KR100648898B1 - 2개의 레이저를 이용한 웨이퍼의 분할방법 및 장치 - Google Patents

2개의 레이저를 이용한 웨이퍼의 분할방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 분할방법 및 장치에 관한 것으로, 특히 펄스폭이 서로 다른 레이저를 사용 목적에 맞게 선택적으로 활용하여 표면의 보호층과 로우케이층을 분할(Engraving)하는 과정과 웨이퍼를 완전히 분할하는 과정을 구분하여 순차적 또는 독립적인 과정을 수행할 수 있도록 하는 2개의 레이저를 이용한 웨이퍼의 분할 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 10 내지 30 피코초의 펄스폭과 10 내지 100MHz의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키는 제1 레이저기와 10 내지 30 나노초의 펄스폭과 10 내지 100kHz의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키는 제2 레이저기를 각각 설치하고, 분할작업을 수행하고자 하는 웨이퍼를 거치시키고 웨이퍼의 표면에 선택적으로 조사하되 상기 제1 레이저기에 의하여는 표면 보호층과 로우케이층을 동시에 분할하고 상기 제2 레이저기에 의하여는 웨이퍼를 완전히 분할하도록 하는 웨이퍼의 분할 방법과 이를 구체화한 장치를 제공하여 기존 기술의 한계성을 극복하고 표면 보호층이나 로우케이층의 분할시에 이들이 깨지거나 파손되는 현상을 방지하면서 웨이퍼의 완전 분할시에는 깨끗한 분할면을 얻을 수 있게 된다.
레이저, 웨이퍼, 표면 보호층, 로우케이층, 분할

Description

2개의 레이저를 이용한 웨이퍼의 분할방법 및 장치{Dual Laser Beam Type Engraving and Separating Method and Apparatus for a Wafer}
도 1은 본 발명에 의한 분할 방법 및 장치에 대한 개념을 나타낸 것으로서 웨이퍼의 로우케이층을 포함하는 표면 보호층을 분할하는 개념을 도시한 요부 확대 종단면도,
도 2는 도 1의 분할 작업이 이루어진 웨이퍼의 표면 상태를 예시한 부분 평면도,
도 3은 도 1에 있어서의 다른 예를 나타낸 요부 확대 종단면도,
도 4는 본 발명에 의한 분할 방법 및 장치에 대한 개념을 나타낸 것으로서 웨이퍼 기판을 완전하게 분할하는 개념을 도시한 요부 확대 종단면도,
도 5는 본 발명에 있어서 사용되는 레이저 빔 발생장치를 중심으로 나타낸 요부 계통도,
도 6은 본 발명인 장치의 바람직한 일례로서 나타낸 계통도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 레이저빔조사부, 3: 스테이지,
5: 웨이퍼, 7: 비전카메라,
9: 제어기, 10: 제1 레이저기,
12, 16, 22: 고정반사경, 14: 집속렌즈,
20: 제2 레이저기, 30: 진공척,
40: 회전반사경, 50: 표면보호층,
52: 실리콘 웨이퍼 기판, 54: 분할부,
56: 완전분할부
본 발명은 웨이퍼의 분할방법 및 장치에 관한 것으로, 특히 펄스폭이 서로 다른 레이저를 사용 목적에 맞게 선택적으로 활용하여 표면의 보호층과 로우케이층을 분할(Engraving)하는 과정과 웨이퍼를 완전히 분할하는 과정을 구분하여 순차적 또는 독립적인 과정을 수행할 수 있도록 하는 2개의 레이저를 이용한 웨이퍼의 분할방법 및 장치에 관한 것이다.
기존의 반도체는 고기능성 및 초고속화의 추세로 웨이퍼가 점점 박막화되어가고 초집적화되어 가고 있으며, 이에 따라 두께가 100㎛이하인 초박막 웨이퍼 및 적층식 패턴을 위한 낮은 유전계수치 표면층인 로우케이층(Low k Layer)을 갖는 웨이퍼 등이 개발되고 있다.
