JPH026089A - レーザトリミング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は薄膜の加工・微細配線のトリミングをおこなう
レーザトリミング装置に関するものである。

従来の技術 近年、液晶表示装置に用いるアクティブマトリックスア
レイ・Ｉｃメモリなどを冗長構成にし、不良部分を切断
あるいは加工により製造歩留まりを向上させる方法が用
いられつつある。前記切断あるいは加工にはレーザ光を
用いるのが有効であり、したがって微細かつ良好に加工
できるレーザトリミング装置がもとめられている。

以下図面を参照しながら、従来のレーザトリミング装置
について説明する。第４図は従来のレーザトリミング装
置の機能ブロック図を示したものである。ただし、説明
に不用な箇所は省略しである。

第４図において、１はＩＣウェハ・アクティブマトリッ
クスアレイ・Ｉｃマスクなどのトリミング対象物、２は
前記トリミング対象物ｌを位置決めするために用いるＸ
−Ｙステージなどの位置決め手段、５はＹＡＧロットな
どを有しレーザ光を発生させるためのレーザ光発生手段
、４はレーザ光を所定のフィルタを挿入あるいは取りか
えることにより所定のパワーに減衰させるため減光手段
、４は前記減光手段を通過したレーザ光を集光させ、ト
リミング対象物ｌに照射するためのレーザ光集光手段、
６はレーザ光の励起ランプなどを有し前記励起ランプに
よりレーザ光発生手段５を制御し、レーザ光の発射させ
るためのレーザ光照射制御手段、８はトリミング対象物
１のトリミング加工位置データを記憶している位置情報
記憶手段、７は位置情報記憶手段より加工位置データを
読みだし、前記データにより位置決め手段を制御し、か
つ加工位置に位置決め完了時にレーザ光照射制御手段に
指令を送り、レーザ光を加工位置に照射させるためのレ
ーザトリマ制御手段である。

次に従来のレーザトリミング装置の動作について説明す
る。まずレーザトリマ制ｉ！Ｉ１手段は位置情報記憶手
段に対し加工位置データ要求信号をだす。

位置情報記憶手段はメモリから加工位置データであるＸ
−Ｙ座標をレーザトリマ制御手段に送る。

レーザトリマ制御手段は前記加工位置データを位置決め
手段に送る。位置決め手段は前記データにより移動をお
こない、トリミング対象物の位置決めをおこなう。位置
決め手段は位置決めが完了すると移動終了信号をレーザ
トリマ制御手段に対して送る。レーザトリマ制御手段は
移動終了信号が送られてくると、レーザ光照射制御手段
に対しレーザ光照射指令信号を送る。レーザ光照射制御
手段は前記信号にもとづき、励起ランプなどを励起させ
レーザ光発生手段からレーザパルスを発射させる。レー
ザパルスの発射が終了するとレーザトリマ制御手段に対
し、レーザ光照射終−ｒ信号をおくる。一方レーザ光は
レーザ光発生手段により発生し、減光下段によりあらか
しめ設定・挿入されたフィルタにより所定値に減衰させ
られる。次にｉ〕記レーザ光は対物レンズなどεごより
集光させられ、トリミング対象物に照射される。以上の
動作をくりかえす、＝とによりトリミング対象物１十、
の加工位置は次々と加工される。

発明が解決しようとする課題 従来のトリミング装置の問題点を明確にするため、第５
図〜第８図を用いて説明する。第５図はトリミング対象
物１の一部拡大下面図であり、具体的にはアクティブマ
ドυノクス型液晶表示装置に用いるアクティブマ［リノ
クスアレイの薄膜トランジス・′Ｉ形形成部来示ている
。第５図においでＡＡ’線は加工位置、９はソース１３
号線、１０はゲート信３線、１１は絶縁体膜である。第
５図では１〜リミング対象物ｌの構造は説明Ｖ不必要の
ため非常に筒路（、こかいであるが、通常はア１−ルフ
ァスシリコンなどを用い、複雑な亭＃造をしているごと
は言・）までもない。

