JP2006315030A - 薄膜パネル加工装置 - Google Patents

薄膜パネル加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006315030A
JP2006315030A JP2005139887A JP2005139887A JP2006315030A JP 2006315030 A JP2006315030 A JP 2006315030A JP 2005139887 A JP2005139887 A JP 2005139887A JP 2005139887 A JP2005139887 A JP 2005139887A JP 2006315030 A JP2006315030 A JP 2006315030A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
panel
film panel
cleaning
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005139887A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4762601B2 (ja
Inventor
Hirotaka Koyama
山 博 隆 小
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP2005139887A priority Critical patent/JP4762601B2/ja
Publication of JP2006315030A publication Critical patent/JP2006315030A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4762601B2 publication Critical patent/JP4762601B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

【課題】レーザ加工中における加工クズや加工部周辺のバリ等の発生を防止して、レーザ加工の安定性を飛躍的に向上させることができる、薄膜パネル加工装置を提供する。
【解決手段】移動テーブル15により薄膜パネル30がレーザ加工位置Pに対して相対的に移動している状態で、レーザ加工装置10により薄膜パネル30の上面側(基板31側)からレーザ光Lが照射されると、レーザ光Lは、薄膜パネル30の基板31を透過して薄膜32に到達し、薄膜パネル30の薄膜32が加工される。薄膜パネル30の裏面側(薄膜32側)では、薄膜32のレーザ加工によって加工クズや加工部周辺でのバリ等が発生するが、これらの加工クズやバリ等は、レーザ加工装置10により薄膜パネル30の薄膜32が加工されているレーザ加工中に洗浄装置20により洗浄される。
【選択図】図1

