JPS63265442A - 半導体デバイス用外観検査装置 - Google Patents

半導体デバイス用外観検査装置

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JPS63265442A
JPS63265442A JP62089713A JP8971387A JPS63265442A JP S63265442 A JPS63265442 A JP S63265442A JP 62089713 A JP62089713 A JP 62089713A JP 8971387 A JP8971387 A JP 8971387A JP S63265442 A JPS63265442 A JP S63265442A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の外観検査、例えば半導体装置のボ
ンディング状況を検査する装置に関するものである。
【従来の技術】
従来、半導体装置のワイヤーボンディング状態を検査す
る場合、顕微鏡を用いて人間が目視にて行なうことが主
流である。 また最近ではＴＶカメラを用い顕微鏡モニター映像を写
し出し、複雑な画ｇＲＩＩＪＩ理を行なうことＫより検
査する方法も提案されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の目視による検査では非常に多くの検査時間を有す
る。この丸め全ての製品を検査することができず、ロッ
ト抜取検査にならざるを得ない。 このため不良品を完全に取り除くことができない。 また最近提案されている實カメラによる映像を画像処理
する検査はＷカメ２の解像度等の問題により検出精度が
悪く、これでも不良品を完全に取り除くことができなか
つ九。又画像処理というプ四セスが複雑であるＯＫ加え
、この処理も多くの本発明によるとレーザ光を被検知物
体に照射しその反射レーザ光によりこの被検知物体の高
低の信号を得ると共にこのレーザ光を被検知物体上に走
査すゐことにより半導体上の外観を高速かつ高精度に検
知することができる。 モしてレーザ光を用いることで、レーザ光のスポット径
を小さくすることができる。このため検出エリアを小さ
くすることができ、検出感度が非常に高い。 そして高低信号を不良限界レベルと比較することにより
簡単に良・不良の判定ができる。 （実施例） 本発明の実施例装置を図を用いて説明する。 Ｍ１図に本実施例のワイヤボンディング検査装置の概要
を示す。この装置は、半導体装置Ｘの被検知部にレーザ
光を照射するレーザ出力部１および被検知部から反射さ
れたレーザ光を検出する光位置検出部２とからなるセン
ナユニット部３と、このセンナユニット部３を一端に保
持する指示アーム４と、このアーム４を保持しこれを半
導体装＠Ｘ上で水平方向に走査・駆動させるＸＹテーブ
ル５、および図示しないデータ表示部とを有する。 次に本装置の動作を説明する。第２図にブロック図を示
す。レーザ出力回路６から出力されるレーザ駆動信号に
より、レーザ出力部１から、波長７８０ｆ１ｍのレーザ
光が半導体装置の被検査部７へ照射される。なおこのレ
ーザ光は、レンズ８によりスポット径２５μｍφ〜５０
μｍφに絞られる。そして、被検査部７で反射されたレ
ーザ光は、レンズ９を通り光位置検出部２に入力される
。 この検出部２は、被検査部７の高さにより変移した位置
に入力されるレーザ光を、例えばＣ０Ｄ（電荷結合素子
）にて検知するものであり、この被検査部７の高さに対
応した変移信号を出力する。 この出力信号は、増幅回路１０１．１０ｂにより増幅さ
れた後、ＣＰＵ（中央演算処理装置）１１へ入力される
。 尚、センサー３は、ＸＹテーブル５によって走査駆動さ
れるが、このＸＹテーブル６によるセンサー３の走査に
対応したエンコーダ出力信号は、処理回路１２を経てｃ
ｐｔｒｌｌへ入力される。 ＣＰＵ　１１では、このエンコーダ出力信号と光位置検
出信号との同期を取り、任意の箇所のボンディングワイ
ヤーが正しくルーピングしているか否かの判定を行ない
、これをデータ表示部１３にて表示する。 この検査は、半導体装置上を走査しながら行なわれるが
、第３図にその走査例を示す。 ｔｆペレットＹのボンディングパットに沿りて走査し、
続いてリードフレームのペットｚ上で、ボンディングワ
イヤＷを順次横切るように走査する。 そして、ペットの緑に沿って走査した後、リードフレー
ムのボンディング部分ｖｆ：順次横切るように走査する
。 この判定（表示データ）の−例を第４図を用いて説明す
