JPH0289586A - レーザトリミング装置 - Google Patents
レーザトリミング装置Info
- Publication number
- JPH0289586A JPH0289586A JP63242715A JP24271588A JPH0289586A JP H0289586 A JPH0289586 A JP H0289586A JP 63242715 A JP63242715 A JP 63242715A JP 24271588 A JP24271588 A JP 24271588A JP H0289586 A JPH0289586 A JP H0289586A
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- Japan
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- laser
- laser beam
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- optical path
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- 238000009966 trimming Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザを利用した加工装置であるレーザトリミ
ング装置に関する。
ング装置に関する。
このレーザトリミング装置は、半導体ウェハー上に作ら
れた高集積ＩＣメモリーの不良アドレスを、アドレス切
り替えヒユーズを切断する事により予備のアドレスに切
り替えて良品とするりダンダンシー技術に用いられる。
れた高集積ＩＣメモリーの不良アドレスを、アドレス切
り替えヒユーズを切断する事により予備のアドレスに切
り替えて良品とするりダンダンシー技術に用いられる。
第３図は従来のレーザトリミング装置の一例の概略構成
図である。従来のレーザトリミング装置は、レーザ発振
器１とアッテネータ２と位置決めユニット３と結像レン
ズ４とウェハーステージ５とを備えている。予めＩＣテ
ストシステム等で測定判断されて得られた加工情報に従
いウェハーステージ５に搭載された被加工ウェハー６は
被加工チップを加工エリア内に正確に位置決めされる。
図である。従来のレーザトリミング装置は、レーザ発振
器１とアッテネータ２と位置決めユニット３と結像レン
ズ４とウェハーステージ５とを備えている。予めＩＣテ
ストシステム等で測定判断されて得られた加工情報に従
いウェハーステージ５に搭載された被加工ウェハー６は
被加工チップを加工エリア内に正確に位置決めされる。
レーザ発振器１より出力されたレーザビームは、アッテ
ネータ２により切断に最適のエネルギに減衰されレーザ
位置決めユニット３に入射される。
ネータ２により切断に最適のエネルギに減衰されレーザ
位置決めユニット３に入射される。
このレーザ位置決めユニット３では、前述の加工情報に
従いレーザビームを結像レンズ４を透過して複数存在す
る被切断ヒユーズ上に順次位置決めし、そのヒユーズを
切断してゆくものである。
従いレーザビームを結像レンズ４を透過して複数存在す
る被切断ヒユーズ上に順次位置決めし、そのヒユーズを
切断してゆくものである。
現在、リダンダンシーを目的に設けられているヒユーズ
は、１チツプあたり数十〜数百あり、さらに将来の高集
積／多機能メモリＩＣにおいてはさらにヒユーズ数が増
加するのは必至である。従来のレーザトリミング装置の
処理能力は位置決めユニット３の位置め速度で決定され
る。一般に、位置決めユニット３は１枚あるいは複数枚
のガルバノメータにとりつけられた平面鏡により構成さ
れており、この平面鏡に入射するレーザビームに対する
反射鏡の角度をヒユーズの位置座標に対応させてガルバ
ノメータの軸を回転軸として回転変化させ、反射後のレ
ーザビームを正確に被切断ヒユーズ上に位置決めする。
は、１チツプあたり数十〜数百あり、さらに将来の高集
積／多機能メモリＩＣにおいてはさらにヒユーズ数が増
加するのは必至である。従来のレーザトリミング装置の
処理能力は位置決めユニット３の位置め速度で決定され
る。一般に、位置決めユニット３は１枚あるいは複数枚
のガルバノメータにとりつけられた平面鏡により構成さ
れており、この平面鏡に入射するレーザビームに対する
反射鏡の角度をヒユーズの位置座標に対応させてガルバ
ノメータの軸を回転軸として回転変化させ、反射後のレ
ーザビームを正確に被切断ヒユーズ上に位置決めする。
ガルバノメータに取付けられた平面鏡はそれ自体質量を
有しており回転開始時の加速に要する時間及び回転後期
