JPH0313290A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
- Publication number
- JPH0313290A JPH0313290A JP1146773A JP14677389A JPH0313290A JP H0313290 A JPH0313290 A JP H0313290A JP 1146773 A JP1146773 A JP 1146773A JP 14677389 A JP14677389 A JP 14677389A JP H0313290 A JPH0313290 A JP H0313290A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- solenoid valve
- laser beam
- substrate
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003754 machining Methods 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 abstract 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 241000283973 Oryctolagus cuniculus Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/16—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine controlled in conjunction with the operation of the tool
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、レーザ加工装置に関し、特に、透光性基板
上の配線パターン材料や半導体材料の除去に用いられる
レーザ加工装置に関するものである。
上の配線パターン材料や半導体材料の除去に用いられる
レーザ加工装置に関するものである。
E従来の技術]
従来、基板上の半導体材料や回路パターン材料の不要部
分を、レーザ光により局部的に過熱し溶融・蒸発させて
除去することが試みられていたが、除去部およびその周
辺に飛IIi物が付着するため、その改善が望まれてい
た。
分を、レーザ光により局部的に過熱し溶融・蒸発させて
除去することが試みられていたが、除去部およびその周
辺に飛IIi物が付着するため、その改善が望まれてい
た。
そこで、被加工物を減圧チャンバ内に設置して被加工材
料の飛散圧力を大きくしたレーザ加工装置や、第2(7
1に示すようなレーザ加工法により、被加工物と加工雰
囲気の圧力差を大きくして、飛散物を遠くまで飛散させ
ることが試みられていた。
料の飛散圧力を大きくしたレーザ加工装置や、第2(7
1に示すようなレーザ加工法により、被加工物と加工雰
囲気の圧力差を大きくして、飛散物を遠くまで飛散させ
ることが試みられていた。
第2図は、特開昭82−267094号公報に記載され
たレーザ加工方法の概略を示し、図中(1)はレーザ光
、(2)は基板、(3)は除去対象物、(11)は増圧
膜である。この従来技術では、除去部に増圧膜(11)
を設けることで、飛散物と加工雰囲気の圧力差を大きく
している。
たレーザ加工方法の概略を示し、図中(1)はレーザ光
、(2)は基板、(3)は除去対象物、(11)は増圧
膜である。この従来技術では、除去部に増圧膜(11)
を設けることで、飛散物と加工雰囲気の圧力差を大きく
している。
[発明が解決しようとする課題]
以上のような従来のレーザ加工装置では、飛散物の付着
を減少させるためには減圧チャンバもしくは増圧膜が必
要であるが、減圧チャンバは被加工物が大きくなると大
規模な減圧装置が必要となるため実現が容易でない。ま
た、増圧膜は膜の形成・除去の工程数が増えるといった
問題点があった。
を減少させるためには減圧チャンバもしくは増圧膜が必
要であるが、減圧チャンバは被加工物が大きくなると大
規模な減圧装置が必要となるため実現が容易でない。ま
た、増圧膜は膜の形成・除去の工程数が増えるといった
問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するなめになさ
れたもので、被加工物を減圧チャンバ内に設置したり、
被加工物上に増圧膜などを設ける必要がなく、飛散物付
着の低減可能なレーザ加工装置を得ることを目的とする
。
れたもので、被加工物を減圧チャンバ内に設置したり、
被加工物上に増圧膜などを設ける必要がなく、飛散物付
着の低減可能なレーザ加工装置を得ることを目的とする
。
[課題を解決するための手段]
この発明に係るレーザ加工装置は、基板裏面からレーザ
光を照射して被加工物を除去する加工装置であって、加
工テーブル上の真空チャックを、除去パターンと一致も
しくはパターン全体を含む形状となるように配置したも
のである。
光を照射して被加工物を除去する加工装置であって、加
工テーブル上の真空チャックを、除去パターンと一致も
