JP2002341364A

JP2002341364A - 液晶表示パネルの製造方法

Info

Publication number: JP2002341364A
Application number: JP2001146931A
Authority: JP
Inventors: Noriyuki Kizu; 紀幸木津; Hirobumi Wakemoto; 博文分元
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-05-16
Filing date: 2001-05-16
Publication date: 2002-11-27

Abstract

(57)【要約】【課題】電極上の保護膜にピンホールを作ることのな
い液晶表示パネルの製造方法を提供する。【解決手段】絶縁膜２０ａ、２０ｂによって被覆さ
れ、保護されている複数の電極１０、１１、１３、１４
を形成した後に、前記各電極１０、１１、１３、１４間
でショートしている箇所２１にレーザービームを照射し
て、レーザービーム照射箇所２２を切断することでショ
ートを取り除く工程を有する液晶表示パネルの製造方法
において、前記ショートしている電極上の絶縁膜２０
ａ、２０ｂは破壊しないエネルギーのレーザービームを
照射して、レーザービーム照射箇所２２の電極部分のみ
を切断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、オーディオ・ビジ
ュアル機器、およびパソコンやワープロなどの平面ディ
スプレイに使用される液晶表示パネル、特に表示特性に
視野角依存性の少ない横電界印加型のアクティブマトリ
クス型液晶表示パネルの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、オーディオ・ビジュアル機器、お
よびパソコンやワープロなどの平面ディスプレイに液晶
表示パネルが多く利用されている。その中でも横電界印
加型のアクティブマトリクス型液晶表示パネルは、液晶
分子の配列変化が電極基板に対して平行に変化すること
から、光の変調の視野角依存性が少なく、高品位の表示
が可能である。

【０００３】一般的な横電界印加型の液晶表示パネルの
構成は、画素電極と共通電極を備えた電極基板と対向基
板とが対向配置し、両基板の間隙に液晶が注入され、形
成された液晶表示パネルは２枚の偏光板で挟まれてい
る。画素電極と共通電極間に電圧を印加することによっ
て、電極間の液晶の分子配列を平面的に変化させ、光の
透過率を変調させることで、画像を表示する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
アクティブマトリクス型液晶表示パネルは、連続して使
用していると黒点状の表示むらが発生し、表示品位が低
下する場合があるという問題を有している。

【０００５】この黒点状のむらは画素電極、信号配線電
極の保護膜のクラック部分で電気化学反応が起こり、イ
オン性物質が生成することによって液晶層の電圧保持率
が低下して発生するとされていた。そのため、保護膜の
厚みを電極厚みに比べて厚くするか、または有機高分子
の保護膜を形成することで、黒点むらを解消できるとさ
れていた。

【０００６】しかし、今回、発明者が黒点むらの発生原
因に関して検討した結果、黒点むらはピンホール等によ
り走査配線電極が誘電体保護膜（絶縁膜）を介さずに、
直接液晶に接した場合にのみ発生することを見出した。
さらに、信号配線電極や画素電極、共通配線電極上の誘
電体保護膜にピンホール等の欠陥が存在し、液晶が直接
これらの電極に接した場合には黒点むらは発生しないこ
とも見出した。したがって、黒点むらを防ぐためには、
走査配線上の保護膜のみをピンホールフリーの完全な膜
にすれば良い。

【０００７】ここで、液晶表示パネルの製造工程におい
て、電極間のショートをレーザービームで切断する工程
がある。このとき、レーザービームの照射により電極が
切断されるだけでなく、電極の保護膜の破壊が起こる。
つまり、走査配線電極が関与する電極間のショートを取
り除くために照射したレーザービームによって、人為的
に走査配線上の保護膜のピンホールを作ってしまう。そ
のため、黒点むらが生じる。