그러나, 이러한 형태의 웨이퍼에 있어서 로우케이층은 기존의 산화실리콘층 기판에 비하여 낮은 기계적인 강도, 부착력의 감소, 수분흡수성, 낮은 열전도율 등을 갖게 된다. 이러한 특성을 갖는 기판의 절단공정시에 기존의 절단방식인 다이아 몬드 소우(Saw)를 사용하는 경우에는 표면의 로우케이층은 원하지 않는 기계적인 박리현상이 발생하거나 크랙이 발생하게 되는 문제점이 있고 다이싱 소우(Dicing Saw)를 사용하는 경우에도 기계적인 박리현상이 발생하게 되어 이들 종래의 방식을 채택할 수 없으며, 수분흡수성이라는 취약성이 내재되어 있어 로우케이층의 분할 후에도 기판의 본 절단작업시에도 냉각수를 사용하기가 어려워 기계적인 절단방식을 채택하기가 어려운 문제점이 있는 것이다.
또한, 종래에도 레이저를 이용하여 웨이퍼를 부분 분할하는 기술이 일부 알려져 있으나, 이 경우에는 주로 반복률이 kHz 영역에 해당하는 주파수를 가지는 레이저빔을 사용하게 되기 때문에 500mm/sec 이상의 고속으로 작업이 이루어지게 되면 레이저빔의 펄스와 펄스 사이가 서로 이격되게 되어 절단면이 깨끗하지 못하게 되므로 어쩔수 없이 아주 저속으로 작업이 이루어져야만 하며, 결국 작업성이 현저하게 떨어지게 되는 문제점이 있고, 펄스폭이 나노세컨드 영역대에서 사용되기 때문에 레이저 빔이 가지고 있는 펄스당 에너지가 상대적으로 높은 관계로 웨이퍼의 표면보호층이 열적인 효과에 의하여 품질이 불량으로 되는 문제점이 나타나게 되어 적용상 제약이 뒤따르게 된다.
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해소하고자 연구개발이 이루어진 것으로 다음과 같은 목적을 갖는다.
본 발명의 주목적은 실리콘기판의 표면에 로우케이층을 포함하는 표면보호층을 갖는 웨이퍼에 있어서, 로우케이층을 포함하는 표면보호층은 표면보호층의 분할 작업에 적합한 레이저빔에 의하여 분할작업을 깨끗하게 행하고 나서 상기 표면보호층의 하부에 위치하게 되는 실리콘기판은 실리콘기판의 완전분할에 적합한 레이저빔에 의하여 분할작업이 이루어지도록 하여 표면보호층의 박리현상이나 크랙이 발생하는 것을 사전에 방지하고 양호한 분할 가공면을 갖도록 하며 분할작업의 효율을 향상시키고, 가공품질도 향상시킬 수 있도록 하고자 하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 기존과는 달리 레이저빔 중 고반복률로서 MHz대의 주파수를 가지며 보다 짧은 피코세컨드(Pico Second)대의 펄스폭을 갖는 레이저 빔을 선택하여 500mm/sec이상의 고속으로 표면보호층 및 로우케이층의 분할작업이 이루어지더라도 레이저빔의 펄스와 펄스 사이가 이격되지 않고 서로가 일부 중첩되거나 적어도 연이어져 표면보호층 및 로우케이층의 분할면이 깨끗하고 펄스당 에너지가 낮아 열적인 효과가 적어 웨이퍼의 표면보호층 및 로우케이층이 찢어지지 않고 분할품질을 우수하게 유지할 수 있도록 하고자 하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 레이저빔 중 반복률로서 KHz대의 주파수를 가지면서 나노세컨드(Nano Second)대의 펄스폭을 갖는 레이저빔을 선택하여 이는 분할이 이루어진 표면보호층을 갖는 웨이퍼에 있어서 표면보호층의 하부에 위치하게 되는 실리콘기판을 완전하게 분할하기 위한 작업에 활용하여 표면보호층의 분할작업과 실리콘기판의 완전분할작업이 레이저빔에 의하여 순차적으로 이루어질 수 있도록 하여 하나의 기기 내부에서 모든 분할작업이 가능하게 되어 효과적이고, 생산성을 높일 수 있도록 하고자 하는 것이다.
