化基底。为了执行箭头③方向的步骤和箭头④方向的步骤，分别重复箭头①方向的步骤和箭头②方向的步骤。如果需要，可以重复执行这些步骤，从而用激光束照射处理目标基底606的整个表面。处理目标基底606上的半导体膜在与处理目标基底606平行并靠近处理目标基底606端面的方向上结晶。 
移动处理目标基底606的速度可以设置为一个处于20到200cm/s范围内的恒定速度。 
在结晶过程中，处理目标基底606可以放置在平台604上，从而用安装在台架603上的加热器来将处理目标基底606保持在一个预定的温度上。如果非晶形硅层在450℃的温度上结晶，那么会增加晶体的粒径。 
对于激光振荡器609，使用了将CW激光束振荡成激光束600的振荡器。 
激光退火室602中的大气可以使用作为减压和真空装置安装的真空泵630来控制。安装的通过阀门连接到氢气缸的供气管607a和通过阀门连接到氮气或其它气缸的供气管607b组成起供气装置作用的供气管607。在此实施方案中，激光束以常温常压照射。 
在此实施方案中，在以20到200cm/s的恒速移动基底的同时用激光束照射基底表面上的半导体膜。由此，即使是大尺寸基底上的半导体膜，也可以将均匀的激光束照射到其上面。 
在此实施方案中，功率设置为10W。但是，如果设置的功率不小于 10W，那么即使是使用单束激光束也可以进行均匀的激光退火。功率不小于10W的激光束足以在半导体层的结晶过程中熔化半导体层。 
在此实施方案中，激光振荡器发射激光束。另一种做法是使用多个激光振荡器聚光多束激光束，从而增加光束强度。因此通过聚光激光束，可以减少同心圆图案的产生，从而提高所得半导体设备的可靠性。如果需要，可以使用多个光学系统、多个镜子、光纤等等。 
根据本发明，在使用激光退火方法的步骤中要将激光束处理成具有椭圆形的截面，从而提高透射能。此外，通过使用易于维护的固态激光器，可以得到比使用传统受激准分子激光器的激光退火方法更高的透射能。因此可以减少TFT和由TFT制成的显示器这样的半导体设备的制造成本。 
此外，通过将激光束斜向照射到半导体膜，可以去掉或减少在半导体膜上产生的同心圆图案，从而使半导体的材料特性在使用激光退火步骤之后变得均匀。如果使用这样的半导体膜来制造半导体设备，可以大大的提高半导体设备的性能。 
本发明实施方案详述 
实施方案1 
下面将参照图6来讲述此实施方案中的光学系统。 
对于激光振荡器201，理想是使用大功率的激光器(YAG激光器、YVO4激光器等)。当然只要气体激光器、玻璃激光器等功率大，也可以使用。使用光学系统将激光振荡器201产生的激光变成一个照射面为线性形状的线性光束。光学系统使用，例如，长焦距的柱面棱镜205来将激光束放大成长光束，使用柱面棱镜206将激光束会聚成细光束。通过使用这样的长焦距柱面棱镜，可以得到减小了像差、在照射面上或附近的能量分布均匀的激光束。此外，长焦距柱面棱镜可以有效的抑制在入射到半导体膜上的光束的光束宽度和基底背表面反射的光束的光束宽度之间产生明显的差别。本发明的试验显示当使用了焦距为500mm或更大的柱面棱镜时，能够有力的减少像差的影响。 
反射镜207安装在柱面棱镜的前面，从而可以改变激光束的传播方向。通过反射镜207可以将激光束入射到照射面上的角度调整到想要的角度θ。如果棱镜206的角度根据反射镜207的角度而改变，那么在照射面上可以形成更加匀称的激光束。 
此外，当线性光束照射到半导体膜上时，进行的照射在扫描期间具有激光束的0到80％的扫描重叠率(在本实施例中激光束是在Y轴方向上)。注意到在脉冲激光器的情况下，进行的照射在连续照射的激光束之间具有还可以重叠50-98％或可选的不重叠。因为最优条件随半导体膜的状态或激光束的延迟时间而不同，所以最好是操作员适当的确定最优条件。 
在实施方案1中，一个脉冲激光器(输出20W，频率30Hz，YAG)被用作激光振荡器201。使用非线性光学元件202将脉冲激光束调制到第二谐波，接下来使用光学系统将其变成宽度为130mm，长度为0.4mm的线性光束，并且线性光束照射到半导体膜上。此时，线性光束以与基底垂直方向5到10度的角度偏差照射。 
台架208安装在平台203的下面，移动机械装置209安装在台架208下面。通过移动机械装置209可以在X轴方向和Y轴方向移动基底204。在移动机械装置209下面可以安装滚珠、圆柱、电机等。 
处理目标基底204中的半导体膜在与处理目标基底204平行且靠近处理目标基底204端面的方向上结晶。 
此外，通过用激光束斜向照射处理目标基底204的半导体膜，可以去掉或减少在半导体膜上产生的同心圆图案，从而使半导体的材料特性在使用激光退火步骤之后变得均匀。如果使用这样的半导体膜来制造半导体设备，可以大大提高半导体设备的性能。 
实施方案2 
此实施方案描述了用于激光退火设备的结晶方法。 
首先，将玻璃基底(玻璃变形温度为667℃的Corning 1737)制备为基底1000。接下来在基底1000上形成保护膜1001，并通过喷镀方法在保护膜1001上以多层结构的形式依次形成氮化钽膜1002a(50nm厚)和钽膜1002b(250nm厚)。(图7A)接下来，使用光刻法形成多层结构的门电极1002，光刻法是传统的形成图案的方法。 
随后，在不暴露给大气的条件下以多层结构依次形成门绝缘膜和非晶形半导体膜1004。在此实施方案中，为了防止杂质在制造过程中从门电极接线扩散到半导体膜和门绝缘膜之中，使用等离子CVD方法形成多层结构的氮化硅膜1003a(50nm厚)和氧化硅膜1003b(125nm厚)，该层起多层结构的门绝缘膜的作用。在此实施方案中，用了两 层绝缘膜作为门绝缘膜，但是门绝缘膜可以是单层或三层以上的多层结构。此外，在此实施方案中，使用等离子CVD方法在门绝缘膜上形成了一个厚度为54nm的非晶形硅膜1004作为非晶形半导体膜。而且，多层结构的形成是在不暴露给大气的条件下依次进行的，因此每个层接触面没有从大气中附着的杂质。 
此后，进行加热处理(温度为500℃，1小时)以减少非晶形硅膜中阻碍半导体膜结晶的氢的浓度。 