Description

本発明は、太陽電池パネルや液晶パネル、プラズマディスプレイパネル等の薄膜パネルを加工する薄膜パネル加工装置に係り、とりわけ、薄膜パネルの所定の位置をレーザ光を用いて加工する薄膜パネル加工装置に関する。
太陽電池パネルや液晶パネル、プラズマディスプレイパネル等の薄膜パネルは、基板の表面に特定の機能を有する薄膜を蒸着等させることにより作製されるものであり、その作製工程においては、レーザ光を用いて加工するレーザ加工が広く用いられている。例えば、太陽電池パネルでは、トリミング工程やパターニング工程において、このようなレーザ加工が用いられている。
ところで、このような薄膜パネルの作製工程で用いられるレーザ加工は、レーザ光を非常に小さなスポットに集光して照射することにより行われる。このため、薄膜パネル上の所望の加工位置にゴミ等が付着した状態でレーザ光が照射されると、当該部分の加工が不十分となり、所望の加工が行えないこととなる。なお、このような事態を避けるための手法として、レーザ光の出力を増加させることも可能であるが、この場合には、ゴミがない位置でのレーザ光の出力が過剰となり、加工対象となる薄膜にダメージが生じることとなる。
従来においては、このような問題を解消するための手法として、薄膜パネルを薄膜パネル加工装置に投入する前に当該薄膜パネルを洗浄したり、薄膜パネル加工装置に防塵処理を施したりする方法が一般的に用いられている。また、薄膜パネルに対してレーザ加工が行われた後に当該薄膜パネルを洗浄する方法も一般に用いられている(特許文献1及び2参照)。なお、後者の方法が用いられるのは、レーザ加工によって発生した加工クズや加工部周辺のバリ等が後工程で悪影響を及ぼすからである。
特開2002−126659号公報 特開平11−57631号公報
しかしながら、薄膜パネルをレーザ光を用いて加工する際には、レーザ加工自体が加工クズや加工部周辺のバリ等の発生を伴うので、レーザ加工の前後に薄膜パネルの洗浄を行うだけでは上述した問題を解消することは困難であり、レーザ加工の安定性を向上させることができない。
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、薄膜パネルに対してレーザ加工を行うのと同時又はほぼ同時に当該薄膜パネルを洗浄することにより、レーザ加工中における加工クズや加工部周辺のバリ等の発生を防止して、レーザ加工の安定性を飛躍的に向上させることができる、薄膜パネル加工装置を提供することを目的とする。
本発明は、薄膜パネルの所定の位置をレーザ光を用いて加工する薄膜パネル加工装置において、基板の片面上に加工対象となる薄膜が形成された薄膜パネルを支持する支持機構と、支持機構により支持された薄膜パネルのうち薄膜が形成されていない面の側に配置されたレーザ加工装置であって、薄膜パネルの薄膜を加工するように薄膜パネルに対してレーザ光を照射するレーザ加工装置と、薄膜パネルのうち薄膜が形成されている面の側に配置された洗浄装置であって、レーザ加工装置により薄膜パネルの薄膜が加工されているレーザ加工中に薄膜を洗浄する洗浄装置とを備えたことを特徴とする薄膜パネル加工装置を提供する。
なお、本発明において、洗浄装置は、薄膜パネルの薄膜を洗浄剤を利用して洗浄する洗浄器と、洗浄器で利用される洗浄剤を収容する洗浄トレイとを有することが好ましい。ここで、洗浄装置の洗浄トレイは、薄膜パネルの薄膜の全面に対して洗浄剤が接触するように薄膜パネルの全域に対応する開口部を有する他、薄膜パネルの薄膜のうちレーザ加工が行われる部位の近傍の領域に対してのみ洗浄剤が接触するように薄膜パネルの一部の領域に対応する開口部を有していてもよい。また、洗浄装置は、洗浄剤が外部へ漏出しないように洗浄トレイの薄膜パネルに対する当接部分に設けられたシール機構をさらに有することが好ましい。さらに、洗浄装置の洗浄器は、薄膜パネルの薄膜を洗浄剤を利用して超音波により洗浄する超音波洗浄器を有する他、薄膜パネルの薄膜へ向けて洗浄剤を吹き付ける洗浄剤噴射器を有していてもよい。
また、本発明において、薄膜パネルは、太陽電池パネルである他、液晶パネル及びプラズマディスプレイパネルを含む群から選択される少なくとも一つの表示パネルであってもよい。
本発明によれば、レーザ加工装置により基材側から照射されるレーザ光により薄膜パネルの薄膜側をレーザ加工するとともに、このようなレーザ加工によって薄膜パネルの薄膜側で発生した加工クズやバリ等をレーザ加工中に洗浄装置により洗浄するので、レーザ加工中における加工クズや加工部周辺のバリ等の発生を防止して、レーザ加工の安定性を飛躍的に向上させることができる。
