JPH0736959B2 - レーザートリミング装置 - Google Patents
レーザートリミング装置Info
- Publication number
- JPH0736959B2 JPH0736959B2 JP62201112A JP20111287A JPH0736959B2 JP H0736959 B2 JPH0736959 B2 JP H0736959B2 JP 62201112 A JP62201112 A JP 62201112A JP 20111287 A JP20111287 A JP 20111287A JP H0736959 B2 JPH0736959 B2 JP H0736959B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- opening
- laser
- trimming device
- slit
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はレーザーを利用した加工装置に関し、特に半導
体ウェーハ上に作られた高集積ICメモリーの不良アドレ
スを、アドレス切り替えヒューズを溶断することにより
予備のアドレスに切り替えて良品とするリダンダンシー
技術に用いられるレーザートリミング装置に関するもの
である。
体ウェーハ上に作られた高集積ICメモリーの不良アドレ
スを、アドレス切り替えヒューズを溶断することにより
予備のアドレスに切り替えて良品とするリダンダンシー
技術に用いられるレーザートリミング装置に関するもの
である。
［従来の技術］ 第５は従来のレーザートリミング装置の概略図である。
従来この種のレーザートリミング装置はレーザー発振器
１と、減衰器２と、半固定スリット３と、結像レンズ４
と、ウェーハステージ５と、ステージドライバー６と、
コントローラ７とを有しており、予めICテストシステム
等で測定判断され、得られた加工情報に従いコントロー
ラ７の制御により、ウェーハステージ５に搭載された被
加ウェーハ８はステージドライバー６により被溶断ヒュ
ーズを結像レンズ４の焦点位置に位置決めされる。レー
ザー発振器１より出力されたレーザー光は減衰器２によ
り加工に最適のエネルギーに減衰され半固定スリット３
に照射される。半固定スリット３は第６図（ａ）に示す
ように、２枚のスリット板7a,9bの重なり量をパルスモ
ータ10により加減して開口部11の形状を、定められた範
囲において任意に変更可能な構造となっている。12はウ
ォームギア、13a,13bは互いに逆相のねじである。ま
た、第６（ｂ）に示すように長方形の異なった開口部11
をもってスリット板14a,14bを差し替えて開口形状を変
化させる構造のものもある。半固定スリット３の開口部
11を通過したレーザ光は結像レンズ４により半固定スリ
ット３の開口部11の像として被加工ウェーハ８の被溶断
ヒューズ上に結像し、該ヒューズを溶断する。
従来この種のレーザートリミング装置はレーザー発振器
１と、減衰器２と、半固定スリット３と、結像レンズ４
と、ウェーハステージ５と、ステージドライバー６と、
コントローラ７とを有しており、予めICテストシステム
等で測定判断され、得られた加工情報に従いコントロー
ラ７の制御により、ウェーハステージ５に搭載された被
加ウェーハ８はステージドライバー６により被溶断ヒュ
ーズを結像レンズ４の焦点位置に位置決めされる。レー
ザー発振器１より出力されたレーザー光は減衰器２によ
り加工に最適のエネルギーに減衰され半固定スリット３
に照射される。半固定スリット３は第６図（ａ）に示す
ように、２枚のスリット板7a,9bの重なり量をパルスモ
ータ10により加減して開口部11の形状を、定められた範
囲において任意に変更可能な構造となっている。12はウ
ォームギア、13a,13bは互いに逆相のねじである。ま
た、第６（ｂ）に示すように長方形の異なった開口部11
をもってスリット板14a,14bを差し替えて開口形状を変
化させる構造のものもある。半固定スリット３の開口部
11を通過したレーザ光は結像レンズ４により半固定スリ
ット３の開口部11の像として被加工ウェーハ８の被溶断
ヒューズ上に結像し、該ヒューズを溶断する。
［発明が解決しようとする問題点］ 一般にヒューズ30は第７（ａ）に示すように矩形状の端
部30a,30aと、２つの端部30a,30a間を結ぶ直線部30bと
からなりその幅は１〜３ミクロン、長さ十数ミクロンと
なっている。また、将来の高集積メモリーICにおいては
さらに微細化、高密度化が必至であり、このヒューズ上