在得到如图7C所示的状态之后，为了形成结晶半导体膜1005，使用红外光或紫外光(激光退火)照射非晶形半导体膜1004使其结晶(激光结晶)。(图7D)非晶形半导体膜1004在与基底1000平行且靠近基底1000端面的方向上结晶。 
在使用紫外光作为结晶方法的情况下，可以使用紫外光灯发出的激光或强光，而在使用红外光的情况下，可以使用红外光灯发出的红外激光或强光。在此实施方案中，YVO4激光束的形状为椭圆形，以5到10°的斜角照射到半导体膜。 
此外，我们可以考虑非晶形半导体膜1004的厚度、基底温度等来确定适当的激光结晶的条件(例如激光波长、照射强度、重合度、和照射时间)。 
此外，一些激光结晶的条件会使半导体膜在经过了熔化状态之后才结晶，或者半导体膜在没有熔化的固态或固态和液态的中间状态结晶。这种处理使非晶形半导体膜1004结晶并变成结晶半导体膜1005。在此实施方案中，结晶半导体膜是多晶硅膜(多硅膜)。 
实施方案3 
下面参照图8到9的顶视图来描述使用实施方案1和2得到的有源矩阵液晶显示器设备的结构。 
在图8A所示的有源矩阵液晶显示器设备的顶视图中，在有源矩阵基底801上形成像素部分811、驱动电路(门驱动电路805和源驱动电路807的统称)、接到一个FPC(柔性印刷电路)的外部输入端803、将外部输入端803连接到对应电路输入部分的接线804等等。通过在其间加入末端密封材料将有源矩阵基底801和上面形成有滤色器等等的反向基底802相互结合在一起。 
门驱动电路的作用是将信号输入到所选的门接线806。门接线806 是电连接到门电极的接线。而且所选的门接线是依次选择的。当然，在门接线上配有绝缘线。另一方面，源驱动电路的功能是接收图像数据信号并将信号送往与所选门接线连接的像素电极。源驱动电路807与门驱动电路806匹配移动。接下来，通过选择每个门接线的开关元件(没有给出)和通过给源接线808加上需要的电压就可以得到有源矩阵型显示设备的图像。 
提供在面向基底背面的像素部分811的表面上形成的滤色器，所以各有一个红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)滤色器对应一个像素。对于实际显示来说，颜色的显示是通过三种颜色的滤色器，即红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，来实现的。这三种颜色的滤色器可以随意排列。 
当由激光照射导致的粒增长的方向(图8)与箭头方向一致时，如果该方向与图9A(像素部分的TFT图)中半导体膜810中载流子的流动方向(沟道方向)相同，那么不会降低电迁移率。806代表门接线，811代表接触孔。同样，如果图8中由激光照射导致的粒增长的方向与图9B(驱动电路的TFT图)中半导体膜810中载流子的流动方向相同，那么不会降低电迁移率。906代表门接线，911代表接触孔。 
实施方案4 
下面将要描述一种与第一实施方案中不同的激光退火装置。在此实施方案中的激光退火装置的特征在于提供了多个激光振荡器、多个光学系统和多个镜子，将各个由激光振荡器振荡并由光学系统处理的激光束聚光，并将聚光光束照射到基底。 
如图11所示，激光束1100a到1100c分别由激光振荡器1109a到1109c发射，并由镜子1111a到1111c反射。反射的激光束会聚并照射到安装在平台1104上的处理目标基底1113。使用安装在平台1104下面的移动机械装置1105，处理目标基底1113可以在X轴方向和Y轴方向移动。在移动机械装置1105的下面安装有滚珠、圆柱、电机等。 
在此实施方案中，可以防止或减少由激光束或多束激光束照射不利产生的同心圆图案的产生。因此可以提高所得半导体设备的可靠性。 
实施方案5 
下面将要描述与第一和第二实施方案中不同的激光退火装置。在此实施方案中的激光退火装置的特征在于提供了多个激光振荡器、多个 非线性光学元件和一个波导管，各个激光振荡器发射激光束，各个非线性光学元件调制激光束，波导管会聚已调制激光束，会聚激光束照射基底。 
如图12所示，激光振荡器100a到100c发射激光束，激光束112a到112c由非线性光学元件101a到101c进行调制，入射到光纤阵列103，并由波导管104会聚。光纤阵列105发射的激光束照射平台110上的处理目标基底113。请注意，光纤阵列103是使激光束112a到112c彼此接近的装置。 
台架106安装在平台110的下面，移动机械装置107安装在台架106的下面。使用移动机械装置107，处理目标基底113可以在X轴方向和Y轴方向(没有给出)移动。在移动机械装置107的下面安装有滚珠、圆柱、电机等。 
在此实施方案中，可以防止或减少由激光束或多束激光束照射不利产生的同心圆图案的产生。因此可以提高所得半导体设备的可靠性。 
实施方案6 
下面将要描述一种与第一到第三实施方案中的那些激光退火装置不同的激光退火装置，同时特别涉及一个移动平台的、参照图13的移动机械装置的例子。 
一般来讲，在其上安装有激光照射的处理目标的平台沿着以X轴方向或Y轴方向安装的导轨移动。称作滚珠(轴承)的弧形物体放置在导轨和固定平台的部件(滑块)之间。从而实现了可以减少摩擦引起的负载和可以平滑移动平台的机械装置。 
因为滚珠(轴承)会因平台的反复移动而磨损，所以需要通过定期维护来替换滚珠。此外，为了更为平滑的移动平台，需要减少由平台移动引起的磨损。 
图13A显示了此实施方案中移动平台的移动机械装置。在图13A中，引用符号1300表示导轨，在其上以一个固定方向移动平台形成了一个方向的误差。引用符号1301表示固定平台的部件，称作滑块。滑块1301可以沿着导轨1300移动。另一种做法是可以安装多个滑块，以预定的间隔固定。引用符号1302表示一个穿过在滑块1301上形成的洞、沿着导轨1300方向安装的滑杆。滑杆1302通过侧板1304固定在导轨1300上。 
