JP2009248126A - レーザ加工装置 - Google Patents

Abstract

【課題】被加工基板に付着した汚れや、被加工基板内のキズや気泡や脈理によって、被加工基板を予定通りに加工することができなくなることを防止し、確実に被加工基板を加工すること。
【解決手段】レーザ加工装置は、透明基板６１と、透明基板６１に配置された薄膜６２とを有する被加工基板６０を加工する。レーザ加工装置は、被加工基板６０を保持する保持部３０と、保持部に保持された被加工基板６０に、レーザ光Ｌを照射するレーザ発振部と、を備えている。レーザ発振部１から照射されるレーザ光Ｌは、２つの光路を経て被加工基板６０に入射可能となり、少なくとも一のレーザ光Ｌ，Ｌ１，Ｌａ，Ｌ２，Ｌｂは透明基板６０側から薄膜６２に入射可能となっている。
【選択図】図１

Description

本発明は、被加工基板をレーザ加工するレーザ加工装置に関する。

従来のレーザ加工装置としては、図６に示すように、被加工基板６０を保持する保持部３０と、保持部３０に保持された被加工基板６０に、反射ミラー１０で反射されたレーザ光Ｌを照射するレーザ発振器１と、を備えたものが知られている。また、被加工基板６０としては、ガラス基板（透明基板）６１と、このガラス基板６１上に配置された薄膜６２とからなるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

このようなレーザ加工装置を用いて被加工基板６０を加工する方法としては、ガラス基板６１を下方に位置づけ薄膜６２を上方に位置づけて、薄膜６２に直接レーザ光Ｌを照射して加工する方法（図７（ａ）参照）と、ガラス基板６１を上方に位置づけ薄膜６２を下方に位置づけて、ガラス基板６１を経た後のレーザ光Ｌによって薄膜６２を加工する方法（図７（ｂ）参照）とがある。

図７（ａ）に示したようにガラス基板６１を下方に位置づけ薄膜６２を上方に位置づけて加工する方法を用いた場合には、薄膜６２にゴミが付着したり、バーストした薄膜６２の材料が隣接する薄膜６２表面に残ったりすることがある。このため、図７（ｂ）に示したように、ガラス基板６１を上方に位置づけ薄膜６２を下方に位置づけて、ガラス基板６１を経た後のレーザ光Ｌによって薄膜６２を加工する方法が用いられることが多い。
特開２００７−４８８３５号公報

しかしながら、図７（ｂ）に示したようにガラス基板６１を経た後のレーザ光Ｌによって薄膜６２を加工する場合には、ガラス基板６１に付着した汚れや、ガラス基板６１に入ったキズや、ガラス基板６１内の気泡Ｇによってレーザ光Ｌが遮断されたり、ガラス基板６１内の脈理によってレーザ光Ｌが屈折させられたりして、予定している位置の薄膜６２を残さず確実に除去することができないことがある（図８（ａ）（ｂ）参照）（なお、図８（ａ）（ｂ）では、汚れ、キズ、気泡Ｇ、脈理のうち、一例として気泡Ｇのみを示している）。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、被加工基板に付着した汚れや、被加工基板内のキズや気泡や脈理による影響を受けずに、確実に被加工基板を加工することができるレーザ加工装置を提供することを目的とする。

本発明によるレーザ加工装置は、
透明基板と、該透明基板に配置された薄膜とを有する被加工基板を加工するレーザ加工装において、
被加工基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された被加工基板に、レーザ光を照射するレーザ発振部と、を備え、
前記レーザ発振部から照射されるレーザ光は、２つの光路を経て前記被加工基板に入射可能となり、少なくとも一のレーザ光は前記透明基板側から前記薄膜に入射可能となっている。

本発明によるレーザ加工装置において、
他方のレーザ光は、一方のレーザ光と異なる角度で前記被加工基板に入射することが好ましい。

本発明によるレーザ加工装置において、
前記レーザ発振部から照射されたレーザ光の光路に配置されたハーフミラーと、
前記ハーフミラーを透過したレーザ光を反射する反射ミラーと、をさらに備え、
前記反射ミラーによって反射された他方のレーザ光は、前記ハーフミラーによって反射された一方のレーザ光と異なる角度で前記被加工基板に入射することが好ましい。

