JP2775005B2 - レーザ切断判定方法 - Google Patents
レーザ切断判定方法Info
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- JP2775005B2 JP2775005B2 JP1334251A JP33425189A JP2775005B2 JP 2775005 B2 JP2775005 B2 JP 2775005B2 JP 1334251 A JP1334251 A JP 1334251A JP 33425189 A JP33425189 A JP 33425189A JP 2775005 B2 JP2775005 B2 JP 2775005B2
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Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は例えば半導体メモリの製造の際の不良ライ
ン救済のために行われるレーザ光によるリンク切断をレ
ーザ光により確認するために用いられるレーザ切断判定
方法に関する。
ン救済のために行われるレーザ光によるリンク切断をレ
ーザ光により確認するために用いられるレーザ切断判定
方法に関する。
「従来の技術」 半導体メモリの生産において、良品率を上げるため
に、各チップごとに複数の予備セル列を用意しておき、
不良セルが発見されると、その不良セルが属する列を選
択するアドレスにより、予備セル列の１つが選択される
ように、その予備セル列に対するアドレスデコーダの複
数の入力線（入力リンク）を前記アドレスに応じて選択
的にレーザ光により切断してその入力線（入力リンク）
を接地状態からオープン状態にすることが行われてい
る。
に、各チップごとに複数の予備セル列を用意しておき、
不良セルが発見されると、その不良セルが属する列を選
択するアドレスにより、予備セル列の１つが選択される
ように、その予備セル列に対するアドレスデコーダの複
数の入力線（入力リンク）を前記アドレスに応じて選択
的にレーザ光により切断してその入力線（入力リンク）
を接地状態からオープン状態にすることが行われてい
る。
このようにレーザ光でリンクを切断した際に、その切
断が確実に行われたかを確認することが望ましい。この
ため従来においては次のような確認法が提案されてい
た。すなわち、第２図はレーザ切断及びその確認装置の
原理図を示し、制御部11からレーザ光発振器12が制御さ
れ、パワーの大きいレーザ光が瞬時的に発生され、その
レーザ光はミラー13で反射され、ビームスプリッタ14を
通過して対物レンズ15で、Ｘ−Ｙステージ16上の被加工
物、例えば半導体ウエーハ17のリンク（図示せず）の１
点に照射され、そのリンクが切断される。この切断点は
制御部11によりＸ−Ｙステージ16を制御して予め決めら
れた個所になるようにされてある。この切断の後、レー
ザ発振器12からパワーの小さいレーザ光（観察用レー
ザ）を連続的に出射して切断点附近を照射し、その反射
光をビームスプリッタ14で分岐し、更にビームスプリッ
タ18で分岐して反射用受光素子19で電気信号に変換し、
その電気信号を増幅器21で増幅した後、AD変換器22でデ
ジタル信号に変換して制御部11に取込み、反射光を観察
する。その際に反射光に対するレベルを基準として観察
用の入射レーザ光をビームスプリッタ14で分岐し、更に
ビームスプリッタ18を通過させて入射用受光素子23で電
気信号に変換し、その電気信号を増幅器24で増幅した
後、AD変換器25でデジタル信号に変換して制御部11に取
込んでいる。
断が確実に行われたかを確認することが望ましい。この
ため従来においては次のような確認法が提案されてい
た。すなわち、第２図はレーザ切断及びその確認装置の
原理図を示し、制御部11からレーザ光発振器12が制御さ
れ、パワーの大きいレーザ光が瞬時的に発生され、その
レーザ光はミラー13で反射され、ビームスプリッタ14を
通過して対物レンズ15で、Ｘ−Ｙステージ16上の被加工
物、例えば半導体ウエーハ17のリンク（図示せず）の１
点に照射され、そのリンクが切断される。この切断点は
制御部11によりＸ−Ｙステージ16を制御して予め決めら
れた個所になるようにされてある。この切断の後、レー
ザ発振器12からパワーの小さいレーザ光（観察用レー
ザ）を連続的に出射して切断点附近を照射し、その反射
光をビームスプリッタ14で分岐し、更にビームスプリッ
タ18で分岐して反射用受光素子19で電気信号に変換し、
その電気信号を増幅器21で増幅した後、AD変換器22でデ
ジタル信号に変換して制御部11に取込み、反射光を観察
する。その際に反射光に対するレベルを基準として観察
用の入射レーザ光をビームスプリッタ14で分岐し、更に
ビームスプリッタ18を通過させて入射用受光素子23で電
気信号に変換し、その電気信号を増幅器24で増幅した
後、AD変換器25でデジタル信号に変換して制御部11に取
込んでいる。
この切断点の観察のため従来では第３図に示すよう
に、切断されたリンク26の延長方向に対して、直角方向
にリンク26を横断するように観察用レーザ光の照射点を
走査し、その走査線27が、観察用レーザ光のスポットサ
イズの２分の１ずつリンク26の延長方向に順次ずれるよ
うに走査を繰返し、その各走査線271，272…27nにおけ
る走査時の各反射光のレベル変化281，282…28nを測定
し、これらレベル変化281，282…28nの相互の関係つま
りサブストレート29による反射レベル28aとリンク26に
よる反射レベル28bとの差と、サブストレート29による
反射レベル28aと切断点31のサブストレートによる反射