본 발명은 위와 같은 목적들을 달성하기 위하여, 피코세컨드 대의 펄스폭과 MHz 대의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키는 제1 레이저기와 나노세컨드 대의 펄스폭과 kHz 대의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키는 제2 레이저기를 각각 설치하고, 분할작업을 수행하고자 하는 웨이퍼를 스테이지에 거치시키고 웨이퍼의 표면에 상기 자외선 광레이저를 선택적으로 조사하되 상기 제1 레이저기에 의하여는 로우케이층을 포함하는 표면보호층을 동시에 분할하고 상기 제2 레이저기에 의하여는 웨이퍼를 완전히 분할하도록 하는 웨이퍼의 분할 방법을 제공한다.
상기 제1 레이저기는 10 내지 30 피코초의 펄스폭과 10 내지 100MHz의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키고, 상기 제2 레이저기는 10 내지 30 나노초의 펄스폭과 10 내지 100kHz의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키도록 하여 분할작업이 이루어지도록 하는 웨이퍼의 분할방법이 제공된다.
본 발명은 위와 같은 웨이퍼의 분할방법을 구체적으로 실행하기 위한 장치로서, 스테이지의 상부로서 위치의 조절이 가능하게 설치되는 레이저빔조사부와 분할작업을 행하기 위한 웨이퍼를 장착하고 웨이퍼의 분할방향으로 이송이 가능하게 구성된 스테이지를 포함하여 이루어지되, 상기 레이저빔조사부는 피코세컨드 대의 펄스폭과 MHz 대의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키는 제1 레이저기와 나노세컨드 대의 펄스폭과 kHz 대의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키는 제2 레이저기를 각각 설치하고 상기 제1레이저기의 고정반사경과 상기 제2레이저기의 고정반사경의 레이저빔 경로상에 레이저빔을 선택적으로 반사시켜주는 회전반사경 을 설치하여 그 구성이 이루어지고, 상기 스테이지는 이동이 가능하게 구성되고 그 상부에는 진공척이 위치하며 상기 진공척의 상부에 웨이퍼를 정위치시킬 수 있게 구성이 이루어지며, 상기 레이저빔조사부와 인접한 위치에는 분할작업의 준비와 작업과정을 감시하기 위한 비전카메라를 설치하고, 상기 레이저빔 조사부, 상기 스테이지 및 상기 비전카메라를 제어하기 위한 제어기를 설치하여 이루어지는 웨이퍼의 분할장치가 제공된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 살펴보기로 한다.
우선, 본 발명에 있어서 채택하여 활용되는 분할장치의 바람직한 일례를 중심으로 살펴보면 다음과 같다.
도시한 바와 같이, 스테이지(3)의 상부로서 위치의 조절이 가능하게 설치되는 레이저빔조사부(1)와 분할작업을 행하기 위한 웨이퍼(5)를 장착하고 웨이퍼(5)의 분할방향으로 이송이 가능하게 구성된 스테이지(3)를 포함하여 이루어지되, 상기 레이저빔조사부(1)는 피코세컨드 대의 펄스폭과 MHz 대의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키는 제1 레이저기(10)와 나노세컨드 대의 펄스폭과 kHz 대의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키는 제2 레이저기(20)를 각각 설치하고 상기 제1레이저기(10)의 고정반사경(12)과 상기 제2레이저기(20)의 고정반사경(22)의 레이저빔 경로상에 레이저빔을 선택적으로 반사시켜 주는 회전반사경(40)을 설치하여 그 구성이 이루어지고, 상기 스테이지(3)는 이동이 가능하게 구성되고 그 상부에는 진공척(30)이 위치하며 상기 진공척(30)의 상부에 웨이퍼(5)를 정위치시 킬 수 있게 구성이 이루어지며, 상기 레이저빔조사부(1)와 인접한 위치에는 분할작업의 준비와 작업과정을 감시하기 위한 비전카메라(7)를 설치하고, 상기 레이저빔 조사부(1), 상기 스테이지(3) 및 상기 비전카메라(7)를 제어하기 위한 제어기(9)를 별도로 설치하여 이루어진다.
