JPH0654791B2 - レ−ザ−・トリミング装置 - Google Patents
レ−ザ−・トリミング装置Info
- Publication number
- JPH0654791B2 JPH0654791B2 JP61283318A JP28331886A JPH0654791B2 JP H0654791 B2 JPH0654791 B2 JP H0654791B2 JP 61283318 A JP61283318 A JP 61283318A JP 28331886 A JP28331886 A JP 28331886A JP H0654791 B2 JPH0654791 B2 JP H0654791B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- fuse
- wavelength
- laser light
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路などの内部のヒューズ、配線、
抵抗などをトリミングするレーザートリミング装置に関
する。
抵抗などをトリミングするレーザートリミング装置に関
する。
近年、半導体集積回路の製造に於いて、この半導体集積
回路装置の歩留まりを上げ、より低価格で生産するた
め、冗長ビットを有する回路が考え出されている。これ
は所望のメモリービット数よりビット数の多い回路装置
を製作しておき、本来のビットが不良の時、予め用意し
ておいたヒューズを溶断してこの冗長ビットを生かす方
法である。
回路装置の歩留まりを上げ、より低価格で生産するた
め、冗長ビットを有する回路が考え出されている。これ
は所望のメモリービット数よりビット数の多い回路装置
を製作しておき、本来のビットが不良の時、予め用意し
ておいたヒューズを溶断してこの冗長ビットを生かす方
法である。
第４図は従来のレーザートリミング装置の一例の模式図
である。
である。
レーザートリミング装置のステージ４０１の上に設置さ
れているウェハー台４０２の上にトリミングを必要とす
るウェハー４０３を載置する。ＹＡＧ；Ｎｄレーザー４
０４から出力される波長1.06μｍをもつレーザー光４０
５は光学系４０６で集光し、集光されたレーザー光はミ
ラー４０７で真下に向かうように方向を変えられ、ウェ
ハー４０３のトリミングするＦｕｓｅに入射する。ウェ
ハー内のチップ位置はＸ−Ｙ方向に移動するステージ４
０１を移動させることによって行なう。
れているウェハー台４０２の上にトリミングを必要とす
るウェハー４０３を載置する。ＹＡＧ；Ｎｄレーザー４
０４から出力される波長1.06μｍをもつレーザー光４０
５は光学系４０６で集光し、集光されたレーザー光はミ
ラー４０７で真下に向かうように方向を変えられ、ウェ
ハー４０３のトリミングするＦｕｓｅに入射する。ウェ
ハー内のチップ位置はＸ−Ｙ方向に移動するステージ４
０１を移動させることによって行なう。
この例の装置とは異なり、ＹＡＧレーザー４０４の内
部、あるいはＹＡＧレーザー４０４と光学系４０６との
間あるいは光学系４０６内部に波長変換素子ＳＨＧを配
置し、波長を1.064μｍから0.532μｍに変換し、0.532
μｍを有するレーザー光によってトリミングを行なう装
置もある。
部、あるいはＹＡＧレーザー４０４と光学系４０６との
間あるいは光学系４０６内部に波長変換素子ＳＨＧを配
置し、波長を1.064μｍから0.532μｍに変換し、0.532
μｍを有するレーザー光によってトリミングを行なう装
置もある。
どちらの場合もヒューズ（Ｆｕｓｅ）としては多結晶シ
リコン，ポリサイド，シリサイドあるいはＡｌなどが用
いられている。
リコン，ポリサイド，シリサイドあるいはＡｌなどが用
いられている。
上述した従来の波長1.064μｍのレーザー光によりトリ
ミングを行なうレーザー・トリミング装置では、その波
長が長いため、波長1.064μｍに対するヒューズ（Ｆｕ
ｓｅ）材料のエネルギー吸収係数が小さく、Ｆｕｓｅを
切断するためにはＦｕｓｅに照射するレーザー光のエネ
ルギーを大きくする必要がある。通常、ＹＡＧレーザー
ではレーザーエネルギーを増大させると、パルス間のエ
ネルギーのバラツキもまた大きくなり、トリミング時あ
るＦｕｓｅは確実に切断されたものの、他のＦｕｓｅで
はＦｕｓｅの下地までも破壊し、集積回路装置そのもの
を破壊してしまうことがある。このため、ＹＡＧレーザ
ーの出力はあまり大きくできないという欠点がある。
ミングを行なうレーザー・トリミング装置では、その波
長が長いため、波長1.064μｍに対するヒューズ（Ｆｕ
ｓｅ）材料のエネルギー吸収係数が小さく、Ｆｕｓｅを
切断するためにはＦｕｓｅに照射するレーザー光のエネ
ルギーを大きくする必要がある。通常、ＹＡＧレーザー
ではレーザーエネルギーを増大させると、パルス間のエ
ネルギーのバラツキもまた大きくなり、トリミング時あ
るＦｕｓｅは確実に切断されたものの、他のＦｕｓｅで
はＦｕｓｅの下地までも破壊し、集積回路装置そのもの
を破壊してしまうことがある。このため、ＹＡＧレーザ