本発明によるレーザ加工装置において、
前記レーザ発振部から照射されたレーザ光の光路上を移動可能な反射ミラーをさらに備え、
前記反射ミラーがレーザ光の光路上を移動することによって、前記薄膜に前記透明基板側から前記被加工基板に入射するレーザ光の角度を変えることができることが好ましい。

本発明によるレーザ加工装置において、
前記レーザ発振部から照射されたレーザ光の光路上の位置と、当該光路から外れる位置との間を移動可能な第一反射ミラーと、
前記第一反射ミラーが光路から外れる位置に移動したときに、前記レーザ発振部から照射されたレーザ光を反射する第二反射ミラーと、をさらに備え、
前記第二反射ミラーによって反射された他方のレーザ光は、前記第一反射ミラーによって反射された一方のレーザ光と異なる角度で前記被加工基板に入射することが好ましい。

本発明によるレーザ加工装置において、
一方のレーザ光は、前記被加工基板に前記透明基板側から入射し、
他方のレーザ光は、前記被加工基板に前記薄膜側から入射することが好ましい。

本発明によるレーザ加工装置において、
前記保持部は、前記被加工基板を反転させることができることが好ましい。

本発明によるレーザ加工装置において、
前記レーザ発振部は移動可能となり、
前記レーザ発振部が移動することによって、レーザ光を、前記被加工基板に前記透明基板側および前記薄膜側から入射させることができることが好ましい。

本発明によるレーザ加工装置において、
前記レーザ発振部は、前記被加工基板の表面にレーザ光を入射させる第一レーザ発振器と、前記被加工基板の裏面にレーザ光を入射させる第二レーザ発振器と、を有し、
前記第一レーザ発振器は一方のレーザ光を照射し、
前記第二レーザ発振器は他方のレーザ光を照射することが好ましい。

本発明によるレーザ加工装置において、
一方のレーザ光による前記被加工基板の前記薄膜の加工が終了した後、該薄膜の加工が正常に行われているかを確認する確認手段をさらに備え、
前記確認手段によって前記薄膜の加工が正常に行われていないと判断されたときに、他方のレーザ光が前記被加工基板の前記薄膜に照射されることが好ましい。

本発明によるレーザ加工装置において、
前記被加工基板の前記透明基板側から入射されるレーザ光による前記薄膜の加工が終了した後、該薄膜の加工が正常に行われているかを確認する確認手段をさらに備え、
前記確認手段によって前記薄膜の加工が正常に行われていないと判断されたときに、前記反射ミラーがレーザ光の光路上を移動する、前記保持部が前記被加工基板を反転させてレーザ光を前記薄膜側から該薄膜に入射させる、または、前記レーザ発振部が移動することによってレーザ光を前記薄膜側から該薄膜に入射させることが好ましい。

本発明によれば、レーザ発振部から照射されるレーザ光は、２つの光路を経て被加工基板に入射可能となっている。このため、被加工基板に付着した汚れや、被加工基板内のキズや気泡や脈理によって、被加工基板を予定通りに加工することができなくなることを防止することができ、確実に被加工基板を加工することができる。

発明を実施するための形態

第１の実施の形態
以下、本発明に係るレーザ加工装置は第１の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図１および図２は本発明の第１の実施の形態を示す図である。

図１に示すように、レーザ加工装置は、太陽電池や液晶・ＰＤＰなどの表示パネルに用いられる被加工基板６０を保持するＸＹステージ（保持部）３０と、ＸＹステージ３０に保持された被加工基板６０に、レーザ光Ｌを照射するレーザ発振器（レーザ発振部）１と、を備えている。ここで、ＸＹステージ３０は水平方向に移動可能となっており、被加工基板６０を、レーザ光Ｌに対して相対的に移動させることができるようになっている。