の減速に要する時間及び振動が終了し所定の角度に停止
するまでに要する時間は平面鏡の質量を減小させるに比
例して低下する。しかし、平面鏡の質量は当然存在し零
にすることは不可能である。即ち従来のレーザトリミン
グ装置の処理能力はある程度以上向上させることは不可
能であり、将来の高集積／多機能メモリＩＣの処理にお
いて能力不足となると思われる。
有しており回転開始時の加速に要する時間及び回転後期
の減速に要する時間及び振動が終了し所定の角度に停止
するまでに要する時間は平面鏡の質量を減小させるに比
例して低下する。しかし、平面鏡の質量は当然存在し零
にすることは不可能である。即ち従来のレーザトリミン
グ装置の処理能力はある程度以上向上させることは不可
能であり、将来の高集積／多機能メモリＩＣの処理にお
いて能力不足となると思われる。
従来のレーザトリミング装置は、レーザ発振器とアッテ
ネータと１つの位置決めユニットと対物レンズを有して
おり、１つの位置決めユニットで第１のヒユーズに位置
決めしてこのヒユーズを切断し、その後同じ位置決めユ
ニットにより第２のヒユーズに位置決めして第２のヒユ
ーズを切断していたため、ヒユーズ切断に時間がかかる
という問題があった。
ネータと１つの位置決めユニットと対物レンズを有して
おり、１つの位置決めユニットで第１のヒユーズに位置
決めしてこのヒユーズを切断し、その後同じ位置決めユ
ニットにより第２のヒユーズに位置決めして第２のヒユ
ーズを切断していたため、ヒユーズ切断に時間がかかる
という問題があった。
本発明の目的は、このような問題を解決し、位置決めユ
ニットを少くとも２台備え、第１のヒユーズを切断して
いる間、第２のヒユーズの位置決めを行うことにより、
処理時間を大幅に短縮したレーザトリミング装置を提供
することにある。
ニットを少くとも２台備え、第１のヒユーズを切断して
いる間、第２のヒユーズの位置決めを行うことにより、
処理時間を大幅に短縮したレーザトリミング装置を提供
することにある。
本発明の構成は、レーザ発振器からのレーザビームを結
像レンズにより半導体ウェハー上に結像させ、この半導
体ウェハー上に設けられたメモリの所定アドレス切替え
ヒユーズを切断するレーザトリミング装置において、前
記レーザビームを複数の光路に切替える光路切替器と、
この光路切替器からの各出力レーザビームの光量を調整
する複数の減衰器と、これら減衰器からの各レーザビー
ムを前記結像レンズを介して前記半導体ウェハー上の所
定個所にそれぞれ位置決めする複数の位置決めユニット
とを備えることを特徴とする。
像レンズにより半導体ウェハー上に結像させ、この半導
体ウェハー上に設けられたメモリの所定アドレス切替え
ヒユーズを切断するレーザトリミング装置において、前
記レーザビームを複数の光路に切替える光路切替器と、
この光路切替器からの各出力レーザビームの光量を調整
する複数の減衰器と、これら減衰器からの各レーザビー
ムを前記結像レンズを介して前記半導体ウェハー上の所
定個所にそれぞれ位置決めする複数の位置決めユニット
とを備えることを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第一の実施例の構成図である。レーザ
発振器１から出力されたレーザビーム７は音響光学素子
結晶等により構成されている光路切り替え器８に入射さ
れる。この光路切り替え器８では音響光学素子結晶に印
加される電圧により、その素子結晶を透過後の光路を変
化させる。
発振器１から出力されたレーザビーム７は音響光学素子
結晶等により構成されている光路切り替え器８に入射さ
れる。この光路切り替え器８では音響光学素子結晶に印
加される電圧により、その素子結晶を透過後の光路を変
化させる。
この光路切り替え器８通過後、レーザビーム７ａと７ｂ
に切り替え可能となっている。これらレーザビーム７ａ
、７ｂはそれぞれアッテネータ２ａ、２ｂにより切断に
最適なエネルギーに調整され、位置決めユニット３ａ、
３ｂにより結像レンズ４と通過して被加工ウェハー６上
の異なる被切断ヒユーズ上に位置決めされる。
に切り替え可能となっている。これらレーザビーム７ａ
、７ｂはそれぞれアッテネータ２ａ、２ｂにより切断に
最適なエネルギーに調整され、位置決めユニット３ａ、
３ｂにより結像レンズ４と通過して被加工ウェハー６上
の異なる被切断ヒユーズ上に位置決めされる。
本実施例のレーザトリミング装置では、まず被加工チッ
プ内の第１の被切断ヒユーズに位置決めユニット３ａに
よりレーザビームを位置決めし、光路切り替え器８によ
りレーザビーム７を第１の光路を通過するレーザビーム
７ａに切り替え、レーザ発振器１よりレーザパルスを出