供电电压和空气通过电缆1303送给滑块1301。图13B是滑块1301的放大图。供电电压产生使滑块1301和导轨1300相互吸引的磁场。此外，供电电压产生的磁场的方向是滑块1301远离在滑块1301中提供的洞中的滑杆1302并且不与其接触的方向。根据线性电机力的原理，滑块1301以箭头所示的方向移动。另一方面，力作用在滑块1301和导轨1300上，因此滑块1301和导轨1300通过这个磁场相互吸引。提供给滑块1301的空气通过气孔1305释放到滑块1301和导轨1300之间的区域里。因为力通过磁场的引力和气体的释放作用到滑块1301远离滑杆1302的方向上，所以在滑块1301和导轨1300之间保持着一个固定距离。 
另一种做法是，不是由通过电缆提供的供电电压来产生磁场，而且导轨1300和滑块1301中的一个可以在磁性元件的外面形成，导轨1300和滑块1301中的另一个可以在磁性元件吸引的材料的外面形成，从而产生了磁场。替代做法是导轨1300和滑块1301可以分别在磁性元件的外面形成。 
更进一步，不是由通过电缆提供的供电电压来产生磁场，而且滑杆1302和滑块1301中的一个可以在磁性元件的外面形成，滑杆1302和滑块1301中的另一个可以在要远离磁性元件的材料的外面形成，从而产生了磁场。替代做法是滑杆1302和滑块1301可以分别在磁性元件的外面形成。 
使用在此实施方案中显示的平台移动机械装置，可以以非接触的方式沿着导轨移动平台，免除了滚珠(轴承)的定期更换，因此利于维护。此外，因为非接触移动，几乎不发生摩擦，与使用滚珠的情况相比平台可以更为平滑的移动。 
图13C显示了激光照射的处理目标1311安装在固定在滑块1301上面的平台1310上的状态。在此实施方案中，平台移动装置使平台能够更为平滑的移动，使激光束更为均匀的照射处理目标1311。 
如到这里所述，通过使用根据本发明的激光退火装置，多个激光束可以会聚成一个激光流，从而防止或减少了同心圆图案的产生，这是由激光流照射不利产生的，能够提高所得半导体设备的可靠性。如果使用了根据本发明的激光退火装置，那么即使是大尺寸基底上的半导体膜，也可以将激光束或多束激光束均匀的照射到上面。 
此外，根据本发明，在使用激光退火方法的步骤中要将激光束处理成具有椭圆形的截面，从而提高透射能。除此之外，通过使用易于维护的固态激光器，可以得到比使用传统受激准分子激光器的激光退火产生的更高的透射能。结果是可以减少TFT和由TFT制造的显示器这样的半导体设备的制造成本。 
而且通过用激光束斜向照射半导体膜，可以去掉或减少在半导体膜上产生的同心圆图案，从而使半导体膜的材料特性在使用激光退火方法的步骤之后变得均匀。如果使用这样的半导体膜来制造半导体设备，那么可以大大提高半导体设备的性能。 

Claims (39)

1.一种激光退火方法，包括：
从激光光源输出激光束；以及
通过将移动机械装置往复移动等于或大于基底的一条边的长度的距离和通过将所述移动机械装置在垂直于所述往复移动的方向的方向上移动小于所述激光束在所述基底上的照射区域在所述垂直方向上的长度的距离来移动该激光束斜向照射的所述基底，其中
在用该激光束斜向照射该基底之前，该移动机械装置被加速地移动，并且在该照射期间该移动机械装置被以恒定的速度移动，以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时该移动机械装置被减速地移动。
2.根据权利要求1的激光退火方法，其中所述移动机械装置具有加热器。
3.根据权利要求1的激光退火方法，其中所述恒定的速度落在20到200cm/s的范围内。
4.根据权利要求1的激光退火方法，其中将激光束斜向照射到所述基底上的角度为相对于所述基底的前表面的法线方向或所述基底的后表面的法线方向5度至10度。
5.根据权利要求1的激光退火方法，其中所述激光束是一种从由Nd:YAG激光器、Nd:YLF激光器、Nd:YVO4激光器和Nd:YAlO3激光器构成的组中选择的激光器发出的二次谐波。
6.一种激光退火方法，包括：
从激光光源输出激光束；
用光学系统处理该激光束；
通过镜子反射该激光束；以及
通过将移动机械装置往复移动等于或大于基底的一条边的长度的距离和通过将所述移动机械装置在垂直于所述往复移动的方向的方向上移动小于所述激光束在所述基底上的照射区域在所述垂直方向上的长度的距离来移动该激光束斜向照射的所述基底，
其中
在用该激光束斜向照射该基底之前，该移动机械装置被加速地移动，并且在该照射期间该移动机械装置被以恒定的速度移动，以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时该移动机械装置被减速地移动。
7.根据权利要求6所述的激光退火方法，其中所述光学系统将所述激光束处理成椭圆形或线性形状。
8.根据权利要求6所述的激光退火方法，其中所述移动机械装置具有加热器。
9.根据权利要求6所述的激光退火方法，其中所述恒定的速度落在20到200cm/s的范围内。
10.根据权利要求6所述的激光退火方法，其中将激光束斜向照射到所述基底上的角度为相对于所述基底的前表面的法线方向或所述基底的后表面的法线方向5度至10度。
11.根据权利要求6所述的激光退火方法，其中所述激光束是一种从由Nd:YAG激光器、Nd:YLF激光器、Nd:YVO4激光器和Nd:YAlO3激光器构成的组中选择的激光器发出的二次谐波。
12.一种激光退火方法，包括：
从激光光源输出激光束；
通过非线性光学元件调制该激光束；
通过波导管会聚已调制激光束；以及
通过将移动机械装置往复移动等于或大于基底的一条边的长度的距离和通过将所述移动机械装置在垂直于所述往复移动的方向的方向上移动小于所述激光束在所述基底上的照射区域在所述垂直方向上的长度的距离来移动该激光束斜向照射的所述基底，
其中
在用该激光束斜向照射该基底之前，该移动机械装置被加速地移动，并且在该照射期间该移动机械装置被以恒定的速度移动，以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时该移动机械装置被减速地移动。