レベル28cとの差との関係から切断点31で確実に切断が
行われたかを確認しようとするものであった。
に、切断されたリンク26の延長方向に対して、直角方向
にリンク26を横断するように観察用レーザ光の照射点を
走査し、その走査線27が、観察用レーザ光のスポットサ
イズの２分の１ずつリンク26の延長方向に順次ずれるよ
うに走査を繰返し、その各走査線271，272…27nにおけ
る走査時の各反射光のレベル変化281，282…28nを測定
し、これらレベル変化281，282…28nの相互の関係つま
りサブストレート29による反射レベル28aとリンク26に
よる反射レベル28bとの差と、サブストレート29による
反射レベル28aと切断点31のサブストレートによる反射
レベル28cとの差との関係から切断点31で確実に切断が
行われたかを確認しようとするものであった。
「発明が解決しようとする課題」 従来のリンクと直角方向に走査する方式では測定時間
が長い欠点があった。例えばリンク26の長さを15μｍ、
観察用レーザ光のスポット（照射点）の直径を５μｍ、
１本の走査線27の走査時間を100ms、その戻り時間を50m
sとすると、１本のリンクに対する測定時間は、 15÷（５÷２）×100ms＋｛15÷（５÷２）−１｝×50m
s＝850ms となる。
が長い欠点があった。例えばリンク26の長さを15μｍ、
観察用レーザ光のスポット（照射点）の直径を５μｍ、
１本の走査線27の走査時間を100ms、その戻り時間を50m
sとすると、１本のリンクに対する測定時間は、 15÷（５÷２）×100ms＋｛15÷（５÷２）−１｝×50m
s＝850ms となる。
また被観察リンク26と接近した隣接リンク26aが存在
すると、制御部11ではこれら両リンク26,26aの各反射光
を区別することが困難であり、隣接リンク26aの反射レ
ベルを被観察リンク26の反射レベルと間違えるおそれが
ある。
すると、制御部11ではこれら両リンク26,26aの各反射光
を区別することが困難であり、隣接リンク26aの反射レ
ベルを被観察リンク26の反射レベルと間違えるおそれが
ある。
更に被加工物が前述のように半導体メモリの場合は、
サブストレート29は例えばシリコン半導体基板であり、
その上に絶縁被膜が形成されており、多層配線の場合
は、層間絶縁膜も形成されており、リンク26はアルミニ
ウムや多結晶シリコンなどであり、リンク26上にも絶縁
皮膜、必要に応じて層間絶縁膜が形成されており、切断
点31は半導体基板が直接露出している。これら絶縁皮膜
や層間絶縁膜の厚さの変化に応じて反射率が波長/4で変
化するため、場合によると、サブストレート29の反射レ
ベル28aと、リンク26の反射レベル28bとの差が少なくな
ることがあり、レベル変化281，282…28nの各変化状態
の相互の関係では切断が確実に行われたか否かを確認す
ることが困難となる場合がある。
サブストレート29は例えばシリコン半導体基板であり、
その上に絶縁被膜が形成されており、多層配線の場合
は、層間絶縁膜も形成されており、リンク26はアルミニ
ウムや多結晶シリコンなどであり、リンク26上にも絶縁
皮膜、必要に応じて層間絶縁膜が形成されており、切断
点31は半導体基板が直接露出している。これら絶縁皮膜
や層間絶縁膜の厚さの変化に応じて反射率が波長/4で変
化するため、場合によると、サブストレート29の反射レ
ベル28aと、リンク26の反射レベル28bとの差が少なくな
ることがあり、レベル変化281，282…28nの各変化状態
の相互の関係では切断が確実に行われたか否かを確認す
ることが困難となる場合がある。
また各測定点、つまり各走査線上の各点はその点を観
察用レーザ光が通過時にその反射レベルが１回測定され
るのみであり、その反射レベルの信頼性が悪く、つまり
必ずしもその反射状態に正しく対応した反射光となって
ないことがあり、正しい反射光のレベルを測定したこと
にならない場合があり、この点からも正確な確認ができ
ないことがある。
察用レーザ光が通過時にその反射レベルが１回測定され
るのみであり、その反射レベルの信頼性が悪く、つまり
必ずしもその反射状態に正しく対応した反射光となって
ないことがあり、正しい反射光のレベルを測定したこと
にならない場合があり、この点からも正確な確認ができ
ないことがある。
これらのため従来のレーザ切断判定方法は現在の所、
実用化されていない。
実用化されていない。
「課題を解決するための手段」 この発明によるレーザ切断判定方法は、絶縁皮膜より
も下層に形成されたリンクに、レーザ発振器を制御して
パワーの大きい切断用レーザ光を照射した後、リンクの
切断個所とその付近に、レーザ発振器を制御してパワー
の小さい観測用レーザ光を照射し、その反射光を観察し
て切断用レーザ光による切断を確認するレーザ切断判定
方法において、 リンクに観測用レーザ光を照射し、その照射点をその
リンクに沿って所定量づつ順次移動し、 その各照射点ごとにそれぞれ反射光のパワーを所定回
数づつ測定し、 その各所定回数の測定値の平均値をそれぞれ求め、 その求めた平均値の変化状態からリンクの切断を確認
する。
も下層に形成されたリンクに、レーザ発振器を制御して
パワーの大きい切断用レーザ光を照射した後、リンクの
切断個所とその付近に、レーザ発振器を制御してパワー
の小さい観測用レーザ光を照射し、その反射光を観察し
て切断用レーザ光による切断を確認するレーザ切断判定
方法において、 リンクに観測用レーザ光を照射し、その照射点をその
リンクに沿って所定量づつ順次移動し、 その各照射点ごとにそれぞれ反射光のパワーを所定回
数づつ測定し、 その各所定回数の測定値の平均値をそれぞれ求め、 その求めた平均値の変化状態からリンクの切断を確認
する。