【０００８】本発明は、かかる事情に鑑みなされたもの
であり、電極上の保護膜にピンホールを作ることのない
液晶表示パネルの製造方法を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示パネル
の製造方法は、絶縁膜によって被覆され、保護されてい
る複数の電極を形成した後に、前記各電極間でショート
している箇所にレーザービームを照射して、前記レーザ
ービーム照射箇所を切断することでショートを取り除く
工程を有する液晶表示パネルの製造方法において、前記
ショートしている電極上の絶縁膜は破壊しないエネルギ
ーのレーザービームを照射して、前記レーザービーム照
射箇所の電極部分のみを切断する。それにより、前記絶
縁膜を破壊せずに前記ショートを取り除くことができ
る。

【００１０】また、本発明の液晶表示パネルの製造方法
は、前記レーザービームのパルスエネルギーＥ（ｍＪ／
ｃｍ²）と、切断される電極の厚さＤ（ｎｍ）とは、
１．０×１０^-3≦（Ｅ／Ｄ）≦１．２×１０^-2の関係を
満たしている。それにより、レーザービームによってレ
ーザービーム照射箇所の電極部分は確実に切断され、か
つ絶縁膜が破壊されることもない。

【００１１】また、本発明の液晶表示パネルの製造方法
は、前記レーザービームを、前記液晶表示パネルの電極
基板側から前記レーザービーム照射箇所に向けて照射す
る。それにより、レーザービームによってレーザービー
ム照射箇所の電極部分は確実に切断され、かつ絶縁膜が
破壊されることもない。

【００１２】また、本発明の液晶表示パネルの製造方法
は、走査配線電極に対して、前記ショートを取り除く工
程を施す。そのため、黒点むらを生じさせる原因となる
走査配線電極の絶縁膜破壊が起こらないので、黒点むら
が発生することはなく、液晶表示パネルの表示品位は低
下しない。

【００１３】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明の実施の
形態１にかかる液晶表示パネルの製造方法について図を
用いて説明する。ここでは、対角１５．２インチ、アス
ペクト比１６：９、解像度が縦７６８×横１３６４ＲＧ
Ｂの横電界印加型のアクティブマトリクス型液晶表示パ
ネルを用いて説明する。図１は本発明の実施の形態１に
かかる液晶表示パネルの構成図である。図１（ａ）は液
晶表示パネルの平面断面図であり、液晶表示パネルの電
極の配置を示している。図１（ｂ）は図１（ａ）のａ−
ａ′部分の側断面図である。

【００１４】１ａは電極基板であり、１ｂは対向基板で
ある。電極基板１ａには、それぞれ平行に配置され相互
に短絡された複数の共通電極１３と、各共通電極１３に
対して表示領域を挟んで平行に配置された画素電極１４
と、画素電極１４を介して蓄積容量部１５に接続された
薄膜トランジスタ（スイッチング素子）１２と、薄膜ト
ランジスタ１２を介して画素電極１４に信号を供給する
ソース電極（信号配線電極）１１と、薄膜トランジスタ
１２のスイッチング制御を行うゲート電極（走査配線電
極）１０と、窒化珪素膜（絶縁膜）２０ａ、２０ｂとが
形成されている。

【００１５】電極基板１ａは電極面を内側にして対向基
板１ｂと対向配置されている。また、両基板１ａ、１ｂ
の内側には、ポリイミド配向膜３ａ、３ｂが形成されて
いる。このポリイミド配向膜３ａ、３ｂは液晶分子の長
軸方向が電極１１、１４と略平行となるように、ラビン
グ処理を施されている。両基板１ａ、１ｂ間の間隙には
基板面１ａ、１ｂに対して平行方向に液晶分子（図示せ
ず）が配向したネマティック液晶が注入され、液晶表示
パネル１を形成している。

【００１６】図２は液晶表示パネルと偏光板との関係を
示す斜視図である。図２に示すように液晶表示パネル１
の外側には互いの偏光軸７ａ、７ｂが直交するように配
置された一対の偏光板８ａ、８ｂが配設されている。６
は液晶表示パネル１のラビング方向を示している。

【００１７】液晶表示パネル１は、共通電極１３と画素
電極１４間に電圧を印加することによって、液晶の分子
配列を平面的に変化させて、光の透過率を変調すること
で画像を表示する。