なお、被加工基板６０は、ガラス基板（透明基板）６１と、当該ガラス基板６１上に配置された薄膜６２とからなっている。本実施の形態では、ガラス基板６１が上方に位置し、薄膜６２が下方に位置するよう、被加工基板６０はＸＹステージ３０に保持されている。

また、図１に示すように、レーザ発振器１から照射されたレーザ光Ｌの光路にはハーフミラー１５が配置され、ハーフミラー１５を透過したレーザ光Ｌ２の光路には、このレーザ光Ｌ２を反射する反射ミラー１０も配置されている。また、ハーフミラー１５で反射されたレーザ光Ｌ１の光路には、当該レーザ光Ｌ１を被加工基板６０の薄膜６２に集光する第一集光レンズ２０ａが設けられ、反射ミラー１０で反射されたレーザ光Ｌ２の光路には、当該レーザ光Ｌ２を被加工基板６０の薄膜６２に集光する第二集光レンズ２０ｂが設けられている。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。

まず、ＸＹステージ３０によって被加工基板６０が保持される。その後、レーザ発振器１からレーザ光Ｌが照射される（図１参照）。

このレーザ光Ｌは、ハーフミラー１５に達する（図１参照）。そして、レーザ光Ｌの一部（レーザ光Ｌ１）はこのハーフミラー１５で反射され、ハーフミラー１５で反射されなかった残りのレーザ光Ｌ２は反射ミラー１０に達する（図１参照）。

次に、ハーフミラー１５で反射されたレーザ光Ｌ１は、第一集光レンズ２０ａを経て被加工基板６０の薄膜６２に達し、他方、反射ミラー１０で反射されたレーザ光Ｌ２は、第二集光レンズ２０ｂを経て被加工基板６０の薄膜６２に達する（図１参照）。

このように、本実施の形態によれば、ハーフミラー１５で反射されたレーザ光Ｌ１は、被加工基板６０にその法線方向から入射し、反射ミラー１０で反射されたレーザ光Ｌ２は、被加工基板６０に法線方向から傾斜した角度から入射する（図１および図２（ａ）参照）。

このため、ガラス基板６１に汚れが付着していたり、ガラス基板６１にキズが入っていたり、ガラス基板６１内に気泡Ｇがあったり、ガラス基板６１内に脈理があったりしても、予定している位置の薄膜６２を残さず確実に除去することができる。

すなわち、ガラス基板６１に汚れが付着していたり、ガラス基板６１にキズが入っていたり、ガラス基板６１内に気泡Ｇがあったり、ガラス基板６１内に脈理があったりする場合には、レーザ光Ｌが被加工基板６０の薄膜６２に一つの角度からしか入射できないと、汚れ、キズ、気泡Ｇ、脈理などが原因でレーザ光Ｌを予定している位置に照射することができず、予定している位置の薄膜６２を除去することができない（図８（ａ）（ｂ）参照）。

これに対して、本実施の形態によれば、一方のレーザ光Ｌ１を被加工基板６０にその法線方向から入射し、他方のレーザ光Ｌ２を被加工基板６０に法線方向から傾斜した角度から入射することができる（レーザ光Ｌ１，Ｌ２が２つの光路を有している）（図２（ａ）参照）。なお、図２（ａ）（ｂ）では、汚れ、キズ、気泡Ｇ、脈理のうち、一例として気泡Ｇのみを示している。

このため、汚れ、キズ、気泡Ｇ、脈理などによって一方のレーザ光Ｌ１が、予定している位置の薄膜６２を除去することができなかったとしても、入射光路の違う他方のレーザ光Ｌ２によってキズ、気泡Ｇ、脈理などを回避した入射が行え、当該薄膜６２を除去することができ、逆に、キズ、気泡Ｇ、脈理などによって他方のレーザ光Ｌ２が、予定している位置の薄膜６２を除去することができなかったとしても、一方のレーザ光Ｌ１によって、当該薄膜６２を除去することができる。この結果、ガラス基板６１上の薄膜６２のうち、予定している位置の薄膜６２を残さず確実に除去することができる。