従来のレーザトリミング装置でＡＡ’線で示す加工位置
を加工する方法には大きくわけて以下の２つの方法があ
る。まず第１の方法はレーザ光を集光させるレーザ光集
光手段３を調整し、レーザ光の直径が加工対象物の加工
位置で第５図のｄで示す長さ以上になるようにする。な
お、本明細書で加工対象物はＡＰ・Ｃ「・Ｔｉなどの金
属であるおして説明する。次に位置決め手段２が加工位
置に位置決めをおこなったのら、１つのＬ＝−ヂバｒレ
スは発射される。第〔５図は前記方法でトリミング対象
物を加工した後の一部拡大平面図である。

第６図において１３はレーザ光照射イ装置、）２は加■
飛敗物である。第６図で明らかなよ・）に、加工位置の
構成物質は周辺部におしのけられ１周ｊη部を破壊ある
いは影響を与える。また一定のレーザパワーを投入しな
いとなかなか加工位ｉ〃の構成物質は）容解・蒸発せず
除去されない。（，７がし１）（ト′パワーを大きくし
すぎると加ニー飛敗物が発）ＩＩＦ、　Ｌ、また周辺部
を熱的影響を与、え破壊する９前記レーザパワーの調整
はトリミング対象物の膜厚のバラツキ・構成物質のｎ９
．質などがある・ため個々に最適調整することは困難で
ある。したが２．−ζ、前記第１の方法において完全切
断をおこなうためにはレーザパワーを大きめに設定する
必要がある。ゆえに加工面積が広範囲にわたり、かつ周
辺部に照影ツを与え、微細加工には適さない、二とがわ
かる。

第２の方法はレーザ光を集光させるし・−ザ光集光手段
３を調整し、レーザ光の直径が極力小さくなるようにす
る。次にレーザ光を第５図に示すＡΔ”線の八からＡ′
に向って順次移動させながら加工をおこなう。第７図は
前記ブチ法でＩ・リミング対象物を加工した後の加工対
象物の一部拡大平面図である。第７図において１４は未
切断部である。前記切断時、八からＡ′に向って順に切
断していくとレーザ光の照射された位置の構成物が溶解
しおしのけられ、最後にはＡ”付近に多く集まる。前述
の多く集まった部位が第７回に示す未切断部１４となる
。前記未切断部が生しる理由は徐々にレーザ光により溶
解した構成物質が凝縮しかつ膜Ｉ７も厚くなってＡ”近
傍に集まってくるためごある。ｎｆＩ記部位は通常のレ
ーザパワーでは加工できないために未切断部が生しる。

したがって、未切断部Ｉ４が生しないように１リミング
ｒるためには最初からトリミングパワーをレー（）′パ
ワーを大きめに設定する必要がある。大きなレーザバｑ
−を印加した場合、周辺に熱的影否を与え、トリミング
対象物の変質をきたす。したがって、ｉｔ？１述の方法
ではトリミング対象物を変質させずに、電全な切断をお
こなうことは困難であった。

以上のように従来のレーザトリミング装置では良好な切
断をおこなうことが困難であることがわかるが、トリミ
ング対象物が以下の状態であるとき、さらに困難となる
。

第８図（ａ）はトリミング対象物の一部拡大平面図であ
り、第８図（ｂ）は第８図（ａ）のＢＢ’綿での断面図
である。第８図（ａ）、　（ｂ）において、１５はガラ
スなどの透明基板、１６．１８．１９．２０は幅５−−
１０μｍ、１０００人〜１００００人程度の膜１７を有
する金属薄膜リンク、１７はＳｉＮｘなどの絶縁体膜、
２１！１１０００人〜１００００人程度の膜厚を存する
金属薄膜、２２は金属薄膜リンクを切断するためのレー
ザトリミング装置（図示せず）から照射されるレーザ光
あるいはレーザ光の軌跡である。第８図（ａ）、　（ｂ
）で示すトリミング対象物は透明基板１５上に金属薄膜
を蒸着し、エツチングにより金属薄膜リンクを形成する
。次に絶縁体膜１７を蒸着する。最後に前記絶縁体膜１
７」−に金属薄膜２１を形成する。なお第８図（ａ）、
　Ｄ））のトリミング対象物の図は説明と容易にするた
めに簡略している。