【００１８】このように構成された液晶表示パネル１の
製造方法を説明する。まず、透明なガラス基板である電
極基板１ａ上にクロムを蒸着し、フォトエッチングによ
りゲート電極（走査配線電極）１０、および共通電極１
３を形成する。次に、二酸化珪素と窒化珪素をプラズマ
ＣＶＤ法により３５０ｎｍの厚さに形成し窒化珪素膜
（絶縁膜）２０ａを形成する。さらにアモルファスシリ
コン層を約１００ｎｍの厚さに形成し、このアモルファ
スシリコン層をフォトエッチングして、薄膜トランジス
タ１２を形成する。次に約２５０ｎｍのアルミニウム膜
を蒸着により形成し、フォトエッチングによりソース電
極１１、画素電極１４および蓄積容量部１５を形成す
る。さらに、窒化珪素膜（絶縁膜）２０ｂをプラズマＣ
ＶＤ法により８００ｎｍ設ける。

【００１９】なお、図１（ｂ）に示すように側断面から
見た基板１ａ上の電極１１の横幅は４μｍ、高さは２５
０ｎｍである。また、電極１０は、横幅４μｍ、高さ２
５０ｎｍである。また、電極１４は、横幅２μｍ、高さ
２５０ｎｍである。また、電極１３は電極１４との高さ
方向の間隔が２５０ｎｍ、横方向の間隔が１０μｍにな
るように設ける。

【００２０】次に、電極の形成された電極基板１ａの全
面にポリイミド配向膜３ａを印刷法により塗布し、硬化
乾燥させて形成した後、レーヨン布を用いて、電極１
１、１４と略平行な方向にラビング処理を行う。なお、
ポリイミド配向膜３ａには2,2-ビス[4-(p-アミノフェノ
キシ)フェニルプロパン]とピロメリット酸二無水物から
なるものを用いる。

【００２１】また、カラーフィルター基板である対向基
板１ｂにも、ポリイミド配向膜３ａと同様に、ポリイミ
ド配向膜３ｂを塗布し、硬化乾燥させて形成した後、レ
ーヨン布を用いてラビング処理を行っている。このとき
のラビング処理方向は、電極基板１ａと対向基板１ｂと
を貼り合わせたときに、液晶分子がホモジニアス配向に
なる方向とする。さらに、対向基板１ｂ上に粒経３．４
μｍのガラスビーズを分散する。

【００２２】電極基板１ａと、ガラスビーズが分散され
た対向基板１ｂとを、電極１０、１１、１３、１４等が
形成された面が内側になるように貼り合わせ、例えばメ
ルク社製のネマティック液晶であるＺＬＩ−２８０６を
基板１ａ、１ｂの間隙に注入、封口し、液晶表示パネル
１を得る。なお、この液晶表示パネルの基板１ａと１ｂ
間の間隙は，前記ガラスビーズの粒径である３．４μｍ
に保たれている。

【００２３】次に、図２に示すように、液晶表示パネル
１の外側の一方の面に、ラビング方向６と略平行となる
ように偏光軸７ａを設定した入射側偏光板８ａを設け、
もう一方の面には、偏光軸７ｂが入射側偏光板８ａの偏
光軸７ａと直交するように出射側偏光板８ｂを設ける。

【００２４】以上の方法で製造された、液晶表示パネル
の各電極同士がショートしている場合には、ショート箇
所にレーザービームを照射して、電極を切断し、電極間
ショートを取り除く必要がある。例えば、図１（ａ）に
示す、ゲート電極（走査配線電極）１０は、共通電極１
３と電極間ショート箇所２１でショートしている。この
場合には、レーザー照射箇所２２に電極基板１ａ側から
レーザービームを照射し、切断することで、電極間ショ
ートを取り除く必要がある。