に正確に前記第５の半固定スリット３の開口部11の結像
が位置するためにはステージドライバー６は１ミクロン
以下の位置決め精度が必要である。しかしながら第７
（ａ）のヒューズ30を溶断する場合、Ｘ方向の位置決め
精度はヒューズ長Lxあれば十分であるが、Ｙ方向に関し
てはヒューズ幅Ly以内にする必要がある。前記従来のレ
ーザートリミング装置では結像の形状は第５に示す半固
定スリット３の快口部11の形状そのものであり、第７
（ａ）のヒューズに対しては半固定スリット３の開口部
11の形状を（Kx,Ky）の長方形に設定して第７（ｂ）の
ように位置決めしている。これによれば、要求されるＹ
方向の位置決め精度は結像のＹ方向長Kyとなり、緩和さ
れる効果がある。しかしながら、ヒューズの方向は第７
（ａ），（ｂ）のようにＸ方向のみでなく、将来の高集
積メモリーICにおいてはチップ設計上の自由度を得るた
めにＹ方向にも設けられるのは十分予想される。このよ
うなＸ、Ｙ両方向のヒューズを有するICメモリーのヒュ
ーズを溶断する場合、従来のレーザートリミング装置で
はＸ方向のヒューズに対しては前記した通りであるが、
Ｙ方向のヒューズに対しては第７（ｃ）のように結像が
位置することになる。この場合、Ｘ方向の要求される位
置決め精度が厳しくなるのは明白である。また、結像の
Ｘ方向の長さKxを大きくすれば要求される位置決め精度
は緩和されるがレーザーエネルギーの照射面積が大きく
なるためICチップへの熱の影響を考えると好ましくはな
い。また、半固定スリット３の開口部11の形状をヒュー
ズに合わせＹ方向側が長い長方形に変更することも可能
であるが、多数のＸ方向ヒューズとＹ方向ヒューズが混
在する場合、従来のレーザートリミング装置の半固定ス
リットは前述した如く第６（ａ）に示すように２枚のス
リット板9a,9bの重なり量を加減して開口部11の形状を
定められた範囲においては任意に変更するか、又は第６
（ｂ）に示すように形状の異なる２枚のスリット板14a,
14bを交換して変更する構造となっているが、パルスモ
ータ等あるいはマニュアルにて形状変更を行なっている
ため、形状変更に要する時間は１本のヒューズ溶断に要
する時間と比較して多大であり、レーザートリミング装
置の処理能力を低下させることになる。
部30a,30aと、２つの端部30a,30a間を結ぶ直線部30bと
からなりその幅は１〜３ミクロン、長さ十数ミクロンと
なっている。また、将来の高集積メモリーICにおいては
さらに微細化、高密度化が必至であり、このヒューズ上
に正確に前記第５の半固定スリット３の開口部11の結像
が位置するためにはステージドライバー６は１ミクロン
以下の位置決め精度が必要である。しかしながら第７
（ａ）のヒューズ30を溶断する場合、Ｘ方向の位置決め
精度はヒューズ長Lxあれば十分であるが、Ｙ方向に関し
てはヒューズ幅Ly以内にする必要がある。前記従来のレ
ーザートリミング装置では結像の形状は第５に示す半固
定スリット３の快口部11の形状そのものであり、第７
（ａ）のヒューズに対しては半固定スリット３の開口部
11の形状を（Kx,Ky）の長方形に設定して第７（ｂ）の
ように位置決めしている。これによれば、要求されるＹ
方向の位置決め精度は結像のＹ方向長Kyとなり、緩和さ
れる効果がある。しかしながら、ヒューズの方向は第７
（ａ），（ｂ）のようにＸ方向のみでなく、将来の高集
積メモリーICにおいてはチップ設計上の自由度を得るた
めにＹ方向にも設けられるのは十分予想される。このよ
うなＸ、Ｙ両方向のヒューズを有するICメモリーのヒュ
ーズを溶断する場合、従来のレーザートリミング装置で
はＸ方向のヒューズに対しては前記した通りであるが、
Ｙ方向のヒューズに対しては第７（ｃ）のように結像が
位置することになる。この場合、Ｘ方向の要求される位
置決め精度が厳しくなるのは明白である。また、結像の
Ｘ方向の長さKxを大きくすれば要求される位置決め精度
は緩和されるがレーザーエネルギーの照射面積が大きく
なるためICチップへの熱の影響を考えると好ましくはな
い。また、半固定スリット３の開口部11の形状をヒュー
ズに合わせＹ方向側が長い長方形に変更することも可能
であるが、多数のＸ方向ヒューズとＹ方向ヒューズが混
在する場合、従来のレーザートリミング装置の半固定ス
リットは前述した如く第６（ａ）に示すように２枚のス
リット板9a,9bの重なり量を加減して開口部11の形状を
定められた範囲においては任意に変更するか、又は第６
（ｂ）に示すように形状の異なる２枚のスリット板14a,
14bを交換して変更する構造となっているが、パルスモ