第８図（ａ）、　（ｂ）のトリミング対象物をトリミン
グするためには、レーザ光は透明基板を透過させて照射
する。レーザを照射された金属薄膜リンクは加熱され、
急激に膨張蒸発する。膨張した金属薄膜の構成物質は絶
縁体膜１７をやふり外に放出される。前記絶縁体膜Ｉ７
上には他の素子あるいはリンクが構成されるため、前記
素子あるいはリンクの破壊または信頼性を低下させる。

したがって絶縁体膜１７がやぶれることは好ましくはな
い。

そこで絶縁体膜がやぶれないレーザパワーに調整し、金
属Ｆｉ！ＩＰ！リンクを切断する。しがしながらトリミ
ング対象物は第８図（ｂ）に示すように金属薄膜１９お
よび２０が２Ｎ構造になったものあるいは絶縁体膜１７
の上層に金属薄膜２Ｉが形成されたものなど一基板上に
多数の状態あるいは構成に形成されている。ゆえに同一
のレーザパワーでは加工することは困難である。そこで
従来のレーザトリミング装置では一基板上で所定のレー
ザパワーを同一構成のすべての金属７Ｎ膜リンクをまず
切断し、次にレーザパワーを別の闇値に手動操作により
調整したのち、前記レーザパワーで他の構成の金属薄膜
を切断するという方法がとられていた。

しかし、個々の金属薄膜リンクは同一構成であっても、
構成物質の状態あるいは１模厚などが異なる。

ゆえに同一構成であっても同一レーザパワーで切断でき
ず、レーザパワーが大きすぎるために絶縁体膜がやふれ
るあるいはレーザパワーが小さすぎるために金属薄膜リ
ンクの未切断が発生していた。

以上のように従来のレーザトリミング装置はトリミング
対象物の加工に対し、レーザパワーの調整により加工す
るということを基本にしている。

したがって、加工位置の構成あるいは物質状態がすべて
同一の場合は良好なトリミングがおこなえるという可能
性が高いが、その他の場合は加工が困難であるという問
題点を有していた。

課題を解決するための手段 上記課題を解決するため、第１の本発明のレーザトリミ
ング装置はトリミング対象物を位置決めする位で決め手
段と、９２インチを有しレーザ光の発射を制御するレー
ザパルス制御手段と、レーザ照射位置情報と前記照射位
置に照射するレーザパルス数情報とを記憶する記憶手段
と、前記情報により位置決め手段およびレーザパルス制
御手段を制御する制御手段と、レーザ光を発生させるレ
ーザ光発生手段と、前記レーザ光を所定のレーザパワー
に減衰させる減光手段と、レーザ光を１−リミング位置
に集光させる集光手段を具備したものである。

また第２の本発明のレーザトリミング装置はトリミング
対象物を位置決めする位置決め手段と、９２インチを有
しレーザ光の発射を制御するレーザパルス制御手段と、
レーザ光を発生させるレーザ光発生手段と、前記レーザ
光発生手段がら発射されるレーザ光を所定のレーザパワ
ーに減衰させる減光手段と、前記レーザ光をトリミング
位置に集光させる集光手段と、レーザ光照射位置情報ど
前記レーザ光照射位置に照射するレーザパルス数情報と
１１１記レーザパルスのレーザパワー情９［１とを記憶
する記憶手段と、前記記憶手段の情報によりｉｉＩ記位
置決め手段と前記レーザパルス制御手段と前記減光手段
とを制御する制御手段とを具備するものである。

作用 本発明は、トリミング対象物のトリミング位置ごとに照
射するレーザパルス数をあらがしめ設定しておき、加工
をおこなうものである。従来のレーザＩ・リミング装置
ではレーザパワーを調整し、トリミング位置に一発のレ
ーザパルスを照射していくことにより、各トリミング位
置のトリミングを自動でおこなうものであった。本発明
のレーデトリミング装置はレーザパルスのレーザパワー
を低く設定し、同一箇所に複数発のレーザパルスを照射
することにより、トリミング位置の加工を次々とおこな
っていくものである。