【００２５】図３は、レーザービームによる切断を説明
する模式図である。レーザービーム照射箇所２２にレー
ザービームを照射すると、ゲート電極（走査配線電極）
１０の電極金属はレーザービームのエネルギーを吸収し
その表面温度を急激に上昇させる。図３（ａ）は、レー
ザービームのエネルギーが高すぎる場合を示している。
レーザービームのエネルギーが高すぎると、ゲート電極
（走査配線電極）１０は爆発的に沸点に達し、周囲の物
質を押しのけながら切断される。ゲート電極（走査配線
電極）１０が切断されるとともに窒化珪素膜（絶縁膜）
２０ａ、２０ｂおよびポリイミド配向膜３ａも破壊され
る。

【００２６】図３（ｂ）は、レーザービームのエネルギ
ーを適度に調整した場合を示している。レーザービーム
のエネルギーを適度に抑えることにより、レーザービー
ムのエネルギーを吸収するゲート電極（走査配線電極）
１０の温度上昇を適度に抑えることができる。そのた
め、ゲート電極（走査配線電極）１０は、徐々に融点か
ら沸点に達して切断されることとなり、窒化珪素膜（絶
縁膜）２０ａ、２０ｂおよびポリイミド配向膜３ａは破
壊されることなく、ゲート電極（走査配線電極）１０が
切断される。

【００２７】ここで電極間ショートに照射するレーザー
ビームのパルスエネルギー：Ｅ（ｍＪ／ｃｍ²）と、切
断する電極の厚さ：Ｄ（ｎｍ）を用いて、レーザー照射
箇所２２にレーザービームを照射した場合の電極切断不
良および絶縁膜破壊の関係を説明する。図４は、Ｅ／Ｄ
と電極切断不良および絶縁膜破壊の発生率との関係を示
している。図４に示されているように、Ｅ／Ｄが１．０
×１０^-3未満では、電極が切断されない確率が高くな
り、電極間ショートを取り除くことができない。

【００２８】また、Ｅ／Ｄが１．２×１０^-2より大きい
場合では、ゲート電極（走査配線電極）１０上の絶縁膜
破壊の発生率が高くなり、黒点むらの発生原因となる。

【００２９】つまり、Ｅ／Ｄが、１．０×１０^-3≦（Ｅ
／Ｄ）≦１．２×１０^-2の関係を満たしている場合に
は、電極間ショートを確実に除去し、かつ絶縁膜破壊を
起こすこともない。

【００３０】（実施例１）ここで、実際の測定結果を示
す。上述した液晶表示パネルの製造の際に、図１（ａ）
に示すように、電極１０と電極１３との間に、人為的に
電極間ショート箇所２１を設けた。レーザービーム照射
箇所２２に、ＹＡＧレーザーを光源とするレーザービー
ムを電極基板１ａ側から照射した。なお、このときのレ
ーザービームのパルスエネルギー：Ｅ（ｍＪ／ｃｍ²）
は、２．０ｍＪ／ｃｍ²であり、走査配線電極の厚さ：
Ｄ（ｎｍ）は、２５０ｎｍであるので、Ｅ／Ｄ＝８．０
×１０ ^-3である。これは、１．０×１０^-3≦（Ｅ／Ｄ）
≦１．２×１０^-2の関係を満たしている。

【００３１】このようにして、製造した液晶表示パネル
に駆動回路を接続し、６０℃の雰囲気温度中で５００時
間、連続駆動させたが、走査配線電極上の絶縁膜の欠損
による黒点むらの発生が認められなかった。

【００３２】（比較例１）また、前述した実施例１と同
じ条件で電極間ショート箇所２１を設け、レーザービー
ム照射箇所２２に、ＹＡＧレーザーを光源とするレーザ
ービームを電極基板１ａ側から照射した。ＹＡＧレーザ
ーのエネルギーは、比較のため、実施例１で用いた値と
は異なる値とした場合の測定結果を示す。エネルギー：
Ｅ（ｍＪ／ｃｍ²）が、３．５ｍＪ／ｃｍ²とした場合
は、走査配線電極の厚さ：Ｄ（ｍｍ）は、２５０ｎｍで
あるので、Ｅ／Ｄ＝１．４×１０^-2である。これは、
１．０×１０^-3≦（Ｅ／Ｄ）≦１．２×１０^-2の関係を
満たしていない。