る。 この図には、エンコーダ出力信号により得られたセンナ
移動距離（横軸）に対応した光位置検出信号（縦軸）が
示されている。 ボンディングワイヤが正しくループしている場喜−ペレ
、に面レベル／ｌ−１！Ａ？ハｗｒ中番由出１４レベル
のワイヤ信号Ｂを得る。 そして正しくループしていない場合、この信号人よりも
低いワイヤ信号を得る。この時、信号Ｃのように、不良
限界レベルＣより低くなると、ワイヤがペレットのエツ
ジに接触していることを示す。この信号りを得九場合、
ＣＰＵＩＩはＮＧ（不良）の判定を下す。 ま九、レベル信号同志が近接している場合、ボンディン
グワイヤが左または右に変移していることを示す。この
時、信号Ｅのように、不良限界レベルＦより近接してい
ると、この付近でワイヤ同志が接触していることを示す
。この場合もＣＰＵ　１１はＮＧの判定を下す。 またフレームペット上の走査において、不良限界レベル
Ｇより低い信号Ｈの場合、このワイヤはフレームペット
２と接触していることを示すものであり、この場合もＣ
ＰＵ　ｌｌはＮＧの判定を下す。尚、信号Ｉはフレーム
ペット面のレベル信号である。 本発明は、本実施例に限定されるものではなく種々変型
できるものである。 例えば本実施例ではセンナを移動させ走査したが、半導
体装置を移動させることにより走査してもよい。 また本発明はボンディング不良の検査に限定されるもの
ではなく、例えばマクントペーストの不足、過多の検査
やペレットの欠は検査、またリ一本発ＢＡＫよると、（
１）半導体の外観検査を高速度に行なうことができる。 （２）従りて製造装置との同期化が可能となる。 （３）また高速に検査を行うことが可能なため、抜き取
り検査ではなく、すべての製品を検査することが可能と
なる。 （４）また微小スポットのレーザ光を用いるため検出精
度が高くなる。 （５）画像処理に比較し、処理が極めて簡単に行なえる
。従って低コスト化が可能となる。 という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第４図は本発明の一実施例を示すものであり
、ｔｇ１図は側面図、第２図は動作説明のためのブロッ
ク図、第３図は走査状況を説明するための図、第４図は
良・不良を判定するデータ出力図である。 １・・・レーザ出力部 ２・・・光位置検出部 ５・・・センサー駆動装置（ＸＹテーブル）１１・・・
中央演算処理装置（ＣＰＵ　）代理人　弁理士　　則　
近　憲　佑 同　　　　　　　　メ　覇　真　ｋ ケを乱真先男 第１図 第２１１１ 第３図 九 センサＪＩｇ１力距寓龜 ＠　　４　　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体デバイスに微小スポットのレーザ光を照射するレ
    ーザ出力部と、前記デバイスからのレーザ反射光を検知
    し、このデバイスのレーザ反射部分の高低を検知する光
    位置検出部と、前記レーザ出力装置および検出装置とを
    前記半導体デバイス上で走査させるセンサー駆動装置と
    、前記光位置検出装置からの検知信号を不良限界レベル
    と比較することにより半導体デバイスの良、不良の判定
    を行なう中央演算処理装置とを有することを特徴とする
    半導体デバイス用外観検査装置。
JP62089713A 1987-04-14 1987-04-14 半導体デバイス用外観検査装置 Expired - Fee Related JPH0666370B2 (ja)

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JP62089713A JPH0666370B2 (ja) 1987-04-14 1987-04-14 半導体デバイス用外観検査装置
US07/177,412 US4874956A (en) 1987-04-14 1988-04-04 Method and apparatus for inspecting semiconductor devices for their bonding status
KR1019880004226A KR910006368B1 (ko) 1987-04-14 1988-04-14 반도체장치의 검사방법 및 그 검사장치

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JP (1) JPH0666370B2 (ja)

Cited By (3)

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