また、本実施の形態によれば、一方のレーザ光Ｌ１と他方のレーザ光Ｌ２を同時に被加工基板６０に照射することができ、一度で確実に薄膜６２を確実に除去することができる。このため、被加工基板６０の加工時間を短くすることができる。

第２の実施の形態
次に、図３により、本発明の第２の実施の形態について説明する。図３に示す第２の実施の形態は、ハーフミラー１５と反射ミラー１０の二つのミラーが設けられる代わりに、レーザ発振器１から照射されたレーザ光Ｌの光路上を移動可能な反射ミラー１０が設けられているものであり、その他の構成は図１および図２に示す第１の実施の形態と略同一である。

図３に示す第２の実施の形態において、図１および図２に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

図３の矢印で示すように、反射ミラー１０が、レーザ発振器１から照射されたレーザ光Ｌの光路上を移動可能となっている。また、この反射ミラー１０の移動に合わせて、集光レンズ２０は回転可能となっている。このため、レーザ発振器１から照射されて反射ミラー１０で反射されるレーザ光Ｌは、被加工基板６０に対して様々な角度から入射することができる。

このため、ガラス基板６１に汚れが付着していたり、ガラス基板６１にキズが入っていたり、ガラス基板６１内に気泡Ｇがあったり、ガラス基板６１内に脈理があったりしても、予定している位置の薄膜６２を残さず確実に除去することができる。

具体的には、レーザ光Ｌによる薄膜６２の除去が一通り終了した後に除去対象となっている部分を挟んで電気抵抗を測定したり、レーザ光Ｌによる薄膜６２の除去が一通り終了した後または薄膜６２の除去をしている間にカメラなどで観察したりして、予定している位置の薄膜６２が完全に除去されているかが確認される（この場合には、薄膜６２の電気抵抗を測定する電気抵抗測定装置や、薄膜６２を観察するカメラなどが確認手段を構成することとなる）。そして、確認した結果、予定している位置の薄膜６２が完全に除去されてないと判断された場合には、反射ミラー１０がレーザ光Ｌの光路上で移動される（図３では右側に移動される）。その後、薄膜６２が除去されていない箇所にレーザ発振器１からレーザ光Ｌが照射される。

このため、二回目のレーザ光Ｌを、一回目のレーザ光Ｌと異なる角度から、被加工基板６０に対して入射させることができる（図３参照）。この結果、汚れ、キズ、気泡Ｇ、脈理などによって一回目のレーザ光Ｌによって、予定している位置の薄膜６２を除去することができなかったとしても、当該薄膜６２に対して入射光路の違う二回目のレーザ光Ｌによってキズ、気泡Ｇ、脈理などを回避した入射が行え、予定している位置の薄膜６２を完全に除去することができる（図２（ａ）（ｂ）参照）。従って、ガラス基板６１上の薄膜６２のうち、予定している位置の薄膜６２を残さず確実に除去することができる。

また、本実施の形態によれば、二分されて強度が半分になったレーザ光Ｌ１，Ｌ２を用いることなく薄膜６２を除去するので、レーザ発振器１から照射されるレーザ光Ｌを過度に強くする必要が無くなる。また、二組の反射ミラー１０ａ，１０ｂと集光レンズ２０ａ，２０ｂを設ける必要がなくなり、一組の反射ミラー１０と集光レンズ２０を設けるだけでよい。これらのことより、本実施の形態によれば、第１の実施の形態の態様と比べて、レーザ加工装置の製造コストを低減することができる。

さらに、本実施の形態によれば、レーザ発振器１から照射されて反射ミラー１０で反射されるレーザ光Ｌを、被加工基板６０に対して様々な角度から入射することができる。このため、状況に合わせてレーザ光Ｌの被加工基板６０に対する入射角を調整することができる。この結果、より確実に、予定している位置の薄膜６２を残さず除去することができる。