【００３３】このようにして、製造した液晶表示パネル
に駆動回路を接続し、６０℃の雰囲気温度中で連続駆動
させたところ、２０時間で黒点むらの発生が認められ、
表示品位が低下した。

【００３４】（比較例２）また、前述した実施例１と同
じ条件で電極間ショート箇所２１を設け、レーザービー
ム照射箇所２２に、ＹＡＧレーザーを光源とするレーザ
ービームを電極基板１ａ側から照射した。ＹＡＧレーザ
ーのエネルギーは、比較のため、実施例１で用いた値と
は異なる値とした場合の測定結果を示す。エネルギー：
Ｅ（ｍＪ／ｃｍ²）が、０．２０ｍＪ／ｃｍ²とした場合
は、走査配線電極の厚さ：Ｄ（ｍｍ）は、２５０ｎｍで
あるので、Ｅ／Ｄ＝８．０×１０^-4である。これは、
１．０×１０^-3≦（Ｅ／Ｄ）≦１．２×１０^-2の関係を
満たしていない。このとき、電極１０と電極１３との電
極間ショートを取り除くことができなかった。

【００３５】以上より、照射箇所２２にレーザービーム
を照射する場合に１．０×１０^-3≦（Ｅ／Ｄ）≦１．２
×１０^-2の関係を満たし、電極基板１ａ側からレーザー
ビームを照射するようようにすれば、電極部分は確実に
切断され、かつ絶縁膜の破壊が起きないことがわかる。

【００３６】なお、レーザービームは、電極基板１ａ側
から照射することが好ましく、レーザービームの光源と
してはＹＡＧレーザー、炭素レーザー、およびヘリウム
ネオン、キセノンクロライド、クリプトンフッ素などの
エキシマーレーザーなどが挙げられるが特にこれらに限
定されるものではない。

【００３７】以上のように実施の形態１にかかる液晶表
示パネルの製造方法は、ゲート電極（走査配線電極）１
０と共通電極１３との電極間ショートを取り除くため、
電極間ショート箇所２１のレーザービーム照射箇所２２
にレーザービームを照射する場合に１．０×１０^-3≦
（Ｅ／Ｄ）≦１．２×１０^-2の関係を満たし、電極基板
１ａ側から照射するようにしたので、電極部分は確実に
切断され、かつ絶縁膜の破壊が起きないの、で黒点むら
によって表示品位が低下することはない。

【００３８】（実施の形態２）本発明の実施の形態２に
かかる液晶表示パネルの製造方法は、本発明の実施の形
態１にかかる液晶表示パネルの製造方法を改良したもの
である。実施の形態１にかかる液晶表示パネルの製造方
法と異なる点は、電極間ショートが、走査配線電極と信
号配線電極との間で起きている点である。その他は、実
施の形態１にかかる液晶表示パネルの製造方法と同一で
ある。なお、全図を通じて、同様の要素には、同一符号
を付与する。

【００３９】図５に本発明の実施の形態２にかかる液晶
表示パネルの平面断面図を示す。図５に示すように、実
施の形態２の液晶表示パネルの製造方法は、液晶表示パ
ネル製造時にゲート電極（走査配線電極）１０とソース
電極（信号配線電極）１１との間に電極間ショート箇所
２１が生じた場合に、レーザービームをレーザービーム
照射箇所２２に基板１ａ側から照射して切断し、電極間
ショートを取り除く。なお、切断された電極１１には別
途液晶表示パネル内に設けたレスキューライン（図示せ
ず）から給電を行っている。

【００４０】このように、電極間ショートが、ゲート電
極（走査配線電極）１０とソース電極（信号配線電極）
１１との間で起きている場合であっても、レーザービー
ムのパルスエネルギー：Ｅ（ｍＪ／ｃｍ²）と、切断す
る電極の厚さ：Ｄ（ｎｍ）との関係が１．０×１０^-3≦
（Ｅ／Ｄ）≦１．２×１０^-2を満たしていれば、よい。
以下に、実際の測定結果を示して説明する。