이때, 상기 레이저빔조사부(1) 중 제1 레이저기(10)에서 발생되는 레이저빔은 피코세컨드 대의 펄스폭과 MHz 대의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키되, 10 내지 30 피코초의 펄스폭과 10 내지 100MHz의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 선택하여 로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)을 분할하되, 분할작업이 이루어지는 속도로서 웨이퍼(5)의 이송속도는 500mm/sec이상이 유지되도록 자외선 광레이저를 선택하여 활용함이 바람직하고, 상기 레이저빔조사부(1) 중 제2 레이저기(20)에서 발생되는 레이저빔은 나노세컨드 대의 펄스폭과 kHz 대의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키되 10 내지 30 나노초의 펄스폭과 10 내지 100kHz의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 선택하여 분할된 로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)의 하부에 위치하는 기판을 완전하게 분할할 수 있도록 자외선 광레이저를 선택하여 활용함이 바람직하다.
또한, 상기 제1 레이저기(10) 및 상기 제2 레이저기(20)에서 발생되는 레이저빔 중 어느 하나를 선택적으로 입사시키도록 그 위치를 회전시켜 선택적으로 정위치가 이루어지게 되는 회전반사경(40)은 반사 후에 고정반사경(16) 및 하부에 위치한 집속렌즈(14)를 경유 직하부에 위치하게 되고 스테이지(3)의 상부에 장착되는 웨이퍼(5)에 도달하여 분할작업을 수행하도록 이루어지게 된다.
상기 스테이지(3)는 X-Y-Z 축 3 방향으로 위치를 가변시킬 수 있게 이루어지되, 그 상부에 진공척(30)이 설치되어 그 진공척(30)의 상부에는 웨이퍼(5)가 장착되게 된다.
다음, 분할 작업이 이루어지게 될 상기 웨이퍼(5)는 상부 표면에 로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)이 형성되고 그 하부에는 실리콘 웨이퍼기판(52)이 위치하게 그 구성이 이루어지게 되고, 상기 제1 레이저기(10)로부터 발생되는 레이저빔을 이용하여 분할이 이루어지는 경우 로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)이 분할되어 분할부(54)가 형성되게 되고, 상기 제2 레이저기(20)로부터 발생되는 레이저 빔을 이용하여 나머지 실리콘 웨이퍼기판(52)이 완전한 분할이 이루어지는 경우에 완전분할부(56)가 형성되게 된다.
또한, 미설명 부호로서 4는 에어분사노즐을 나타내고 6은 상기 에어분사노즐(4)의 대향측에 설치되는 진공흡입기를 나타낸다.
다음은 이와 같이 이루어지는 본 발명에 의한 장치를 활용하여 분할작업이 이루어지게 되는 과정을 본 발명인 분할방법을 참작하여 이를 기초로 하여 순차적으로 각각 살펴보기로 한다.
우선, 그 분할방법에 입각하여 살펴보면, 레이저빔조사부(1)로서 피코세컨드 대의 펄스폭과 MHz 대의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키는 제1 레이저기(10)와 나노세컨드 대의 펄스폭과 kHz 대의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키는 제2 레이저기(20)를 각각 설치하고, 분할작업을 수행하고자 하는 웨이퍼(5)를 스테이지(3)에 거치시키고 웨이퍼(5)의 표면에 상기 자외선 광레이저를 선 택적으로 조사하되 상기 제1 레이저기(10)에 의하여는 로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)을 동시에 분할하는 1단계와 상기 제2 레이저기(20)에 의하여는 나머지 실리콘웨이퍼기판(52)을 완전히 분할하도록 하는 2단계를 포함하여 이루어지게 되는 웨이퍼의 분할 방법이 시행된다.