力して第１のヒユーズを切断する。この間、すなわち、
位置決めユニット３ａが第１の被切断ヒユーズにレーザ
ビームを位置決めし、光路切り替え器８によりレーザビ
ーム７を第１の光路を通過するレーザビーム７ａに切り
替え、レーザ発振器１よりレーザパルスを出力してその
ヒユーズを切断する間、位置決めユニット３ｂは第２の
被切断ヒユーズにレーザビームを位置決めする。
プ内の第１の被切断ヒユーズに位置決めユニット３ａに
よりレーザビームを位置決めし、光路切り替え器８によ
りレーザビーム７を第１の光路を通過するレーザビーム
７ａに切り替え、レーザ発振器１よりレーザパルスを出
力して第１のヒユーズを切断する。この間、すなわち、
位置決めユニット３ａが第１の被切断ヒユーズにレーザ
ビームを位置決めし、光路切り替え器８によりレーザビ
ーム７を第１の光路を通過するレーザビーム７ａに切り
替え、レーザ発振器１よりレーザパルスを出力してその
ヒユーズを切断する間、位置決めユニット３ｂは第２の
被切断ヒユーズにレーザビームを位置決めする。
第１の被切断ヒユーズの切断が完了した時点において光
路切り替え器８によりレーザビーム７を第２の光路を通
過するレーザビーム７ｂに切り替え、レーザ発振器１よ
りレーザパルスを出力して第２のヒユーズを切断する。
路切り替え器８によりレーザビーム７を第２の光路を通
過するレーザビーム７ｂに切り替え、レーザ発振器１よ
りレーザパルスを出力して第２のヒユーズを切断する。
以下同様に位置決めユニット３ａ、３ｂが、交互に被切
断ヒユーズにレーザビームを位置決めし、それに合わせ
て光路切り替え器８がレーザビーム７を第１の光路を通
過するレーザビーム７ａと第２の光路を通過するレーザ
ビーム７ｂとに切り替え、被加工チップ内の被切断ヒユ
ーズを切断してゆく。
断ヒユーズにレーザビームを位置決めし、それに合わせ
て光路切り替え器８がレーザビーム７を第１の光路を通
過するレーザビーム７ａと第２の光路を通過するレーザ
ビーム７ｂとに切り替え、被加工チップ内の被切断ヒユ
ーズを切断してゆく。
第２図は本発明の第２の実施例を模式的に示す正面図で
ある。レーザ発振器１から出力されたレーザビーム７は
、ハーフミラ−９、全反射ミラー１０、シャッター１１
ａ、ｂにより構成されている光路切り替え器８に入射さ
れる。この光路切り替え器８はシャッター１１ａとシャ
ッター１１ｂとを交互に開閉することにより、レーザビ
ーム７を、第１の光路を通過するレーザビーム７ａと第
２の光路を通過するレーザビーム７ｂとに切り替え可能
となっている。この光路切り替え器８通過後のレーザビ
ーム７ａと７ｂはそれぞれアッテネータ２ａ、２ｂによ
り切断に最適なエネルギーに調整され位置決めユニット
３ａ、３ｂにより結像レンズ４と通過して被加工ウェハ
６上の異なる被切断ヒユーズ上に位置決めされる。
ある。レーザ発振器１から出力されたレーザビーム７は
、ハーフミラ−９、全反射ミラー１０、シャッター１１
ａ、ｂにより構成されている光路切り替え器８に入射さ
れる。この光路切り替え器８はシャッター１１ａとシャ
ッター１１ｂとを交互に開閉することにより、レーザビ
ーム７を、第１の光路を通過するレーザビーム７ａと第
２の光路を通過するレーザビーム７ｂとに切り替え可能
となっている。この光路切り替え器８通過後のレーザビ
ーム７ａと７ｂはそれぞれアッテネータ２ａ、２ｂによ
り切断に最適なエネルギーに調整され位置決めユニット
３ａ、３ｂにより結像レンズ４と通過して被加工ウェハ
６上の異なる被切断ヒユーズ上に位置決めされる。
本実施例のレーザトリミング装置では、まず被加工チッ
プ内の第１の被切断ヒユーズに位置決めユニット３ａに
よりレーザビームを位置決めし、光路切り替え器８のシ
ャッター１１ａを開きシャッター１１ｂを閉じる事によ
り、レーザビーム７を第１の光路を通過するレーザビー
ム７ａに切り替え、レーザ発振器１よりレーザパルスを
出力して第１のヒユーズを切断する。この位置決めユニ
ット３ａが第１の被切断ヒユーズにレーザビームを位置
決めし、光路切り替え器８によりレーザビーム７を第１
の光路を通過するレーザビーム７ａに切り替え、レーザ
発振器１からレーザパルスを出力してそのヒユーズを切
断する間に、位置決めユニット３ｂは第２の被切断ヒユ
ーズにレーザビームを位置決めする。第１の被切断ヒユ
ーズの切断が完了した時点において、光路切り替え器８
のシャッター１１ａを閉じシャッター１１ｂＬ７）開く
事により、レーザビーム７を第２の光路を通過するレー
ザビーム７ｂに切り替え、レーザ発振器１よりレーザパ
ルスを出力して第２のヒユーズを切断する。
プ内の第１の被切断ヒユーズに位置決めユニット３ａに
よりレーザビームを位置決めし、光路切り替え器８のシ