実施例 以下本発明の一実施例のレーザトリミング装置について
図面を参照しながら説明する。

第１図は第１の本発明のレーザトリミング装置の機能ブ
ロック図である。第１図において、２はトリミング対象
物Ｉを位置決めするために用いるＸ’−Ｙステージなど
の位置決め手段、２８は音響光学素子を用いた減衰器（
以下ＡＯアッテネータと呼ぶ、）あるいは偏光板を用い
た減光フィルタを有する減光手段、２４は前記減光手段
２８を透過したレーデ光を任意の短形にするためのスリ
・ノドを有するスリット制御手段、２３は前記スリ・ノ
ドを透過したレーザ光の像をトリミング対象物ｌの加工
位置に結像させるための結像手段、３０はＹＡＧロット
などを有しレーザ光を発生させるためのレーザ光発生手
段、２５はＱスイッチなどを有し、前記Ｑスイッチを制
御することにより、所定のトリミング箇所で所定のレー
ザパルスの照射数を制御するためのレーザパルス制御手
段、２７はトリミング加工位置データおよび前記加工位
置での照射レーザパルス数を記憶している記憶手段、２
６は記憶手段よりデータを読みだし、前記データにより
位置決め手段２およびレーザパルス制御手段を制御する
ための制御手段である。

次に本発明のレーザトリミング装置の動作について説明
する。まずスリット制御手段のスリットを調整し、トリ
ミング対象物のトリミング位置で結像された像が所定の
矩形になるように調整する。

また残光手段のＡＯアッテネータなどを用い、前記トリ
ミング位置での像のレーザパワー密度あるいはレーザパ
ワーが所定値になるように調整をする６次に制御手段２
６は記憶手段に対し加工データ要求信号をだす。記憶手
段２７はメモリから次の加工位置のＸ−Ｙ座標データお
よび前記加工位置で同一箇所に照射するレーザパルス数
を制御手段に送出する。制御手段２６は加工位置の座標
データを位置決め手段２におくる。位置決め手段２は前
記座標データにもとづき移動をおこない、トリミング対
象物ｌの位置決めをおこなう。位置決め手段２は位置決
めが完了すると移動終了信号を制？］ｎ手段２６に対し
て送る。この時必要があれば結像手段を調整し、トリミ
ング位置で所定に結像させる。制御手段２６は移動終了
信号が送られてくると、レーザパルス制御手段２５に対
し、シー１ｙパルス数およびレーザ光照射要求信号を送
る。

レーザパルス制御手段２５は前記レーザパルス数により
Ｑスイッチなどを制御し、レーザパルス数だけｎコ記ス
イッチなどをオンオフさせ所定のレーザパルスをレーザ
光発生手段３０から発射する。

一方レーザ光はレーザ光発生手段３０により発生し、減
光手段によりあらかじめ設定されたレーザパワーあるい
はレーザパワー密度に減衰させられる。次にレーザ光は
スリットにより所定の矩形状になり、前記矩形状の像が
所定パルス数だけ、トリミング位置に結像する。以上の
動作をくりかえすことによりトリミング対象物１上のト
リミング加工位置は次々と加工される。

なオ各レーザパルスのレーザパワーは弱く設定し、加工
位置を散発以上のレーザパルスで切断できるようにする
。前述の理由は複数発のレーザパルスを照射する場合、
先に照射されたレーザパルスによる熱が加工位置に保持
され、次のレーザパルスによるエネルギーは前記加工位
置に保持された熱に加算されるように働くため、ご（弱
いレーザパワーで金属薄膜リンクなどを切断できる。ま
た前記切断は金属薄膜の溶解とその凝縮によりおこなわ
れる。したがって第８Ｈｂ）に示すようなトリミング対
象物であっても、金属薄膜リンクをほとんど蒸発させる
ことはなく、したがって絶縁体膜１７をやふることもな
い。ゆえに全体として低レーザパワーで良好なトリミン
グをおこなうことができる。

また、レーザパルスの半値幅は１０ｍ５ｅｃ以上３００
ｍ５ｅｃ以下のものを用い、特に５０ＩＩＳｅＣ〜１５
０ｎｓｅｃのとき良好なトリミング結果を得ることがで
きる。