좀 더 상세하게 살펴보면, 우선 웨이퍼(5)를 스테이지(3) 상에 설치된 진공척(30)에 웨이퍼(5)를 정위치시키되, 로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)이 상부에 위치하도록 거치시키고, 레이저빔조사부(1)에 있어서 회전반사경(40)의 위치가 제1 레이저기(10)의 고정반사경(12)을 경유, 고정반사경(16)과 집속렌즈(14)를 거쳐 상기 웨이퍼(5)의 표면보호층(50)과 초점이 서로 맞도록 레이저빔조사부(1)를 조절하여 초기 위치에서 제1 레이저기(10)에 의한 표면보호층(50)의 분할작업을 위한 준비작업을 완료한다.
이와 같이 준비가 이루어진 다음에, 상기 제1 레이저기(10)를 작동시켜 레이저빔을 조사하고 스테이지(3)가 X-Y-Z축 방향으로 움직여 1차적으로 수평 방향으로 왕복하여 움직이도록 하여 1차적으로 로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)을 분할하여 분할부(54)를 형성하고, 다시 2차적으로 분할부(54)를 형성하여 이들 분할부(54,54)의 폭에 맞도록 도1 내지 도3에 예시한 바와 같이 분할작업을 수행한다.
이때, 상기 1단계에 있어서 상기 제1 레이저기(10)에 의하여 웨이퍼(5)의 분할을 위한 이송속도를 500mm/sec 이상 유지하면서 분할작업이 이루어지는 범위를 확인하여 본 바, 상기 제1 레이저기(10)는 10 내지 30 피코초의 펄스폭과 10 내지 100MHz의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시켜 활용할 수 있음을 확인하였 다.
다음, 위와 같이 분할부(54,54)가 형성된 웨이퍼(5)를 나머지 실리콘 웨이퍼기판(52)를 완전하게 분할하여 절단하고자 하는 2단계를 좀 더 상세하게 살펴보면 다음과 같다.
우선 웨이퍼(5)는 분할부(54,54)가 형성된 상태로서 스테이지(3) 상에 설치된 진공척(30)에 웨이퍼(5)가 이미 정위치시킨 상태에 있게 되므로, 이와 같은 상태에서, 레이저빔조사부(1)에 있어서 회전반사경(40)의 위치가 제2 레이저기(20)의 고정반사경(22)을 경유, 고정반사경(16)과 집속렌즈(14)를 거쳐 상기 웨이퍼(5)의 실리콘 웨이퍼 기판(52)과 초점이 서로 맞도록 레이저빔조사부(1)를 조절하여 초기 위치에서 제2 레이저기(10)에 의한 실리콘 웨이퍼 기판(52)의 완전한 분할작업을 위한 준비작업을 완료한다.
이와 같이 준비가 이루어진 다음에, 상기 제2 레이저기(10)를 작동시켜 레이저빔을 조사하고 스테이지(3)가 X-Y-Z축 방향으로 움직여 수평 방향으로 왕복하여 움직이도록 하여 실리콘 웨이퍼 기판(52)을 확실하게 분할하여 완전분할부(56)를 형성하고, 도4에 예시한 바와 같이 완전한 분할작업에 의한 절단작업을 수행한다.
이때, 상기 2단계에 있어서 상기 제2 레이저기(10)에 의하여 웨이퍼(5)의 실리콘 웨이퍼 기판(52)에 대한 분할작업이 이루어지는 범위를 확인하여 본 바, 상기 제2 레이저기(20)는 10 내지 30 나노초의 펄스폭과 10 내지 100kHz의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시켜 분할작업을 수행할 수 있음을 확인하였다.