しくはパターン全体を含む形状となるように配置したも
のである。
「作 川]
この発明においては、加工物を減圧チャンバ内に設置す
ることなく加工部周辺が局所的に真空ポンプにより減圧
雰囲気になり、被加工材料が圧力差により飛散しやすい
。
ることなく加工部周辺が局所的に真空ポンプにより減圧
雰囲気になり、被加工材料が圧力差により飛散しやすい
。
[実施例]
第1図はこの発明の一実施例を示し、図において、(1
)はレーザ光、(2)は透光性基板、(3)は被加工物
、(4)は加工テーブル、(5)は真空吸引部、(6)
は真空ポンプ、(7)は閉状態の電磁バルブ、(8)は
開状態の電磁バルブ、(9)は吸引バイパス、(10)
は電磁バルブ制御部である。
)はレーザ光、(2)は透光性基板、(3)は被加工物
、(4)は加工テーブル、(5)は真空吸引部、(6)
は真空ポンプ、(7)は閉状態の電磁バルブ、(8)は
開状態の電磁バルブ、(9)は吸引バイパス、(10)
は電磁バルブ制御部である。
この実施例では、集積形太陽電池のパターン分離に適用
した。レーザ光(1)としては波長1.06pmを発振
するYACレーザ発振器、透光性基板(2)は厚さ11
、大きさ1001平方のガラス基板、被加工物(3)は
厚さが0.2μm程度に蒸着されたステンレス薄膜、真
空吸引部(5)は幅1o−長さ98ffll11、深さ
lIの吸引部をピッチ12nmで設けた。真空ポンプ(
6)は排気容12401+7分の油回転真空ポンプ、電
磁バルブ(7> 、 (8)としては真空系用の電磁バ
ルブ、吸引バイパス(9)は電磁バルブが閉時にも被加
工物を吸引するためのものであり、電磁バルブ制御部(
10)は電磁バルブをスイッチングする制御部である。
した。レーザ光(1)としては波長1.06pmを発振
するYACレーザ発振器、透光性基板(2)は厚さ11
、大きさ1001平方のガラス基板、被加工物(3)は
厚さが0.2μm程度に蒸着されたステンレス薄膜、真
空吸引部(5)は幅1o−長さ98ffll11、深さ
lIの吸引部をピッチ12nmで設けた。真空ポンプ(
6)は排気容12401+7分の油回転真空ポンプ、電
磁バルブ(7> 、 (8)としては真空系用の電磁バ
ルブ、吸引バイパス(9)は電磁バルブが閉時にも被加
工物を吸引するためのものであり、電磁バルブ制御部(
10)は電磁バルブをスイッチングする制御部である。
次に動作を説明する。まず、ステンレス薄膜を形成した
基板(2)を被加工物(3)の表面がテーブル(4)の
面に対向するように置く、その後、真空ポンプ(6)を
作動させるが、このとき、電磁バルブ(7) 、 (8
)は全て開状態となっているため、吸引部(5)は吸引
バイパス(9)を介して吸引され、被加工物(3)は密
着する。
基板(2)を被加工物(3)の表面がテーブル(4)の
面に対向するように置く、その後、真空ポンプ(6)を
作動させるが、このとき、電磁バルブ(7) 、 (8
)は全て開状態となっているため、吸引部(5)は吸引
バイパス(9)を介して吸引され、被加工物(3)は密
着する。
次にYAGレーザ(1)を50111φに集光して照射
する前に照射部の吸引部につながった電磁バルブ(8)
のみが開状態になるように電磁バルブの開閉を制御部(
10)で制御する。これにより、加工部の周辺は常に大
きな排気力で吸引されているので、加工部でガスや飛散
物が発生しても、急激な真空度低下を招くことなく安定
した減圧効果が得られるとともに、他の吸引部の吸引力
(真空度)の低下もない、 YAGレーザ照射により一
本のパターンが形成された後、次のパターン部にレーザ
光(1)が移動する閉に電磁バルブが切りかわり、次の
パターン部の真空排気能力が上がると同時に前の工程の
パターン部につながる電磁バルブは閉められバイバ2(
9)のみの吸引となる。以下こハをくり返すことで、線
状の分雛パターンを形成したにのとき得られたパターン
部には周辺の飛散物付着はほとんどなく、加工晶せは大
幅に改善された。
する前に照射部の吸引部につながった電磁バルブ(8)
のみが開状態になるように電磁バルブの開閉を制御部(
10)で制御する。これにより、加工部の周辺は常に大
きな排気力で吸引されているので、加工部でガスや飛散
物が発生しても、急激な真空度低下を招くことなく安定
した減圧効果が得られるとともに、他の吸引部の吸引力
(真空度)の低下もない、 YAGレーザ照射により一
本のパターンが形成された後、次のパターン部にレーザ
光(1)が移動する閉に電磁バルブが切りかわり、次の
パターン部の真空排気能力が上がると同時に前の工程の
パターン部につながる電磁バルブは閉められバイバ2(
9)のみの吸引となる。以下こハをくり返すことで、線
状の分雛パターンを形成したにのとき得られたパターン
部には周辺の飛散物付着はほとんどなく、加工晶せは大
幅に改善された。
この実hN例では、減圧部を区分して、これを電磁バル
ブで切り喚えて、真空チャック機能と局所減圧の機能と
をより確実に満足できるように構成したが、能力は若干
劣るが5上記実施例からバイパスがない場合でも、チャ
ック部でのリークが発生しないものであれば、十分実用
できる。
ブで切り喚えて、真空チャック機能と局所減圧の機能と
をより確実に満足できるように構成したが、能力は若干
劣るが5上記実施例からバイパスがない場合でも、チャ
ック部でのリークが発生しないものであれば、十分実用
できる。
また、バルブ切り換えしなくてもよく、減圧部を区分せ
ず一体形としてもよいことはいうまでもない。
ず一体形としてもよいことはいうまでもない。
さらに、基板の透光性が低い場合や被加工物が複数の層
から形成されている場合でも、基板裏面からのレーザ光
照射で除去可能な被加工物に対して、本装置は効果があ
った。
から形成されている場合でも、基板裏面からのレーザ光
照射で除去可能な被加工物に対して、本装置は効果があ
った。
[発明の効果]
この発明は、照射部周辺を減圧チャンバや増圧膜などを
用いることなく、簡単に減圧雰囲気にできるようにした
加工装置であるため、加工部および周辺への飛散物や残
留物が低減できる。
用いることなく、簡単に減圧雰囲気にできるようにした
加工装置であるため、加工部および周辺への飛散物や残
留物が低減できる。
第1図はこの発明の一実施例の正断面図、第2図は従来
のレーザ加工方法の概念図である。 <1)・ レーザ光、(2)・・透光性基板、(3)・
被加工物、(4)・・加工テーブル、(5)・・真空吸
引部、(6)・・真空ポンプ、(7)・・電磁バルブ(
開状態) 、(8)・・電磁バルブ(17F!状態)
、 (9)・バイパス、(10)・・電磁バルブ制御部
。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 け 我 道 照昂1図 乙−丁九 邊を吃基椋 ネIL卯=9) つD :チーアノ乙 】;1¥ロノコ、弓l套IS
のレーザ加工方法の概念図である。 <1)・ レーザ光、(2)・・透光性基板、(3)・
被加工物、(4)・・加工テーブル、(5)・・真空吸
引部、(6)・・真空ポンプ、(7)・・電磁バルブ(
開状態) 、(8)・・電磁バルブ(17F!状態)
、 (9)・バイパス、(10)・・電磁バルブ制御部
。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 け 我 道 照昂1図 乙−丁九 邊を吃基椋 ネIL卯=9) つD :チーアノ乙 】;1¥ロノコ、弓l套IS
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザ光に対して透光性基板上の被加工物を前記基板裏
面からのレーザ照射により除去するレーザ加工装置にお
いて、 前記被加工物を上面に対向させて前記透光性基板が載置
される加工テーブルと、 前記加工テーブルに形成され前記被加工物の除去パター
ンの少なくとも一部に一致した形状の真空吸引部と、 を備えてなることを特徴とするレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1146773A JPH0313290A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1146773A JPH0313290A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0313290A true JPH0313290A (ja) | 1991-01-22 |
Family
ID=15415219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1146773A Pending JPH0313290A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0313290A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10277772A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-20 | Sharp Corp | 基板ビーム加工装置 |
JP2006315030A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Shibaura Mechatronics Corp | 薄膜パネル加工装置 |
US7223937B2 (en) * | 2004-10-27 | 2007-05-29 | Disco Corporation | Laser beam processing method and laser beam processing machine |
US7408129B2 (en) * | 2005-11-16 | 2008-08-05 | Disco Corporation | Laser beam machine with cylindrical lens system |
US7538048B2 (en) | 2004-10-07 | 2009-05-26 | Disco Corporation | Laser beam processing machine |
JP2009248126A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Shibaura Mechatronics Corp | レーザ加工装置 |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP1146773A patent/JPH0313290A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10277772A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-20 | Sharp Corp | 基板ビーム加工装置 |
US7538048B2 (en) | 2004-10-07 | 2009-05-26 | Disco Corporation | Laser beam processing machine |
US7223937B2 (en) * | 2004-10-27 | 2007-05-29 | Disco Corporation | Laser beam processing method and laser beam processing machine |
JP2006315030A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Shibaura Mechatronics Corp | 薄膜パネル加工装置 |
US7408129B2 (en) * | 2005-11-16 | 2008-08-05 | Disco Corporation | Laser beam machine with cylindrical lens system |
JP2009248126A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Shibaura Mechatronics Corp | レーザ加工装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102044042B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
US7994026B2 (en) | Plasma dicing apparatus and method of manufacturing semiconductor chips | |
KR101831914B1 (ko) | 웨이퍼 가공 방법 | |
JP4404085B2 (ja) | レーザ加工装置、レーザ加工ヘッド及びレーザ加工方法 | |
DE10260233B4 (de) | Verfahren zum Befestigen eines Werkstücks mit einem Feststoff an einem Werkstückträger und Werkstückträger | |
DE102006032458B4 (de) | Waferbearbeitungsverfahren | |
JPWO2003071591A1 (ja) | 半導体ウェーハの分割方法 | |
JP2002540950A5 (ja) | ||
TW200937514A (en) | Semiconductor chip fabrication method | |
JP3530961B2 (ja) | 表面処理方法 | |
WO2005088689A1 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
JPH0313290A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2004188451A (ja) | レーザ加工方法および装置 | |
JP6422693B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2007157659A (ja) | 有機el素子の配線パターンの形成方法及び有機el素子の形成装置 | |
US4413020A (en) | Device fabrication incorporating liquid assisted laser patterning of metallization | |
KR102292024B1 (ko) | 초박형 글라스 레이저 커팅용 브레이킹 스테이지 | |
JP2005294656A (ja) | 基板製造方法及び基板製造装置 | |
KR102021154B1 (ko) | 가공 방법 및 가공 장치 | |
DE102004006774A1 (de) | Halbleiterwafer-Bearbeitungsverfahren | |
JPS62104692A (ja) | レ−ザ加工装置 | |
JP3858382B2 (ja) | レーザ加工用シート保持装置 | |
JP3082013B2 (ja) | レーザ加工方法および装置 | |
JP2003071585A (ja) | レーザ加工装置 | |
CN212217441U (zh) | 金属膜辅助脆性材料的激光打孔装置 |