ーの出力はあまり大きくできないという欠点がある。
これに対し、従来の波長0.532μｍを有すレーザー光に
よりトリミングを行なう装置では、波長0.532μｍでの
Ｆｕｓｅ材料のエネルギー吸収係数が大きく、Ｆｕｓｅ
を切断するために、波長1.064μｍの場合よりも小さな
レーザーエネルギーで良い。しかしながら、Ｆｕｓｅ切
断時、通常Ｆｕｓｅ上には集積回路装置保護のための保
護膜が被着されており、この保護膜の膜厚は正確に制御
するのは難かしく、0.1μｍ程度の膜厚誤差を有してい
る。Ｆｕｓｅにレーザー光を照射した時、Ｆｕｓｅ材料
及び保護膜からのレーザー光の反射及び干渉によって、
0.1μｍ程度の膜厚誤差が存在すると、Ｆｕｓｅ部での
吸収可能なエネルギーは大きく変化する。これはレーザ
ー光の波長が短い程影響は大きく、波長0.532μｍを有
するレーザー光によるトリミング時、あるＦｕｓｅは完
全に切断されたものの、他のＦｕｓｅでは完全に切断さ
れず、一部溶融しただけで、切断部がつながってしまっ
ているということがあり、救済すべき集積回路装置が救
済されないという欠点がある。
よりトリミングを行なう装置では、波長0.532μｍでの
Ｆｕｓｅ材料のエネルギー吸収係数が大きく、Ｆｕｓｅ
を切断するために、波長1.064μｍの場合よりも小さな
レーザーエネルギーで良い。しかしながら、Ｆｕｓｅ切
断時、通常Ｆｕｓｅ上には集積回路装置保護のための保
護膜が被着されており、この保護膜の膜厚は正確に制御
するのは難かしく、0.1μｍ程度の膜厚誤差を有してい
る。Ｆｕｓｅにレーザー光を照射した時、Ｆｕｓｅ材料
及び保護膜からのレーザー光の反射及び干渉によって、
0.1μｍ程度の膜厚誤差が存在すると、Ｆｕｓｅ部での
吸収可能なエネルギーは大きく変化する。これはレーザ
ー光の波長が短い程影響は大きく、波長0.532μｍを有
するレーザー光によるトリミング時、あるＦｕｓｅは完
全に切断されたものの、他のＦｕｓｅでは完全に切断さ
れず、一部溶融しただけで、切断部がつながってしまっ
ているということがあり、救済すべき集積回路装置が救
済されないという欠点がある。
上述した従来の単一波長1.064μｍあるいは0.532μｍを
有すレーザー光によってトリミングを行なうレーザート
リミング装置に対し、本発明はたがいに波長の異なる２
種のレーザー光、たとえば波長1.064μｍ及び波長0.532
μｍを有すレーザー光を同時にヒューズ（Ｆｕｓｅ）に
照射し、Ｆｕｓｅに効果的にエネルギーを加え、また、
Ｆｕｓｅ上の集積回路装置保護膜の膜厚のバラツキの影
響を受けずＦｕｓｅを確実に切断できるという独創的内
容を有する。
有すレーザー光によってトリミングを行なうレーザート
リミング装置に対し、本発明はたがいに波長の異なる２
種のレーザー光、たとえば波長1.064μｍ及び波長0.532
μｍを有すレーザー光を同時にヒューズ（Ｆｕｓｅ）に
照射し、Ｆｕｓｅに効果的にエネルギーを加え、また、
Ｆｕｓｅ上の集積回路装置保護膜の膜厚のバラツキの影
響を受けずＦｕｓｅを確実に切断できるという独創的内
容を有する。
本発明のレーザー・トリミング装置は、被加工物上の保
護膜に対する吸収係数が異なる複数のレーザー光を同時
に被加工物の同位置に照射し、切断する機能を有するこ
とを特徴とするものである。
護膜に対する吸収係数が異なる複数のレーザー光を同時
に被加工物の同位置に照射し、切断する機能を有するこ
とを特徴とするものである。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の実施例を説明するための模式図であ
る。防震台１００上にＸ−Ｙ２方向に移動可能なステー
ジ１０１を設置する。ステージ１０１の上にトリミング
を必要とするウェハー１０３を載せるためのウェハー台
１０２を設置し、さらにウェハーアライメントのための
光学系１１０，ミラー１２７，テレビモニター用カメラ
１０９を設置する。波長1.064μｍ及び波長0.532μｍの
２種類のレーザー光を得るため、ＹＡＧ；Ｎｄレーザー
１０４及びＹＡＧ；Ｎｄレーザー１１４が用いられてい
る。ＹＡＧ；Ｎｄレーザー１０４から出力されたレーザ
ー光はＳＨＧ１０５によって、波長が1.064μｍから0.5
32μｍへと変換され、光学系１０６で集光し、集光され
たレーザー光はミラー１０７で真下に向かうように方向
を変えられウェハー１０３のトリミングすべきＦｕｓｅ
に入射する。また、ＹＡＧ；Ｎｄレーザー１１４から出
力されたレーザー光は光学系１１６で集光し、集光され
たレーザー光はミラー１１７で真下に向かうように方向
を変えられウェハー１０３のトリミングすべきＦｕｓｅ
に入射される。ミラー１１７は0.532μｍ波長レーザー
光を透過すべく適切なものが選択され、ミラー１２７
は、1.064μｍ及び0.532μｍ波長レーザー光を透過すべ
く適切なものが選択されている。レーザー１０４及びレ
ーザー１１４から発振したレーザー光は同時にウェハー
１０３に到達すべく、制御回路１０８によって制御され
ている。
る。防震台１００上にＸ−Ｙ２方向に移動可能なステー