물론, 상기 1단계에 있어서 분할부(54,54)을 형성하는 경우에 도 1에 도시한 바와 같이 분할폭이 좁아 서로 일정 거리가 이격된 상태로 분할부(54,54)가 형성되거나 아니면 도3에 예시한 바와 같이 분할폭이 상대적으로 커서 서로 일부가 중첩된 상태로 분할부(54,54)가 형성되어 이들 분할부(54,54) 사이에 로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)이 남아 있지 아니한 상태로 이루어질 수 있는데, 이들 예와 관계 없이 상기 2단계에 의한 실리콘웨이퍼 기판(52)이 완전하게 분할되게 되면, 도4에 예시한 바와 같이 분리가 되게 된다.
이상 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의하면, 실리콘 웨이퍼 기판(52)의 표면에 로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)을 갖는 웨이퍼(5)에 있어서, 로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)은 표면보호층(50)의 분할작업에 적합한 레이저빔에 의하여 분할작업을 깨끗하게 행하고 나서 상기 표면보호층(50)의 하부에 위치하게 되는 실리콘 웨이퍼 기판(52)은 실리콘 웨이퍼 기판(52)의 완전분할에 적합한 레이저빔에 의하여 분할작업이 이루어지도록 하여 표면보호층(50)의 박리현상이나 크랙이 발생하는 것을 사전에 방지하고 양호한 분할 가공면을 갖도록 하며 분할작업의 효율을 향상시키고, 가공품질도 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 기존과는 달리 레이저빔 중 고반복률로서 MHz대의 주파수를 가지며 보다 짧은 피코세컨드(Pico Second)대의 펄스폭을 갖는 레이저 빔을 선택하여 500mm/sec이상의 고속으로 표면보호층 및 로우케이층의 분할작업이 이루어지더라도 레이저빔의 펄스와 펄스 사이가 이격되지 않고 서로가 일부 중첩되거나 적어도 연이어져 로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)의 분할면이 깨끗하고 펄스당 에너지가 낮아 열적인 효과가 적어 웨이퍼의 로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)이 찢어지지 않고 분할품질을 우수하게 유지할 수 있으며,
레이저빔 중 반복률로서 KHz대의 주파수를 가지면서 나노세컨드(Nano Second)대의 펄스폭을 갖는 레이저빔을 선택하여 이는 분할이 이루어진 표면보호층(50)을 갖는 웨이퍼(5)에 있어서 표면보호층(50)의 하부에 위치하게 되는 실리콘 웨이퍼 기판(52)을 완전하게 분할하기 위한 작업에 활용하여 표면보호층(50)의 분할작업과 실리콘 웨이퍼 기판(52)의 완전한 분할작업이 레이저빔에 의하여 순차적으로 이루어질 수 있도록 하여 하나의 기기 내부에서 모든 분할작업이 가능하게 되어 보다 효과적이고, 생산성을 높일 수 있는 등의 우수한 효과를 갖게 된다.