「実施例」 第１図にこの発明の実施例を示す。この発明を実施す
る装置は第２図に示したものと同様のものを使用でき
る。この発明では被観察リンク26上に観察用レーザ光
（レザ発振期12およびスポットサイズは切断用レーザ光
のそれと同一でよい）を照射し、その照射点32を、イン
ク26上をこれに沿って所定量ずつ移動させ、つまり照射
点を321，322…32nと順次移動させる。この移動ピッチ
は例えば観察用レーザのスポット（照射点）の直径の２
分の１とされる。つまりこの発明ではリンク26上を、こ
れに沿って１時停止しながらレーザ光の照射点を走査さ
せる。この走査のためリンク26の位置指定と、走査の開
始点と終了点との位置指定を行って動作させる。
る装置は第２図に示したものと同様のものを使用でき
る。この発明では被観察リンク26上に観察用レーザ光
（レザ発振期12およびスポットサイズは切断用レーザ光
のそれと同一でよい）を照射し、その照射点32を、イン
ク26上をこれに沿って所定量ずつ移動させ、つまり照射
点を321，322…32nと順次移動させる。この移動ピッチ
は例えば観察用レーザのスポット（照射点）の直径の２
分の１とされる。つまりこの発明ではリンク26上を、こ
れに沿って１時停止しながらレーザ光の照射点を走査さ
せる。この走査のためリンク26の位置指定と、走査の開
始点と終了点との位置指定を行って動作させる。
この走査において各照射点321，322…32nでそれぞれ
１時停止し、例えば2msずつ停止し、その停止中に反射
光のパワーを所定回数、例えば20回ずつ測定する。その
各照射点321，322…32nで複数回（この例では20回）の
測定値をそれぞれ平均する。その各平均値の変化状態か
らリンク26の切断が確実に行われたか否かを判定する。
各照射点321，322…32nでの測定の各平均値が例えば第
１図に示すように1mW、0.5mW、0.01mW、0.5mW、1mWとな
ったとすると、反射光のパワーが大きい1mWの照射点は
リンク26上であり、パワーが最も小さい0.01mWの照射点
は切断点31上であり、中間のパワー0.5mWの照射点は、
リンク26と切断点31とにまたがっていると判断し、かつ
リンク26上からの反射光のパワーとみなせる最大値1mW
と、切断点31上からの反射光のパワーとみなせる最小値
0.01mWとの差が十分大きいことからリンク26が確実に切
断されていると判定する。
１時停止し、例えば2msずつ停止し、その停止中に反射
光のパワーを所定回数、例えば20回ずつ測定する。その
各照射点321，322…32nで複数回（この例では20回）の
測定値をそれぞれ平均する。その各平均値の変化状態か
らリンク26の切断が確実に行われたか否かを判定する。
各照射点321，322…32nでの測定の各平均値が例えば第
１図に示すように1mW、0.5mW、0.01mW、0.5mW、1mWとな
ったとすると、反射光のパワーが大きい1mWの照射点は
リンク26上であり、パワーが最も小さい0.01mWの照射点
は切断点31上であり、中間のパワー0.5mWの照射点は、
リンク26と切断点31とにまたがっていると判断し、かつ
リンク26上からの反射光のパワーとみなせる最大値1mW
と、切断点31上からの反射光のパワーとみなせる最小値
0.01mWとの差が十分大きいことからリンク26が確実に切
断されていると判定する。
「発明の効果」 以上述べたようにこの発明ではレーザ光照射点による
走査を、被観測リンク26上をこれに沿って行うため、１
回の走査で済み、測定時間が短かい。例えばリンク26の
長さを15μｍ、観察用レーザ光のスポット（照射点）の
直径を５μｍ、１つの照射点32における停止時間を2ms
（測定回数20×測定間隔0.1ms）、隣接照射点32間の移
動時間を50msとすると、全測定時間は 15÷（５÷２）×（2ms＋50ms）＝312ms となり、従来法が850msであった場合と比較してこの発
明の方法は短時間で判定することができる。
走査を、被観測リンク26上をこれに沿って行うため、１
回の走査で済み、測定時間が短かい。例えばリンク26の
長さを15μｍ、観察用レーザ光のスポット（照射点）の
直径を５μｍ、１つの照射点32における停止時間を2ms
（測定回数20×測定間隔0.1ms）、隣接照射点32間の移
動時間を50msとすると、全測定時間は 15÷（５÷２）×（2ms＋50ms）＝312ms となり、従来法が850msであった場合と比較してこの発
明の方法は短時間で判定することができる。
従来法はリンクでの反射と、その両側のサブストレー
トでの反射との差と、切断点での反射とその両側のサブ
ストレートでの反射との差との変化状態で判定するのに
対し、この発明ではリンクでの反射と切断点での反射と
の差を直接みるため、絶縁皮膜や層間絶縁膜などの影響
を受け難く、正確に判定することができる。
トでの反射との差と、切断点での反射とその両側のサブ
ストレートでの反射との差との変化状態で判定するのに
対し、この発明ではリンクでの反射と切断点での反射と
の差を直接みるため、絶縁皮膜や層間絶縁膜などの影響
を受け難く、正確に判定することができる。
更に各照射点32で複数回ずつ測定して平均しているた
め、各照射点32の状態に正しく対応した反射光のパワー
を測定することができ、それだけ信頼性が高い判定を行
うことができる。
め、各照射点32の状態に正しく対応した反射光のパワー
を測定することができ、それだけ信頼性が高い判定を行
うことができる。
またレーザ光の照射点を被観察リンク26上に正しく設
定できるため、隣接リンクが接近していてもこれに影響
されない。
定できるため、隣接リンクが接近していてもこれに影響
されない。
第１図はこの発明の実施例を説明するための図、第２図
はレーザ切断及びその切断確認装置の一般的構成を示す
原理図、第３図は従来提案されているレーザ切断判定法
を説明するための図である。
はレーザ切断及びその切断確認装置の一般的構成を示す
原理図、第３図は従来提案されているレーザ切断判定法
を説明するための図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−83390（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−266982（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−118887（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B23K 26/00 - 26/04
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁皮膜よりも下層に形成されたリンク
に、レーザ発振器を制御してパワーの大きい切断用レー
ザ光を照射した後、上記リンクの切断個所とその付近
に、上記レーザ発振器を制御してパワーの小さい観測用
レーザ光を照射し、その反射光を観察して上記切断用レ
ーザ光による切断を確認するレーザ切断判定方法におい
て、 上記リンクに上記観測用レーザ光を照射し、その照射点
をそのリンクに沿って所定量づつ順次移動し、 その各照射点ごとにそれぞれ反射光のパワーを所定回数
づつ測定し、 その各所定回数の測定値の平均値をそれぞれ求め、 その求めた平均値の変化状態から上記リンクの切断を確
認することを特徴とするレーザ切断判定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1334251A JP2775005B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | レーザ切断判定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1334251A JP2775005B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | レーザ切断判定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03193284A JPH03193284A (ja) | 1991-08-23 |
| JP2775005B2 true JP2775005B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=18275243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1334251A Expired - Fee Related JP2775005B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | レーザ切断判定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2775005B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8049135B2 (en) * | 2004-06-18 | 2011-11-01 | Electro Scientific Industries, Inc. | Systems and methods for alignment of laser beam(s) for semiconductor link processing |
| US8110775B2 (en) * | 2004-06-18 | 2012-02-07 | Electro Scientific Industries, Inc. | Systems and methods for distinguishing reflections of multiple laser beams for calibration for semiconductor structure processing |
| JP5201311B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2013-06-05 | 富士電機株式会社 | レーザ加工方法および装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6483390A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-29 | Nec Corp | Laser beam machine |
| JPH01118887U (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-11 | ||
| JPH01266982A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | レーザートリミング装置 |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP1334251A patent/JP2775005B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03193284A (ja) | 1991-08-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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