ャッター１１ａを開きシャッター１１ｂを閉じる事によ
り、レーザビーム７を第１の光路を通過するレーザビー
ム７ａに切り替え、レーザ発振器１よりレーザパルスを
出力して第１のヒユーズを切断する。この位置決めユニ
ット３ａが第１の被切断ヒユーズにレーザビームを位置
決めし、光路切り替え器８によりレーザビーム７を第１
の光路を通過するレーザビーム７ａに切り替え、レーザ
発振器１からレーザパルスを出力してそのヒユーズを切
断する間に、位置決めユニット３ｂは第２の被切断ヒユ
ーズにレーザビームを位置決めする。第１の被切断ヒユ
ーズの切断が完了した時点において、光路切り替え器８
のシャッター１１ａを閉じシャッター１１ｂＬ７）開く
事により、レーザビーム７を第２の光路を通過するレー
ザビーム７ｂに切り替え、レーザ発振器１よりレーザパ
ルスを出力して第２のヒユーズを切断する。
以下同様に、位置決めユニッ）・３ａ、３ｂにより交互
に被切断ヒユーズにレーザビームを位置決めし、それに
合わせて光路切り替え器８がレーザビーム７を第１の光
路を通過するレーザビーム７ａと第２の光路を通過する
７ｂとに切り替え、被加工チップ内の被切断ヒユーズを
切断してゆく。
に被切断ヒユーズにレーザビームを位置決めし、それに
合わせて光路切り替え器８がレーザビーム７を第１の光
路を通過するレーザビーム７ａと第２の光路を通過する
７ｂとに切り替え、被加工チップ内の被切断ヒユーズを
切断してゆく。
以上説明したように本発明のレーザトリミング装置は、
レーザ発振器と、光路切り替え器と、複数のアッテネー
タと、複数のレーザ位置決めユニットと結像レンズを有
しており、複数の位置決めユニットが各々交互に被切断
ヒユーズにレーザビームを位置決めし、光路切り替え器
８により順にレーザビームを切り替えて被切断ヒユーズ
を切断するため、第１の被切断ヒユーズを切断し、次の
第２の被切断ヒユーズを切断するまでに要する時間は、
第１の位置決めユニットが第１の被切断ヒユーズにレー
ザビームを位置決めし、そのヒユーズを切断している間
に、第２の位置決めユニットが第２の被切断ヒユーズに
位置決めを可能とするため、従来のレーザトリミング装
置と比較して位置決め時間が僅かなものとなり、結果と
して高いスループットをもつトリミング装置を実現する
ことが出来る。
レーザ発振器と、光路切り替え器と、複数のアッテネー
タと、複数のレーザ位置決めユニットと結像レンズを有
しており、複数の位置決めユニットが各々交互に被切断
ヒユーズにレーザビームを位置決めし、光路切り替え器
８により順にレーザビームを切り替えて被切断ヒユーズ
を切断するため、第１の被切断ヒユーズを切断し、次の
第２の被切断ヒユーズを切断するまでに要する時間は、
第１の位置決めユニットが第１の被切断ヒユーズにレー
ザビームを位置決めし、そのヒユーズを切断している間
に、第２の位置決めユニットが第２の被切断ヒユーズに
位置決めを可能とするため、従来のレーザトリミング装
置と比較して位置決め時間が僅かなものとなり、結果と
して高いスループットをもつトリミング装置を実現する
ことが出来る。
第１図、第２図は本発明の第１および第２の実施例を模
式的に示した正面図、第３図は従来のレーザトリミング
装置の一例の概略構成図である。 １・・・レーザ発振器、２．２ａ、２ｂ・・・アッテネ
−タ、３．３ａ、３ｂ・・・位置決めユニット、４・・
・結像レンズ、５・・・ウェハーステージ、６・・・被
加工ウェハー、７．７ａ、７ｂ・・・レーザビーム、８
．８ａ・・・光路切り替え器、９・・・ハーフミラ−１
０，１２ａ、１２ｂ−−−全反射ミラー １１ａ。 １１ｂ・・・シャッター
式的に示した正面図、第３図は従来のレーザトリミング
装置の一例の概略構成図である。 １・・・レーザ発振器、２．２ａ、２ｂ・・・アッテネ
−タ、３．３ａ、３ｂ・・・位置決めユニット、４・・
・結像レンズ、５・・・ウェハーステージ、６・・・被
加工ウェハー、７．７ａ、７ｂ・・・レーザビーム、８
．８ａ・・・光路切り替え器、９・・・ハーフミラ−１
０，１２ａ、１２ｂ−−−全反射ミラー １１ａ。 １１ｂ・・・シャッター
Claims (1)
- レーザ発振器からのレーザビームを結像レンズにより
半導体ウェハー上に結像させ、この半導体ウェハー上に
設けられたメモリの所定アドレス切替えヒューズを切断
するレーザトリミング装置において、前記レーザビーム
を複数の光路に切替える光路切替器と、この光路切替器
からの各出力レーザビームの光量を調整する複数の減衰
器と、これら減衰器からの各レーザビームを前記結像レ
ンズを介して前記半導体ウェハー上の所定個所にそれぞ
れ位置決めする複数の位置決めユニットとを備えること