ジ１０１を設置する。ステージ１０１の上にトリミング
を必要とするウェハー１０３を載せるためのウェハー台
１０２を設置し、さらにウェハーアライメントのための
光学系１１０，ミラー１２７，テレビモニター用カメラ
１０９を設置する。波長1.064μｍ及び波長0.532μｍの
２種類のレーザー光を得るため、ＹＡＧ；Ｎｄレーザー
１０４及びＹＡＧ；Ｎｄレーザー１１４が用いられてい
る。ＹＡＧ；Ｎｄレーザー１０４から出力されたレーザ
ー光はＳＨＧ１０５によって、波長が1.064μｍから0.5
32μｍへと変換され、光学系１０６で集光し、集光され
たレーザー光はミラー１０７で真下に向かうように方向
を変えられウェハー１０３のトリミングすべきＦｕｓｅ
に入射する。また、ＹＡＧ；Ｎｄレーザー１１４から出
力されたレーザー光は光学系１１６で集光し、集光され
たレーザー光はミラー１１７で真下に向かうように方向
を変えられウェハー１０３のトリミングすべきＦｕｓｅ
に入射される。ミラー１１７は0.532μｍ波長レーザー
光を透過すべく適切なものが選択され、ミラー１２７
は、1.064μｍ及び0.532μｍ波長レーザー光を透過すべ
く適切なものが選択されている。レーザー１０４及びレ
ーザー１１４から発振したレーザー光は同時にウェハー
１０３に到達すべく、制御回路１０８によって制御され
ている。
第２図は多結晶シリコンＦｕｓｅ上に保護膜としてＰＳ
Ｇ膜を被着した場合の多結晶シリコンのレーザー光に対
する吸収率をＰＳＧ膜厚の関係で示したものであり、曲
線ａはレーザー光波長が0.532μｍの場合、曲線ｂはレ
ーザー光波長が1.064μｍの場合である。例えばＰＳＧ
膜厚が0.1μｍに変化した時1.064μｍ波長の場合の方が
0.532μｍ波長の場合に比べて吸収率変化が小さくおさ
えられることがわかる。
Ｇ膜を被着した場合の多結晶シリコンのレーザー光に対
する吸収率をＰＳＧ膜厚の関係で示したものであり、曲
線ａはレーザー光波長が0.532μｍの場合、曲線ｂはレ
ーザー光波長が1.064μｍの場合である。例えばＰＳＧ
膜厚が0.1μｍに変化した時1.064μｍ波長の場合の方が
0.532μｍ波長の場合に比べて吸収率変化が小さくおさ
えられることがわかる。
多結晶シリコンの1.064μｍ波長レーザー光及び0.532μ
ｍ波長レーザー光に対するエネルギーの吸収係数は0.53
2μｍ波長レーザー光に対する場合の方が1.064μｍの場
合よりも大きく、出力が同程度で、これらのレーザー光
がＦｕｓｅ部に照射された場合、0.532μｍ波長光の方
がＦｕｓｅに効率よく吸収され、Ｆｕｓｅが切断されや
すい。
ｍ波長レーザー光に対するエネルギーの吸収係数は0.53
2μｍ波長レーザー光に対する場合の方が1.064μｍの場
合よりも大きく、出力が同程度で、これらのレーザー光
がＦｕｓｅ部に照射された場合、0.532μｍ波長光の方
がＦｕｓｅに効率よく吸収され、Ｆｕｓｅが切断されや
すい。
故に、本発明のレーザートリミング装置は従来の単一波
長光によって、トリミングを行なう装置と異なり、波長
の異なるレーザー光が互いの欠点を補ない、即ちＦｕｓ
ｅ上のカバー膜厚のバラツキに対しては1.064μｍレー
ザー光がその影響を受けず、また、0.532μｍレーザー
光がＦｕｓｅに対して効率的にエネルギーを加えるた
め、Ｆｕｓｅを確実に切断することができる。ここで、
レーザー，ＳＨＧ及びレーザー光学系の配置は本実施例
のみに限定されるものではなく、要するに1.064μｍ及
び0.532μｍの２種類のレーザー光が得られれば良いの
であって、ミラーの有無などは本実施例の本質に影響を
与えるものではない。また、1.064μｍ及び0.532μｍレ
ーザー光の強度はＦｕｓｅ材質やＦｕｓｅ上の保護膜な
どに合わせて適当に選択される。
長光によって、トリミングを行なう装置と異なり、波長
の異なるレーザー光が互いの欠点を補ない、即ちＦｕｓ
ｅ上のカバー膜厚のバラツキに対しては1.064μｍレー
ザー光がその影響を受けず、また、0.532μｍレーザー
光がＦｕｓｅに対して効率的にエネルギーを加えるた
め、Ｆｕｓｅを確実に切断することができる。ここで、
レーザー，ＳＨＧ及びレーザー光学系の配置は本実施例
のみに限定されるものではなく、要するに1.064μｍ及
び0.532μｍの２種類のレーザー光が得られれば良いの
であって、ミラーの有無などは本実施例の本質に影響を
与えるものではない。また、1.064μｍ及び0.532μｍレ
ーザー光の強度はＦｕｓｅ材質やＦｕｓｅ上の保護膜な
どに合わせて適当に選択される。
第３図は本発明の実施例２を説明するための模式図であ
る。防震台３００上にＸ−Ｙ２方向に移動可能なステー
ジ３０１を設置する。ステージ３０１の上にトリミング
を必要とするウェハー３０３を載せるためのウェハー台
３０２を設置し、さらにウェハーアライメントのための
光学系３０９，ミラー３０７，テレビモニター用カメラ
３０８を設置する。ＹＡＧ；Ｎｄレーザー３０４から発
振したレーザー光３１０はＳＨＧ３０５によって波長が
1.064μｍから0.532μｍへと変換される。ただし、波長
1.064μｍのレーザー光が１００％0.532μｍへと変換さ
れるわけではなくＳＨＧ３０５通過後のレーザー光３１
１は波長1.064μｍのレーザー光と波長0.532μｍのレー
ザー光とが混在している。これらのレーザー光３１１は
光学系３０６で集光し、集光されたレーザー光はウェハ
ー３０３のトリミングすべきＦｕｓｅに入射する。光学
系３０６は波長1.064μｍ及び0.532μｍのレーザー光を
集光できるよう工夫されている。この実施例では１台の
レーザーから、２種類の波長のレーザー光を得て、同時
にウェハー上のＦｕｓｅに照射できるため、Ｆｕｓｅに
効果的にエネルギーを加え、かつＦｕｓｅ上の集積回路
装置保護膜の膜厚のバラツキによる影響を受けず、Ｆｕ
ｓｅを確実に切断できるという利点がある。ここでＳＨ
Ｇ３０５は、レーザー３０４と光学系３０６の間ばかり
でなく、レーザー３０４内あるいは、光学系３０６内に
あっても良い。また、1.064μｍ及び0.532μｍのレーザ
ー光の強度比はＦｕｓｅ材質やＦｕｓｅ上の保護膜など
により適当な比率が選択される。
る。防震台３００上にＸ−Ｙ２方向に移動可能なステー
ジ３０１を設置する。ステージ３０１の上にトリミング
を必要とするウェハー３０３を載せるためのウェハー台
３０２を設置し、さらにウェハーアライメントのための
光学系３０９，ミラー３０７，テレビモニター用カメラ
３０８を設置する。ＹＡＧ；Ｎｄレーザー３０４から発
振したレーザー光３１０はＳＨＧ３０５によって波長が
1.064μｍから0.532μｍへと変換される。ただし、波長
1.064μｍのレーザー光が１００％0.532μｍへと変換さ
れるわけではなくＳＨＧ３０５通過後のレーザー光３１
１は波長1.064μｍのレーザー光と波長0.532μｍのレー
ザー光とが混在している。これらのレーザー光３１１は
光学系３０６で集光し、集光されたレーザー光はウェハ
ー３０３のトリミングすべきＦｕｓｅに入射する。光学
系３０６は波長1.064μｍ及び0.532μｍのレーザー光を
集光できるよう工夫されている。この実施例では１台の
レーザーから、２種類の波長のレーザー光を得て、同時
にウェハー上のＦｕｓｅに照射できるため、Ｆｕｓｅに
効果的にエネルギーを加え、かつＦｕｓｅ上の集積回路
装置保護膜の膜厚のバラツキによる影響を受けず、Ｆｕ
ｓｅを確実に切断できるという利点がある。ここでＳＨ
Ｇ３０５は、レーザー３０４と光学系３０６の間ばかり
でなく、レーザー３０４内あるいは、光学系３０６内に
あっても良い。また、1.064μｍ及び0.532μｍのレーザ
ー光の強度比はＦｕｓｅ材質やＦｕｓｅ上の保護膜など
により適当な比率が選択される。
以上説明したように、本発明は1.064μｍ及び0.532μｍ
波長の２種類のレーザー光を同時にＦｕｓｅに照射する
ことにより、Ｆｕｓｅに効果的にエネルギーを加え、か
つ、Ｆｕｓｅ上の集積回路装置保護膜の膜厚変動に影響
を受けることなく、Ｆｕｓｅを確実に切断することがで
き、これにより集積回路装置の製造に於いて歩留まりを
上げ低価格で提供できるという効果がある。
波長の２種類のレーザー光を同時にＦｕｓｅに照射する
ことにより、Ｆｕｓｅに効果的にエネルギーを加え、か
つ、Ｆｕｓｅ上の集積回路装置保護膜の膜厚変動に影響
を受けることなく、Ｆｕｓｅを確実に切断することがで
き、これにより集積回路装置の製造に於いて歩留まりを
上げ低価格で提供できるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す模式図、第２図は
多結晶シリコンＦｕｓｅ上に集積回路装置保護膜ＰＳＧ
が被着されている場合のＰＳＧ膜厚と吸収率の関係を示
す図、第３図は本発明の第２の実施例を示すための模式
図、第４図は従来のレーザートリミング装置の一例の模
式図である。 100……防震台，300……防震台，401……ステージ， 101……ステージ，301……ステージ， 402……ウェハー台，102……ウェハー台， 302……ウェハー台，403……ウェハー， 103……ウェハー，303……ウェハー， 404……ＹＡＧ；Ｎｄレーザー， 104，114……ＹＡＧ；Ｎｄレーザー， 304……ＹＡＧ；Ｎｄレーザー， 405……レーザー光，105……ＳＨＧ，305……ＳＨＧ， 406……レーザー光学系， 106，116……レーザー光学系， 306……レーザー光学系，407……ミラー， 107，117，127……ミラー，307……ミラー， 108……制御回路， 308……テレビモニター用カメラ， 109……テレビモニター用カメラ， 309……アライメント光学系， 110……アライメント光学系， 310，311……レーザー光。
多結晶シリコンＦｕｓｅ上に集積回路装置保護膜ＰＳＧ
が被着されている場合のＰＳＧ膜厚と吸収率の関係を示
す図、第３図は本発明の第２の実施例を示すための模式
図、第４図は従来のレーザートリミング装置の一例の模
式図である。 100……防震台，300……防震台，401……ステージ， 101……ステージ，301……ステージ， 402……ウェハー台，102……ウェハー台， 302……ウェハー台，403……ウェハー， 103……ウェハー，303……ウェハー， 404……ＹＡＧ；Ｎｄレーザー， 104，114……ＹＡＧ；Ｎｄレーザー， 304……ＹＡＧ；Ｎｄレーザー， 405……レーザー光，105……ＳＨＧ，305……ＳＨＧ， 406……レーザー光学系， 106，116……レーザー光学系， 306……レーザー光学系，407……ミラー， 107，117，127……ミラー，307……ミラー， 108……制御回路， 308……テレビモニター用カメラ， 109……テレビモニター用カメラ， 309……アライメント光学系， 110……アライメント光学系， 310，311……レーザー光。
Claims (1)
- 【請求項１】被加工物上の保護膜に対する吸収係数が異
なる複数のレーザー光を同時に被加工物の同位置に照射
し、切断する機能を有することを特徴とするレーザー・
トリミング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283318A JPH0654791B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | レ−ザ−・トリミング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283318A JPH0654791B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | レ−ザ−・トリミング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63136545A JPS63136545A (ja) | 1988-06-08 |
| JPH0654791B2 true JPH0654791B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=17663909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61283318A Expired - Lifetime JPH0654791B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | レ−ザ−・トリミング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654791B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6639177B2 (en) | 2001-03-29 | 2003-10-28 | Gsi Lumonics Corporation | Method and system for processing one or more microstructures of a multi-material device |
| US7425471B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-09-16 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset |
| US8148211B2 (en) | 2004-06-18 | 2012-04-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis delivered simultaneously |
| US7435927B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-10-14 | Electron Scientific Industries, Inc. | Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset |
| US8383982B2 (en) | 2004-06-18 | 2013-02-26 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods and systems for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots |
| US7687740B2 (en) | 2004-06-18 | 2010-03-30 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows |
| US7629234B2 (en) | 2004-06-18 | 2009-12-08 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling |
| US7633034B2 (en) | 2004-06-18 | 2009-12-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure |
| US7935941B2 (en) | 2004-06-18 | 2011-05-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures |
| JP2008147406A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Cyber Laser Kk | レーザによる集積回路の修正方法および装置 |
| JP6620024B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2019-12-11 | エイブリック株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58224088A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-26 | Nec Corp | レ−ザ加工装置 |
-
1986
- 1986-11-27 JP JP61283318A patent/JPH0654791B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63136545A (ja) | 1988-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4602420A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| TW252222B (en) | Protection film for the fuse window passivation of integrated circuit | |
| JPH0654791B2 (ja) | レ−ザ−・トリミング装置 | |
| US6664174B2 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
| US4581628A (en) | Circuit programming by use of an electrically conductive light shield | |
| US4678889A (en) | Method of laser trimming in semiconductor wafer | |
| US4774561A (en) | Semiconductor device | |
| CA2272653A1 (en) | Laser based method and system for integrated circuit repair or reconfiguration | |
| US5034591A (en) | Tape automated bonding leads having a stiffener and a method of bonding with same | |
| US4920075A (en) | Method for manufacturing a semiconductor device having a lens section | |
| JP3325456B2 (ja) | メモリリペア方法ならびにそのメモリリペア方法が適用される電子ビームメモリリペア装置およびメモリ冗長回路 | |
| JPH051113B2 (ja) | ||
| JPH07124764A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPS61194740A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0140500B2 (ja) | ||
| JP3773603B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| US7041514B1 (en) | Integrated circuit repair using multiple-photon absorption of laser light | |
| JP4236509B2 (ja) | 半導体メモリの製造方法 | |
| JP2002008515A (ja) | 光学的ヒューズを有する半導体配置物 | |
| JPH1187521A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2633306B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
| JPH051112B2 (ja) | ||
| JP2541553B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS59104141A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61110447A (ja) | 半導体装置 |