第３の実施の形態
次に、図４（ａ）（ｂ）により、本発明の第３の実施の形態について説明する。図４（ａ）（ｂ）に示す第３の実施の形態は、ハーフミラー１５と反射ミラー１０が設けられる代わりに、レーザ発振器１から照射されたレーザ光Ｌの光路上の位置と、当該光路から外れる位置との間を移動可能な第一反射ミラー１０ａと、第一反射ミラー１０ａが光路から外れる位置に移動したときに、レーザ発振器１から照射されたレーザ光Ｌを反射する第二反射ミラー１０ｂが設けられているものであり、その他の構成は図１および図２に示す第１の実施の形態と略同一である。

図４（ａ）（ｂ）に示す第３の実施の形態において、図１および図２に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

図４（ａ）（ｂ）に示すように、第一反射ミラー１０ａは、レーザ発振器１から照射されたレーザ光Ｌの光路上の位置（図４（ａ）参照）と、当該光路から外れる位置（図４（ｂ）参照）との間を移動可能となっている。そして、第一反射ミラー１０ａが光路から外れる位置に移動したときには、レーザ発振器１から照射されたレーザ光Ｌは第二反射ミラー１０ｂによって反射される。

このため、第一反射ミラー１０ａによって反射された一方のレーザ光Ｌは、被加工基板６０にその法線方向から入射し、他方、第二反射ミラー１０ｂで反射されたレーザ光Ｌは、被加工基板６０に法線方向から傾斜した角度から入射する。このため、ガラス基板６１に汚れが付着していたり、ガラス基板６１にキズが入っていたり、ガラス基板６１内に気泡Ｇがあったり、ガラス基板６１内に脈理があったりしても、予定している位置の薄膜６２を残さず確実に除去することができる。

具体的には、レーザ光Ｌによる薄膜６２の除去が一通り終了した後に除去対象となっている部分を挟んで電気抵抗を測定したり、レーザ光Ｌによる薄膜６２の除去が一通り終了した後または薄膜６２の除去をしている間にカメラなどで観察したりして、予定している位置の薄膜６２が完全に除去されているかが確認される。そして、確認した結果、予定している位置の薄膜６２が完全に除去されてないと判断された場合には、第一反射ミラー１０ａがレーザ発振器１から照射されたレーザ光Ｌの光路上の位置（図４（ａ）参照）から当該光路から外れる位置（図４（ｂ）参照）へと移動させられる。その後、薄膜６２が除去されていない箇所にレーザ発振器１からレーザ光Ｌが照射される。

このため、第二反射ミラー１０ｂで反射された二回目のレーザ光Ｌを、第一反射ミラー１０ａで反射された一回目のレーザ光Ｌと異なる角度から、被加工基板６０に対して入射させることができる（図４（ａ）（ｂ）参照）。この結果、汚れ、キズ、気泡Ｇ、脈理などによって第一反射ミラー１０ａで反射された一回目のレーザ光Ｌによって、予定している位置の薄膜６２を除去することができなかったとしても、当該薄膜６２に対して第二反射ミラー１０ｂで反射された入射光路の違う二回目のレーザ光Ｌによってキズ、気泡Ｇ、脈理などを回避した入射が行え、薄膜６２を完全に除去することができる（図２（ａ）（ｂ）参照）。従って、ガラス基板６１上の薄膜６２のうち、予定している位置の薄膜６２を残さず確実に除去することができる。

また、本実施の形態によれば、二分されて強度が半分になったレーザ光Ｌ１，Ｌ２を用いることなく薄膜６２を除去するので、レーザ発振器１から照射されるレーザ光Ｌを過度に強くする必要が無くなる。このため、本実施の形態によれば、第１の実施の形態の態様と比べて、レーザ加工装置の製造コストを低減することができる。

また、レーザ光Ｌの被加工基板６０に対する入射角度を変化させるために、第２の実施の形態では、反射ミラー１０と集光レンズ２０の光学系全体を移動（回転）させる必要があるのに対して、本実施の形態によれば、反射ミラー１０ａのみをわずかに移動させるだけでよく、構造を簡素化することができる。