13.根据权利要求12所述的激光退火方法，其中所述移动机械装置具有加热器。
14.根据权利要求12所述的激光退火方法，其中所述恒定的速度落在20到200cm/s的范围内。
15.根据权利要求12所述的激光退火方法，其中将激光束斜向照射到所述基底上的角度为相对于所述基底的前表面的法线方向或所述基底的后表面的法线方向5度至10度。
16.根据权利要求12所述的激光退火方法，其中所述激光束是一种从由Nd:YAG激光器、Nd:YLF激光器、Nd:YVO4激光器和Nd:YAlO3激光器构成的组中选择的激光器发出的二次谐波。
17.一种激光退火方法，包括：
从激光光源输出激光束；以及
通过将移动机械装置往复移动等于或大于基底的一条边的长度的距离和通过将所述移动机械装置在垂直于所述往复移动的方向的方向上移动小于所述激光束在所述基底上的照射区域在所述垂直方向上的长度的距离来移动该激光束斜向照射的所述基底；
其中
在用该激光束斜向照射该基底之前，该移动机械装置被加速地移动，并且在该照射期间该移动机械装置被以恒定的速度移动，以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时该移动机械装置被减速地移动，以及
所述移动机械装置沿着导轨以非接触方式移动。
18.根据权利要求17的激光退火方法，其中该非接触方式通过产生磁场实现。
19.根据权利要求17的激光退火装置，其中该非接触方式通过排放空气实现。
20.根据权利要求17的激光退火装置，其中该非接触方式通过产生磁场和排放空气实现。
21.根据权利要求17所述的激光退火方法，其中所述移动机械装置具有加热器。
22.根据权利要求17所述的激光退火方法，其中所述恒定的速度落在20到200cm/s的范围内。
23.根据权利要求17所述的激光退火方法，其中将激光束斜向照射到所述基底上的角度为相对于所述基底的前表面的法线方向或所述基底的后表面的法线方向5度至10度。
24.根据权利要求17所述的激光退火方法，其中所述激光束是一种从由Nd:YAG激光器、Nd:YLF激光器、Nd:YVO4激光器和Nd:YAlO3激光器构成的组中选择的激光器发出的二次谐波。
25.一种激光退火方法，包括：
从激光光源输出激光束；以及
将该激光束通过激光退火室中的透明窗；以及通过将移动机械装置往复移动等于或大于基底的一条边的长度的距离和通过将所述移动机械装置在垂直于所述往复移动的方向的方向上移动小于所述激光束在所述基底上的照射区域在所述垂直方向上的长度的距离来移动该激光束斜向照射的所述基底，
其中
在用该激光束斜向照射该基底之前，该移动机械装置被加速地移动，并且在该照射期间该移动机械装置被以恒定的速度移动，以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时该移动机械装置被减速地移动，以及
其中所述激光退火室的气体由真空泵控制。
26.根据权利要求25的激光退火装置，其中所述移动机械装置具有加热器。
27.根据权利要求25的激光退火装置，其中所述恒定的速度落在20到200cm/s的范围内。
28.根据权利要求25的激光退火装置，其中将激光束斜向照射到所述基底上的角度为相对于所述基底的前表面的法线方向或所述基底的后表面的法线方向5度至10度。
29.根据权利要求25的激光退火装置，其中所述激光束是一种从由Nd:YAG激光器、Nd:YLF激光器、Nd:YVO4激光器和Nd:YAlO3激光器构成的组中选择的激光器发出的二次谐波。
30.一种半导体设备制造方法，包括：
在基底上形成半导体膜；以及
照射激光束到该半导体膜，
其中不停地重复在以第一方向移动该基底的同时用该激光束斜向照射该半导体膜的步骤和在垂直于该第一方向的第二方向上移动该基底等于或小于该激光束的宽度的距离的步骤；以及
在用该激光束斜向照射该基底之前，该基底被加速地移动，在该照射期间该基底被以恒定的速度移动，以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时该基底被减速地移动。
31.根据权利要求30的半导体设备制造方法，还包括在用该激光束斜向照射该半导体膜的步骤之前会聚该激光束的步骤。
32.根据权利要求30的半导体设备制造方法，还包括分别利用多个非线性光学元件调制多个所述激光束的步骤，以及在用该激光束斜向照射该半导体膜之前使该被调制的激光束通过波导管从而会聚该被调制的激光束的步骤。
33.根据权利要求30的半导体设备制造方法，其中所述恒定的速度落在20到200cm/s的范围内。
34.根据权利要求30的半导体设备制造方法，其中该激光束被处理成在所述半导体膜上具有椭圆形状。
35.根据权利要求30的半导体设备制造方法，其中将激光束斜向照射到所述半导体膜上的角度为相对于所述基底的前表面的法线方向或所述基底的后表面的法线方向5度至10度。
36.根据权利要求30的半导体设备制造方法，其中该半导体膜的结晶是在平行于该基底且靠近所述基底的端面的方向进行的。
37.根据权利要求30的半导体设备制造方法，其中该激光束从该基底的后表面照射到该半导体膜。
38.根据权利要求30的半导体设备制造方法，其中所述激光束是从由Nd:YAG激光器、Nd:YLF激光器、Nd:YVO4激光器和Nd:YAlO3激光器构成的组中选择的激光器发出的一种二次谐波。
39.根据权利要求30的半导体设备制造方法，其中以不低于10W的功率输出所述激光束。
CN2006101156099A 2001-08-10 2002-08-12 激光退火方法和半导体设备制造方法 Expired - Fee Related CN101101869B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001245095 2001-08-10
JP245095/2001 2001-08-10