ータ等あるいはマニュアルにて形状変更を行なっている
ため、形状変更に要する時間は１本のヒューズ溶断に要
する時間と比較して多大であり、レーザートリミング装
置の処理能力を低下させることになる。
本発明の目的は前記問題点を解消したレーザートリミン
グ装置を提供することにある。
グ装置を提供することにある。
［発明の従来技術に対する相違点］ 上述した従来のレーザートリミング装置に対し、本発明
によるレーザートリミング装置はＸ方向、Ｙ方向のヒュ
ーズ各々に最適なレーザー光の形状を高速に切り替える
ことが可能であり、Ｘ方向、Ｙ方向のヒューズが混在す
るメモリーICにおいても処理能力、信頼性を低下させる
ことのないという相違点を有する。
によるレーザートリミング装置はＸ方向、Ｙ方向のヒュ
ーズ各々に最適なレーザー光の形状を高速に切り替える
ことが可能であり、Ｘ方向、Ｙ方向のヒューズが混在す
るメモリーICにおいても処理能力、信頼性を低下させる
ことのないという相違点を有する。
［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、本発明によるレーザートリミ
ング装置においては、レーザー発振器と、減衰器と、可
変スリットと、結像レンとを有し、スリット形状を半導
体ウェーハ上に作られた高集積ICメモリのアドレス切り
替えヒューズ上に結像し、レーザー光を照射してこれを
溶断するレーザートリミング装置であって、 レーザー発振器は、レーザー光を出力するものであり、 減衰器は、出力されたレーザー光のエネルギーを任意に
減衰させるものであり、 可変スリットは、減衰器からのレーザー光を通過させる
開口部を有し、開口部の形状は、平面上での方向の変更
が可能であり、 結像レンは、可変スリットの選定された開口部形状を半
導体ウェーハ上に結像するとともに、可変スリットを透
過したレーザー光を集光するものである。
ング装置においては、レーザー発振器と、減衰器と、可
変スリットと、結像レンとを有し、スリット形状を半導
体ウェーハ上に作られた高集積ICメモリのアドレス切り
替えヒューズ上に結像し、レーザー光を照射してこれを
溶断するレーザートリミング装置であって、 レーザー発振器は、レーザー光を出力するものであり、 減衰器は、出力されたレーザー光のエネルギーを任意に
減衰させるものであり、 可変スリットは、減衰器からのレーザー光を通過させる
開口部を有し、開口部の形状は、平面上での方向の変更
が可能であり、 結像レンは、可変スリットの選定された開口部形状を半
導体ウェーハ上に結像するとともに、可変スリットを透
過したレーザー光を集光するものである。
［実施例］ 次ぎに本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１） 第１図は本発明の第１の実施例を示す構成図である。第
１図において、本発明はレーザー発振器１と、レーザー
発振器１からのレーザー光15のエネルギーを任意に減衰
可能な減衰器２と、レーザー光15が通過する開口部17の
形状を変更可能な可変スリット16と、レーザー光を可変
スリット16の開口部形状の像としてウェーハステージ５
上のウェーハ８に集光する結像レンズ４とを有する。６
はステージドライバーである。レーザー発振器１から出
力されたレーザー光15は減衰器２により加工に最適なエ
ネルギーに調整され、可変スリット16に入射される。可
変スリット16の開口部17を通過したレーザ光は結像レン
ズ４により可変スリット16の像として被加工ウェーハ８
上に結像される。
１図において、本発明はレーザー発振器１と、レーザー
発振器１からのレーザー光15のエネルギーを任意に減衰
可能な減衰器２と、レーザー光15が通過する開口部17の
形状を変更可能な可変スリット16と、レーザー光を可変
スリット16の開口部形状の像としてウェーハステージ５
上のウェーハ８に集光する結像レンズ４とを有する。６
はステージドライバーである。レーザー発振器１から出
力されたレーザー光15は減衰器２により加工に最適なエ
ネルギーに調整され、可変スリット16に入射される。可
変スリット16の開口部17を通過したレーザ光は結像レン
ズ４により可変スリット16の像として被加工ウェーハ８
上に結像される。
一般的にレーザートリミング装置では予めICテストシス
テム等で測定判断され、得られた加工情報をフロッピー
ディスク等の記録媒体あるいはローカルエリアネットワ
ーク等の手段によりコントローラ７に入力し、コントロ
ーラ７はそのデータに基づき被加工ウェーハ８の被溶断
ヒューズを結像レンズ４の結像位置に順次位置決めしな