【００４１】（実施例２）ここで、実際の測定結果を示
す。上述した液晶表示パネルの製造の際に、図５に示す
ように、電極１０と電極１１との間に、人為的に電極間
ショート箇所２１を設けた。レーザービーム照射箇所２
２に、ＹＡＧレーザーを光源とするレーザービームを電
極基板１ａ側から照射した。なお、このときのレーザー
ビームのパルスエネルギー：Ｅ（ｍＪ／ｃｍ²）は１．
０ｍＪ／ｃｍ²であり、走査配線電極の厚さ：Ｄ（ｎ
ｍ）は、２５０ｎｍであるので、Ｅ／Ｄ＝４．０×１０
^-3である。これは、１．０×１０^-3≦（Ｅ／Ｄ）≦１．
２×１０^-2の関係を満たしている。

【００４２】このようにして、製造した液晶表示パネル
に駆動回路を接続し、６０℃の雰囲気温度中で５００時
間、連続駆動させたが、走査配線電極上の絶縁膜の欠損
による黒点むらの発生が認められなかった。

【００４３】（比較例３）また、前述した実施例２と同
じ条件で電極間ショート箇所２１を設け、レーザービー
ム照射箇所２２に、ＹＡＧレーザーを光源とするレーザ
ービームを電極基板１ａ側から照射した。ＹＡＧレーザ
ーのエネルギーは、比較のため、実施例２で用いた値と
は異なる値とした場合の測定結果を示す。エネルギー：
Ｅ（ｍＪ／ｃｍ²）が、４．０ｍＪ／ｃｍ²とした場合
は、走査配線電極の厚さ：Ｄ（ｍｍ）は、２５０ｎｍで
あるので、Ｅ／Ｄ＝１．６×１０^-2である。これは、
１．０×１０^-3≦（Ｅ／Ｄ）≦１．２×１０^-2の関係を
満たしていない。

【００４４】このようにして、製造した液晶表示パネル
に駆動回路を接続し、６０℃の雰囲気温度中で連続駆動
させたところ、２０時間で黒点むらの発生が認められ、
表示品位が低下した。

【００４５】（比較例４）また、前述した実施例２と同
じ条件で電極間ショート箇所２１を設け、レーザービー
ム照射箇所２２に、ＹＡＧレーザーを光源とするレーザ
ービームを電極基板１ａ側から照射した。ＹＡＧレーザ
ーのエネルギーは、比較のため、実施例２で用いた値と
は異なる値とした場合の測定結果を示す。エネルギー：
Ｅ（ｍＪ／ｃｍ²）が、０．１５ｍＪ／ｃｍ²とした場合
は、走査配線電極の厚さ：Ｄ（ｍｍ）は、２５０ｎｍで
あるので、Ｅ／Ｄ＝６．０×１０^-4である。これは、
１．０×１０^-3≦（Ｅ／Ｄ）≦１．２×１０^-2の関係を
満たしていない。このとき、電極１０と電極１３との電
極間ショートを取り除くことができなかった。

【００４６】以上より、照射箇所２２にレーザービーム
を照射する場合に１．０×１０^-3≦（Ｅ／Ｄ）≦１．２
×１０^-2の関係を満たし、電極基板１ａ側からレーザー
ビームを照射するようようにすれば、電極部分は確実に
切断され、かつ絶縁膜の破壊が起きないことがわかる。

【００４７】なお、レーザービームは、電極基板１ａ側
から照射することが好ましく、レーザービームの光源と
してはＹＡＧレーザー、炭素レーザー、及びヘリウムネ
オン、キセノンクロライド、クリプトンフッ素などのエ
キシマーレーザーなどが挙げられるが特にこれらに限定
されるものではない。