発明を実施するための形態
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
まず、図1により、本発明の一実施形態に係る薄膜パネル加工装置の全体構成について説明する。
図1に示すように、本実施形態に係る薄膜パネル加工装置1は、薄膜パネル30の所定の位置をレーザ光Lを用いて加工(切断や除去等)するものであり、薄膜パネル30をパネル保持材16を介して載置(支持)する移動テーブル(支持機構)15と、移動テーブル15により支持された薄膜パネル30の上側に配置されたレーザ加工装置10と、薄膜パネル30の下側に配置された洗浄装置20とを備えている。
このうち、移動テーブル15は、レーザ加工装置10によりレーザ光Lが照射される位置(レーザ加工位置P)が薄膜パネル30上の所定の位置に位置付けられるように当該薄膜パネル30を移動させるものである。なお、薄膜パネル30は、ガラスや樹脂等からなる基板31の片面上に特定の機能を持つ薄膜32が蒸着等により形成された太陽電池パネルであり、薄膜パネル30の薄膜32が下側(移動テーブル15側)を向くように配置されている。なお、図示はしないが、移動テーブル15には、テーブル駆動用のモータやドライバ等の所要の装置が含まれている。
レーザ加工装置10は、薄膜パネル30の薄膜32を加工するように薄膜パネル30に対してレーザ光Lを照射するものである。なお、レーザ加工装置10は、薄膜パネル30のうち薄膜32が形成されていない面の側(基板31側)に配置されているので、レーザ加工装置10により照射されたレーザ光Lは、レーザ加工位置Pにて薄膜パネル30の基板31を透過した上で加工対象となる薄膜32に到達する。なお、詳細に図示はしないが、レーザ加工装置10には、レーザ駆動電源や冷却装置、光学系等の所要の装置が含まれている。
洗浄装置20は、レーザ加工装置10により薄膜パネル30の薄膜32が加工されているレーザ加工中(すなわち、レーザ加工と同時又はほぼ同時)に薄膜32を洗浄するものであり、薄膜パネル30のうち薄膜32が形成されている面の側に配置されている。ここで、洗浄装置20は、洗浄トレイ21及び超音波洗浄器22を有している。このうち、洗浄トレイ21は、超音波洗浄器22で利用される水や有機溶媒等の洗浄剤23を収容するものであり、薄膜パネル30の薄膜32の全面に対して洗浄剤23が接触するように薄膜パネル30の全域に対応する開口部21aを有している。なお、洗浄トレイ21の薄膜パネル30に対する当接部分には、洗浄剤23が外部へ漏出しないようにシール機構24が設けられている。また、超音波洗浄器22は、薄膜パネル30の薄膜32を洗浄剤23を利用して超音波により洗浄するものである。なお、図示はしないが、超音波洗浄器22には駆動電源等の所要の装置が接続されている。
次に、このような構成からなる本実施形態に係る薄膜パネル加工装置1の作用について説明する。
図1に示す薄膜パネル加工装置1において、移動テーブル15により支持された薄膜パネル30は、レーザ加工装置10によりレーザ光Lが照射される位置(レーザ加工位置P)が薄膜パネル30上の所定の位置に位置付けられるように移動する。
このようにして薄膜パネル30がレーザ加工位置Pに対して相対的に移動している状態で、レーザ加工装置10により薄膜パネル30の上面側(基板31側)からレーザ光Lが照射されると、レーザ光Lは、薄膜パネル30の基板31を透過した上で加工対象となる薄膜32に到達し、薄膜パネル30の薄膜32が加工される。
このとき、薄膜パネル30の裏面側(薄膜32側)では、薄膜32のレーザ加工によって加工クズや加工部周辺でのバリ等が発生することとなるが、このようにして発生する加工クズやバリ等は、レーザ加工装置10により薄膜パネル30の薄膜32が加工されているレーザ加工中に洗浄装置20により洗浄される。
すなわち、薄膜パネル30の裏面側(薄膜32側)では、洗浄装置20の洗浄トレイ21内に収容された洗浄剤23がその全面に亘って接触しており、超音波洗浄器22により発生した超音波により洗浄剤23を利用して洗浄が行われる。これにより、薄膜パネル30の裏面側(薄膜32側)で発生した加工クズやバリ等は、空中に飛散することなく洗浄トレイ21内の洗浄剤23中に飛散することとなる。この場合、このようにして洗浄剤23中に加工クズやバリ等が飛散しても、レーザ加工装置10により照射されたレーザ光Lは薄膜パネル30の上面側(基板31側)から照射されているので、レーザ加工装置10により薄膜パネル30の薄膜32に対して行われるレーザ加工への影響は最小限に留められる。なお、洗浄トレイ21内の洗浄剤23は、ポンプ(図示せず)により外部の通路を通して循環されるようにしてもよい。この場合、外部の通路の途中に濾過器等を設けておけば、洗浄剤23中に飛散した加工クズやバリ等を当該濾過器等で濾過して効果的に回収することができる。
このように本実施形態によれば、レーザ加工装置10により上面側(基材31側)から照射されるレーザ光Lにより薄膜パネル30の裏面側(薄膜32側)をレーザ加工するとともに、このようなレーザ加工によって薄膜パネル30の裏面(薄膜32側)で発生した加工クズやバリ等をレーザ加工中に洗浄装置20により洗浄するので、レーザ加工中における加工クズや加工部周辺のバリ等の発生を防止して、レーザ加工の安定性を飛躍的に向上させることができる。
なお、上述した実施形態においては、洗浄装置20の洗浄トレイ21が、薄膜パネル30の薄膜32の全面に対して洗浄剤32が接触するように薄膜パネル30の全域に対応する開口部21aを有しているが、これに限らず、薄膜パネル30の薄膜32のうちレーザ加工が行われる部位の近傍の領域に対してのみ洗浄剤23が接触するように薄膜パネル30の一部の領域に対応する開口部を有していてもよい。なお、このような開口部は、レーザ光Lが照射される態様に応じて任意の形状をとり得るが、例えば、一方向に沿って延びる線状の形状をとることができる。
また、上述した実施形態においては、洗浄装置20の洗浄器として、超音波洗浄器22を用いているが、これに限らず、図2に示す薄膜パネル加工装置1′のように、薄膜パネル30の薄膜32(特にレーザ加工位置Pの近傍)へ向けて水や有機溶媒等の洗浄剤26を吹き付ける洗浄剤噴射器25を用いてもよい。なお、図2に示す薄膜パネル加工装置1′は、図1に示す薄膜パネル加工装置1の洗浄装置20が、洗浄剤噴射器25を含む洗浄装置20′に置き換えられていることを除いて、他は図1に示す薄膜パネル加工装置1と同様である。ここで、図2に示す洗浄装置20′は、洗浄トレイ21′と、洗浄トレイ21′内に配置された洗浄剤噴射器25とを有している。なお、洗浄トレイ21′は、薄膜パネル30の薄膜32のうちレーザ加工が行われる部位の近傍の領域に対してのみ洗浄剤26が接触するように薄膜パネル30の一部の領域に対応する開口部21a′を有している。また、図示はしないが、洗浄剤噴射器25には、噴射圧を得るために適当なポンプや、噴射された洗浄剤26を回収する吸引機等の所要の装置が設けられている。ここで、洗浄装置20の洗浄器として、上述したような洗浄剤噴射器25が用いられる場合には、洗浄剤26としては、加工クズやバリ等を効果的に除去することができるものであれば、液体に限らず、気体を用いてもよい。
さらに、上述した実施形態においては、レーザ加工装置10側を固定として、移動テーブル15により薄膜パネル30側を移動させることにより、レーザ加工位置Pを薄膜パネル30上で相対的に移動させているが、これに限らず、薄膜パネル30側を固定として、レーザ加工装置10側を移動させることにより、レーザ加工位置Pを薄膜パネル30上で相対的に移動させるようにしてもよい。ただし、後者の場合には、図2に示す薄膜パネル加工装置1′のように、洗浄装置20′により洗浄される洗浄位置が局所的である場合には、レーザ加工装置10の移動に追従して洗浄装置20′を移動させる必要がある。
なお、上述した実施形態においては、薄膜パネル30が太陽電池パネルである場合を例に挙げて説明したが、これに限らず、薄膜パネル30としては、液晶パネルやプラズマディスプレイパネル等の表示パネル等を用いることができる。
本発明の一実施形態に係る薄膜パネル加工装置を示す概略断面図。 本発明の他の実施形態に係る薄膜パネル加工装置を示す概略断面図。
符号の説明
1,1′ 薄膜パネル加工装置
10 レーザ加工装置
15 移動テーブル(支持機構)
16 パネル保持材
20,20′ 洗浄装置
21,21′ 洗浄トレイ
21a,21a′ 開口部
22 超音波洗浄器
23,26 洗浄剤
24 シール機構
25 洗浄剤噴射器
30 薄膜パネル
31 基板
32 薄膜
L レーザ光
P レーザ加工位置

Claims (9)

  1. 薄膜パネルの所定の位置をレーザ光を用いて加工する薄膜パネル加工装置において、
    基板の片面上に加工対象となる薄膜が形成された薄膜パネルを支持する支持機構と、
    前記支持機構により支持された前記薄膜パネルのうち前記薄膜が形成されていない面の側に配置されたレーザ加工装置であって、前記薄膜パネルの前記薄膜を加工するように前記薄膜パネルに対してレーザ光を照射するレーザ加工装置と、
    前記薄膜パネルのうち前記薄膜が形成されている面の側に配置された洗浄装置であって、前記レーザ加工装置により前記薄膜パネルの前記薄膜が加工されているレーザ加工中に前記薄膜を洗浄する洗浄装置とを備えたことを特徴とする薄膜パネル加工装置。
  2. 前記洗浄装置は、前記薄膜パネルの前記薄膜を洗浄剤を利用して洗浄する洗浄器と、前記洗浄器で利用される洗浄剤を収容する洗浄トレイとを有することを特徴とする、請求項1に記載の薄膜パネル加工装置。
  3. 前記洗浄装置の前記洗浄トレイは、前記薄膜パネルの前記薄膜の全面に対して前記洗浄剤が接触するように前記薄膜パネルの全域に対応する開口部を有することを特徴とする、請求項2に記載の薄膜パネル加工装置。
  4. 前記洗浄装置の前記洗浄トレイは、前記薄膜パネルの前記薄膜のうち前記レーザ加工が行われる部位の近傍の領域に対してのみ前記洗浄剤が接触するように前記薄膜パネルの一部の領域に対応する開口部を有することを特徴とする、請求項2に記載の薄膜パネル加工装置。
  5. 前記洗浄装置は、前記洗浄剤が外部へ漏出しないように前記洗浄トレイの前記薄膜パネルに対する当接部分に設けられたシール機構をさらに有することを特徴とする、請求項2乃至4のいずれか一項に記載の薄膜パネル加工装置。
  6. 前記洗浄装置の前記洗浄器は、前記薄膜パネルの前記薄膜を前記洗浄剤を利用して超音波により洗浄する超音波洗浄器を有することを特徴とする、請求項2乃至5のいずれか一項に記載の薄膜パネル加工装置。
  7. 前記洗浄装置の前記洗浄器は、前記薄膜パネルの前記薄膜へ向けて前記洗浄剤を吹き付ける洗浄剤噴射器を有することを特徴とする、請求項2乃至5のいずれか一項に記載の薄膜パネル加工装置。
  8. 前記薄膜パネルは、太陽電池パネルであることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の薄膜パネル加工装置。
  9. 前記薄膜パネルは、液晶パネル及びプラズマディスプレイパネルを含む群から選択される少なくとも一つの表示パネルであることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の薄膜パネル加工装置。
JP2005139887A 2005-05-12 2005-05-12 薄膜パネル加工装置 Expired - Fee Related JP4762601B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005139887A JP4762601B2 (ja) 2005-05-12 2005-05-12 薄膜パネル加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005139887A JP4762601B2 (ja) 2005-05-12 2005-05-12 薄膜パネル加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006315030A true JP2006315030A (ja) 2006-11-24
JP4762601B2 JP4762601B2 (ja) 2011-08-31

Family

ID=37536148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005139887A Expired - Fee Related JP4762601B2 (ja) 2005-05-12 2005-05-12 薄膜パネル加工装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4762601B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008114470A1 (ja) * 2007-03-16 2008-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha プラスチック基板の切断方法、及びプラスチック基板の切断装置
WO2009119457A1 (ja) * 2008-03-24 2009-10-01 丸文株式会社 ビーム加工装置、ビーム加工方法およびビーム加工基板
JP2011088799A (ja) * 2009-10-26 2011-05-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法およびレーザー加工装置
DE112009005060T5 (de) 2009-07-10 2012-07-12 Mitsubishi Electric Corp. Laserbearbeitungsverfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110193672A (zh) * 2019-05-28 2019-09-03 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种激光加工工件固定及冷却装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5285800A (en) * 1976-01-12 1977-07-16 Toshiba Corp Method of removing scattered material
JPH0196287A (ja) * 1987-10-08 1989-04-14 Toyota Motor Corp 液晶組成物
JPH0313290A (ja) * 1989-06-12 1991-01-22 Mitsubishi Electric Corp レーザ加工装置
JPH08111358A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造装置と製造方法
JP2000052071A (ja) * 1998-08-04 2000-02-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ光を用いた薄膜除去方法
JP2000208799A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜構成体の加工方法
JP2001094131A (ja) * 1999-09-22 2001-04-06 Sanyo Electric Co Ltd 集積型光起電力装置の製造方法
JP2002009033A (ja) * 2000-06-19 2002-01-11 Super Silicon Kenkyusho:Kk 半導体ウエハ用洗浄装置
JP2002018586A (ja) * 2000-07-03 2002-01-22 Ricoh Microelectronics Co Ltd レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2002233836A (ja) * 2001-02-05 2002-08-20 Sharp Corp 超音波洗浄装置および洗浄方法
JP2002239775A (ja) * 2001-02-21 2002-08-28 Hitachi Zosen Corp レーザ切断方法および切断装置
JP2004306134A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 透明材料の微細加工装置及びこれを用いた光学素子作製法
JP2004306138A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 透明材料の微細加工方法および微細構造体
JP2004363368A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄装置および研磨装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5285800A (en) * 1976-01-12 1977-07-16 Toshiba Corp Method of removing scattered material
JPH0196287A (ja) * 1987-10-08 1989-04-14 Toyota Motor Corp 液晶組成物
JPH0313290A (ja) * 1989-06-12 1991-01-22 Mitsubishi Electric Corp レーザ加工装置
JPH08111358A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造装置と製造方法
JP2000052071A (ja) * 1998-08-04 2000-02-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ光を用いた薄膜除去方法
JP2000208799A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜構成体の加工方法
JP2001094131A (ja) * 1999-09-22 2001-04-06 Sanyo Electric Co Ltd 集積型光起電力装置の製造方法
JP2002009033A (ja) * 2000-06-19 2002-01-11 Super Silicon Kenkyusho:Kk 半導体ウエハ用洗浄装置
JP2002018586A (ja) * 2000-07-03 2002-01-22 Ricoh Microelectronics Co Ltd レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2002233836A (ja) * 2001-02-05 2002-08-20 Sharp Corp 超音波洗浄装置および洗浄方法
JP2002239775A (ja) * 2001-02-21 2002-08-28 Hitachi Zosen Corp レーザ切断方法および切断装置
JP2004306138A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 透明材料の微細加工方法および微細構造体
JP2004306134A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 透明材料の微細加工装置及びこれを用いた光学素子作製法
JP2004363368A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄装置および研磨装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008114470A1 (ja) * 2007-03-16 2008-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha プラスチック基板の切断方法、及びプラスチック基板の切断装置
WO2009119457A1 (ja) * 2008-03-24 2009-10-01 丸文株式会社 ビーム加工装置、ビーム加工方法およびビーム加工基板
JP2010075995A (ja) * 2008-03-24 2010-04-08 Marubun Corp ビーム加工装置、ビーム加工方法およびビーム加工基板
JP4467632B2 (ja) * 2008-03-24 2010-05-26 丸文株式会社 ビーム加工装置、ビーム加工方法およびビーム加工基板
CN101977723A (zh) * 2008-03-24 2011-02-16 丸文株式会社 光束加工装置、光束加工方法和经光束加工的基板
DE112009005060T5 (de) 2009-07-10 2012-07-12 Mitsubishi Electric Corp. Laserbearbeitungsverfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung
CN102470481B (zh) * 2009-07-10 2015-04-29 三菱电机株式会社 激光加工方法及其装置
DE112009005060B4 (de) 2009-07-10 2017-10-19 Mitsubishi Electric Corp. Laserbearbeitungsverfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung
JP2011088799A (ja) * 2009-10-26 2011-05-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法およびレーザー加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4762601B2 (ja) 2011-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4762601B2 (ja) 薄膜パネル加工装置
TWI426962B (zh) A cleaning device for a mask member and a cleaning method, and an organic electroluminescent display
US6635845B2 (en) Dry surface cleaning apparatus using a laser
US20090084399A1 (en) Method and apparatus for cleaning a substrate
KR101461437B1 (ko) 포토마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토마스크 세정 방법
KR20090002784A (ko) 건식세정장치 및 방법
JP2008023547A (ja) 薄膜除去方法及び薄膜除去装置
CN102151996A (zh) 激光加工装置
JP2007185685A (ja) レーザー加工装置
JP2010017732A (ja) レーザ加工装置
JP2000061414A (ja) 洗浄装置および洗浄方法
JP2005297039A (ja) レーザー加工装置
JP2004105848A (ja) 基板洗浄装置とその洗浄方法
KR100871451B1 (ko) 레이저를 이용한 기판 세정 장치
KR101789582B1 (ko) 하향식 기판 레이저 에칭 장치
JP2010160352A (ja) 付着物の除去方法及び除去装置
JP2022091009A (ja) スクリーン枠の付着物除去方法、及び付着物除去装置
JP2006284695A (ja) 接続リード端子の洗浄方法
JP2007118070A (ja) レーザ加工方法及びレーザ加工装置
KR100898913B1 (ko) 기판 세정 방법 및 장치
KR101507215B1 (ko) 유리 단차부 이물의 건식 세정 방법 및 장치
JP2018001199A (ja) 表面処理装置
JP2017112140A (ja) 基板処理装置
KR102545857B1 (ko) 철 합금 재질인 차량용 부품의 이물질 제거 방법
JP2010056312A (ja) ダイシング装置及びワーク洗浄乾燥方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080410

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100617

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100706

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100831

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101102

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110218

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110407

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110531

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110608

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4762601

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees