JPH03193284A - レーザ切断判定方法 - Google Patents
レーザ切断判定方法Info
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- JPH03193284A JPH03193284A JP1334251A JP33425189A JPH03193284A JP H03193284 A JPH03193284 A JP H03193284A JP 1334251 A JP1334251 A JP 1334251A JP 33425189 A JP33425189 A JP 33425189A JP H03193284 A JPH03193284 A JP H03193284A
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lasers (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は例えば半導体メモリの製造の際の不良ライン
救済のために行われるレーザによるリンク切断をレーザ
により確認するために用いられるレーザ切断判定方法に
関する。
救済のために行われるレーザによるリンク切断をレーザ
により確認するために用いられるレーザ切断判定方法に
関する。
「従来の技術」
半導体メモリの生産において、良品率を上げるために、
各チップごとに複数の予備セル列を用意しておき、不良
セルが発見されると、その不良セルが属する列を選択す
るアドレスにより、予備セル列の１つが選択されるよう
に、その予備セル列に対するアドレスデコーダの複数の
入力線（入力リンク）を前記アドレスに応じて選択的に
レーザにより切断してその入力線（入力リンク）を接地
状態からオープン状態にすることが行われている。
各チップごとに複数の予備セル列を用意しておき、不良
セルが発見されると、その不良セルが属する列を選択す
るアドレスにより、予備セル列の１つが選択されるよう
に、その予備セル列に対するアドレスデコーダの複数の
入力線（入力リンク）を前記アドレスに応じて選択的に
レーザにより切断してその入力線（入力リンク）を接地
状態からオープン状態にすることが行われている。
このようにレーザでリンクを切断した際に、その切断が
確実に行われたかを確認することが望ましい、このため
従来においては次のような確認法が提案されていた。す
なわち、第２図はレーザ切断及びその確認装置の原理図
を示し、制御部１１からレーザ発振器１２が制御され、
パワーの大きいレーザが瞬時的に発生され、そのレーザ
はミラ−１３で反射され、ビームスプリッタ１４を通過
して対物レンズ１５で、Ｘ−Ｙステージ１６上の被加工
物、例えば半導体ウェーハ１７のリンク（図示せず）の
１点に照射され、そのリンクが切断される。この切断点
は制御部１１によりＸ−Ｙステージ１６を制御して予め
決められた個所になるようにされである。この切断の後
、レーザ発振器１２からパワーの小さいレーザ（観察用
レーザ）を連続的に出射して切断点附近を照射し、その
反射光をビームスプリッタ１４で分岐し、更にビームス
プリッタ１８で分岐して反射用受光素子１９で電気信号
に変換し、その電気信号を増幅器２１で増幅した後、Ａ
Ｄ変換器２２でデジタル信号に変換して制御部１１に取
込み、反射光を観察する。
確実に行われたかを確認することが望ましい、このため
従来においては次のような確認法が提案されていた。す
なわち、第２図はレーザ切断及びその確認装置の原理図
を示し、制御部１１からレーザ発振器１２が制御され、
パワーの大きいレーザが瞬時的に発生され、そのレーザ
はミラ−１３で反射され、ビームスプリッタ１４を通過
して対物レンズ１５で、Ｘ−Ｙステージ１６上の被加工
物、例えば半導体ウェーハ１７のリンク（図示せず）の
１点に照射され、そのリンクが切断される。この切断点
は制御部１１によりＸ−Ｙステージ１６を制御して予め
決められた個所になるようにされである。この切断の後
、レーザ発振器１２からパワーの小さいレーザ（観察用
レーザ）を連続的に出射して切断点附近を照射し、その
反射光をビームスプリッタ１４で分岐し、更にビームス
プリッタ１８で分岐して反射用受光素子１９で電気信号
に変換し、その電気信号を増幅器２１で増幅した後、Ａ
Ｄ変換器２２でデジタル信号に変換して制御部１１に取
込み、反射光を観察する。
その際に反射光に対するレベルの基準として観察用の入
射レーザをビームスプリッタ１４で分岐し、更にビーム
スプリッタ１Ｂを通過させて入射用受光素子２３で電気
信号に変換し、その電気信号を増幅器２４で増幅した後
、ＡＤ変換器２５でデジタル信号に変換して制御部１１
に取込んでいる。
射レーザをビームスプリッタ１４で分岐し、更にビーム
スプリッタ１Ｂを通過させて入射用受光素子２３で電気
信号に変換し、その電気信号を増幅器２４で増幅した後
、ＡＤ変換器２５でデジタル信号に変換して制御部１１
に取込んでいる。
この切断点の観察のため従来では第３図に示すように、
切断されたリンク２６の延長方向に対して、直角方向に
リンク２６を横断するように観察用レーザの照射点を走
査し、その走査線２７が、観察用レーザのスポットサイ
ズの２分の１ずつリンク２６の延長方向に順次ずれるよ
うに走査を繰返し、その各走査線２７．，２７□・・・
２７ゎにおける走査時の各反射光のレベル変化２Ｂ、、
２８！・・・２８Ｒを測定し、これらレベル変化２８□
２８ｇ・・・２８７の相互の関係つまりサブストレート
２９による反射レベル２８ａとリンク２６による反射レ
ベル２８ｂとの差と、サブストレート２９による反射レ
ベル２８ａと切断点３１のサブストレートによる反射レ
ベル２８ｃとの差との関係から切断点３１で確実に切断
が行われたかを確認しようとするものであった。
切断されたリンク２６の延長方向に対して、直角方向に
リンク２６を横断するように観察用レーザの照射点を走
査し、その走査線２７が、観察用レーザのスポットサイ
ズの２分の１ずつリンク２６の延長方向に順次ずれるよ
うに走査を繰返し、その各走査線２７．，２７□・・・
２７ゎにおける走査時の各反射光のレベル変化２Ｂ、、
２８！・・・２８Ｒを測定し、これらレベル変化２８□
２８ｇ・・・２８７の相互の関係つまりサブストレート
２９による反射レベル２８ａとリンク２６による反射レ
ベル２８ｂとの差と、サブストレート２９による反射レ
ベル２８ａと切断点３１のサブストレートによる反射レ
ベル２８ｃとの差との関係から切断点３１で確実に切断
が行われたかを確認しようとするものであった。
「発明が解決しようとする課題ｊ
従来のリンクと直角方向に走査する方式では測定時間が
長い欠点があった０例えばリンク２６の長さを１・５μ
ｍ、観察用レーザのスポット（照射点）の直径を５μｍ
、１本の走査線２７の走査時間を１００ｍ５、その戻り
時間を５０Ｉｌｓとすると、１本のリンクに対する測定
時間は、 １５＋（５＋２）ＸＩ００ｅ＋＋ （１５＋（５÷２＞
−１） Ｘ５０ｊｌｓ＝８５０ＩＩｓ となる。
長い欠点があった０例えばリンク２６の長さを１・５μ
ｍ、観察用レーザのスポット（照射点）の直径を５μｍ
、１本の走査線２７の走査時間を１００ｍ５、その戻り
時間を５０Ｉｌｓとすると、１本のリンクに対する測定
時間は、 １５＋（５＋２）ＸＩ００ｅ＋＋ （１５＋（５÷２＞
−１） Ｘ５０ｊｌｓ＝８５０ＩＩｓ となる。
また被観察リンク２６と接近した隣接リンク２６ａが存
在すると、制ｊ′ｎ部１１ではこれら両リンク２６．２
６ａの各反射光を区別することが困難であり、隣接リン
ク２６ａの反射レベルを被観察リンク２６の反射レベル
と間違えるおそれがある。
在すると、制ｊ′ｎ部１１ではこれら両リンク２６．２
６ａの各反射光を区別することが困難であり、隣接リン
ク２６ａの反射レベルを被観察リンク２６の反射レベル
と間違えるおそれがある。
更に被加工物が前述のように半導体メモリの場合は、サ
ブストレート２９は例えばシリコン半導体基板であり、
その上に絶縁皮膜が形成されており、多層配線の場合は
、眉間絶縁膜も形成されており、リンク２６はアルミニ
ウムや多結晶シリコンなどであり、リンク２６上にも絶
縁皮膜、必要に応じて眉間絶縁膜が形成されており、切
断点３１は半導体基板が直接露出している。これら絶縁
皮膜や眉間絶縁膜の厚さの変化に応じて反射率が波長／
４で変化するため、場合によると、サブストレート２９
の反射レベル２８ａと、リンク２６の反射レベル２８ｂ
との差が少なくなることがあり、レベル変化２Ｂ、、２
８よ・・・２８７の各変化状態の相互の関係では切断が
確実に行われたか否かを確認することが困難となる場合
がある。
ブストレート２９は例えばシリコン半導体基板であり、
その上に絶縁皮膜が形成されており、多層配線の場合は
、眉間絶縁膜も形成されており、リンク２６はアルミニ
ウムや多結晶シリコンなどであり、リンク２６上にも絶
縁皮膜、必要に応じて眉間絶縁膜が形成されており、切
断点３１は半導体基板が直接露出している。これら絶縁
皮膜や眉間絶縁膜の厚さの変化に応じて反射率が波長／
４で変化するため、場合によると、サブストレート２９
の反射レベル２８ａと、リンク２６の反射レベル２８ｂ
との差が少なくなることがあり、レベル変化２Ｂ、、２
８よ・・・２８７の各変化状態の相互の関係では切断が
確実に行われたか否かを確認することが困難となる場合
がある。
また各測定点、つまり各走査線上の各点はその点を観察
用レーザが通過時にその反射レベルが１回測定されるの
みであり、その反射レベルの信頼性が悪く、つまり必ず
しもその反射状態に正しく対応した反射光となってない
ことがあり、正しい反射光のレベルを測定したことにな
らない場合があり、この点からも正確な確認ができない
ことがある。
用レーザが通過時にその反射レベルが１回測定されるの
みであり、その反射レベルの信頼性が悪く、つまり必ず
しもその反射状態に正しく対応した反射光となってない
ことがあり、正しい反射光のレベルを測定したことにな
らない場合があり、この点からも正確な確認ができない
ことがある。
これらのため従来のレーザ切断判定方法は現在の所、実
用化されていない。
用化されていない。
「課題を解決するための手段」
この発明によれば被観察リンク上にレーザを照射し、そ
の照射点をそのリンクに沿って所定量ずつ順次移動し、
その各照射点ごとにそれぞれ反射光のパワーを所定回数
ずつ測定し、その各所定回数の測定値をそれぞれ平均し
、その平均値の変化状態からリンクの切断を確認する。
の照射点をそのリンクに沿って所定量ずつ順次移動し、
その各照射点ごとにそれぞれ反射光のパワーを所定回数
ずつ測定し、その各所定回数の測定値をそれぞれ平均し
、その平均値の変化状態からリンクの切断を確認する。
このようにこの発明ではリンク上に沿ってレーザを走査
するから走査範囲が狭く、全体の測定時間が短かくて済
む。リンク上の反射レベルと、切断点の反射レベルとの
差を検出するものであるから、リンクの周囲のサブスト
レートや、絶縁膜に影響され難い。更に各照射点で複数
回測定して平均値をとっているため、正しい反射レベル
を得ることができる。
するから走査範囲が狭く、全体の測定時間が短かくて済
む。リンク上の反射レベルと、切断点の反射レベルとの
差を検出するものであるから、リンクの周囲のサブスト
レートや、絶縁膜に影響され難い。更に各照射点で複数
回測定して平均値をとっているため、正しい反射レベル
を得ることができる。
「実施例」
第１図にこの発明の実施例を示す、この発明を実施する
装置は第２図に示したものと同様のものを使用できる。
装置は第２図に示したものと同様のものを使用できる。
この発明では被観察リンク２６上に観察用レーザ（スポ
ットサイズは切断用レーザのそれと同一でよい）を照射
し、その照射点３２を、リンク２６上をこれに沿って所
定量ずつ移動させ、つまり照射点を３２□３２□・・・
３２ｎと順次移動させる。この移動ピッチは例えば観察
用レーザのスポット（照射点）の直径の２分の１とされ
る。つまりこの発明ではリンク２６上を、これに沿って
１時停止しなからレーザの照射点を走査させる。この走
査のためリンク２６の位置指定と、走査の開始点と終了
点との位置指定を行って動作させる。
ットサイズは切断用レーザのそれと同一でよい）を照射
し、その照射点３２を、リンク２６上をこれに沿って所
定量ずつ移動させ、つまり照射点を３２□３２□・・・
３２ｎと順次移動させる。この移動ピッチは例えば観察
用レーザのスポット（照射点）の直径の２分の１とされ
る。つまりこの発明ではリンク２６上を、これに沿って
１時停止しなからレーザの照射点を走査させる。この走
査のためリンク２６の位置指定と、走査の開始点と終了
点との位置指定を行って動作させる。
この走査において各照射点３Ｌ、３２ｇ・・・３２゜で
それぞれ１時停止し、例えば２ＩＩｓずつ停止し、その
停止中に反射光のパワーを所定回数、例えば２０回ずつ
測定する。その各照射点３２□３２オ・・・３２７での
複数回（この例では２０回）の測定値をそれぞれ平均す
る。その各平均値の変化状態からリンク２６の切断が確
実に行われたか否かを判定する。各照射点３２１，３２
！・・・３２．での測定の各平均値が例えば第１図に示
すように１ｍＷ、０、５ ｍＷ、０．０１ｄ、０．５ｍ
Ｗ、１ｍＷとなったとすると、反射光のパワーが大きい
ｌｄの照射点はリンク２６上であり、パワーが最も小さ
い０．０１ｄの照射点は切断点３１上であり、中間のパ
ワー０．５＋１−の照射点は、リンク２６と切断点３１
とにまたがっていると判断し、かつリンク２６上がらの
反射光のパワーとみなせる最大値１ｍＷと、切断点３１
上からの反射光のパワーとみなせる最小値ｏ、ｏｉ１と
の差が十分大きいことからリンク２６が確実に切断され
ていると判定する。
それぞれ１時停止し、例えば２ＩＩｓずつ停止し、その
停止中に反射光のパワーを所定回数、例えば２０回ずつ
測定する。その各照射点３２□３２オ・・・３２７での
複数回（この例では２０回）の測定値をそれぞれ平均す
る。その各平均値の変化状態からリンク２６の切断が確
実に行われたか否かを判定する。各照射点３２１，３２
！・・・３２．での測定の各平均値が例えば第１図に示
すように１ｍＷ、０、５ ｍＷ、０．０１ｄ、０．５ｍ
Ｗ、１ｍＷとなったとすると、反射光のパワーが大きい
ｌｄの照射点はリンク２６上であり、パワーが最も小さ
い０．０１ｄの照射点は切断点３１上であり、中間のパ
ワー０．５＋１−の照射点は、リンク２６と切断点３１
とにまたがっていると判断し、かつリンク２６上がらの
反射光のパワーとみなせる最大値１ｍＷと、切断点３１
上からの反射光のパワーとみなせる最小値ｏ、ｏｉ１と
の差が十分大きいことからリンク２６が確実に切断され
ていると判定する。
「発明の効果」
以上述べたようにこの発明ではレーザ照射点による走査
を、被観察リンク２６上をこれに沿って行うため、１回
の走査で済み、測定時間が短かい。
を、被観察リンク２６上をこれに沿って行うため、１回
の走査で済み、測定時間が短かい。
例えばリンク２６の長さを１５μｍ１観察用レーザのス
ポット（照射点）の直径を５μｍ、１つの照射点３２に
おける停止時間を２ｍ５（測定回数２０×測定間隔０．
１ｍ５）、隣接照射点３２間の移動時間を５０δとする
と、全測定時間は１５÷（５＋２）Ｘ（２ＩＩＳ＋５０
１１ｓ） ＝ ３１２ｍ５となり、従来法が８５０ｍ５
であった場合と比較してこの発明の方法は短時間で判定
することができる。
ポット（照射点）の直径を５μｍ、１つの照射点３２に
おける停止時間を２ｍ５（測定回数２０×測定間隔０．
１ｍ５）、隣接照射点３２間の移動時間を５０δとする
と、全測定時間は１５÷（５＋２）Ｘ（２ＩＩＳ＋５０
１１ｓ） ＝ ３１２ｍ５となり、従来法が８５０ｍ５
であった場合と比較してこの発明の方法は短時間で判定
することができる。
従来法はリンクでの反射と、その両側のサブストレート
での反射との差と、切断点での反射とその両側のサブス
トレートでの反射との差との変化状態で判定するのに対
し、この発明ではリンクでの反射と切断点での反射との
差を直接みるため、絶縁皮膜や眉間絶縁膜などの影響を
受は難く、正確に判定することができる。
での反射との差と、切断点での反射とその両側のサブス
トレートでの反射との差との変化状態で判定するのに対
し、この発明ではリンクでの反射と切断点での反射との
差を直接みるため、絶縁皮膜や眉間絶縁膜などの影響を
受は難く、正確に判定することができる。
更に各照射点３２で複数回ずつ測定して平均しているた
め、各照射点３２の状態に正しく対応した反射光のパワ
ーを測定することができ、それだけ信顛性が高い判定を
行うことができる。
め、各照射点３２の状態に正しく対応した反射光のパワ
ーを測定することができ、それだけ信顛性が高い判定を
行うことができる。
またレーザの照射点を被観察リンク２６上に正しく設定
できるため、隣接リンクが接近していてもこれに影響さ
れない。
できるため、隣接リンクが接近していてもこれに影響さ
れない。
第１図はこの発明の詳細な説明するための図、第２図は
レーザ切断及びその切断確認装置の一般的構成を示す原
理図、第３図は従来提案されているレーザ切断判定法を
説明するための図である。
レーザ切断及びその切断確認装置の一般的構成を示す原
理図、第３図は従来提案されているレーザ切断判定法を
説明するための図である。
Claims (1)
- （１）レーザで切断したリンクの切断個所附近にレーザ
を照射し、その反射光を観察して上記レーザによる切断
を確認するレーザ切断判定方法において、 上記リンク上にレーザを照射し、その照射点をそのリン
クに沿って所定量ずつ順次移動し、その各照射点ごとに
それぞれ反射光のパワーを所定回数ずつ測定し、 その各所定回数の測定値の平均値をそれぞれ求め、 その求めた平均値の変化状態から上記リンクの切断を確
認することを特徴とするレーザ切断判定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1334251A JP2775005B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | レーザ切断判定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1334251A JP2775005B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | レーザ切断判定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03193284A true JPH03193284A (ja) | 1991-08-23 |
| JP2775005B2 JP2775005B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=18275243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1334251A Expired - Fee Related JP2775005B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | レーザ切断判定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2775005B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008238229A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fuji Electric Systems Co Ltd | レーザ加工方法および装置 |
| US8049135B2 (en) * | 2004-06-18 | 2011-11-01 | Electro Scientific Industries, Inc. | Systems and methods for alignment of laser beam(s) for semiconductor link processing |
| US8110775B2 (en) * | 2004-06-18 | 2012-02-07 | Electro Scientific Industries, Inc. | Systems and methods for distinguishing reflections of multiple laser beams for calibration for semiconductor structure processing |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6483390A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-29 | Nec Corp | Laser beam machine |
| JPH01118887U (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-11 | ||
| JPH01266982A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | レーザートリミング装置 |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP1334251A patent/JP2775005B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6483390A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-29 | Nec Corp | Laser beam machine |
| JPH01118887U (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-11 | ||
| JPH01266982A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | レーザートリミング装置 |
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|---|---|---|---|---|
| US8049135B2 (en) * | 2004-06-18 | 2011-11-01 | Electro Scientific Industries, Inc. | Systems and methods for alignment of laser beam(s) for semiconductor link processing |
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| JP2008238229A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fuji Electric Systems Co Ltd | レーザ加工方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2775005B2 (ja) | 1998-07-09 |
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