を特徴とするレーザトリミング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63242715A JPH0289586A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | レーザトリミング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63242715A JPH0289586A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | レーザトリミング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0289586A true JPH0289586A (ja) | 1990-03-29 |
Family
ID=17093162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63242715A Pending JPH0289586A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | レーザトリミング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0289586A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5922224A (en) * | 1996-02-09 | 1999-07-13 | U.S. Philips Corporation | Laser separation of semiconductor elements formed in a wafer of semiconductor material |
| US7425471B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-09-16 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset |
| US7435927B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-10-14 | Electron Scientific Industries, Inc. | Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset |
| US7629234B2 (en) | 2004-06-18 | 2009-12-08 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling |
| US7633034B2 (en) | 2004-06-18 | 2009-12-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure |
| US7687740B2 (en) | 2004-06-18 | 2010-03-30 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows |
| US7935941B2 (en) | 2004-06-18 | 2011-05-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures |
| US8148211B2 (en) | 2004-06-18 | 2012-04-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis delivered simultaneously |
| US8193468B2 (en) | 2001-03-29 | 2012-06-05 | Gsi Group Corporation | Methods and systems for precisely relatively positioning a waist of a pulsed laser beam and method and system for controlling energy delivered to a target structure |
-
1988
- 1988-09-27 JP JP63242715A patent/JPH0289586A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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