第４の実施の形態
次に、図５により、本発明の第４の実施の形態について説明する。図５に示す第４の実施の形態は、被加工基板６０のガラス基板６１側にハーフミラー１５と反射ミラー１０が設けられる代わりに、第一レーザ発振器１ａからの一方のレーザ光Ｌａが被加工基板６０のガラス基板６１側（裏面側）から入射し、第二レーザ発振器１ｂからの他方のレーザ光Ｌｂが被加工基板６０の薄膜６２側（表面側）から入射するものであり、その他の構成は図１および図２に示す第１の実施の形態と略同一である。

図５に示す第４の実施の形態において、図１および図２に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

図５に示すように、被加工基板６０のガラス基板６１側に第一レーザ発振器１ａからのレーザ光Ｌａが入射し、被加工基板６０の薄膜６２側に第二レーザ発振器１ｂからのレーザ光Ｌｂが入射するようになっている。そして、第一レーザ発振器１ａから照射されたレーザ光Ｌａは、第一反射ミラー１０ａで反射され、第一集光レンズ２０ａで被加工基板６０の薄膜６２に集光されるようになっている。また、同様に、第二レーザ発振器１ｂから照射されたレーザ光Ｌｂは、第二反射ミラー１０ｂで反射され、第二集光レンズ２０ｂで被加工基板６０の薄膜６２に集光されるようになっている。

このため、第一レーザ発振器１ａから照射されたレーザ光Ｌａは、被加工基板６０の薄膜６２にガラス基板６１を経て入射し、他方、第二レーザ発振器１ｂから照射されたレーザ光Ｌｂは、被加工基板６０の薄膜６２にガラス基板６１を経ることなく直接入射する（図５参照）。この結果、ガラス基板６１に汚れが付着していたり、ガラス基板６１にキズが入っていたり、ガラス基板６１内に気泡Ｇがあったり、ガラス基板６１内に脈理があったりしても、予定している位置の薄膜６２を残さず確実に除去することができる。

具体的には、レーザ光Ｌａによる薄膜６２の除去が一通り終了した後に除去対象となっている部分を挟んで電気抵抗を測定したり、レーザ光Ｌａによる薄膜６２の除去が一通り終了した後または薄膜６２の除去をしている間にカメラなどで観察したりして、予定している位置の薄膜６２が完全に除去されているかが確認される。そして、確認した結果、予定している位置の薄膜６２が完全に除去されてないと判断された場合には、第二レーザ発振器１ｂからレーザ光Ｌｂが照射される（図５参照）。上述のように、第二レーザ発振器１ｂから照射されたレーザ光Ｌｂは、被加工基板６０の薄膜６２にガラス基板６１を経ることなく直接入射するので、ガラス基板６１上の汚れ、ガラス基板６１のキズ、ガラス基板６１内の気泡Ｇ、ガラス基板６１内の脈理などによる影響を受けない。

このため、汚れ、キズ、気泡Ｇ、脈理などによって第一レーザ発振器１ａから照射された一回目のレーザ光Ｌａによって、予定している位置の薄膜６２を除去することができなかったとしても、第二レーザ発振器１ｂから照射された二回目のレーザ光Ｌｂによって除去することができる。この結果、ガラス基板６１上の薄膜６２のうち、予定している位置の薄膜６２を残さず確実に除去することができる。

なお、上記では、第一レーザ発振器１ａと第二レーザ発振器１ｂとが設けられ、第一レーザ発振器１ａから照射されたレーザ光Ｌａが、被加工基板６０の薄膜６２にガラス基板６１を経て入射し、他方、第二レーザ発振器１ｂから照射されたレーザ光Ｌｂが、被加工基板６０の薄膜６２にガラス基板６１を経ることなく直接入射する態様を用いて説明した。しかしながら、これに限られることなく、ＸＹステージ３０が、被加工基板６０を反転させることができるようになり、レーザ発振部が一つのレーザ発振器からなるものを用いても良い。

この場合には、物理的には、レーザ発振器から照射されるレーザ光Ｌが１つの光路しか有さないように見えるが、被加工基板６０に対する相対的関係では、レーザ発振器１から照射されるレーザ光Ｌは、ガラス基板６１を経て薄膜６２に入射する光路と、ガラス基板６１を経ることなく直接薄膜６２に入射する光路の２つの光路を有していることとなる。

なお、ＸＹステージ３０が、被加工基板６０を反転させるのではなく、レーザ発振器１、反射ミラー１０、集光レンズ２０などの光学系を移動可能とすることによって、レーザ光Ｌが、ガラス基板６１を経て薄膜６２に入射する光路と、ガラス基板６１を経ることなく直接薄膜６２に入射する光路の２つの光路を有するようにしてもよい。

また、図６Ａに示すように、一つのレーザ発振器１から照射されるレーザ光Ｌを、第１の実施の形態のように、ハーフミラー１５で半分として、一方のレーザ光Ｌ１をガラス基板６１側から薄膜６２に入射させ、他方のレーザ光Ｌ２を薄膜６２に直接入射させるようにしてもよい。

また、図６Ｂに示すように、反射ミラー１０が、レーザ発振器１から照射されるレーザ光Ｌの光路上を移動可能となっており、反射ミラー１０がレーザ光Ｌの光路上を移動することによって、一つのレーザ発振器１から照射されるレーザ光Ｌを薄膜６２に直接入射させるようにしてもよい。

さらに、図６Ｃに示すように、レーザ発振器１から照射されたレーザ光Ｌの光路上の位置と当該光路から外れる位置との間を移動可能となる第一反射ミラー１０ａと、第一反射ミラー１０ａが光路から外れる位置に移動したときに、レーザ発振器１から照射されたレーザ光Ｌを反射する第二反射ミラー１０ｂが設けられており、第一反射ミラー１０ａが光路から外れる位置へ移動することによって、一つのレーザ発振器１から照射されるレーザ光Ｌを第二反射ミラー１０ｂで反射することによって、薄膜６２に直接入射させるようにしてもよい。

ところで、第１の実施の形態では、レーザ発振器１から照射されたレーザ光Ｌの光路にはハーフミラー１５が配置され、ハーフミラー１５によって反射されたレーザ光Ｌ１と、反射ミラー１０によって反射されたレーザ光Ｌ２とを用いて被加工基板６０の薄膜６２にレーザ光Ｌ１，Ｌ２を照射していたが、これに限られることなく、レーザ発振器を二台設けて、二台のレーザ発振器から同時にレーザ光を照射させ、他方のレーザ光を一方のレーザ光とは異なる角度から、薄膜６２に入射させるようにしてもよい。

また、一方のレーザ光Ｌ１，Ｌａと他方のレーザ光Ｌ２，Ｌｂとを被加工基板６０に同時に照射する際には（図１、図５および図６参照）、薄膜６２上の焦点は、薄膜６２の同一場所に位置してもよいし、別の場所に位置してもよい。

本発明の第１の実施の形態によるレーザ加工装置の概略を示す構成図。 本発明の第１の実施の形態によるレーザ加工装置によって被加工基板に照射されるレーザ光を示した概略図。 本発明の第２の実施の形態によるレーザ加工装置の概略を示す構成図。 本発明の第３の実施の形態によるレーザ加工装置の概略を示す構成図。 本発明の第４の実施の形態によるレーザ加工装置の概略を示す構成図。 本発明の第４の実施の形態の変形例によるレーザ加工装置の概略を示す構成図。 本発明の第４の実施の形態の別の変形例によるレーザ加工装置の概略を示す構成図。 本発明の第４の実施の形態のさらに別の変形例によるレーザ加工装置の概略を示す構成図。 従来のレーザ加工装置の概略を示す構成図。 従来のレーザ加工装置によって被加工基板にレーザ光を照射する態様を示した概略図。 従来のレーザ加工装置によって被加工基板に照射されるレーザ光を示した概略図。

符号の説明

１ レーザ発振器（レーザ発振部）
１ａ 第一レーザ発振器（レーザ発振部）
１ｂ 第二レーザ発振器（レーザ発振部）
１０ 反射ミラー
１０ａ 第一反射ミラー
１０ｂ 第二反射ミラー
１５ ハーフミラー
２０ 集光レンズ
２０ａ 第一集光レンズ
２０ｂ 第二集光レンズ
３０ 保持部（ＸＹステージ）
６０ 被加工基板
６１ ガラス基板（透明基板）
６２ 薄膜
Ｌ レーザ光
Ｌ１，Ｌ２ レーザ光
Ｌａ，Ｌｂ レーザ光

Claims (11)

1. 透明基板と、該透明基板に配置された薄膜とを有する被加工基板を加工するレーザ加工装において、
   被加工基板を保持する保持部と、
   前記保持部に保持された被加工基板に、レーザ光を照射するレーザ発振部と、を備え、
   前記レーザ発振部から照射されるレーザ光は、２つの光路を経て前記被加工基板に入射可能となり、少なくとも一のレーザ光は前記透明基板側から前記薄膜に入射可能となっていることを特徴とするレーザ加工装置。
2. 他方のレーザ光は、一方のレーザ光と異なる角度で前記被加工基板に入射することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
3. 前記レーザ発振部から照射されたレーザ光の光路に配置されたハーフミラーと、
   前記ハーフミラーを透過したレーザ光を反射する反射ミラーと、をさらに備え、
   前記反射ミラーによって反射された他方のレーザ光は、前記ハーフミラーによって反射された一方のレーザ光と異なる角度で前記被加工基板に入射することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
4. 前記レーザ発振部から照射されたレーザ光の光路上を移動可能な反射ミラーをさらに備え、
   前記反射ミラーがレーザ光の光路上を移動することによって、前記薄膜に前記透明基板側から入射するレーザ光の角度を変えることができることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
5. 前記レーザ発振部から照射されたレーザ光の光路上の位置と、当該光路から外れる位置との間を移動可能な第一反射ミラーと、
   前記第一反射ミラーが光路から外れる位置に移動したときに、前記レーザ発振部から照射されたレーザ光を反射する第二反射ミラーと、をさらに備え、
   前記第二反射ミラーによって反射された他方のレーザ光は、前記第一反射ミラーによって反射された一方のレーザ光と異なる角度で前記被加工基板に入射することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
6. 一方のレーザ光は、前記被加工基板に前記透明基板側から入射し、
   他方のレーザ光は、前記被加工基板に前記薄膜側から入射することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
7. 前記保持部は、前記被加工基板を反転させることができることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
8. 前記レーザ発振部は移動可能となり、
   前記レーザ発振部が移動することによって、レーザ光を、前記被加工基板に前記透明基板側および前記薄膜側から入射させることができることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
9. 前記レーザ発振部は、前記被加工基板の表面にレーザ光を入射させる第一レーザ発振器と、前記被加工基板の裏面にレーザ光を入射させる第二レーザ発振器と、を有し、
   前記第一レーザ発振器は一方のレーザ光を照射し、
   前記第二レーザ発振器は他方のレーザ光を照射することを特徴とする請求項６に記載のレーザ加工装置。
10. 一方のレーザ光による前記被加工基板の前記薄膜の加工が終了した後、該薄膜の加工が正常に行われているかを確認する確認手段をさらに備え、
    前記確認手段によって前記薄膜の加工が正常に行われていないと判断されたときに、他方のレーザ光が前記被加工基板の前記薄膜に照射されることを特徴とする請求項５および６に記載のレーザ加工装置。
11. 前記被加工基板の前記透明基板側から入射されるレーザ光による前記薄膜の加工が終了した後、該薄膜の加工が正常に行われているかを確認する確認手段をさらに備え、
    前記確認手段によって前記薄膜の加工が正常に行われていないと判断されたときに、前記反射ミラーがレーザ光の光路上を移動する、前記保持部が前記被加工基板を反転させてレーザ光を前記薄膜側から該薄膜に入射させる、または、前記レーザ発振部が移動することによってレーザ光を前記薄膜側から該薄膜に入射させることを特徴とする請求項４、７および８に記載のレーザ加工装置。

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