第２図は本発明のレーザトリミング装置によりトリミン
グ対象物を加工した後の加工位置の一部拡大平面図を示
している。本発明ではスリットの像を結像させるため、
加工形状はレーザ光照射位置３１と同様の加工形状が得
られる。

以下第２の本発明の一実施例のレーザトリミング装置に
ついて図面を参照しながら説明する。第３図は第２の本
発明のレーザトリミング装置の機能ブロック図である。

以下、第１の発明の実施例との相違点のみについて説明
する。

第２の実施例では記↑、ａ手段２７は！−リミング加工
位置データ・加工位置での照射レーデパルス数および前
記レーザパルスのレーザパワーを記１つ、シている。ま
た減光手段２９はＡＯアッテネータを有し、制御手段の
指令に基づき５０ｍ５ｅｃ以下の時間でレーザパルスを
所定のレーデパワーにｙＡ！！できる機能をもつ。好ま
しくはレーザパワーの調整は１０ｍ５ｅｃ以下に、さら
に好ましくはｌ　ｍ５ｅｃ以下で調整できる機能を有す
る。

まず制御手段２６は記憶手段に対し加工データ要求信号
をだす。記憶手段２７はメモリから次の加工位置のＸ−
Ｙ座標データおよび前記加工位置で同一箇所に照射する
１ノ−ザバルス数および前記レーザパルスのレーザパワ
ーを送出する。位置決め手段２およびレーザパルス制御
手段２５の動作は第１の発明の実施例と同様である。次
に制御手段２６は所定のトリミング位置でのレーザパル
ス数が複数の場合はレーザパルスの照射と同期さゼて減
光手段２９の制御をおこなう。以下前記制御動作につい
て説明する。制御手段２６はし・−ザバルスに同期させ
、減光手段２９に対し減光量設定信号を送る。減光手段
２９は前記信号に基づいてＡＯアンテネークを制御し、
高速に所定のレーザ透過量になるように動作する。たと
えばレーザパルス数が発振周波数１ｋｌｌｚで３パルス
の場合、１パルレス口のレーザパワーの大きさを１とす
ると、次のレーザパルス２が照射されるｌ　ｍ５ｅｃの
間に減光量を制御し、レーザパワーの大きさを１パルス
目の１／２に、次の１１１ｓｅｃの間にレーザパワーの
大きさを１パルスロの１／３に制御する。したがってレ
ーザパルスのレーザパワーは徐々に弱くトリミングをお
こなうことができる。

以上のようにレーザパルスごとのレーザパワーを制御す
ることにより以下の効果がある。トリミング対象物のト
リミング位置の構成物質が金属の場合、当初表面は平滑
で鏡面でありレーザ光の吸収性が悪い。レーザパルスを
照射させることにより徐ｋに鏡面がなくなりレーザ光の
吸収性がよくなる。したがって同一箇所に照射するレー
ザパルスが複数の場合、各レーザパルスごとのレーザ光
の吸収量を同一にすることがレーザパルスごとに同一の
エネルギーを照射できることになり良好なトリミングを
おこなえる条件になる。ゆえに各レーザパルスごとのレ
ーザパワーを制御し、徐々にレーザパワーを下げていく
ことのできる本発明のレーザトリミング装置は良好なト
リミングをおこなえることは言うまでもない。

なお、本発明の第２の実施例においてレーザパルスの１
パルスこ′とにレーザパワーを制御片するように表現し
たが、これに限るものではなく、たとえばレーザパルス
数が５パルスの場合、２，３バルス口を１パルス目のレ
ーデパワーの１／２，４゜５パルスロヲ１パルスロのレ
ーザパワーのｌ／３に設定してもよいことは言うまでも
ない。

また、第２の本発明の実施例においてレーザパルスの１
パルスごとにレーザパワーを制御するように表現したが
、これに限るものではなく、たとえば、第８図（ｂ）に
示すトリミング対象物の金属薄膜リンクを次々とトリミ
ングをおこなっていく場合、金属薄膜リンク１Ｇを５パ
ルスの１の大きさのレーザパワーのレーザパルスで加工
をおこない、次に金属薄膜リンク１８．１９を３パルス
の２の大きさのレーザパワーのレーザパルスで加工をお
こなってもよいことは言うまでもない。

なお、本発明の実施例において記憶手段２７はレーザパ
ルス数を記ｔαし、またレーザパルス制御手段はレーザ
パルス数だけＱスイッチをオンオフさ−Ｕるとしたが、
これに限るものではない。たとえば、記憶手段２７はＱ
スイッチなどのゲー１−のオン時間を記憶させ、かつレ
ーザ光発生手段３０を一定周波数で発振させて、Ｑス・
イノチなどのゲートが開いている時間だけ一定周波数で
レーザパルスが照射されるように構成する。以上の構成
をとることにより、レーザパルス制御手段２５はＱスイ
ッチなどのゲートのオン時間制御することにより、所定
のレーザパルスが照射されるように構成してもよいこと
は明らかである。

また本発明の実施例においてスリットを有するスリット
制御手段および結像手段を用いてトリミング位置にレー
ザ光を照射するとしたがこれに限るものではなく、トリ
ミング位置にほぼ矩形の光学像を照射できるものであれ
ばよいことは言うまでもない。たとえばレンズを組みあ
わせ、光学像をだ円にする方法などが考えられる。

発明の効果 以上のように本発明のレーザトリミング装置はスリット
を用い、矩形の像をトリミング位置に照射し、かつ同一
箇所に照射するレーザパルス数を設定してトリミングを
おこなうものである。したかって第６図に示すように加
工飛散物が周辺部に飛びちり、周辺部に熱的影響を与え
ることがない。

またレーザ照射位置でのレーザパワー密度は均一である
から第７図に示すように未切断部が生じるおそれもない
。特に第８図［有］）に示すように金属薄１１クリンク
の構成が異なる場合であっても、各金属薄膜リンクごと
に所定のレーザパルス数を設定しておくごとにより、−
トリミング対象物上のすべての金属薄膜リンクを順にト
リミングしていくことが可能である。ゆえに良好なトリ
ミングおよびトリミング速度の大幅な向上がみこまれる
。

また本発明のレーザトリミング装置は基本的に同一箇所
に複数光のレーザパルスを照射することにより金属薄膜
リンクの切断あるいは加工をおこなうものである。した
がって、実施例でも説明したようにごく弱いレーザパワ
ーで加工ができ、はとんど加工位置の物質を膨張あるい
は蒸発させることがない。したがって、第８図［有］）
に示すような表面および裏面を物質でおおわれた箇所で
あっても、前記箇所の物質の溶解と冷えるときの凝縮を
利用して三次元的な構造のトリミング対象物の良好なト
リミングをおこなうことができる。

特に第２の発明のレーザトリミング装置では１パルスご
とのレーザパワーを制御することができる。したがって
、ｉ・リミング対象物の金属薄膜リンクのレーザ光の吸
収率を考慮して加工をおこなうことができる。ゆえに第
１の発明と比較してさらに微細かつ良好なトリミングま
たは加工をおこなうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１の本発明の一実施例におけるレーザトリミ
ング装置の機能ブロック図、第２図、第５図、第６図、
第７図はトリミング対象物の一部拡大平面図、第８図（
ａ）、　（ｂ）はトリミング対象物の一部拡大平面図お
よび断面図、第３図番よ第２の本発明の実施例における
レーザトリミング装置の機能ブロンク図、第４図は従来
のレーザトリミング装置の機能ブロック図である。 １・・・・・・トリミング対象物、２・・・・・・位置
決め手段、３・・・・・・レーザ光集光手段、４・・・
・・・残光手段、５・・・・・・レーザ光発生手段、６
・・・・・・レーザ光照射制御手段、７・・・・・・レ
ーザトリマ制御手段、８・・・・・・位置情報記（，２
手段、９・・・・・・ソース信号線、１０・・・・・・
ゲート信号線、１１・・・・・・絶縁体膜、１２・・・
・・・加工飛散物、１３．３１・・・・・・レーザ光照
射位置、１４・・・・・・未切断部、１５・・・・・・
透明基板、１６．１８，１９゜２０・・・・・・金属薄
膜リンク、１７・・・・・・絶縁体膜、２１・・・・・
・金Ｉ７Ｘ薄膜、２２・・・・・・レーザ光、２３・・
・・・・結像手段、２４・・・・・・スリット制御手段
、２５・・・・・・レーザパルス制御手段、２Ｇ・・・
・・・制御手段、２７・・・・・・記憶手段、２８．２
９・・・・・残光手段、３０・・・・・・レーザ光発生
手段。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　はか１名第 図 第 図 ど３−Ｊ存速で１１受 ３１−ν−ザ光照某４立Ｉ 竺 図 ｑ−−−ソース椙号線 ／／−艶建株項 一一一未甥断顎 第 図 弔 図 ／？−加工逼散宮７ １３−　　ν−ゴ尤照：ＷＵｔ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｑスイッチを有するレーザトリミング装置であっ
   て、トリミング対象物を位置決めする位置決め手段と、
   Ｑスイッチを有しレーザ光の発射を制御するレーザパル
   ス制御手段と、レーザ照射位置情報と前記レーザ照射位
   置に照射するレーザパルス数情報とを記憶する記憶手段
   と、前記情報により前記位置決め手段および前記レーザ
   パルス制御手段を制御する制御手段と、レーザ光を発生
   させるレーザ光発生手段と、前記レーザ光発生手段から
   発射されるレーザ光を所定のレーザパワーに減衰させる
   減光手段と、前記レーザ光をトリミング位置に集光させ
   る集光手段とを具備することを特徴とするレーザトリミ
   ング装置。
2. （２）集光手段は所定領域のレーザ光を透過させるスリ
   ットを有するスリット制御手段と、前記手段により発生
   した光学像をトリミング位置に結像させる結像手段を具
   備することを特徴とする請求項（１）記載のレーザトリ
   ミング装置。
3. （３）レーザパルス制御手段はＱスイッチのゲートのオ
   ン時間とＱスイッチのゲートのオン数のうち少なくとも
   一方を制御し、レーザ光発生手段から発射されるレーザ
   パルスが所定数になるように制御できることを特徴とす
   る請求項（１）記載のレーザトリミング装置。
4. （４）レーザパルス数情報はＱスイッチのゲートのオン
   時間とＱスイッチのオン数のうち少なくとも一方である
   ことを特徴とする請求項（１）記載のレーザトリミング
   装置。
5. （５）Ｑスイッチを有するレーザトリミング装置であっ
   て、トリミング対象物を位置決めする位置決め手段と、
   Ｑスイッチを有しレーザ光の発射を制御するレーザパル
   ス制御手段と、レーザ光を発生させるレーザ光発生手段
   と、前記レーザ光発生手段から発射されるレーザ光を所
   定のレーザパワーに減衰させる減光手段と、前記レーザ
   光をトリミング位置に集光させる集光手段と、レーザ光
   照射位置情報と前記レーザ光照射位置に照射するレーザ
   パルス数情報と前記レーザパルスのレーザパワー情報と
   を記憶する記憶手段と、前記記憶手段の情報により前記
   位置決め手段と前記レーザパルス制御手段と前記減光手
   段とを制御する制御手段とを具備することを特徴とする
   レーザトリミング装置。
6. （６）減光手段はＡＯアッテネータを有し、５０ｍｓｅ
   ｃ以下でレーザ光の透過量を可変できることを特徴とす
   る請求項（５）記載のレーザトリミング装置。
7. （７）集光手段は所定のレーザ光を透過させるスリット
   を有するスリット制御手段と、前記手段により発生した
   光学像をトリミング位置に結像させる結像手段を具備す
   ることを特徴とする請求項（５）記載のレーザトリミン
   グ装置。
8. （８）レーザパルス制御手段はＱスイッチのゲートのオ
   ン時間とＱスイッチのゲートのオン数のうち少なくとも
   一方を制御し、レーザ光発生手段から発射されるレーザ
   パルスが所定数になるように制御できることを特徴とす
   る請求項（５）記載のレーザトリミング装置。
9. （９）レーザパルス数情報はＱスイッチのゲートのオン
   時間とＱスイッチのオン数のうち少なくとも一方である
   ことを特徴とする請求項（５）記載のレーザトリミング
   装置。