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021303053A Division CN1279591C (zh) 2001-08-10 2002-08-12 激光退火装置和半导体设备制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101101869A CN101101869A (zh) 2008-01-09
CN101101869B true CN101101869B (zh) 2010-12-29

Family

ID=19074912

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101156099A Expired - Fee Related CN101101869B (zh) 2001-08-10 2002-08-12 激光退火方法和半导体设备制造方法
CNB021303053A Expired - Fee Related CN1279591C (zh) 2001-08-10 2002-08-12 激光退火装置和半导体设备制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021303053A Expired - Fee Related CN1279591C (zh) 2001-08-10 2002-08-12 激光退火装置和半导体设备制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US6847006B2 (zh)
JP (1) JP5058205B2 (zh)
KR (1) KR100885904B1 (zh)
CN (2) CN101101869B (zh)
TW (1) TW561556B (zh)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7405149B1 (en) * 1998-12-21 2008-07-29 Megica Corporation Post passivation method for semiconductor chip or wafer
TW552645B (en) * 2001-08-03 2003-09-11 Semiconductor Energy Lab Laser irradiating device, laser irradiating method and manufacturing method of semiconductor device
KR100885904B1 (ko) * 2001-08-10 2009-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레이저 어닐링장치 및 반도체장치의 제작방법
WO2003043070A1 (en) * 2001-11-12 2003-05-22 Sony Corporation Laser annealing device and thin-film transistor manufacturing method
US6849825B2 (en) * 2001-11-30 2005-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
US7064089B2 (en) * 2002-12-10 2006-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma treatment apparatus and method for plasma treatment
JP4152806B2 (ja) 2003-05-28 2008-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ光照射装置
US7294874B2 (en) * 2003-08-15 2007-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device
JP4838982B2 (ja) * 2004-01-30 2011-12-14 株式会社 日立ディスプレイズ レーザアニール方法およびレーザアニール装置
EP1751956B1 (en) * 2004-05-13 2011-05-04 Qualcomm, Incorporated Delivery of information over a communication channel
KR100599060B1 (ko) * 2004-08-31 2006-07-12 주식회사 디이엔티 평판 표시패널 검사용 광조사방법 및 광조사장치
JP4935059B2 (ja) * 2005-02-17 2012-05-23 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US7700463B2 (en) * 2005-09-02 2010-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2007110064A (ja) 2005-09-14 2007-04-26 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザアニール方法及び装置
ES2294919B1 (es) * 2006-03-07 2009-02-16 Consejo Superior Investig. Cientificas Horno continuo con laser acoplado para el tratamiento superficial de materiales.