がらレーザー光により被溶断ヒューズを溶断する。本発
明のレーザートリミング装置においてはソフト的なプロ
ミング手法により前記加工情報にヒューズの方向情報を
付加しておく。可変スリット16はこのヒューズの方向情
報に基づき高速にその開口部17の形状をヒューズ溶断に
適当な形にコントローラ７により選択される。コントロ
ーラ７は加工情報に基づき被加工ウェーハ８の被溶断ヒ
ューズを結像レンズ４の結像位置に順次位置決めすると
ともにヒューズの方向情報に基づき可変スリット16の開
口部17の形状を、該被溶断ヒューズがＸ方向であれば第
７図（ｂ）のようにＹ方向の長方形に、又、該被溶断ヒ
ューズがＹ方向であれば第７図（ｄ）のようにＸ方向の
長方形に切り替える。
テム等で測定判断され、得られた加工情報をフロッピー
ディスク等の記録媒体あるいはローカルエリアネットワ
ーク等の手段によりコントローラ７に入力し、コントロ
ーラ７はそのデータに基づき被加工ウェーハ８の被溶断
ヒューズを結像レンズ４の結像位置に順次位置決めしな
がらレーザー光により被溶断ヒューズを溶断する。本発
明のレーザートリミング装置においてはソフト的なプロ
ミング手法により前記加工情報にヒューズの方向情報を
付加しておく。可変スリット16はこのヒューズの方向情
報に基づき高速にその開口部17の形状をヒューズ溶断に
適当な形にコントローラ７により選択される。コントロ
ーラ７は加工情報に基づき被加工ウェーハ８の被溶断ヒ
ューズを結像レンズ４の結像位置に順次位置決めすると
ともにヒューズの方向情報に基づき可変スリット16の開
口部17の形状を、該被溶断ヒューズがＸ方向であれば第
７図（ｂ）のようにＹ方向の長方形に、又、該被溶断ヒ
ューズがＹ方向であれば第７図（ｄ）のようにＸ方向の
長方形に切り替える。
第２図（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は本発明のレー
ザートリミング装置の可変スリットの一実施例である。
本実施例は液晶を用いたものであり、18は透明な共通電
極板、19は第１の透明電極板、20は第２の透明電極板、
21は液晶である。第１の透明電極板19は第２図（ｃ）の
如き長方形の開口部17を持った電極パターンを持ってお
り、又、第２の透明電極板20は第２図（ｄ）の如き第１
の透明電極板19の開口部を90度回転させた長方形の開口
部17を持った電極パターンを持っている。こにより、共
通電極板18と第１の電極板19間に電圧を印加することに
よりＹ方向の長方形に、又、共通電極板18と第２の電極
板20間に電圧を印加することによりＸ方向の長方形に可
変スリット16の開口部17の形状を変化させることが可能
である。本実施例では液晶をもちいているため、液晶の
応答時間（数十ミリ秒）で高速に開口形状の変更を行な
うことが可能である。このの時間は、あるヒューズをカ
ットし、次のヒューズに移動するまでに要する時間（約
50ミリ秒〜100ミリ秒）に比べて十分短く、例えば次の
ヒューズへの移動時間中に形状変更を行なえば、形状変
更によるトリミング装置のスループットへの影響は無視
することが可能となる。又、本実施例では電極板の電極
パターンを長方形のみならず自由に設定すれば多種のヒ
ューズが混載されるICにおいても個々のヒューズの形
状、種類に応じたレーザー形状をえることが可能であ
る。
ザートリミング装置の可変スリットの一実施例である。
本実施例は液晶を用いたものであり、18は透明な共通電
極板、19は第１の透明電極板、20は第２の透明電極板、
21は液晶である。第１の透明電極板19は第２図（ｃ）の
如き長方形の開口部17を持った電極パターンを持ってお
り、又、第２の透明電極板20は第２図（ｄ）の如き第１
の透明電極板19の開口部を90度回転させた長方形の開口
部17を持った電極パターンを持っている。こにより、共
通電極板18と第１の電極板19間に電圧を印加することに
よりＹ方向の長方形に、又、共通電極板18と第２の電極
板20間に電圧を印加することによりＸ方向の長方形に可
変スリット16の開口部17の形状を変化させることが可能
である。本実施例では液晶をもちいているため、液晶の
応答時間（数十ミリ秒）で高速に開口形状の変更を行な
うことが可能である。このの時間は、あるヒューズをカ
ットし、次のヒューズに移動するまでに要する時間（約
50ミリ秒〜100ミリ秒）に比べて十分短く、例えば次の
ヒューズへの移動時間中に形状変更を行なえば、形状変
更によるトリミング装置のスループットへの影響は無視
することが可能となる。又、本実施例では電極板の電極
パターンを長方形のみならず自由に設定すれば多種のヒ
ューズが混載されるICにおいても個々のヒューズの形
状、種類に応じたレーザー形状をえることが可能であ
る。
（実施例２） 第３図は本発明のレーザートリミング装置の第２の実施
例であり、第４図（ａ），（ｂ）は前記第２の実施例の
可変スリットの実施例である。第４図（ａ），（ｂ）に
おいて、22は固定リング、23は回転リング、24はスリッ
ト板、25は開口部である。本実施例においては固定リン
グ22と回転リングとはステッピングモータの固定子、回
転子を形成しており、コントローラ７より必要数のパル
ス電流を印加することによりベアリングにより保持され
たスリット板24が回転リング23と共に90度回転し、開口
部25の方向が変化しヒューズに対しては開口部の形状が
変化したこととなる。又、固定リング22と回転リング23
とは、最近実用化されている超音波モータを形成するこ
とも考えられる。本実施例においても開口部形状の変更
に要する時間は数十ミリ秒と予想されるので、第１の実
施例と同等な効果を期待できる。
例であり、第４図（ａ），（ｂ）は前記第２の実施例の
可変スリットの実施例である。第４図（ａ），（ｂ）に
おいて、22は固定リング、23は回転リング、24はスリッ
ト板、25は開口部である。本実施例においては固定リン
グ22と回転リングとはステッピングモータの固定子、回
転子を形成しており、コントローラ７より必要数のパル
ス電流を印加することによりベアリングにより保持され
たスリット板24が回転リング23と共に90度回転し、開口
部25の方向が変化しヒューズに対しては開口部の形状が
変化したこととなる。又、固定リング22と回転リング23
とは、最近実用化されている超音波モータを形成するこ
とも考えられる。本実施例においても開口部形状の変更
に要する時間は数十ミリ秒と予想されるので、第１の実
施例と同等な効果を期待できる。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明はレーザー発振器と、レーザ
ー光のエネルギーを任意に減衰可能な減衰器と、その開
口形状を高速に変更可能な可変スリットとを有すること
により、多種の形状の結像をヒューズの設置方向に応じ
高速に選択しながら溶断が行なえるため、将来の高集積
メモリーICにおいて回路設計上の自由度のため、異なる
設置方向のヒューズが混在した場合においてもレーザー
トリミング装置の位置決め精度に影響されることなく、
安定した処理結果を期待できる効果を有するものであ
る。
ー光のエネルギーを任意に減衰可能な減衰器と、その開
口形状を高速に変更可能な可変スリットとを有すること
により、多種の形状の結像をヒューズの設置方向に応じ
高速に選択しながら溶断が行なえるため、将来の高集積
メモリーICにおいて回路設計上の自由度のため、異なる
設置方向のヒューズが混在した場合においてもレーザー
トリミング装置の位置決め精度に影響されることなく、
安定した処理結果を期待できる効果を有するものであ
る。
第１図は本発明の第１の実施例を示す構成図、第２図
（ａ）は第１の実施例の可変スリットの実施例を示す平
面図、第２（ｂ）は同断面図、第２図（ｃ），（ｂ）は
電極を示す平面図、第３図は本発明の第２の実施例を示
す構成図、第４図（ａ）は第２の実施例の可変スリット
の実施例を示す平面図、第４図（ｂ）は同断面図、第５
図は従来のレーザートリミング装置の概略図、第６図
（ａ），（ｂ）は半固定スリットの概略構造図、第７図
（ａ）〜（ｄ）はヒューズ方向と結像の位置関係の概略
図である。 １……レーザー発振器、２……減衰器 ４……結像レンズ、７……コントローラ ８……被加工ウェーハ、15……レーザー光 16……可変スリット、17……開口部 19a……第１の電極板への信号線 18a……共通電極板への信号線 20a……第２の電極板への信号線 18……共通電極板、19……第１の電極板 20……第２の電極板、21……液晶 22……固定リング、23……回転リング 24……スリット板、25……開口部
（ａ）は第１の実施例の可変スリットの実施例を示す平
面図、第２（ｂ）は同断面図、第２図（ｃ），（ｂ）は
電極を示す平面図、第３図は本発明の第２の実施例を示
す構成図、第４図（ａ）は第２の実施例の可変スリット
の実施例を示す平面図、第４図（ｂ）は同断面図、第５
図は従来のレーザートリミング装置の概略図、第６図
（ａ），（ｂ）は半固定スリットの概略構造図、第７図
（ａ）〜（ｄ）はヒューズ方向と結像の位置関係の概略
図である。 １……レーザー発振器、２……減衰器 ４……結像レンズ、７……コントローラ ８……被加工ウェーハ、15……レーザー光 16……可変スリット、17……開口部 19a……第１の電極板への信号線 18a……共通電極板への信号線 20a……第２の電極板への信号線 18……共通電極板、19……第１の電極板 20……第２の電極板、21……液晶 22……固定リング、23……回転リング 24……スリット板、25……開口部
Claims (1)
- 【請求項１】それぞれが所定の幅および長さを有する複
数のヒューズであってその長さ方向がＸ方向に配置され
たヒューズとその長さ方向がＹ方向に配置されたヒュー
ズを含む複数のヒューズが設けられた半導体ウェーハ上
の前記複数のヒューズを選択的に溶断するレーザートリ
ミング装置であって、前記所定の幅よりも長い長辺と前
記所定の長さよりも短い短辺とでなる長方形の開口部
を、当該開口部の長辺が前記Ｘ方向と前記Ｙ方向とを向
くように形成された可変スリットと、レーザー発振器
と、このレーザー発振器から出力され前記可変スリット
の前記開口部を通過したレーザー光を前記半導体ウェー
ハ上に結像する結像レンと、溶断すべきヒューズの加工
情報とともに当該ヒューズの方向情報に基づき前記半導
体ウェーハ上の前記Ｘ方向にその長さ方向が配置された
ヒューズを溶断するときは前記可変スリットの前記開口
部の長辺を前記Ｙ方向とし前記Ｙ方向にその長さ方向が
配置されたヒューズを溶断するときは前記可変スリット
の前記開口部の長辺を前記Ｘ方向とするコントローラと
を備えるレーザートリミング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62201112A JPH0736959B2 (ja) | 1987-08-12 | 1987-08-12 | レーザートリミング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62201112A JPH0736959B2 (ja) | 1987-08-12 | 1987-08-12 | レーザートリミング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6444295A JPS6444295A (en) | 1989-02-16 |
| JPH0736959B2 true JPH0736959B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=16435600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62201112A Expired - Lifetime JPH0736959B2 (ja) | 1987-08-12 | 1987-08-12 | レーザートリミング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0736959B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0755476Y2 (ja) * | 1989-09-11 | 1995-12-20 | カヤバ工業株式会社 | 操舵トルク検出装置 |
| JP2667275B2 (ja) * | 1990-02-14 | 1997-10-27 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置の解析用試料製作方法および解析用試料の記号付け装置 |
| US5247883A (en) * | 1990-07-09 | 1993-09-28 | Sony Corporation | Apparatus for making a printing plate and a printing plate thereof |
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6232674A (ja) * | 1985-08-03 | 1987-02-12 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | レ−ザ光減衰装置 |
-
1987
- 1987-08-12 JP JP62201112A patent/JPH0736959B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6444295A (en) | 1989-02-16 |
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