Claims (5)

  1. 스테이지(3)의 상부로서 위치의 조절이 가능하게 설치되는 레이저빔조사부(1)와 분할작업을 행하기 위한 웨이퍼(5)를 장착하고 웨이퍼(5)의 분할방향으로 이송이 가능하게 구성된 스테이지(3)를 포함하여 이루어지되,
    상기 레이저빔조사부(1)는 피코세컨드 대의 펄스폭과 MHz 대의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키는 제1 레이저기(10)와 나노세컨드 대의 펄스폭과 kHz 대의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키는 제2 레이저기(20)를 각각 설치하고 상기 제1레이저기(10)의 고정반사경(12)과 상기 제2레이저기(20)의 고정반사경(22)의 레이저빔 경로상에 레이저빔을 선택적으로 반사시켜 주는 회전반사경(40)을 설치하여 그 구성이 이루어지고,
    상기 스테이지(3)는 이동이 가능하게 구성되고 그 상부에는 진공척(30)이 위치하며 상기 진공척(30)의 상부에 웨이퍼(5)를 정위치시킬 수 있게 구성이 이루어지며,
    상기 레이저빔조사부(1)와 인접한 위치에는 분할작업의 준비와 작업과정을 감시하기 위한 비전카메라(7)를 설치하고, 상기 레이저빔 조사부(1), 상기 스테이지(3) 및 상기 비전카메라(7)를 제어하기 위한 제어기(9)를 별도로 설치하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 2개의 레이저를 이용한 웨이퍼의 분할 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 회전반사경(40)은 상기 제1 레이저기(10) 및 상기 제2 레이저기(20)에서 발생되는 레이저빔 중 어느 하나를 선택적으로 입사시키도록 그 위치를 회전시켜 선택적으로 정위치가 이루어지고,
    상기 회전반사경(40)은 반사 후에 고정반사경(16) 및 하부에 위치한 집속렌즈(14)를 경유 스테이지(3)의 상부에 장착되는 웨이퍼(5)에 도달하여 분할작업을 수행하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 2개의 레이저를 이용한 웨이퍼의 분할 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 스테이지(3)는 X-Y-Z 축 3 방향으로 위치를 가변시킬 수 있게 이루어지되, 그 상부에 진공척(30)이 설치되어 그 진공척(30)의 상부에는 웨이퍼(5)가 장착되고,
    상기 웨이퍼(5)는 상부 표면에 로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)이 형성되고 그 하부에는 실리콘 웨이퍼기판(52)이 위치하게 그 구성이 이루어지며,
    상기 제1 레이저기(10)로부터 발생되는 레이저빔을 이용하여 분할이 이루어지는 경우 로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)이 분할되어 분할부(54)가 형성되게 되고, 상기 제2 레이저기(20)로부터 발생되는 레이저 빔을 이용하여 나머지 실리콘 웨이퍼기판(52)이 완전한 분할이 이루어지는 경우에 완전분할부(56)가 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 2개의 레이저를 이용한 웨이퍼의 분할 장치.
  4. 레이저빔조사부(1)로서 피코세컨드 대의 펄스폭과 MHz 대의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키는 제1 레이저기(10)와 나노세컨드 대의 펄스폭과 kHz 대의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시키는 제2 레이저기(20)를 각각 설치하고,
    분할작업을 수행하고자 하는 웨이퍼(5)를 스테이지(3)에 거치시키고 웨이퍼(5)의 표면에 상기 자외선 광레이저를 선택적으로 조사하되 상기 제1 레이저기(10)에 의하여는 로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)을 동시에 분할하는 1단계와; 그리고
    상기 제2 레이저기(20)에 의하여는 나머지 실리콘웨이퍼기판(52)을 완전히 분할하도록 하는 2단계를 포함하여 이루어지게 되는 것을 특징으로 하는 2개의 레이저를 이용한 웨이퍼의 분할 방법
  5. 제4항에 있어서,
    로우케이층을 포함하는 표면보호층(50)을 분할하여 분할부(54)를 형성하는 상기 제1단계에서 활용되게 되는 상기 제1 레이저기(10)는 10 내지 30 피코초의 펄스폭과 10 내지 100MHz의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시켜 활용하고,
    상기 분할부(54,54)가 형성된 웨이퍼(5)로서 나머지 실리콘 웨이퍼기판(52)을 완전하게 분할하여 절단하고자 하는 2단계에서 활용되게 되는 상기 제2 레이저기(20)는 10 내지 30 나노초의 펄스폭과 10 내지 100kHz의 반복률을 갖는 자외선 광레이저를 발생시켜 분할작업을 수행할 수 있게 이루어지는 것을 특징으로 하는 2 개의 레이저를 이용한 웨이퍼의 분할 방법.
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