JP5239155B2 (ja) * 2006-06-20 2013-07-17 信越半導体株式会社 シリコンウエーハの製造方法
CN101450423B (zh) * 2008-12-24 2011-08-03 深圳市大族激光科技股份有限公司 一种激光切割方法
JP5517832B2 (ja) * 2010-08-20 2014-06-11 住友重機械工業株式会社 レーザアニール装置及びレーザアニール方法
US20120225568A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-06 Tokyo Electron Limited Annealing method and annealing apparatus
KR101288993B1 (ko) * 2011-12-20 2013-08-16 삼성디스플레이 주식회사 레이저 어닐링 장치
KR101278045B1 (ko) 2012-02-17 2013-06-24 주식회사 엘티에스 레이저 리프트 오프 방법
KR101432153B1 (ko) * 2012-11-13 2014-08-22 삼성디스플레이 주식회사 광 투과 장치 및 이를 구비하는 어닐링 장치
CN104498677A (zh) * 2015-01-04 2015-04-08 宁波英飞迈材料科技有限公司 一种高通量微区快速热处理设备及其热处理方法
US10016843B2 (en) * 2015-03-20 2018-07-10 Ultratech, Inc. Systems and methods for reducing pulsed laser beam profile non-uniformities for laser annealing
CN104900802B (zh) * 2015-04-27 2018-02-13 江苏多维科技有限公司 用于自旋电子器件钉扎层的快速热处理方法和装置
EP3428958A4 (en) * 2016-03-09 2019-03-20 Mitsubishi Electric Corporation THERMAL PROCESSING DEVICE, HEAT TREATMENT METHOD, LASER RECOVERY DEVICE, AND LASER RECOVERY METHOD
KR102490081B1 (ko) * 2016-03-23 2023-01-18 삼성디스플레이 주식회사 레이저 결정화 장치 및 방법
CN105710533B (zh) * 2016-04-19 2017-06-06 哈尔滨工业大学 格架真空激光焊接系统
CN106041391B (zh) * 2016-05-30 2017-08-15 武汉电信器件有限公司 一种box封装器件烧结固定夹具
CN109434279A (zh) * 2017-09-04 2019-03-08 Hb技术有限公司 运用电机编码器信号信息的激光系统
CN108048913A (zh) * 2017-12-14 2018-05-18 友达光电（昆山）有限公司 一种非晶硅转变为多晶硅的结晶激光装置及方法
JP7239307B2 (ja) * 2018-12-04 2023-03-14 株式会社アイシン福井 レーザ溶接装置
JP7168430B2 (ja) * 2018-12-04 2022-11-09 株式会社アイシン福井 レーザ溶接装置
CN110047781B (zh) * 2019-03-14 2021-08-24 云谷（固安）科技有限公司 激光退火设备及激光退火方法
CN111893266B (zh) * 2020-07-28 2021-05-07 西安交通大学 一种耦合激光处理的金属电阻加热装置
CN115841973B (zh) * 2023-02-17 2023-04-28 成都莱普科技股份有限公司 一种用于晶圆激光退火的挡光环及其制备方法
CN117253841B (zh) * 2023-11-15 2024-03-01 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司 一种用于碳化硅晶圆的激光退火装置和方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6027960A (en) * 1995-10-25 2000-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser annealing method and laser annealing device

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3585088A (en) * 1968-10-18 1971-06-15 Ibm Methods of producing single crystals on supporting substrates
US4330363A (en) 1980-08-28 1982-05-18 Xerox Corporation Thermal gradient control for enhanced laser induced crystallization of predefined semiconductor areas
ATE8514T1 (de) * 1980-09-18 1984-08-15 L'etat Belge, Represente Par Le Secretaire General Des Services De La Programmation De La Politique Scientifique Verfahren zum kristallisieren von filmen und so erhaltene filme.
US4415794A (en) * 1981-03-16 1983-11-15 Fairchild Camera And Instrument Corporation Laser scanning method for annealing, glass flow and related processes
JPS61188509A (ja) * 1985-02-16 1986-08-22 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 光結合装置
JPS6215875A (ja) * 1985-07-12 1987-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPS6239138A (ja) 1985-08-13 1987-02-20 Omron Tateisi Electronics Co Ｘｙステ−ジ
JPH0788850B2 (ja) 1986-01-14 1995-09-27 光洋精工株式会社 磁気浮上スライド
JPH0763055B2 (ja) 1986-03-18 1995-07-05 富士通株式会社 レ−ザアニ−ル装置
US4806728A (en) * 1988-02-01 1989-02-21 Raytheon Company Laser process apparatus
JPH0612761B2 (ja) * 1988-06-13 1994-02-16 神奈川県 レーザによる選択拡散の方法
US5108843A (en) * 1988-11-30 1992-04-28 Ricoh Company, Ltd. Thin film semiconductor and process for producing the same
JPH02181419A (ja) 1989-01-06 1990-07-16 Hitachi Ltd レーザアニール方法
JP2780837B2 (ja) 1990-01-24 1998-07-30 住友重機械工業株式会社 可動ステージ装置
MY107855A (en) * 1990-07-06 1996-06-29 Tsubouchi Kazuo Metal film forming method.
NL9001908A (nl) * 1990-08-30 1992-03-16 Philips Nv Elektromagnetische ondersteuning met positie-onafhankelijke eigenschappen.
JPH04142030A (ja) * 1990-09-12 1992-05-15 Ricoh Co Ltd 半導体膜の製造方法
US5521107A (en) 1991-02-16 1996-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a field-effect transistor including anodic oxidation of the gate
JP2794678B2 (ja) 1991-08-26 1998-09-10 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
JP2845303B2 (ja) 1991-08-23 1999-01-13 株式会社 半導体エネルギー研究所 半導体装置とその作製方法
JPH05104276A (ja) 1991-10-16 1993-04-27 Toshiba Corp レーザ加工装置およびレーザによる加工方法
JP2919145B2 (ja) * 1992-01-07 1999-07-12 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 レーザ光照射装置
JPH05238548A (ja) 1992-02-27 1993-09-17 Ntn Corp エアスライド装置
US5424244A (en) * 1992-03-26 1995-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for laser processing and apparatus for use in the same
JPH0679487A (ja) 1992-05-28 1994-03-22 Nec Corp レーザ加工機
CA2108761A1 (en) * 1992-10-23 1994-04-24 Koichi Haruta Method and apparatus for welding material by laser beam
JPH06232069A (ja) 1993-02-04 1994-08-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
KR100255689B1 (ko) * 1993-05-27 2000-05-01 윤종용 반도체 레이져 소자 및 그 제조방법
US5923962A (en) 1993-10-29 1999-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
TW264575B (zh) 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JPH07168040A (ja) 1993-12-14 1995-07-04 Nippon Steel Corp 半導体レーザー集光装置
JPH07249591A (ja) 1994-03-14 1995-09-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体薄膜のレーザーアニール方法及び薄膜半導体素子
JPH07281053A (ja) * 1994-04-11 1995-10-27 Mitsui Petrochem Ind Ltd ファイバ光結合装置
US5489222A (en) * 1994-09-09 1996-02-06 The Whitaker Corporation Mini connector with anti-rotational contact
US5712191A (en) 1994-09-16 1998-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing semiconductor device
US6242289B1 (en) 1995-09-08 2001-06-05 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Method for producing semiconductor device
JP3469337B2 (ja) 1994-12-16 2003-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5848185A (en) 1994-12-28 1998-12-08 Canon Kabushiki Kaisha Image processing apparatus and method
US5854803A (en) 1995-01-12 1998-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser illumination system
US5981399A (en) * 1995-02-15 1999-11-09 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for fabricating semiconductor devices
JP3778456B2 (ja) 1995-02-21 2006-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法
JP3883592B2 (ja) * 1995-08-07 2007-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射方法および半導体作製方法および半導体装置の作製方法および液晶電気光学装置の作製方法
JP3650943B2 (ja) 1995-10-05 2005-05-25 株式会社日本製鋼所 レーザーアニール処理装置
JP3119803B2 (ja) 1995-11-15 2000-12-25 アルプス電気株式会社 Ｘｙテーブル
JPH09321311A (ja) 1996-05-24 1997-12-12 Sony Corp 薄膜半導体装置の製造方法
CA2256699C (en) * 1996-05-28 2003-02-25 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Crystallization processing of semiconductor film regions on a substrate, and devices made therewith
US6759628B1 (en) 1996-06-20 2004-07-06 Sony Corporation Laser annealing apparatus
JP3580033B2 (ja) 1996-06-20 2004-10-20 ソニー株式会社 薄膜半導体装置及びその製造方法とレーザアニール装置
US5970368A (en) 1996-09-30 1999-10-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing polycrystal semiconductor film
US6455359B1 (en) 1997-02-13 2002-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser-irradiation method and laser-irradiation device
JP4056577B2 (ja) 1997-02-28 2008-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射方法
JP3343492B2 (ja) * 1997-04-02 2002-11-11 シャープ株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
JP3770999B2 (ja) 1997-04-21 2006-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射装置及びレーザー照射方法
JP3462053B2 (ja) 1997-09-30 2003-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 ビームホモジェナイザーおよびレーザー照射装置およびレーザー照射方法および半導体デバイス
KR100353321B1 (ko) * 1998-06-08 2002-09-18 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 광학유닛 및 투사형표시장치
JP2000019362A (ja) 1998-07-07 2000-01-21 Nec Corp アレイ型半導体レーザ用光結合装置及び該アレイ型半導体レーザを用いた固体レーザ装置
EP1744349A3 (en) 1998-10-05 2007-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, beam homogenizer, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device
JP3504528B2 (ja) 1999-03-18 2004-03-08 株式会社日本製鋼所 レーザ光照射装置
US6313434B1 (en) * 1999-05-27 2001-11-06 International Business Machines Corporation Method for creation of inclined microstructures using a scanned laser image
JP3562389B2 (ja) * 1999-06-25 2004-09-08 三菱電機株式会社 レーザ熱処理装置
US6426245B1 (en) 1999-07-09 2002-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
DE60045653D1 (de) * 1999-08-13 2011-04-07 Semiconductor Energy Lab Laserbestrahlungsgerät
US6567219B1 (en) * 1999-08-13 2003-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