【００４８】以上のように実施の形態２にかかる液晶表
示パネルの製造方法は、ゲート電極（走査配線電極）１
０とソース電極（信号配線電極）１１との電極間ショー
トを取り除くため、電極間ショート箇所２１のレーザー
ビーム照射箇所２２にレーザービームを照射する場合に
１．０×１０^-3≦（Ｅ／Ｄ）≦１．２×１０^-2の関係を
満たし、電極基板１ａ側から照射するようにしたので、
電極部分は確実に切断され、かつ絶縁膜の破壊が起きな
いので、黒点むらによって表示品位が低下することはな
い。

【００４９】

【発明の効果】このように、本発明の液晶表示パネル製
造方法は、電極間ショートを取り除くために、ショート
している電極上の絶縁膜は破壊しないエネルギーのレー
ザービームをショートしている箇所に照射して、絶縁膜
を破壊せずにレーザービーム照射箇所の電極部分のみを
切断して、電極間ショートを取り除くことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１にかかる液晶表示パネ
ルの概略図であり、図１（ａ）は液晶表示パネルの平面
断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のａ−ａ′部分の液晶
表示パネルの側面断面図

【図２】液晶表示パネルと偏光板との関係を示す斜視
図

【図３】レーザービームによる切断を説明する模式図
であり、図３（ａ）は、レーザービームのエネルギーが
高すぎる場合の模式図、図３（ｂ）は、レーザビームの
エネルギーを調整した場合の模式図

【図４】Ｅ／Ｄと電極切断不良および絶縁膜破壊の発
生率との関係を示す図

【図５】本発明の実施の形態２にかかる液晶表示パネ
ルの平面断面図

【符号の説明】

１液晶表示パネル１ａ電極基板１ｂ対向基板３ａポリイミド配向膜３ｂポリイミド配向膜６ラビング方向７ａ偏光軸７ｂ偏光軸８ａ偏光板８ｂ偏光板１０ゲート電極（走査配線電極）１１ソース電極（信号配線電極）１２薄膜トランジスタ（スイッチング素子）１３共通電極１４画素電極１５蓄積容量部２０ａ窒化珪素膜（絶縁膜）２０ｂ窒化珪素膜（絶縁膜）２１ショート箇所２２レーザービーム照射箇所

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｆ 9/00 ３５２Ｇ０９Ｆ 9/00 ３５２ // Ｂ２３Ｋ 26/00 ３２０Ｂ２３Ｋ 26/00 ３２０ＥＢ２３Ｋ 101:38 101:38 Ｆターム(参考） 2H088 FA15 GA02 HA02 HA04 HA08 JA04 KA17 KA18 KA30 MA04 2H090 HA02 HB04X HC03 HD05 LA01 LA04 MA02 MB01 2H092 GA14 JA24 JB56 JB61 KA05 KB25 MA04 MA08 MA13 MA17 MA47 NA16 NA29 4E068 AE01 DA09 5G435 AA14 AA17 BB12 CC09 HH12 HH14 KK05 KK10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁膜によって被覆され、保護されてい
る複数の電極を形成した後に、前記各電極間でショート
している箇所にレーザービームを照射して、前記レーザ
ービーム照射箇所を切断することでショートを取り除く
工程を有する液晶表示パネルの製造方法において、前記ショートしている電極上の絶縁膜は破壊しないエネ
ルギーのレーザービームを照射して、前記レーザービー
ム照射箇所の電極部分のみを切断することを特徴とする
液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２】前記レーザービームのパルスエネルギー
Ｅ（ｍＪ／ｃｍ²）と、切断される電極の厚さＤ（ｎ
ｍ）とは、１．０×１０^-3≦（Ｅ／Ｄ）≦１．２×１０
^-2の関係を満たしていることを特徴とする請求項１に記
載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項３】前記レーザービームを、前記液晶表示パ
ネルの電極基板側から前記レーザービーム照射箇所に向
けて照射することを特徴とする請求項１または請求項２
に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項４】走査配線電極に対して、前記ショートを
取り除く工程を施すことを特徴とする請求項１ないし請
求項３のいずれかに記載の液晶表示パネルの製造方法。