US6599788B1 (en) 1999-08-18 2003-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP2001102681A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Toshiba Corp レーザ光源装置
JP2001102323A (ja) 1999-09-30 2001-04-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザアニール装置および薄膜トランジスタの製造方法
JP3451477B2 (ja) 1999-11-26 2003-09-29 住友重機械工業株式会社 レーザアニーリング装置
JP2001156017A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー装置及びレーザー光を用いた熱処理方法並びに半導体装置の作製方法
CN1217417C (zh) 1999-12-10 2005-08-31 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
JP3885183B2 (ja) * 2000-01-17 2007-02-21 独立行政法人産業技術総合研究所 光学装置、光学装置の調整方法、およびその調整方法で実行する処理プログラムを記録した記録媒体
US6856630B2 (en) 2000-02-02 2005-02-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam homogenizer, laser irradiation apparatus, semiconductor device, and method of fabricating the semiconductor device
US6746901B2 (en) 2000-05-12 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating thereof
US6489222B2 (en) 2000-06-02 2002-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US7078321B2 (en) 2000-06-19 2006-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6451631B1 (en) * 2000-08-10 2002-09-17 Hitachi America, Ltd. Thin film crystal growth by laser annealing
US7217605B2 (en) 2000-11-29 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method and method of manufacturing a semiconductor device
US6496248B2 (en) * 2000-12-15 2002-12-17 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus and method
SG113399A1 (en) 2000-12-27 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Laser annealing method and semiconductor device fabricating method
US6809012B2 (en) 2001-01-18 2004-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making a thin film transistor using laser annealing
JP2002231655A (ja) 2001-01-30 2002-08-16 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザアニール装置
US6675057B2 (en) * 2001-04-25 2004-01-06 Intel Corporation Integrated circuit annealing methods and apparatus
TW552645B (en) 2001-08-03 2003-09-11 Semiconductor Energy Lab Laser irradiating device, laser irradiating method and manufacturing method of semiconductor device
KR100885904B1 (ko) * 2001-08-10 2009-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레이저 어닐링장치 및 반도체장치의 제작방법
JP5078205B2 (ja) * 2001-08-10 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置
TWI282126B (en) 2001-08-30 2007-06-01 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
JP4397571B2 (ja) 2001-09-25 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
US7026227B2 (en) 2001-11-16 2006-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of irradiating a laser beam, and method of fabricating semiconductor devices
US6849825B2 (en) 2001-11-30 2005-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6027960A (en) * 1995-10-25 2000-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser annealing method and laser annealing device

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2001-102323A 2001.04.13
JP特开平9-321311A 1997.12.12

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009164637A (ja) 2009-07-23
KR100885904B1 (ko) 2009-02-26
KR20030014609A (ko) 2003-02-19
US7863541B2 (en) 2011-01-04
CN101101869A (zh) 2008-01-09
US20050035095A1 (en) 2005-02-17
US20100173480A1 (en) 2010-07-08
CN1279591C (zh) 2006-10-11
JP5058205B2 (ja) 2012-10-24
US6847006B2 (en) 2005-01-25
TW561556B (en) 2003-11-11
US20030038122A1 (en) 2003-02-27
CN1405862A (zh) 2003-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101101869B (zh) 激光退火方法和半导体设备制造方法
CN100479116C (zh) 激光照射设备和制造半导体器件的方法
CN100349269C (zh) 激光退火装置和激光薄膜形成装置
US6849825B2 (en) Laser irradiation apparatus
CN1540720B (zh) 射束照射装置、射束照射方法及半导体装置的制作方法
US7407873B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
TW200415536A (en) Display device, process and apparatus for its production
CN101303969B (zh) 照射设备、半导体制造设备与方法和显示装置制造方法
CN103811682A (zh) 切割柔性显示装置的方法及使用其制造柔性显示装置的方法
CN109979805B (zh) 通过光纤激光器使非晶硅衬底均匀再结晶的工艺和系统
JP2001127003A (ja) レーザ照射装置
CN102554459B (zh) 结晶设备、结晶方法及制造有机发光显示装置的方法
CN109417034A (zh) 激光照射装置、薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法
JP2004054168A (ja) 画像表示装置
US6562705B1 (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor element
JP4336119B2 (ja) アクティブマトリクス型ｌｅｄ表示装置およびその要素
JP2003332258A (ja) レーザアニール装置、半導体デバイス、及び半導体デバイスの製造方法。
KR100924280B1 (ko) 광역 레이저 패터닝 시스템
JP4429575B2 (ja) レーザー照射装置及び半導体装置の作製方法
KR101335639B1 (ko) 레이저 결정화 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화 방법
TWI809843B (zh) 用於處理微型發光元件的系統及方法
CN1278396C (zh) 激光退火装置及其应用
KR100603330B1 (ko) 레이저 결정화 장치
KR101026796B1 (ko) 다결정 규소층 및 다결정 규소용 마스크, 그 다결정규소층을 포함하는 표시 장치용 표시판 및 그 제조 방법
KR20040076332A (ko) 규소 결정화 시스템 및 규소 결정화 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20101229

Termination date: 20180812

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee